JPH03234790A - 赤外可視変換素子 - Google Patents
赤外可視変換素子Info
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- JPH03234790A JPH03234790A JP2853990A JP2853990A JPH03234790A JP H03234790 A JPH03234790 A JP H03234790A JP 2853990 A JP2853990 A JP 2853990A JP 2853990 A JP2853990 A JP 2853990A JP H03234790 A JPH03234790 A JP H03234790A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は赤外可視変換素子、特に、分解能が高く、赤外
可視変換効率の高い赤外可視変換素子に関する。
可視変換効率の高い赤外可視変換素子に関する。
（従来の技術）
赤外輝尽蛍光体とは、あらかじめ短波長の光、あるいは
Ｘ線、放射線などを照射した後、赤外光を照射すると可
視域の発光を発生するという蛍光体である。アルカリ土
類金属の硫化物あるいはセレン化物にユーロピウム（Ｅ
ｕ）とサマリウム（Ｓｍ）あるいはセリウム（Ｃｅ）と
サマリウム（Ｓｍ）などの２種類以上の希土類を添加し
た蛍光体が最も赤外可視変換効率の高い蛍光体として良
く知られている。
Ｘ線、放射線などを照射した後、赤外光を照射すると可
視域の発光を発生するという蛍光体である。アルカリ土
類金属の硫化物あるいはセレン化物にユーロピウム（Ｅ
ｕ）とサマリウム（Ｓｍ）あるいはセリウム（Ｃｅ）と
サマリウム（Ｓｍ）などの２種類以上の希土類を添加し
た蛍光体が最も赤外可視変換効率の高い蛍光体として良
く知られている。
この赤外輝尽蛍光体を用いた赤外可視変換素子はガラス
などの基板上に粉末蛍光体をバインダー等と混合し塗布
したものや、１対のポリマーフィルム間にバインダーに
分散した蛍光体粉末を挟み込んだ構造をしている。
などの基板上に粉末蛍光体をバインダー等と混合し塗布
したものや、１対のポリマーフィルム間にバインダーに
分散した蛍光体粉末を挟み込んだ構造をしている。
（発明が解決する問題点）
通常、これら赤外可視変換素子は半導体レーザ光の検出
、光学系の調整などに利用されているが、粉末蛍光体を
用いているため蛍光体粒子による光の散乱が生じ解像度
が低いという欠点があった。
、光学系の調整などに利用されているが、粉末蛍光体を
用いているため蛍光体粒子による光の散乱が生じ解像度
が低いという欠点があった。
一方、解像度を向上するために、真空蒸着法や、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成技術を用いて、蛍光
体を薄膜化した場合、蛍光体粉末と比較して赤外可視変
換効率が低下するという欠点があった。
タリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成技術を用いて、蛍光
体を薄膜化した場合、蛍光体粉末と比較して赤外可視変
換効率が低下するという欠点があった。
これは、薄膜は微結晶（以下結晶子と呼ぶ）の集合体で
ある多結晶膜であるが、その微結晶の粒径は数百人から
数千人程度であり、結晶粒径が数十μｍ程度である蛍光
体粉末と比較して粒径が小さいためである。
ある多結晶膜であるが、その微結晶の粒径は数百人から
数千人程度であり、結晶粒径が数十μｍ程度である蛍光
体粉末と比較して粒径が小さいためである。
本発明は以上の欠点に鑑みなされたものであり、結晶子
サイズが大きく平滑な蛍光体層を形成することを可能と
し、これにより変換効率が高く、解像度の高い赤外可視
変換素子を実現せしめることを目的とする。
サイズが大きく平滑な蛍光体層を形成することを可能と
し、これにより変換効率が高く、解像度の高い赤外可視
変換素子を実現せしめることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するため、本発明による赤外可視変換
素子は、基板上に赤外輝尽蛍光体層を形成した赤外可視
変換素子において、基板と赤外輝尽蛍光体層の間に中間
層を有し、′かつ該中間層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）または
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）またはテルル化亜鉛（ＺｎＴ
ｅ）またはそれらの混晶からなる層であることを特徴と
するものである。
素子は、基板上に赤外輝尽蛍光体層を形成した赤外可視
変換素子において、基板と赤外輝尽蛍光体層の間に中間
層を有し、′かつ該中間層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）または
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）またはテルル化亜鉛（ＺｎＴ
ｅ）またはそれらの混晶からなる層であることを特徴と
するものである。
本発明をさらに詳しく説明する。
第１図に示すように本発明の赤外可視変換素子は基板１
、ＺｎＳまたはＺｎ５ｅまたはＺ ｎ Ｔ ｅまたはそ
れらの混晶からなる層２（以下中間層と呼ぶ）、蛍光体
