CN102721694B - 检查发光二极管的设备及使用该设备的检查方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管(LED)检查设备和LED检查方法。发光二极管(LED)检查设备包括:至少一个LED,包括涂覆在发射表面上的磷光体;第一照明单元,将可见光发射至LED;第二照明单元,将紫外(UV)光发射至LED;拍摄单元,通过对从LED反射的可见光拍摄来产生至少一个第一图像数据,并通过对从LED反射的UV光拍摄来产生至少一个第二图像数据;确定单元,利用所述至少一个第一图像数据和所述至少一个第二图像数据来确定LED的外观和发射特性的缺陷。

Description

检查发光二极管的设备及使用该设备的检查方法
本申请要求于2011年3月28日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0027761号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种用于发光二极管(LED)的检查设备以及一种使用该设备的检查方法,更具体地说,涉及一种用于通过检查LED的外观和发射特性来确定LED的劣等的检查设备以及一种使用该设备的检查方法。
背景技术
最初,发光二极管(LED)封装件起初用于发信号。近来,LED封装件被更加广泛地应用,例如,用于照明装置与移动电话或诸如液晶显示器(LCD)的大面积显示装置的背光单元(BLU)的光源。由于LED与普通的灯泡或荧光灯相比具有相对低的功耗和长寿命,所以对LED的需求日益增加。随着需求增加,LED的生产快速地增加。因此,在LED中出现缺陷的比例也在日益增加。因此,在将LED销售给消费者之前,执行对LED的外观和发射特性(称作光亮度(PL)特性)的检查。
已经执行使用肉眼或使用设备的视觉检查来防止将具有各种外部缺陷(例如外部损坏、污染等)的LED销售给消费者。然而,由于不能通过视觉检查来检查发射特性,所以需要对发射特性的专门检查。
可通过包括紫外(UV)灯的显微镜来执行对发射特性的检查。这里,显微镜通过机械地调节开闭器来控制从UV灯发射的光。然而,使用机械开闭器操作会阻碍对发射特性的高速检查。另外,会使设备的寿命缩短,同时UV灯增加初始费用以及维护费用。
发明内容
本发明的一方面提供一种通过同时确定LED的与外观和发射特性相关的缺陷来降低检查成本并且能够高速检查的检查设备以及一种使用该检查设备的检查方法。
根据本发明的一方面,提供一种发光二极管(LED)检查设备,所述LED检查设备包括:至少一个LED,包括涂覆在发射表面上的磷光体;第一照明单元,将可见光发射至LED;第二照明单元,将紫外(UV)光发射至LED;拍摄单元,通过对从LED反射的可见光拍摄来产生至少一个第一图像数据,并通过对从LED反射的UV光拍摄来产生至少一个第二图像数据;确定单元,利用所述至少一个第一图像数据和所述至少一个第二图像数据来确定LED的外观和发射特性的缺陷。
所述LED检查设备还可包括分束单元,用来反射发射的可见光并将反射的可见光透射至LED,并通过透射从LED反射的可见光将该可见光提供至拍摄单元。
从LED反射的UV光可包含波长被LED和磷光体转换的波长转换后的光。
LED检查设备还可包括设置在LED的上部以使包含在从LED反射的UV光中的波长转换后的光穿过并过滤UV光的滤色器。
拍摄单元可通过对穿过滤色器的波长转换后的光拍摄以产生第二图像数据。
确定单元可通过第一图像数据检测LED的对准状态并根据对准状态确定二极管的存在。
当确定二极管存在时,确定单元可将第一图像数据与第一参考图像数据比较,并且当第一图像数据与第一参考图像数据不同时,确定单元可确定LED的外观有缺陷。
当确定LED具有正常的外观时,确定单元可将第二图像数据分为多个区并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值,并且当平像素均值超出容差范围时,确定单元可确定LED的发射特性有缺陷。
当平均像素值在容差范围内时,确定单元可对第二图像数据进行图像处理,并可将图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据进行比较,当图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据不同时,确定单元确定LED的发射特性有缺陷。
LED检查设备还可包括:显示单元,显示由拍摄单元产生的第一图像数据和第二图像数据;存储单元,利用由确定单元对与外观和发射特性的缺陷相关的确定结果对第一图像数据和第二图像数据映射,并储存映射结果。
根据本发明的另一方面,提供了一种LED检查方法,该LED检查方法包括下述步骤:将可见光发射至包括涂覆在发射表面上的磷光体的至少一个LED;通过对从LED反射的可见光拍摄来产生至少一个第一图像数据;将紫外(UV)光发射至LED;通过对从LED反射的UV光拍摄来产生至少一个第二图像数据;利用第一图像数据和第二图像数据确定LED的外观和发射特性的缺陷。
从LED反射的UV光可包含波长被LED和磷光体转换的波长转换后的光。
产生第二图像数据的步骤可包括:使包含在从LED反射的UV光中的波长转换后的光穿过并过滤UV光;通过对过滤后的波长转换后的光拍摄来产生第二图像数据。
确定缺陷的步骤可包括:通过第一图像数据检查LED的对准状态,并根据对准状态确定二极管的存在;当确定二极管存在时,将第一图像数据与第一参考图像数据进行比较;当第一图像数据与第一参考图像数据不同时,确定LED的外观有缺陷。
确定缺陷的步骤可包括:当确定LED具有正常的外观时,将第二图像数据分为多个区,并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值;当平均像素值超出容差范围时,确定LED的发射特性有缺陷。
确定缺陷的步骤可包括:当平像素均值在容差范围内时,对第二图像数据进行图像处理;将图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据进行比较,并且当图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据不同时,确定LED的发射特性有缺陷。
