TWI439756B - 面板導電膜配置系統及其方法 - Google Patents

Description

面板導電膜配置系統及其方法

本發明係有關於一種面板之薄膜配置系統及方法，特別是有關於依據面板各組線路之線寬，以控制薄膜的線路接觸區塊與面板的薄膜接觸單元之接觸面積的薄膜配置系統及方法。

請參閱圖1A與圖1B繪示先前技術之面板之線路配置示意圖。面板10上配置有複數組線路，各組線路係如圖1B之繪示，第一組線路11與第二組線路12係以相異組別交錯配置於面板10上。面板10底部配置有一端子部14，各線路連接至此端子部14，且各線路的末端皆配置有一薄膜接觸墊13。

之後，一薄膜再被配置於面板10上，薄膜包括等面積的複數個接觸區塊，此等接觸區塊會個別接觸位置相互對應的薄膜接觸墊13。

然而，雙軌跡配線的面板，其相異組別的線路是以不同金屬交錯配置而成，由於第一組線路與第二組線路材質之選擇以及製程設備的控制能力差異可能造成第一組線路與第二組線路的線寬有所差異，故第一組線路與第二組線路的線阻抗會有不同，將導致各線路與相關液晶元件之驅動有所差異，致使顯示畫面出現暗紋與亮紋交錯的情形。

故如何使顯示畫面的畫面亮度一致化，並避免暗、亮交錯的紋路產生，為廠商應思慮的問題。

本發明欲解決的問題係在提供一種令面板於線路之線寬有所差異下，仍能產生一定亮度之紋路的顯示畫面的面板薄膜組裝系統與方法。

為解決上述問題，本發明提供一種面板導電膜配置系統，包括一面板、一薄膜、一攝影單元、一設置單元與一運算單元。

面板配置有平行且相異組別相鄰配置的複數組線路，相異組別的線路的末端形成前後錯位排列，且每一線路之末端配置有一薄膜接觸單元。薄膜具有等面積的複數個線路接觸區塊。攝影單元用以拍攝線路位置以形成一影像。設置單元係受控而將薄膜配置於面板上，以令線路接觸區塊貼合薄膜接觸單元。運算單元電性連接該攝影單元與設置單元，且依據影像以分析各組線路之線寬以取得一線寬差結果，並依據線寬差結果控制設置單元，以調整相互對應的線路接觸區塊與薄膜接觸單元之貼合面積。

為解決上述方法問題，本發明揭露一種面板導電膜配置方法，係包括：提供一面板，面板配置有平行且相異組別相鄰配置之複數組線路，相異組別之線路之末端形成前後錯位排列，且每一線路之末端配置有一薄膜接觸單元；分析相異組別之線路的線寬以取得一線寬差結果；依據該線寬差結果調整至少一薄膜之位置，以調整其包括等面積之複數個線路接觸區塊與各薄膜接觸單元的貼合面積；以及令線路接觸區塊貼合對應的薄膜接觸單元。

本發明之特點係在於本發明藉由調整線路接觸區塊與薄膜接觸單元之貼合面積，以對具較高線阻抗值的線路進行阻抗補償行為，以平衡各線路的線阻抗，使得各線路與相關液晶元件之驅動差異降低，避免顯示畫面出現暗紋與亮紋交錯，以使顯示畫面的畫面亮度一致化。其次，即使不同組別的線路之線寬有所差異，亦能藉由線路的線阻抗補償技術以平衡各線路的線阻抗，故得以提升產品製造良率，進而增進製程裕度，降低不良品與半成品的報廢率。

茲配合圖式將本發明較佳實施例詳細說明如下。

請參閱圖2繪示本發明實施例之系統架構示意圖。請同時參閱圖3A至圖3B繪示本發明實施例之第一種線路配置之第一種線寬差異示意圖。

如圖2與圖3A繪示，一面板20配置於一承載台42，面板20上配置有平行且相異組別相鄰配置的複數組線路，在此以第一組線路21及第二組線路22作為說明，並以線路為一字並排方式為例，而且每一線路末端皆配置有一薄膜接觸單元23。一設置單元43用以將一薄膜30配置於面板20上，薄膜30上具有複數個等形狀面積的線路接觸區塊31。一攝影單元41配置於面板20上方，用以拍攝面板20與薄膜30的配置及對位情形以形成一影像。運算單元40係電性連接攝影單元41與設置單元43，以取得攝影單元41提供的影像，分析影像中面板20的各組線路的線寬差以形成一線寬差結果。之後運算單元40會控制設置單元43，令其配置薄膜30於面板20時，控制薄膜30配置的位置、位移距離與移位方向，以調整線路接觸區塊31與薄膜接觸單元23的接觸面積。

