DE102018119462A1 - Sichtbares licht und ir-strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement - Google Patents

Sichtbares licht und ir-strahlung emittierendes optoelektronisches bauelement Download PDF

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Abstract

Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement (2) umfassend:- eine Halbleiter-Strahlungsquelle (8), die im Betrieb des Bauelements (2) eine Primärstrahlung (S) emittiert; und- eine Konversionseinrichtung (10), die im Betrieb des Bauelements einen ersten Teil der emittierten Primärstrahlung in Infrarotstrahlung (IR) konvertiert, wobei die Konversionseinrichtung (10) im Betrieb des Bauelements einen zweiten Teil der emittierten Primärstrahlung in sichtbares Licht (WL) konvertiert.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement umfassend:
    • - eine Halbleiter-Strahlungsquelle, die im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung emittiert; und
    • - eine Konversionseinrichtung, die im Betrieb des Bauelements einen ersten Teil der emittierten Primärstrahlung in Infrarotstrahlung konvertiert.
  • Ein solches strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement ist aus dem Dokument WO 2016/174194 A1 bekannt. Dabei handelt es sich um eine Kombination aus einem LED-Chip 110 und einem wellenlängenkonvertierenden Element 120. Das Bauelement wird als Teil eines Infrarotspektrometers eingesetzt. Der LED-Chip 110 emittiert Primärstrahlung in Form von sichtbarem Licht, wie z.B. blaues oder rotes Licht. Das wellenlängenkonvertierende Element 120 konvertiert einen Teil des sichtbaren Lichts des LED-Chips 110 in Infrarotstrahlung. Diese kann dann zur Feststellung der Zusammensetzung von zu untersuchenden Objekten auf diese gerichtet werden. Der restliche Teil des sichtbaren Lichts wird nicht konvertiert und zusammen mit der Infrarotstrahlung ausgesandt. Dank des sichtbaren Lichts kann ein Nutzer erkennen, in welche Richtung die Infrarotstrahlung ausgesandt wird. Indem er das zu untersuchende Objekt mit dem sichtbaren Licht bescheint, erreicht er so, dass auch die Infrarotstrahlung auf das zu untersuchende Objekt trifft.
  • Dieses optoelektronische Bauelement kann dank seiner geringen Größe in mobile oder tragbare Geräte wie etwa Handys, Smartphones oder Uhren aber auch in Kleidungsstücke oder sogenannte „wearables“ integriert werden. Dort kann es dann als Infrarotstrahlungsquelle für Infrarotspektroskopie eingesetzt werden.
  • Von Nachteil dabei ist allerdings, dass in dem tragbaren Gerät oder „wearable“ ein zusätzlicher Raum für das optoelektronische Bauelement geschaffen werden muss. Da bei derartig kleinen Produkten der Platz begrenzt ist, hemmt dies die an sich gewünschte Erweiterung des Produkts um ein Infrarot-Spektrometer.
  • Das Dokument WO 2016/174236 A1 beschreibt weitere optoelektronische Bauelemente für den Einsatz in einem Infrarot-Spektrometer. Es bestehen bei dieser Lösung dieselben Nachteile wie beim Dokument WO 2016/174194 A1 .
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optoelektronisches Bauelement der eingangs definierten Art derart weiterzubilden, dass es sich leichter in tragbare Geräte und „wearables“ integrieren lässt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Konversionseinrichtung im Betrieb des Bauelements einen zweiten Teil der emittierten Primärstrahlung in sichtbares Licht konvertiert.
