JP6305999B2 - 発光アセンブリ、ランプ及び照明器具 - Google Patents

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Description

本発明は、光源によって放射された光を、異なる色の光に変換する色変換アセンブリに関する。
幾つかの応用では、青色光を放射する発光ダイオード(LED)は、青色光の一部を、例えば黄色、橙色又は赤色光である別の色の光に変換するルミネッセンス材料と組み合わされる。しばしば、青色光は部分的に別の色に変換される。これは、白色光が、LED及びルミネッセンス材料のアセンブリによって放射されなければならないからである。ルミネッセンス材料の量及び特性は、必要量の青色光が特定量の別の色に変換され、したがって、残りの青色光と特定量の別の色の光とが組み合わせられた放射が、白色光、つまり、色空間における黒体線に近い色点を有する光となるように選択される。
例えば米国特許出願公開第2012/0001204号は、光エミッタがルミネッセンス材料層と組み合わされて、特定の色の発光が得られる色調節装置を開示する。
しかし、青色光源と、青色光を別の色の光に部分的に変換するルミネッセンス材料層との組み合わせを使用する照明アセンブリの製造において、問題が生じる。すべてがまったく同じ青色発光スペクトルを放射する、例えばLEDである光エミッタを製造することは比較的困難である。ある特定量のルミネッセンス材料を有する層が1種類しかない場合に、互いから少し逸脱する光エミッタを組み合わせることは許容可能ではない。これは、少し異なる色の光を放射する照明アセンブリをもたらすからである。少し異なる色の光の放射は、人間の裸眼によってはっきりと検出され、また、例えば少し異なる色の光をそれぞれ放射する様々な光源を有する照明器具をもたらす。既知の解決策では、青色発光光エミッタの製造後、各青色光エミッタは、特性化され、かつ、ビニングされ、また、所望の色点を有する発光を得るために、特定の青色光エミッタの特性に関連する特定の厚さのルミネッセンス材料の層と組み合わされる。製造された光エミッタの特性化及びビニングは、比較的高価であり、また、比較的大量の、ルミネッセンス材料を有する様々な層を仕入れる必要があり、これも比較的高価である。
本発明は、使用される光源によって放射される色における小さな偏差と無関係に、明確に定義された色点の光を放射する発光アセンブリを提供することを目的とする。
本発明の第1の態様は、発光アセンブリを提供する。本発明の第2の態様は、ランプを提供する。本発明の第3の態様は、照明器具を提供する。有利な実施形態は、従属請求項に規定される。
本発明の第1の態様に係る発光アセンブリは、第1の光源と、第2の光源と、第1のルミネッセンス材料と、第2のルミネッセンス材料と、光出射窓とを含む。第1の光源は、紫外線スペクトル範囲内の光を放射する。第2の光源は、第1のピーク波長を有する青色スペクトル範囲内の光を放射する。第1のルミネッセンス材料は、第1の光源から光を受け取るように配置され、紫外線スペクトル範囲内の光を吸収し、当該吸収した光の一部を、青色スペクトル範囲内の光に変換する。第2のルミネッセンス材料は、第2の光源から光を受け取るように配置され、第2の光源から受け取った青色スペクトル範囲内の受け取った光を、第2のピーク波長を有する光のスペクトル範囲の光にほぼ完全に変換する。第2のピーク波長は、第1のピーク波長よりも大きい。光出射窓は、第1のルミネッセンス材料及び第2のルミネッセンス材料によって放射された光を、発光アセンブリの周囲環境へと伝達するように配置される。
発光アセンブリは、特定のスペクトル範囲内の光をそれぞれ放射する2つの光源を含む。特定のスペクトル範囲内のこれらの光源の発光の正確な位置は、少し逸脱していてもよい。なぜなら、光出射窓を介して周囲環境へ放射される可視光は、ルミネッセンス材料によって生成され、第2の光源から直接生じたものではないからである。一般に、ルミネッセンス材料によって放射される光は、当該ルミネッセンス材料によって吸収される光のスペクトルの小さな偏差と無関係に、明確に定義された色(つまり、明確に定義された発光スペクトル)を有する。したがって、その発光スペクトルの正確な位置が知られていない光源が使用される場合、ルミネッセンス材料は、これらの正確に知られていないスペクトルの位置を、正確に知られている発光スペクトルに変換する。したがって、放射される光の色点は、既知であると同時に、ビニングされない(したがって、比較的安価な)光源が使用される。
第2の光源の光は、より高い波長の光にほぼ完全に変換される。これは、第1のルミネッセンス材料が、第2の光源によって放射される光をほぼすべて吸収し(更に、吸収した光をより高い波長の光に変換し)、また、発光アセンブリは、第2の光源から直接生じた光を放射しないということを意味する。しかし、実際の実施形態では、例えば反射によって、すべての光を吸収することは不可能である。本発明のコンテキストでは、第2の光源の一部の光が光出射窓を介して周囲環境へと依然として放射される場合でも、これは、人間の裸眼には可視ではないということを想定している。これは、第2の光源によって放射される光の少なくとも90%が第2のルミネッセンス材料によって吸収されることを意味する。任意選択的に、これは、第2の光源によって放射される光の少なくとも95%が第2のルミネッセンス材料によって吸収されることを意味する。更に、「完全に変換」との表現は、「吸収した光のすべてが、より高い波長の光に変換される」と解釈されないこともあることに留意されたい。これは、各ルミネッセンス材料は、ストークスシフトを原因とする限られた非効率性を有するからである。
なお、(紫外線スペクトル範囲内の光を放射する)第1の光源によって放射される光は、任意選択的な実施形態では、完全には変換されず、したがって、第1の光源から生じる一部の光は、周囲環境へと放射される場合もある。しかし、紫外線(UV)スペクトル範囲内の光は、人間の裸眼には可視ではなく、色の知覚には影響を与えない。したがって、放射されたUV光は、発光アセンブリによって放射される可視光の色点を変化させない。
