CN111699419B - 光学部件及照明装置 - Google Patents
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Abstract
光学部件(51)对来自光源(90)的光(91)的波长进行转换。光学部件(51)具有第一基板(11)及第二基板(21)。第一基板(11)包括荧光体基板(61)。第二基板(21)对第一基板(11)进行支撑。第二基板(21)包括隔着第一基板(11)而接受来自光源(90)的光(91)的透光性基板(71)。透光性基板(71)通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性。
Description
技术领域
本发明涉及光学部件及照明装置，特别涉及具有荧光体基板的光学部件和具有该光学部件的照明装置。
背景技术
国际公开第2011/141377号(专利文献1)中公开一种车辆用头灯模块，其具有对荧光体进行支撑的支撑体、以及朝向荧光体进行电磁放射的放射源。作为支撑体，可例示多晶氧化铝陶瓷或蓝宝石。这些材料均具有高耐热性和高热传导性，就这一点而言，适合在容易发生温度上升及温度分布不均的照明装置、即头灯中应用。作为荧光体，可例示掺杂有铈(Ce)的钇铝石榴石(YAG)。作为放射源，可例示蓝色发光激光器。蓝色激光穿过黄色荧光体，利用其互补色而转换为白色光。由此，头灯模块能够放射出白色光。
日本特开2016－119361号公报(专利文献2)中公开一种具有作为波长转换部件的荧光体的发光装置。作为荧光体，可以使用分散于粘合剂中的粉末形态的荧光体。另外，记载有：作为替代方案，可以使用单一的单晶或单一的多晶，在这种情况下，得到了排除因荧光体与粘合剂之间的折射率之差而在两者的界面处发生光散射的效果。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/141377号
专利文献2：日本特开2016－119361号公报
发明内容
在发光装置(照明装置)中，有时希望光适度地散射。例如，在作为光源使用了蓝色激光器的头灯的情况下，如果光的散射过小，则并非是白色光而是带有蓝色的光沿着未散射的蓝色激光的行进方向强烈地放射。因此，来自头灯的照明光具有强烈的颜色不均。另一方面，如果光的散射过大，则光的衰减增大，因此，照明光的输出功率降低。
根据荧光体是分散于粘合剂中的荧光体、还是多晶的荧光体、或者是单晶的荧光体，光散射的程度有所不同。具体而言，在分散于粘合剂中的荧光体的情况下，光散射的程度较大；在多晶荧光体的情况下，光散射的程度为中等程度；在单晶荧光体的情况下，光散射的程度较小。可以任意选择这3种类型的荧光体，没有限定。例如，对于分散于粘合剂中的荧光体，在高温下，内部量子效率容易降低，特别是粘合剂为有机物的情况下，粘合剂容易劣化。在照明装置为像头灯或投影机用光源那样高亮度的装置的情况下，温度容易上升，因此，分散于粘合剂中的荧光体有时因上述理由而不适合使用。另一方面，在单晶荧光体的情况下，即便在300℃左右的高温下也较少发生内部量子效率降低。因此，对将单晶荧光体应用于高亮度用途进行了研究。然而，单晶荧光体通常利用提拉法来制作，因此，存在如下缺点，即，难以制作大型晶体，另外，在晶体的上下方向，添加活性剂的浓度不同。另一方面，陶瓷等多晶容易大型化，也不易产生添加活性剂的浓度差。另外，最近还提出与单晶荧光体的温度特性及透过特性相比毫不逊色的多晶荧光体。荧光体的类型需要考虑上述状况进行选择，很难通过选择荧光体的类型来调整光的散射程度。
在光不仅穿过荧光体也穿过其支撑体的情况下，不仅在荧光体中发生光的散射，而且在机械地保持该荧光体的支撑体中也发生光的散射。由此，即便无法充分调整荧光体中的光的散射程度，如果能够充分调整支撑体中的光的散射程度，那么也能够整体上优化光的散射程度。然而，现有技术中，支撑体的选择通常限于使光大幅散射的多晶、以及几乎不会使光发生散射的单晶这2种。在前者的情况下，由于光的衰减增大，所以照明光的输出功率降低。在后者的情况下，从光源出发没有经过波长转换就直线传播而来的光保持着高指向性，因此，颜色不均变得强烈。由此，很难得到同时具有高输出功率和较少的颜色不均的照明光。
本发明是为了解决如上所述的课题而实施的，一个目的在于，提供一种光学部件，该光学部件用于得到能够生成具有高输出功率和较少的颜色不均的照明光的照明装置。另外，另一个目的在于，提供能够生成具有高输出功率和较少的颜色不均的照明光的照明装置。
本发明的光学部件对来自光源的光的波长进行转换。光学部件具有第一基板及第二基板。第一基板包括荧光体基板。第二基板对第一基板进行支撑。第二基板包括隔着第一基板而接受来自光源的光的透光性基板。透光性基板通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性。
本发明的照明装置具有光源及光学部件。光学部件对来自光源的光的波长进行转换。光学部件具有第一基板及第二基板。第一基板包括荧光体基板。第二基板对第一基板进行支撑。第二基板包括隔着第一基板而接受来自光源的光的透光性基板。透光性基板通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性。
应予说明，本说明书中“荧光体”的含义不仅包括狭义的荧光体，还包括磷光体或闪烁体。
发明效果
根据本发明，来自荧光体基板的光穿过透光性基板。该透光性基板具有伴有取向性的多晶结构，从而具有折射率的晶体各向异性。由此，能够使从荧光体基板直线传播而来的光不发生过度吸收地适度散射。据此，能够生成具有高输出功率和较少的颜色不均的照明光。
本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图而更加明白。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式1中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图2是示意性地表示本发明的实施方式1的变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图3是示意性地表示本发明的实施方式2中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图4是示意性地表示本发明的实施方式2的变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图5是示意性地表示本发明的实施方式3中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图6是示意性地表示本发明的实施方式3的第一变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图7是示意性地表示本发明的实施方式3的第二变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图8是示意性地表示本发明的实施方式3的第三变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图9是示意性地表示本发明的实施方式4中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图10是示意性地表示本发明的实施方式4的第一变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图11是示意性地表示本发明的实施方式4的第二变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图12是示意性地表示本发明的实施方式4的第三变形例中的、具有光学部件的照明装置的构成的截面图。
图13是示意性地表示本发明的实施方式5中的光学部件的构成的截面图。
图14是图13的局部放大图，且是示意性地表示第一基板与第二基板的分界附近的局部截面图。