如圖3A，面板20上包括有複數個基準點，在此以三組基準點(25,26,27)進行說明。薄膜30上配置有至少一組對位標記32，此處於兩位置對稱的對位標記32進行說明。

如圖3A與圖3B，此例以第一組線路21之平均線寬小於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會高於第二組線路22的線阻抗值，因此，運算單元40會控制設置單元43調整薄膜30的位移，以使上述兩對位標記32會對位於第一組基準點25，使線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積大於對第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，以對第一組線路21的線阻抗值進行補償。

請參閱圖4A至圖4B繪示本發明實施例之第一種線路配置之第二種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。

如圖4A與圖4B，與前一實施例不同處在於，第一組線路21之平均線寬大於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會低於第二組線路22的線阻抗值，因此，運算單元40會控制設置單元43調整薄膜30的位移，以使上述兩對位標記32對位於第三組基準點27，使線路接觸區塊31與第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積大於對第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積，以對第二組線路22的線阻抗值進行補償。

請參閱圖5A至圖5B繪示本發明實施例之第一種線路配置之第三種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。

如圖5A與圖5B，與前述實施例不同處在於，第一組線路21之平均線寬等於第二組線路22的平均線寬，或第一組線路21之平均線寬與第二組線路22的平均線寬的線寬差小於一設定值，第一組線路21的線阻抗值會等於或接近於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43調整薄膜的位移，以使上述兩對位標記32會對位於第二組基準點26，以令線路接觸區塊31與第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，與線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積為相等。

請參閱圖6A至圖6B繪示本發明實施例之第二種線路配置之第一種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了 解。

如圖2與圖6A繪示，與前述實施例不同處在於，此例之薄膜接觸單元23包括複數間隔接觸墊23’。

如圖6A，面板20上亦配置有複數個基準點，在此以三組基準點(25,26,27)進行說明。薄膜30上配置有至少一組對位標記，此處於兩對位標記32進行說明。

如圖6A與圖6B，此例以第一組線路21之平均線寬小於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會高於第二組線路22的線阻抗值，因此，運算單元40會控制設置單元43調整薄膜30的位移，以使上述兩對位標記32會對位於第一組基準點25，使線路接觸區塊31與第一組線路21的間隔接觸墊23’的接觸面積大於對第二組線路22的間隔接觸墊23’的接觸面積。如圖6B，對應於第一組線路21的線路接觸區塊31係接觸三個間隔接觸墊23’，而對應於第二組線路22的線路接觸區塊31係接觸二個間隔接觸墊23’，以對第一組線路21的線阻抗值進行補償。

請參閱圖7A至圖7B繪示本發明實施例之第二種線路配置之第二種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。

如圖7A與圖7B，與前一實施例不同處在於，第一組線路21之平均線寬大於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會低於第二組線路22的線阻抗 值，因此，運算單元40會控制設置單元43調整薄膜30的位移，以使上述兩對位標記32會對位於第三組基準點27，使線路接觸區塊31與第二組線路22的間隔接觸墊23’的接觸面積大於對第一組線路21的間隔接觸墊23’的接觸面積。如圖7B，對應於第一組線路21的線路接觸區塊31係接觸二個間隔接觸墊23’，而對應於第二組線路22的線路接觸區塊31係接觸三個間隔接觸墊23’，以對第二組線路22的線阻抗值進行補償。

請參閱圖8A至圖8B繪示本發明實施例之第二種線路配置之第三種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。

如圖8A與圖8B，與前述實施例不同處在於，第一組線路21之平均線寬等於第二組線路22的平均線寬，或第一組線路21之平均線寬與第二組線路22的平均線寬的線寬差小於一設定值，第一組線路21的線阻抗值會等於或接近於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43調整薄膜30的位移，以使上述兩對位標記32對位於第二組基準點26，以令線路接觸區塊31與第二組線路22的間隔接觸墊23’的接觸面積，與線路接觸區塊31與第一組線路21的間隔接觸墊23’的接觸面積為相等。如圖8B，對應於第一組線路21的線路接觸區塊31係接觸三個間隔接觸墊23’，而對應於第二組線路22的線路接觸區塊31亦接觸三個間隔接觸墊23’。