LED检查方法还可包括下述步骤:显示第一图像数据和第二图像数据;利用由确定单元对与外观和发射特性的缺陷相关的确定结果对第一图像数据和第二图像数据映射,并储存映射结果。
附图说明
通过下面结合附图进行的对示例性实施例的描述,本发明的这些和/或其它方面、特征和优点将变得更加明显并且更加容易理解,在附图中:
图1是示出根据本发明实施例的发光二极管(LED)检查设备的结构的框图;
图2是示出根据本发明实施例的LED检查方法的流程图;
图3是示出根据本发明实施例的确定LED的外观和发射特性方面的缺点的方法的流程图;
图4和图5是示出根据本发明实施例的第一图像数据和第二图像数据的图;
图6和图7是示出根据本发明另一实施例的第一图像数据和第二图像数据的图;
图8和图9是示出根据本发明实施例的第二图像数据以及图像处理后的第二图像数据的图;
图10至图12是示出根据本发明其它实施例的图像处理后的第二图像数据的图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的示例性实施例,在附图中示出了示例性实施例的示例,其中,相同的标号始终表示相同的元件。在下面的描述中,当确定对与本发明相关的公知的功能及其结构的详细描述会使本发明的要点不清楚时,将省略这些详细描述。这里使用的术语仅用于描述特定的实施例,并且定义可根据本发明的用户、操作者或消费者而改变。这里,应当基于本说明书的描述来定义术语和词语。
图1是示出根据本发明实施例的发光二极管(LED)检查设备的结构的框图。参照图1,LED检查设备100可包括LED 110、第一照明单元120、第二照明单元130、分束单元140、滤色器150、拍摄单元160和确定单元170。
LED 110可具有包括磷光体的芯片结构或者可具有晶片级结构。另外,LED 110可以是安装在封装基底(未示出)上的封装结构或者是模块结构。
可在阵列板10上布置多个LED 110。
可将磷光体涂覆到LED 110的发射表面上,以转换由LED 110产生的光的波长。可根据从LED 110产生的光的颜色以及将要使用LED 110和磷光体实现的光的颜色来改变磷光体的种类。
例如,当由LED 110产生蓝光并且将要利用LED 110和磷光体实现白光时,可使用黄色磷光体作为所述磷光体。
当由LED 110产生紫外(UV)光并且将要利用LED 110和磷光体实现白光时,可使用蓝色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体作为所述磷光体。
第一照明单元120将可见光L1发射至LED 110。从第一照明单元120发射的可见光L1从LED 110反射。第一照明单元120可以是同轴光源。除了可见光L1之外,同轴光源还可发射UV光。
第二照明单元130可将UV光L2发射至LED 110。从第二照明单元130发射的UV光L2可从LED 110反射。反射的UV光L2′可包括波长转换后的光,通过LED 110的有源层和磷光体对波长转换后的光的波长进行转换。即,接收UV光L2的LED 110的有源层可被UV光L2激发,从而产生具有与有源层的材料对应的波长的光。因此,UV光L2的波长通过磷光体进行转换。
可以按照与第一照明单元120的操作相反的方式开启和关闭第二照明单元130。例如,当开启第一照明单元120时,可关闭第二照明单元130。另外,当关闭第一照明单元120时,可开启第二照明单元130。
第二照明单元130可以是垂直光源,并且可包括多个垂直照明单元。除了发射UV光L2之外,垂直光源还可发射可见光。即,垂直光源可单独地发射UV光L2和可见光。
分束器(即,分束单元)140可设置在阵列板10的上部。通过反射从第一照明单元120发射的可见光L1,分束器140可将可见光L1发射至设置在阵列板10上的LED 110。分束器140可设置在支撑体141中。
另外,分束器140可透射从LED 110反射的可见光L1′。更具体地说,从第一照明单元120发射的可见光L1被分束器140反射,从而被传输到LED110。可见光L1从LED 110反射并成为被分束器140透射的可见光L1′。
滤色器150可透射可见光L1′以及从LED 110反射的UV光L2′。在这个过程中,滤色器150可从可见光L1′和UV光L2′中去除UV分量,从而防止UV分量行进至拍摄单元160。除了从第二照明单元120发射的UV光L2之外,从LED 110反射的UV光L2′还可包括波长转换后的光,通过LED 110的有源层和磷光体对波长转换后的光的波长进行转换。因此,滤色器150可透射包括在UV光L2′中的波长转换后的光,而选择性地仅去除UV光L2,从而防止UV分量行进至拍摄单元160。
滤色器150可固定于其上设置有LED 110的阵列板10的上部。然而,滤色器150可以是可移动的。例如,当第二照明单元130开启时,滤色器150可设置在阵列板10的上部处,当第二照明单元130关闭时,滤色器150可移动至另一位置。
通过对从LED 110反射的可见光L1′进行拍摄,拍摄单元160可产生至少一个第一图像数据。另外,拍摄单元160可通过对从LED 110反射的并穿过滤色器150的UV光L2′进行拍摄来产生至少一个第二图像数据。拍摄单元160可以是包括电荷耦合器件(CCD)照相机的拍摄装置。
确定单元170可利用第一图像数据和第二图像数据来确定LED 110的外观和发射特性方面的缺陷。根据示例性实施例,确定单元170可利用第一图像数据来确定LED 110是否具有有缺陷的外观,并且可利用第二图像数据来确定LED 110是否具有有缺陷的发射特性。
确定单元170可通过第一图像数据来检测LED 110的对准状态。确定单元170可根据检测到的对准状态来确定二极管的存在。
确定单元170可核对从第一图像数据检测的对准状态,并且在对准状态具有不连续的部分或不可检测的部分时确定不存在二极管。对于不存在二极管的部分,不执行对LED 110的外观和发射特性的缺陷的检查。
当第一图像数据包括二极管时,确定单元170可将第一图像数据与第一参考图像数据比较,从而确定LED 110的外观缺陷。
第一参考图像数据可以是通过将可见光发射至对应于型号或规格的标准LED来拍摄的图像数据。即,第一参考图像数据可以是对应于正常状态的参考数据。例如,第一参考图像数据可以是通过将可见光发射至与LED 110具有相同的型号和规格的标准LED来拍摄的图像数据。