图15是示意性地表示图13的光学部件的制造方法的第一工序的截面图。
图16是示意性地表示图13的光学部件的制造方法的第二工序的截面图。
图17是示意性地表示图13的光学部件的制造方法的第三工序的截面图。
图18是示意性地表示图13的光学部件的制造方法的第四工序的截面图。
图19是以与图14同样的视野示意性地表示本发明的实施方式5的第一变形例中的光学部件的构成的局部截面图。
图20是以与图14同样的视野示意性地表示本发明的实施方式5的第二变形例中的光学部件的构成的局部截面图。
具体实施方式
以下，基于附图，对本发明的实施方式进行说明。应予说明，在以下的附图中，对相同或相当的部分标记相同的参照编号，不反复进行其说明。
＜实施方式1＞
(构成)
图1是示意性地表示本实施方式1中的、具有光学部件51的照明装置101的构成的截面图。应予说明，照明装置101的俯视下的形状没有特别限定，例如为多边形或圆。作为多边形，典型地使用四边形，例如使用正方形。
照明装置101具有光源90及光学部件51。光学部件51为对来自光源90的激发光91的波长进行转换的部件、即波长转换部件。由光源90生成的激发光91穿过光学部件51，由此转换为照明光92。例如，激发光91为蓝色光或紫外光，照明光92为白色光(作为激发光91的透过光的蓝色光与作为通过荧光体进行了波长转换的转换光的黄色光的合成光)。
光源90生成具有鲜明的指向性的光，典型地包括激光器。光源90为例如生成蓝色光或紫外光的半导体激光器。
光学部件51具有第一基板11、以及对第一基板11进行支撑的第二基板21。照明光92是激发光91依次穿过第一基板11及第二基板21而生成的。第一基板11包括荧光体基板61，本实施方式中，第一基板11为荧光体基板61。第二基板21包括透光性基板71，本实施方式中，第二基板21为透光性基板71。透光性基板71隔着第一基板11而接受来自光源90的激发光91。
荧光体基板61具有：入射面S11、与入射面S11相反的出射面S12、以及将入射面S11和出射面S12彼此连结的侧面S13。侧面S13相对于入射面S11具有角度AG1。本实施方式中，角度AG1没有特别限定，可以为垂直(即约90°)。另外，侧面S13可以像图示那样暴露出来。入射面S11接受来自光源90的激发光91。出射面S12向透光性基板71放射光。另外，荧光体基板61的入射面S11暴露出来，可以像图示那样暴露出来。
透光性基板71具有：入射面S21、与入射面S21相反的出射面S22、以及将入射面S21和出射面S22彼此连结的侧面S23。侧面S23相对于入射面S21具有角度AG2。本实施方式中，角度AG2没有特别限定，可以为垂直(即约90°)。另外，侧面S23可以像图示那样暴露出来。入射面S21隔着第一基板11而接受来自光源90的光。本实施方式中，透光性基板71的入射面S21与荧光体基板61的出射面S12接合。该接合可以使用例如所谓的直接键合法的技术来进行。出射面S22放射照明光92。
透光性基板71为陶瓷(烧结体)。透光性基板71通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性。取向方向优选沿着透光性基板71的厚度方向(图中为纵向)。换言之，取向方向优选沿着第一基板11与第二基板21的层叠方向。折射率的晶体各向异性优选为0.3％以上，为了充分提高使光散射的效果而可以为1％以上。此处，晶体各向异性通过依赖于方位的最大折射率与最小折射率之差相对于该最大折射率的百分比来表示。透光性基板71优选包含氮化铝或氧化铝(Alumina：Al2O3)中的任一者，由此能够容易地确保上述晶体各向异性。晶体的取向轴典型的为晶体学中的c轴。透光性基板71的成分中，主成分(例如、氮化铝或氧化铝)所占据的比例优选为99％以上，更优选为99.99％以上。作为参考，将氮化铝及氧化铝(蓝宝石)的、晶轴与波长600nm处的折射率之间的关系示于以下的表中。
[表1]
透光性基板71的多晶结构具有10％以上99.5％以下的取向度。取向度优选为10％以上99％以下，典型的为30％以上85％以下。可以通过调整透光性基板71的制造条件来控制透光性基板71的取向度。通过调整取向度，能够控制透光性基板71的直线透过率。透光性基板71的直线透过率优选在入射面S21与出射面S22之间为99.5％以下，具体地可以根据照明装置101的用途而调整为所期望的值。将使用厚度0.22mm的氮化铝基板通过实验得到的、取向度与直线透过率之间的关系示于以下的表中。
[表2]
如上表所示，直线透过率受到入射面S21与出射面S22之间的菲涅耳反射的影响，还依赖于透光性基板71的光的吸收率。吸收率优选在入射面S21与出射面S22之间为30％以下。优选为，透光性基板71具有99.1％以上的相对密度。优选为，透光性基板71中包含的过渡金属的量为200ppm以下。
荧光体基板61优选具有多晶结构。荧光体基板61优选实质上不含玻璃或树脂等粘合剂，以防止转换效率因温度上升而劣化。即，荧光体基板61优选是通过多晶结构本身连续地设置而构成的，典型的为陶瓷，而不是大量荧光体粒子通过粘合剂粘合而构成的。荧光体基板61由例如掺杂有Ce等添加活性剂的YAG制作而成。
将荧光体基板61和透光性基板71进行比较，透光性基板71的折射率优选高于荧光体基板61的折射率。另外，透光性基板71的线膨胀系数优选为荧光体基板61的线膨胀系数的±50％以内。另外，透光性基板71的热传导率优选高于荧光体基板61的热传导率。具体而言，透光性基板71的热传导率优选为30W/mK以上，从充分提高散热性的观点考虑，更优选为100W/mK以上。
(效果)
根据本实施方式，来自荧光体基板61的光穿过透光性基板71。该透光性基板71通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性。由此，能够使从荧光体基板61直线传播而来的光不发生过度吸收地适度散射。由此，能够生成具有高输出功率和较少的颜色不均的照明光92。
在光源90为激光器的情况下，由于激发光91具有强烈的指向性，所以容易在荧光体基板61中直线传播。因此，更显著地获得上述的效果。
透光性基板71包含氮化铝及氧化铝中的任一者。由此，能够容易地得到明显具有折射率的晶体各向异性的多晶结构。
在透光性基板71的多晶结构具有10％以上99.5％以下的取向度的情况下，可避免透光性基板71的直线透过率过大或过小。另外，在取向度为99.5％以下的情况下，能够在透光性基板71中发生明显的光散射。在透光性基板71的折射率高于荧光体基板61的折射率的情况下，光不易从透光性基板71的侧面S23泄漏。在入射面S21与出射面S22之间的透光性基板71的吸收率为30％以下的情况下，可避免光在透光性基板71中被过度吸收。
照明光92在穿过荧光体基板61之后从透光性基板71放射出来。由此，通过对透光性基板71进行设计，能够容易地控制照明光92的指向性。具体而言，通过对侧面S23进行设计，能够控制照明光92的指向性。
通过将第一基板11和第二基板21彼此连结，能够促进荧光体基板61内因波长转换而产生的热排出。由此，能够抑制因温度上升而导致荧光体基板61的性能劣化。在透光性基板71的热传导率高于荧光体基板61的热传导率的情况下，该效果进一步提高。从提高透光性基板71的热传导率的观点考虑，优选取向度较高，例如可以为90％以上。
另外，通过将第一基板11和第二基板21彼此连结，与第一基板11和第二基板21隔着空间而彼此分离的情况相比，能够减小照明装置101的尺寸。另外，由于第一基板11与第二基板21之间的界面数变少，所以能够抑制由界面反射引起的传播损失。
在透光性基板71的线膨胀系数为荧光体基板61的线膨胀系数的±50％以内的情况下，能够防止因热膨胀的差异而导致荧光体基板61发生开裂。特别是，例如像荧光体基板61的厚度为100μm左右以下且透光性基板71的厚度为1mm以上那样两者的厚度差异较大的情况下，得到显著的效果。