請參閱圖9繪示本發明實施例之第三種線路配置之第一種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。與前述實施例不同處在於，本實施例之面板20的線路係採用具複數層次之千鳥排列，每一層次中，相異組別的線路之末端形成前後錯位排列，且每一層次的線路會個別對應一對位薄膜30’。在此以三層次為例，面板20上配置有複數個基準點，每一層次個別包括三組基準點(25,26,27)。

如圖9，第一組線路21之平均線寬小於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會高於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板20上每一層次的第一組基準點25，使線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積大於對第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，以對第一組線路21的線阻抗值進行補償。

請參閱圖10繪示本發明實施例之第三種線路配置之第二種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。此例同以千鳥排列進行說明。

如圖10，第一組線路21之平均線寬大於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會低於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位 移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板20上每一層次的第三組基準點27，使線路接觸區塊31與第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積大於對第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積，以對第二組線路22的線阻抗值進行補償。

請參閱圖11繪示本發明實施例之第三種線路配置之第三種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。此例同以千鳥排列進行說明。

如圖11，第一組線路21之平均線寬等於第二組線路22的平均線寬，或第一組線路21之平均線寬與第二組線路22的平均線寬的線寬差小於一設定值，第一組線路21的線阻抗值會等於或接近於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板20上每一層次的第二組基準點26，以令線路接觸區塊31與第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，與線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積為相等。

請參閱圖12繪示本發明實施例之第四種線路配置之第一種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。此例同以千鳥排列進行說明，且薄膜接觸單元23包括複數間隔接觸墊23’。

如圖12，第一組線路21之平均線寬小於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會高於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板20上每一層次的第一組基準點25，使線路接觸區塊31與第一組線路21的間隔接觸墊23’的接觸面積大於對第二組線路22的間隔接觸墊23’的接觸面積。如圖12，每一層次中，對應於第一組線路21的線路接觸區塊31係接觸三個間隔接觸墊23’，而對應於第二組線路22的線路接觸區塊31係接觸二個間隔接觸墊23’，以對第一組線路21的線阻抗值進行補償。

請參閱圖13繪示本發明實施例之第四種線路配置之第二種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。此例同以千鳥排列進行說明，且薄膜接觸單元23包括複數間隔接觸墊23’。

如圖13，第一組線路21之平均線寬大於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會低於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板20上每一層次的第三組基準點27，使線路接觸區塊31與第二組線路22的間隔接觸墊23’的接觸面積大於對第一 組線路21的間隔接觸墊23’的接觸面積。如圖13，每一層次中，對應於第一組線路21的線路接觸區塊31係接觸二個間隔接觸墊23’，而對應於第二組線路22的線路接觸區塊31係接觸三個間隔接觸墊23’，以對第二組線路22的線阻抗值進行補償。

請參閱圖14繪示本發明實施例之第四種線路配置之第三種線寬差異示意圖，請同時參閱圖2以利於了解。此例同以千鳥排列進行說明，且薄膜接觸單元包括複數間隔接觸墊23’。

如圖14，第一組線路21之平均線寬等於第二組線路22的平均線寬，或第一組線路21之平均線寬與第二組線路22的平均線寬的線寬差小於一設定值，第一組線路21的線阻抗值會等於或接近於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板20上每一層次的第二組基準點26，令線路接觸區塊31與第二組線路22的間隔接觸墊23’的接觸面積，與線路接觸區塊31與第一組線路21的間隔接觸墊23’的接觸面積為相等。如圖14，每一層次中，對應於第一組線路21的線路接觸區塊31係接觸三個間隔接觸墊23’，而對應於第二組線路22的線路接觸區塊31亦接觸三個間隔接觸墊23’。