  • Dadurch, dass die Konversionseinrichtung zusätzlich zur Infrarotstrahlung auch sichtbares Licht erzeugt, kann das optoelektronische Bauelement nicht nur als Infrarotquelle sondern auch noch als Quelle für sichtbares Licht dienen. So erfüllt das optoelektronische Bauelement zwei Funktionen gleichzeitig. Es kann also z.B. eine in einem tragbaren Gerät ohnehin nötige Lichtquelle wie etwa einen Blitz ersetzen und gleichzeitig als Infrarotquelle dienen. Das Hinzufügen einer Infrarotfunktion bei einem tragbaren Gerät wie z.B. einem Handy erfordert dank der Erfindung keinen zusätzlichen Bauraum im Handy. Stattdessen wird einfach das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement in dem für den Handyblitz vorgesehen Bauraum verbaut und sowohl als Blitz als auch als Infrarotquelle genutzt. Dabei kann vorteilhafterweise wie beim oben beschriebenen Stand der Technik das vom Bauelement erzeugte sichtbare Licht dem Nutzer als Orientierung dafür dienen, in welche Richtung das Bauelement die Infrarotstrahlung aussendet.
  • In einer Ausführungsform kann die Konversionseinrichtung ein erstes Konversionsmaterial für die Konversion in Infrarotstrahlung und ein zweites Konversionsmaterial für die Konversion in sichtbares Licht aufweisen. Dadurch kann die Primärstrahlung gleichzeitig in sichtbares Licht und in Infrarotstrahlung umgewandelt werden.
  • Bevorzugt können die beiden Konversionsmaterialien als Mischung innerhalb einer Konversionsschicht vorliegen. Dadurch lässt sich das Bauelement leicht herstellen. Zudem wird die Primärstrahlung durch die Konversionsschicht gleichmäßig in sichtbares Licht und in Infrarotstrahlung umgewandelt.
  • Alternativ können die beiden Konversionsmaterialien als zwei getrennte Materialschichten vorliegen. Bei dieser Variante kann die Umwandlung in Infrarotstrahlung und in sichtbares Licht durch die jeweilige Ausgestaltung der getrennten Materialschicht individuell eingestellt werden.
  • Das Bauelement kann weiterhin ein Gehäuse mit einer Kavität umfassen, wobei dann die Halbleiter-Strahlungsquelle als in der Kavität angeordneter Halbleiter-Chip, insbesondere als LED-Chip, ausgebildet ist. Durch diesen Aufbau ist die Strahlungsquelle gut geschützt und das Bauelement hat eine kompakte Form.
  • Dabei kann die Konversionseinrichtung aus einer die Kavität ausfüllenden Konversionsschicht bestehen. Auf diese Weise kann fast die gesamte emittierte Primärstrahlung konvertiert werden.
  • Es ist in diesem Fall auch von Vorteil, wenn die Konversionsschicht eine erste Teilschicht für die Konversion in Infrarotstrahlung und eine zweite Teilschicht für die Konversion in sichtbares Licht aufweist, und wenn:
    • - die erste Teilschicht als ausschließlich auf dem Halbleiter-Chip aufgebrachte Materialschicht verwirklicht ist und die zweite Teilschicht als den Halbleiter-Chip und die erste Teilschicht umgebende Materialschicht verwirklicht ist, oder
    • - die zweite Teilschicht als ausschließlich auf dem Halbleiter-Chip aufgebrachte Materialschicht verwirklicht ist und die erste Teilschicht als den Halbleiter-Chip und die zweite Teilschicht umgebende Materialschicht verwirklicht ist. Durch diesen Aufbau mit Teilschichten kann eingestellt werden, welcher Anteil der Primärstrahlung in sichtbares Licht und in Infrarotstrahlung umgewandelt wird.
  • Alternativ kann die Konversionseinrichtung als ausschließlich auf dem Halbleiter-Chip aufgebrachte Konversionsschicht verwirklicht sein. Diese Variante hat den Vorteil, dass für die Konversionseinrichtung wenig Material benötigt wird.
  • In diesem Fall können die Konversionsschicht und der Halbleiter-Chip von einer nicht konvertierenden Gussmasse umgeben sein. Die Gussmasse dient zum Schutz und Fixierung des Halbleiter-Chips. Vorzugsweise ist die Gussmasse für sichtbares Licht und Infrarotstrahlung transparent.
  • In einer anderen Ausführungsform umfasst das Bauelement ein Gehäuse mit zwei Kavitäten, wobei die Halbleiter-Strahlungsquelle als zwei Halbleiter-Chips, insbesondere als LED-Chips, ausgebildet ist, und wobei der eine Halbleiter-Chip in der einen Kavität und der andere Halbleiter-Chip in der anderen Kavität angeordnet ist.