在荧光体基板61具有多晶结构的情况下，与荧光体为单晶的情况及荧光体分散于粘合剂中的情况相比，将光中等程度地散射。在这种情况下，可以要求透光性基板71将光中等程度地散射，以便通过荧光体基板61及透光性基板71的整体将光适度地散射。根据本实施方式，透光性基板71具有伴有取向性的多晶结构。由此，与单晶结构的情况及无取向多晶结构的情况相比，透光性基板71能够将光中等程度地散射。
应予说明，荧光体基板61并不限定于具有多晶结构。无论荧光体基板61的构成如何，都可以获得通过调整透光性基板71的多晶结构具有的取向性来调整光的散射程度的效果。由此，作为变形例，荧光体基板61可以具有单晶结构。在这种情况下，通过减小透光性基板71的取向度，能够使得光的散射不会出现不充足的情况。作为其他变形例，荧光体基板61可以是分散于粘合剂中而得到的基板。在这种情况下，通过减小透光性基板71的取向度，能够使得光的散射不会过剩。
在角度AG2为垂直的情况下，光学部件51的制造方法得到简化。在荧光体基板61的入射面S11暴露出来的情况下，与在入射面S11上设置有任意部件的情况相比，照明装置的构成得到简化。
(取向度的测定方法)
可以通过采用了X射线衍射的Lotgering法来测定取向度。通过将透光性基板71的大致水平的截面(与厚度方向大致垂直的截面)研磨得较为平滑，得到测定试样。对该研磨后的面照射X射线，由此取得X射线衍射图谱。以下，对透光性基板71由氧化铝制成的情况进行详细说明。
当将入射X射线方向与衍射X射线方向所成的角度设为2θ、且作为X射线使用CuKα射线时，在例如2θ＝20°～70°的范围内取得X射线衍射图谱。从该图谱中读取与(hkl)面分别对应的强度IS(hkl)的数据。根据该数据，如下计算出c面取向度。
[数1]
上式中的强度比P0及强度比P通过以下的式子来计算。
[数2]
[数3]
强度比P是测定试样的、与c面相对应的(006)面的强度IS(006)以测定范围内的全部(hkl)的强度IS(hkl)之和进行标准化得到的值。强度比P0是无取向氧化铝的、与c面相对应的(006)面的强度I0(006)以测定范围内的全部(hkl)的强度I0(hkl)之和进行标准化得到的值。强度比P0可以根据作为无取向氧化铝的标准α－氧化铝的JCPDS(Joint Committeeon Powder Diffraction Standards：粉末衍射标准联合委员会)card的No.46－1212进行计算。应予说明，作为X射线衍射装置，例如可以使用株式会社理学制“RINT－TTR III”，作为X射线源的设定条件，例如可以使用电压50kV及电流300mA的条件。
应予说明，关于氧化铝以外的材料、例如氮化铝，也可以通过与上述类似的方法来测定取向度。
(取向度的调整方法)
关于取向度的调整方法，以氧化铝的情形为例进行说明。通常的多晶氧化铝不具有取向性，实质上具有0％的取向度。另一方面，被有意地赋予了取向性的多晶氧化铝的取向度可以控制为1％左右至接近100％。为了得到取向性，例如采用使用包含板状氧化铝粒子的原材料的模板晶粒生长(Templated Grain Growth：TGG)法。通过调整原材料中的、板状氧化铝粒子与非板状的通常的氧化铝粒子之间的配合比，能够任意地调整取向度。应予说明，为了同时具有高取向度和致密性，板状氧化铝粒子的粒径优选为1.5μm左右以上20μm左右以下。
(变形例)
图2是示意性地表示本实施方式1的变形例中的、具有光学部件51A的照明装置101A的构成的截面图。光学部件51A具有第三基板31。第三基板31对第一基板11进行支撑。第一基板11配置于第二基板21与第三基板31之间。第三基板31包括基板81，图中为基板81。基板81的材料可以与透光性基板71的材料相同。
基板81具有：入射面S31、与入射面S31相反的出射面S32、以及将入射面S31和出射面S32彼此连结的侧面S33。侧面S33相对于入射面S31具有角度AG3。本实施方式中，角度AG3没有特别限定，可以为垂直(即约90°)。另外，侧面S33可以像图示那样暴露出来。入射面S31接受来自光源90的激发光91。出射面S32向荧光体基板61放射光。本实施方式中，基板81的出射面S32与荧光体基板61的入射面S11接合。该接合可以使用例如所谓的直接键合法的技术来进行。
根据本变形例，对第一基板11更可靠地进行支撑。由此，可以缓和针对第二基板21的作为支撑部件的设计要求。由此，提高第二基板21的设计自由度。据此，能够更容易地优化照明光92的特性。
另外，第三基板31促进荧光体基板61从入射面S11排热。由此，能够进一步抑制荧光体基板61的温度上升。
＜实施方式2＞
图3是示意性地表示本实施方式2中的、具有光学部件52的照明装置102的构成的截面图。光学部件52中，透光性基板71的侧面S23被涂覆。关于该侧面涂覆，以下更具体地说明。
光学部件52具有电介质膜41。电介质膜41设置于透光性基板71的侧面S23上。电介质膜41具有比透光性基板71的折射率低的折射率。在透光性基板71包含氮化铝的情况下，电介质膜41包含例如氧化硅或氧化铝。在透光性基板71包含氧化铝的情况下，电介质膜41包含例如氧化硅。
光学部件具有反射膜42。反射膜42直接或间接地设置于透光性基板71的侧面S23上，在图示的例子中，隔着电介质膜41而间接地设置。反射膜典型地包含金属。
应予说明，可以省略电介质膜41及反射膜42中的任一者。另外，上述的涂层不仅可以设置于透光性基板的侧面S23，还可以设置于荧光体基板61的侧面S13上。
根据本实施方式，透光性基板71的侧面S23如上所述被涂覆。由此，可抑制光从透光性基板71的侧面S23泄漏。另外，在荧光体基板61的侧面S13被涂覆的情况下，可抑制光从荧光体基板61的侧面S13泄漏。在涂层包括包含具有高导电性的材料、特别是金属的膜的情况下，可促进热从荧光体基板61的侧面S13排出。由此，能够进一步抑制荧光体基板61的温度上升。
图4是示意性地表示本实施方式2的变形例中的、具有光学部件52A的照明装置102A的构成的截面图。光学部件52A与实施方式1的变形例(图2)同样地具有包括基板81的第三基板31。由此，得到与实施方式1的变形例同样的效果。应予说明，在基板81的侧面S33上也可以设置有上述的涂层。由此，可抑制光从基板81的侧面S33泄漏。
＜实施方式3＞
图5是示意性地表示本实施方式3中的、具有光学部件53的照明装置103的构成的截面图。光学部件53具有第二基板22，以此代替第二基板21(图1：实施方式1)。第二基板22具有透光性基板72，以此代替透光性基板71(图1：实施方式1)。关于透光性基板72，出射面S22的面积与入射面S21的面积不同。具体而言，出射面S22的面积小于入射面S21的面积。侧面S23的至少一部分相对于入射面S21具有比垂直角度小的角度AG2。换言之，满足0°＜AG2＜90°。优选为AG2≥45°。
应予说明，第二基板22及透光性基板72的上述以外的构成与实施方式1中说明的第二基板21及透光性基板71相同。根据本实施方式，通过使用透光性基板72，与使用透光性基板71的情况相比，能够使照明光92会聚。
图6是示意性地表示本实施方式3的第一变形例中的、具有光学部件53A的照明装置103A的构成的截面图。光学部件53A与图2中示出的实施方式1的变形例同样地具有包括基板81的第三基板31。由此，得到与实施方式1的变形例同样的效果。
图7是示意性地表示本实施方式3的第二变形例中的、具有光学部件53B的照明装置103B的构成的截面图。光学部件53B具有第一基板12，以此代替第一基板11(图5)。第一基板12具有荧光体基板62，以此代替荧光体基板61(图5)。关于荧光体基板62，出射面S12的面积与入射面S11的面积不同。具体而言，出射面S12的面积小于入射面S11的面积。侧面S13的至少一部分相对于入射面S11具有比垂直角度小的角度AG1。换言之，满足0°＜AG1＜90°。优选为AG1≥45°。角度AG1可以与角度AG2相同，由此加工变得容易。应予说明，第一基板12及荧光体基板62的上述以外的构成与实施方式1中说明的第一基板11及荧光体基板61相同。
