CN102713802A

CN102713802A - 用于触摸面板的板件及其制造方法

Info

Publication number: CN102713802A
Application number: CN2010800559010A
Authority: CN
Inventors: 金炳秀; 李勤植; 徐忠源; 赵志元; 洪赫振
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: LG Innotek Co Ltd
Priority date: 2009-10-08
Filing date: 2010-10-07
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2030-10-07
Also published as: WO2011043611A3; TW201120514A; US20120200928A1; WO2011043611A2; JP2013507682A; JP5551782B2; TWI443412B; KR20110038517A; CN102713802B

Abstract

本发明提供一种用于触摸面板的板件及其制造方法。所述用于触摸面板的板件包括：基础衬底；第一中间层，布置在所述基础衬底的第一侧上并且具有第一折射率；第二中间层，布置在所述第一中间层上并且具有比第一折射率低的第二折射率；以及透明导电层，布置在所述第二中间层上。

Description

用于触摸面板的板件及其制造方法

技术领域

本公开涉及一种触摸面板的板件及其制造方法。

背景技术

在最近的各种电子产品中，应用一种触摸面板，该触摸面板利用这样的输入方法，即，通过使用手指或诸如触控笔的输入设备来接触显示在显示设备上的图像。

触摸面板可以分为电阻层式触摸板和静电电容式触摸面板。在电阻层式触摸板中，当电极由于输入设备的压力而短路时，检测到位置。在静电电容式触摸面板中，当电极之间的静电电容由于手指接触而变化时，检测到位置。

用于这些触摸面板的板件可以包括基础衬底和在该基础衬底上的透明导电层。此时，如果将透明导电层直接布置在基础衬底上，则会在透明导电层上产生裂纹，因此要将额外的中间层布置在基础衬底与透明导电层之间。

在板件中，除了提高透射率之外，重要的任务是当透明导电层被图案化为图案时，需要使该图案成为从外部不可见的。

发明内容

技术问题

本发明提供一种用于触摸面板的板件及其制造方法，所述板件用于提高透射率并防止从外部可见透明导电层的图案。

技术方案

在一个实施例中，一种用于触摸面板的板件包括：基础衬底；第一中间层，布置在所述基础衬底的第一侧上并且具有第一折射率；第二中间层，布置在所述第一中间层上并且具有比第一折射率低的第二折射率；以及透明导电层，布置在所述第二中间层上。

所述透明导电层可以具有比所述第二折射率低的第三折射率。

所述板件可以进一步包括在所述基础衬底的第二侧上的至少一个外层。

所述外层可以包括：第一外层，布置在所述基础衬底的第二侧上；以及第二外层，布置在所述第一外层上并且具有比所述第一外层的折射率低的折射率。

所述第一外层和所述第二外层中的每一个可以包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

所述第一外层可以包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅中的至少一种，所述第二外层可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂中的至少一种。

所述第一外层可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂中的至少一种，所述第二外层可以包括MgF₂和SiO₂中的至少一种。

所述第一中间层、所述第二中间层和所述透明导电层中每一个的厚度可以在从1nm到100nm的范围内。

所述外层的厚度可以在从1nm到100nm的范围内。

所述第一中间层和所述第二中间层中的每一个可以包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

所述第一中间层可以包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅中的至少一种，所述第二中间层可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂中的至少一种。

所述第一中间层可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂中的至少一种，所述第二中间层可以包括MgF₂和SiO₂中的至少一种。

所述透明导电层可以包括各自隔开的图案；并且当被具有所述图案的部分反射的光的反射率为R0，并且被没有所述图案的部分反射的光的反射率为R1时，R0和R1满足以下条件R0-R1<0.7%。

在另一实施例中，一种触摸面板的板件的制造方法包括：在基础衬底的第一侧上形成具有第一折射率的第一中间层；在所述第一中间层上形成具有比所述第一折射率低的第二折射率的第二中间层；以及在所述第二中间层上形成透明导电层。

