CN112635340B - 发光二极管晶圆检测装置与方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发光二极管晶圆检测装置与方法，发光二极管晶圆检测装置包括：一光产生模块、一光过滤模块以及一光检测模块。光产生模块提供一第一光束，第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束。光过滤模块邻近发光二极管晶圆以接收第二光束，第二光束穿过光过滤模块，以转换成一第三光束。光检测模块邻近光过滤模块以接收第三光束。第二光束的波长范围通过光过滤模块而受到限缩，以使得第三光束的波长范围小于第二光束的波长范围。借此，当光检测模块接收第三光束时，光检测模块能对第三光束进行光学检测。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管检测装置与方法，特别是涉及一种发光二极管晶圆检测装置与方法。
背景技术
目前，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因具备光质佳以及发光效率高等特性而得到广泛的应用。一般来说，为了使得采用发光二极管作为发光组件的显示设备能具有良好的色彩表现能力，现有技术是利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片的相互搭配而组成一全彩发光二极管显示设备，此全彩发光二极管显示设备可利用红、绿、蓝三种颜色的发光二极管芯片分别发出的红、绿、蓝三种的颜色光，然后再通过混光后形成一全彩色光，以进行相关信息的显示。然而，现有技术中对于发光二极管芯片的检测仍有进步空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光二极管晶圆检测装置与方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种发光二极管晶圆检测装置，其包括：一光产生模块、一光过滤模块以及一光检测模块。所述光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束。所述光过滤模块接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束。所述光检测模块接收所述第三光束，并对所述第三光束进行光学检测。其中，所述光产生模块、所述光过滤模块以及所述光检测模块设置在一光学路径上，以使得所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述第二光束的波长范围介于一第一最小值与一第一最大值之间，所述第三光束的波长范围介于一第二最小值与一第二最大值之间，所述第二最小值大于或者等于所述第一最小值且小于所述第二最大值，所述第二最大值小于或者等于所述第一最大值且大于所述第二最小值。
优选地，所述光产生模块包括一光源产生器、一光反射镜、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束通过所述光反射镜的反射而转换成一投向所述光形调整器的反射光束，所述反射光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光反射镜、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束、所述反射光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述反射光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述反射光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束与所述反射光束相互垂直，且所述反射光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
优选地，所述光产生模块包括一光源产生器、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述初始光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述初始光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种发光二极管晶圆检测装置，其包括：一光产生模块、一光过滤模块以及一光检测模块。所述光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束。所述光过滤模块邻近所述发光二极管晶圆以接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束。所述光检测模块邻近所述光过滤模块以接收所述第三光束，并对所述第三光束进行光学检测；其中，所述第二光束的波长范围通过所述光过滤模块而受到限缩，以使得所述第三光束的波长范围小于所述第二光束的波长范围。
优选地，所述光产生模块包括一光源产生器、一光反射镜、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束通过所述光反射镜的反射而转换成一投向所述光形调整器的反射光束，所述反射光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光反射镜、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束、所述反射光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述反射光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述反射光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束与所述反射光束相互垂直，且所述反射光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