图8是示意性地表示本实施方式3的第三变形例中的、具有光学部件53C的照明装置103C的构成的截面图。光学部件53C具有第三基板32，以此代替第三基板31(图6)。第三基板32具有基板82，以此代替基板81(图6)。关于基板82，出射面S32的面积与入射面S31的面积不同。具体而言，出射面S32的面积小于入射面S31的面积。侧面S33的至少一部分相对于入射面S31具有比垂直角度小的角度AG3。换言之，满足0°＜AG3＜90°。优选为AG3≥45°。角度AG3可以与角度AG1相同，由此加工变得容易。应予说明，第三基板32及基板82的上述以外的构成与实施方式1中说明的第三基板31及基板81相同。
应予说明，针对本实施方式3或其变形例，可以应用实施方式2或其变形例中说明的涂覆。本实施方式3或其变形例与实施方式1或其变形例相比，光容易从侧面泄漏。因此，由涂覆带来的效果能够变得更加显著。
＜实施方式4＞
图9是示意性地表示本实施方式4中的、具有光学部件54的照明装置104的构成的截面图。光学部件54具有第二基板23，以此代替第二基板21(图1：实施方式1)。第二基板23具有透光性基板73，以此代替透光性基板71(图1：实施方式1)。关于透光性基板73，出射面S22的面积与入射面S21的面积不同。具体而言，出射面S22的面积大于入射面S21的面积。侧面S23的至少一部分相对于入射面S21具有比垂直角度大的角度AG2。换言之，满足90°＜AG2＜180°。应予说明，第二基板23及透光性基板73的上述以外的构成与实施方式1中说明的第二基板21及透光性基板71相同。
根据本实施方式，使用透光性基板73代替透光性基板71。由此，可抑制光从透光性基板73的侧面S23泄漏。另外，能够使照明光92更加扩散。
图10是示意性地表示本实施方式4的第一变形例中的、具有光学部件54A的照明装置104A的构成的截面图。光学部件54A与图2中示出的实施方式1的变形例同样地具有包括基板81的第三基板31。由此，得到与实施方式1的变形例同样的效果。
图11是示意性地表示本实施方式4的第二变形例中的、具有光学部件54B的照明装置104B的构成的截面图。光学部件54B具有第一基板13，以此代替第一基板11(图9)。第一基板13具有荧光体基板63，以此代替荧光体基板61(图9)。关于荧光体基板63，出射面S12的面积与入射面S11的面积不同。具体而言，出射面S12的面积大于入射面S11的面积。侧面S13的至少一部分相对于入射面S11具有比垂直角度大的角度AG1。换言之，满足90°＜AG1＜180°。角度AG1可以与角度AG2相同，由此加工变得容易。应予说明，第一基板13及荧光体基板63的上述以外的构成与实施方式1中说明的第一基板11及荧光体基板61相同。根据本变形例，可抑制光从荧光体基板63的侧面S13泄漏。
图12是示意性地表示本实施方式4的第三变形例中的、具有光学部件54C的照明装置104C的构成的截面图。光学部件54C具有第三基板33，以此代替第三基板31(图10)。第三基板33具有基板83，以此代替基板81(图10)。关于基板83，出射面S32的面积与入射面S31的面积不同。具体而言，出射面S32的面积大于入射面S31的面积。侧面S33的至少一部分相对于入射面S31具有比垂直角度大的角度AG3。换言之，满足90°＜AG3＜180°。角度AG3可以与角度AG1相同，由此加工变得容易。应予说明，第三基板33及基板83的上述以外的构成与实施方式1中说明的第三基板31及基板81相同。根据本变形例，可抑制光从基板83的侧面S33泄漏。
应予说明，针对本实施方式4或其变形例，可以应用实施方式2或其变形例中说明的涂覆。由此，可进一步抑制光从侧面泄漏。
＜实施方式5＞
(构成)
图13是示意性地表示本实施方式5中的光学部件55的构成的截面图。光学部件55具有第一基板15，以此代替第一基板11(图1：实施方式1)。光学部件55具有第二基板25，以此代替第二基板21(图1：实施方式1)。第一基板15除了具有实施方式1中说明的荧光体基板61，还具有第一中间层46。第一中间层46面对第二基板25。第一中间层46具有透光性，优选为实质上透明。第二基板25除了具有实施方式1中说明的透光性基板71，还具有第二中间层47。第二中间层47面对第一基板15。第二中间层47具有透光性，优选为实质上透明。
第一中间层46包含与荧光体基板61的材料不同的材料。第一中间层46的材料优选为氧化物，例如为氧化铝或五氧化钽(Ta2O5)。第二中间层47包含与透光性基板71的材料不同的材料。第二中间层47的材料优选为氧化物，例如为氧化铝或五氧化钽(Ta2O5)。优选第一中间层46的材料和第二中间层47的材料相同。
优选为，第一中间层46的热传导率高于荧光体基板61的热传导率。优选为，第二中间层47的热传导率高于透光性基板71的热传导率。优选为，第一中间层46的厚度为1μm以下。优选为，第二中间层47的厚度为1μm以下。
图14是图13的局部放大图，其是示意性地表示第一基板15与第二基板25的分界附近的局部截面图。利用电子显微镜等进行微观观察，光学部件55在第一基板15与第二基板25之间具有接合层30。接合层30的厚度非常小，由此，接合层30几乎不妨碍透过该接合层30的光的行进。接合层30的厚度优选为1nm左右以上100nm左右以下，更优选为1nm以上10nm以下。
如果考虑原子水平下的存在而进行微观观察，则可以说第一基板15不是直接支撑于第二基板25，而是隔着接合层30间接地支撑于第二基板25。另一方面，如上所述，接合层30非常薄，因此，如果进行宏观观察，则可以说第一基板15直接支撑于第二基板25。
接合层30为通过第一基板15与第二基板25之间的直接键合法形成的界面层。由于在直接键合时发生原子的扩散，所以，接合层30包含：第一基板15的面对第二基板25的面中包含的至少1种元素、以及第二基板25的面对第一基板15的面中包含的至少1种元素。本实施方式中，接合层30包含：第一中间层46中包含的至少1种元素、以及第二中间层47中包含的至少1种元素。
应予说明，上述以外的构成与上述的实施方式1～4的构成基本相同，因此，对相同或对应的要素标记相同的符号，不反复进行其说明。
(制造方法)
图15～图18分别是示意性地表示光学部件55的制造方法的第一～第四工序的截面图。
参照图15，在荧光体基板61上形成第一中间层46，由此形成第一基板15。另外，在透光性基板71上形成第二中间层47，由此形成第二基板25。将第一基板15及第二基板25向真空室840中输送。从粒子束生成装置841分别向第一基板15的第一中间层46的表面和第二基板25的第二中间层47的表面照射粒子束842。由此，两个表面成为适合于直接键合法的表面。例如，粒子束生成装置841为离子枪，粒子束842为离子束。离子束典型的为氩(Ar)离子束。应予说明，可以照射等离子体来代替粒子束。
参照图16，使上述1对表面彼此接触。然后，通过载荷844对第一基板15和第二基板25进行按压。由此，第一基板15和第二基板25通过直接键合法而彼此接合。接合时的温度可以为常温，也可以为比常温高的温度。如果使用高温、特别是800℃左右以上的温度，则特别明显地促进物质的扩散。因此，与常温的情况相比，并不严格要求待接合的表面的平滑性。因此，如果容许高接合温度，则通过使用该高接合温度，能够降低成本，并提高成品率。
参照图17，可以根据需要，通过研磨846而减少荧光体基板61的厚度。参照图18，从通过前述的接合而得到的第一基板15及第二基板25的层叠体中，沿着切割线848，切出1个以上的光学部件55。由此，得到光学部件55。
(效果)
根据本实施方式，得到与前述的实施方式1～4基本相同的效果。此外，得到以下的效果。
通过设置第一中间层46，能够使第一基板15的面对第二基板25的面的材料成为适合于接合的材料。由此，接合变得容易，特别是，作为材料的组合非常重要的接合的、直接键合变得容易。第一中间层46的材料可以与第二基板25的面对第一基板15的面的材料相同，在这种情况下，直接键合变得更容易。
通过设置第二中间层47，能够使第二基板25的面对第一基板15的面的材料成为适合于接合的材料。由此，接合变得容易，特别是，作为材料的组合非常重要的接合的、直接键合变得容易。第二中间层47的材料可以与第一基板15的面对第二基板25的面的材料相同，在这种情况下，直接键合变得更容易。
