TWI470206B - A defect detection method of the display device, and a defect detection device of the display device - Google Patents

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TWI470206B
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Description

顯示裝置的缺陷檢出方法及顯示裝置的缺陷檢出裝置
本發明是關於有機電致發光元件、液晶顯示元件或場發射顯示器(FED：Field Emission Display)等的平板面板顯示元件。另外，關於該顯示裝置的缺陷檢出方法及缺陷檢出裝置。
液晶顯示元件等的顯示元件，具有小型、薄型、低耗電量以及輕量的特徵，故現今被廣泛用於各種的電子機器上。驅動這些顯示元件之驅動電路或薄膜電晶體，一般使用被稱為步進機(stepper)的曝光裝置來進行製造。
但是，尤其液晶顯示元件演進為大型化，來到第八代則會受限於製造成本、裝置輸送等，現今之升級延伸線上的技術已達到無法對應的情況，存在許多難題。另外，為要降低成本，加上基板尺寸擴大的高效率化，還有降低製造成本、降低流程成本、提高大型面板的良品率成為很大的課題。
另外，市場上已開始行銷有機電致發光元件或場發射顯示器等，關於製造這些下一代的顯示元件，降低製造成本、降低流程成本也成為很大的問題。
日本專利文獻1中揭示：以卷狀的可撓性基板來製造液晶顯示元件的方法，作為降低液晶顯示元件的製造成本、降低流程成本的對策。
日本專利文獻2中揭示：用直線感測器，從高精密攝影之液晶面板的圖像，依照研磨不勻或間隙不勻等的各種顯示缺陷種類，選出解像度，以用來進行缺陷檢出之顯示裝置的缺陷檢出方法。
專利文獻1：日本專利第3698749號公報
專利文獻2：日本專利特開2004-279239號公報
如同日本專利文獻1所揭示的實施例，由於卷狀的可撓性基板長達數十米至數百米，當發生致命性缺陷處所的情況，必須停止生產線。一方面，也會有很簡單就可以修理之缺陷處所的情況。
日本專利文獻2中，雖是成為製品之液晶顯示元件的完成品，依照顯示缺陷的種類，選出圖像的解像度，但只是以找出缺陷為目的，並不針對是否為必須修理的缺陷進行判斷。
於是，本發明係提供製程中找出顯示元件之配線等的缺陷處所，並且可以判定是否為可在檢修線上修理的缺陷或為必須停止生產線的缺陷之顯示裝置的缺陷檢出方法及顯示裝置的缺陷檢出裝置。
第一觀點，顯示裝置的缺陷檢出方法具備有：對於顯示裝置的每一部分區域測量特徵量之測量步驟、及判定所測量各部分的特徵量是否在第一範圍內之第一判定步驟、及針對該第一判定步驟中被判定為在第一範圍內的區域，算出該部分區域的特徵量與該部分區域的周圍之部分區域的特徵量之差距之算出部、及判定算出部所算出的差距是否在第二範圍內之第二判定步驟。
利用該缺陷檢出方法，即使部分區域的特徵量在第一範圍內，部分區域與該周邊的部分區域仍有很大差異的話，目視檢查人員則會視為輝度不均。因而，算出部分區域的特徵量與該部分區域的周圍之部分區域的特徵量之差距，將造成輝度不均的原因之缺陷檢測出來。
第二觀點，顯示裝置的缺陷檢出方法具備有：對於顯示裝置的每一部分區域測量特徵量，根據所測量區域的特徵量，計數被判定為缺陷區域的區域之缺陷計數步驟、及缺陷計數步驟中缺陷數大於第一閾值的情況，停止顯示裝置的生產線之步驟、及缺陷計數步驟中缺陷數小於第一閾值的情況，計算特定面積內的缺陷密度之缺陷密度計算步驟、及缺陷密度計算步驟中缺陷密度大於第二閾值的情況，停止顯示裝置的生產線之步驟。
第二觀點，顯示裝置的缺陷檢出方法係計算顯示裝置的缺陷密度，以判定是否要停止生產線。缺陷密度很高的話，缺陷區域會集中在一個處所。這種情況，僅是修理該部分則是無法對應，所以將缺陷密度作為判定的基準。
第三觀點，顯示裝置的缺陷檢出裝置具備有：對於顯示裝置的每一部分區域測量特徵量，判定所測量區域的特徵量是否在第一範圍內之特徵量判定部、及對於該特徵量判定部中被判定為在第一範圍內的部分區域，算出該部分區域的特徵量與該部分區域的周邊之部分區域的特徵量之差距，判定該差距是否在第二範圍內之差距判定部。
即使部分區域的特徵量在第一範圍內，部分區域與該周邊的部分區域仍有很大差異的話，目視檢查人員則會視為輝度不均。因而，該顯示裝置的缺陷檢出裝置，算出部分區域的特徵量與該部分區域的周圍之部分區域的特徵量之差距，將造成輝度不均的原因之缺陷檢測出來。
第四觀點，顯示裝置的缺陷檢出裝置具備有：對於顯示裝置的每一部分區域測量特徵量，根據所測量部分區域的特徵量，計數被判定為缺陷區域之部分區域的缺陷數，判定缺陷數是否大於第一閾值之缺陷數判定部、及缺陷數判定部中被判定為缺陷數小於第一閾值的情況，計算特定面積內所占有的缺陷數，判定特定面積內所占有的前述缺陷數是否大於第二閾值之缺陷密度判定部。
特定面積內所占有的缺陷數大於第二閾值係代表缺陷區域集中在一個處所。這種情況，即使修理該部分，也大多會修理處所仍很顯眼，故第四觀點，顯示裝置的缺陷檢出裝置，將缺陷密度檢測出來。
第五觀點，顯示裝置的缺陷檢出裝置具備有：對於顯示裝置的每一部分區域測量特徵量，根據所測量部分區域的特徵量，計數被判定為缺陷區域之部分區域的缺陷數，並且計算特定面積內所占有的缺陷數，判定特定面積內所占有的缺陷數是否大於第二閾值之缺陷密度判定部。
第五觀點，顯示裝置的缺陷檢出裝置，可以經由將缺陷密度測出來，以進行顯示裝置的缺陷檢出。
本發明中，顯示裝置的缺陷檢出方法及缺陷檢出裝置係在製程中找出顯示元件之配線等的缺陷處所，並且可以判定是否為可在檢修線上修理的缺陷或為必須停止生產線的缺陷。
以本實施形態進行說明之顯示元件的製造裝置為可以應用於有機電致發光元件、液晶顯示元件或場發射顯示器之裝置。以代表例來針對有機電致發光元件的製造裝置和製造方法進行說明。
＜＜有機電致發光元件的製造裝置＞＞
製造有機電致發光元件，必須要將形成薄膜電晶體(TFT)、像素電極的基板形成。為了要精確地將含有發光層之一層以上的有機化合物層(發光元件層)形成在該基板上的像素電極上，必須要既容易又精確地將隔壁BA(觸排層)形成在像素電極的交界區域。
第一圖為表示在可撓性的基板上製造具有像素電極和發光層等的有機電致發光元件50之製造裝置100的構成之概略圖。
有機電致發光元件用的製造裝置100具備有用來送出呈卷狀捲起的帶狀可撓性薄片基板FB之供應捲筒RL。例如薄片基板FB的長度例如為200m以上。供應捲筒RL進行特定速度的旋轉，以使薄片基板FB朝搬送方向也就是朝X軸方向(長軸方向)輸送。另外，有機電致發光元件用的製造裝置100，在複數個處所具備有滾輪RR，藉由旋轉這些滾輪RR，使薄片基板FB朝X軸方向輸送。滾輪RR可以是從兩面來夾入薄片基板FB之橡膠滾輪，若為薄片基板FB具有穿孔的話，也可以是附有棘輪的滾輪RR。
有機電致發光元件用的製造裝置100具備有在最終步驟將薄片基板FB捲取成卷狀之捲取捲筒RE。另外，為了要在缺陷處所的修護步驟進行處理，捲取捲筒RE與供應捲筒RL和滾輪RR同步，以特定速度捲取薄片基板FB。