优选地，所述光产生模块包括一光源产生器、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述初始光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述初始光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种发光二极管晶圆检测方法，其包括：由一光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束；由一光过滤模块接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束；由一光检测模块接收所述第三光束；以及，由所述光检测模块对所述第三光束进行光学检测；其中，所述光产生模块、所述光过滤模块以及所述光检测模块设置在一光学路径上，以使得所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述第二光束的波长范围介于一第一最小值与一第一最大值之间，所述第三光束的波长范围介于一第二最小值与一第二最大值之间，所述第二最小值大于或者等于所述第一最小值且小于所述第二最大值，所述第二最大值小于或者等于所述第一最大值且大于所述第二最小值。
优选地，所述光产生模块包括一光源产生器、一光反射镜、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束通过所述光反射镜的反射而转换成一投向所述光形调整器的反射光束，所述反射光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光反射镜、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束、所述反射光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述反射光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述反射光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束与所述反射光束相互垂直，且所述反射光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
优选地，所述光产生模块包括一光源产生器、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述初始光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述初始光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
优选地，所述光检测模块对所述第三光束进行光学检测所得到的数值至少包括波长范围、亮度值以及漏电流。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管晶圆检测装置与方法，其能通过“所述光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束”以及“所述光过滤模块接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束”的技术方案，以使得当所述光检测模块接收所述第三光束时，所述光检测模块能对所述第三光束进行光学检测。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明所提供的一种发光二极管晶圆检测方法的流程图。
图2为本发明第一实施例所提供的一种发光二极管晶圆检测装置的示意图。
图3为本发明第二实施例所提供的一种发光二极管晶圆检测装置的示意图。
图4为本发明第三实施例所提供的一种发光二极管晶圆检测装置的示意图。
图5为本发明第四实施例所提供的一种发光二极管晶圆检测装置的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“发光二极管晶圆检测装置与方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。应当可以理解的是，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
参阅图1至图5所示，本发明提供一种发光二极管晶圆检测装置Z，其包括：一光产生模块1、一光过滤模块2以及一光检测模块3。首先，光产生模块1能提供一第一光束L1，并且第一光束L1能穿过一发光二极管晶圆W，以转换成(亦即改变或者形成)一第二光束L2。另外，光过滤模块2是以邻近发光二极管晶圆W的方式设置，借此以接收第二光束L2，并且第二光束L2能穿过光过滤模块2，以转换成一第三光束L3。此外，光检测模块3是以邻近光过滤模块2的方式设置，借此以接收第三光束L3，并且光检测模块3能对第三光束L3进行光学检测。更进一步来说，光产生模块1、光过滤模块2以及光检测模块3都被设置在一光学路径P上，以使得第一光束L1、第二光束L2以及第三光束L3能沿着光学路径P进行传送。
值得注意的是，第二光束L2的波长范围能通过光过滤模块2的滤光而受到限缩，以使得第三光束L3的波长范围能小于第二光束L2的波长范围。举例来说，假设第二光束L2的波长范围介于一第一最小值(例如400nm)与一第一最大值(例如600nm)之间，当第二光束L2的波长范围通过光过滤模块2的滤光而受到限缩时，第三光束L3(例如蓝光)的波长范围被限缩而介于一第二最小值(例如450nm)与一第二最大值(例如480nm)之间，因此第二最小值大于或者等于第一最小值且小于第二最大值，第二最大值小于或者等于第一最大值且大于第二最小值。然而，上述对于第二光束L2与第三光束L3的举例说明并非用以限定本发明。
值得注意的是，本发明还提供一种发光二极管晶圆检测方法，其包括：首先，由一光产生模块1提供一第一光束L1，第一光束L1穿过一发光二极管晶圆W，以转换成一第二光束L2(步骤S100)；由一光过滤模块2接收第二光束L2，第二光束L2穿过光过滤模块2，以转换成一第三光束L3(步骤S102)；由一光检测模块3接收第三光束L3(步骤S104)；以及，由光检测模块3对第三光束L3进行光学检测(步骤S106)。举例来说，光检测模块3可以是“光致发光光谱仪”或者是任何种类的光学检测器，并且光检测模块3对第三光束L3进行光学检测所得到的数值至少包括波长范围、亮度值以及漏电流等，藉由检测第三光束L3所得到的数值，以间接获得发光二极管晶圆W内的每一个晶圆级发光二极管芯片(wafer-grade LED)的波长范围、亮度值以及漏电流等，然而本发明并不以此为限。