  • In diesem Fall kann die Konversionseinrichtung aus zwei getrennten Konversionsschichten bestehen, wobei die eine Konversionsschicht in der einen Kavität und die andere Konversionsschicht in der anderen Kavität angeordnet ist.
  • Insbesondere kann dann die eine Konversionsschicht zur Konversion in Infrarotstrahlung dienen und die andere Konversionsschicht zur Konversion in sichtbares Licht. Dadurch lässt sich der Konversionsgrad in sichtbares Licht und der Konversionsgrad in Infrarotstrahlung jeweils individuell einstellen. Außerdem hat diese Variante den Vorteil, dass man das sichtbare Licht und die Infrarotstrahlung nicht nur gleichzeitig, sondern wahlweise auch einzeln generieren kann.
  • Dabei kann jede Konversionsschicht entweder die jeweilige Kavität ausfüllen oder ausschließlich auf dem in der jeweiligen Kavität angeordneten Halbleiter-Chip aufgebracht sein.
  • Bevorzugt kann die Konversionseinrichtung im Betrieb des Bauelements den zweiten Teil der emittierten Primärstrahlung in weißes Licht konvertieren. In diesem Fall lässt sich das Bauelement für Einsatzzwecke nutzen, bei denen weißes Licht benötigt wird. So kann das Bauelement als Taschenlampe, Blitz oder Signallicht dienen.
  • Die Erfindung richtet sich auch auf ein mobiles Endgerät, insbesondere Mobiltelefon, mit einem wie oben definierten Bauelement.
  • Dabei kann das mobile Endgerät mit einer integrierten Kamera zur Aufnahme von Bildern versehen sein, wobei das vom Bauelement erzeugte weiße Licht als Blitzlicht für die Bildaufnahme dient, und wobei das Bauelement und die Kamera gemeinsam ein Infrarot-Spektrometer bilden, derart, dass das Bauelement als Infrarotquelle fungiert und die Kamera als Infrarotdetektor.
  • Figurenliste
    • Die 1 bis 4 zeigen schematisch vier bevorzugte Varianten eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelements, welches zugleich sichtbares Licht und Infrarotstrahlung emittieren kann.
  • Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • In der folgenden Beschreibung werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die Zeichnungen sind dabei nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, sondern sollen die jeweiligen Merkmale lediglich schematisch illustrieren.
  • Dabei ist zu beachten, dass die nachstehend beschriebenen Merkmale und Komponenten jeweils miteinander kombiniert werden können, unabhängig davon, ob sie in Zusammenhang mit einer einzigen Ausführungsform beschrieben worden sind. Die Kombination von Merkmalen in den jeweiligen Ausführungsformen dient lediglich der Veranschaulichung des grundsätzlichen Aufbaus und der Funktionsweise der beanspruchten Vorrichtung.
  • Die vier beigefügten Figuren zeigen schematisch vier verschiedene Varianten eines erfindungsgemäßen strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelements 2.
  • Bei diesen Ausführungsformen der Erfindung ist das optoelektronische Bauelement 2 ein LED-Modul mit einer oder mehreren integrierten Leuchtdioden (LEDs). Diese LED-Module 2 haben unterschiedlichste Anwendungen. Zum Beispiel können sie in der Beleuchtung eingesetzt werden. Sie können auch in Kraftfahrzeugen oder Fahrrädern Verwendung finden. Der hier vorgesehene Haupteinsatzfall ist der Einsatz in tragbaren Geräten wie etwa Smartphones oder in Bekleidungsstücken oder in sogenannten „wearables“. Die gezeigten LED-Module 2 sind also dazu geeignet, in mobile Endgeräte eingebaut zu werden.
  • Erfindungsgemäß sollen die gezeigten LED-Module 2 insbesondere als Strahlungsquelle für ein Infrarotspektrometer dienen. Dabei sollen sie nicht nur diese Funktion erfüllen, sondern zusätzlich im mobilen Endgerät eine klassische Beleuchtungsfunktion, zum Beispiel als Kamerablitz oder Taschenlampe übernehmen.