＜隔壁形成步驟＞
從供應捲筒RL所送出之薄片基板FB，首先進入將隔壁BA形成在薄片基板FB上之隔壁形成步驟。在隔壁形成步驟，用壓印滾輪10來押壓薄片基板FB，並且將薄片基板FB加熱到玻璃轉移點以上，使押壓過的隔壁BA保持形狀。壓印滾輪10的滾輪表面所形成之模型因而轉印到薄片基板FB上。
壓印滾輪10的滾輪表面被精密加工成鏡面，在該滾輪表面安裝由SiC、Ta等的材料所構成之微細壓印用塑模11。微細壓印用塑模11具有薄膜電晶體之配線用的壓模和顯示像素用的壓模。另外，為了要在帶狀可撓性薄片基板FB的寬度方向之兩側形成第一標記AM和第二標記BM(參考第二圖)，微細壓印用塑模11具有第一標記AM和第二標記BM用的壓模。
為了要在形成薄膜電晶體之配線用和顯示像素用的隔壁BA同時形成第一標記AM和第二標記BM，隔壁BA與第一標記AM和第二標記BM的位置精度為與微細壓印用塑模11相同的位置精度。
在壓印滾輪10的X軸方向下游，配置第一觀察裝置CH1。第一觀察裝置CH1為觀察是否正確地形成薄膜電晶體之配線用和顯示像素用的隔壁BA。該第一觀察裝置CH1由一維CCD或二維CCD所組成的攝影機或雷射測長器等所構成。在第一觀察裝置CH1的下游，配置第一對準感測器CA1。
＜電極形成步驟＞
薄片基板FB用第一對準感測器CA1來將第一標記AM和第二標記BM檢測出來之後，繼續朝X軸方向前進，進入到電極形成步驟。
薄膜電晶體(TFT)也可以使用無機半導體系或使用有機半導體系。使用該有機半導體來構成薄膜電晶體的話，可以應用印刷技術或液滴塗佈技術來形成薄膜電晶體。
使用有機半導體之薄膜電晶體當中，場效電晶體(FET)為特別理想。第一圖的電極形成步驟係利用FET的下閘極型的有機電致發光元件50來進行說明。在薄片基板FB上形成閘極電極G、閘極絕緣層I、源極電極S、汲極電極D以及像素電極P之後，形成有機半導體層OS。
電極形成步驟中，使用從第一對準感測器CA1來取得位置資訊，以將液滴塗佈在薄片基板FB上之液滴塗佈裝置20。液滴塗佈裝置20可以採用噴墨方式或配量(dispenser)方式。噴墨方式列舉有帶電控制方式、加壓振動方式、電機械變換方式、電熱變換方式、靜電吸引方式等。液滴塗佈法不但會減少材料使用上的浪費，還可以準確地將所期望量的材料配置在所期望的位置。以下，閘極電極G用的液滴塗佈裝置20與閘極用液滴塗佈裝置20G係在尾端加上G等來區別。其他的液滴塗佈裝置20也是同樣。此外，以液滴塗佈法所塗佈之金屬油墨MI的一滴量例如為1~300×10-9 g。
閘極用液滴塗佈裝置20G對於閘極匯流排線GBL的隔壁BA裡面塗佈金屬油墨MI。然後，利用熱處理裝置BK所產生的熱風或遠紅外線等的放射熱等，使金屬油墨MI乾燥或燒成(烘烤)。經由這些的處理，形成閘極電極G。金屬油墨MI為在室溫下的溶媒中粒徑大約5nm的導電體會穩定地進行擴散之液體，使用碳、銀(Ag)或金(Au)等來作為導電體。
在閘極用液滴塗佈裝置20G的下游，配置第二觀察裝置CH2。第二觀察裝置CH2觀察對於閘極匯流排線GBL塗佈金屬油墨MI是否有作為導線的功能。該第二觀察裝置CH2係由一維CCD或二維CCD所組成之攝影機所構成。在第二觀察裝置CH2的下游，配置第二對準感測器CA2。
其次，絕緣層用液滴塗佈裝置20I從第二對準感測器CA2來取得位置資訊，將聚醯亞胺系樹脂或或胺酯系樹脂的電絕緣性油墨塗佈在開關部。然後，利用熱處理裝置BK所產生的熱風或遠紅外線等的放射熱等，使電絕緣性油墨乾燥、硬化。經由這些的處理，形成閘極絕緣層I。
在絕緣層用之液滴塗佈裝置20I的下游，配置第三觀察裝置CH3。第三觀察裝置CH3觀察電絕緣性油墨是否塗佈在正確的位置。該第三觀察裝置CH3也是由一維CCD或二維CCD所組成之攝影機所構成。在第三觀察裝置CH3的下游，配置第三對準感測器CA3。
其次，源極用和汲極用以及像素電極用的液滴塗佈裝置20SD，從第三對準感測器CA3來取得位置資訊，對源極匯流排線SBL的隔壁BA裡面和像素電極P的隔壁BA裡面塗佈金屬油墨MI。然後，利用熱處理裝置BK，使金屬油墨MI乾燥或燒成(烘烤)。經由這些的處理，形成源極電極S、汲極電極D以及像素電極P相連接的狀態之電極。
在源極用和汲極用以及像素電極用的液滴塗佈裝置20SD的下游，配置第四觀察裝置CH4。第四觀察裝置CH4觀察金屬油墨MI是否塗佈在正確的位置。該第四觀察裝置CH4也是由一維CCD或二維CCD所組成之攝影機所構成。在第四觀察裝置CH4的下游，配置第四對準感測器CA4。
其次，從第四對準感測器CA4來取得位置資訊，利用切割裝置30，將相互連結著的源極電極S與汲極電極D切割。切割裝置30最好是飛秒雷射(femtosecond laser)。使用鈦藍寶石超快雷射(Ti-sapphire laser)之飛秒雷射照射部係以10KHz至40KHz的脈衝波，一面向前後左右移動一面照射760nm波長的雷射光LL。
由於使用飛秒雷射，切割裝置30能夠進行超微米工件的加工，將決定場效電晶體的性能之源極電極S與汲極電極D的間隔準確地切割。源極電極S與汲極電極D的間隔為20μm~30μm程度。經由該切割處理，形成源極電極S與汲極電極D分離之電極。除了飛秒雷射以外，還能夠使用碳酸氣體雷射或綠光雷射等。另外，除了雷射以外，也可以使用切割鋸等來進行機械式的切割。
在切割裝置30的下游，配置第五觀察裝置CH5。第五觀察裝置CH5觀察是否在源極電極S與汲極電極D形成有正確的間隔。該第五觀察裝置CH5也是由一維CCD或二維CCD所組成之攝影機所構成。在第五觀察裝置CH5的下游，配置第五對準感測器CA5。
其次，有機半導體液滴塗佈裝置20OS從第五對準感測器CA5來取得位置資訊，將有機半導體油墨塗佈在源極電極S與汲極電極D之間的開關部。然後，利用熱處理裝置BK所產生的熱風或遠紅外線等的放射熱等，使有機半導體油墨乾燥或燒成。經由這些的處理，形成有機半導體層OS。
此外，形成有機半導體油墨的化合物為單結晶材料或非晶質材料皆可，低分子或高分子皆可。特別理想的化合物，列舉有以並五苯(pentacene)或三鄰亞苯(triphenylene)、蒽(anthracene)為代表之縮環系芳香族碳氫化合物的單結晶或π共軛系高分子。
在有機半導體液滴塗佈裝置20OS的下游，配置第六觀察裝置CH6。第六觀察裝置CH6觀察有機半導體油墨是否正確地塗佈在正確的位置。該第六觀察裝置CH6也是由一維CCD或二維CCD所組成之攝影機所構成。在第六觀察裝置CH6的下游，配置第六對準感測器CA6。
＜發光層形成步驟＞
有機電致發光元件用的製造裝置100，接著進行將有機電致發光元件的發光層IR形成到像素電極P上的步驟。
發光層形成步驟中，使用液滴塗佈裝置20。如同上述過，可以採用噴墨方式或配量(dispenser)方式。另外，也可以用印刷滾輪來形成發光層，本實施形態中並沒有詳述。
發光層IR含有主化合物及磷光性化合物(亦稱為磷光發光性化合物)。主化合物是指發光層中所含有的化合物。磷光性化合物為觀測來自激發三重項態的發光之化合物，室溫中會發出磷光。
