CN102598863A - 引导部件、基板、基板筒、基板处理装置、引导部件连接方法、显示元件的制造方法及显示元件的制造装置 - Google Patents

引导部件、基板、基板筒、基板处理装置、引导部件连接方法、显示元件的制造方法及显示元件的制造装置 Download PDF

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Abstract

引导部件具备与基板连接的连接部、和被用于至少上述基板与上述连接部之间的对位的位置基准部。

Description

引导部件、基板、基板筒、基板处理装置、引导部件连接方法、显示元件的制造方法及显示元件的制造装置
技术领域
本发明涉及引导部件、基板、基板筒、基板处理装置、引导部件连接方法、显示元件的制造方法以及显示元件的制造装置。
本申请基于2009年11月19日提出的特愿2009-263752号主张优先权,将其内容援引至此。
背景技术
作为构成显示器装置等显示装置的显示元件,公知有例如有机电致发光(有机EL)元件。有机EL元件成为在基板上具有阳极以及阴极,并且具有夹在这些阳极与阴极之间的有机发光层的构成。有机EL元件形成为从阳极向有机发光层注入空穴,在有机发光层中使空穴与电子复合,通过该复合时的发光得到显示光。有机EL元件在基板上例如形成有与阳极以及阴极连接的电路等。
作为制作有机EL元件的方法之一,公知有例如被称作卷对卷(rollto roll)方式(以下简记为“卷方式”)的方法(例如参照专利文献1)。卷方式是一边放出卷在基板供给侧的辊上的1张片材状的基板并利用基板回收侧的辊卷取被放出的基板,一边传送基板,从基板被放出到被卷取的期间,依次在基板上形成构成有机EL元件的发光层、阳极、阴极、电路等的方法。
在专利文献1所记载的构成中,成为例如基板放出用辊以及基板卷取用辊可以相对制造线拆卸的构成。拆下的辊例如可以被传送到其他的制造线,并安装于其他的制造线而使用。该构成中,在辊与制造线之间进行基板的收授,而且制造线内的基板的收授频繁地进行。
专利文献1:国际公开第2006/100868号小册子
但是,在上述构成中,没有进行例如辊与制造线间的传送、制造线内的辊间的传送等的应对措施,从基板的传送精度的观点出发有可能产生问题。
发明内容
本发明方式的目的在于,使基板的传送精度提高。
本发明的第1方式提供一种引导部件,该引导部件具备:连接部,其与基板连接;以及位置基准部,其被用于至少上述基板与上述连接部之间的对位。
本发明的第2方式提供一种基板,该基板具备:被向规定方向传送的基板主体和与该基板主体的端部连接的引导部,使用本发明的引导部件作为该引导部。
本发明的第3方式提供一种基板筒,该基板筒具备收纳基板的筒主体,作为基板,收纳本发明的基板。
本发明的第4方式提供一种基板处理装置,该基板处理装置具备:处理基板的基板处理部、向该基板处理部搬入基板的基板搬入部和从该基板处理部搬出基板的基板搬出部,使用本发明的基板筒作为基板搬入部以及基板搬出部中的至少一方。
本发明的第5方式提供一种引导部件连接方法,该引导部件连接方法用于使引导部件与基板连接,包括:使基板与引导部件的位置对准的对位工序、和在该对位工序之后将基板与引导部件连接的连接工序。
本发明的第6方式提供一种显示元件的制造方法,该显示元件的制造方法包括在基板处理部中处理基板的工序、和使用本发明的引导部件向该基板处理部供给该基板的工序。
本发明的第7方式提供一种显示元件的制造装置,该显示元件的制造装置具备:传送单元,其传送与基板连接的本发明的引导部件;以及基板处理部,其对该基板进行处理。
根据本发明的方式,能够使基板的传送精度提高。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的引导部件的构成的俯视图。
图2是表示本实施方式涉及的引导部件的构成的剖视图。
图3是表示本实施方式涉及的基板筒的构成的立体图。
图4是表示本实施方式涉及的基板筒的构成的剖视图。
图5A是表示本实施方式涉及的基板筒的一部分构成的立体图。
图5B是表示本实施方式涉及的基板筒的一部分构成的剖视图。
图6A是由本实施方式涉及的基板处理装置形成的有机EL元件的构成图。
图6B是由本实施方式涉及的基板处理装置形成的有机EL元件的构成图。
图6C是由本实施方式涉及的基板处理装置形成的有机EL元件的构成图。
图7是表示本实施方式涉及的基板处理装置的构成的图。
图8是表示本实施方式涉及的基板处理部的构成的图。
图9是表示本实施方式涉及的液滴涂敷装置的构成的图。
图10是表示本实施方式涉及的薄膜基板FB的制造过程的图。
图11A是表示本实施方式涉及的基板筒的收纳动作的图。
图11B是表示本实施方式涉及的基板筒的收纳动作的图。
图12是表示本实施方式涉及的基板筒的连接动作的图。
图13是表示本实施方式涉及的基板筒的连接动作的图。
图14是表示本实施方式涉及的基板处理部的隔壁形成工序的图。
图15是表示在本实施方式涉及的薄膜基板(片材基板)上形成的隔壁的形状以及配置的图。
图16是表示在本实施方式涉及的薄膜基板(片材基板)上形成的隔壁的剖视图。
图17A是表示本实施方式涉及的液滴的涂敷动作的图。
图17B是表示本实施方式涉及的液滴的涂敷动作的图。
图18A是表示本实施方式涉及的在隔壁间形成的薄膜的构成的图。
图18B是表示本实施方式涉及的在隔壁间形成的薄膜的构成的图。
图19是表示在本实施方式涉及的薄膜基板(片材基板)上形成栅极绝缘层的工序的图。
图20是表示将本实施方式涉及的薄膜基板(片材基板)的布线切断的工序的图。
图21是表示本实施方式涉及的在源极漏极形成区域中形成薄膜的工序的图。
图22是表示本实施方式涉及的形成有机半导体层的工序的图。
图23是表示本实施方式涉及的对准的一例的图。
图24是表示本实施方式涉及的基板筒的拆卸动作的图。
图25是表示本实施方式涉及的基板处理装置的其他构成的图。
图26是表示本实施方式涉及的基板处理装置的其他构成的图。
图27是表示本实施方式涉及的基板处理装置的其他构成的图。
图28是表示本实施方式涉及的基板处理装置的其他构成的图。
图29是表示本实施方式涉及的薄膜基板的其他构成的图。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下,参照附图来说明本发明的第1实施方式。
(薄膜基板、引导部件)
图1是表示薄膜基板FB的构成的俯视图。图1是表示薄膜基板FB的俯视构成的图,图2是表示薄膜基板FB的剖视构成的图。
如图1以及图2所示,薄膜基板(基板)FB成为具有引导部件(包头部件)LDR以及薄膜(基板主体)F,且引导部件LDR与薄膜F被粘贴而连接的构成。
引导部件LDR是俯视下形成为大致矩形的片材状部件。作为构成引导部件LDR的材料,例如可以举出不锈钢、塑料等。在引导部件LDR的沿着一边(图中左侧的边)200a的区域形成有阶梯部201。阶梯部201形成在引导部件LDR的例如一面(图2的下面)200b上。引导部件LDR中的形成了阶梯部201的部分比其他部分薄。
薄膜基板FB成为引导部件LDR的阶梯部201例如通过热熔敷或者借助粘合剂被粘贴在薄膜F的端部Fa的构成。这样,引导部件LDR的阶梯部201作为与具有可挠性的薄膜F连接的连接部而使用。引导部件LDR被粘贴成在边200a的延伸方向从薄膜F稍微突出。因此,在边200a的延伸方向,薄膜F的端部的整体被引导部件LDR覆盖。
在本实施方式中,作为引导部件LDR的连接对象的薄膜F,例如可以举出具有可挠性并被卷成卷状而使用的带状薄膜等。作为这样的薄膜的构成材料,例如可以使用耐热性的树脂薄膜、不锈钢等。例如树脂薄膜可以使用聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯-乙烯醇共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂等材料。薄膜F的短边方向(图1的上下方向)的尺寸被形成为例如1m~2m左右,长边方向(图1的左右方向)的尺寸被形成为例如10m以上。在图1以及图2中,表示了引导部件LDR与薄膜F的长边方向的一端连接的构成,本实施方式中,实际上成为引导部件LDR分别与薄膜F的长边方向的两端连接的构成。此外,上述的尺寸只不过是一个例子,并不限于此。例如薄膜基板(片材基板)FB的Y方向的尺寸也可以为50cm以下,还可以为2m以上。另外,薄膜基板(片材基板)FB的X方向的尺寸也可以为10m以下。另外,本实施方式中的可挠性是指例如即使向基板施加至少自重程度的规定的力也不会断线、破损,可以使该基板弯曲的性质。上述可挠性根据该基板的材质、大小、厚度或者温度等环境等而变化。
优选薄膜F的热膨胀系数小,以便例如受到200℃左右的热量,尺寸也不变化。例如可以将无机填料混合于树脂薄膜来减小热膨胀系数。作为无机填料的例子,可以举出氧化钛、氧化锌、氧化铝、氧化硅等。