根据本发明的实施例,确定单元170可检测来自第一图像数据的边界并将检测到的边界与第一参考图像数据的参考边界进行比较,从而确定LED110的外观的缺陷。当从第一图像数据检测到的边界与第一参考图像数据的参考边界相同时,确定单元170可确定LED 110具有正常的外观。
相反,当从第一图像数据检测到的边界与参考边界不同时,确定单元170可确定LED 110具有有缺陷的外观。例如,LED 110可能具有诸如破裂的损伤或者可能被污染。
根据本发明的另一实施例,确定单元170可测量组成第一图像数据的各个像素的像素值,并将测量的像素值与对应于第一图像数据的各个像素的参考像素值进行比较,从而确定LED 110的外观的缺陷。当包括在第一图像数据中的第m行第n列像素的像素值等于包括在第一参考图像数据中的第m行第n列像素的参考像素值时,确定单元170可确定LED 110具有正常的外观。
然而,当包括在第一图像数据中的第m行第n列像素的像素值与包括在第一参考图像数据中的第m行第n列像素的参考像素值不同时,确定单元170可确定LED 110的外观有缺陷。例如,LED 110可能具有诸如破裂的损伤或者可能被污染。
当LED 110被确定为具有正常的外观时,确定单元170可利用第二图像数据确定LED 110的发射特性的缺陷。
确定单元170可将第二图像数据分为多个区(例如,二极管单元区),并计算包括在多个区中的像素的平均像素值。第二图像数据可以是由LED 110反射的UV光L2′中的被滤色器过滤出的波长转换后的光的图像数据。因此,第二图像数据可以是包括与从被UV光激发的有源层产生的光和由磷光体进行波长转换的光对应的像素值的图像数据。
例如,当有源层被UV光激发从而产生蓝光,同时磷光体将UV光转换为黄光时,包括在多个区中的像素可具有对应于蓝光和黄光的混合光的像素值。因此,当LED 110具有正常发射特性时,每个区中的像素的平均像素值可以在容差范围内。这里,容差范围可根据LED 110和磷光体的型号和规格而改变。
当利用多个区计算的平均像素值在容差范围内时,确定单元170可对第二图像数据进行图像处理并将第二图像数据与第二参考图像数据进行比较,从而确定LED 110的发射特性的缺陷。
如上所述,第二图像数据可以是包括从由UV光激发的有源层产生的光以及通过磷光体进行了波长转换的光的图像数据。由于对应于波长转换后的光的像素值,所以在第二图像数据中可能不会精确地检查微小的点或斑。因此,确定单元170可将第二图像数据图像处理成为黑白图像。
确定单元170可将图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据进行比较。当处理后的第二图像数据与第二参考图像数据相同时,确定单元170可确定LED 110具有正常的发射特性。当处理后的第二图像数据与第二参考图像数据不同时,确定单元170可确定LED 110具有有缺陷的发射特性。
确定单元170可通过将包括在图像处理后的第二图像数据中的像素与包括在第二参考图像数据中的像素逐一地进行比较来确定LED 110的发射特性的缺陷。
第二参考图像数据可以是通过将UV光发射至对应于型号或规格的包括磷光体的标准LED来拍摄的图像数据。即,第二参考图像数据可以是对应于正常状态的参考数据。例如,第二参考图像数据可以是通过将UV光发射至具有与LED 110的型号和规格相同的型号和规格的标准LED来拍摄的图像。
LED检查设备100还可包括显示单元180和存储单元190。
显示单元180可显示由拍摄单元160产生的第一图像数据和第二图像数据。因此,操作者可通过显示单元180利用肉眼来检查LED的外观和发射特性。
当通过确定单元170确定缺陷时,存储单元190可利用第一图像数据和第二图像数据对确定结果进行映射并储存映射结果。
即,可以在检查之前将LED 110的型号和规格输入到LED检查设备100。存储单元190可对输入的型号和规格、与LED 110相关的第一图像数据和第二图像数据以及确定结果(例如“有缺陷”或“正常”)进行映射,并储存映射结果数据。
图1中示出的LED检查设备100可通过同时检查LED 110的外观和发射特性来确定缺陷,因此简化了检查过程。另外,使用发射UV光的第二照明单元130作为检查光源,LED检查设备100可以以高速执行检查。
虽然已经参照图1将确定单元170示出为通过使用第一参考图像数据和第二参考图像数据的图案匹配来确定LED的缺陷,但是本发明不限于该实施例。例如,确定单元170可使用缺陷形状识别法或图像处理法。
图2是示出根据本发明实施例的LED检查方法的流程图。LED检查方法可通过图1中示出的LED检查设备100来执行。
参照图2,在操作210中,LED检查设备100可将第一照明单元120开启,以将可见光L1发射至LED 110。可在阵列板10上布置至少一个LED 110。LED 110可包括涂覆在发射表面上的磷光体。
在操作220中,LED检查设备可通过对从LED 110反射的可见光L1′进行拍摄来产生第一图像数据。
在操作230中,LED检查设备100可将第二照明单元130开启,以将UV光L2发射至LED 110。当第二照明单元130开启时,可关闭第一照明单元120。另外,当第二照明单元130开启时,滤色器150可移动至设置在阵列板10上的LED 110的上部。
在操作240中,LED检查设备100可对从LED 110反射的UV光L2′成像,从而产生第二图像数据。在这种情况下,UV光L2′可具有通过滤色器150去除的UV分量。
在操作250中,LED检查设备100可利用第一图像数据和第二图像数据确定LED 110的外观和发射特性方面的缺陷。
图3是示出根据本发明实施例的确定LED的外观和发射特性的缺陷的方法的流程图。图3详细地示出了图2中的操作250。
LED检查设备100可利用第一图像数据来确定LED 110的外观缺陷,并可利用第二图像数据来确定发射特性缺陷。
即,LED检查设备100可在操作301中从第一图像数据检测LED 110的对准状态,并在操作302中根据检测到的对准状态确定存在二极管。当在第一图像数据中对准状态具有不连续的部分或不可检测的部分时,LED检查设备100可确定不存在二极管。