值得一提的是，关于“光致发光”或者“光激发荧光”(Photoluminescence，简称PL)，是冷发光的一种，指物质吸收光子(或电磁波)后重新辐射出光子(或电磁波)的过程。从量子力学理论上，这一过程可以描述为物质吸收光子跃迁到较高能级的激发态后返回低能态，同时放出光子的过程。光致发光可按延迟时间分为荧光(fluorescence)和磷光(phosphorescence)。光致发光是一种探测材料电子结构的方法，它与材料无接触且不损坏材料。光直接照射到材料上，被材料吸收并将多余能量传递给材料，这个过程叫做“光激发”。这些多余的能量可以通过发光的形式消耗掉。由于光激发而发光的过程叫做光致发光。光致发光的光谱结构和光强是测量许多重要材料的直接手段。光激发导致材料内部的电子跃迁到允许的激发态。当这些电子回到他们的热平衡态时，多余的能量可以通过发光过程和非辐射过程释放。光致发光辐射光的能量是与两个电子态间不同的能级差相联系的，这其中涉及到了激发态与平衡态之间的跃迁。激发光的数量是与辐射过程的贡献相联系的。光致发光可以应用于带隙检测、杂质等级和缺陷检测、复合机制以及材料质量鉴定。借此，本发明主要是使用“光激发荧光”的方式来对发光二极管晶圆W的多个晶圆级发光二极管芯片进行检测。也就是说，当第一光束L1穿过发光二极管晶圆W的多个晶圆级发光二极管芯片而转换成第二光束L2时，发光二极管晶圆W的多个晶圆级发光二极管芯片并不需要被趋动来发亮，而是以无供电的状态被第一光束L1所穿过后(或是说晶圆级发光二极管芯片被第一光束L1所激发)，直接让第一光束L1转换成第二光束L2。
第一实施例
参阅图2所示，本发明第一实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置Z，其包括：一光产生模块1、一光过滤模块2以及一光检测模块3，并且光检测模块3可以电性连接至一计算机。
更进一步来说，光产生模块1包括一光源产生器11、一光反射镜12、一光形调整器13以及一光面积调整器14。首先，光源产生器11能提供一初始光束L11，并且初始光束L11能通过光反射镜12的反射而转换成一投向光形调整器13的反射光束L12。另外，反射光束L12能穿过光形调整器13而转换成一改变形状的整形光束L13(例如由“点光源”改变成“方形光源”或者“圆形光源”)，并且整形光束L13能穿过光面积调整器14而转换成一改变面积的第一光束L1(也就是说，较大面积的整形光束L13会改变成较小面积的第一光束L1)。值得注意的是，光源产生器11、光反射镜12、光形调整器13以及光面积调整器14都设置在光学路径P上，以使得初始光束L11、反射光束L12以及整形光束L13能沿着光学路径P进行传送。
举例来说，反射光束L12投射到光形调整器13的形状(例如“点光源”)与整形光束L13投射到光面积调整器14的形状(例如“方形光源”或者“圆形光源”)不同，并且整形光束L13投射到光面积调整器14的形状的面积会大于反射光束L12投射到光形调整器13的形状的面积。另外，整形光束L13投射到光面积调整器14的形状与第一光束L1投射到发光二极管晶圆W的形状会完全相同，或者大致上相同或者相似，并且第一光束L1投射到发光二极管晶圆W的形状的面积会小于整形光束L13投射到光面积调整器14的形状的面积。值得注意的是，初始光束L11与反射光束L12相互垂直，并且反射光束L12、整形光束L13、第一光束L1、第二光束L2以及第三光束L3会相互平行。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
举例来说，光过滤模块2可以是任何一种的滤光片或者彩色滤光片，然而本发明并不以此为限。光检测模块3至少可以包括用于获取第三光束L3的一光学镜头以及用于检测第三光束的一光学检测器，然而本发明并不以此为限。
第二实施例
参阅图3所示，本发明第二实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置Z，其包括：一光产生模块1、一光过滤模块2以及一光检测模块3。
更进一步来说，光产生模块1包括一光源产生器11、一光形调整器13以及一光面积调整器14。首先，光源产生器11能提供一初始光束L11，初始光束L11能穿过光形调整器13而转换成一改变形状的整形光束L13(例如由“点光源”改变成“方形光源”或者“圆形光源”)，并且整形光束L13能穿过光面积调整器14而转换成一改变面积的第一光束L1(也就是说，较大面积的整形光束L13会改变成较小面积的第一光束L1)。值得注意的是，光源产生器11、光形调整器13以及光面积调整器14都设置在光学路径P上，以使得初始光束L11以及整形光束L13能沿着光学路径P进行传送。
举例来说，初始光束L11投射到光形调整器13的形状(例如“点光源”)与整形光束L13投射到光面积调整器14的形状(例如“方形光源”或者“圆形光源”)不同，并且整形光束L13投射到光面积调整器14的形状的面积会大于初始光束L11投射到光形调整器13的形状的面积。另外，整形光束L13投射到光面积调整器14的形状与第一光束L1投射到发光二极管晶圆W的形状会完全相同，或者大致上相同或者相似，并且第一光束L1投射到发光二极管晶圆W的形状的面积会小于整形光束L13投射到光面积调整器14的形状的面积。值得注意的是，整形光束L13、第一光束L1、第二光束L2以及第三光束L3相互平行。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
举例来说，光过滤模块2可以是任何一种的滤光片或者彩色滤光片，然而本发明并不以此为限。光检测模块3至少可以包括用于获取第三光束L3的一光学镜头以及用于检测第三光束的一光学检测器，然而本发明并不以此为限。
第三实施例
参阅图4所示，本发明第三实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置Z，其包括：一光产生模块1、一光过滤模块2以及一光检测模块3。由图4与图2的比较可知，第三实施例与第一实施例最大的差别在于：第三实施例中的发光二极管晶圆检测装置Z可以省略第一实施例中的发光二极管晶圆检测装置Z的光面积调整器14的使用，而只使用光形调整器13。因此，本发明也可以直接将较大面积的整形光束L13(亦即第一光束L1)投射到发光二极管晶圆W，使得第一光束L1、第二光束L2以及第三光束L3三者的形状会大致相同，以便于对发光二极管晶圆W进行较大面积的检测。
第四实施例