  • Die gezeigten erfindungsgemäßen LED-Module 2 zeichnen sich also dadurch aus, dass die vorhandene Konversionseinrichtung in der Lage ist, nicht nur Infrarotstrahlung zu erzeugen, sondern auch sichtbares Licht.
  • Es werden nun konkret die vier gezeigten Varianten beschrieben.
  • Die in den 1 bis 4 gezeigten LED-Module 2 besitzen allesamt ein Gehäuse 4. Das Gehäuse 4 hat zumindest eine Kavität 6. Außerdem besitzt jedes LED-Modul 2 eine Halbleiter-Strahlungsquelle 8. Diese emittiert im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung S.
  • Die Halbleiter-Strahlungsquelle 8 umfasst einen LED-Chip. Bevorzugt ist dies ein blauer LED-Chip, der blaues Licht emittieren kann.
  • Im Übrigen besitzt jedes LED-Modul 2 eine Konversionseinrichtung 10. Diese ist dazu in der Lage, im Betrieb des Bauelements einen ersten Teil der von der Halbleiter-Strahlungsquelle 8 emittierten Primärstrahlung S in Infrarotstrahlung IR zu konvertieren und einen zweiten Teil der emittierten Primärstrahlung S in sichtbares Licht WL zu konvertieren. Zu diesem Zweck weist die Konversionseinrichtung 10 ein erstes Konversionsmaterial 11 für die Konversion in Infrarotstrahlung und ein zweites Konversionsmaterial 13 für die Konversion in sichtbares Licht auf.
  • Es wird nun mit Verweis auf 1 die erste Variante des erfindungsgemäßen LED-Moduls 2 beschrieben. Bei dieser Variante gibt es in dem Gehäuse 4 eine einzige Kavität 6. Die Kavität 6 besitzt Seitenwände 12 und einen Boden 14. Eine dem Boden 14 gegenüberliegende Lichtaustrittsöffnung 16 der Kavität 6 dient zum Auskoppeln des sichtbaren Lichts WL und der Infrarotstrahlung IR aus dem LED-Modul 2. Der Halbleiterchip 8, in diesem Fall eine blaue LED, ist am Boden der Kavität 6 angebracht. Der LED-Chip 8 ist in eine Konversionsschicht 10 eingebettet, welche die Konversionseinrichtung bildet. Die Konversionsschicht 10 füllt die Kavität 6 vollständig aus.
  • Die Konversionsschicht 10 enthält eine Mischung der beiden Konversionsmaterialien 11 und 13. In dem Beispiel gemäß 1 besteht die Konversionsschicht 10 aus einer Silikonmatrix. In dieser sind Teilchen eines ersten anorganischen Konversionsmaterials (zum Beispiel eine erste Art von Leuchtstoffteilchen) verteilt. Diese bilden das erste Konversionsmaterial 11 zur Konversion in Infrarotstrahlung. In der Silikonmatrix sind ebenfalls Teilchen einer zweiten anderen Art eines anorganischen Konversionsmaterials (zum Beispiel wiederum eine bestimmte Art von Leuchstoffteilchen) verteilt. Diese bilden das zweite Konversionsmaterial 13, welches das sichtbare Licht erzeugt. Demnach liegen die beiden Konversionsmaterialien 11 und 13 als Mischung innerhalb der Konversionsschicht 10 vor. Bei den Leuchtstoffteilchen kann es sich insbesondere um Phosphorteilchen handeln.
  • Das LED-Modul 2 gemäß 1 funktioniert wie folgt: Die blaue LED 8 wird eingeschaltet und emittiert Primärstrahlung S in Form eines blauen Lichts. Dieses blaue Licht S durchquert die dotierte Silikonschicht 10 und trifft dabei auf die zwei Arten von Leuchtstoffteilchen 11 und 13. Die erste Art von Leuchtstoffteilchen 11, das heißt das Infrarot-Konversionsmaterial, absorbiert das blaue Licht und wandelt dies in Infrarotstrahlung um. Die zweite Art von Leuchtstoffteilchen, das heißt das Sicht-Konversionsmaterial 13, absorbiert ebenfalls das blaue Licht. Dieses wird dann durch das Sicht-Konversionsmaterial 13 in sichtbares Licht und bevorzugt in weißes Licht umgewandelt.