紅色發光層用的液滴塗佈裝置20Re從第六對準感測器CA6來取得位置資訊，將R溶液塗佈在像素電極P上，進行成膜，乾燥後膜厚為100nm。R溶液為在主材的聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole：PVK)中，將紅色摻雜材溶解在1,2-二氯乙烷(1,2-dichloroethane)中之溶液。
接著，綠色發光層用的液滴塗佈裝置20Gr從第六對準感測器CA6來取得位置資訊，將G溶液塗佈在像素電極P上。G溶液為在主材PVK中，將綠色摻雜材溶解在1,2-二氯乙烷(1,2-dichloroethane)中之溶液。
進而，藍色發光層用的液滴塗佈裝置20BL從第六對準感測器CA6來取得位置資訊，將B溶液塗佈在像素電極P上。B溶液為在主材PVK中，將藍色摻雜材溶解在1,2-二氯乙烷(1,2-dichloroethane)中之溶液。
之後，利用熱處理裝置BK所產生的熱風或遠紅外線等的放射熱等，使發光層溶液乾燥、硬化。
在發光層形成步驟的下游，配置第七觀察裝置CH7。第七觀察裝置CH7觀察是否適切地形成發光層。在第七觀察裝置CH7的下游，配置第七對準感測器CA7。
其次，絕緣層用的液滴塗佈裝置20I從第七觀察裝置CH7來取得位置資訊，以與後述的透明電極ITO不會短路的方式，將聚醯亞胺系樹脂或胺酯系樹脂的電絕緣性油墨，塗佈在閘極匯流排線GBL或源極匯流排線SBL的一部分。然後，利用熱處理裝置BK所產生的熱風或遠紅外線等的放射熱等，使電絕緣性油墨乾燥、硬化。
在絕緣層用的液滴塗佈裝置20I的下游，配置第八觀察裝置CH8。第八觀察裝置CH8觀察是否有塗佈電絕緣性油墨。在第八觀察裝置CH8的下游，配置第八對準感測器CA8。
之後，ITO電極用的液滴塗佈裝置20IT從第八對準感測器CA8來取得位置資訊，將ITO(Indium TinOxide：氧化銦錫)油墨塗佈在紅色、綠色以及藍色發光層上。ITO油墨為在氧化銦(In2 O3 )中添加數%的氧化錫(SnO2 )之化合物，該電極為透明。另外，也可以使用能夠以IDI×○(In2 O3 -SnO)等非晶質來製作透明導電膜的材料。透明導電膜最好是透光率為90%以上。然後，利用熱處理裝置BK所產生的熱風或遠紅外線等的放射熱等，使ITO油墨乾燥、硬化。
在ITO電極用的液滴塗佈裝置20IT的下游，配置第九觀察裝置CH9。第九觀察裝置CH9觀察是否有塗佈電絕緣性油墨。
此外，有機電致發光元件50會有設置電洞輸出層和電子輸出層的情況，不過這些層也是應用印刷技術或液滴塗佈法技術即可。
有機電致發光元件用的製造裝置100具有主控制部90。第一觀察裝置CH1至第九觀察裝置CH9所觀察的訊號和第一對準感測器CA1至第八對準感測器CA8之對準訊號傳送至主控制部90。另外，主控制部90進行供應捲筒RL和滾輪RR的速度控制。
＜＜對準標記兼計數標記的形成＞＞
經過熱轉印滾輪15和熱處理裝置BK，以使薄片基板FB朝X軸方向和Y軸方向伸縮。因而，有機電致發光元件用的製造裝置100中，在熱轉印滾輪15的下游配置第一對準感測器CA1，在熱處理裝置BK之後配置第二對準感測器CA2~第八對準感測器CA8。另外，發生壓印不良、塗佈不良等時，特定缺陷處所來將該處所予以除去或修理的情況，也必須特定該缺陷處所。因而，本實施形態中，也利用第一標記AM來作為確認X軸方向的位置之計數標記。
使用第二圖來對有機電致發光元件用的製造裝置100之電極形成步驟的控制進行說明。
第二圖之(a)中，薄片基板FB係對於朝薄片基板FB的寬度方向也就是Y軸方向並排的薄膜電晶體之配線用的隔壁BA和像素用的隔壁BA，在薄片基板FB的兩側分別至少具有一個第一標記AM。另外，對於例如五十個第一標記AM中，一個第二標記BM形成為與第一標記AM相鄰。由於薄片基板FB例如有200m的長度，第二標記BM係為了要每一定的間隔容易確認到底是何行薄膜電晶體之配線用的隔壁BA和像素用的隔壁BA而設置。一對第一對準感測器CA1將該第一標記AM和第二標記BM檢測出來，將該檢測結果傳送至主控制部90。
微細壓印用塑模11規範第一標記AM和第二標記BM與場效電晶體之閘極匯流排線GBL和源極匯流排線SBL的位置關係。
因此，主控制裝置90經由將一對的第一標記AM檢測出來，就連X軸方向的偏移、Y軸方向的偏移以及θ旋轉也會被檢測出來，另外，不僅在薄片基板FB兩側，也可以在中央區域設置第一標記AM。
第一對準感測器CA1隨時觀察朝X軸方向輸送的薄片基板FB，將該第一標記AM的圖像傳送到主控制部90。主控制部90的內部具備有位置計數部95，位置計數部95針對薄片基板FB上所形成有機電致發光元件50當中之朝Y軸方向排列之有機電致發光元件50的第幾行進行計數。主控制部90控制滾輪RR的旋轉，故可以掌握第幾行的有機電致發光元件50會輸送至閘極用液滴塗佈裝置20G的位置，又第幾行的有機電致發光元件50會輸送到第二觀測裝置CH2的位置。
位置計數部95根據從第一對準感測器CA1所送來之第二標記BM的圖像，確認第一標記AM之行數的計數是否正確。例如，防止：微細壓印用塑模11之第一標記AM的處所會有不良且無法正確地掌握行數的事態。
閘極用液滴塗佈裝置20G配置在Y軸方向上，複數列的噴嘴22配置在Y軸方向上，又X軸方向上也配置有複數行的噴嘴22。閘極用液滴塗佈裝置20G依照根據第一對準感測器CA1之來自主控制部90的位置訊號，將從噴嘴22來塗佈金屬油墨MI的時序、塗佈金屬油墨MI的噴嘴22切換。
在閘極用液滴塗佈裝置20G的下游，配置熱處理裝置BK，熱處理裝置BK使經由閘極用液滴塗佈裝置20G所塗佈的金屬油墨MI乾燥。在該熱處理裝置BK的下游，配置第二觀察裝置CH2。
第二觀察裝置CH2將觀察到的圖像訊號傳送到主控制部90，主控制部90則將閘極用液滴塗佈裝置20G必須塗佈金屬油墨MI的區域與觀察到的圖像訊號進行比較，以特定金屬油墨MI塗佈的不良處所。關於Y軸方向，該不良處所經由圖像處理，特定：位於第幾列的有機電致發光元件50的位置、或位於離第一標記AM幾mm的位置。X軸方向的缺陷處所根據位置計數部95，特定：位於第幾行的有機電致發光元件50，特定：位於該行的有機電致發光元件50的何處位置。
第一標記AM及第二標記BM係由回折格子GT所構成。第一標記AM為朝第二圖之(b)的上段所示的朝X軸方向和Y軸方向配置之點狀的回折格子GT。點狀回折格子GT的斷面為第二圖之(b)的下段所示的形狀。此外，第二標記BM雖沒有圖示，但第二標記BM也是與第一標記AM同樣之點狀的回折格子GT。
第二圖之(c)中表示將第一標記AM或第二標記BM檢測出來之對準感測器CA。為了要將第一標記AM或第二標記BM檢測出來，對於該第一標記AM或第二標記BM，照射He-Ne雷射光(λ=0.6328μm)等的相干光。然後，透過透鏡LEN，將來自點狀回折格子GT的±n次像(n=1、2、----)檢測出來。
將該點狀回折格子GT的間隔即是格子常數設為L，相干光的波長設為λ，相干光的照射角與對準感測器CA的一個方向的角度設為θ，則Lsinθ=nλ(n=±1、±2、---)的關係成立。