請參閱圖15繪示本發明實施例之方法流程示意圖與圖16繪示本發明實施例之方法細部流程示意圖，請同時參閱圖2至圖14以利於了解。方法施行流程如下：提供一面板，面板配置有平行且相異組別相鄰配置之複數組線路，相異組別的線路之末端形成前後錯位排列，且每一線路之末端配置有一薄膜接觸單元(步驟S110)。如圖3A、圖4A、圖5A、圖6A、圖7A與圖8A，面板20上配置有平行且相異組別相鄰配置的複數組線路，在此以第一組線路21及第二組線路22作為說明，並以線路為一字並排方式為例，而且每一線路末端皆配置有一薄膜接觸單元23。面板20上包括有複數個基準點，在此以三組基準點(25,26,27)進行說明。薄膜30上配置有至少一組對位標記，此處於兩對位標記32進行說明。又如圖9至圖14，面板20的線路亦得以採用具複數層次之千鳥排列，每一層次中，相異組別的線路之末端形成前後錯位排列，且每一層次的線路會個別對應一對位薄膜30’。以三層次為例，面板20上配置有複數個基準點，每一層次會個別對應三組基準點(25,26,27)。其中，薄膜接觸單元23可為單一組件，或是複數個間隔接觸墊23’之組成。

分析相異組別之線路的線寬以取得一線寬差結果(步驟S120)。如前述，攝影單元41用以拍攝面板20與薄膜30的配置及對位情形以形成一影像。運算單元40取得攝影單元41提供的影像時，係分析影像中面板的各組線路的線寬差以形成一線寬差結果。線寬差結果包括第一組線路21的各線路之線寬值與平均線寬值、第二組線路22之各線路之線寬值與平均寬值等線路的分析數值，此線寬差計算模式亦適用於圖9至圖14繪示的千鳥排列架構。

依據線寬差結果調整至少一薄膜之位置，以調整其包括等面積之複數個線路接觸區塊與薄膜接觸單元的貼合面積(步驟S130)。

運算單元40會先依據線寬差結果計算薄膜30之位移距離與位移方向。首先，運算單元40會判斷第一組線路21之平均線寬是否等於第二組線路22之平均線寬或線寬差小於一設定值(步驟S131)。

當第一組線路21之平均線寬等於第二組線路22之平均線寬或線寬差小於一設定值，調整薄膜30之配置位置以令相對應的薄膜接觸單元23與線路接觸區塊31之接觸面積為相等(步驟S132)。

就圖3A至圖8B而言，薄膜30會配置於面板20上，相互對應的線路接觸區塊31會與薄膜接觸單元23相互貼合。而就圖9至圖14的千鳥排列架構而言，每一層次的對位薄膜30’上亦配置有位置對應於薄膜接觸單元23的線路接觸區塊31，使得每一層次的對位薄膜30’的線路接觸區塊31與對應的薄膜接觸單元23相互貼合。

如圖5A與圖5B、圖8A與圖8B、圖11以及圖14，第一組線路21之平均線寬等於第二組線路22的平均線寬，或第一組線路21之平均線寬與第二組線路22的平均線寬的線寬差小於一設定值時，第一組線路21的線阻抗值會等於或接近於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以調整單一薄膜30的位移，以使薄膜30的兩對位標記32對位於面板20的第二組基準點26(如圖5A與圖5B、圖8A與圖8B)，或同時調整多層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板上每一層次的第二組基準點26(如圖11與圖14)，以令線路接觸區塊31與第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，與線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積為相等。

當運算單元40判定第一組線路21之平均線寬未等於第二組線路22之平均線寬或線寬差高於一設定值，判斷第一組線路21之平均線寬是否大於第二組線路22之平均線寬(步驟S133)。當第一組線路21之平均線寬小於第二組線路22之平均線寬時，調整薄膜30之位置，以令第一組線路21的薄膜接觸單元23與其對應的線路接觸區塊31的貼合面積，大於第二組線路22之薄膜接觸單元23與其對應的線路接觸區塊31的貼合面積(步驟S134)。

如圖3A與圖3B、圖6A與圖6B、圖9以及圖12，第一組線路21之平均線寬小於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會高於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以調整單一 薄膜30的位移，以使薄膜30的兩對位標記32對位於面板20的第一組基準點25(如圖3A與圖3B、圖6A與圖6B)，或同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記同時對位於面板20上每一層次的第一組基準點25(如圖9與圖12)，使線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積大於對第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，以對第一組線路21的線阻抗值進行補償。

當第一組線路21之平均線寬大於第二組線路22之平均線寬時，調整薄膜30之位置，以令第二組線路22的薄膜接觸單元23與其對應的線路接觸區塊31的貼合面積，大於第一組線路21之薄膜接觸單元23與其對應的線路接觸區塊31的貼合面積(步驟S135)。