参阅图5所示，本发明第四实施例提供一种发光二极管晶圆检测装置Z，其包括：一光产生模块1、一光过滤模块2以及一光检测模块3。由图5与图3的比较可知，第四实施例与第二实施例最大的差别在于：第四实施例中的发光二极管晶圆检测装置Z可以省略第二实施例中的发光二极管晶圆检测装置Z的光面积调整器14的使用，而只使用光形调整器13。因此，本发明也可以直接将较大面积的整形光束L13(亦即第一光束L1)投射到发光二极管晶圆W，使得第一光束L1、第二光束L2以及第三光束L3三者的形状会大致相同，以便于对发光二极管晶圆W进行较大面积的检测。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种发光二极管晶圆检测装置与方法，其能通过“光产生模块1提供一第一光束L1，第一光束L1穿过一发光二极管晶圆W，以转换成一第二光束L2”以及“光过滤模块2接收第二光束L2，第二光束L2穿过光过滤模块2，以转换成一第三光束L3”的技术方案，以使得当光检测模块3接收第三光束L3时，光检测模块3能对第三光束L3进行光学检测。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (7)
1.一种发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述发光二极管晶圆检测装置包括：
一光产生模块，所述光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束；
一光过滤模块，所述光过滤模块接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束；以及
一光检测模块，所述光检测模块接收所述第三光束，并对所述第三光束进行光学检测；
其中，所述光产生模块、所述光过滤模块以及所述光检测模块设置在一光学路径上，以使得所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束能沿着所述光学路径进行传送；
其中，所述第二光束的波长范围介于一第一最小值与一第一最大值之间，所述第三光束的波长范围介于一第二最小值与一第二最大值之间，所述第二最小值大于或者等于所述第一最小值且小于所述第二最大值，所述第二最大值小于或者等于所述第一最大值且大于所述第二最小值；
其中，所述光产生模块包括一光源产生器、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述初始光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述初始光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述光产生模块进一步包括一光反射镜；其中，所述初始光束透过所述光反射镜的反射而转换成一投向所述光形调整器的反射光束，所述反射光束穿过所述光形调整器而转换成改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光反射镜、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束、所述反射光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述反射光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同；其中，所述初始光束与所述反射光束相互垂直，且所述反射光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
3.一种发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述发光二极管晶圆检测装置包括：
一光产生模块，所述光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束；
一光过滤模块，所述光过滤模块邻近所述发光二极管晶圆以接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束；以及
一光检测模块，所述光检测模块邻近所述光过滤模块以接收所述第三光束，并对所述第三光束进行光学检测；
其中，所述第二光束的波长范围透过所述光过滤模块而受到限缩，以使得所述第三光束的波长范围小于所述第二光束的波长范围；
其中，所述光产生模块包括一光源产生器、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述初始光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述初始光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
4.根据权利要求3所述的发光二极管晶圆检测装置，其特征在于，所述光产生模块进一步包括一光反射镜；其中，所述初始光束透过所述光反射镜的反射而转换成一投向所述光形调整器的反射光束，所述反射光束穿过所述光形调整器而转换成改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光反射镜、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束、所述反射光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述反射光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同；其中，所述初始光束与所述反射光束相互垂直，且所述反射光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
5.一种发光二极管晶圆检测方法，其特征在于，所述发光二极管晶圆检测方法包括：
由一光产生模块提供一第一光束，所述第一光束穿过一发光二极管晶圆，以转换成一第二光束；
由一光过滤模块接收所述第二光束，所述第二光束穿过所述光过滤模块，以转换成一第三光束；
由一光检测模块接收所述第三光束；以及
由所述光检测模块对所述第三光束进行光学检测；
其中，所述光产生模块、所述光过滤模块以及所述光检测模块设置在一光学路径上，以使得所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束能沿着所述光学路径进行传送；
其中，所述第二光束的波长范围介于一第一最小值与一第一最大值之间，所述第三光束的波长范围介于一第二最小值与一第二最大值之间，所述第二最小值大于或者等于所述第一最小值且小于所述第二最大值，所述第二最大值小于或者等于所述第一最大值且大于所述第二最小值；