発光アセンブリの特定の構成は更に、比較的効率的である。それぞれ異なるスペクトル範囲内で放射する2つの異なる光源を使用することによって、吸収した光と、放射された光との間のストークスシフトが制限される。ストークスシフトは、吸収した光のスペクトルの最大波長と、放射した光のスペクトルの最大波長との差である。各ルミネッセンス材料は、ストークスシフトが増加すると非効率性が増加する、制限された非効率性を有する。紫外光は、比較的小さいストークスシフトである青色のみに変換される。この生成された青色光は、第2のルミネッセンス材料によって、より高い波長の光へ変換されるためには使用されない。これは、この変換が2つの連続する色変換ステップを導入することになり、したがって、エネルギー損失が2倍になるからである。その代わりに、当該光がより高い波長の光にほぼ完全に変換される青色光源が使用され、したがって、2つの連続した色変換ステップによるエネルギー損失が減少される。更に、今日、幾つかの高出力青色放射光源が、比較的低価格で市販されているので、発光アセンブリの製造費は、許容範囲内に留まる。
本発明のコンテキストにおいて、UVスペクトル範囲は、10ナノメートルと400ナノメートルとの間の波長を含む。本発明の実際の実施形態では、第1の光源によって放射される光は、300ナノメートルと400ナノメートルとの間の波長を含む。本発明のコンテキストにおいて、青色スペクトル範囲は、440ナノメートルと500ナノメートルとの間の波長を含む。
任意選択的に、第2のルミネッセンス材料は、青色スペクトル範囲内の受け取った光を、第2のピーク波長を有する光に完全に変換する。
任意選択的に、第2のピーク波長を有するスペクトル範囲の光は、赤色、橙色又は黄色のスペクトル範囲のうちの少なくとも1つにおける光を含む。第2の波長によって放射される光が、黄色スペクトル範囲内の光に変換される場合、比較的高い相関色温度(CCT)の白色光が、光出射窓を通して放射される。青色光と黄色光との間のストークスシフトは、比較的小さいので、青色から黄色光への変換の効率は、比較的効率的である。当該光が、橙色光及び/又は赤色光に変換される場合、低いCCTを有する白色光が作成される。可視スペクトルの黄色/橙色/赤色部分が、個々の色に大まかに分割される場合、黄色光は、570〜590ナノメートルの範囲内の波長を有し、橙色光は、590〜620ナノメートルの範囲内の波長を有し、赤色光は、620〜750ナノメートルの範囲内の波長を有する。
任意選択的に、第1のルミネッセンス材料は、第1の光源に接触し、及び/又は、第2のルミネッセンス材料は、第2の光源に接触している。ルミネッセンス材料が、光源上に直接与えられている場合、ルミネッセンス材料は、当該ルミネッセンス材料が受け取らなければならない光を受け取り、第1の光源からの光の第2のルミネッセンス材料への漏れ、又は、第2の光源からの光の第1のルミネッセンス材料への漏れの可能性は下がる。
任意選択的に、第1の光源と第1のルミネッセンス材料との間に間隙が存在し、及び/又は、第2の光源と第2のルミネッセンス材料との間に間隙が存在する。この構成では、間隙は比較的小さく、例えば500マイクロメートルであってよく、これは、ルミネッセンス材料が、いわゆる密接構成(near-configuration)に配置されていることを意味する。間隙はより大きくてもよく、例えば数ミリメートルであってもよく、これは、しばしば、「近接構成(vicinity-configuration)」と呼ばれる。又は、例えば1センチメートル以上であってもよく、これは、しばしば、「遠隔構成(remote-configuration)」と呼ばれる。光源とその関連付けられているルミネッセンス材料との間に間隙が存在すると、光源からルミネッセンス材料への熱の伝達が減少され、これにより、ルミネッセンス材料の劣化又は加速経年変化が阻止される。更に、単位面積当たりの受け取った光の光(エネルギー)密度も減少され、これは、ルミネッセンス材料の単位容積当たりで生成される熱量が減少されるので、有利である。なお、間隙は光透過性である必要があり、これは、間隙内の光の吸収が制限されることを意味する。したがって、間隙はガス若しくは環境大気、又は、シリコーンといった透明材料で充填されていてもよい。
任意選択的に、第1の光源、第1のルミネッセンス材料、第2の光源及び第2のルミネッセンス材料は、第1の光源と第2のルミネッセンス材料との間、及び、第2の光源と第1のルミネッセンス材料との間の交差照明を阻止するように配置されている。交差照明とは、本発明のコンテキストでは、第1の光源が第2のルミネッセンス材料を照明することが阻止され、第2の光源が第1のルミネッセンス材料を照明することが阻止され、第1のルミネッセンス材料によって放射された光が第2のルミネッセンス材料を照明することが阻止され、第2のルミネッセンス材料によって放射された光が第1のルミネッセンス材料を照明することが阻止されることを意味する。ルミネッセンス材料が、光を受け取るべきではない光源からの光を受け取り、当該光を変換すると、非効率性が導入される。UV光から黄色/橙色/黄色の光への大きいストークスシフトが、大量のエネルギー損失をもたらし、青色光は、青色光に変換される一方で、受け取った青色光のエネルギーの一部を吸収してしまう。ルミネッセンス材料が、別のルミネッセンス材料によって放射された光を受け取り、当該光が吸収されると、非効率性が導入される。光出射窓を通り放射される光の一部は、様々なルミネッセンス材料による2つの色変換ステップが行われたことになり、したがって、2倍の変換非効率性の影響を受けたことになる。
任意選択的に、第1のルミネッセンス材料及び第2のルミネッセンス材料は、空間的に分離された構成で配置されている。各ルミネッセンス材料が空間的に分離されていると、交差照明をより容易に阻止することができる。
任意選択的に、第1のルミネッセンス材料は、紫外線スペクトル範囲の光を、青色スペクトル範囲の光に完全に変換する。第1の光源によって放射されるすべての光が、青色スペクトル範囲の光に変換されると、あまり有用に使用されないUV光に関する損失がない。上記実施形態では、「完全に変換」の表現の解釈について述べた。上で提供した解釈は、この任意選択の実施形態にも適用される。
任意選択的に、発光アセンブリは、2つ以上の第1の光源を含む、及び/又は、発光アセンブリは、2つ以上の第2の光源を含む。