(变形例)
图19是以与图14同样的视野示意性地表示本实施方式5的第一变形例中的光学部件55A的构成的局部截面图。光学部件55A是在没有形成第二中间层47(图14)的情况下进行上述制造方法得到的。本变形例在第一中间层46的材料和透光性基板71的材料相同(例如氧化铝)的情况下特别理想。
图20是以与图14同样的视野示意性地表示本实施方式5的第二变形例中的光学部件55B的构成的局部截面图。光学部件55B是在没有形成第一中间层46及第二中间层47(图14)的情况下进行上述制造方法得到的。
实施例
以下，首先，对实施例1～7及比较例1～5各自的光学部件的制造条件进行说明，接着，将它们的评价结果汇总于表中进行说明。
(实施例1～4的制造条件)
如下制造宏观观察与图5(实施方式3)相对应的实施例1～4的光学部件。
作为荧光体基板，准备出掺杂有Ce原子的厚度0.3mm的多晶YAG陶瓷基板(神岛化学工业株式会社制)。通过溅射法，将厚度0.5μm的氧化铝层成膜于该基板上，作为第一中间层。将该氧化铝层通过化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)研磨成表面粗糙度Ra0.1nm。利用以上操作，形成第一基板。
作为透光性基板，准备出厚度1mm的、具有取向性的多晶氮化铝基板。实施例1～4中，多晶结构的取向度分别为30％、50％、70％、及85％。通过溅射法，将厚度0.5μm的氧化铝层成膜于该基板上，作为第二中间层。将该氧化铝层通过化学机械研磨(CMP：ChemicalMechanical Polishing)研磨成表面粗糙度Ra0.1nm。利用以上操作，形成第二基板。
接下来，将第一基板的氧化铝层和第二基板的氧化铝层利用直接键合法彼此接合。具体而言，首先，向两个氧化铝层的表面照射氩离子束。接下来，在真空中、常温下，使它们彼此接触，然后，施加载荷。即，进行直接键合。根据显微镜观察，在接合面没有看到气泡。
接下来，使用切割装置，以3mm见方的尺寸切出光学部件。进而，利用具有宽度100μm及#800的刀片的切割装置，仅针对氮化铝基板实施使切入深度逐渐变化的多阶段的槽加工。由此，形成与角度AG2(图5)＝63°相当的锥形。此时，氮化铝基板的出射面的尺寸为2mm×2mm。得到的光学部件没有看到缺口和裂纹。
(比较例1的制造条件)
作为透光性基板，准备出不具有取向性的多晶氮化铝基板。该基板是通过常压下的烧结而制造的，其直线透过率为1％。使用该透光性基板，并且，其他条件与上述实施例1～4相同，制造比较例1的光学部件。
(比较例2的制造条件)
作为透光性基板，准备出具有单晶结构的蓝宝石基板。使用该透光性基板，并且，其他条件与上述实施例1～4相同，制造比较例2的光学部件。
(比较例3的制造条件)
制造不具有透光性基板的光学部件作为比较例3的光学部件。具体而言，以3mm见方对与实施例1～4相同的荧光体基板进行切断。
(实施例5的制造条件)
使用与上述实施例4同样的条件，进行切割前的工序。接下来，通过涂布抗蚀剂，对透光性基板的出射面予以保护。接下来，进行与实施例4同样的切割。接下来，作为光学部件的侧面上的涂层(电介质膜及反射膜)，通过溅射法将厚度0.5μm的氧化铝层和厚度0.5μm的铝合金膜成膜。接下来，使用有机溶剂除去抗蚀剂。利用以上操作，制造实施例5的光学部件。
(实施例6的制造条件)
使用与上述实施例4同样的条件，并且，按形成与角度AG2(图10)＝117°相当的倒锥形的方式进行切割。由此，制造实施例6的光学部件。得到的光学部件没有看到缺口和裂纹。透光性基板的出射面的尺寸为4mm×4mm，荧光体基板的尺寸为3mm×3mm。
(实施例7的制造条件)
使用与实施例6同样的条件，进行切割前的工序。接下来，通过涂布抗蚀剂，对透光性基板的出射面予以保护。接下来，进行与实施例6同样的切割。接下来，作为光学部件的侧面上的涂层(电介质膜及反射膜)，通过溅射法将厚度0.5μm的氧化铝层和厚度0.5μm的铝合金膜成膜。接下来，使用有机溶剂除去抗蚀剂。利用以上操作，制造实施例7的光学部件。
(比较例4的制造条件)
作为透光性基板，准备出不具有取向性的多晶氮化铝基板。该基板是通过常压下的烧结而制造的，其直线透过率为1％。使用该透光性基板，并且，其他条件与上述实施例6相同，制造比较例4的光学部件。
(比较例5的制造条件)
作为透光性基板，准备出具有单晶结构的蓝宝石基板。使用该透光性基板，并且，其他条件与上述实施例6相同，制造比较例5的光学部件。
(评价方法)
作为光源，准备出输出功率10W、波长450nm的GaN系蓝色激光器装置。将使用该光源生成的激发光向光学部件照射。对该光穿过光学部件得到的照明光进行其输出功率、颜色不均及尺寸的评价。
应予说明，按照日本工业标准(JIS：Japanese Industrial Standards)中的“JISC 7801”的规定，测定照明光的输出功率。具体而言，根据来自光学部件的总光通量的时间平均进行测定。使用积分球(球形光通量仪)测定总光通量。被测定光源和已知总光通量的标准光源在相同位置亮灯，通过两者的比较进行测定。
照明光的颜色不均通过使用亮度分布测定装置得到的色度图进行评价。色度图中，将测定结果在中央值x：0.3447±0.005、y：0.3553±0.005的范围内的情况判定为没有颜色不均，将除此以外的情况判定为存在颜色不均。
照明光的尺寸为宽度方向及高度方向各自的尺寸，基于照明光的光强度分布进行计算。在计算中，将光强度的峰设为Pk，将光强度为Pk/e2的位置视为照明光的外缘位置。光强度分布的测定使用OPHIR公司制的近场测定器。
(实施例1～4及比较例1～3的评价结果)
将实施例1～4及比较例1～3的评价结果汇总于以下的表中。
[表3]
实施例1～4中，均无颜色不均地得到900[lm]以上的输出功率。取向度越高，输出功率越高。比较例1的输出功率200[lm]与实施例1～4的输出功率相比明显较低。比较例2及3的照明光具有颜色不均。比较例3的输出功率900[lm]与实施例2～4的输出功率相比明显较低。
实施例1～4及比较例1、2的照明光的尺寸均为2.3mm，与透光性基板的出射面的尺寸2.0mm相比稍大。另外，比较例3的照明光的尺寸3.5mm大于实施例1～4的照明光的尺寸。换言之，实施例1～4的照明光与不具有透光性基板的比较例3的照明光相比发生了会聚。
(实施例4～7及比较例4、5的评价结果)
将实施例4～7及比较例4、5的评价结果汇总于以下的表中。应予说明，实施例4与上述的表重复示出。
[表4]
实施例4～7中，均无颜色不均地得到1000[lm]以上的输出功率。比较例4的输出功率300[lm]与实施例4～7的输出功率相比明显较低。比较例5的照明光存在颜色不均。
实施例4的照明光的尺寸2.3mm与透光性基板的出射面的尺寸2.0mm相比稍大。实施例5的照明光的尺寸2.0mm与透光性基板的出射面的尺寸2.0mm相同。实施例6及比较例4、5的照明光的尺寸4.3mm与透光性基板的出射面的尺寸4.0mm相比稍大。实施例7的照明光的尺寸4.0mm与透光性基板的出射面的尺寸4.0mm相同。
在侧面角度63°(角度AG2(图5)＝63°)的正锥形的条件下，具有侧面涂层的实施例5的照明光的输出功率1400[lm]高于不具有侧面涂层的实施例4的照明光的输出功率1200[lm]。另外，在侧面角度117°(角度AG2(图10)＝117°)的倒锥形的条件下，具有侧面涂层的实施例7的照明光的输出功率1600[lm]高于不具有侧面涂层的实施例6的照明光的输出功率1400[lm]。
在无侧面涂层的条件下，具有倒锥形的透光性基板的实施例6的输出功率1400[lm]高于具有锥形的透光性基板的实施例4的输出功率1200[lm]。另外，在有侧面涂层的条件下，具有倒锥形的透光性基板的实施例7的输出功率1600[lm]高于具有锥形的透光性基板的实施例5的输出功率1400[lm]。