如同第二圖之(c)中的圖形所示，對準感測器CA對於存在有點狀回折格子GT的處所則會將波形狀的訊號檢測出來，對於沒有回折格子的處所則無法檢出訊號。因而，位置計數部95將被檢測出來的訊號予以數位化，以計數薄片基板FB上所形成的有機電致發光元件50當中朝Y軸方向排列之有機電致發光元件50的第幾行。因此，可以既高速又正確地掌握有機電致發光元件50的位置。另外，第一標記AM或第二標記BM為回折格子，故不容易受到污染等的影響。
＜＜形成在場效型電晶體的隔壁之有機電致發光元件50＞＞
第三圖為表示形成有發光層IR和ITO電極之下接觸型有機電致發光元件的狀態之圖。有機電致發光元件50係在薄片基板FB上形成有閘極電極G、閘極絕緣層I以及像素電極P，還形成有有機半導體層OS、發光層IR以及ITO電極。
第三圖中，薄片基板FB由耐熱性的樹脂薄膜所構成。具體上，使用聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯基共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯樹脂等，作為薄片基板FB。
如同上述過，薄片基板FB會在隔壁形成步驟中接受熱轉印的熱處理，各種油墨必須用熱處理裝置BK來進行乾燥或燒成(烘烤)，故被加熱到200℃左右。薄片基板FB最好是熱膨脹係數很小，即使受高熱仍不會改變尺寸。例如，可以將無機充填物混合在樹脂薄膜中，以使熱膨脹係數變小。無機充填物例如列舉有氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。
如第三圖之(b)和第三圖之(c)所示，存在有隔壁BA，可以形成既正確又均等的電極或發光層等。薄片基板FB利用滾輪RR高速地朝X軸方向(長軸方向)輸送，故即使會有液滴塗佈裝置20無法正確地塗佈液滴的可能性的情況，仍可以形成既正確又均等的電極或發光層等。
此外，製造裝置100除了製造第三圖所示的場效電晶體以外，還可以製造各種的場效電晶體。例如即使為上閘極型的場效電晶體，仍可以將薄片基板FB所塗佈的油墨的順序予以變更等來形成。
＜＜觀察裝置CH＞＞
以下，利用第四圖至第七圖來針對各種觀察裝置CH進行說明。
第四圖為說明隔壁形成步驟中的第一觀察裝置CH1之圖。第四圖之(a-1)為用微細壓印用塑模11來壓印的薄片基板FB之上面圖。另外，第四圖之(a-2)為c-c剖面圖。第四圖之(b)為用第一觀察裝置CH1來進行隔壁BA的觀察之概念圖。
用微細壓印用塑模11所形成之薄片基板FB的隔壁BA成為配線等的基底。之後步驟進行金屬油墨MI的塗佈時，重要的是是否正確地形成隔壁BA。如同第四圖之(a-2)所示，本來應該形成如同實線的隔壁BA，但會有污染物附著在微細壓印用塑模11或污染物附著在薄片基板FB而形成不是正確形狀的不良隔壁E-BA的事態。因而，塗佈了金屬油墨MI之隔壁BA間的溝槽部GR並未正確地形成。
第四圖之(b)所示的第一觀察裝置CH1例如為雷射測定器，由雷射光源LED、透鏡LEN以及感測器SEN所構成。然後，對薄片基板FB照射雷射光源LED，再將該反射光對感測器SEN進行受光，測定隔壁BA的高度。
第五圖為說明電極形成步驟中的第二觀察裝置CH2之圖。第五圖之(a-1)為結束電極形成步驟的薄片基板FB之上面圖。另外，第五圖之(a-2)為該c-c剖面圖。第五圖之(b)為用第二觀察裝置CH2來進行閘極匯流排線GBL的觀察之概念圖。
本來，如第五圖之(a-1)所示，金屬油墨MI正確地塗佈在閘極匯流排線GBL用之隔壁BA間的溝槽部GR，經由熱處理裝置BK使金屬油墨MI乾燥或燒成，則如第五圖之(a-2)所示，金屬油墨MI變成薄膜。但是，閘極用液滴塗佈裝置20G的噴嘴22故障等，會有金屬油墨MI塗佈到隔壁BA的上面或金屬油墨MI塗佈到與設計不同的處所的事態。
第五圖之(b)所示的第二觀察裝置CH2由一維或二維攝影機所組成，第二觀察裝置CH2係例如從薄片基板FB的下面用燈LAM來照明，觀察該透過光。如第五圖之(b)所示，可以觀察金屬油墨MI塗佈在隔壁BA的上面的狀態。此外，薄片基板FB大多是透光性，故直到前半的步驟為止(用第四觀察裝置CH4進行觀察的步驟)，燈LAM配置在薄片基板FB的下面比觀察反射光的方式還要容易觀察。
第六圖為說明形成源極電極S與汲極電極D的間隔之切割裝置30的步驟中的第五觀察裝置CH5之圖。第六圖之(a)為結束切割的薄片基板FB之上面圖。另外，第六圖之(b)為該c-c剖面圖，用第五觀察裝置CH5觀察切割之概念圖。
已經在源極電極S及汲極電極D的周圍形成有閘極電極G及閘極絕緣層I。因而，第五觀察裝置CH5藉由透過光來觀察源極電極S與汲極電極D的間隔會有因難。於是在第五觀察裝置CH5的周圍配置燈LAM，觀察源極電極S及汲極電極D的周圍。
＜＜修理處所的特定＞＞
第七A圖為從第四對準感測器CA4至第五觀察裝置CH5為止之立體圖。修理處所的特定即使在其他的步驟基本上是同樣，不過以觀察切割裝置30之源極電極S與汲極電極D的間隔為代表例進行說明。
第四對準感測器CA4與主控制部90相連接著，第四對準感測器CA4將第一標記AM的圖像訊號傳送到主控制部90。主控制部90根據圖像訊號來測定薄片基板FB之Y軸方向上的位置和傾斜，又測定薄片基板FB之兩側的第一標記AM，藉此也測定薄片基板FB之Y軸方向上的伸張。
由於主控制部90也控制滾輪RR的旋轉，故也可以掌握薄片基板FB之X軸方向的移動速度，根據第一標記AM，以在切割裝置30形成有機電致發光元件50的源極電極S與汲極電極D之間的間隙的方式，輸出訊號。從切割裝置30照射雷射，藉由電鏡(galvanomirror)32等來將雷射的方向調整在特定的位置。
主控制部90的內部具有計數X軸方向的位置之位置計數部95、作為缺陷處所也就是必須要修理的修理處所來特定之修理處所特定部96和記憶有機電致發光元件50的設計尺寸、修理處所等之記憶部97。修理處所特定部96具備有特徵量判定部961、差距判定部962、缺陷數判定量963、以及缺陷密度判定部964。
第五觀察裝置CH5的內部具備有透鏡LEN及一維CCD，該一維CCD的圖像訊號傳送到主控制部90。主控制部90可以掌握經由切割裝置30所形成之源極電極S與汲極電極D的間隙之狀態。修理處所特定部96將記憶在記憶部96的設計值，也就是將源極電極S與汲極電極D的間隙和經由切割裝置30所形成之源極電極S與汲極電極D的間隙進行比較，特定不同的處所來當作缺陷處所。修理處所特定部96也可以特定該缺陷處所在X軸方向和Y軸方向上與第一標記AM之間的距離(μm)，並且也經由位置控制部95的計數來特定第幾行的有機電致發光元件50。特定的修理處所記憶在記憶部97，於修理步驟使用該修理處所的資料。
第七B圖為第七A圖中源極電極S與汲極電極D之間隙的形成步驟和記憶修理處所的步驟之流程圖。
步驟P11中，對準感測器CA5將第一標記AM攝影，圖像訊號傳送到主控制部90。
步驟P12中，主控制部90將第一標記AM的位置算出，並且位置計數部95計數有機電致發光元件50的行數。第一標記AM係切割裝置30為了要進行源極電極S與汲極電極D的定位而使用，並且也應用於特定有機電致發光元件50的行數。此外，也可以經由第四對準感測器CA4將第二圖中說明過的第二標記BM攝影，特定有機電致發光元件50的行數。