任意選択的に、第1の光源及び第2の光源のうちの少なくとも1つは、固体光エミッタである。固体光エミッタの例としては、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)が挙げられ、又は、例えば、レーザダイオードである。固体光エミッタは、一般的に、高価ではなく、比較的大きい効率を有し、かつ、長い寿命を有するので、比較的費用効果的な光源である。
任意選択的に、第1のルミネッセンス材料及び第2のルミネッセンス材料のうちの少なくとも1つは、無機蛍光体、有機蛍光体、量子ドット、量子ロッド又は量子テトラポッドを含む。これらの種類のルミネッセンス材料は、少し異なるスペクトルの光が吸収されてもその発光スペクトルが実質的に変わらないので、本発明のコンテキストにおいて有用である。あらゆる種類のルミネッセンス材料は、本発明の必要な色変換を提供する特定のルミネッセンス材料を含む。
任意選択的に、発光アセンブリは、周囲環境への紫外線スペクトル範囲内の光の放射を阻止する紫外線フィルタを含む。一般に、周囲環境へ紫外線を放射することは望ましくない。この光は、人間の裸眼によって見られず、発光アセンブリの周囲環境に存在する人及び/又は材料に望ましくない影響を及ぼす。したがって、第1の光源によって放射される光のすべてが青色光に変換されない場合、紫外線フィルタが発光アセンブリ内に設けられる。紫外線フィルタは、周囲環境へのUV光の放射が阻止される限り、光出射窓に配置されても、発光アセンブリ内の別の位置に配置されてもよい。
任意選択的に、発光アセンブリは、第2のルミネッセンス材料と周囲環境との間に配置され、青色スペクトル範囲内の光の漏れを阻止する青色吸収フィルタを含む。したがって、第2の光源によって放射される一部の青色光が依然として、第2のルミネッセンス材料を有する要素から漏れる場合、青色光吸収フィルタが、当該光が周囲環境へと放射されることを阻止し、したがって、第2の光源の発光における変動は、発光アセンブリを見ている人には分からない。なお、青色吸収フィルタは、第1のルミネッセンス材料と周囲環境との間には配置されていない。
本発明の第2の態様によれば、本発明の第1の態様に係る発光アセンブリを含むランプが提供される。本発明の第2の態様に係るランプは、レトロフィット電球又は光管である。別の実施形態では、ランプは、例えばボックス形状である別の形状を有する。
本発明の第3の態様によれば、本発明の第1の態様に係る発光アセンブリ又は本発明の第2の態様に係るランプを含む照明器具が提供される。
本発明の第2の態様に係るランプ及び本発明の第3の態様に係る照明器具は、本発明の第1の態様に係る発光アセンブリと同じ利点を提供し、また、システムの対応する実施形態と同様の効果を有する同様の実施形態を有する。
本発明のこれらの及び他の態様は、以下に説明される実施形態を参照することにより、明らかになろう。
当然ながら、当業者は、上記の意見、実施態様及び/又は本発明の態様のうちの2つ以上は、有用と思われる任意の方法で組み合わされてもよい。
上記発光アセンブリの説明された修正態様及び変形態様に対応する上記発光アセンブリ、ランプ及び照明器具の修正態様及び変形態様は、本説明に基づいて、当業者によって実施可能である。
図1aは、本発明の第1の態様に係る発光アセンブリの第1の実施形態の断面図を概略的に示す。 図1bは、光のスペクトルの変換を概略的に示す。 図2aは、発光アセンブリの第2の実施形態の断面図を概略的に示す。 図2bは、発光アセンブリの第3の実施形態の断面図を概略的に示す。 図3aは、発光アセンブリの第4の実施形態の断面図を概略的に示す。 図3bは、発光アセンブリの第5の実施形態の断面図を概略的に示す。 図4aは、本発明の第2の態様に係るランプの第1の実施形態を概略的に示す。 図4bは、ランプの第2の実施形態を概略的に示す。 図4cは、ランプの第3の実施形態を概略的に示す。 図5は、本発明の第3の態様に係る照明器具を概略的に示す。
なお、様々な図面において同じ参照符号によって示されるアイテムは、同じ構造上の特徴及び同じ機能を有するか、又は、同じ信号である。当該アイテムの機能及び/又は構造について説明されている場合、詳細な説明において、その説明を繰り返す必要はない。
図面は、単に概略的であり、また、縮尺通りではない。特に、明瞭とするために、一部の寸法は、大きく拡大されている。
図1aは、本発明の第1の態様に係る発光アセンブリ100の第1の実施形態の断面図を概略的に示す。発光アセンブリ100は、紫外線スペクトル範囲内の光110を放射する第1の光源112を含み、これは、少なくとも、第1の光源112の発光のピーク波長は、10ナノメートルから400ナノメートルの範囲内に入ることを意味する。発光アセンブリ100は更に、青色スペクトル範囲内の光105を放射する第2の光源118を含む。したがって、第2の光源118によって放射される光105は、440ナノメートルから500ナノメートルの範囲内に入る第1のピーク波長を有する。発光アセンブリは更に、第1のルミネッセンス材料106と、第2のルミネッセンス材料116と、光出射窓102とを含む。
図1aの実施形態では、第1のルミネッセンス材料106は、例えばマトリクスポリマーの層内に配置されている。しかし、別の実施形態では、ルミネッセンス材料は、透明層上のコーティングとして提供されてもよい。本発明のコンテキストでは、第1のルミネッセンス材料106は、第1の光源112から光110を受け取る。第1のルミネッセンス材料106は、紫外線スペクトル範囲内の光110を吸収し、吸収した光の少なくとも一部を、青色スペクトル範囲内の光104に変換する。なお、第1のルミネッセンス材料106によって放射される光104は青色であり、第2の光源118によって放射される光105も青色であるが、それらの厳密な発光スペクトルは異なっていてもよい。特に、第2の光源118の発光は、製造偏差の影響を受ける。第1のルミネッセンス材料106によって放射される青色光104の発光スペクトルは、比較的安定していて、第1のルミネッセンス材料106の異なるバッチ間でずれない。また、第1のルミネッセンス材料106は、吸収した光の一部を熱に変換することもあり、これは、第1のルミネッセンス材料106のストークス(Stokes)シフトによるものである。更に、任意選択的な実施形態では、すべての紫外光110が吸収されるが、本発明のコンテキストでは、第1の光源112によって放射される紫外光110のすべてを必ずしも変換しなくてもよい。