本实施方式涉及的引导部件LDR被形成为比薄膜F的刚性高。作为这样的构成的具体例,例如可以举出使引导部件LDR的厚度形成得比薄膜F的厚度厚的构成、使用比薄膜F的构成材料刚性高的材料作为引导部件LDR的构成材料的构成等。在本实施方式中,如图2所示,引导部件LDR的厚度t1形成得比薄膜F的厚度t2厚。
通过使引导部件LDR的刚性比薄膜F的刚性高,例如薄膜F的端部Fa被支承。由此,在传送薄膜F、进行卷取或放出薄膜F时等对薄膜F进行处理的情况下,薄膜F的端部Fa受到保护而能防止弯折、变形等。
如图2所示,在将薄膜F粘贴到阶梯部201的状态下,例如薄膜F的图中下面(面Fc)与引导部件LDR的图中下面(面200b)几乎成为共面状态。为了得到这样的构成,例如只要预先求出薄膜F的厚度(在使用了粘合剂的情况下还包括粘合剂的厚度)t2,并按照该厚度t2与阶梯部201的高度相等的方式形成该阶梯部201即可。在如本实施方式那样引导部件LDR与薄膜F几乎为共面状态的构成中,例如当在平坦的台上载置薄膜基板FB时,能够实现无间隙的载置。
如图1所示,在引导部件LDR中的阶梯部201的附近,设置有成为与薄膜F之间进行对位的基准的位置基准部202。在本实施方式中,该位置基准部202例如形成为矩形的标记(图中是3根线)。位置基准部202例如在引导部件LDR中的对置的边200c以及边200d的边缘部分各设置1个。
相对该位置基准部202,在薄膜F上形成有薄膜侧位置基准部Fd。薄膜侧位置基准部Fd例如形成为与位置基准部202相同的标记(3根线的标记)。薄膜侧位置基准部Fd例如在薄膜F的短边方向的两端各设置1个。2个薄膜侧位置基准部Fd间的该短边方向的距离与同一方向上的2个位置基准部202间的距离相等。在本实施方式中,通过将设于引导部件LDR的位置基准部202的位置与设于薄膜F的薄膜侧位置基准部Fd的位置对其,在引导部件LDR与薄膜F之间进行对位。因此,可以高精度地进行引导部件LDR与薄膜F之间的对位。
在引导部件LDR中的例如俯视下远离阶梯部201的位置设置有多个开口部203。多个开口部203被配置在与形成了阶梯部201的边200a的延伸方向相同的方向。多个开口部203例如隔开一定的间隔配置。在各开口部203中插入并挂上例如对引导部件LDR进行保持的传送部件等的一部分。因此,能够容易地传送引导部件LDR。此外,作为便于传送引导部件LDR的构成,并不限于多个开口部203,也可以是仅设置1个开口部203的构成。另外,作为开口部203的形状,不限于图1所示那样的矩形,也可以是圆形、三角形、多边形等其他形状。另外,也可以将开口部203作为上述的位置基准部202而使用。
另外,不限于在引导部件LDR上设置开口部203的构成,例如也可以是设置了不贯通引导部件LDR的表里那样的凹部的构成。在形成了凹部的情况下,也成为能够挂住传送部件等的一部分的构成。另外,也可以是在引导部件LDR中的除了形成阶梯部201的边200a之外的边上形成切口部的构成。该情况下,成为可以在该切口部中挂住传送部件等的一部分的构成。
在引导部件LDR中的例如位置基准部202与开口部203之间的区域,设置有信息保持部204。信息保持部204中例如形成有图1所示那样的一维条形码图案等。条形码图案是能够通过例如外部的条形码检测装置等检测出的图案。作为条形码图案中包含的信息,例如可以举出引导部件LDR的ID、或者与引导部件LDR的连接对象的薄膜F相关的信息(例如对薄膜F的加工信息、薄膜F的长度、薄膜F的材质等规格值等)等。在本实施方式中,例如将信息保持部204设置在引导部件LDR中的对置的边200c以及边200d各自的边缘部分,但并不限于此,例如也可以是在引导部件LDR的其他位置(例如中央部等)形成了信息保持部204的构成。另外,信息保持部204不限于具有图1所示那样的一维条形码图案的构成,例如也可以是具有二维条形码图案的构成,还可以是嵌入了IC标签等的构成、形成了存储元件的图案的构成。另外,不限于信息保持部204被设置在2个位置的构成,例如也可以是信息保持部204被设置在1个位置或者3个位置以上的构成。
(基板筒)
接下来,对收纳上述薄膜基板FB的基板筒的构成进行说明。在以下的说明中,为了便于说明,设定了XYZ正交坐标系,参照该XYZ正交坐标系来对各部件的位置关系进行说明。
图3是表示本实施方式涉及的基板筒1的构成的立体图。图4是表示沿着图3中的A-A’截面的构成的图。如图3以及图4所示,基板筒1具有筒主体2以及装配部3。
筒主体2是收纳薄膜基板FB的部分。如图4所示,筒主体2具有收纳部20、基板传送部(传送机构)21、基板引导部22、第2基板传送部36以及第2基板引导部37。而且,上述的装配部3被设置于筒主体2。另外,例如筒主体2为铝制或者硬铝制等。
如图3以及图4所示,收纳部20是收纳薄膜基板FB的部分。收纳部20形成为圆筒状,以便能够收纳例如被卷成卷状的薄膜基板FB,并且被设置成一部分向+X侧突出(突出部23)。在本实施方式中,以沿图中Y方向延伸的状态配置。收纳部20具有盖部25以及基板驱动机构24。
盖部25被设置在收纳部20的+Y侧端部或者-Y侧端部。盖部25被设置成可以相对收纳部20装卸。通过使盖部25相对收纳部20装卸,可以直接进入收纳部20的内部。作为盖部25的开闭机构,例如可以是在盖部25以及收纳部20上设置了相互卡合的螺纹牙的构成,也可以是用铰链机构将盖部25与收纳部20连接的构成。
基板驱动机构24是进行卷取薄膜基板FB的动作以及放出薄膜基板FB的动作的部分。基板驱动机构24被设置在收纳部20的内部。基板驱动机构24具有辊部(轴部)26以及导向部27。如图4所示,辊部26具有旋转轴部件26a、扩径部26b以及圆筒部26c。
旋转轴部件26a例如是由铝等刚性高的金属形成的圆柱状部件。旋转轴部件26a被例如设置在盖部25的中央部的开口部25a以及轴承部件25b支承为可以旋转。该情况下,旋转轴部件26a的中心轴例如成为与Y方向平行的状态,旋转轴部件26a向θY方向旋转。
旋转轴部件26a与未图示的旋转驱动机构连接。通过旋转驱动机构的驱动控制,旋转轴部件26a以中心轴为中心进行旋转。如图4所示,旋转驱动机构可以使旋转轴部件26a例如向+θY方向以及-θY方向中的任意一个方向旋转。
扩径部26b以均匀的厚度形成于旋转轴部件26a的表面。扩径部26b形成为与旋转轴部件26a一体旋转。圆筒部26c在剖视下以均匀的厚度形成于扩径部26b的表面。圆筒部26c被粘接成覆盖扩径部26b的周围。因此,圆筒部26c与旋转轴部件26a以及扩径部26b一同一体地旋转。
图5A是表示辊部26的构成的立体图,图5B是将辊部26的构成放大表示的剖视图。如图5A以及图5B所示,圆筒部26c在内径部分具有凹部26e。凹部26e例如从圆筒部26c的旋转轴方向(图中Y方向)的一端到另一端沿着该旋转轴方向形成。在圆筒部26c中的设置有凹部26e的部分的外面侧设置有开口部26d。开口部26d沿着旋转轴方向配置有多个。在本实施方式中,开口部26d例如被设置在薄膜基板FB的与设于引导部件LDR的开口部203对应的位置。优选开口部26d的个数被设置成与引导部件LDR的开口部203的个数一致,当然也可以是与开口部203的个数不一致的构成。
在凹部26e中设置有插入到引导部件LDR的该开口部203而与之卡合的卡合机构28。卡合机构28具有爪部件28a以及按压部件28b。爪部件28a被设置成可以相对开口部26d插拔。按压部件28b是按压该爪部件28a以使爪部件28a从开口部26d突出到圆筒部26c的外面上的弹性部件。按压部件28b通过对爪部件28a向内径侧作用力而发生弹性变形。爪部件28a通过该按压部件28b的弹性变形而被收纳在开口部26d内。
在本实施方式中,当没有卷绕薄膜基板FB时,爪部件28a成为通过按压部件28b而突出到圆筒部26c的外面上的状态。圆筒部26c利用具有使薄膜基板FB粘接的程度的粘着性的材料形成。
另外,如图4所示,导向部27具有转动部件(第1引导部件)27a以及前端部件(第1引导部件)27b。转动部件27a被设置成例如一端借助轴部27c被安装于收纳部20,能够以该轴部27c为中心向θY方向转动。转动部件27a与未图示的旋转驱动机构连接。
前端部件27b剖视下与转动部件27a的另一端连接。前端部件27b形成为剖视下具有圆弧状的曲面。薄膜基板FB经由设于前端部件27b的该剖视为圆弧状的+Z侧的曲面被向辊部26引导。前端部件27b与转动部件27a一体转动。例如当转动部件27a向远离辊部26的方向(辊部26的直径方向的外侧方向)转动时,沿着收纳部20的内周抵接。因此,可避免前端部件27b与被卷在辊部26上的薄膜基板FB之间的接触。