在步驟P13，根據第一標記AM的位置和記憶在記憶部97之源極電極S與汲極電極D的間隙位置，從切割裝置30來對薄片基板FB照射雷射。
在步驟P14，第五觀察裝置CH5將源極電極S與汲極電極D的間隙狀態之圖像訊號傳送至修理處所特定部96。由於薄片基板FB朝X軸方向移動，故第五觀察裝置CH5為朝Y軸方向延伸的一維CCD即可。因為薄片基板FB的移動速度很快，當源極電極S與汲極電極D的間隙之圖像訊號中有很多雜訊的情況，備妥連接了配合薄片基板FB移動的速度來逐漸移動CCD的儲存處所之圖框儲存型記憶體之二維CCD即可。這方式是一般被稱為TDI(Time Delayed Integration)方式之CCD的讀出方式的一種。
其次，在步驟P15，修理處所特定部96將記憶在記憶體97之源極電極S與汲極電極D的間隙與實際間隙狀態的圖像訊號進行比較，以特定缺陷處所。有關特定該缺陷處所的細節，用第八A圖、第八B圖、第八C圖來進行說明。
在步驟P16，缺陷處所為應要修理的修理處所，以行數和離第一標記AM的位置之距離來記憶在記憶部97。
第八A圖之(a)為表示第五觀察裝置CH5所觀察之有機電致發光元件50及與該有機電致發光元件相重疊來顯示之行列MAT。
第五觀察裝置CH5的一維CCD能夠以Y軸方向的每一像素間距輸出圖像資料，又由於薄片基板FB以一定速度朝X軸方向移動，故調整樣本處理時間，能夠以特定間距輸出薄片基板FB之X軸方向的圖像資料。即是可以獲得對於有機電致發光元件50進行細分化的部分區域之圖像資料。該圖像資料以行列MAT來記憶在記憶部97。
如第八A圖之(a)所示，由於第一標記AM形成在薄片基板FB上，故被細分化的部分區域之圖像資料與X軸方向和Y軸方向的位置資訊相關連。此外，變更第七A圖所示之第五觀察裝置CH5之一維CCD的像素間距和透鏡LEN的倍率等，則能夠變更被細分化之部分區域的大小。
第八A圖之(b)為表示以行列MAT被記憶在記憶部97之被細分化的部分區域之圖。被細分化的部分區域係與區域的位置資訊一起，以k行h列份量之行列MAT的資料(Dn(m、n))，記憶在記憶部97。惟，不必配合一維CCD的像素間距等來規定k行h列份量的行列MAX。第五觀察裝置CH5是以觀察源極電極S與汲極電極D的間隙為主目的，故以有機電致發光元件50的每一像素構成一個行列，與部分區域的位置資訊一起，將源極電極S與汲極電極D的間隙記憶在記憶部97即可。
修理處所特定部96根據被記憶在記憶部97之行列MAX的資料(Dn(m、n))來特定缺陷區域。有關特定該缺陷區域的細節，用第八B圖來進行說明。
第八B圖為根據行列MAX的資料Dn(m、n)來特定缺陷區域，逐一判定停止第一圖的製造裝置100的生產線或第九A圖等所說明的修理裝置110的修理等之缺陷判定流程圖。
步驟P31中，設定k行h列份量之行列MAT的資料Dn(m、n)。為了使說明變簡單，該流程圖中，對於有機電致發光元件50的一個像素(閘極電極G、源極電極S、汲極電極D以及圖像電極P分別一個)，分配一行一列份量的資料Dn(m、n)。
步驟P32中，用第五觀察裝置CH5來觀測有機電致發光元件50。藉由此方式，行列MAT的資料Dn(m、n)傳送至修理處所特定部96。第五觀察裝置CH5為觀察源極電極S與汲極電極D的間隙，故為第五觀察裝置CH5觀察的特徵量也就是間隙。Dn(m、n)例如為間隙=25μm的尺寸資料，Dn(m、n)=25μm傳送至修理處所特定部96。
步驟P33中，修理處所特定部96的特徵量判定部961(參考第七A圖)判定間隙資料也就是Dn(m、n)是否在第一範圍A1內。第一範圍A1內例如為20μm~30μm。特徵量判定部961若為資料Dn(m、n)=25μm的話，移到步驟P34，若為資料Dn(m、n)=15μm或35μm的話則為第一範圍A1外，移到步驟P36。
在步驟P34，差距判定部962將資料Dn(m、n)與該周邊區域的資料進行比較。具體上，計算特徵量也就是資料Dn(m、n)與一行前之像素的資料Dn(m-1、n)之差距。也就是計算△Dn1=∣Dn(m、n)-Dn(m-1、n)∣。另外，計算Dn(m、n)與一列相鄰之像素的資料Dn(m、n-1)和Dn(m、n＋1)之差距。也就是計算△Dn2=∣Dn(m、n)-Dn(m、n-1)∣和△Dn3=∣Dn(m、n)-Dn(m、n＋1)∣。
在步驟P35，差距判定部962判定差距△Dn1、△Dn2以及△Dn3是否在第二範圍A2內。若是差距△Dn1、△Dn2以及△Dn3全部在第二範圍A2內的話，移到步驟P37，即使是一個在第二範圍A2外的話，仍移到步驟P36。第二範圍A2例如為0～5μm。
步驟P34和P35中，即使特徵量判定部961判定為在第一範圍A1內，差距判定部962又再判定是否在第二範圍內的理由係如以下所述。也就是有機電致發光元件50之源極電極S與汲極電極D的間隙，受到發光輝度很大的影響。某一像素及其周邊的像素導致輝度很大的不同，則人眼會因輝度不均等而容易感受到不舒服感，故視為缺陷區域。另一方面，若是漸漸地改變輝度的話，人眼則不會感覺到輝度不均。即使資料Dn(1、1)及資料Dn(k、h)分別為21μm及29μm，若是在該中途減小改變的話，人眼仍視為輝度不均。
在步驟P36，將資料Dn(m、n)作為缺陷區域，逐漸計數該缺陷區域的數量。
在步驟P37，資料Dn(m、n)之有機電致發光元件50的像素判定為良品。
步驟P38中，缺陷數判定部963判定缺陷數N1是否為第一閾值值B1以下。缺陷數N1大於第一閾值B1的話，因缺陷數N1過多而無法靠修理來對應，移到步驟P42並停止製造裝置100的生產線。然後，進行製造裝置100的檢修。缺陷數N1小於第一閾值B1的話，缺陷數N1為不到停止製造裝置100的程度但靠修理基本上可以對應，移到步驟P39。
在步驟P39，缺陷密度判定部964計算(m-r、n-r)及(m＋r、n＋r)之間所涵蓋之正方區域內的缺陷數N2。此外，也可以不是在正方形區域內而是在長方形區域。
在步驟P40，缺陷密度判定部964判定正方形區域內的缺陷數N2是否為第二閾值B2以下。正方形區域內的缺陷數N2即是缺陷密度大於第二閾值B2的話，缺陷數N2過度集中在一個處所，故靠修理無法對應，移到步驟P42，停止製造裝置100的生產線。然後，進行製造裝置100的檢修。缺陷密度小於第二閾值B2的話，以靠檢修線進行修理的方式移到步驟41。
在步驟P41，用第九A圖所說明的修理裝置110等，將缺陷區域修理。缺陷密度小於第二閾值B2代表缺陷區域分散。因此，即使修理，修理區域仍不會顯眼。此外，與位置資訊一起記憶在記憶部97的資料(Dn(m、n))，傳送至修理裝置110的修理用主控制部190。
在步驟P42，停止製造裝置100的生產線，以不會造成缺陷的方式進行檢修作業。
第八C圖為與第八B圖的缺陷判定流程圖不相同之另外的流程圖。該第八C圖為省略第八B圖的步驟P38及步驟P39之流程圖。
即使.在沒有缺陷數判定部963下缺陷數N1仍有很多的情況，由於大多是經由缺陷密度判定部964使缺陷數N2成為第二閾值B2的情況，故即使省略步驟P38和步驟P39，仍可以獲得同樣的結果。