  • Das erzeugte weiße Licht WL und die erzeugte Infrarotstrahlung IR verlassen dann gemeinsam das LED-Modul 2 durch die Öffnung 16 der Kavität 6.
  • Es wird nun mit Bezug auf die 2 die zweite Variante beschrieben. Dabei wird im Wesentlichen auf die Unterschiede gegenüber der ersten Variante gemäß 1 eingegangen. Für diejenigen Teile der zweiten Variante, welche eine Entsprechung in der ersten Variante haben, gilt das bereits zur ersten Variante Gesagte.
  • Bei der Variante gemäß der 2 liegen die beiden Konversionsmaterialien 11 und 13 als zwei getrennte Materialschichten 10a und 10b vor. Es gibt in diesem Fall also eine erste Infrarotschicht 10a und eine zweite Sichtschicht 10b. Beide Schichten 10a und 10b sind wiederum bevorzugt als Silikonschichten mit darin verteilten Konversionsmaterialien 11 und 13 ausgestaltet. Demnach liegt die Konversionseinrichtung als Konversionsschicht 10 vor, die eine erste Teilschicht 10a für die Konversion in Infrarotstrahlung und eine zweite Teilschicht 10b für die Konversion in sichtbares Licht aufweist.
  • In 2 ist dies derart gelöst, dass die erste Teilschicht 10a als den Halbleiterchip 8 und die zweite Teilschicht 10b umgebende Materialschicht verwirklicht ist. Die zweite Teilschicht 10b wiederum ist als ausschließlich auf dem Halbleiterchip 8 aufgebrachte Materialschicht verwirklicht. Die zweite Teilschicht 10b dient also zur Konversion auf dem Niveau des Chips 8, was auch unter dem Begriff „Chip Level Conversion“ (CLC) bekannt ist.
  • Es ist aber auch der umgekehrte Aufbau denkbar. Das heißt, dass die Infrarot-Konversionsschicht 10a direkt auf dem Halbleiterchip 8 aufgebracht ist und die Sicht-Konversionsschicht 10b den Halbleiterchip 8 und die Infrarot-Konversionsschicht 10a umgibt.
  • Die zweite Variante gemäß 2 funktioniert wie folgt. Zunächst wird der blaue LED-Chip 8 eingeschaltet. Dieser sendet die Primärstrahlung S in Form von blauem Licht sowohl in die Infrarot-Konversionsschicht 10a als auch in die Sicht-Konversionsschicht 10b. Dort wird das blaue Licht jeweils in Infrarotlicht IR und sichtbares Licht WL umgewandelt. Das sichtbare Licht WL und das Infrarotlicht IR verlassen gemeinsam das LED-Modul 2 durch die Öffnung 16 der Kavität 6.
  • Es wird nun die dritte Variante gemäß 3 beschrieben. Es wird erneut nur auf die Unterschiede eingegangen. Zu den zu den anderen Varianten identischen Elementen gilt das bereits Gesagte.
  • Bei dieser Variante besteht die Besonderheit darin, dass die Konversionseinrichtung 10 als ausschließlich auf dem Halbleiterchip 8 aufgebrachte Konversionsschicht verwirklicht ist. Hier erfolgt also sowohl die Konversion in sichtbares Licht als auch die Konversion in Infrarotstrahlung auf dem Niveau des Chips. Diese einzige auf dem Chip 8 aufgebrachte Konversionsschicht 10 enthält, vergleichbar zur ersten Variante, die beiden Konversionsmaterialien 11 und 13 als darin verteilte Mischung. Bei dieser dritten Variante sind die Konversionsschicht 10 und der Halbleiterchip 8 von einer nicht konvertierenden Gussmasse 18 umgeben. Diese Gussmasse 18 ist für Infrarotstrahlung und sichtbares Licht transparent.