装配部3是与基板处理部102连接的部分。装配部3例如被设置在设于收纳部20的突出部23的+X侧端部。装配部3具有用于与基板处理部102连接的插入部3a。当基板筒1作为基板供给部101而使用时,装配部3与基板处理部102的供给侧连接部102A连接。当基板筒1作为基板回收部103而使用时,装配部3与基板处理部102的回收侧连接部102B连接。装配部3在与基板处理部102的基板供给部101以及基板回收部103的任意一方连接的情况下,都连接成可以装卸。
装配部3上设置有开口部34以及第2开口部35。开口部34是设置在+Z侧的开口部,是在与筒主体2之间出入薄膜基板FB的部分。在筒主体2中收纳经过该开口部34的薄膜基板FB。筒主体2中收纳的薄膜基板FB经由该开口部34被送出到筒主体2外部。
第2开口部35是设置在-Z侧的开口部,是在与筒主体2之间出入与薄膜基板FB不同的带状第2基板SB的部分。作为这样的第2基板SB,例如可以举出对薄膜基板FB的元件形成面进行保护的保护基板等。例如可以使用夹纸(inserting paper)等作为保护基板。第2开口部35被配置成例如与开口部34隔开间隔。第2开口部35被形成例如与开口部34相同的尺寸以及形状。另外,作为本实施方式中的第2基板SB,也可以使用不锈钢薄板(例如厚度为0.1mm以下等)等具有导电性的材质。该情况下,在第2基板SB与薄膜基板(片材基板)FB一同被收纳到筒主体2中时,若第2基板SB与筒主体2电连接,则可以防止薄膜基板(片材基板)FB带电。
如图4所示,基板传送部21、基板引导部22、第2基板传送部36以及第2基板引导部37例如被设置在突出部23的内部。基板引导部22设置在开口部34与基板传送部21之间。基板引导部22是在开口部34与基板传送部21之间引导薄膜基板FB的部分。基板引导部22具有基板用引导部件22a以及22b。基板用引导部件22a以及22b被对置设置成在Z方向隔开间隙22c,对置面分别与XY平面大致平行。该间隙22c与开口部34连接,薄膜基板FB在开口部34以及间隙22c中移动。
第2基板引导部37是在装配部3与基板传送部21之间引导第2基板SB的部分。第2基板引导部37具有第2基板用引导部件37a、37b以及37c。第2基板用引导部件37a以及37b被对置设置成在Z方向隔开间隙37d,对置面分别与XY平面大致平行。第2基板用引导部件37c被倾斜配置成向+Z侧引导第2基板SB。具体而言,以第2基板用引导部件37c的-X侧端部相对+X侧端部向+Z侧倾斜了的状态配置。
第2基板传送部36在装配部3与基板传送部21之间传送第2基板SB。第2基板传送部36被配置在第2基板用引导部件37a以及37b、与第2基板用引导部件37c之间。第2基板传送部36具有主动辊36a以及从动辊36b。主动辊36a被设置成例如可以向θY方向旋转,并与未图示的旋转驱动机构连接。从动辊36b被配置成与主动辊36a之间隔开间隙,以便在与主动辊36a之间夹持第2基板SB。
基板传送部21在装配部3与收纳部20之间传送薄膜基板FB以及第2基板SB。基板传送部21具有张力辊(张力机构)21a以及测定辊(测定部)21b。张力辊21a是在与辊部26之间对薄膜基板FB以及第2基板赋予张力的辊。张力辊21a被设置成可以向θY方向旋转。在张力辊21a上连接有例如未图示的旋转驱动机构。此外,张力辊21a以及测定辊21b也可以被设置成能够分别向图4中的Z方向移动。
测定辊21b是具有比张力辊21a小的直径的辊。测定辊21b被配置成与张力辊21a之间隔开规定的间隙,以便在与张力辊21a之间可以夹持薄膜基板FB以及第2基板SB。也可以是能够调整测定辊21b与张力辊21a之间的间隙的大小的构成,以满足仅夹持薄膜基板FB的情况与一并夹持薄膜基板FB以及第2基板SB的情况。测定辊21b是随着张力辊21a的旋转而旋转的从动辊。
通过在张力辊21a与测定辊21b之间夹着薄膜基板FB的状态下使张力辊21a旋转,可以一边对薄膜基板FB赋予张力,一边向该薄膜基板FB的卷取方向以及放出方向分别传送薄膜基板FB。
基板传送部21具有例如对测定辊21b的转速、旋转角度进行检测的检测部21c。作为该检测部21c,例如可以使用编码器等。利用该检测部21c例如可以计测经由测定辊21b的薄膜基板FB的传送距离等。
例如在经由开口部34插入薄膜基板FB,并经由第2开口部35插入第2基板SB的情况下,薄膜基板FB以及第2基板SB通过分别被基板引导部22以及第2基板引导部37引导而在汇合部39中汇合。在汇合部39中汇合后的薄膜基板FB以及第2基板SB以汇合的状态被基板传送部21传送。这时,基板传送部21按压薄膜基板FB与第2基板SB而使其密接。因此,基板传送部21兼作向薄膜基板FB按压第2基板SB的按压机构。
(有机EL元件、基板处理装置)
接着,作为利用上述的薄膜基板FB制造的元件的例子,对有机EL元件的构成进行说明。图6A是表示有机EL元件的构成的俯视图。图6B是图6A中的B-B′剖视图。图6C是图6A中的C-C′剖视图。
如图6A~图6B所示,有机EL元件50是在薄膜基板FB上形成栅电极G以及栅极绝缘层I,进而形成源电极S、漏电极D以及像素电极P之后,形成了有机半导体层OS的底部接触型。
如图6B所示,在栅电极G上形成有栅极绝缘层I。在栅极绝缘层I上形成有源极总线SBL的源电极S,并且形成有与像素电极P连接的漏电极D。在源电极S与漏电极D之间形成有有机半导体层OS。至此,完成了场效应型晶体管。另外,如图6B以及图6C所示,在像素电极P之上形成发光层IR,在该发光层IR上形成透明电极ITO。
从图6B以及图6C中可知,在薄膜基板FB上形成有隔壁BA(围堰层)。而且,如图6C所示,源极总线SBL形成于隔壁BA间。这样,通过存在隔壁BA,源极总线SBL被高精度形成,并且像素电极P以及发光层IR也准确地形成。此外,在图6B以及图6C中虽未图示,但栅极总线GBL也与源极总线SBL同样地形成于隔壁BA间。
该有机EL元件50也适用于例如以显示器装置等显示装置为代表的电子设备的显示部等。该情况下,使用例如将有机EL元件50形成为面板状的部件。在这样的有机EL元件50的制造中,需要制成形成了薄膜晶体管(TFT)、像素电极的基板。为了在该基板上的像素电极上精度良好地形成包含发光层的1层以上有机化合物层(发光元件层),需要在像素电极的边界区域容易且精度良好地形成隔壁BA(围堰层)。
图7是表示基板处理装置100的构成的概略图。
基板处理装置100是使用上述的薄膜基板FB形成图6A-图6C所示的有机EL元件50的装置。如图7所示,基板处理装置100具有基板供给部101、基板处理部102、基板回收部103以及控制部104。薄膜F上连接了引导部件LDR的薄膜基板FB被从基板供给部101经过基板处理部102自动地传送给基板回收部103。另外,该薄膜基板FB例如在基板处理装置100的各处理部(例如电极形成部92、发光层形成部93等)之间被自动传送。基板处理装置100可以通过使用薄膜基板FB的引导部件LDR来高精度或者容易地传送薄膜基板FB。控制部104统一控制基板处理装置100的动作。
在以下的说明中,参照与图3~图5B中使用的XYZ正交坐标系相同的坐标系对各部件的位置关系进行说明。其中,对于XYZ正交坐标系,将水平面内的薄膜基板FB的传送方向设为X轴方向,在水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向,分别与X轴方向以及Y轴方向正交的方向(即铅垂方向)设为Z轴方向。而且,将围绕X轴、Y轴以及Z轴的旋转(倾斜)方向分别设为θX、θY以及θZ方向。
基板供给部101与设于基板处理部102的供给侧连接部102A连接。基板供给部101向基板处理部102供给例如被卷成卷状的薄膜基板FB。基板回收部103对在基板处理部102中进行处理后的薄膜基板FB进行回收。例如可使用上述的基板筒1作为基板供给部101以及基板回收部103。
图8是表示基板处理部102的构成的图。
如图8所示,基板处理部102具有传送单元105、元件形成部106、对准部107、基板切断部108、引导部件粘贴装置300以及信息检测装置400。基板处理部102是一边传送由基板供给部101供给的薄膜基板FB,一边在该薄膜基板FB上形成上述的有机EL元件50的各构成要素,并向基板回收部103送出形成了有机EL元件50的薄膜基板FB的部分。
传送单元105具有配置于沿着X方向的位置的多个辊RR(传送部)。通过辊RR旋转,薄膜基板FB也被向X轴方向传送。辊RR可以是从两面夹住薄膜基板FB的橡胶辊,若薄膜基板FB具有穿孔,则也可以是带棘爪的辊RR。这些辊RR中的一部分的辊RR能够向与传送方向正交的Y轴方向移动。此外,传送单元105不限于辊RR,例如也可以是具有至少能够空气吸附引导部件LDR的多个传送带(传送部)的构成。