此外，在第八A圖至第八C圖，已針對關於第五觀察裝置CH5之源極電極S與汲極電極D的間隙的觀察進行說明過。但是，使用行列MAT的資料Dn(m、n)之缺陷檢測也同樣可以應用於第一觀察裝置CH1之隔壁BA的高度檢測、第三觀察裝置CH3之金屬油墨MI的塗佈位置等。
＜有機電致發光元件的修理裝置＞
第九A圖為表示以整批修理來修理有修理處所的有機電致發光元件50的修理裝置110之概略圖。修理裝置110係用修理用主控制部190來進行控制。修理用主控制部190具有修理用位置計數部195及修理用記憶部197。該兩部基本上是與製造裝置100的位置計數部95及記憶部97相同，不過修理用記憶部197傳送製造裝置100的修理處所特定部96所特定而在記憶部97所記憶的修理處所。
有機電致發光元件用的修理裝置110具備有：隔壁修理用分配器160、雷射修正裝置170、閘極用修理液滴塗布裝置120G、絕緣層用的修理液滴塗布裝置120I、源極用和汲極用以及像素電極用的修理液滴塗佈裝置20SD、修理切割裝置130、有機半導體用的修理液滴塗布裝置20OS、以及移除器(remover)115。修理液滴塗布裝置120和修理切割裝置130則是與製造裝置100的液滴塗布裝置20和切割裝置30相同，其說明省略。
隔壁修理用分配器160塗佈黏性很高的紫外線硬化性樹脂HR。紫外線硬化樹脂HR利用空氣壓力等，透過隔壁修理用分配器160的噴嘴來對薄片基板FB進行塗佈。藉由此方式，形成紫外線硬化樹脂的隔壁BA。薄片基板FB上所形成之紫外線硬化樹脂HR的隔壁BA，藉由水銀燈等的紫外線燈165來硬化。
修理隔壁BA則用閘極用修理液滴塗布裝置120G等來塗佈金屬油墨MI等並逐漸將有機電致發光元件50予以修理。在有機電致發光元件用的修理裝置110之最後的步驟，配置移除器115。移除器115係將壓印所形成的隔壁BA高於設計值而突出的處所、硬化過的紫外線硬化樹脂HR高於設計值而突出的處所等除去，或將與設計值不相同的處所所塗佈的金屬油墨MI等除去。具體上，用雷射等來使不良處所昇華或用刀具117來削除缺陷處所。
有機電致發光元件用的修理裝置110將製造裝置100在最終步驟呈卷狀捲取薄片基板FB之捲取捲筒RE，裝著在修理供應捲筒FRL。因而，修理裝置110基本上朝製造裝置100的行進方向之＋X軸方向相反的-X軸方向送出薄片基板FB。即是修理裝置110從製造裝置100所捲取之捲取捲筒RE的終端往始端方向送出薄片基板FB，修理用捲取捲筒FRE將薄片基板FB捲取。
修理用供應捲筒FRL和修理用捲取捲筒FRE形成為速度可變的可變量可以大於製造裝置100的供應捲筒RL和捲取捲筒RE。薄片基板FB上在離終端102m至105m處，有複數個修理處所，則修理用供應捲筒FRL和修理用捲取捲筒FRE，從終端高速旋轉到102m附近，之後低速旋轉，使薄片基板FB從終端移動到102m處所的修理處所。修理裝置110進行這種動作，可以縮短整批處理進行修理的時間。
在修理用供應捲筒FRL的-X軸方向下游，配置第十一對準感測器CA11。第十一對準感測器CA11將第一標記AM和第二標記BM檢測出來。200m以上的薄片基板FB上在離終端102m至105m處有修理處所的情況，高速送出薄片基板FB。因而，修理用主控制部190根據有機電致發光元件50的每複數行所形成之第二標記BM的像素訊號，確認薄片基板FB的輸送位置。然後，接近修理處所後使用第一標記AM，將薄片基板FB送出到修理處所之有機電致發光元件50的行數為止。
在修理裝置110的最終步驟，配置用來確認修理是否已完全執行完畢之第十一觀察裝置CH11。第十一對準裝置CH11，不僅是設置在最終步驟，也可以設置在每一修理步驟。
此外，第九A圖中，發光層用的液滴塗佈裝置20以後的修理步驟省略說明，不過當然也可以設置發光層用的修理液滴塗佈裝置120。
第九B圖為第九A圖所示之整批處理的修理裝置110之修理流程圖。
步驟P91中，修理用記憶部197由製造裝置100的記憶部97來取得修理處所的資料。藉由此方式，修理用主控制部190掌握應要修理的修理處所。
步驟P92中，修理用主控制部190根據修理處所的行數，決定修理用供應捲筒FRL等的旋轉速度。例如若是在製造裝置100所捲取之捲取捲筒RE的終端相接近的處所有修理處所的話，決定以低速來旋轉修理用供應捲筒FRL等。相反若是在離捲取捲筒RE的終端一定距離的處所有修理處所的話，決定以高速來旋轉修理用供應捲筒FRL等。如此，控制旋轉速度，使移動到修理處所為止的時間縮短。修理主控制部190將薄片基板FB以該決定的旋轉速度朝-X軸方向送出。
在步驟P93，修理主控制部190判斷修理用供應捲筒FRL是否為高速旋轉。若是高速旋轉的話，移到步驟P94，若為低速旋轉的話，移到步驟P97。
在步驟P94，修理用位置計數部195根據第二圖所示的第一標記AM或第二標記BM，計數有機電致發光元件50的行數。該行數的計數為薄片基板FB逐漸朝-X軸方向輸送而減少行數之計數。
在步驟P95，修理主控制部190根據修理用位置計數部195計數行數的結果，判斷是否與修理處所相接近。相接近的話移到步驟P96，未接近的話，回到步驟P94。
在步驟P96，修理主控制部190使修理用供應捲筒FRL等改成低速的旋轉。另外，根據記憶在修理記憶部197之修理處所資料來選擇修正裝置，預先移動到缺陷的Y方向位置。以此方式，可以縮短修正時間。
其次，在步驟P97，根據第一標記AM來計數行數，並且將第一標記AM作為對準標記來確認位置。修理主控制部190確認薄片基板FB之Y軸方向的偏移和傾斜等。
在步驟P98，根據第一標記AM的位置和記憶在修理記憶部197的修理處所資料，將修正裝置110的位置微調到X、Y的其中一方或是兩方，修理有機電致發光元件50的缺陷處所。若為隔壁BA不良的話，隔壁修理用分配器160、雷射修正裝置170或移除器115將該不良處所修理。若為像素區域塗佈金屬油墨MI不良的話，用雷射修正裝置170除去不良的金屬油墨MI，再用修理液滴塗佈裝置120SD重新塗布金屬油墨MI。如此，修理主控制部190依據修理處所的不良內容，選擇適切的修理步驟。具有複數個相同的修正裝置，可以縮短或消除往Y方向的移動。另外，也能夠同時進行修理。
在步驟P99，第11觀察裝置CH11將修理狀態的圖像訊號傳送到修理主控制部190。然後，確認修理處所是否完全修復。
全部修理處所完成修理後，使捲筒FRL反向旋轉，成為與製造裝置100所捲取的狀態相同的狀態(步驟P100)。
此外，雖將修理用供應捲筒FRL等之薄片基板FB的輸送速度改成低速及高速的二個階段，但也可以改成三個階段以上的速度變化，這些速度控制最好是進行PID控制等的反饋控制。
另外，上述流程圖中，修理裝置110係正在朝-X軸方向輸送薄片基板FB的時候，確認第一標記AM和第二標記BM後進行修理。但是，修理裝置110也可以在一旦將薄片基板FB全部朝-X軸方向輸送後，正在將薄片基板FB朝X軸方向輸送的時候進行修理。
＜有機電致發光元件的製造兼修理裝置＞
第十圖為表示一面製造有機電致發光元件50一面觀察不良處所，當有不良處所的情況，成行來修理不良處所的製造兼修理裝置200之概略圖。此外，第十圖中並沒有圖示發光層步驟以後的步驟。另外，第十圖中，與第一圖所示的製造裝置100或第九A圖所示的修理裝置110相同的裝置，附註相同的圖號。