層３から構成される。
、ＺｎＳまたはＺｎ５ｅまたはＺ ｎ Ｔ ｅまたはそ
れらの混晶からなる層２（以下中間層と呼ぶ）、蛍光体
層３から構成される。
ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅまたはそれらの混晶は真空
蒸着法や、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成技
術を用いてガラスや石英などの基板上に形成した場合、
結晶軸である（１１．１）軸が基板面に垂直方向に向い
た（１１１）配向多結晶膜となる性質を持っている。
蒸着法や、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の薄膜形成技
術を用いてガラスや石英などの基板上に形成した場合、
結晶軸である（１１．１）軸が基板面に垂直方向に向い
た（１１１）配向多結晶膜となる性質を持っている。
種々の実験を行なった結果、この（１１１）配向多結晶
膜上にアルカリ土類金属の硫化物あるいはセレン化物か
らなる層を形成した場合、（１１１）に配向した結晶子
の成長が促進され、（１１１）配向の結晶子の粒径が大
きくなるという事実を見いだした。
膜上にアルカリ土類金属の硫化物あるいはセレン化物か
らなる層を形成した場合、（１１１）に配向した結晶子
の成長が促進され、（１１１）配向の結晶子の粒径が大
きくなるという事実を見いだした。
この結果により、ＺｎＳまたはＺｎ５ｅまたはＺ ｎ
Ｔ ｅを形成した基板上にアルカリ土類金属の硫化物あ
るいはセレン化物からなる層を形成すれば結晶子サイズ
の大きな蛍光体膜が得られ、したがって赤外可視変換効
率が大きい蛍光体膜が得られる。
Ｔ ｅを形成した基板上にアルカリ土類金属の硫化物あ
るいはセレン化物からなる層を形成すれば結晶子サイズ
の大きな蛍光体膜が得られ、したがって赤外可視変換効
率が大きい蛍光体膜が得られる。
第２図は、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅと蛍光体である
ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＳｒＳ、５ｒＳｅとの格子定数の関
係を示す図である。ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅは混晶
をつくりその混晶組成をかえることにより任意の格子定
数を有する混晶を形成させることができる０図から明ら
かなように、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅを適切な量混
合し混晶を形成することによって５．４１人から６．１
０人までの任意の格子定数を有した混晶を形成すること
ができる。このことは蛍光体膜と格子整合のとれた中間
層形成が可能であることを示している。このように、蛍
光体と格子整合のとれた中間層を用いた場合、蛍光体層
の（１１１）配向効果が大きくなり、格子不整合が大き
い場合と比較してさらに結晶子サイズの大きな蛍光体膜
が得られ、したがって赤外可視変換効率が大きい蛍光体
膜が得られる。
ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＳｒＳ、５ｒＳｅとの格子定数の関
係を示す図である。ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅは混晶
をつくりその混晶組成をかえることにより任意の格子定
数を有する混晶を形成させることができる０図から明ら
かなように、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅを適切な量混
合し混晶を形成することによって５．４１人から６．１
０人までの任意の格子定数を有した混晶を形成すること
ができる。このことは蛍光体膜と格子整合のとれた中間
層形成が可能であることを示している。このように、蛍
光体と格子整合のとれた中間層を用いた場合、蛍光体層
の（１１１）配向効果が大きくなり、格子不整合が大き
い場合と比較してさらに結晶子サイズの大きな蛍光体膜
が得られ、したがって赤外可視変換効率が大きい蛍光体
膜が得られる。
（実施例）
以下本発明、赤外可視変換素子について、実施例によっ
てさらに具体的に説明する。
てさらに具体的に説明する。
（実施例１）
第１図において基板１として、ガラス基板、中間層２と
してＺｎＳ層、蛍光体層３としてユーロピウムとサマリ
ウムを添加した硫化カルシウム蛍光体層から構成された
ことを特徴とする赤外可視変換素子について説明する。
してＺｎＳ層、蛍光体層３としてユーロピウムとサマリ
ウムを添加した硫化カルシウム蛍光体層から構成された
ことを特徴とする赤外可視変換素子について説明する。
上記素子を作製するに当たっては、まず、ガラス基板１
を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内に設置し、
ＺｎＳ層を２０００人形成する。
を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内に設置し、
ＺｎＳ層を２０００人形成する。
このようにして作製したＺｎＳ層をＸ線回折装置を用い
て検査した結果（１１１）配向をした多結晶膜であるこ