所述方法可以进一步包括在所述基础衬底的第二侧上形成至少一个外层。

在以下附图和说明书中将详细描述一个或多个实施例。从说明书、附图和权利要求中，其它特征将显而易见。

有益效果

根据本发明，可以提高触摸面板的板件的透射率并且可以防止从外部看见透明导电层的图案。

附图说明

图1是根据第一实施例的用于触摸面板的板件的剖视图；

图2是图示根据改进实施例的用于触摸面板的板件的剖视图；

图3是示出根据第二实施例的触摸面板的板件的剖视图；以及

图4是图示根据一个实施例的制造板件的方法的流程图。

具体实施方式

在实施例的描述中，应该理解，当层（或膜）、区域、图案或结构被表述为在衬底、层（或膜）、区域或图案“上面/上方”或“下面/下方”时，它可以是直接在所述衬底、所述层（或膜）、所述区域或所述图案“上面/上方”或“下面/下方”，也可以存在中间层。将基于附图描述每个层的“上面/上方”或“下面/下方”。

在附图中，为了清楚和方便，可以修改每个层（或膜）、区域、图案或结构的厚度或尺寸，因此不完全反应其实际尺寸。

在下文中，将参照附图详细描述实施例。

图1是根据第一实施例的用于触摸面板的板件的剖视图。

参照图1，用于触摸面板的板件（以下称为板件）包括基础衬底110、以及顺序地布置在基础衬底110的第一侧（以下称为上表面）上的第一中间层210、第二中间层220和透明导电层130。

这里，基座衬底110是塑料片或塑料膜并且其材料具有高可见光（400nm和700nm之间）透射率。

例如，所述材料可以使用丙烯酸树脂、聚碳酸酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂（Polyrthylene napthalate resin）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）树脂、聚丙烯树脂、聚芳基树脂（Poly aryl resin）、聚醚砜（PES）树脂、聚甲基戊烯（Poly Methly Pentene）树脂、聚醚醚酮（Poly Ether Ether Ketone）树脂、聚砜（PSF）树脂、醋酸纤维素（Acetic cellulose）树脂、非晶聚烯烃（Amorphous polyolefin）树脂、聚乙烯树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、PAI（Polyamide-imide，聚酰胺酰亚胺）树脂、PPS（Polyphenylene sulfide，聚苯硫醚）树脂、PEI（polyether-imide，聚醚酰亚胺）树脂、烯烃树脂、乙烯树脂和氟树脂。

例如，利用气动压制处理这些树脂中的至少两种树脂，以形成塑料片或塑料膜。此外，可以对由以上树脂形成的至少两个塑料片或塑料膜进行层叠或压制。此外，可以将由其它树脂形成的5μm至100μm的保护层（未示出）布置在塑料片或塑料膜的表面上。

下面将描述顺序地布置在基础衬底110的第一侧（以下称为上表面）上的第一中间层210、第二中间层220和透明导电层130。

此时，第一中间层210可以具有第一折射率，第二中间层220可以具有第二折射率。就是说，折射率随着远离基础衬底110而变小。因此，本实施例可以提高板件的透射率。此时，透明导电层230可以具有比第二折射率低的第三折射率，由此进一步提高透射率。然而，本发明不限于此，并且透明导电层230的折射率可以高于第二中间层的折射率。

下面将对此进行描述。

通常，在层叠若干具有不同折射率的材料层时，在这些材料层之间的界面发生光的反射和折射。此时，光的透射率会由于反射损失而减小。因此，本实施例通过层叠较高折射率的第一中间层210和较低折射率的第二中间层220，利用光学干涉现象减小了反射率。此外，通过用折射率比基础衬底110的折射率低的材料涂布基础衬底110，可以提高透射率。

透明导电层130可以包括不同透射率的导电材料，并且可以包括氧化铟锡（ITO）。第一中间层210和第二中间层220可以包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

举一个例子，第一中间层210和第二中间层220可以由ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂形成，并且可以适当地选择它们的折射率。此时，基于低折射率材料、中等折射率材料和高折射率材料在下面的表1中对它们进行分类。

表1

为了使第一中间层210具有第一折射率并且第二中间层220具有比第一折射率低的第二折射率，第一中间层210可以由高折射率材料形成，第二中间层220可以由中等折射率材料或低折射率材料形成。就是说，第一中间层210可以包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅，第二中间层220可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂。

