CN102718477A - 一种高介电常数x8r型mlcc介质材料及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 24
- BDMHSCBWXVUPAH-UHFFFAOYSA-N cobalt niobium Chemical compound [Co].[Nb] BDMHSCBWXVUPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- AMVVEDHCBDQBJL-UHFFFAOYSA-N [Ca][Zr] Chemical compound [Ca][Zr] AMVVEDHCBDQBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- LFUSWQZWBZPZCV-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Na].[Ti] Chemical compound [Bi].[Na].[Ti] LFUSWQZWBZPZCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 21
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 20
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 20
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 19
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims description 18
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims description 18
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 7
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 4
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229940043430 calcium compound Drugs 0.000 abstract 2
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 abstract 2
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 abstract 2
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- MTZOKGSUOABQEO-UHFFFAOYSA-L barium(2+);phthalate Chemical compound [Ba+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O MTZOKGSUOABQEO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
一种高介电常数X8R型MLCC介质材料及其制备方法,以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分:1.6-2.5份的铌钴化合物;0.722-1.805份的钛铋钠化合物;1.25-2.0份的锆钙化合物;1-3份的玻璃粉;0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合;0.1-0.25份的碳酸锰。本发明适量添加碳酸锰、稀土元素、锆钙化合物为本发明的重点与核心,稀土元素在钛酸钡基介电陶瓷材料中既可以作为施主也可以作为受主进行掺杂改性,能抑制本征氧空位以及其他B位施主掺杂带来的氧空位的迁移,提高材料系统的绝缘电阻率、抗老化性能和抗还原性能,可用于制作银-钯电极和镍电极MLCC。
Description
技术领域
本发明涉及功能陶瓷领域,特别是指一种高介电常数X8R型MLCC介质材料及其制备方法。
背景技术
近年来,国内外对X7R(工作温度范围-55℃~125℃,容温变化率在±15%以内)MLCC材料进行广泛研究并成功应用,其中以钛酸钡基材料在生产和应用中不会对环境和人体产生危害,且制得的MLCC性能优良稳定,因而受到人们的广泛关注,而且发展迅速。然而,随着国防科技、汽车工业等的不断发展,对能在恶劣的工作环境下应用的MLCC的需求越来越广泛。如各种车载电子控制系统有ABS、发动机电子控制控制单元(ECU)灯;再如航空航天设备的发动机系统、大功率相控阵雷达等国防电子设备;其极端苛刻的工作环境要求MLCC的高温工作范围延伸到150℃以上,甚至更高,而且在电路越来越精密的,MLCC越来越来薄的发展方向,需要开发更高介电常数(2600以上)的X8R材料。同时,随着市场竞争的不断激烈,MLCC价格持续下降,采用传统的贵金属钯银作内电极制造X8R-MLCC,成本高昂,大大减弱了产品的市场竞争力,所以有必要开发贱金属镍作内电极制造X8R MLCC的方法。开发镍电极MLCC的关键在于开发具有抗还原的MLCC材料。
发明内容
本发明的目的在于解决MLCC材料的抗还原性能以适应金属镍做内电极的问题,提出本发明创造的构思。本发明的目的是通过对钛酸钡陶瓷掺杂改性,做到以下三方面:1)提高钛酸钡基陶瓷材料的居里温度,使之能适应更高的环境温度;2)扁平化钛酸钡基陶瓷材料的居里峰,使之在工作温度范围内,介温稳定性符合X8R特性要求;3)复合施主和受主掺杂,提高钛酸钡基陶瓷材料的抗还原性能,使之适应以金属镍作内电极。
本发明采用如下的技术方案:
一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分:
1.6-2.5份的铌钴化合物;
0.722-1.805份的钛铋钠化合物BNT;
1.25-2.0份的锆钙化合物;
1-3份的玻璃粉;
0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合;
0.1-0.25份的碳酸锰。
进一步地,所述铌钴化合物中Nb/Co原子摩尔比为3-5。
进一步地,所述钛铋钠化合物化学式为Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3。
进一步地,所述锆钙化合物化学式为CaZrO3。
进一步地,所述玻璃粉由如下重量份数的成分制得:35-42份Bi2O3、18-24份ZnO、8-12份TiO2、6-10份H3BO3、8-12份SiO2和10-14份Ba(OH)2。
上述一种高介电常数X8R型MLCC介质材料的制备方法,包括如下步骤:
(1)将Nb2O5与Co2O3、CoO和Co3O4三者中的至少一种按Nb/Co原子摩尔比3-5进行配比、称量、混合、过筛并于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物;
(2)按化学式Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3的要求对TiO2、Na2O、Bi2O3进行配比,制得Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3;
(3)按化学式CaZrO3的要求对CaO和ZrO2进行配比、称量、混合、过筛并于1150-1200℃煅烧,球磨、烘干获得CaZrO3;
(4)按如下重量份数对35-42份Bi2O3、18-24份ZnO、8-12份TiO2、6-10份H3BO3、8-12份SiO2和10-14份Ba(OH)2进行配比、称量、混合、过筛并于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉;
(5)以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分1.6-2.5份的铌钴化合物、0.722-1.805份的钛铋钠化合物、1.25-2.0份的锆钙化合物、1-3份的玻璃粉、0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合以及0.1-0.25份的碳酸锰后进行配料,用去离子水作为分散介质,球磨、烘干并造粒;
(6)将造粒后的粉料压制成圆片生坯,在450-550℃排有机物,然后在氮气气氛中升温至1280~1320℃,烧结2.5~3h,即制得高介电常数X8R型MLCC介质材料。
进一步地,所述步骤(5)中采用2-5mm的钇安定锆球作磨介,研磨10-14h,烘干后过80目标准筛,加入5~7%石蜡做粘结剂共同烘焙造粒,再次过80目标准筛。
进一步地,所述步骤(6)中造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得高介电常数X8R型MLCC介质材料。
本发明的有益效果是,以钛酸钡为基础,添加适量铌钴化合物,易形成“核-壳”结构,这种“核-壳”有利于提高介质材料的介温稳定性,降低材料的容温变化率;添加钛铋钠化合物,可显著提高介质材料的居里温度;适当添加玻璃粉作助烧剂,有利于提高介质瓷体的致密度,降低损耗;适量添加碳酸锰、稀土元素(Ce、Dy、Ho、Yb)、锆钙化合物为本发明的重点与核心,稀土元素在钛酸钡基介电陶瓷材料中既可以作为施主也可以作为受主进行掺杂改性,能抑制本征氧空位以及其他B位施主掺杂带来的氧空位的迁移,提高材料系统的绝缘电阻率、抗老化性能和抗还原性能。
另外,本发明陶瓷电容器介质的制备方法采用AB位复合掺杂、施主和受主复合掺杂、前驱体掺杂等配方设计技术。所述的的配方设计技术中AB位复合掺杂、施主和受主复合掺杂根据不同元素离子半径,对AB位进行施主和受主掺杂,调整介质材料的晶体结构,改变其四方率(c/a),实现四方率(c/a)值可调,进而改变介质材料的介温稳定性;所述的前驱体掺杂如先合成铌钴前驱体再对钛酸钡陶瓷进行掺杂改性,这样可以避免在高温固相反应中生成非钙钛矿结构的有害中间相,这些有有害的中间相可能会使掺杂效果大打折扣,因此所述的前驱体掺杂正好克服了这一缺点。
所制得的电容器介质不但可以满足X8R特性要求,而且介电常数高,抗还原能力强,特别适用于镍内电极MLCC的生产和应用。
具体实施方式
以下将结合具体实施例对本发明做进一步详细描述:
实施例1
(1)首先取分析纯的Nb2O5、Co2O3分别准确称取8.28g和1.72g,混合、过筛于800~900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物的前驱体;
(2)分别准确称取将2.33gTiO2、0.9gNa2O和6.77gBi2O3进行称量,混合、过筛于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得钛铋钠化合物;
(3)对3.13gCaO和6.87gZrO2进行称量,混合、过筛于1150~1200℃煅烧,球磨、烘干获得锆钙化合物;
(4)将3.8gBi2O3、2.2gZnO、1gTiO2、0.8H3BO3、1gSiO2和1.2gBa(OH)2进行称量、混合、过筛于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉。
(5)准确称取水热法合成钛酸钡100g,铌钴化合物2.5g,BNT0.722,锆钙化合物1.25g,碳酸锰0.1g,氧化铈0.369g,玻璃1g,进行配料。采用2~5mm钇安定锆球研磨12h,烘干过80目标准筛,添加6~7%石蜡共炒造粒,然后再次过80目标准筛。将造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得陶瓷电容器介质。在烧制后的圆片上刷银,在640℃烧20min,制得银电极,测试各项电性能。