元件形成部106具有隔壁形成部91、电极形成部92以及发光层形成部93。隔壁形成部91、电极形成部92以及发光层形成部93从薄膜基板FB的传送方向的上游侧到下游侧按该顺序被配置。以下,按顺序说明元件形成部106的各构成。
隔壁形成部91具有压印辊110以及热转印辊115。隔壁形成部91对由基板供给部101送出的薄膜基板FB形成隔壁BA。在隔壁形成部91中,利用压印辊110按压薄膜基板FB,并且为了使按压成的隔壁BA保持形状,利用热转印辊115将薄膜基板FB加热至玻璃转化温度以上。因此,形成在压印辊110的辊表面上的模形状会被转印到薄膜基板FB上。薄膜基板FB通过热转印辊115例如被加热至200℃左右。此外,压印辊110以及热转印辊11也可以具有作为上述传送单元105的传送部的功能。另外,上述传送部也可以构成为根据引导部件LDR的传送方向的长度至少能够向引导部件LDR的传送方向(X方向)移动。
压印辊110的辊表面被镜面抛光,在其辊表面上安装了由SiC、Ta等材料构成的微细压印用模具111。微细压印用模具111形成了薄膜晶体管的布线用的压模(stamper)以及彩色滤光片用的压模。
压印辊110使用微细压印用模具111对薄膜基板FB形成对准标记AM。为了在薄膜基板FB的宽度方向、即Y轴方向的两侧形成对准标记AM,微细压印用模具111具有对准标记AM用的压模。
电极形成部92被设置在隔壁形成部91的+X侧,例如形成使用了有机半导体的薄膜晶体管。具体而言,在形成了图6A-图6C所示那样的栅电极G、栅极绝缘层I、源电极S、漏电极D以及像素电极P后,形成有机半导体层OS。
作为薄膜晶体管(TFT),可以是无机半导体系的薄膜晶体管,也可以是使用了有机半导体的薄膜晶体管。作为无机半导体的薄膜晶体管,公知有非晶硅系的薄膜晶体管,但也可以是使用了有机半导体的薄膜晶体管。如果使用该有机半导体来构成薄膜晶体管,则能够活用印刷技术、液滴涂敷法技术来形成薄膜晶体管。另外,在使用了有机半导体的薄膜晶体管中特别优选如图6A-图6C所示那样的场效应型晶体管(FET)。
电极形成部92具有液滴涂敷装置120、热处理装置BK、切断装置130等。
在本实施方式中,作为液滴涂敷装置120,可以使用例如在形成栅电极G时使用的液滴涂敷装置120G、在形成栅极绝缘层I时使用的液滴涂敷装置120I、在形成源电极S、漏电极D以及像素电极P时使用的液滴涂敷装置120SD、在形成有机半导体OS时使用的液滴涂敷装置120OS等。
图9是表示液滴涂敷装置120的构成的俯视图。图9中表示了从+Z侧观察液滴涂敷装置120时的构成。液滴涂敷装置120沿Y轴方向较长地形成。液滴涂敷装置120中设置有未图示的驱动装置。液滴涂敷装置120通过该驱动装置例如能够沿X方向、Y方向以及θZ方向移动。
在液滴涂敷装置120中形成有多个喷嘴122。喷嘴122被设置在液滴涂敷装置120中的与薄膜基板FB的对置面。喷嘴122例如沿Y轴方向排列,该喷嘴122的列(喷嘴列)例如形成有2列。控制部104可以使所有喷嘴122一并涂敷液滴,也可以对各喷嘴122分别调整涂敷液滴的时机。
作为液滴涂敷装置120,例如可以采用喷墨方式、分液方式等。作为喷墨方式,可举出带电控制方式、加压振动方式、机电转换式、热电转换方式、静电吸附方式等。液滴涂敷法在材料的使用上浪费少,并且可以在希望的位置上准确地配置所希望的量的材料。其中,通过液滴涂敷法涂敷的金属墨水的一滴的量例如为1~300纳克。
另外,如图8所示,液滴涂敷装置120G向栅极总线GBL的隔壁BA内涂敷金属墨水。液滴涂敷装置120I向开关(switching)部涂敷聚酰亚胺系树脂或者氨基甲酸乙酯系树脂的电绝缘性墨水。液滴涂敷装置120SD向源极总线SBL的隔壁BA内以及像素电极P的隔壁BA内涂敷金属墨水。液滴涂敷装置120OS向源电极S与漏电极D之间的开关部涂敷有机半导体墨水。
金属墨水是粒子直径约5nm左右的导电体在室温的溶剂中稳定分散的液体,可以使用碳、银(Ag)或者金(Au)等作为导电体。形成有机半导体墨水的化合物可以是单晶材科,也可以是无定形材料,可以是低分子,也可以是高分子。作为形成有机半导体墨水的化合物中特别优选的化合物,可以举出以并五苯、苯并[9,10]菲、蒽等为代表的缩环系芳香族烃化合物的单结晶或者π共轭系高分子等。
热处理装置BK分别配置在各液滴涂敷装置120的+X侧(基板传送方向下游侧)。热处理装置BK可以对薄膜基板FB放射例如热风、远红外线等。热处理装置BK使用这些放射热来干燥或者烧结(烤焙)薄膜基板FB被涂敷的液滴而使其固化。
切断装置130被设置在液滴涂敷装置120SD的+X侧的、液滴涂敷装置120OS的上游侧。切断装置130例如使用激光等来切断由液滴涂敷装置120SD形成的源电极S和漏电极D。切断装置130具有未图示的光源、和使来自该光源的激光照射到薄膜基板FB上的电流计镜(galvanometer mirror)131。
作为激光的种类,优选对于要进行切断的金属膜是可以被吸收的波长的激光,在波长变换激光中,YAG等的2、3、4倍高次谐波较好。另外,通过使用脉冲型激光器可以防止热扩散,能减少切断部以外的损伤。当材料为铝时,优选采用760nm波长的飞秒激光器。
在本实施方式中,采用了例如使用钛蓝宝石激光器作为光源的飞秒激光照射部。该飞秒激光照射部例如以10KHz~40KHz的脉冲照射激光LL。
由于本实施方式中使用飞秒激光器,所以可以进行亚微米级的加工,能够准确地切断决定场效应型晶体管的性能的源电极S与漏电极D的间隔。源电极S与漏电极D的间隔例如为3μm左右~30μm左右。
除了上述的飞秒激光器以外,也可以使用例如二氧化碳激光器或者绿光激光器等。另外,除了激光器以外,也可以采用通过切割锯等机械地进行切断的构成。
电流计镜131配置在激光LL的光路上。电流计镜131使来自光源的激光LL反射到薄膜基板FB上。电流计镜131被设置成例如能够在θX方向、θY方向以及θZ方向旋转。通过电流计镜131进行旋转,激光LL的照射位置会发生变化。
通过使用上述的隔壁形成部91以及电极形成部92双方,即使不使用所谓的光刻工序,也能够活用印刷技术、液滴涂敷法技术来形成薄膜晶体管等。例如在仅使用了采用印刷技术、液滴涂敷法技术等的电极形成部92时,存在由于墨水的渗透、扩展而不能精度良好地形成薄膜晶体管等的情况。
与此相对,由于通过使用隔壁形成部91来形成隔壁BA,所以可防止墨水的渗透、扩展。另外,决定薄膜晶体管的性能的源电极S与漏电极D的间隔通过激光加工或者机械加工而形成。
发光层形成部93被配置在电极形成部92的+X侧。发光层形成部93在形成了电极的薄膜基板FB上形成例如作为有机EL装置的构成要素的发光层IR、像素电极ITO等。发光层形成部93具有液滴涂敷装置140以及热处理装置BK。
由发光层形成部93形成的发光层IR含有主体化合物和磷光性化合物(也称为磷光发光性化合物)。主体化合物是发光层中含有的化合物。磷光性化合物是观测来自受激三重态的发光的化合物,在室温下产生磷光发光。
在本实施方式中,作为液滴涂敷装置140,使用了例如形成红色发光层的液滴涂敷装置140Re、形成绿色发光层的液滴涂敷装置140Gr、形成蓝色发光层的液滴涂敷装置140Bl、形成绝缘层的液滴涂敷装置140I以及形成像素电极ITO的液滴涂敷装置140IT等。
作为液滴涂敷装置140,与上述的液滴涂敷装置120同样,可以采用喷墨方式或者分液方式。例如在设置空穴传输层以及电子传输层等作为有机EL元件50的构成要素的情况下,另外设置形成这些层的装置(例如液滴涂敷装置等)。
液滴涂敷装置140Re在像素电极P上涂敷R溶液。液滴涂敷装置140Re调整R溶液的喷出量,以使干燥后的膜厚为100nm。作为R溶液,例如主体材料的聚乙烯咔唑(PVK)可使用将红色掺杂剂材料溶解于1,2-二氯乙烷中的溶液。
液滴涂敷装置140Gr在像素电极P上涂敷G溶液。作为G溶液,例如主体材料PVK可使用将绿色掺杂剂材料溶解于1,2-二氯乙烷中的溶液。
液滴涂敷装置140Bl在像素电极P上涂敷B溶液。作为B溶液,例如主体材料PVK可使用将蓝色掺杂剂材料溶解于1,2-二氯乙烷中的溶液。
液滴涂敷装置120I向栅极总线GBL或者源极总线SBL的一部分涂敷电绝缘性墨水。作为电绝缘性墨水,例如可以使用聚酰亚胺系树脂或者氨基甲酸乙酯系树脂的墨水。
液滴涂敷装置120IT在红色、绿色以及蓝色发光层之上涂敷ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)墨水。作为ITO墨水,可使用在氧化铟(In2O3)中添加了几个百分点的氧化锡(SnO2)的化合物等。另外,也可以使用能够用IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶质制作透明导电膜的材料。优选透明导电膜的透过率为90%以上。