在侧面角度63°的条件下，具有侧面涂层的实施例5的照明光的尺寸2.0mm小于不具有侧面涂层的实施例4的照明光的尺寸2.3mm。在侧面角度117°的条件下，具有侧面涂层的实施例7的照明光的尺寸4.0mm小于不具有侧面涂层的实施例6的照明光的尺寸4.3mm。
在无侧面涂层的条件下，具有倒锥形的透光性基板的实施例6的照明光的尺寸4.3mm大于具有锥形的透光性基板的实施例4的照明光的尺寸2.3mm。在有侧面涂层的条件下，具有倒锥形的透光性基板的实施例7的照明光的尺寸4.0mm大于具有锥形的透光性基板的实施例5的照明光的尺寸2.0mm。应予说明，具有倒锥形的透光性基板的实施例7的照明光的尺寸4.0mm大于不具有透光性基板的前述的比较例3的照明光的尺寸3.5mm。
虽然对本发明详细地进行了说明，但是，上述说明在所有方案中都是示例，本发明并不限定于此。理解为可以不偏离本发明的范围地想到未例示的无数的变形例。
符号说明
AG1、AG2、AG3 角度
S11、S21、S31 入射面
S12、S22、S32 出射面
S13、S23、S33 侧面
11～13、15 第一基板
21～23、25 第二基板
30 接合层
31～33 第三基板
41 电介质膜
42 反射膜
46 第一中间层
47 第二中间层
51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B 光学部件
61～63 荧光体基板
71～73 透光性基板
81～83 基板
90 光源
91 激发光
92 照明光
101、101A、102、102A、103、103A、103B、103C、104、104A、104B、104C 照明装置
Claims (17)
1.一种光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其对来自光源（90）的光的波长进行转换，
所述光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B）的特征在于，
具备：包括荧光体基板（61～63）的第一基板（11～13、15）、以及对所述第一基板（11～13、15）进行支撑的第二基板（21～23、25），
所述第二基板（21～23、25）包括隔着所述第一基板（11～13、15）而接受来自所述光源（90）的光（91）的透光性基板（71～73），所述透光性基板（71～73）通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性，
所述透光性基板（71～73）为陶瓷基板，
所述透光性基板（71～73）的所述多晶结构具有10％以上99.5％以下的取向度。
2.根据权利要求1所述的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其特征在于，
所述透光性基板（71～73）的折射率高于所述荧光体基板（61～63）的折射率。
3.根据权利要求1或2所述的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其特征在于，
所述透光性基板（71～73）的热传导率高于所述荧光体基板（61～63）的热传导率。
4.根据权利要求1或2所述的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其特征在于，
所述透光性基板（71～73）的线膨胀系数为所述荧光体基板（61～63）的线膨胀系数的±50％以内。
5.根据权利要求1或2所述的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其特征在于，
所述透光性基板（71～73）包含氮化铝及氧化铝中的任一种。
6.根据权利要求1或2所述的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其特征在于，
所述荧光体基板（61～63）具有多晶结构。
7.根据权利要求1或2所述的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），其特征在于，
所述透光性基板（71～73）具有：隔着所述第一基板（11～13、15）而接受来自所述光源（90）的光（91）的入射面（S21）、与所述入射面（S21）相反的出射面（S22）、以及将所述入射面（S21）和所述出射面（S22）彼此连结的侧面（S23）。
8.根据权利要求7所述的光学部件（52、52A），其特征在于，
所述光学部件（52、52A）还具备电介质膜（41），该电介质膜（41）设置于所述透光性基板（71）的所述侧面（S23）上，且具有比所述透光性基板（71）的折射率低的折射率。
9.根据权利要求7所述的光学部件（52、52A），其特征在于，
所述光学部件（52、52A）还具备反射膜（42），该反射膜（42）直接或间接地设置于所述透光性基板（71）的所述侧面（S23）上。
10.根据权利要求7所述的光学部件（53、53A～53C、54、54A～54C），其特征在于，
所述出射面（S22）的面积与所述入射面（S21）的面积不同。
11.根据权利要求7所述的光学部件（53、53A～53C），其特征在于，
所述侧面（S23）的至少一部分相对于所述入射面（S21）具有比垂直角度小的角度（AG2）。
12.根据权利要求7所述的光学部件（54、54A～54C），其特征在于，
所述侧面（S23）的至少一部分相对于所述入射面（S21）具有比垂直角度大的角度（AG2）。
13.根据权利要求1或2所述的光学部件（55、55A、55B），其特征在于，
在所述第一基板（11、15）与所述第二基板（21、25）之间还具备接合层（30），所述接合层（30）包含：所述第一基板（11、15）的面对所述第二基板（21、25）的面中包含的至少1种元素、以及所述第二基板（21、25）的面对所述第一基板（11、15）的面中包含的至少1种元素。
14.根据权利要求1或2所述的光学部件（55、55A），其特征在于，
所述第一基板（15）包括面对所述第二基板（21、25）的第一中间层（46），所述第一中间层（46）包含与所述荧光体基板（61）的材料不同的材料。
15.根据权利要求1或2所述的光学部件（55），其特征在于，
所述第二基板（25）包括面对所述第一基板（15）的第二中间层（47），所述第二中间层（47）包含与所述透光性基板（71）的材料不同的材料。
16.一种照明装置（101、101A、102、102A、103、103A、103B、103C、104、104A、104B、104C），其特征在于，
具备：光源（90）、以及对来自所述光源（90）的光（91）的波长进行转换的光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B），
所述光学部件（51、51A、52、52A、53、53A～53C、54、54A～54C、55、55A、55B）具备：包括荧光体基板（61～63）的第一基板（11～13、15）、以及对所述第一基板（11～13、15）进行支撑的第二基板（21～23、25），
所述第二基板（21～23、25）包括隔着所述第一基板（11～13、15）而接受来自所述光源（90）的光（91）的透光性基板（71～73），所述透光性基板（71～73）通过具有伴有取向性的多晶结构而具有折射率的晶体各向异性，
所述透光性基板（71～73）为陶瓷基板，
所述透光性基板（71～73）的所述多晶结构具有10％以上99.5％以下的取向度。
17.根据权利要求16所述的照明装置（101、101A、102、102A、103、103A、103B、103C、104、104A、104B、104C），其特征在于，
所述光源（90）包括激光器。
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| JP2021152615A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | スタンレー電気株式会社 | 光学装置 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010094775A (ko) * | 2000-04-04 | 2001-11-03 | 김영진 | 평판 표시장치의 박막 형광체 패널 |