实施例2
(1)首先取分析纯的Nb2O5、Co2O3分别准确称取8.31g和1.69g,混合、过筛于800~900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物的前驱体;
(2)分别准确称取将2.33gTiO2、0.9gNa2O和6.77gBi2O3进行称量,混合、过筛于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得钛铋钠化合物;
(3)对3.13gCaO和6.87gZrO2进行称量,混合、过筛于1150~1200℃煅烧,球磨、烘干获得锆钙化合物;
(4)将3.8gBi2O3、2.2gZnO、1gTiO2、0.8H3BO3、1gSiO2和1.2gBa(OH)2进行称量、混合、过筛于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉。
(5)准确称取水热法合成钛酸钡100g,铌钴化合物2.14g,BNT1.444g,锆钙化合物1.5g,碳酸锰0.17g,氧化铈0.8g,玻璃2g,进行配料。采用2~5mm钇安定锆球研磨12h,烘干过80目标准筛,添加6~7%石蜡共炒造粒,然后再次过80目标准筛。将造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得陶瓷电容器介质。在烧制后的圆片上刷银,在640℃烧20min,制得银电极,测试各项电性能。
实施例3
(1)首先取分析纯的Nb2O5、Co2O3分别准确称取8.89g和1.11g,混合、过筛于800~900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物的前驱体;
(2)分别准确称取将2.33gTiO2、0.9gNa2O和6.77gBi2O3进行称量,混合、过筛于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得钛铋钠化合物;
(3)对3.13gCaO和6.87gZrO2进行称量,混合、过筛于1150~1200℃煅烧,球磨、烘干获得锆钙化合物;
(4)将3.8gBi2O3、2.2gZnO、1gTiO2、0.8H3BO3、1gSiO2和1.2gBa(OH)2进行称量、混合、过筛于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉。
(5)准确称取水热法合成钛酸钡100g,铌钴化合物1.6g,BNT1.805g,锆钙化合物1.5g,碳酸锰0.25g,氧化铈1.2g,玻璃3g,进行配料。采用2~5mm钇安定锆球研磨12h,烘干过80目标准筛,添加6~7%石蜡共炒造粒,然后在再次过80目标准筛。将造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得陶瓷电容器介质。在烧制后的圆片上刷银,在640℃烧20min,制得银电极,测试各项电性能。
实施例4
(1)首先取分析纯的Nb2O5、Co2O3分别准确称取8.89g和1.11g,混合、过筛于800~900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物的前驱体;
(2)分别准确称取将2.33gTiO2、1.08gNa2O和5.42gBi2O3进行称量,混合、过筛于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得钛铋钠化合物;
(3)对3.13gCaO和6.87gZrO2进行称量,混合、过筛于1150~1200℃煅烧,球磨、烘干获得锆钙化合物;
(4)将3.8gBi2O3、2.2gZnO、1gTiO2、0.8H3BO3、1gSiO2和1.2gBa(OH)2进行称量、混合、过筛于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉。
(5)准确称取水热法合成钛酸钡100g,铌钴化合物1.55g,BNT1.96g,锆钙化合物1.5g,碳酸锰0.25g,氧化镱0.72g,玻璃3g,进行配料。采用2~5mm钇安定锆球研磨12h,烘干过80目标准筛,添加6~7%石蜡共炒造粒,然后在再次过80目标准筛。将造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得陶瓷电容器介质。在烧制后的圆片上刷银,在640℃烧20min,制得银电极,测试各项电性能。
实施例5
(1)首先取分析纯的Nb2O5、Co2O3分别准确称取8.89g和1.11g,混合、过筛于800~900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物的前驱体;
(2)分别准确称取将2.33gTiO2、0.72gNa2O和8.14gBi2O3进行称量,混合、过筛于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得钛铋钠化合物;
(3)对3.13gCaO和6.87gZrO2进行称量,混合、过筛于1150~1200℃煅烧,球磨、烘干获得锆钙化合物;
(4)将3.8gBi2O3、2.2gZnO、1gTiO2、0.8H3BO3、1gSiO2和1.2gBa(OH)2进行称量、混合、过筛于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉。
(5)准确称取水热法合成钛酸钡100g,铌钴化合物1.6g,BNT1.85g,锆钙化合物1.5g,碳酸锰0.25g,氧化镝0.5g,玻璃2.5g,进行配料。采用2~5mm钇安定锆球研磨12h,烘干过80目标准筛,添加6~7%石蜡共炒造粒,然后在再次过80目标准筛。将造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得陶瓷电容器介质。在烧制后的圆片上刷银,在640℃烧20min,制得银电极,测试各项电性能。