当在操作303中确定第一图像数据包括二极管时,LED检查设备100可在操作304中确定第一图像数据与第一参考图像数据是否相同。即,LED检查设备100可比较第一图像数据的边界与第一参考图像数据的边界,从而确定这两个边界是否相同。可选地,LED检查设备100可将第一图像数据的像素值与第一参考图像数据的参考像素值进行比较,从而确定这两个对应的像素值是否相同或者差异是否在容差范围内。
当第一图像数据与第一参考图像数据相同时,LED检查设备100可在操作305中确定LED 110具有正常的外观。当第一图像数据与第一参考图像数据不同时,LED检查设备100可在操作306中确定LED 110的外观有缺陷。在这种情况下,例如,LED 110可能具有诸如破裂的损伤或者可能受到了污染。
当确定LED 110具有正常的外观时,LED检查设备100可在操作307中计算包括在第二图像数据的多个区中的像素的平均像素值。
然后,LED检查设备100可在操作308中核对平均像素值是否在容差范围内。当平均像素值在容差范围内时,LED检查设备100可在操作309中确定LED 110具有正常的发射特性,或者当平均像素值不在容差范围内时,在操作313中确定LED具有有缺陷的发射特性。
当在操作309中确定LED 110具有正常的发射特性时,LED检查设备100可在操作310中对第二图像数据进行图像处理。执行图像处理以利用图像处理后的第二图像数据二次确定LED 110的发射特性的缺陷。
在操作311中,LED检查设备100可确定图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据是否相同或者差异是否在容差范围内。具体地说,为了这个目的,可将包括在第二图像数据中的像素与包括在第二参考图像数据中的像素进行比较。
当图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据相同时,LED检查设备100可在操作312中确定LED 110的发射特性正常。当图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据不同时,LED检查设备100可在操作313中确定LED 110的发射特性有缺陷。
在操作314中,LED检查设备100可利用第一图像数据和第二图像数据对确定结果进行映射并储存映射结果。即,LED检查设备100可产生确定结果数据。
图4和图5是示出根据本发明实施例的第一图像数据和第二图像数据的图。图4示出了通过将可见光发射至多个LED来拍摄的第一图像数据400。图5示出了通过将UV光发射至相同的LED来拍摄的第二图像数据500。
参照图4,第一图像数据包括第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d。在第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d中检测第一图像数据400的边界。因此,识别出第二二极管区b的区域A损坏。在第一图像数据400的边界检测过程中,也可从包括在区域A中的损坏区域检测到边界11
第一参考图像数据(未示出)不包括在区域A中包括的边界。即,第一图像数据400与第一参考图像数据不同。因此,对应于第一图像数据400的LED可被确定为具有有缺陷的外观。
参照图5,按照与第一图像数据400相同的方式,第二图像数据500包括第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d。第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d可包括与从LED的有源层产生的光和通过磷光体转换波长的光对应的像素值。
例如,当从LED的有源层产生蓝光并且同时磷光体将蓝光波长转换为黄光时,包括在第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d中的像素可具有对应于蓝光和黄光的混合光的像素值。因此,当LED具有正常的发射特性时,包括在第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d中的像素的平均像素值可以在容差范围内。
第一二极管区a、第二二极管区b、第三二极管区c和第四二极管区d中的第一二极管区a可几乎不包括对应于蓝光的像素值而可包括对应于黄光的像素值。因此,第一二极管区a中的像素的平均像素值可不在容差范围内。即,LED具有有缺陷的发射特性,并且不能正常地产生蓝光。
如图4和图5中所示,由于波长转换后的光,导致未从第二图像数据500检测到包括在区域A中的损坏区。因此,可利用作为可见光的图像的第一图像数据400来检查LED的外观缺陷。
另外,由于第一图像数据400的亮度没有被波长转换后的光改变,所以利用第一图像数据400检查不到与第一二极管区a相关的发射特性。因此,可利用作为UV光的图像的第二图像数据500来检查发射特性缺陷。
图6和图7是示出根据本发明另一实施例的第一图像数据和第二图像数据的图。通过将可见光发射至LED来拍摄图6中示出的第一图像数据。通过将UV光发射至同一LED来拍摄图7中示出的第二图像数据。
参照图6中示出的第一图像数据600,在区域B中检查到外观的缺陷。第一图像数据600的像素值和第一参考图像数据(未示出)的像素值在区域B中彼此不对应。因此,可将对应于第一图像数据600的LED确定为被污染。
图7中示出的第二图像数据700是区域B被污染的LED的图像。然而,由于波长转换后的光的影响,所以检测不到区域B中包括的发射特性。因此,可利用作为可见光的图像的第一图像数据600来检查外观缺陷。
图8和图9是示出根据本发明实施例的第二图像数据和图像处理后的第二图像数据的图。在图8中示出的第二图像数据中,利用波长转换后的光检查LED的发射特性。因此,由于波长转换后的光,所以可能不会精确地检查到微小的点或斑。因此,LED检查设备可将第二图像数据图像处理为黑白图像。
图8示出了通过将UV光发射至LED拍摄的第二图像数据800。图9示出了对图8的第二图像数据800进行图像处理的图像处理后的第二图像数据900。
参照图8和图9,第二图像数据800和图像处理后的第二图像数据900在区域C中包括斑。该斑与LED的发射特性相关。然而,由于利用第二图像数据800可能不会精确地执行检查,所以可使用图像处理后的第二图像数据900进行检查。