或者，第一中间层210可以由中等折射率材料形成，第二中间层220可以由低折射率材料形成。就是说，第一中间层210可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂，第二中间层220可以包括MgF₂和SiO₂。

然而，本发明不限于此，即使使用了相同的高折射率材料（或中等折射率材料或低折射率材料），但是如果第一中间层210的折射率相对高于第二中间层220的折射率，就应当被认为在本发明的范围内。

因此，本实施例可以提高板件的透射率。举一个例子，如果将由Nb₂O₅构成的第一中间层210、由SiO₂构成的第二中间层220和由ITO构成的透明导电层130顺序地布置在基础衬底110上，则其透射率为95%。

就是说，与现有技术的光透射率为91%的板件（其中SiO₂层和ITO顺序地布置在基础衬底上）相比，显然，根据实施例的板件具有显著提高的光透射率。

这里，考虑光学特性和/或电学特性，第一中间层210、第二中间层220和透明导电层130中每一层的厚度可以在1nm到100nm的范围内。

此外，如图2所示，如果透明导电层130a被图案化，则形成的图案从外部不可见。在此情形中，通过调节第二中间层220和透明导电层130a的折射率，本实施例可以防止从外部识别出透明导电层130a。

更详细地，如果透明导电层130A中有图案的部分的折射率是R0，没有图案的部分折射率为R1，则当满足以下关系式时，不能从外部识别出透明导电层130a的图案。

[关系式]

R0-R1<0.7%

此时，折射率是1减去透射率之后的值，因而通过调节折射率，使透明导电层130a的图案不能被识别出。

在下文中，将参照图3详细描述根据另一实施例的板件。将省略与第一实施例相同或相似的结构的详细描述，并且将仅更详细地描述不同部分。

图3是示出根据第二实施例的用于触摸面板的板件的剖视图。

参照图3，与第一实施例相比，板件还包括在基础衬底110的第二侧（以下称为下表面）上的外层240和250。外层240和250包括在基础衬底110的下表面上的第一外层240和在第一外层240上的第二外层250。

此时，第二外层250的折射率可以小于第一外层240的折射率。与此类似，在层叠折射率相对高的第一外层240和折射率相对低的第二外层250之后，利用光学干涉现象可以降低反射率。

在上述描述和附图中，尽管外层240和250由两层形成，但本发明不限于此。因此，当多个外层240和250变得远离基础衬底110并且它们的折射率变小时，这也被认为在本发明的范围内。

第一外层240和第二外层250中的每一个可以包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr,、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。举一个例子，外层240和250可以由ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂形成，并且可以考虑折射率从它们中适当地选择。

为了使第一外层240具有比第二外层250的折射率高的折射率，第一外层240可以由高折射率材料形成，第二外层250可以由中等或低折射率材料形成。就是说，第一外层240可以包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅，第二外层250可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂。

或者，第一外层240可以由中等折射率材料形成，第二外层250可以由低折射率材料形成。就是说，第一外层240可以包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂，第二外层250可以包括MgF₂和SiO₂。

然而，本发明不限于此，即使使用了相同的高折射率材料（或中等折射率材料或低折射率材料），但是如果第一外层240的折射率相对高于第二外层250的折射率，就应当被认为在本发明的范围内。

这里，考虑光学特性和/或电学特性，第一外层240和第二外层250中每一层的厚度可以在1nm到100nm的范围内。

本实施例通过使用第一外层240和第二外层250可以进一步提高板件的透射率。

举一个例子，如果将由Nb₂O₅构成的第一中间层210、由SiO₂构成的第二中间层220和由ITO构成的透明导电层130顺序地布置在基础衬底110的上表面上，并且将由Nb₂O₅构成的第一外层240、由SiO₂构成的第二外层250顺序地布置在基础衬底110的下表面上，则其透射率为98%。

就是说，与现有技术的光透射率为91%的板件（其中SiO₂层和ITO顺序地形成在基础衬底上）相比，很明显根据一个实施例的板件具有显著提高的光透射率。另外，该实施例的板件比第一实施例的板件具有更优异的透射率。