热处理装置BK分别配置在各液滴涂敷装置140的+X侧(基板传送方向下游侧)。热处理装置BK与电极形成部92中使用的热处理装置BK同样,可以对薄膜基板FB放射例如热风、远红外线等。热处理装置BK使用这些放射热干燥或者烧结(烤焙)薄膜基板FB被涂敷的液滴来使其固化。
对准部107具有沿着X方向设置的多个对准相机CA(CA1~CA8)。对准相机CA可以在可见光照明下利用CCD或者CMOS摄像,并处理该摄像图像来检测对准标记AM的位置,也可以向对准标记AM照射激光,并接收其散射光来检测对准标记AM的位置。
对准相机CA1配置在热转印辊115的+X侧。对准相机CA1检测由热转印辊115在薄膜基板FB上形成的对准标记AM的位置。对准相机CA2~CA8分别配置在热处理装置BK的+X侧。对准相机CA2~CA8检测经过了热处理装置BK的薄膜基板FB的对准标记AM的位置。
由于经过热转印辊115以及热处理装置BK,所以薄膜基板FB有可能向X轴方向以及Y轴方向伸缩。这样,通过在进行热处理的热转印辊115的+X侧、热处理装置BK的+X侧配置对准相机CA,能够检测因热变形等引起的薄膜基板FB的位置偏差。
对准相机CA1~CA8的检测结果被发送给控制部104。控制部104基于对准相机CA1~CA8的检测结果来进行例如液滴涂敷装置120、液滴涂敷装置140的墨水的涂敷位置与时机的调整、从基板供给部101供给薄膜基板FB的速度或辊RR的传送速度的调整、通过辊RR向Y方向的移动的调整、切断装置130的切断位置和时机等的调整。
引导部件粘贴装置300例如是切断薄膜基板FB的薄膜F、向切断部分粘贴引导部件LDR的装置。引导部件粘贴装置300在基板处理部102内设置有1个或者多个。本实施方式在隔壁形成部91与电极形成部92之间设置1个引导部件粘贴装置300,在电极形成部92与发光层形成部93之间设置1个引导部件粘贴装置300,共计有2个。
引导部件粘贴装置300例如具有切断薄膜F的切断部、对薄膜F形成薄膜侧位置基准部Fd的位置基准形成部、以及进行引导部件LDR的位置基准部与薄膜F的薄膜侧位置基准部Fd的对位的对位部等。
信息检测装置400例如是对上述引导部件LDR的信息保持部204中保持的信息进行检测的装置。由信息检测装置400检测出的信息例如被提供给控制部104。信息检测装置400例如被设置在基板处理部102中的隔壁形成部91的上游侧。通过在隔壁形成部91的上游侧配置信息检测装置400,在基板处理部102对薄膜基板FB的实质上为最初的处理的隔壁形成处理之前,与该薄膜基板FB相关的信息被提供给基板处理部102(或者控制部104)。在基板处理部102中,由于能够以该信息为基础进行如隔壁形成处理那样的各处理,所以可进行与薄膜基板FB的信息对应的最佳处理。此外,信息检测装置400被配置的位置不限于隔壁形成部91的上游侧,只要是能够读取信息保持部204中保持的信息的位置即可,可以是基板处理部102内的任意位置。当在基板处理部102内的处理中活用信息保持部204中保持的信息时,优选被设置在比基板处理部102靠上游侧。此外,在本实施方式中,引导部件粘贴装置300也可以是配置在比隔壁形成部91靠上游的工序中,向薄膜基板FB的规定部分粘贴引导部件LDR的装置。
在本实施方式中,当例如形成了一维条形码作为信息保持部204时,使用一维条形码读取装置作为信息检测装置400。另外,当形成了二维条形码作为信息保持部204时,使用二维条形码的读取装置作为信息检测装置400。同样,当形成了IC标签、存储元件的图案作为信息保持部204时,使用可以读取它们中保持的信息的装置作为信息检测装置400。当然,也可以使用具有能够读取包含上述列举的种类的至少一部分的多种信息的功能的装置作为信息检测装置400。
(薄膜基板的制造动作)
接下来,对制造上述薄膜基板FB的工序进行说明。图10(a)~图10(d)是表示薄膜基板FB的制造工序的图。薄膜基板FB的制造例如由具有与上述的引导部件粘贴装置300同样的构成的装置来进行。引导部件LDR的粘贴例如在未图示的工作台上进行。图10(a)~图10(c)所示的虚线部分是引导部件LDR的粘贴预定位置。
首先,如图10(a)所示,例如利用传送辊210等按照越过引导部件LDR的粘贴预定位置的方式配置薄膜F。在图10(a)中例如表示了从图中右侧向左侧传送薄膜F的例子,但传送方向也可以与之相反。
然后,如图10(b)所示,在薄膜F中的引导部件LDR的粘贴预定位置的传送方向上游侧进行切断,在对传送辊210侧的切片形成了薄膜侧位置基准部Fd之后,向该传送辊210侧传送该薄膜F的端部Fa。另外,从薄膜F上切掉的切片F0例如固定在被切断时的位置。
然后,如图10(c)所示,使薄膜F的端部Fa配置于连接位置。该连接位置成为例如与引导部件LDR的粘贴预定位置的阶梯部201对应的位置。在配置薄膜F时,例如可以一边通过对准照相机CA300等检测在薄膜F上形成的薄膜侧位置基准部Fd,一边调整位置。
然后,如图10(d)所示,在薄膜F与引导部件LDR之间进行对位(对位工序),在该对位后,向薄膜F粘贴引导部件LDR而将两者连接(连接工序)。
在对位工序中,使用设于薄膜F的薄膜侧位置基准部Fd与设于引导部件LDR的位置基准部202来检测薄膜F的图中上下方向以及图中左右方向的位置、和引导部件LDR的图中上下方向以及图中左右方向的位置(位置检测工序),并根据检测出的位置来调整引导部件LDR的粘贴位置。在位置检测工序中,例如使用对准照相机CA300、CA301等来检测薄膜侧位置基准部Fd以及位置基准部202的位置。例如在对位工序之前,对引导部件LDR形成位置基准部202。
例如如图10(d)所示,在连接工序中,使用热压接辊211等将薄膜F与引导部件LDR热压接。也可以在引导部件LDR上预先涂敷热熔敷型的粘合剂,通过使该粘合剂熔敷来将薄膜F与引导部件LDR连接。
其中,在本实施方式中,由于薄膜F与引导部件LDR对位,所以薄膜F上的形成有机EL元件50的区域(后述的元件形成区域60)会间接地与引导部件LDR对位。在本实施方式中,由于引导部件LDR通过传送单元105被高精度地传送,所以薄膜F中的元件形成区域60通过引导部件LDR被高精度地对位。
(向基板筒收纳薄膜基板的动作)
接下来,说明向上述那样构成的基板筒1中收纳薄膜基板FB的收纳动作。图11A以及图11B是表示收纳动作时的基板筒1的状态的图。为了便于判别图,在图11A及图11B中用虚线表示了基板筒1的外形。
如图11A所示,在向基板筒1中收纳薄膜基板FB时,以在支承体HD上保持基板筒1的状态,从开口部34插入薄膜基板FB。在插入薄膜基板FB时,预先处于使张力辊21a以及旋转轴部件26a(辊部26)旋转的状态。
通过开口部34而插入的薄膜基板FB被基板引导部22引导至基板传送部21。在基板传送部21中,薄膜基板FB被夹在张力辊21a与测定辊21b之间而向收纳部20侧传送。向收纳部20侧通过了基板传送部21的薄膜基板FB一边由于自重而向-Z方向弯曲,一边被引导。在本实施方式中,由于导向部27被设置在薄膜基板FB的-Z侧,所以薄膜基板FB沿着导向部27的转动部件27a以及前端部件27b被向辊部26引导。
当薄膜基板FB的前端到达辊部26的圆筒部26c时,从圆筒部26c突出的爪部件28a被插入到薄膜基板FB的设于引导部件LDR的开口部203内。在该状态下,由于辊部26的各部分一体旋转,所以在爪部件28a与引导部件LDR的开口部203卡合的状态下,薄膜基板FB被卷在圆筒部26c上。
当薄膜基板FB相对辊部26例如被卷了1圈后,如图11B所示,使导向部27退避。通过在该状态下使辊部26旋转,薄膜基板FB渐渐地被卷到辊部26上。被卷取的薄膜基板FB的厚度逐渐变厚,但由于导向部27已经退避,所以薄膜基板FB与导向部27不会接触。
而且,薄膜基板FB被渐渐地卷到圆筒部26c上,爪部件28a被卷取的薄膜基板FB向旋转轴部件26a侧按压。由于该按压力使得按压部件28b弹性变形,爪部件28a被收纳到凹部26e内。在薄膜基板FB被卷取后,例如一边调整张力辊21a的旋转速度与旋转轴部件26a的旋转速度,一边传送薄膜基板FB,以使薄膜基板FB在辊部26与基板传送部21之间不挠曲。在卷取了所希望的长度的薄膜基板FB之后,例如在薄膜基板FB中的开口部34的外侧的部分进行切断。这样,向基板筒1中收纳薄膜基板FB。
(基板处理装置的动作)
接下来,说明如上述那样构成的基板处理装置100的动作。
在本实施方式中,按顺序进行将收纳了薄膜基板FB的基板筒1作为基板供给部101与供给侧连接部102A连接的连接动作、基板供给部101执行的利用基板筒1供给薄膜基板FB的动作、基板处理部102执行的元件形成动作、以及基板筒1的拆卸动作。
首先,说明基板筒1的连接动作。图12是表示基板筒1的连接动作的图。
如图12所示,对于供给侧连接部102A,预先将插入口形成为与装配部3对应的形状。