图10至图12是示出根据本发明其它实施例的图像处理后的第二图像数据的图。图10至图12是通过对包括各自不同的发射特性缺陷的LED拍摄获得的图像处理后的第二图像数据1000、1100和1200。
图10中示出的第二图像数据1000在区域D中包括白斑。图11中示出的第二图像数据1100在区域E中包括暗斑。图12中示出的第二图像数据1200在区域F中包括白斑和暗斑。
白斑是因LED的图案缺陷导致。暗斑可能是因在半导体层(具体地说,氮化镓(GaN)半导体层)中出现的裂纹导致。由于这样的缺陷而使LED的有源层中的能带可能不能正常地实现,因而导致出现白斑或暗斑。由于通过视觉检查检查不到白斑和暗斑,所以可使用图像处理后的图像数据进行检查。
根据本发明实施例的LED检查设备和方法通过同时检查外观和发射特性来确定缺陷,从而简化了检查过程。
根据本发明实施例的LED检查设备和方法使用UV LED作为检查光源。因此,可以以高速检查外观和发射特性。
虽然已经示出和描述了本发明的一些示例性实施例,但是本发明不限于描述的示例性实施例。相反,本领域技术人员应当理解,在不脱离本发明的原理和精神的情况下,可以对这些示例性实施例进行改变,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (13)

1.一种发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备包括:
至少一个发光二极管,包括涂覆在发射表面上的磷光体;
第一照明单元,将可见光发射至发光二极管;
第二照明单元,将紫外光发射至发光二极管;
拍摄单元,通过对从发光二极管反射的可见光拍摄来产生至少一个第一图像数据,并通过对从发光二极管反射的紫外光拍摄来产生至少一个第二图像数据;
确定单元,利用所述至少一个第一图像数据和所述至少一个第二图像数据来确定发光二极管的外观和发射特性的缺陷,
其中,从发光二极管反射的紫外光包含通过发光二极管的有源层和磷光体对波长进行转换的波长转换后的光,
其中,确定单元将第二图像数据分为多个区并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值,并且当平均像素值不在容差范围内时,确定单元确定发光二极管具有有缺陷的发射特性。
2.如权利要求1所述的发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备还包括分束单元,用来反射发射的可见光并将反射的可见光透射至发光二极管,并通过透射从发光二极管反射的可见光将该可见光提供至拍摄单元。
3.如权利要求1所述的发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备还包括设置在发光二极管的上部以使包含在从发光二极管反射的紫外光中的波长转换后的光穿过并过滤紫外光的滤色器。
4.如权利要求3所述的发光二极管检查设备,其中,拍摄单元通过对穿过滤色器的波长转换后的光拍摄以产生第二图像数据。
5.如权利要求1所述的发光二极管检查设备,其中,确定单元通过第一图像数据检测发光二极管的对准状态并根据对准状态确定二极管的存在。
6.如权利要求5所述的发光二极管检查设备,其中,当确定二极管存在时,确定单元将第一图像数据与第一参考图像数据进行比较,并且当第一图像数据与第一参考图像数据不同时,确定单元确定发光二极管具有有缺陷的外观。
7.如权利要求1所述的发光二极管检查设备,其中,当平均像素值在容差范围内时,确定单元对第二图像数据进行图像处理,并将图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据进行比较,当图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据不同时,确定单元确定发光二极管具有有缺陷的发射特性。
8.如权利要求1所述的发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备还包括:
显示单元,显示由拍摄单元产生的第一图像数据和第二图像数据;
存储单元,利用由确定单元对与外观和发射特性的缺陷相关的确定结果对第一图像数据和第二图像数据映射,并储存映射结果。
9.一种发光二极管检查方法,所述发光二极管检查方法包括下述步骤:
将可见光发射至包括涂覆在发射表面上的磷光体的至少一个发光二极管;
通过对从发光二极管反射的可见光拍摄来产生至少一个第一图像数据;
将紫外光发射至发光二极管;
通过对从发光二极管反射的紫外光拍摄来产生至少一个第二图像数据;
利用第一图像数据和第二图像数据确定发光二极管的外观和发射特性的缺陷,
其中,从发光二极管反射的紫外光包含通过发光二极管的有源层和磷光体对波长进行转换的波长转换后的光,
其中,确定缺陷的步骤包括:
将第二图像数据分为多个区,并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值;
当平均像素值不在容差范围内时,确定发光二极管具有有缺陷的发射特性。
10.如权利要求9所述的发光二极管检查方法,其中,产生第二图像数据的步骤包括:
使包含在从发光二极管反射的紫外光中的波长转换后的光穿过并过滤紫外光;
通过对过滤后的波长转换后的光拍摄来产生第二图像数据。
11.如权利要求9所述的发光二极管检查方法,其中,确定缺陷的步骤包括:
通过第一图像数据检测发光二极管的对准状态,并根据对准状态确定二极管的存在;
当确定二极管存在时,将第一图像数据与第一参考图像数据进行比较;
当第一图像数据与第一参考图像数据不同时,确定发光二极管具有有缺陷的外观。
12.如权利要求9所述的发光二极管检查方法,其中,确定缺陷的步骤包括:
当平像素均值在容差范围内时,对第二图像数据进行图像处理;
将图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据进行比较,并且当图像处理后的第二图像数据与第二参考图像数据不同时,确定发光二极管具有有缺陷的发射特性。
13.如权利要求9所述的发光二极管检查方法,所述发光二极管检查方法还包括下述步骤:
显示第一图像数据和第二图像数据;