  • Die dritte Variante gemäß 3 funktioniert wie folgt. Zunächst wird der LED-Chip 8 eingeschaltet. Dieser sendet blaues Licht in die auf ihm befindliche Konversionsschicht 10. In dieser Konversionsschicht 10 trifft das blaue Licht sowohl auf das Infrarot-Konversionsmaterial 11 als auch auf das Sicht-Konversionsmaterial 13. Durch diese Materialien wird das blaue Licht in sichtbares Licht WL und Infrarotstrahlung IR konvertiert. Das sichtbare Licht WL und die Infrarotstrahlung IR verlassen gemeinsam das LED-Modul 2 durch die Öffnung 16 der Kavität 6.
  • Bei der zweiten und dritten Ausführungsform der 2 und 3 ist es auch möglich, dass eine Konversionsschicht den Boden 14 und/oder die Seitenwände 12 der Kavität 6 bedeckt. Eine solche Schicht könnte durch Aufsprühen oder Sedimentierung aufgetragen werden. Diese wäre genauso aufgebaut wie die auf dem Halbleiterchip 8 aufgebrachte Schicht. Diese zusätzliche Schicht an den Wandungen der Kavität 6 könnte dann die vom Halbleiterchip 8 ausgesandte Primärstrahlung S ergänzend zur auf dem Halbleiterchip 8 befindlichen Konversionsschicht umwandeln.
  • Es wird nun die vierte Variante gemäß 4 beschrieben. Es werden wiederum nur die Unterschiede beschrieben. Für die zu den anderen Varianten vergleichbaren Elemente gilt das bereits Gesagte. Die Variante gemäß 4 ist dadurch gekennzeichnet, dass in dem Gehäuse 4 eine zweite Kavität 9 vorhanden ist. In diesem Beispiel ist die Halbleiter-Strahlungsquelle 8 als zwei Halbleiterchips 8a und 8b ausgebildet. Der eine Halbleiterchip 8a ist in der einen Kavität 6 angeordnet und der andere Halbleiterchip 8b in der anderen Kavität 9. Die Halbleiterchips 8a und 8b sind wiederum bevorzugt LED-Chips. Bei dieser Variante gibt es also zwei getrennte Strahler Q1 und Q2. Der erste Strahler Q1 ist hier ein Sichtstrahler. Das heißt, dass er sichtbares Licht aussendet. Der zweite Strahler Q2 ist ein Infrarotstrahler, das heißt, dass er Infrarotstrahlung aussendet. Durch das Vorsehen zwei getrennter Strahler Q1 und Q2 kann das LED-Modul 2 dieser Variante im Gegensatz zu den anderen beschriebenen Varianten auch individuell nur Infrarotstrahlung IR oder nur sichtbares Licht WL aussenden.
  • Wie man es in der 4 sieht, besteht hier die Konversionseinrichtung 10 aus zwei getrennten Konversionsschichten 10a und 10b. Die eine Konversionsschicht 10a ist in der einen Kavität 9 und die andere Konversionsschicht 10b ist in der anderen Kavität 6 angeordnet. Dabei ist die Konversionsschicht 10b eine Sicht-Konversionsschicht, das heißt, sie dient zur Konversion in sichtbares Licht. Die Konversionsschicht 10a ist eine Infrarot-Konversionsschicht, das heißt, sie dient zur Konversion in Infrarotlicht.
  • Gemäß 4 füllt jede Konversionsschicht 10a, 10b ihre jeweilige Kavität 9 und 6 aus. Es ist aber auch möglich, dass die Infrarot-Konversionsschicht 10a auf ihrem Halbleiterchip 8b aufgebracht ist und die Sicht-Konversionsschicht 10b auf ihrem Halbleiterchip 8a. In diesem Fall würde also in jeder der beiden Kavitäten eine Chip-Level-Conversion stattfinden.