図1aの実施形態では、第2のルミネッセンス材料116は、例えばマトリクスポリマーの層内に配置されている。しかし、本発明のコンテキストでは、第2のルミネッセンス材料116は、第2の光源118から光104を受け取ることのみが重要である。第2のルミネッセンス材料116は、第2の光源118から受け取る光105のほぼすべてを吸収し、吸収した光を、第2のピーク波長を有するスペクトル範囲の光114に変換する。第2のピーク波長は、第1のピーク波長よりも大きい。したがって、第2のピーク波長を有するスペクトル範囲の光114は、少なくとも、相当量の緑色、黄色、橙色及び/又は赤色スペクトル範囲内の光を含む。「ほぼ完全に変換」とは、本発明のコンテキストでは、発光アセンブリ100の発光の中には、受け取った光が全く残らないことを意味する。実際の実施形態では、これは、第2のルミネッセンス材料116がすべての光105を吸収することを意味する。なお、青色光のより高い波長を有する光への変換は、100%エネルギー効率であるとは必ずしも意味しない。吸収した青色光のエネルギーの一部は、ルミネッセンス材料のストークスシフトを理由として、第2のルミネッセンス材料116によって熱に変換される。なお、第2のルミネッセンス材料116を有する層の厚さは、当該第2のルミネッセンス材料116を有する層を通り青色光が漏れないように十分に大きいべきである。一実施形態では、第2のルミネッセンス材料116は、第2の光源118から受け取る光105をすべて吸収し、吸収した光を、第2のピーク波長を有するスペクトル範囲の光114に完全に変換する。第2のルミネッセンス材料116を含む層が、第2の光源118から受け取るすべての光105を変換するには十分に厚くない場合、第2の材料116を有する層の上に、第2のルミネッセンス材料116を有する層を通り依然として漏れる光を吸収又は後方反射させる層が設けられてもよい。
図1aにおいて、光出射窓102は、2つの暗線の間の開口として概略的に示されている。第1のルミネッセンス材料106及び第2のルミネッセンス材料116によって生成された光104、114は、光出射窓102を介して、発光アセンブリ100の周囲の環境へと放射される。これは、第1のルミネッセンス材料106及び第2のルミネッセンス材料116に対する光出射窓102の相対配置が、生成された青色光104及び第2のピーク波長を有するスペクトル範囲内の生成された光114が、光出射窓102に向かって放射され、当該光出射窓102を介して、発光アセンブリ100を離れるような配置であることを意味する。実際の実施形態では、光出射窓102は、発光アセンブリ110の周りの実質的に不透明なハウジング内の開口であってもよく、又は、光出射窓102は、第1のルミネッセンス材料106及び第2のルミネッセンス材料116のうちの1つをそれぞれ含む隣接ルミネッセンス要素によって形成されてもよい。
一実施形態において、第1のルミネッセンス材料106がすべてのUV光110を青色光104に変換するわけではない場合、発光アセンブリ100には、UV光110が周囲の環境に放射されないようにするUVフィルタが設けられる。UVフィルタは、例えば光出射窓102に設けられる。
更なる実施形態では、図1aに示されているように、第1の光源112は、明確に定義された光ビーム108内のUV光110を、第1のルミネッセンス材料106に放射し、これにより、UV光110が、第2のルミネッセンス材料116上に放射されることが阻止される。同じ実施形態において、第2の光源118は、明確に定義された光ビーム108内の青色光105を、第2のルミネッセンス材料116に放射し、これにより、第2の光源118によって放射された光105が、第1のルミネッセンス材料106によって受け取られることが阻止される。別の実施形態では、発光アセンブリ100は、交差照明を阻止する、即ち、第1の光源112からの光110が第2のルミネッセンス材料116によって受け取られることを阻止し、また、第2の光源118からの光105が第1のルミネッセンス材料106によって受け取られることを阻止する1つ以上の分離壁120を含む。
第1の光源112及び/又は第2の光源118は、固体光エミッタである。固体光エミッタの例としては、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)が挙げられ、又は、例えばレーザダイオードである。発光ダイオード(LED)は、例えば440から460ナノメートルの波長範囲内の青色光を放射するGaN又はInGaN系LEDであってよい。
ルミネッセンス材料は、無機ルミネッセンス材料、有機ルミネッセンス材料、又は、例えば量子閉じ込めを示し、少なくとも1つの寸法においてサイズがナノメートル範囲内である粒子を含む材料であってもよい。
本発明での使用に適した、例えば蛍光体である無機ルミネッセンス材料の例は、次に限定されないが、次に限定されないが、セリウムがドープされたイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG:Ce又はCeがドープされたYAGとも呼ばれるYAl12:Ce3+)又はルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LuAG、LuAl12)、α−SiAlON:Eu2+(黄色)及びMSi:Eu2+(赤色)が挙げられ、ここで、Mは、カルシウムCa、Sr及びBaから選択される少なくとも1つの元素である。通常、受け取られる光が青色光である場合、本発明の実施形態に使用されてもよい無機蛍光体の別の例は、YAG:Ceである。更に、アルミニウムの一部は、ガドリニウム(Gd)又はガリウム(Ga)によって置換されてもよく、Gdが多いほど、黄色発光の赤色シフトがもたらされる。別の適切な材料は、赤色範囲における光を放射するSrSi:Eu2+といった、(Sr1−x−yBaCa2−zSi5−aAl8−a:Eu 2+を含み、ここで、0a<5、01、01及び0<z1、並びに、(x+y)1である。無機蛍光体の粒子は、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)又はポリカーボネート(PC)といったマトリクスポリマー内に分散されていてもよい。別の実施形態では、無機蛍光体は、セラミックルミネッセンス層の土台を形成してもよい。なお、UV光を用いてルミネッセンス材料を励起する場合は、マトリクスポリマーは、少なくとも部分的に、UV光に対し透過性であるべきである。ポリシロキサンは、UV透過ポリマーである。