利用由确定单元对与外观和发射特性的缺陷相关的确定结果对第一图像数据和第二图像数据进行映射,并储存映射结果。
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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130144797A1 (en) * 2008-10-02 2013-06-06 ecoATM, Inc. Method And Apparatus For Recycling Electronic Devices
US11010841B2 (en) 2008-10-02 2021-05-18 Ecoatm, Llc Kiosk for recycling electronic devices
US10853873B2 (en) 2008-10-02 2020-12-01 Ecoatm, Llc Kiosks for evaluating and purchasing used electronic devices and related technology
CN105336044B (zh) 2008-10-02 2018-04-10 埃科亚特姆公司 针对设备的二手市场和自动售货系统
JP6119273B2 (ja) * 2013-01-31 2017-04-26 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の検査方法及び半導体発光素子の製造方法
JP6051917B2 (ja) * 2013-02-18 2016-12-27 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の検査方法及び半導体発光素子の製造方法
AT513747B1 (de) 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
CN104111160A (zh) * 2013-04-22 2014-10-22 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的检测系统及其检测方法
GB2514180A (en) * 2013-05-17 2014-11-19 Nanomex Ltd An optical inspection system
KR102050365B1 (ko) * 2013-08-23 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 불량 검출 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102192572B1 (ko) * 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR101533588B1 (ko) * 2014-06-19 2015-07-03 한국광기술원 발광 소자 불량 검출 장치 및 방법
KR20160011102A (ko) * 2014-07-21 2016-01-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
TWI504912B (zh) * 2014-08-07 2015-10-21 Utechzone Co Ltd 光源設備
EP3201846A1 (en) 2014-10-02 2017-08-09 Ecoatm Inc. Wireless-enabled kiosk for recycling consumer devices
EP3201885B1 (en) 2014-10-02 2021-03-10 ecoATM, LLC Application for device evaluation and other processes associated with device recycling
US10445708B2 (en) 2014-10-03 2019-10-15 Ecoatm, Llc System for electrically testing mobile devices at a consumer-operated kiosk, and associated devices and methods
KR102227774B1 (ko) * 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
CA3056457A1 (en) 2014-10-31 2016-05-06 Mark Vincent Bowles Systems and methods for recycling consumer electronic devices
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
WO2016091536A1 (en) * 2014-12-09 2016-06-16 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
US10437157B2 (en) 2014-12-09 2019-10-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
US11080672B2 (en) 2014-12-12 2021-08-03 Ecoatm, Llc Systems and methods for recycling consumer electronic devices
DK178701B1 (en) * 2015-04-01 2016-11-21 Spx Flow Tech Danmark As A method and a system for monitoring spray nozzles in a spray drying or spray cooling chamber
MX364984B (es) 2015-04-10 2019-04-11 Quim Tech S A De C V Dispositivo para observacion de obleas y sus conexiones en el fondo de las capsulas de diodos emisores de luz a traves de sus cupulas transparentes.