從供應捲筒RL所送出的薄片基板FB，用壓印滾輪10來押壓薄片基板FB，並且將薄片基板FB加熱到玻璃轉移點以上，以使押壓過的隔壁BA保持形狀。
在壓印滾輪10的X軸方向下游，配置第一觀察裝置CH1、隔壁修理用分配器160、雷射修正裝置170。在雷射修正裝置170的下游，配置閘極用修理液滴塗佈裝置120G。第一觀察裝置CH1觀察薄膜電晶體之配線用和顯示像素用的隔壁BA是否正確地形成。經由該第一觀察裝置CH1，在隔壁BA發現不良處所，則隔壁修理用分配器160將紫外線硬化樹脂HR塗佈在薄片基板FB。然後，用紫外線燈144來使樹脂硬化，將不良處所的隔壁BA修理。另外，若是形成多餘的隔壁BA的話，用雷射修正裝置170，將多餘的隔壁BA除去。在雷射修正裝置170的下游，配置第一對準感測器CA1。
薄片基板FB經由第一對準感測器CA1將第一標記AM和第二標記BM檢測出來後，進入電極形成步驟。
電極形成步驟中，閘極用液滴塗佈裝置20G從第一對準感測器CA1來取得位置資訊，將金屬油墨MI塗佈在閘極匯流排線GBL之隔壁BA間的溝槽部GR。然後，利用熱處理裝置BK使金屬油墨MI乾燥或燒成。
在閘極用液滴塗佈裝置20G的下游配置第二觀察裝置CH2，再在該下游配置閘極用修理液滴塗佈裝置120G。第二觀察裝置CH2觀察閘極匯流排線GBL塗佈金屬油墨MI且是否有作為導線的功能。經由該第二觀察裝置CH2，在閘極匯流排線GBL發現缺陷處所，則閘極用修理液滴塗佈裝置120G將金屬油墨MI塗佈在薄片基板FB。在閘極用修理液滴塗佈裝置120G的下游，配置第二對準感測器CA2。
以下，絕緣層用的液滴塗佈裝置20I等也是同樣，在製造步驟之後，還有觀察步驟，經由該觀察步驟發現不良處所的話，經由修理步驟修理缺陷處所。此外，第十圖的製造兼修理裝置200中，移除器115設置在有機半導體層用的修理液滴塗佈裝置20OS之後，不過也可以設置複數個在壓印滾輪10之後、各液滴塗佈裝置20之後等。
此外，製造有機電致發光元件50的時間及相同步驟中的不良處所進行修理的時間並不一定一致。另外，壓印步驟或各塗佈步驟也並非在相同時間結束作業。因而，成行來進行製造或修理的情況，必須配合最耗費時間的步驟之速度來令供應捲筒RL等旋轉。這樣會導致無法提高生產性，所以若是最耗費時間的步驟用移除器115來將不良處所削除的話，配置二台移除器115、或如同第十圖的下段左端，使薄片基板FB鬆弛，盡可能使生產性提升。
 【產業上的可利用性】
雖已針對有機電致發光元件之製造裝置及修理裝置進行說明過，但製造裝置及修理裝置也可以應用於場發射顯示器及液晶顯示元件。本實施形態雖是藉由用有機半導體之薄膜電晶體作說明過，不過也可以使用非晶質矽系的無機半導體之薄膜電晶體。
另外，實施形態的製造裝置100、修理裝置110以及製造兼修理裝置200設有熱處理裝置BK，不過提案出經過金屬油墨MI或發光層溶液等的改良而不必熱處理之油墨或溶液。因而，本實施例也不一定要設置熱處理裝置BK。
10．．．壓印滾輪
11．．．微細壓印用塑模
15．．．熱轉印滾輪
20．．．液滴塗佈裝置
20BL．．．藍色發光層用的液滴塗佈裝置
20G．．．閘極用的液滴塗佈裝置
20Gr．．．綠色發光層用的液滴塗佈裝置
20I．．．絕緣層用的液滴塗佈裝置
20Re．．．紅色發光層用的液滴塗佈裝置
20IT．．．ITO電極用的液滴塗佈裝置
20OS．．．有機半導體液滴塗佈裝置
20SD．．．源極用和汲極用以及像素電極用的液滴塗佈裝置
22．．．噴嘴
30．．．切割裝置
50．．．有機電致發光元件
90．．．主控制部
95．．．位置測量部
96．．．修理處所特定部
97．．．記憶部
100．．．有機電致發光元件的製造裝置
110．．．有機電致發光元件的修理裝置
115．．．移除器
117．．．刀具
120．．．修理用液滴塗佈裝置
120G．．．閘極用的修理液滴塗佈裝置
120I．．．絕緣層用的修理液滴塗佈裝置
120OS．．．有機半導體用的修理液滴塗佈裝置
120SD．．．源極用和汲極用以及像素電極用的修理液滴塗佈裝置
130．．．修理用切割裝置
160．．．隔壁修理用分配器
165、144．．．紫外線燈
170．．．雷射修正裝置
190．．．修理用主控制部
195．．．修理用位置計數部
197．．．修理用記憶部
961．．．特徵量判定部
962．．．差距判定部
963．．．缺陷數判定部
964．．．缺陷密度判定部
AM．．．第一標記(對準標記)
BA．．．隔壁
BK．．．熱處理裝置
CA．．．對準感測器
D．．．汲極電極
FB．．．薄片基板
G．．．閘極電極
GBL．．．閘極匯流排線
I．．．閘極絕緣層
IR．．．發光層
ITO．．．透明電極
LAM．．．照明光源
LEN．．．透鏡
LED．．．發光二極體
LL．．．雷射光
OS．．．有機半導體層
P．．．像素電極
PRT．．．印字裝置
RL．．．供應捲筒
RR．．．滾輪
S．．．源極電極
SBL．．．源極匯流排線
RE．．．捲取捲筒
BM．．．第二標記
CH1．．．第一觀察裝置
CA1．．．第一對準感測器
MI．．．金屬油墨
CH2．．．第二觀察裝置
CA2．．．第二對準感測器
CH3．．．第三觀察裝置
CA3．．．第三對準感測器
CH4．．．第四觀察裝置
CA4．．．第四對準感測器
CH5．．．第五觀察裝置
CA5．．．第五對準感測器
CH6．．．第六觀察裝置
CA6．．．第六對準感測器
CH7．．．第七觀察裝置
CA7．．．弟七對準感測器
CH8．．．第八觀察裝置
CA8．．．第八對準感測器
CH9．．．第九觀察裝置
GT．．．回折格子
GR．．．溝槽部
E-BA．．．不良隔壁
SEN．．．感測器
LED．．．雷射光源
LAM．．．燈
MAT、MAX．．．行列
k．．．行
h．．．列
B1．．．第一閾值
B2．．．第二閾值
HR．．．紫外線硬化樹脂
FRE．．．修理用捲取捲筒
FRL．．．修理用供應卷筒
CA11．．．第十一對準感測器
第一圖為表示在可撓性基板FB上製造有機電致發光元件之製造裝置100的構成之概略圖。
第二圖為有機電致發光元件用的製造裝置100之電極形成步驟中觀察回折格子的第一標記AM和第二標記BM之概念圖。
第三圖為表示形成有發光層IR和ITO電極之下接觸型的有機電致發光元件的狀態之圖。
第四圖為說明隔壁形成步驟中的第一觀察裝置CH1之圖。
第五圖為說明電極形成步驟中的第二觀察裝置CH2之圖。
第六圖為說明形成源極電極S與汲極電極D的間隔之切割裝置30的步驟中的第五觀察裝置CH5之圖。
第七A圖為從第五對準感測器CA5起至第六觀察裝置CH6為止之立體圖。
第七B圖為第七A圖中之有機半導體油墨的塗佈步驟和記憶修理處所的步驟之流程圖。
第八A圖為表示第五觀察裝置CH5所觀察的有機電致發光元件50及與該電致發光元件相重疊所顯示之行列MAT和行列MAX的資料Dn(m、n)。
第八B圖為根據行列MAX的資料Dn(m、n)來逐一特定缺陷區域之缺陷判定流程圖。
第八C圖為與第八B圖的缺陷判定流程圖不相同之另外的流程圖。
第九A圖為表示以整批處理來處理有修理處所的有機電致發光元件50的修理裝置100之概略圖。
第九B圖為第九A圖所示之整批處理的修理裝置110之修理流程圖。