波長変換材料としての使用に適した有機ルミネッセンス材料の例として、例えばルモゲン(Lumogen)の商標名でBASF社によって販売されているペリレン誘導体に基づいたルミネッセンス材料が挙げられる。したがって、適切な市販製品の例としては、次に限定されないが、ルモゲン・レッドF305、ルモゲン・オレンジF240、ルモゲン・イエローF170及びこれらの組み合わせが挙げられる。有機ルミネッセンス材料の分子は、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)又はポリカーボネート(PC)といったマトリクスポリマー中に溶解されてもよい。
量子閉じ込めを示し、少なくとも1つの寸法においてサイズがナノメートル範囲内である粒子の例は、量子ドット、量子ロッド及び量子テトラポッドである。量子閉じ込めとは、粒子が、粒子のサイズに依存する光学特性を有することを意味する。粒子は、少なくとも1つの寸法において、ナノメートル範囲内のサイズを有する。これは、例えば粒子が実質的に球状である場合、その直径がナノメートル範囲内にあるということを意味する。或いは、これは、例えば粒子がワイヤ形状である場合、ワイヤの断面のサイズが、1つの方向において、ナノメートル範囲であることを意味する。ナノメートル範囲のサイズとは、1つの寸法におけるサイズが、少なくとも、1マイクロメートルよりも小さいことを意味する。任意選択的に、1つの寸法におけるサイズが、500ナノメートルよりも小さく、0.5ナノメートル以上である。一実施形態では、1つの寸法におけるサイズが、50ナノメートルよりも小さい。別の実施形態では、1つの寸法におけるサイズが2乃至30ナノメートルの範囲内にある。
量子ドットは、入射光によって励起されると、結晶のサイズ及び材料によって決定される色の光を放射する。したがって、ドットのサイズを適応させることによって、特定の色の光が生成される。可視範囲内の発光を有する既知の量子ドットの多くは、硫化カドミウム(CdS)及び硫化亜鉛(ZnS)といったシェルを有するセレン化カドミウム(CdSe)に基づいている。リン化インジウム(InP)並びに硫化銅インジウム(CuInS2)及び/又は硫化銀インジウム(AgInS2)といったカドミウムを含まない量子ドットを使用してもよい。量子ドットは、非常に狭い発光帯を示すため、飽和色を示す。更に、発光色は、量子ドットのサイズを適応させることによって、容易に調整される。適切な波長変換特性を有するならば、本発明において、当技術分野において知られている任意のタイプの量子ドットが使用されてもよい。
図1bは、図1aの発光アセンブリ100によって行われる光のスペクトルの変換を概略的に示す。第1の発光スペクトル152は、第1の光源112によって放射される。第1の発光スペクトル152の実質的にすべての波長が、400ナノメートル未満の波長を有する。したがって、第1の発光スペクトル152は、紫外光を表す。第2の発光スペクトル154は、第2の光源118によって放射される。第2の発光スペクトル154は、青色スペクトル範囲内である第1のピーク波長λp1を有する。第1のルミネッセンス材料106は、第1の発光スペクトル152の光の大部分を、青色スペクトル範囲内の発光ピーク156に変換する。第2のルミネッセンス材料116は、第2の発光スペクトル154のすべての光を、第2のピーク波長λp2を有する第3の発光スペクトル158にほぼ完全に変換する。第2のピーク波長λp2は、第1のピーク波長λp1よりも大きいので、第3の発光スペクトル158は、緑色、黄色、橙色、赤色又はこれらの色の組み合わせの色を有する。任意選択的な実施形態では、第2のルミネッセンス材料116によって生成された光はすべて、人間の裸眼に可視であるスペクトル範囲内、したがって、800ナノメートル未満であるが、第2のルミネッセンス材料116は、熱くなると、赤外線スペクトル範囲内の電磁波も照射する。
図2aは、発光アセンブリ200の第2の実施形態の断面図を概略的に示す。発光アセンブリ200は、図1aの発光アセンブリ100に類似しているが、第1のルミネッセンス材料206が、第1の光源112の発光面の上に直接与えられ、第2のルミネッセンス材料216が、第2の光源118の発光面の上に直接与えられている点で少し異なる。特定の応用では、各ルミネッセンス材料206、216を、各光源112、118の上に直接与えることが有利である。これは、第1の光源112によって放射される光は、第1のルミネッセンス材料206に向けてのみ放射され、第2の光源118の光は、第2のルミネッセンス材料216に向けてのみ放射されるからである。更に、よりコンパクトな発光アセンブリが得られる。
図2bは、発光アセンブリ250の第3の実施形態の断面図を概略的に示す。発光アセンブリ250は、壁254によって互いから分離される様々なチャンバを有する空間を囲むハウジング252を含む。チャンバは、光出射窓102とハウジング252の基部との間に延在する。一実施形態では、壁は、光を透過せず、当該壁に衝突する光を反射する。ハウジングのチャンバの方に向いている面も光反射性である。
各チャンバ内に、1つの光源が設けられ、光出射窓102において、チャンバの開口は、ルミネッセンス材料を含む層によって閉じられている。特定のチャンバが、紫外線スペクトル範囲内の光を放射する第1の光源112を含む場合、ルミネッセンス材料を有する層は、第1のルミネッセンス材料106を含む。特定のチャンバが、青色スペクトル範囲内の光を放射する第2の光源118を含む場合、ルミネッセンス材料を有する層は、第2のルミネッセンス材料116を含む。図2bでは、各光源112、118と、対応するルミネッセンス材料を有する層との間には、距離dの間隙が存在する。この間隙は、空気又は別の光透過ガスで充填されていても、又は、例えばシリコーンといった光透過(透明又は半透明)材料で充填されてもよい。間隙が、光透過材料で充填される場合、チャンバは、光透過材料によって、完全に又は部分的に充填される。光透過材料は、各光源112、118によって放射された光を、対応するルミネッセンス材料106、116を有する層に向けて導くライトガイドとして機能する。なお、発光アセンブリの実施形態は、4つのチャンバを有する発光アセンブリに限定されない。発光アセンブリは、例えば横方向に存在する、又は、例えば図の平面に対し垂直な方向に存在する任意の数のチャンバを含んでもよい。