  • Der für die Konversion in sichtbares Licht eingesetzte LED-Chip 8a ist bevorzugt ein blauer LED-Chip. Der für die Konversion in Infrarotstrahlung genutzte LED-Chip 8b ist bevorzugt ein Pumpchip. Dieser kann Primärstrahlung S im Bereich von 350 bis 850 nm emittieren.
  • Das LED-Modul 2 gemäß 4 funktioniert wie folgt. Falls das LED-Modul ausschließlich zur Beleuchtung eingesetzt werden soll, wird lediglich der blaue LED-Chip 8a eingeschaltet. Die von diesem ausgesandte Primärstrahlung S wird dann durch die Sicht-Konversionsschicht 10b in sichtbares Licht WL umgewandelt. Insbesondere kann es sich hier um ein weißes Licht handeln. Dieses weiße Licht kann dann zu Beleuchtungszwecken verwendet werden. Falls nur Infrarotstrahlung benötigt wird, wird lediglich der Pumpchip 8b eingeschaltet. Dessen Primärstrahlung S wird dann durch die Infrarot-Konversionsschicht 10a in Infrarotstrahlung IR umgewandelt. Man kann jedoch auch beide LED-Chips 8a und 8b zeitgleich einschalten, sodass das LED-Modul 2 sowohl sichtbares Licht als auch Infrarotstrahlung abgibt.
  • Die soeben beschriebenen LED-Module in 1 bis 4 finden eine besonders bevorzugte Anwendung in mobilen Endgeräten wie zum Beispiel Mobiltelefonen. So können die erfindungsgemäßen LED-Module 2 in ein Mobiltelefon integriert sein, um in diesem als Beleuchtungsquelle und/oder Infrarot-Strahlungsquelle zu dienen.
  • Ein konkreter Anwendungsfall ist ein Mobiltelefon mit integrierter Kamera zur Aufnahme von Bildern, wobei das vom LED-Modul 2 erzeugte weiße Licht als Blitzlicht für die Bildaufnahme dient, und wobei das LED-Modul 2 und die Kamera gemeinsam ein Infrarotspektrometer bilden, derart, dass das LED-Modul 2 als Infrarotquelle fungiert und die Kamera als Infrarotdetektor.
  • Bezugszeichenliste
  • 2
    LED-Modul
    4
    Gehäuse
    6
    Kavität
    8
    LED-Chip
    8a
    blauer LED-Chip
    8b
    Pump-Chip
    9
    Kavität
    10
    Konversionseinrichtung
    10a
    Konversionsschicht
    10b
    Konversionsschicht
    11
    Konversionmaterial
    12
    Seitenwände
    13
    Konversionsmaterial
    14
    Boden
    16
    Öffnung
    18
    Gussmasse
    WL
    Weißes Licht
    IR
    Infrarotstrahlung
    S
    Primärstrahlung
    Q1
    erster Strahler
    Q2
    zweiter Strahler
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2016/174194 A1 [0002, 0005]
    • WO 2016/174236 A1 [0005]

Claims (16)

  1. Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement (2) umfassend: - eine Halbleiter-Strahlungsquelle (8), die im Betrieb des Bauelements (2) eine Primärstrahlung (S) emittiert; und - eine Konversionseinrichtung (10), die im Betrieb des Bauelements (2) einen ersten Teil der emittierten Primärstrahlung (S) in Infrarotstrahlung (IR) konvertiert; dadurch gekennzeichnet, dass die Konversionseinrichtung (10) im Betrieb des Bauelements (2) einen zweiten Teil der emittierten Primärstrahlung (S) in sichtbares Licht (WL) konvertiert.
  2. Bauelement (2) nach Anspruch 1, wobei die Konversionseinrichtung (10) ein erstes Konversionsmaterial (11) für die Konversion in Infrarotstrahlung und ein zweites Konversionsmaterial (13) für die Konversion in sichtbares Licht aufweist.
  3. Bauelement (2) nach Anspruch 2, wobei die beiden Konversionsmaterialien (11, 13) als Mischung innerhalb einer Konversionsschicht (10) vorliegen.
  4. Bauelement (2) nach Anspruch 2, wobei die beiden Konversionsmaterialien (11, 13) als zwei getrennte Materialschichten (10a, 10b) vorliegen.