此外，本实施例的板件可以应用于电阻层式触摸面板和静电电容式触摸面板。因此，可以提高触摸面板的光学特性。

下面将参照图4描述根据实施例的板件制造方法。将省略重复描述。图4是图示根据一个实施例的板件制造方法的流程图。

首先，在操作S1，在基础衬底上形成第一中间层和第二中间层。这里，基础衬底可以是上述塑料片或塑料膜。

接着，在操作S2，在第二中间层上层叠具有比第二中间层的折射率小的折射率的透明导电层。例如，透明导电层可以包括ITO。

接着，在操作S3，对透明导电层进行曝光和显影，以便进行图案化。这里，可以在多电阻层式或静电电容式触摸面板中使用图案化。

然后，可以在基础衬底的第二侧上进一步形成至少一个外层。

本说明书中任意涉及的一个实施例、实施例、示例性实施例等表示联系该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中不同位置出现的这些短语不必要都指同一实施例。此外，当联系任意实施例描述具体特征、结构或特性时，应当认为联系其它实施例实现这些特征、结构或特性在本领域技术人员可以预见的范围内。

尽管已经参照一些示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本领域技术人员可以推导出的许多其它改进和实施例将落在本公开原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，可以对所讨论的结合布置的组成部件和/或布置方式进行各种变型和改进。除了对组成部件和/或布置方式进行变型和改进之外，替换使用对本领域技术人员来说也是显而易见的。

Claims

1.一种用于触摸面板的板件，包括：

基础衬底；

第一中间层，布置在所述基础衬底的第一侧上并且具有第一折射率；

第二中间层，布置在所述第一中间层上并且具有比第一折射率低的第二折射率；以及

透明导电层，布置在所述第二中间层上。

2.根据权利要求1所述的板件，其中，所述透明导电层具有比所述第二折射率低的第三折射率。

3.根据权利要求1所述的板件，进一步包括在所述基础衬底的第二侧上的至少一个外层。

4.根据权利要求3所述的板件，其中，所述外层包括：

第一外层，布置在所述基础衬底的第二侧上；以及

第二外层，布置在所述第一外层上并且具有比所述第一外层的折射率低的折射率。

5.根据权利要求4所述的板件，其中，所述第一外层和所述第二外层中的每一个包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的板件，其中，所述第一外层包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅中的至少一种，所述第二外层包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的板件，其中，所述第一外层包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂中的至少一种，所述第二外层包括MgF₂和SiO₂中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的板件，其中，所述第一中间层、所述第二中间层和所述透明导电层中每一个的厚度在从1nm到100nm的范围内。

9.根据权利要求3所述的板件，其中，所述外层的厚度在从1nm到100nm的范围内。

10.根据权利要求1所述的板件，其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的每一个包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的板件，其中，所述第一中间层包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅中的至少一种，所述第二中间层包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的板件，其中，所述第一中间层包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂中的至少一种，所述第二中间层包括MgF₂和SiO₂中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的板件，其中，所述透明导电层包括各自隔开的图案；并且

当被具有所述图案的部分反射的光的反射率为R0，并且被没有所述图案的部分反射的光的反射率为R1时，R0和R1满足以下条件，

R0-R1<0.7%。

14.一种用于触摸面板的板件的制造方法，所述方法包括：

在基础衬底的第一侧上形成具有第一折射率的第一中间层；

在所述第一中间层上形成具有比所述第一折射率低的第二折射率的第二中间层；以及

在所述第二中间层上形成透明导电层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述透明导电层具有比所述第二折射率低的第三折射率。

16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在所述基础衬底的第二侧上形成至少一个外层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述外层包括：

第一外层，布置在所述基础衬底的第二侧上；以及

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的每一个包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一中间层包括ZrO₂、Pb₅O₁₁、TiO₂、Ta₂O₅和Nb₂O₅中的至少一种，所述第二中间层包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃、HfO₂、MgF₂和SiO₂中的至少一种。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一中间层包括Al₂O₃、CeF₃、SiO、In₂O₃和HfO₂中的至少一种，所述第二中间层包括MgF₂和SiO₂中的至少一种。