とが確認された。
て検査した結果（１１１）配向をした多結晶膜であるこ
とが確認された。
次いで上記のようにして形成したＺｎ３層２上にユーロ
ピウムとサマリウムを添加したＣａＳ蛍光体膜を１０μ
ｍの厚さで形成した。ここで、該蛍光体層は赤外可視変
換素子を作製するために酸化ユーロピウム（Ｅｕ２０３
）を５００ ｐｐｍ、酸化サマリウム（Ｓｍ２０３）を
１５０ｐ ｐｍ添加したＣａＳベレットを蒸発源として
電子ビーム蒸着法によって形成した。
ピウムとサマリウムを添加したＣａＳ蛍光体膜を１０μ
ｍの厚さで形成した。ここで、該蛍光体層は赤外可視変
換素子を作製するために酸化ユーロピウム（Ｅｕ２０３
）を５００ ｐｐｍ、酸化サマリウム（Ｓｍ２０３）を
１５０ｐ ｐｍ添加したＣａＳベレットを蒸発源として
電子ビーム蒸着法によって形成した。
また、この時の基板温度は５００℃、薄膜形成速度は５
００人／ｍｉｎとした。このようにして形成したＣａＳ
蛍光体層３はＸ線回折装置及び透過電子顕微鏡による検
査の結果（１１１）方向に優先配向した多結晶膜である
ことが確認された。
００人／ｍｉｎとした。このようにして形成したＣａＳ
蛍光体層３はＸ線回折装置及び透過電子顕微鏡による検
査の結果（１１１）方向に優先配向した多結晶膜である
ことが確認された。
なお、ここで優先配向とは、特定の配向を持った結晶子
サイズが他の配向を持った結晶子サイズと比較して大き
い状態を言う。
サイズが他の配向を持った結晶子サイズと比較して大き
い状態を言う。
第１表は上記のようにして作製した赤外可視変換素子と
ＺｎＳ層を用いずに直接ガラス基板上に蛍光体層を形成
して作製した赤外可視変換素子と平均粒径１０μｍの蛍
光体粉末をガラス基板上に塗布して作製した赤外可視変
換素子の平均結晶粒径と赤外可視変換効率と解像度を比
較した表である。
ＺｎＳ層を用いずに直接ガラス基板上に蛍光体層を形成
して作製した赤外可視変換素子と平均粒径１０μｍの蛍
光体粉末をガラス基板上に塗布して作製した赤外可視変
換素子の平均結晶粒径と赤外可視変換効率と解像度を比
較した表である。
この結果から、本発明の赤外可視変換素子が従来構造の
赤外可視変換素子と比較して、赤外可視変換効率が高く
、かつ解像度が高いことが明らかである。
赤外可視変換素子と比較して、赤外可視変換効率が高く
、かつ解像度が高いことが明らかである。
（実施例２）
第１図において基板１として、ガラス基板、中間層２と
してＺｎ５ｅ層、蛍光体層３としてユーロピウムとサマ
リウムを添加した硫化カルシウム蛍光体層から構成され
たことを特徴とする赤外可視変換素子について説明する
。
してＺｎ５ｅ層、蛍光体層３としてユーロピウムとサマ
リウムを添加した硫化カルシウム蛍光体層から構成され
たことを特徴とする赤外可視変換素子について説明する
。
上記素子を作製するに当たっては、まず、ガラス基板１
を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内に設置し、
Ｚｎ５ｅ層を２０００人形成する。
を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内に設置し、
Ｚｎ５ｅ層を２０００人形成する。
このようにして作製したＺｎ５ｅ層をＸ線回折装置を用
いて検査した結果（１１１）配向をした多結晶膜である
ことが確認された。
いて検査した結果（１１１）配向をした多結晶膜である
ことが確認された。
次いで、上記のようにして形成したＺｎ５ｅ層２上に、
ユーロピウムとサマリウムを添加したＣａＳ蛍光体膜を
１０μｍの厚さで形成した。ここで、該蛍光体層は赤外
可視変換素子を作製するために酸化ユーロピウム（Ｅｕ
２０３）を５００ｐｐｍ 、酸化サマリウム（Ｓｍ２０
３）を１５０ｐｐｍ添加したＣａＳベレットを蒸発源と
して電子ビーム蒸着法によって形成した。
ユーロピウムとサマリウムを添加したＣａＳ蛍光体膜を
１０μｍの厚さで形成した。ここで、該蛍光体層は赤外
可視変換素子を作製するために酸化ユーロピウム（Ｅｕ
２０３）を５００ｐｐｍ 、酸化サマリウム（Ｓｍ２０
３）を１５０ｐｐｍ添加したＣａＳベレットを蒸発源と
して電子ビーム蒸着法によって形成した。
また、この時の基板温度は５００°Ｃ５薄膜形成速度は
５００人／ｍｉｎとした。このようにして形成したＣａ
Ｓ蛍光体層３はＸ線回折装置及び透過電子顕微鏡による
検査の結果（１１１）方向に優先配向した多結晶膜であ
ることが確認された。
５００人／ｍｉｎとした。このようにして形成したＣａ
Ｓ蛍光体層３はＸ線回折装置及び透過電子顕微鏡による
検査の結果（１１１）方向に優先配向した多結晶膜であ
ることが確認された。
第２表は上記のようにして作製した赤外可視変換素子と
Ｚｎ５ｅ層を用いずに直接ガラス基板上に同一組成、同
−膜厚の蛍光体層を形成した赤外可視変換素子と同一組
成で平均粒径１０μｍの蛍光体をガラス基板上に塗布し
た赤外可視変換素子の平均結晶粒径と赤外可視変換効率
と解像度を比較した表である。
Ｚｎ５ｅ層を用いずに直接ガラス基板上に同一組成、同
−膜厚の蛍光体層を形成した赤外可視変換素子と同一組
成で平均粒径１０μｍの蛍光体をガラス基板上に塗布し
た赤外可視変換素子の平均結晶粒径と赤外可視変換効率
と解像度を比較した表である。
この結果から、本発明の赤外可視変換素子が従来構造の
赤外可視変換素子と比較して、赤外可視変換効率が高く