如圖4A與圖4B、圖7A與圖7B、圖10以及圖13，第一組線路21之平均線寬大於第二組線路22的平均線寬，故第一組線路21的線阻抗值會低於第二組線路22的線阻抗值。因此，運算單元40會控制設置單元43以調整單一薄膜30的位移，以使薄膜30的兩對位標記32對位於面板20的第三組基準點27(如圖4A與圖4B、圖7A與圖7B)，或同時調整三個層次個別對應的對位薄膜30’的位移，以使每一對位薄膜30’的兩對位標記32同時對位於面板上每一層次的第三組基準點27(如圖10與圖13)，線路接觸區塊31與第一組線路21之薄膜接觸單元23的接觸面積小於對第二組線路22之薄膜接觸單元23的接觸面積，以對第二組線路22的線阻抗值進行補償。

最後，將薄膜30配置於面板上，以令線路接觸區塊31貼合對應的薄膜接觸單元23(步驟S140)。

綜上所述，乃僅記載本發明為呈現解決問題所採用的技術手段之實施方式或實施例而已，並非用來限定本發明專利實施之範圍。即凡與本發明專利申請範圍文義相符，或依本發明專利範圍所做的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。

【先前技術】

10．．．面板

11．．．第一組線路

12．．．第二組線路

13．．．薄膜接觸墊

14．．．端子部

【本發明】

20．．．面板

21．．．第一組線路

22．．．第二組線路

23．．．薄膜接觸單元

23’．．．間隔接觸墊

25．．．第一組基準點

26．．．第二組基準點

27．．．第三組基準點

30．．．薄膜

30’．．．對位薄膜

31．．．線路接觸區塊

32．．．對位標記

40．．．運算單元

41．．．攝影單元

42．．．承載台

43．．．設置單元

圖1A與圖1B繪示先前技術之面板之線路配置示意圖；

圖2繪示本發明實施例之系統架構示意圖；

圖3A至圖3B繪示本發明實施例之第一種線路配置之第一種線寬差異示意圖；

圖4A至圖4B繪示本發明實施例之第一種線路配置之第二種線寬差異示意圖；

圖5A至圖5B繪示本發明實施例之第一種線路配置之第三種線寬差異示意圖；

圖6A至圖6B繪示本發明實施例之第二種線路配置之第一種線寬差異示意圖；

圖7A至圖7B繪示本發明實施例之第二種線路配置之第二種線寬差異示意圖；

圖8A至圖8B繪示本發明實施例之第二種線路配置之第三種線寬差異示意圖；

圖9繪示本發明實施例之第三種線路配置之第一種線寬差異示意圖；

圖10繪示本發明實施例之第三種線路配置之第二種線寬差異示意圖；

圖11繪示本發明實施例之第三種線路配置之第三種線寬差異示意圖；

圖12繪示本發明實施例之第四種線路配置之第一種線寬差異示意圖；

圖13繪示本發明實施例之第四種線路配置之第二種線寬差異示意圖；

圖14繪示本發明實施例之第四種線路配置之第三種線寬差異示意圖；

圖15繪示本發明實施例之方法流程示意圖；以及

圖16繪示本發明實施例之方法細部流程示意圖。

20．．．面板

21．．．第一組線路

22．．．第二組線路

23．．．薄膜接觸單元

25．．．第一組基準點

26．．．第二組基準點

27．．．第三組基準點

30．．．薄膜

31．．．線路接觸區塊

32．．．對位標記

Claims (12)