| US6614501B1 (en) * | 1999-11-29 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroconductive device having supercooled liquid crystal layer |
| JP2005150504A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | 発光体及びその製造方法 |
| CN1723176A (zh) * | 2003-09-19 | 2006-01-18 | 日本碍子株式会社 | 氧化锌－氧化铝－二氧化硅基晶化玻璃及使用其的反射体基材 |
| WO2008146562A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 透光性セラミックの製造方法 |
| EP2120072A1 (en) * | 2007-02-16 | 2009-11-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | Retardation substrate, method for production thereof, and liquid crystal display device |
| CN101684035A (zh) * | 2008-09-26 | 2010-03-31 | Tdk株式会社 | 玻璃陶瓷基板 |
| JP2010234617A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Plastics Inc | 光学用二軸配向ポリエステルフィルム |
| WO2012040046A1 (en) * | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Nitto Denko Corporation | Light emissive ceramic laminate and method of making same |
| CN103996764A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 生长在Ag衬底的LED外延片及其制备方法和应用 |
| WO2014192911A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
| CN104583363A (zh) * | 2012-08-23 | 2015-04-29 | 皇家飞利浦有限公司 | 稳定化波长转换元件 |
| WO2015128750A1 (en) * | 2014-02-27 | 2015-09-03 | Koninklijke Philips N.V. | Method of forming a wavelength converted light emitting device |
| WO2016051745A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | バックライトおよび液晶表示装置 |
| JP2017219817A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234790A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 赤外可視変換素子 |
| JP2750553B2 (ja) * | 1991-08-23 | 1998-05-13 | 日本電信電話株式会社 | 赤外可視変換素子 |
| JP2002293609A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-09 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス多結晶体及びその製造方法 |
| WO2003083010A1 (fr) * | 2002-03-28 | 2003-10-09 | Hitachi Chemical Co.,Ltd. | Phosphore et composition a base de phosphore |
| JP2009114037A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Denso Corp | 結晶配向セラミックスの製造方法 |
| JP5903039B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2016-04-13 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 色調節装置 |
| DE102010028949A1 (de) | 2010-05-12 | 2011-11-17 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Scheinwerfermodul |
| CN104011585A (zh) * | 2011-09-30 | 2014-08-27 | 皇家飞利浦有限公司 | 显示器背光系统 |
| JP6132204B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2017-05-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置 |
| EP3742868A1 (en) * | 2012-07-05 | 2020-11-25 | Signify Holding B.V. | A stack of layers comprising luminescent material, a lamp, a luminaire and a method of manufacturing the stack of layers |
| JP6305999B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2018-04-04 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | 発光アセンブリ、ランプ及び照明器具 |
| EP2933847B1 (en) * | 2012-12-14 | 2019-05-22 | NGK Insulators, Ltd. | Surface light-emission element using zinc oxide substrate |
| WO2014178398A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | シャープ株式会社 | 照明装置 |
| CN103258940B (zh) * | 2013-05-15 | 2017-10-24 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种全固态白光发光二极管的封装方法 |
| CN203288648U (zh) * | 2013-05-15 | 2013-11-13 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种高取光效率白光发光二极管 |
| WO2015093335A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 日本碍子株式会社 | 発光素子用複合基板及びその製造方法 |