AT517259B1 (de) * 2015-06-09 2020-01-15 Zkw Group Gmbh Verfahren zur positionsgenauen Bestückung eines Schaltungsträgers
US10180248B2 (en) 2015-09-02 2019-01-15 ProPhotonix Limited LED lamp with sensing capabilities
KR102430499B1 (ko) * 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
US10269110B2 (en) 2016-06-28 2019-04-23 Ecoatm, Llc Methods and systems for detecting cracks in illuminated electronic device screens
KR20180015496A (ko) 2016-08-03 2018-02-13 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102042179B1 (ko) * 2016-09-15 2019-11-07 일룩스 아이엔씨. 흡착 및 제거 시스템 및 발광 디스플레이를 복원하는 방법
TWI606532B (zh) * 2017-04-17 2017-11-21 旺矽科技股份有限公司 微發光二極體晶圓的測試方法
CN107611046A (zh) * 2017-07-28 2018-01-19 华灿光电(浙江)有限公司 一种内层缺陷的检测装置及检测方法
KR102446211B1 (ko) 2017-12-11 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 검사 방법 및 발광 소자의 검사 장치
CN108456864B (zh) * 2017-12-28 2020-07-07 华灿光电(浙江)有限公司 外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法
JP6954142B2 (ja) * 2018-01-17 2021-10-27 オムロン株式会社 画像検査装置および照明装置
TWI665649B (zh) * 2018-02-27 2019-07-11 鴻海精密工業股份有限公司 微型led陣列、顯示幕及電子裝置
US10612978B2 (en) 2018-03-01 2020-04-07 International Business Machines Corporation Light emitting diode color resolution testing
EP3581921A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-18 Roche Diabetes Care GmbH Method for evaluating a suitability of lighting conditions for detecting an analyte in a sample using a camera of a mobile device
KR102552965B1 (ko) * 2018-06-27 2023-07-10 엘지디스플레이 주식회사 모니터용 유기 발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그의 영상 처리 방법
CN109215026B (zh) * 2018-09-29 2022-02-11 广东工业大学 一种基于机器视觉的高速准确led缺陷检测方法
US10746667B2 (en) 2018-11-27 2020-08-18 General Electric Company Fluorescent penetrant inspection system and method
AU2019404076A1 (en) 2018-12-19 2021-07-15 Ecoatm, Llc Systems and methods for vending and/or purchasing mobile phones and other electronic devices
KR102206753B1 (ko) * 2019-01-24 2021-01-22 주식회사 수아랩 결함 검사 장치
WO2020167846A1 (en) 2019-02-12 2020-08-20 Ecoatm, Llc Kiosk for evaluating and purchasing used electronic devices
AU2020222971A1 (en) 2019-02-12 2021-09-23 Ecoatm, Llc Connector carrier for electronic device kiosk
JP2021530793A (ja) 2019-02-18 2021-11-11 エコエーティーエム, エルエルシー 電子デバイスの物理的状態評価に基づくニューラルネットワーク、および関連付けられるシステムおよび方法
KR102320874B1 (ko) * 2019-03-15 2021-11-03 한국세라믹기술원 결정 성장 방법에 의하여 제조된 탄화규소의 자외선을 이용한 두께 측정 장치 및 측정 방법
JP2021021592A (ja) * 2019-07-25 2021-02-18 Towa株式会社 検査システム、検査方法、切断装置、及び樹脂成形装置
CN112629827A (zh) * 2019-09-24 2021-04-09 成都辰显光电有限公司 Led芯片检测装置及led芯片检测方法
CN112635340B (zh) * 2019-10-09 2023-11-03 台湾爱司帝科技股份有限公司 发光二极管晶圆检测装置与方法