在连接动作中,以使基板筒1保持在支承体(例如与图11A所示的支承体HD同样的构成)的状态下,进行装配部3与供给侧连接部102A的对位。在对位之后,使装配部3向+X侧移动而插入到基板处理部102中。
然后,对供给动作进行说明。在向基板处理部102供给薄膜基板FB时,例如使基板筒1的旋转轴部件26a(辊部26)以及张力辊21a向与收纳动作时相反朝向旋转,如图13所示,经由开口部34送出薄膜基板FB。这时,上述的引导部件LDR的开头被从开口部34送出。
然后,说明元件形成动作。在元件形成动作中,一边从基板供给部101向基板处理部102供给薄膜基板FB,一边在基板处理部102中在该薄膜基板FB上不断形成元件。在基板处理部102中,通过辊RR来传送薄膜基板FB。
在基板处理部102中,首先利用信息检测装置400来检测引导部件LDR的信息保持部204中保持的信息。控制部104取得例如来自信息检测装置400的信息,并且基于该处理信息来控制以后的基板处理部102的动作。而且,控制部104检测辊RR是否在Y轴方向上偏移,当偏移时,使辊RR移动来修正位置。另外,控制部104一并进行薄膜基板FB的位置修正。
从基板供给部101向基板处理部102供给的薄膜基板FB首先被传送到隔壁形成部91。在隔壁形成部91中,薄膜基板FB被压印辊110与热转印辊115夹持并按压,通过热转印在薄膜基板上形成隔壁BA以及对准标记AM。
图14是表示在薄膜基板FB上形成了隔壁BA以及对准标记AM的状态的图。图15是将图14的一部分放大表示的图。图16是表示沿着图15中的D-D剖面的构成的图。图14以及图15表示了从+Z侧观察薄膜基板FB时的样子。
如图14所示,隔壁BA形成于薄膜基板FB的Y方向中央部的元件形成区域60。如图15所示,通过形成隔壁BA,在元件形成区域60中划分出形成栅极总线GBL以及栅电极G的区域(栅极形成区域52)、和形成源极总线SBL、源电极S、漏电极D以及阳极P的区域(源极漏极形成区域53)。如图16所示,栅极形成区域52剖视下形成为梯形形状。虽省略了图示,但源极漏极形成区域53也为同样的形状。隔壁BA内的宽度W(μm)为栅极总线GBL的线宽。优选该宽度W相对由液滴涂敷装置120G涂敷的液滴直径d(μm)为2倍~4倍左右。
其中,对于栅极形成区域52以及源极漏极形成区域53的剖面形状,优选剖视下为V字形状或者U字形状,以使微细压印用模具11按压了薄膜基板FB后,薄膜基板FB易于剥离。作为其他的形状,例如也可以是剖视下为矩形形状。
另一方面,如图14所示,对准标记AM在薄膜基板FB的Y方向两端部的边缘区域61中形成一对。隔壁BA以及对准标记AM由于相互位置关系较重要,所以被同时形成。如图15所示,在Y轴方向上规定了对准标记AM与栅极形成区域52之间的规定距离PY,在X轴方向上规定了对准标记AM与源极漏极形成区域53之间的规定距离PX。因此,可以基于一对对准标记AM的位置来检测薄膜基板FB的X轴方向的偏移、Y轴方向的偏移以及θ旋转。
在图14以及图15中,对准标记AM按X轴方向的多行隔壁BA设置了一对,但并不限于此,例如也可以按1行隔壁BA设置对准标记AM。另外,若有空间,可以不仅在薄膜基板FB的边缘区域61中,在元件形成区域60中也设置对准标记AM。另外,在图14以及图15中,对准标记AM表示成十字形状,但也可以是圆形标记、倾斜的直线标记等其他标记形状。
接着,薄膜基板FB被传送辊RR传送到电极形成部92。在电极形成部92中,由各液滴涂敷装置120进行液滴的涂敷,在薄膜基板FB上形成电极。
首先通过液滴涂敷装置120G在薄膜基板FB上形成栅极总线GBL以及栅电极G。图17A以及图17B是表示利用液滴涂敷装置120G进行液滴涂敷的薄膜基板FB的样子的图。
如图17A所示,液滴涂敷装置120G在形成了隔壁BA的薄膜基板FB的栅极形成区域52中例如以1~9的顺序涂敷金属墨水。该顺序例如是以金属墨水彼此的张力涂敷成直线状的顺序。图17B是表示例如涂敷了1滴金属墨水后的状态的图。如图17A所示,由于设置了隔壁BA,所以涂敷于栅极形成区域52的金属墨水不扩散地被保持。如此向栅极形成区域52的整体涂敷金属墨水。
在向栅极形成区域52涂敷了金属墨水之后,薄膜基板FB被传送成涂敷了该金属墨水的部分位于热处理装置BK的-Z侧。热处理装置BK对薄膜基板FB上涂敷的金属墨水进行热处理来使该金属墨水干燥。图18A是表示使金属墨水干燥后的栅极形成区域52的状态的图。如图18A所示,通过使金属墨水干燥,金属墨水中包含的导电体层叠成薄膜状。这样的薄膜状的导电体形成于栅极形成区域52的整体,如图18B所示,在薄膜基板FB上形成栅极总线GBL以及栅电极G。
然后,薄膜基板FB被传送到液滴涂敷装置120I的-Z侧。在液滴涂敷装置120I中,向薄膜基板FB涂敷电绝缘性墨水。如图19所示,在液滴涂敷装置120I中,通过源极漏极形成区域53的栅极总线GBL上以及栅电极G上被涂敷电绝缘性墨水。
在涂敷了电绝缘性墨水之后,薄膜基板FB被传送到热处理装置BK的-Z侧,由热处理装置BK对该电绝缘性墨水施以热处理。通过该热处理,电绝缘性墨水干燥,形成栅极绝缘层I。图19中表示了栅极绝缘层I跨在隔壁BA上而形成为圆形形状的状态,但不需要一定跨越隔壁BA来形成。
在形成了栅极绝缘层I之后,薄膜基板FB被传送到液滴涂敷装置120SD的-Z侧。在液滴涂敷装置120SD中,向薄膜基板FB的源极漏极形成区域53涂敷金属墨水。对源极漏极形成区域53中的跨越栅极绝缘层I的部分,例如以图20所示的1~9的顺序喷出金属墨水。
在喷出金属墨水之后,薄膜基板FB被传送到热处理装置BK的-Z侧,进行金属墨水的干燥处理。在该干燥处理之后,金属墨水中包含的导电体被层叠成薄膜状,形成源极总线SBL、源电极S、漏电极D以及阳极P。但在该阶段,处于源电极S与漏电极D之间被连接的状态。
然后,薄膜基板FB被传送到切断装置130的-Z侧。在切断装置130中,薄膜基板FB的源电极S与漏电极D之间被切断。图21是表示利用切断装置130切断了源电极S与漏电极D的间隔的状态的图。在切断装置130中,一边使用电流计镜131调整激光LL向薄膜基板FB的照射位置,一边进行切断。
在源电极S与漏电极D之间被切断后,薄膜基板FB被传送到液滴涂敷装置120OS的-Z侧。在液滴涂敷装置120OS中,薄膜基板FB上被形成有机半导体层OS。按照跨越源电极S以及漏电极D的方式向薄膜基板FB上的与栅电极G重叠的区域喷出有机半导体墨水。
在喷出了有机半导体墨水之后,薄膜基板FB被传送到热处理装置BK的-Z侧,进行有机半导体墨水的干燥处理。在该干燥处理之后,有机半导体墨水中所含的半导体被层叠成薄膜状,如图22所示,形成有机半导体OS。通过以上的工序,在薄膜基板FB上形成场效应型晶体管以及连接布线。
然后,薄膜基板FB被传送辊RR传送到发光层形成部93。在发光层形成部93中,利用液滴涂敷装置140Re、液滴涂敷装置140Gr、液滴涂敷装置140Bl以及热处理装置BK分别形成红色、绿色、蓝色的发光层IR。由于在薄膜基板FB上形成有隔壁BA,所以即使在不利用热处理装置BK对红色、绿色以及蓝色的发光层IR进行热处理而持续涂敷的情况下,溶液也不会向邻接的像素区域溢出而产生混色。
在形成发光层IR之后,薄膜基板FB经过液滴涂敷装置140I以及热处理装置BK形成绝缘层I,经过液滴涂敷装置140IT以及热处理装置BK形成透明电极ITO。经过这样的工序,在薄膜基板FB上形成图1所示的有机EL元件50。
在元件形成动作中,为了在如上述那样一边传送薄膜基板FB一边形成有机EL元件50的过程中,防止薄膜基板FB向X方向、Y方向以及θZ方向偏移,进行了对准动作。以下,参照图23来说明对准动作。
在对准动作中,设于各部的多个对准照相机CA(CA1~CA8)对适当形成在薄膜基板FB上的对准标记AM进行检测,并向控制部104发送检测结果。控制部104基于发送来的检测结果进行对准动作。
例如,控制部104基于对准照相机CA(CA1~CA8)所检测的对准标记AM的摄像间隔等来检测薄膜基板FB的传送速度,判断辊RR是否例如以规定速度旋转。当判断为辊RR未以规定速度旋转时,控制部104发出辊RR的旋转速度的调整指令来加以反馈。
另外,例如控制部104基于对准标记AM的摄像结果来检测对准标记AM的Y轴方向的位置是否偏移,检测是否存在薄膜基板FB的Y轴方向的位置偏移。当检测到位置偏移时,控制部104检测在使薄膜基板FB传送的状态下位置偏移持续了什么程度的时间。
若位置偏移的时间为短时间,则通过切换液滴涂敷装置120的多个喷嘴122中的涂敷液滴的喷嘴122来应对。若薄膜基板FB的Y轴方向的偏移持续了较长时间,则通过辊RR的移动来进行薄膜基板FB的Y轴方向的位置修正。
另外,例如控制部104基于对准照相机CA所检测的对准标记AM的X轴以及Y轴方向的位置来检测薄膜基板FB是否向θZ方向偏移。当检测到位置偏移时,控制部104与检测Y轴方向的位置偏移时同样,检测在传送薄膜基板FB的状态下位置偏移持续了什么程度的时间。