上述5个实施例在烧成步骤中,可各取不同配方的干压生坯3片,按9片为一组,分别于1270℃、1290℃、1310℃三个温度点同时烧成并分别保温3h、2.5h、2h,最后制得的5组不同配方和烧成温度的45片式样,从中拣选15片烧结良好的式样测其介电性能,其结果列于下表:
其中Max|Δc/c25℃|(%)值的温度范围:-55℃~+150℃
上述仅为本发明的几个具体实施方式,但本发明的设计构思并不局限于此,凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动,均应属于侵犯本发明保护范围的行为。
Claims (8)
1.一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,其特征在于:以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分:
1.6-2.5份的铌钴化合物;
0.722-1.805份的钛铋钠化合物;
1.25-2.0份的锆钙化合物;
1-3份的玻璃粉;
0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合;
0.1-0.25份的碳酸锰。
2.如权利要求1所述的一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,其特征在于:所述铌钴化合物中Nb/Co原子摩尔比为3-5。
3.如权利要求1所述的一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,其特征在于:所述钛铋钠化合物化学式为Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3。
4.如权利要求1所述的一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,其特征在于:所述锆钙化合物化学式为CaZrO3。
5.如权利要求1所述的一种高介电常数X8R型MLCC介质材料,其特征在于:所述玻璃粉由如下重量份数的成分制得:35-42份Bi2O3、18-24份ZnO、8-12份TiO2、6-10份H3BO3、8-12份SiO2和10-14份Ba(OH)2。
6.一种高介电常数X8R型MLCC介质材料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
(1)将Nb2O5与Co2O3、CoO和Co3O4三者中的至少一种按Nb/Co原子摩尔比3-5进行配比、称量、混合、过筛并于800-900℃煅烧,球磨、烘干获得铌钴化合物;
(2)按化学式Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3的要求对TiO2、Na2O、Bi2O3进行配比,制得Bi0.5Na0.5TiO3、Bi0.6Na0.4TiO3或Bi0.4Na0.5TiO3;
(3)按化学式CaZrO3的要求对CaO和ZrO2进行配比、称量、混合、过筛并于1150-1200℃煅烧,球磨、烘干获得CaZrO3;
(4)按如下重量份数对35-42份Bi2O3、18-24份ZnO、8-12份TiO2、6-10份H3BO3、8-12份SiO2和10-14份Ba(OH)2进行配比、称量、混合、过筛并于1200℃熔融后水淬,磨细过筛,制得玻璃粉;
(5)以100重量份的钛酸钡为基材,添加有如下重量份的成分1.6-2.5份的铌钴化合物、0.722-1.805份的钛铋钠化合物、1.25-2.0份的锆钙化合物、1-3份的玻璃粉、0.369-1.2份的Ce、Yb、Dy、Ho的氧化物中的一种或多种复合以及0.1-0.25份的碳酸锰后进行配料,用去离子水作为分散介质,球磨、烘干并造粒;
(6)将造粒后的粉料压制成圆片生坯,在450-550℃排有机物,然后在氮气气氛中升温至1280~1320℃,烧结2.5~3h,即制得高介电常数X8R型MLCC介质材料。
7.如权利要求6所述的一种高介电常数X8R型MLCC介质材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中采用2-5mm的钇安定锆球作磨介,研磨10-14h,烘干后过80目标准筛,加入5~7%石蜡做粘结剂共同烘焙造粒,再次过80目标准筛。
8.如权利要求6所述的一种高介电常数X8R型MLCC介质材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)中造粒后的粉料在8~10MPa下压制成圆片生坯,在500℃排有机物1h,然后在氮气气氛中用3h升温至1270~1310℃,烧结2~3h,即制得高介电常数X8R型MLCC介质材料。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201210146787 CN102718477B (zh) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 一种高介电常数x8r型mlcc介质材料及其制备方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102718477A true CN102718477A (zh) | 2012-10-10 |
CN102718477B CN102718477B (zh) | 2013-09-25 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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