CN112665824A (zh) * 2019-10-15 2021-04-16 成都辰显光电有限公司 微发光二极管检测设备
TWI748344B (zh) 2020-02-14 2021-12-01 聚積科技股份有限公司 發光二極體調屏標準判定模型建立方法
CN111722074B (zh) * 2020-06-03 2023-06-20 四川蓝景光电技术有限责任公司 一种led标识标牌故障定位方法、装置和系统
KR20220007789A (ko) * 2020-07-10 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 미세 구조체를 포함하는 잉크의 제조 방법
US11922467B2 (en) 2020-08-17 2024-03-05 ecoATM, Inc. Evaluating an electronic device using optical character recognition
KR102503772B1 (ko) * 2020-11-16 2023-02-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 검사 방법 및 디스플레이 장치 검사 장치
CN114823408B (zh) * 2022-05-05 2023-10-24 无锡美科微电子技术有限公司 晶圆检测系统与晶圆检测方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299788A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Optrex Corp Led点灯検査装置
CN101552313A (zh) * 2009-05-22 2009-10-07 重庆大学 一种磁场激励的led在线检测方法
KR20090126610A (ko) * 2008-06-04 2009-12-09 삼성전기주식회사 Led 검사 장치 및 그 방법
CN101828139A (zh) * 2007-09-05 2010-09-08 致茂电子股份有限公司 具有波长转换磷光体的光源

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3761252B2 (ja) 1996-07-18 2006-03-29 花王株式会社 吸水性ポリマー粒子の散布状態検出装置
JP3657930B2 (ja) 2002-07-05 2005-06-08 パイオニアプラズマディスプレイ株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法、蛍光体層の検査方法及び蛍光体層の検査装置
JP4009168B2 (ja) * 2002-09-18 2007-11-14 有限会社ワイ・システムズ 発光素子の測定方法
JP2005049308A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Innotech Corp 電子部品の光学的検査装置および方法
JP2006162427A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Toshiba Corp Ledチップの検査方法及びledチップの検査装置
US20090206301A1 (en) * 2006-05-29 2009-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Inorganic phosphor bodies for light emitting diodes
JP2010534837A (ja) 2007-07-23 2010-11-11 リガク オートメイション インコーポレイテッド 顕微鏡対象物を検査するための装置用のコンピュータ制御可能なled光源
KR101101132B1 (ko) 2007-11-23 2012-01-12 삼성엘이디 주식회사 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
JP2009158903A (ja) * 2007-12-05 2009-07-16 Toshiba Lighting & Technology Corp Led発光ユニット及び発光装置
KR101046057B1 (ko) 2008-11-28 2011-07-01 삼성엘이디 주식회사 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법
JP5424659B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-26 株式会社サキコーポレーション 被検査体の検査装置
KR101650390B1 (ko) * 2009-09-14 2016-08-25 주식회사 탑 엔지니어링 양자점 코팅을 이용한 발광 다이오드의 리페어 방법 및 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299788A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Optrex Corp Led点灯検査装置
CN101828139A (zh) * 2007-09-05 2010-09-08 致茂电子股份有限公司 具有波长转换磷光体的光源
KR20090126610A (ko) * 2008-06-04 2009-12-09 삼성전기주식회사 Led 검사 장치 및 그 방법
CN101552313A (zh) * 2009-05-22 2009-10-07 重庆大学 一种磁场激励的led在线检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101856533B1 (ko) 2018-05-14
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