第十圖為表示一面製造有機電致發光元件50一面觀察缺陷處所，成行地修理缺陷處所的製造兼修理裝置200之概略圖。
P31．．．步驟
P32．．．步驟
P33．．．步驟
P34．．．步驟
P35．．．步驟
P36．．．步驟
P37．．．步驟
P38．．．步驟
P39．．．步驟
P40．．．步驟
P41．．．步驟
P42．．．步驟

Claims (16)

  1. 一種缺陷檢出方法，係由伴隨著預定油墨塗佈工程而形成於基板上之複數個顯示像素所組成之顯示裝置的缺陷檢出方法，其特徵為，具備有以下的步驟：測量步驟，將該顯示裝置之區域畫分成以行列區分的複數個部分區域，對於每一該部分區域，測量設於每一該顯示像素的薄膜電晶體之電極與電極間之間隔，或是測量該油墨之塗佈位置之正確度，以作為特徵量；及第一判定步驟，判定所測量各該部分區域的特徵量是否在第一範圍內；演算步驟，針對該第一判定步驟中被判定為在第一範圍內的第一部分區域，就與該行列之行方向或列方式相鄰之第二部分區域的特徵量，與該第一部分區域的特徵量，算出二者之差距；及第二判定步驟，判定所算出的該差距是否在第二範圍內，當該差距在第二範圍內時，認定該第一部分區域為良好。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之缺陷檢出方法，其中，前述顯示裝置的區域是以行列被區分，前述周邊的部分區域為被判定為在前述第一範圍內的像素之與行方向或列方向相鄰之像素。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之缺陷檢出方法，其中，前述特徵量包括前述顯示裝置的隔壁高度、前述隔壁的位置或前述顯示裝置之電極與電極的間隙的至少一個為特徵。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之缺陷檢出方法，其中，具備有：計數前述第一判定步驟中被判定為在第 一範圍外的部分區域及前述第二判定步驟中被判定為在第二範圍外的部分區域來作為缺陷之缺陷數計數步驟；及前述缺陷數計數步驟中缺陷數大於第一閾值的情況，停止前述顯示裝置的生產線之步驟。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之缺陷檢出方法，其中：，前述顯示裝置形成在卷狀的可撓性基板上，該可撓性基板以特定速度朝前述行方向輸送；在前述測量步驟，用朝前述列方向延伸的感測器來測量前述顯示裝置的特徵量，並且依照前述可撓性基板輸送的速度，逐次更新前述特徵量，以測量被區分成為行列的特徵量。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之缺陷檢出方法，其特徵為：具備前述顯示裝置的位置之指標來特定位置之步驟；對於每一部分區域特定該位置。
  7. 一種缺陷檢出方法，是由複數個顯示像素所組成之顯示裝置的缺陷檢出方法，其特徵為，具有以下的步驟：將該顯示裝置之區域畫分成以行列區分的複數個部分區域，對於每一該部分區域，測量與設於每一該顯示像素的薄膜電晶體之電極相關的特徵量，根據所測量區域的特徵量計數被判定為缺陷區域的區域之缺陷計數步驟；及前述缺陷計數步驟中缺陷數大於第一閾值的情況，停止前述顯示裝置的生產線之步驟；及前述缺陷計數步驟中缺陷數小於第一閾值的情況，計算特定面積內的缺陷密度之缺陷密度計算步 驟；及前述缺陷密度計算步驟中缺陷密度大於第二閾值的情況，停止前述顯示裝置的生產線之步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之缺陷檢出方法，其特徵，具備有：前述缺陷密度計算步驟中缺陷密度小於第二閾值的情況，在檢修線上修理前述顯示裝置之步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之缺陷檢出方法，其特徵，前述顯示裝置輸送到前述檢修線上時，含有所測量區域的位置資訊和特徵量之缺陷資料傳送到前述檢修線上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之缺陷檢出方法，其中：前述顯示裝置形成在卷狀的可撓性基板，生產線上，該可撓性基板以特定速度朝前述行方向輸送，呈卷狀捲起；在前述檢修線，根據前述缺陷資料，將由呈卷狀捲起的狀態所輸送出來之前述顯示裝置的缺陷區域修理。
  11. 一種顯示裝置的缺陷檢出裝置，是由複數個顯然像素所組成之顯示裝置的缺陷檢出裝置，其特徵為，具備有：將該顯示裝置之區域畫分成以行列區分的複數個部分區域，對於每一該部分區域，測量與設於每一該顯示像素的薄膜電晶體之電極相關的特徵量，判定所測量區域的特徵量是否在第一範圍內之特徵量判定部；及對於該特徵量判定部中被判定為在第一範圍內的第一部分區域，就與該行列之行方向或列方式相鄰 之第二部分區域的特徵量，算出其與該第一部分區域的特徵量之差距，判定該差距是否在第二範圍內之差距判定部。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置的缺陷檢出裝置，其中：前述顯示裝置的部分區域以行列被區分；前述周邊的部分區域為對於被判定為在前述第一範圍內的部分區域，與行方向或列方向相鄰之區域。
  13. 如申請專利範圍第11或12項所述之顯示裝置的缺陷檢出裝置，其中，具備有：計數前述第一判定步驟中被判定為在第一範圍外的部分區域及前述第二判定步驟中被判定為在第二範圍外的部分區域來作為缺陷，判定該計數過的缺陷數是否大於第一閾值之缺陷數判定部；及計算特定面積內所占有的前述缺陷數，判定特定面積內所占有的前述缺陷數是否大於第二閾值之缺陷密度判定部。
  14. 一種缺陷檢出裝置，是由複數個顯示像素所組成之顯示裝置的缺陷檢出裝置，其特徵為，具備有：將該顯示裝置之區域畫分成以行列區分的複數個部分區域，對於每一該部分區域，測量與設於每一該顯示像素的薄膜電晶體之電極相關的特徵量，根據所測量部分區域的特徵量，計數被判定為缺陷區域之部分區域的缺陷數，判定缺陷數是否大於第一閾值之缺陷數判定部；及前述缺陷數判定部中被判定為缺陷數小於第一閾值的情況，計算特定面積內所占有的缺陷數，判定 特定面積內所占有的前述缺陷數是否大於第二閾值之缺陷密度判定部。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置的缺陷檢出裝置，其中，具備有：特定前述缺陷區域的位置，作為位置資訊來輸出之位置計數部；及將被判定為前述缺陷區域的區域之含有前述位置資訊和前述特徵量之缺陷資料記憶之記憶部。
  16. 一種缺陷檢出裝置，是由複數個顯示像素所組成之顯示裝置的缺陷檢出裝置，其特徵為，具備有：將該顯示裝置之區域畫分成以行列區分的複數個部分區域，對於每一該部分區域，測量與設於每一該顯示像素的薄膜電晶體之電極相關的特徵量，根據所測量部分區域的特徵量，計數被判定為缺陷區域之部分區域的缺陷數，並且計算特定面積內所占有的缺陷數，判定特定面積內所占有的前述缺陷數是否大於第二閾值之缺陷密度判定部。
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