CN104111160A - 发光二极管的检测系统及其检测方法 - Google Patents

发光二极管的检测系统及其检测方法 Download PDF

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Abstract

一种发光二极管的检测系统，其包括一数据存储模组、一数据获取模组以及一比较模组，所述数据存储模组用以存储标准的或期望的发光二极管的CIE频谱数据，所述数据获取模组用以获取待测发光二极管发出的光的频谱数据，所述比较模组将所述数据存储模组与所述数据获取模组中的光的频谱数据进行比较，所述数据获取模组包括一影像感测模组、一数据读取模组以及一计算模组，所述影像感测模组用以拍摄记录待测发光二极管处于发光状态下的光学影像，所述数据读取模组用以从所述光学影像中读取光学数据，所述计算模组依据所述数据读取模组读取到的光学数据进行计算，得到所述待测发光二极管的光的频谱数据。本发明还涉及一种发光二极管的检测方法。

Description

发光二极管的检测系统及其检测方法
技术领域
本发明涉及一种检测系统，特别涉及一种应用于检测发光二极管的光学特性的检测系统及采用该检测系统对发光二极管进行检测的方法。
背景技术
现有的发光二极管检测系统的核心部件包括一积分球，从而通过积分球检测的方法对发光二极管的光学特性进行检测。但是，由于积分球本身价格较为昂贵，从而导致整个检测系统的成本较高，这也增加了发光二极管的检测成本。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种成本较低的发光二极管的光学特性的检测系统以及采用该检测系统对发光二极管的光学特性进行检测的方法。
一种发光二极管的检测系统，其包括一数据存储模组、一数据获取模组以及一比较模组，所述数据存储模组用以存储标准的或期望的发光二极管的CIE频谱数据，所述数据获取模组用以获取待测发光二极管发出的光的频谱数据，所述比较模组将所述数据存储模组与所述数据获取模组中的光的频谱数据进行比较，所述数据获取模组包括一影像感测模组、一数据读取模组以及一计算模组，所述影像感测模组用以拍摄记录待测发光二极管处于发光状态下的光学影像，所述数据读取模组用以从所述光学影像中读取光学数据，所述计算模组依据所述数据读取模组读取到的光学数据进行计算，得到所述待测发光二极管的光的频谱数据。
一种发光二极管的检测方法，其包括如下步骤：
S1：提供一数据存储模组，并在所述数据存储模组中存储标准的或期望的CIE频谱数据；
S2：提供一影像感测模组，并通过所述影像感测模组拍摄记录待测发光二极管处于工作(发光)状态下的光学影像；
S3：提供一数据读取模组，并通过所述数据读取模组对所述影像感测模组拍摄记录的光学影像中的光学数据进行读取；
S4：提供一计算模组，并通过所述计算模组对所述数据读取模组中所读取的光学数据进行计算；
S5: 提供一比较模组，并通过所述比较模组将数据存储模组中的CIE频谱数据与计算模组中计算得到的待测发光二极管的CIE频谱数据进行比较，以判断发光二极管是否合格。
本发明的发光二极管的检测系统及检测方法中，由于可采用成本较低的影像感测模组来对待测的发光二极管发出的光进行拍摄记录形成光学影像的方法取代了现有的采用积分球的方法来对发光二极管进行光学特性的检测，大大降低了检测发光二极管的成本。
附图说明
图1为本发明的发光二极管检测系统的结构框图。
图2为本发明的发光二极管检测系统中的数据获取模块的结构框图。
图3为采用本发明的发光二极管检测系统对发光二极管的光学特性进行检测的步骤示意图。
主要元件符号说明
发光二极管的检测系统 1
数据存储模组 10
数据获取模组 20
比较模组 30
影像感测模组 21
数据读取模组 23
计算模组 25
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明的发光二极管的检测系统1包括一数据存储模组10、一数据获取模组20以及将数据存储模组10与数据获取模组20中的数据进行分析比对的比较模组30。
所述数据存储模组10用以存储标准的或者用户所期望的发光二极管的CIE（International Commission on Illumination，国际照明委员会）频谱数据。所述数据获取模组20用以获取待测发光二极管的频谱数据。所述比较模组30用以将数据存储模组10中存储的标准或期望的CIE频谱数据与数据获取模组20所获取的发光二极管频谱数据进行分析比对，以判断待测的发光二极管是否合格。
请参阅图2，所述数据获取模组20包括一影像感测模组21、一数据读取模组23以及一计算模组25。
所述影像感测模组21用以拍摄记录待测发光二极管处于发光状态下的光学影像。本实施例中，所述影像感测模组21包括一电荷耦合（Charged Coupled Device，CCD）摄像头。当然，为了更方便地对待测发光二极管处于发光状态下的光学影像进行拍摄记录，可在正对该待测发光二极管的出光路径上设置一光扩散板。
所述数据读取模组23用以从所述光学影像中读取光学数据。本实施例中，所述数据读取模组23可以读取光学影像中的R、G、B三色光阵列值。
所述计算模组25用以对所述读取到的光学数据进行计算。本实施例中，所述计算模组25依据所述数据读取模组23读取到的R、G、B三色光阵列值进行计算，得到该待测发光二极管的CIE频谱数据。
所述比较模组30用以将数据存储模组10中存储的标准的或是期望的发光二极管的CIE频谱数据与计算模组25中所计算得到的待测发光二极管的CIE频谱数据进行比较，以判断该待测的发光二极管是否合格。
本发明的发光二极管的检测系统1工作时，所述影像感测模组21对待测发光二极管处于发光状态下的光学影像进行拍摄记录、所述数据读取模组23自该光学影像读取该光学影像中的光学数据(R、G、B三色光阵列值)、所述计算模组25依据所述数据读取模组23读取的光学数据(R、G、B三色光阵列值)，计算得到该待测发光二极管的CIE频谱数据、所述比较模组30将所述数据存储模组10中的标准的或期望的CIE频谱数据与计算模组25计算得到的待测发光二极管的CIE频谱数据相比较，以判断该待测的发光二极管是否合格。
请参见图3，本发明还涉及一种采用上述发光二极管的检测系统1对发光二极管进行检测的方法，其包括如下步骤：
S1：提供一所述数据存储模组10，所述数据存储模组10用以存储标准的或期望的CIE频谱数据。
S2：提供一所述影像感测模组21，并通过该影像感测模组21拍摄记录待测发光二极管处于工作(发光)状态下的光学影像。本实施例中，所述影像感测模组21为一电荷耦合（Charged Coupled Device，CCD）摄像头。
当然，为了更方便地对待测发光二极管处于发光状态下的光学影像进行拍摄记录，可在拍摄记录之前，在正对该待测发光二极管的出光路径上设置一光扩散板。
S3：提供一数据读取模组23，并通过该数据读取模组23对所述影像感测模组21拍摄记录的光学影像中的光学数据进行读取。本实施例中，所述数据读取模组23自所述光学影像中读取待测发光二极管发出的光的R、G、B三色光阵列值。
S4：提供一计算模组25，并通过该计算模组25对数据读取模组23中所读取的光学数据进行计算。本实施例中，所述计算模组25依据待测发光二极管的发出的光的R、G、B三色光阵列值，计算得到该待测发光二极管的CIE频谱数据。
S5: 提供一所述比较模组30，所述比较模组30用以将数据存储模组10中的CIE频谱数据与计算模组25中计算得到的待测发光二极管的CIE频谱数据进行比较，以判断发光二极管是否合格。
具体地，所述比较模组30将计算得到的待测发光二极管的CIE频谱数据与数据存储模组10中的CIE频谱数据转换在同一空间坐标系中，并对两组频谱数据在相同坐标处的R、G、B阵列值分别进行比较。当两组数据相同时，即可认为该发光二极管合格。
当然，实际操作时，可以设置一计算误差。当两组数据之间的差值在该计算误差之内的，即可认为该发光二极管合格，否则为不合格。所述计算误差可以根据发光二极管所应用的场合对光学特性要求的严格程度进行可大可小的调节。
当然，用户也可以根据不同的检测需要，输入所需的标准或期望的光学数据。如，当需要对待测发光二极管的光强度的分布进行比对检测时，可在所述数据存储模组10中预先存储标准的或期望的发光二极管的光强度分布数据。
本发明的发光二极管的检测系统1及检测方法中，由于可采用成本较低的影像感测模组21来对待测的发光二极管发出的光进行拍摄记录形成光学影像的方法取代了现有的采用积分球的方法来对发光二极管进行光学特性的检测，大大降低了检测发光二极管的成本。