其中，所述光产生模块包括一光源产生器、一光形调整器以及一光面积调整器；其中，所述光源产生器提供一初始光束，所述初始光束穿过所述光形调整器而转换成一改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成一改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述初始光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同，且所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积大于所述初始光束投射到所述光形调整器的形状的面积；其中，所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状与所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状相同，且所述第一光束投射到所述发光二极管晶圆的形状的面积小于所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状的面积；其中，所述初始光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
6.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆检测方法，其特征在于，所述光产生模块进一步包括一光反射镜；其中，所述初始光束透过所述光反射镜的反射而转换成一投向所述光形调整器的反射光束，所述反射光束穿过所述光形调整器而转换成改变形状的整形光束，所述整形光束穿过所述光面积调整器而转换成改变面积的所述第一光束；其中，所述光源产生器、所述光反射镜、所述光形调整器以及所述光面积调整器设置在所述光学路径上，以使得所述初始光束、所述反射光束以及所述整形光束能沿着所述光学路径进行传送；其中，所述反射光束投射到所述光形调整器的形状与所述整形光束投射到所述光面积调整器的形状不同；其中，所述初始光束与所述反射光束相互垂直，且所述反射光束、所述整形光束、所述第一光束、所述第二光束以及所述第三光束相互平行。
7.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆检测方法，其特征在于，所述光检测模块对所述第三光束进行光学检测所得到的数值至少包括波长范围、亮度值以及漏电流。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW519710B (en) * | 2001-10-18 | 2003-02-01 | United Microelectronics Corp | Optical wafer inspection apparatus |
| KR101041460B1 (ko) * | 2010-06-16 | 2011-06-16 | 주식회사 이노비즈 | 엘이디 검사장치 및 이를 이용한 엘이디 검사방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101089787B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2011-12-07 | 한국생산기술연구원 | 포토루미네선스 이미징을 이용한 ｌｅｄ 에피웨이퍼 검사 장치 및 그 방법 |
| KR101174755B1 (ko) * | 2010-12-16 | 2012-08-17 | 한국생산기술연구원 | 포토루미네선스 이미징을 이용한 ｌｅｄ 에피웨이퍼 검사 장치 및 그 방법 |
| KR101856533B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2018-05-14 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 검사 장치 및 그 검사 방법 |
| DE112012002619T5 (de) * | 2011-06-24 | 2014-04-17 | Kla-Tencor Corp. | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion von lichtemittierenden Halbleiterelementen mittels Photolumineszenz-Abbildung |
| US8604447B2 (en) * | 2011-07-27 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Solar metrology methods and apparatus |
| US8765493B2 (en) * | 2012-11-20 | 2014-07-01 | Ultratech, Inc. | Methods of characterizing semiconductor light-emitting devices based on product wafer characteristics |
| US9823198B2 (en) * | 2013-09-14 | 2017-11-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and apparatus for non-contact measurement of internal quantum efficiency in light emitting diode structures |
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-
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW519710B (en) * | 2001-10-18 | 2003-02-01 | United Microelectronics Corp | Optical wafer inspection apparatus |
| KR101041460B1 (ko) * | 2010-06-16 | 2011-06-16 | 주식회사 이노비즈 | 엘이디 검사장치 및 이를 이용한 엘이디 검사방법 |
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