若位置偏移的时间为短时间,则通过切换液滴涂敷装置120的多个喷嘴122中的涂敷液滴的喷嘴122来应对。若偏移持续了较长时间,则使在夹着检测到该偏移的对准照相机CA的位置上设置的2个辊RR向X方向或者Y方向移动,来进行薄膜基板FB的θZ方向的位置修正。
接下来,对拆卸动作进行说明。例如在薄膜基板FB上形成有机EL元件50并回收了薄膜基板FB后,从基板处理部102上卸下作为基板供给部101而使用的基板筒1。
图24是表示基板筒1的拆卸动作的图。
在拆卸动作中,通过使装配部3向-X方向移动而从供给侧连接部102A上卸下。由此卸下装配部3。
如上所述,由于本实施方式涉及的引导部件LDR具备:与具有可挠性的薄膜F连接的连接部(阶梯部201)、以及被用于至少薄膜F与上述连接部(阶梯部201)之间的对位的位置基准部202,所以可以高精度地与薄膜F的所希望的位置连接。
另外,由于本实施方式涉及的薄膜基板FB具备:具有可挠性并被向规定方向传送的薄膜F、以及与该薄膜F的端部连接的本实施方式的引导部件LDR,所以能够可靠地保护薄膜F的端部。由此,能够减少由于薄膜基板FB的传送而产生的薄膜F的弯曲、歪斜等变形。
另外,由于本实施方式涉及的基板筒1具备对具有可挠性的薄膜基板FB进行收纳的筒主体2,所以能够以几乎不产生弯曲、歪斜等的状态收纳薄膜基板FB。另外,由于本实施方式收纳的基板筒1具备对具有可挠性的薄膜基板FB进行收纳的筒主体2,所以能够送出以几乎不产生弯曲、歪斜等的状态收纳的薄膜基板FB。
另外,由于本实施方式涉及的基板处理装置100具备:基板处理部102,其处理具有可挠性的薄膜基板FB;基板供给部101,其向该基板处理部102搬入薄膜基板FB;以及基板回收部103,其从该基板处理部102中搬出薄膜基板FB;并使用本实施方式的基板筒1作为基板供给部101以及基板回收部103中的至少一方,所以能够对以几乎不存在弯曲、歪斜等的状态被供给的薄膜基板FB进行处理,另外,能够对处理后的薄膜基板FB进行收纳。
另外,由于本实施方式涉及的引导部件连接方法是使具有可挠性的薄膜F与引导部件LDR连接的引导部件连接方法,包括使薄膜F与引导部件LDR的位置对准的对位工序、和在该对位工序之后将薄膜F与引导部件LDR连接的连接工序,所以能够高精度地对薄膜F的所希望的位置连接引导部件LDR。
本发明的技术范围并不限定于上述实施方式,可以在不脱离本发明主旨的范围内加以适当变更。
在上述实施方式中,可以按照引导部件LDR的尺寸例如比设于基板处理部102的辊RR中的在传送方向(X方向)邻接的辊RR彼此的间隔长的方式,设定引导部件LDR的X方向的尺寸。由此,由于引导部件LDR在至少由2个以上辊RR支承的状态下被传送,所以可以更可靠地进行传送。
具体而言,可举出如图25所示,将基板处理部102的隔壁形成部91、电极形成部92等各处理部的入口侧的辊RR与出口侧的辊RR的间隔形成为L1以上的长度的构成。另外,也可以如图25所示,将隔壁形成部91、电极形成部92等各处理部的出口侧的辊RR与下一处理部的入口侧的辊RR的间隔形成为L2以上的长度。而且,由于薄膜基板FB至少具有薄膜F以上的刚性,所以各处理部的入口侧的辊RR与出口侧的辊RR的间隔L1或者各处理部的出口侧的辊RR与下一处理部的入口侧的辊RR的间隔L2能够比例如不存在引导部件LDR的情况长。此外,本实施方式中的引导部件LDR的传送方向的长度没有特别限定,例如可以考虑液滴涂敷装置120的传送方向上的长度、各处理部的传送方向上的间隔、处理部为曝光装置时曝光视野的传送方向的宽度等,设定为30cm以上。
此外,当如图25所示,例如上述的隔壁形成部91与电极形成部92作为不同的装置被纳入,并将隔壁形成部91与电极形成部92连结来组装基板处理部102时,基板处理装置100也可以在隔壁形成部91与电极形成部92之间具有桥式导向件BG来作为辅助部。另外,例如在本实施方式中,优选各处理部的出口侧的辊RR的配置高度(Z方向的高度)与下一处理部的入口侧的辊RR的配置高度尽可能为相同的高度,从操作性或者视认性的观点出发,为50cm~100cm的程度。其中,当各处理部的出口侧的辊RR的配置高度与下一处理部的入口侧的辊RR的配置高度相互不同时,只要使上述的桥式导向件BG沿高度方向(Z方向)倾斜配置即可。
另外,例如当引导部件LDR的X方向的尺寸L3比基板处理部102的隔壁形成部91、电极形成部92等各处理部的入口侧的辊RR与出口侧的辊RR的间隔L1小时,也可以如图26所示,成为设置滑爪(slide claw)机构500或者导向板501等作为辅助部的构成。滑爪机构500成为具有可以插入到引导部件LDR的开口部203的突出部的爪(claw)部件500a能够沿着导轨500b在X方向上移动的构成。而且,爪部件500a在移动方向的下游侧的端部可以向-Z方向移动,并能够拔取插入的突出部。另外,如图26所示,作为导向板501,在各处理部(这里例示了电极形成部92)的上游侧设置了2个(导向板501a以及501b),在电极形成部92内的图中X方向两端部各设置1个(导向板501c以及501d),在电极形成部92的下游侧设置2个(导向板501e以及501f)。
另外,在如图27所示,例如隔壁形成部91的构成是通过热转印辊115对薄膜基板FB向+Z侧施加张力的构成的情况下,当引导部件LDR的X方向的尺寸L3比经由热转印辊115的外面的辊RR间的距离L4小时,也可以是配置导向板502、装载用辊503、伯努利吸盘(bernoullipad)504或者盖部件505等作为辅助部的构成。
在图27中,作为装载用辊503,可举出例如被设置成能够与配置在热转印辊115的上游侧的辊RR接近(access)的装载用辊503a、被设置成能够与热转印辊115接近的装载用辊503b、被设置成能够与配置在热转印辊115的下游侧的辊RR接近的装载用辊503c等。
伯努利吸盘504具有例如基于薄膜基板FB的移动而产生负压的伯努利机构,使薄膜基板FB接近伯努利吸盘504侧。由于伯努利吸盘504的负压产生面沿着薄膜基板FB的移动方向设置,所以可避免薄膜基板FB被热转印辊115卷入。
盖部件505例如被设置成空开热转印辊115的与微细压印用模具111抵接的区域,并且覆盖薄膜基板FB的X方向的两端部。因此,薄膜基板FB沿着热转印辊115的外表面移动。
另外,例如上述实施方式说明了在基板处理部102内保持对薄膜基板FB施加着张力的状态来传送的构成,但不限于此,也可以如图28(a)~图28(c)所示,按照使薄膜基板FB挠曲的方式来传送。该情况下,例如如图28(a)所示,在使薄膜基板FB挠曲的停留部分510的上游侧配置导向板506a以及上游侧辊508,并且在停留部分510的下游侧配置下游侧辊509以及导向板506b、506c。另外,例如预先使桥接板507与上游侧辊508连接。桥接板507例如是在上游侧辊508与下游侧辊509之间传递薄膜基板FB的板部件。
在停留部分510中,首先如图28(a)以及图28(b)所示,从停留部分510的上游侧向下游侧经由作为辅助部的桥接板507传送薄膜基板FB的前端的引导部件LDR。引导部件LDR例如在被停留部分510的下游侧的辊RR支承后,如图28(c)所示,将桥接板507解除。由于通过将桥接板507解除,上游侧辊508与上游侧辊508之间不被支承,所以以后传送来的薄膜基板FB的薄膜F沿着停留部分510的形状而挠曲。这样,在停留部分510中可以形成为不使引导部件LDR挠曲,但使薄膜F挠曲的构成。
另外,在上述实施方式中,以形成例如标记等作为引导部件LDR的位置基准部202的构成为例进行了说明,但并不限于此。例如也可以如图29所示,在引导部件LDR的一部分上形成切口部520、530,使用该切口部520、530来进行引导部件LDR与薄膜F之间的对位。
在图29所示的例子中,切口部520以及530被设置在与薄膜F的连接部(阶梯部201)的Y方向两端部(角部)。切口部520以及530例如形成为被容纳于CCD照相机等的摄像区域540、550内。切口部520以及530如图29的放大部分所示那样,分别具有与图中X方向平行的边520a、530a。
当使用该切口部520以及530进行对位时,首先按照切口部520以及530与薄膜F的一部分重叠的方式配置引导部件LDR。在此基础上,例如对边520a以及530a分别求出例如与薄膜F的端边Fa之间的距离ΔX1以及ΔX2。而且,对引导部件LDR的-Y侧的边520b以及+Y侧的边530b,分别求出与薄膜F的-Y侧的边Fg以及+Y侧的边Fh之间的距离ΔY1以及ΔY2。然后,调整引导部件LDR的粘贴位置,以使例如ΔX1=ΔX2、ΔY1=ΔY2。通过该构成,可以不在薄膜F侧另形成标记地进行对位。