、かつ解像度が高いことが明らかである。
赤外可視変換素子と比較して、赤外可視変換効率が高く
、かつ解像度が高いことが明らかである。
（実施例３）
第１図において基板１として、ガラス基板、中間層２と
してＺ ｎ Ｔ ｅ層、蛍光体層３としてセリウム（Ｃ
ｅ）とサマリウム（Ｓｍ）を添加した硫化ストロンチウ
ム（ＳｒＳ）蛍光体層から構成されたことを特徴とする
赤外可視変換素子について説明する。
してＺ ｎ Ｔ ｅ層、蛍光体層３としてセリウム（Ｃ
ｅ）とサマリウム（Ｓｍ）を添加した硫化ストロンチウ
ム（ＳｒＳ）蛍光体層から構成されたことを特徴とする
赤外可視変換素子について説明する。
上記素子を作製するに当たっては、まず、ガラス基板１
を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内に設置し、
ＺｎＴｅ層を２０００人形成する。
を純水、トリクレンで洗浄し真空蒸着装置内に設置し、
ＺｎＴｅ層を２０００人形成する。
このようにして作製したＺｎＴｅ層をＸ線回折装置を用
いて検査した結果（１１１）配向をした多結晶膜である
ことが確認された。
いて検査した結果（１１１）配向をした多結晶膜である
ことが確認された。
次いで、上記のようにして形成したＺｎ５ｅ層２上にセ
リウムとサマリウムを添加したＳｒＳ蛍光体膜を１０μ
ｍの厚さで形成した。ここで、該蛍光体層は赤外可視変
換素子を作製するためにフッ化セリウム （ＣｅＦ３）
を１１０００ｐｐ、 酸化サマリウム（Ｓｍ２０３）
を１５０ｐ１）ｍ添加したＳｒＳベレットを蒸発源とし
て電子ビーム蒸着法によって形成した。また、この時の
基板温度は５００℃、薄膜形成速度は５００人／ｍｉｎ
とした。このようにして形成したＣａＳ蛍光体層３はＸ
線回折装置及び透過電子順微鏡による検査の結果（１１
１）方向に優先配向した多結晶膜であることが確認され
た。
リウムとサマリウムを添加したＳｒＳ蛍光体膜を１０μ
ｍの厚さで形成した。ここで、該蛍光体層は赤外可視変
換素子を作製するためにフッ化セリウム （ＣｅＦ３）
を１１０００ｐｐ、 酸化サマリウム（Ｓｍ２０３）
を１５０ｐ１）ｍ添加したＳｒＳベレットを蒸発源とし
て電子ビーム蒸着法によって形成した。また、この時の
基板温度は５００℃、薄膜形成速度は５００人／ｍｉｎ
とした。このようにして形成したＣａＳ蛍光体層３はＸ
線回折装置及び透過電子順微鏡による検査の結果（１１
１）方向に優先配向した多結晶膜であることが確認され
た。
第３表は上記のようにして作製した赤外可視変換効率子
とＺｎＴｅＪｉｉを用いずに直接ガラス基板上に同一組
成、同−膜厚の蛍光体層を形成した赤外可視変換素子と
同一組成で平均粒径１０μｍの蛍光体をガラス基板上に
塗布した赤外可視変換素子の平均結晶粒径と赤外可視変
換効率と解像度を比較した表である。
とＺｎＴｅＪｉｉを用いずに直接ガラス基板上に同一組
成、同−膜厚の蛍光体層を形成した赤外可視変換素子と
同一組成で平均粒径１０μｍの蛍光体をガラス基板上に
塗布した赤外可視変換素子の平均結晶粒径と赤外可視変
換効率と解像度を比較した表である。
この結果から、本発明の赤外可視変換素子が従来構造の
赤外可視変換素子と比較して、赤外可視変換効率が高く
、かつ解像度が高いことが明らかである。
赤外可視変換素子と比較して、赤外可視変換効率が高く
、かつ解像度が高いことが明らかである。
（以下余白）
第１表
第２表
第３表
（発明の効果）
以上述べてきたように、赤外可視変換素子を本発明構成
の赤外可視変換素子とすること、すなわち、基板と赤外
輝尽蛍光体層の間に硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはセレン化
亜鉛（ＺｎＳｅ）またはテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、ま
たはそれらの混晶からなる層を有し、かつ、上記赤外輝
尽蛍光体層がアルカリ土類金属の硫化物あるいはセレン
化物からなる層とすることによって、従来技術の有して
いた課題を解決して、赤外可視変換効率が高く、かつ解
像度が高い赤外可視変換素子を提供することができた。
の赤外可視変換素子とすること、すなわち、基板と赤外
輝尽蛍光体層の間に硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはセレン化
亜鉛（ＺｎＳｅ）またはテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、ま
たはそれらの混晶からなる層を有し、かつ、上記赤外輝
尽蛍光体層がアルカリ土類金属の硫化物あるいはセレン
化物からなる層とすることによって、従来技術の有して
いた課題を解決して、赤外可視変換効率が高く、かつ解
像度が高い赤外可視変換素子を提供することができた。
第１図は本発明赤外可視変換素子の基本的構成を示す断
面図、第２図はＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅと蛍光体で
あるＣａＳ、ＣａＳｅ、・ＳｒＳ、５ｒＳｅとの格子定
数の関係を示す図である。 １・・・基板、２− ・−ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅ
またはそれらの混晶からなる中間層、３・・・アルカリ