図2bの構成では、各ルミネッセンス材料を、対応するルミネッセンス材料を有する層が、光透過モードではなく光反射モードに配置されるように、対応するチャンバの壁に提供することも可能である。対応するルミネッセンス材料に衝突する光は、吸収され、別の色の光に変換され、当該別の色の光は、チャンバの内部の方向に、後方に放射される。このような実施形態では、UV光と、第2の光源によって生成される光が、発光アセンブリの周囲の環境へと放射されないように、吸収フィルタを、チャンバの光出射窓に設けなければならない。
図3aは、発光アセンブリ300の第4の実施形態の断面図を概略的に示す。この発光アセンブリは、図2bの発光アセンブリ250に類似している。発光アセンブリ250に比べて、発光アセンブリ300は、2つ以上の光源を含むより大きいチャンバを有する。1つのチャンバ内に、同じタイプの光源が設けられ、これらは、本発明の第1の態様に従って対応するルミネッセンス材料と組み合わせられる。したがって、図3aに示されるように、左側に示されるチャンバ内では、複数の第1の光源112が、第1のルミネッセンス材料306を有する層に向けてUV光を放射し、右側に示されるチャンバ内では、複数の第2の光源118が、第2のルミネッセンス材料316を有する層に向けて青色光を放射する。チャンバは、壁304によって分離されている。
図3bは、発光アセンブリ350の第5の実施形態の断面図を概略的に示す。発光アセンブリ350は、図1aの発光アセンブリ100に類似している。発光アセンブリ350では、第1の光源112、第2の光源118、第1のルミネッセンス材料106を有する層及び第2のルミネッセンス材料116を有する層を支持するフレームが設けられている。フレームは更に、各光源112、118によって放射された光が、対応するルミネッセンス材料106、116によって受け取られるような位置に、各光源を配置している。フレームは、例えば、金属板又は金属棒から製造される。
図4aは、本発明の第2の態様に係るランプの第1の実施形態を概略的に示す。ランプは、レトロフィット光管400である。光管400は、横方向において、対応するルミネッセンス材料を有する光源の複数の組み合わせ402、404を含む。1つの組み合わせは、図1aの発光アセンブリ100の第1のルミネッセンス材料106を有する第1の光源112、又は、発光アセンブリ200の第1のルミネッセンス材料206を有する第1の光源112であってよい。別の使用される組み合わせは、図1aの発光アセンブリ100の第2のルミネッセンス材料116を有する第2の光源118、又は、発光アセンブリ200の第2のルミネッセンス材料216を有する第2の光源118であってよい。光管400のガラスが、光出射窓である。
図4bは、レトロフィット電球430であるランプの第2の実施形態を概略的に示す。本発明の第1の態様に従った発光アセンブリ432である口金を含むレトロフィット電球430が提供される。発光アセンブリ432は、第1のルミネッセンス材料によって生成される青色光と、第2のルミネッセンス材料によって生成されるより高い波長の光との組み合わせを、電球430のガラスに向けて放射する。
図4cは、LEDユニット460であるランプの第3の実施形態を概略的に示す。LEDユニット460は、円筒形のハウジング464を含む。ハウジング464は、空洞を囲み、その空洞の中に、本発明の第1の態様に係る1つ以上の発光アセンブリが設けられている。光出射窓は、空洞を閉じる層462によって形成される。層462は、拡散層であってもよい。或いは、層462は、それぞれ、第1のルミネッセンス材料及び第2のルミネッセンス材料を有する空間的に分離された領域を含んでもよく、また、第1の光源及び第2の光源が、空洞内に設けられる。
図5は、本発明の第3の態様に係る照明器具500を概略的に示す。照明器具は、本発明の第1の態様に係る1つ上の発光アセンブリを含むか、又は、本発明の第2の態様に係るランプを含む。
なお、上記の実施形態は、本発明を限定するものではなく、例示するものであり、当業者であれば、添付の請求の範囲から逸脱することなく、多くの代替実施形態をデザインできるであろう。
請求項において、括弧内に置かれる任意の参照符号は、当該請求項を制限するものとして解釈されるべきではない。「含む」との動詞及びその活用形の使用は、請求項に記載される要素又はステップ以外の要素又はステップの存在を排除するものではない。要素に先行する「a」又は「an」との冠詞は、当該要素が複数存在することを排除するものではない。本発明は、幾つかの個別の要素を含むハードウェアによって実施されてもよい。幾つかの手段を列挙する装置の請求項において、これらの手段のうちの幾つかは、同一のハードウェハアイテムによって具現化されてもよい。特定の手段が相互に異なる従属項に記載されるからといって、これらの手段の組み合わせを有利に使用することができないことを示すものではない。

Claims (14)

  1. 紫外線スペクトル範囲内の光を放射する第1の光源と、
    第1のピーク波長を有する青色スペクトル範囲内の光を放射する第2の光源と、
    前記第1の光源から光を受け取り、前記紫外線スペクトル範囲内の光を吸収し、吸収した光を、前記青色スペクトル範囲内の光にほぼ完全に変換する第1のルミネッセンス材料と、
    前記第2の光源から光を受け取り、前記第2の光源から受け取った前記青色スペクトル範囲内の受け取った光を、第2のピーク波長を有する光のスペクトル範囲の光にほぼ完全に変換する第2のルミネッセンス材料と、
    前記第1のルミネッセンス材料及び前記第2のルミネッセンス材料によって放射された光を、発光アセンブリの周囲環境へと伝達する光出射窓と、
    を含み、
    前記第2のピーク波長は、前記第1のピーク波長よりも大き