附图标记说明:FB...薄膜基板;LDR...引导部件;F...薄膜;Fa...端部;Fd...薄膜侧位置基准部;1...基板筒;2...筒主体;26...辊部;26a...旋转轴部件;26b...扩径部;26c...圆筒部;26e...凹部;26d...开口部;28...卡合机构;28a...爪部件;28b...按压部件;100...基板处理装置;101...基板供给部;102...基板处理部;103...基板回收部;104...控制部;105...传送单元;120...液滴涂敷装置;201...阶梯部;202...位置基准部;203...开口部;204...信息保持部;300...引导部件粘贴装置;400...信息检测装置;520、530...切口部。

Claims (47)

1.一种引导部件,其特征在于,具备:
连接部,其与基板连接;和
位置基准部,其被用于至少所述基板与所述连接部之间的对位。
2.根据权利要求1所述的引导部件,其特征在于,
所述位置基准部是能够以非接触的方式使所述基板与所述连接部对位的位置基准。
3.根据权利要求1或2所述的引导部件,其特征在于,
所述位置基准部包含切口部。
4.根据权利要求3所述的引导部件,其特征在于,
所述切口部形成于所述连接部。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的引导部件,其特征在于,
所述位置基准部包含图案。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的引导部件,其特征在于,
还具备保持与所述基板有关的信息的信息保持部。
7.根据权利要求6所述的引导部件,其特征在于,
所述信息保持部包含第2图案。
8.根据权利要求6或7所述的引导部件,其特征在于,
所述信息保持部包含半导体芯片。
9.根据权利要求6~8中任意一项所述的引导部件,其特征在于,
所述信息保持部被作为所述位置基准部使用。
10.根据权利要求1~9中任意一项所述的引导部件,其特征在于,
还具备1个以上设置在远离所述连接部的位置的开口部。
11.根据权利要求10所述的引导部件,其特征在于,
所述开口部中的至少1个被作为所述位置基准部使用。
12.根据权利要求1~11中任意一项所述的引导部件,其特征在于,
所述基板是显示元件用的基板。
13.一种基板,其特征在于,具备:
基板主体,其被向规定方向传送;和
引导部,其与所述基板主体的端部连接;
并使用权利要求1~12中任意一项所述的引导部件作为所述引导部。
14.根据权利要求13所述的基板,其特征在于,
所述基板主体具有与所述引导部件的所述位置基准部对应的基板侧基准部。
15.根据权利要求13或14所述的基板,其特征在于,
所述引导部件比所述基板主体的刚性高。
16.根据权利要求13~15中任意一项所述的基板,其特征在于,
所述基板主体与所述引导部件在与所述基板主体的传送方向正交的方向上的尺寸相同。
17.根据权利要求13~16中任意一项所述的基板,其特征在于,
所述引导部件具有切口部作为所述位置基准部,
所述基板主体与所述切口部的至少一部分重叠。
18.根据权利要求13~17中任意一项所述的基板,其特征在于,
所述引导部件在所述连接部中具有阶梯部,
所述基板主体与所述阶梯部连接。
19.根据权利要求18所述的基板,其特征在于,
所述阶梯部形成为所述引导部件的一个面与所述基板主体的一个面成为共面状态。
20.一种基板筒,其特征在于,
该基板筒具备收纳基板的筒主体,
作为所述基板,收纳权利要求13~19中任意一项所述的基板。
21.根据权利要求20所述的基板筒,其特征在于,
所述筒主体以卷取了所述基板的状态对其进行收纳。
22.根据权利要求20或21所述的基板筒,其特征在于,
具有执行所述基板的卷取以及送出中的至少一方的基板驱动机构。
23.根据权利要求22所述的基板筒,其特征在于,
所述基板驱动机构具有设置有突出部并且被设置成能够旋转的轴部件,
所述引导部件具有卡合于所述轴部件的所述突出部的开口部。
24.根据权利要求23所述的基板筒,其特征在于,
所述突出部被设置成能够相对所述轴部件的旋转面退避。
25.根据权利要求23或24所述的基板筒,其特征在于,
设于所述基板的所述引导部件形成为对所述轴部件至少能卷取1圈以上的尺寸。
26.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
基板处理部,其对基板进行处理;
基板搬入部,其向所述基板处理部搬入所述基板;以及
基板搬出部,其从所述基板处理部搬出所述基板;
并使用权利要求20~25中任意一项所述的基板筒作为所述基板搬入部以及所述基板搬出部中的至少一方。
27.根据权利要求26所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理部具有检测与所述基板有关的信息的检测部。
28.一种引导部件连接方法,用于使引导部件与基板连接,其特征在于,包括:
对位工序,使所述基板与所述引导部件的位置对准;以及
连接工序,在所述对位工序之后将所述基板与所述引导部件连接。
29.根据权利要求28所述的引导部件连接方法,其特征在于,
所述对位工序具有使用设于所述基板的基板侧位置基准部与设于所述引导部件的位置基准部,来检测所述基板与所述引导部件的位置的位置检测工序。
30.根据权利要求29所述的引导部件连接方法,其特征在于,
在所述对位工序之前,对所述引导部件形成所述位置基准部。
31.根据权利要求29或30所述的引导部件连接方法,其特征在于,
在所述对位工序之前,对所述基板形成所述基板侧位置基准部。
32.根据权利要求29~31中任意一项所述的引导部件连接方法,其特征在于,
所述对位工序使用所述基板的端部作为所述基板侧位置基准部。
33.根据权利要求29~32中任意一项所述的引导部件连接方法,其特征在于,
所述对位工序使用设于所述引导部件的切口部作为所述位置基准部。
34.根据权利要求28~33中任意一项所述的引导部件连接方法,其特征在于,
所述连接工序将所述基板的一部分与所述引导部件的一部分粘贴来进行连接。
35.一种显示元件的制造方法,其特征在于,包括:
使用权利要求1~12中任意一项所述的引导部件来传送基板的工序;以及
在基板处理部中处理所述基板的工序。
36.根据权利要求35所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
所述基板处理部具有至少2个传送所述基板的传送部,
所述引导部件的传送方向的长度为所述2个传送部的配置间隔以上。
37.根据权利要求35所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
所述基板处理部具有至少2个对所述基板进行处理的处理部,
所述引导部件的传送方向的长度为所述2个处理部的配置间隔以上。
38.根据权利要求35~37中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
具有使用对所述引导部件的传送进行辅助的辅助部来传送所述基板的工序。
39.根据权利要求35~38中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
具有对被收纳成至少一部分相互重叠的所述基板进行传送的工序。
40.根据权利要求35~39中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
具有对被收纳成卷状的所述基板进行传送的工序。
41.根据权利要求35~40中任意一项所述的显示元件的制造方法,其特征在于,
所述基板的元件形成区域与所述引导部件对位。
42.一种显示元件的制造装置,其特征在于,具备:
传送单元,其传送与基板连接的权利要求1~12中任意一项所述的引导部件;以及
基板处理部,其对所述基板进行处理。
43.根据权利要求42所述的显示元件的制造装置,其特征在于,具备:
按照所述基板的至少一部分相互重叠的方式收纳所述基板的基板筒。
44.根据权利要求42或43所述的显示元件的制造装置,其特征在于,
具备将所述基板收纳为卷状的基板筒。
45.根据权利要求42~44中任意一项所述的显示元件的制造装置,其特征在于,
所述传送单元具有至少2个传送部,
所述引导部件的传送方向的长度为所述2个传送部的配置间隔以上。
46.根据权利要求42~44中任意一项所述的显示元件的制造装置,其特征在于,
所述基板处理部具有至少2个对所述基板进行处理的处理部,
所述引导部件的传送方向的长度为所述2个处理部的配置间隔以上。
47.根据权利要求42~46中任意一项所述的显示元件的制造装置,其特征在于,
具备对所述引导部件的传送进行辅助的辅助部。
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