1. 一種面板導電膜配置系統，包括：一面板，係配置有平行且相異組別相鄰配置之複數組線路，其中，相異組別之該等線路之末端形成前後錯位排列，且每一線路之末端配置有一薄膜接觸單元；一薄膜，係具有等面積之複數個線路接觸區塊；一攝影單元，用以拍攝該等組線路以形成一影像；一設置單元，用以係受控而將該薄膜配置於該面板上，以令該等線路接觸區塊貼合該等薄膜接觸單元；以及一運算單元，電性連接該攝影單元與該設置單元，且依據該影像分析各該組線路之線寬以取得一線寬差結果，並依據該線寬差結果控制該設置單元調整該薄膜之位置，以調整該等線路接觸區塊與該等薄膜接觸單元之貼合面積。
2. 如申請專利範圍第1項所述之面板導電膜配置系統，其中該等組線路包括複數個第一線路與複數個第二線路，該運算單元判斷該等第一線路之平均線寬小於該等第二線路之平均線寬時，係控制該設置單元以調整該薄膜之位置，以增加該等第一線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積，以及該運算單元判斷該等第二線路之平均線寬小於該等第一線路之平均線寬時，係控制該設置單元以調整該薄膜之位置，以增加該等第二線路之該等薄膜接觸單元與其對應之 該等線路接觸區塊的貼合面積。
3. 如申請專利範圍第1項所述之面板導電膜配置系統，其中該等組線路包括複數個第一線路與複數個第二線路，該運算單元判斷該等第一線路之平均線寬小於該等第二線路之平均線寬時，係控制該設置單元以調整該薄膜之位置，以降低該等第二線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積，以及該運算單元判斷該等第二線路之平均線寬小於該等第一線路之平均線寬時，係控制該設置單元以調整該薄膜之位置，以降低該等第一線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積。
4. 如申請專利範圍第1項所述之面板導電膜配置系統，其中該運算單元判斷相異組別之該等線路之線寬為相等或線寬差小於一設定值，係控制該設置單元以調整該薄膜之位置，令該等薄膜接觸單元與該等線路接觸區塊之接觸面積為相等。
5. 如申請專利範圍第1項所述之面板導電膜配置系統，其中該等組線路之末端係形成為複數層次之千鳥排列，每一層次之相異組別之該等組線路之末端形成前後錯位排列，且每一層次之該等線路個別對應一對位薄膜。
6. 如申請專利範圍第1項所述之面板導電膜配置系統，其中每一薄膜接觸單元包括複數個間隔接觸墊，當該運算單元控制該設置單元以調整該薄膜之位移時，控制對應同組線路之該等線路接觸區塊接觸對應之該等間隔接 觸墊的間隔接觸墊數量。
7. 如申請專利範圍第1項所述之面板導電膜配置系統，其中該面板配置有複數組基準點，該薄膜配置有至少一組對位標記，該運算單元係依據該攝影單元拍攝畫面以分析該組對位標記與其一組基準點之對位，以利用該設置單元控制該薄膜之位移。
8. 一種面板導電膜配置方法，係包括：提供一面板，該面板配置有平行且相異組別相鄰配置之複數組線路，相異組別之該等線路之末端形成前後錯位排列，且每一線路之末端配置有一薄膜接觸單元；分析相異組別之該等線路之線寬以取得一線寬差結果；依據該線寬差結果調整至少一薄膜之位置，以調整其包括等面積之複數個線路接觸區塊與該等薄膜接觸單元的貼合面積；以及令該等線路接觸區塊貼合該等薄膜接觸單元。
9. 如申請專利範圍第8項所述之面板導電膜配置方法，其中該等組線路包括複數個第一線路與複數個第二線路，而依據該線寬差結果調整至少一薄膜之位置，以調整其包括等面積之複數個線路接觸區塊與該等薄膜接觸單元的貼合面積之該步驟包括：判斷該等第一線路之平均線寬是否等於該等第二線路之平均線寬或線寬差小於一設定值；以及當該等第一線路之平均線寬等於該等第二線路之 平均線寬或線寬差小於一設定值，調整該薄膜之配置位置以令該等薄膜接觸單元與該等線路接觸區塊之接觸面積為相等。
10. 如申請專利範圍第9項所述之面板導電膜配置方法，其中判斷該等第一線路之平均線寬是否等於該等第二線路之平均線寬或線寬差小於一設定值之該步驟更包括：當該等第一線路之平均線寬未等於該等第二線路之平均線寬或該線寬差高於一設定值時，判斷該等第一線路之平均線寬是否大於該等第二線路之平均線寬，以決定該薄膜之配置位置與位移方向。
11. 如申請專利範圍第10項所述之面板導電膜配置方法，其中當該等第一線路之平均線寬大於該等第二線路之平均線寬時，調整該薄膜之位置以令該等第二線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積大於該等第一線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積。
12. 如申請專利範圍第10項所述之面板導電膜配置方法，其中當該等第一線路之平均線寬小於該等第二線路之平均線寬時，調整該薄膜之位置以令該等第一線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積大於該等第二線路之該等薄膜接觸單元與其對應之該等線路接觸區塊的貼合面積。