  5. Bauelement (2) nach einem der vorherigen Ansprüche, weiterhin umfassend ein Gehäuse (4) mit einer Kavität (6), wobei die Halbleiter-Strahlungsquelle (8) als in der Kavität angeordneter Halbleiter-Chip, insbesondere als LED-Chip, ausgebildet ist.
  6. Bauelement (2) nach Anspruch 5, wobei die Konversionseinrichtung aus einer die Kavität (6) ausfüllenden Konversionsschicht (10) besteht.
  7. Bauelement (2) nach Anspruch 6, wobei die Konversionsschicht (10) eine erste Teilschicht (10a) für die Konversion in Infrarotstrahlung und eine zweite Teilschicht (10b) für die Konversion in sichtbares Licht aufweist, und wobei: - die erste Teilschicht als ausschließlich auf dem Halbleiter-Chip (8) aufgebrachte Materialschicht verwirklicht ist und die zweite Teilschicht als den Halbleiter-Chip (8) und die erste Teilschicht umgebende Materialschicht verwirklicht ist, oder - die zweite Teilschicht (10b) als ausschließlich auf dem Halbleiter-Chip (8) aufgebrachte Materialschicht verwirklicht ist und die erste Teilschicht (10a) als den Halbleiter-Chip (8) und die zweite Teilschicht (10b) umgebende Materialschicht verwirklicht ist.
  8. Bauelement (2) nach Anspruch 5, wobei die Konversionseinrichtung (10) als ausschließlich auf dem Halbleiter-Chip (8) aufgebrachte Konversionsschicht verwirklicht ist.
  9. Bauelement (2) nach Anspruch 8, wobei die Konversionsschicht (10) und der Halbleiter-Chip (8) von einer nicht konvertierenden Gussmasse (18) umgeben sind.
  10. Bauelement (2) nach Anspruch 1, weiterhin umfassend ein Gehäuse (4) mit zwei Kavitäten (6, 9), wobei die Halbleiter-Strahlungsquelle (8) als zwei Halbleiter-Chips (8a, 8b), insbesondere als LED-Chips, ausgebildet ist, und wobei der eine Halbleiter-Chip (8a) in der einen Kavität (6) und der andere Halbleiter-Chip (8b) in der anderen Kavität (9) angeordnet ist.
  11. Bauelement (2) nach Anspruch 10, wobei die Konversionseinrichtung (10) aus zwei getrennten Konversionsschichten (10a, 10b) besteht, wobei die eine Konversionsschicht (10a) in der einen Kavität (9) und die andere Konversionsschicht (10b) in der anderen Kavität (6) angeordnet ist.
  12. Bauelement (2) nach Anspruch 11, wobei die eine Konversionsschicht (10a) zur Konversion in Infrarotstrahlung dient und die andere Konversionsschicht (10b) zur Konversion in sichtbares Licht.
  13. Bauelement (2) nach Anspruch 11 oder 12, wobei jede Konversionsschicht (10a, 10b) entweder die jeweilige Kavität (6, 9) ausfüllt oder ausschließlich auf dem in der jeweiligen Kavität angeordneten Halbleiter-Chip (8a, 8b) aufgebracht ist.
  14. Bauelement (2) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Konversionseinrichtung (10) im Betrieb des Bauelements den zweiten Teil der emittierten Primärstrahlung in weißes Licht konvertiert.
  15. Mobiles Endgerät, insbesondere Mobiltelefon, mit einem Bauelement (2) nach einem der vorherigen Ansprüche.
  16. Mobiles Endgerät nach Anspruch 15 in Kombination mit Anspruch 14, mit einer integrierten Kamera zur Aufnahme von Bildern, wobei das vom Bauelement (2) erzeugte weiße Licht (WL) als Blitzlicht für die Bildaufnahme dient, und wobei das Bauelement und die Kamera gemeinsam ein Infrarot-Spektrometer bilden, derart, dass das Bauelement (2) als Infrarotquelle fungiert und die Kamera als Infrarotdetektor.
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