    前記第1のルミネッセンス材料と前記第2のルミネッセンス材料とのうち、少なくとも一方は、量子閉じ込めを示し、少なくとも1つの寸法においてサイズがナノメートル範囲内である粒子を含む、
    発光アセンブリ。
  2. 前記第2のルミネッセンス材料は、前記青色スペクトル範囲内の前記受け取った光を、前記第2のピーク波長を有する光に完全に変換する、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  3. 前記第2のピーク波長を有するスペクトル範囲の光は、赤色、橙色又は黄色のスペクトル範囲のうちの少なくとも1つにおける光を含む、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  4. 前記第1のルミネッセンス材料は、前記第1の光源に接触し、及び/又は、前記第2のルミネッセンス材料は、前記第2の光源に接触している、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  5. 前記第1の光源と前記第1のルミネッセンス材料との間に間隙が存在し、及び/又は、前記第2の光源と前記第2のルミネッセンス材料との間に間隙が存在する、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  6. 前記第1の光源、前記第1のルミネッセンス材料、前記第2の光源及び前記第2のルミネッセンス材料は、前記第1の光源と前記第2のルミネッセンス材料との間、及び、前記第2の光源と前記第1のルミネッセンス材料との間の交差照明を阻止する、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  7. 交差照明を阻止するための分離壁を更に含むか、又は、
    交差照明を阻止するために、壁によって互いから分離される様々なチャンバを有する空間を囲むハウジングを更に含み、各チャンバは1つの光源と光出射窓に開口とを含み、前記開口はルミネッセンス材料を含む層で閉じられ、第1の光源を含む特定のチャンバは第1のルミネッセンス材料を含む層を有し、第2の光源を含む特定の他のチャンバは第2のルミネッセンス材料を含む層を有する、請求項6に記載の発光アセンブリ。
  8. 2つ以上の第1の光源を含む、及び/又は、2つ以上の第2の光源を含む、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  9. 前記第1の光源及び前記第2の光源のうちの少なくとも1つは、固体光エミッタである、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  10. 前記第1のルミネッセンス材料及び前記第2のルミネッセンス材料のうちの少なくとも1つは、無機蛍光体、有機蛍光体、量子ドット、量子ロッド又は量子テトラポッドを含む、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  11. 前記光出射窓を介する前記周囲環境への前記紫外線スペクトル範囲内の光の放射を阻止する紫外線フィルタを含む、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  12. 前記第2のルミネッセンス材料と前記周囲環境との間に配置され、前記光出射窓を介する前記周囲環境への前記第2の光源によって放射される光の漏れを阻止する青色吸収フィルタを含む、請求項1に記載の発光アセンブリ。
  13. 請求項1に記載の発光アセンブリを含むランプ。
  14. 請求項1に記載の発光アセンブリ又は請求項13に記載のランプを含む照明器具。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104221172B (zh) 2012-04-13 2019-03-01 亮锐控股有限公司 光转换组件、灯和灯具
CN106574175B (zh) 2014-09-11 2018-08-07 飞利浦照明控股有限公司 具有加强的白色显现和转换效率的pc-led模块
DE102015100842A1 (de) * 2015-01-21 2016-07-21 Tailorlux Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit einer Leuchtstoffschicht und verschiedenen Leuchtdioden
US10441809B2 (en) 2015-11-10 2019-10-15 Signify Holding B.V. Tunable white light source with variable UV component
US10420189B2 (en) * 2016-05-11 2019-09-17 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
WO2018012585A1 (ja) * 2016-07-13 2018-01-18 シャープ株式会社 発光ダイオードおよび発光装置
WO2018215068A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting device and method for producing a light-emitting device
CN111699419B (zh) * 2018-02-19 2022-09-09 日本碍子株式会社 光学部件及照明装置
JP2020003340A (ja) * 2018-06-28 2020-01-09 セイコーエプソン株式会社 測定装置、電子機器、及び測定方法
DE102018119462A1 (de) * 2018-08-09 2020-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Sichtbares licht und ir-strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement
EP3890447A4 (en) * 2018-11-27 2022-08-10 Kyocera Corporation LIGHTING DEVICE