| EP2919284B1 (en) * | 2014-03-14 | 2019-07-03 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| JP2016027613A (ja) * | 2014-05-21 | 2016-02-18 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及びそれを用いた発光装置 |
| JP2016063163A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 東芝ライテック株式会社 | 光学装置及び発光装置 |
| JP6585620B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-10-02 | 日本碍子株式会社 | アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板 |
| JP2016119361A (ja) | 2014-12-19 | 2016-06-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置 |
| CN107078030B (zh) * | 2015-09-11 | 2022-08-23 | 国立大学法人三重大学 | 氮化物半导体衬底的制造方法 |
| JP6544166B2 (ja) * | 2015-09-14 | 2019-07-17 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板の製造方法 |
| JP6774189B2 (ja) * | 2016-03-03 | 2020-10-21 | 日本碍子株式会社 | 発光体、発光体の製造方法、および、発光体粉末の製造方法 |
| JP6620621B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-12-18 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、照明装置およびプロジェクター |
| CN110168418B (zh) * | 2017-01-18 | 2021-12-14 | 日本碍子株式会社 | 光学部件以及照明装置 |
| WO2018198939A1 (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-01 | スタンレー電気株式会社 | ランプユニット、車両用灯具システム |
| US10109309B1 (en) * | 2017-09-01 | 2018-10-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Heat-assisted magnetic recording (HAMR) medium with heat-sink layer having anisotropic thermal conductivity |
| WO2019159354A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 日本碍子株式会社 | 光学部品および照明装置 |
-
2018
- 2018-02-19 WO PCT/JP2018/005702 patent/WO2019159354A1/ja unknown
- 2018-02-19 JP JP2020500232A patent/JP6826691B2/ja active Active
- 2018-02-19 CN CN201880065730.6A patent/CN111699419B/zh active Active
- 2018-02-19 EP EP18906060.1A patent/EP3757629B1/en active Active
-
2020
- 2020-08-03 US US16/983,311 patent/US11105486B2/en active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614501B1 (en) * | 1999-11-29 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroconductive device having supercooled liquid crystal layer |
| KR20010094775A (ko) * | 2000-04-04 | 2001-11-03 | 김영진 | 평판 표시장치의 박막 형광체 패널 |
| CN1723176A (zh) * | 2003-09-19 | 2006-01-18 | 日本碍子株式会社 | 氧化锌－氧化铝－二氧化硅基晶化玻璃及使用其的反射体基材 |
| JP2005150504A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | 発光体及びその製造方法 |
| EP2120072A1 (en) * | 2007-02-16 | 2009-11-18 | Toppan Printing Co., Ltd. | Retardation substrate, method for production thereof, and liquid crystal display device |
| WO2008146562A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 透光性セラミックの製造方法 |
| CN101684035A (zh) * | 2008-09-26 | 2010-03-31 | Tdk株式会社 | 玻璃陶瓷基板 |
| JP2010234617A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Mitsubishi Plastics Inc | 光学用二軸配向ポリエステルフィルム |
| WO2012040046A1 (en) * | 2010-09-20 | 2012-03-29 | Nitto Denko Corporation | Light emissive ceramic laminate and method of making same |
| CN104583363A (zh) * | 2012-08-23 | 2015-04-29 | 皇家飞利浦有限公司 | 稳定化波长转换元件 |
| WO2014192911A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
| WO2015128750A1 (en) * | 2014-02-27 | 2015-09-03 | Koninklijke Philips N.V. | Method of forming a wavelength converted light emitting device |
| CN103996764A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 生长在Ag衬底的LED外延片及其制备方法和应用 |
| WO2016051745A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | バックライトおよび液晶表示装置 |
| JP2017219817A (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
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