土類金属の硫化物あるいはセレン化物からなる層。
面図、第２図はＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅと蛍光体で
あるＣａＳ、ＣａＳｅ、・ＳｒＳ、５ｒＳｅとの格子定
数の関係を示す図である。 １・・・基板、２− ・−ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅ
またはそれらの混晶からなる中間層、３・・・アルカリ
土類金属の硫化物あるいはセレン化物からなる層。
Claims (1)
- （１）基板上に赤外輝尽蛍光体層を形成した赤外可視変
換素子において、基板と赤外輝尽蛍光体層の間に中間層
を有し、かつ該中間層が硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはセレ
ン化亜鉛（ＺｎＳｅ）またはテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）
またはそれらの混晶からなる層であることを特徴とする
赤外可視変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2853990A JPH03234790A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 赤外可視変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2853990A JPH03234790A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 赤外可視変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234790A true JPH03234790A (ja) | 1991-10-18 |
Family
ID=12251473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2853990A Pending JPH03234790A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 赤外可視変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03234790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159354A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 日本碍子株式会社 | 光学部品および照明装置 |
| CN110168418A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-08-23 | 日本碍子株式会社 | 光学部件以及照明装置 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2853990A patent/JPH03234790A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110168418A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-08-23 | 日本碍子株式会社 | 光学部件以及照明装置 |
| US20190323685A1 (en) * | 2017-01-18 | 2019-10-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical component and lighting device |
| EP3572853A4 (en) * | 2017-01-18 | 2020-03-25 | NGK Insulators, Ltd. | OPTICAL COMPONENT AND LIGHTING DEVICE |
| US10995934B2 (en) | 2017-01-18 | 2021-05-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical component including a translucent substrate for adjustable light scattering and lighting device including the same |
| CN110168418B (zh) * | 2017-01-18 | 2021-12-14 | 日本碍子株式会社 | 光学部件以及照明装置 |
| WO2019159354A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | 日本碍子株式会社 | 光学部品および照明装置 |
| US11105486B2 (en) | 2018-02-19 | 2021-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Optic and illumination device |
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