KR20200139307A (ko) * 2019-06-03 2020-12-14 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
JP7241239B2 (ja) * 2019-08-20 2023-03-16 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ 赤色蛍光体の間接的ポンピングによる高品質白色レーザベース光源
CN114364912A (zh) * 2019-08-20 2022-04-15 昕诺飞控股有限公司 具有高cri的高强度光源

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003147351A (ja) 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
WO2005067524A2 (en) * 2004-01-15 2005-07-28 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
DE102005020695B4 (de) 2004-04-30 2006-06-22 Optotransmitter-Umweltschutz-Technologie E.V. Vorrichtung zur Emission von Strahlung mit einstellbarer Spektraleigenschaft
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
JP2007122950A (ja) 2005-10-26 2007-05-17 Fujikura Ltd 照明装置
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
KR101484461B1 (ko) * 2006-12-21 2015-01-20 코닌클리케 필립스 엔.브이. 성형된 파장 변환기를 가지는 발광 장치
US8118441B2 (en) 2007-04-16 2012-02-21 Goodrich Lighting Systems Gmbh Color-variable LED light, particularly for lighting the interior of vehicles
KR101273083B1 (ko) * 2007-06-21 2013-06-10 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN101765923B (zh) * 2007-07-26 2013-01-16 松下电器产业株式会社 Led照明器件
JP2009032524A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Panasonic Electric Works Co Ltd Led照明装置
US8651723B2 (en) 2008-02-21 2014-02-18 Koninklijke Philips N.V. LED light source with a luminescent layer
KR100924912B1 (ko) 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
JP2010103522A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Seoul Opto Devices Co Ltd 遅延蛍光体を備える交流駆動型の発光素子及び発光素子モジュール
GB0821122D0 (en) * 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
KR101018153B1 (ko) * 2008-11-27 2011-02-28 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지
WO2010106478A1 (en) 2009-03-19 2010-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color adjusting arrangement
JP2011066227A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp 白色led光源、バックライトユニット、液晶パネルおよび液晶tv
JP5660662B2 (ja) * 2010-03-19 2015-01-28 東芝ライテック株式会社 照明装置
KR101039994B1 (ko) * 2010-05-24 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP5398657B2 (ja) * 2010-07-06 2014-01-29 株式会社東芝 発光デバイス
JP2012109532A (ja) 2010-09-08 2012-06-07 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明装置、及びレンズ
JP2012074276A (ja) 2010-09-29 2012-04-12 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法
JP2012084276A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sharp Corp 発光装置、前照灯および移動体
US8343785B2 (en) 2010-11-30 2013-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitridosilicate phosphor tunable light-emitting diodes by using UV and blue chips

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