Claims (10)

1.一种发光二极管的检测系统，其包括一数据存储模组、一数据获取模组以及一比较模组，所述数据存储模组用以存储标准的或期望的发光二极管的CIE频谱数据，所述数据获取模组用以获取待测发光二极管发出的光的频谱数据，所述比较模组将所述数据存储模组与所述数据获取模组中的光的频谱数据进行比较，所述数据获取模组包括一影像感测模组、一数据读取模组以及一计算模组，所述影像感测模组用以拍摄记录待测发光二极管处于发光状态下的光学影像，所述数据读取模组用以从所述光学影像中读取光学数据，所述计算模组依据所述数据读取模组读取到的光学数据进行计算，得到所述待测发光二极管的光的频谱数据。
2.如权利要求1所述的检测系统，其特征在于：所述影像感测模组为一电荷耦合摄像头。
3.如权利要求1所述的检测系统，其特征在于：所述数据读取模组读取的光学数据包括R、G、B三色光阵列值。
4.一种发光二极管的检测方法，其包括如下步骤：
S1：提供一数据存储模组，并在所述数据存储模组中存储标准的或期望的CIE频谱数据；
S2：提供一影像感测模组，并通过所述影像感测模组拍摄记录待测发光二极管处于发光状态下的光学影像；
S3：提供一数据读取模组，并通过所述数据读取模组对所述影像感测模组拍摄记录的光学影像中的光学数据进行读取；
S4：提供一计算模组，并通过所述计算模组对所述数据读取模组中所读取的光学数据进行计算；
S5: 提供一比较模组，并通过所述比较模组将数据存储模组中的CIE频谱数据与计算模组中计算得到的待测发光二极管的CIE频谱数据进行比较，以判断发光二极管是否合格。
5.如权利要求4所述的发光二极管的检测方法，其特征在于：在步骤S1与S2之间，提供一光扩散板，并将该光扩散板设置在所述待测发光二极管的出光路径上。
6.如权利要求4所述的发光二极管的检测方法，其特征在于：所述影像感测模组为一电荷耦合摄像头。
7.如权利要求6所述的发光二极管的检测方法，其特征在于：所述电荷耦合摄像头对处于发光状态下的待测发光二极管进行拍摄形成光学影像。
8.如权利要求4所述的发光二极管的检测方法，其特征在于：所述数据读取模组读取的光学数据包括R、G、B三色光阵列值。
9.如权利要求4所述的发光二极管的检测方法，其特征在于：在步骤S5中还包括将计算模组计算得到的发光二极管的CIE频谱数据与数据存储模组中的CIE频谱数据转换在同一空间坐标系中，并对两组频谱数据在相同坐标处的R、G、B阵列值分别进行比较。
10.如权利要求9所述的发光二极管的检测方法，其特征在于：还包括在对两组频谱数据比较前，设置一计算误差。
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