JP2013214500A - 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 - Google Patents
蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013214500A JP2013214500A JP2013030034A JP2013030034A JP2013214500A JP 2013214500 A JP2013214500 A JP 2013214500A JP 2013030034 A JP2013030034 A JP 2013030034A JP 2013030034 A JP2013030034 A JP 2013030034A JP 2013214500 A JP2013214500 A JP 2013214500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- organic
- base material
- layer
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 123
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 119
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 20
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 20
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 13
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 13
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 168
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 21
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 N, N-di-m-tolylamino Chemical group 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、各構成層の蒸着状況を確認することができる蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置４と、読取装置４で読み取った基材８１の長手方向の同じ位置における各構成層の蒸着データを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部６とを備えた有機ＥＬデバイスの製造装置１００。
【選択図】図１
【解決手段】各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置４と、読取装置４で読み取った基材８１の長手方向の同じ位置における各構成層の蒸着データを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部６とを備えた有機ＥＬデバイスの製造装置１００。
【選択図】図１
Description
本発明は、基材に形成される有機ＥＬ（エレクトロルミネッサンス）素子の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置に関する。また、本発明は、有機ＥＬデバイスを製造するための有機ＥＬデバイスの製造装置に関し、さらには、有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。
従来、有機ＥＬデバイスの製造方法として、ロールｔｏロールプロセスが知られている。斯かるロールｔｏロールプロセスとは、ロール状に巻き取られた帯状の基材を連続的に繰り出して搬送し、そして、複数の蒸着源が搬送されている基材に向けて気化材料を吐出し、吐出された気化材料が基材の蒸着面に蒸着することで、基材に有機ＥＬ素子の構成層が形成され、その後、基材をロール状に巻き取るといったプロセスである（特許文献１参照）。
ところで、特許文献１に係る製造装置や製造方法においては、複数の蒸着源が次々に気化材料を吐出し、各構成層が次々に積層されていくため、各構成層の蒸着状況が全く把握できない。したがって、搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、所定の有機ＥＬ素子における各構成層の蒸着状況を確認したいという要望がある。
よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、各構成層の蒸着状況を確認することができる蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法を提供することを課題とする。
本発明に係る蒸着データ処理装置は、搬送される帯状の基材に気化材料を蒸着することで、前記基材の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置であって、前記各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置と、該読取装置で読み取った前記基材の長手方向の同じ位置における各構成層のデータを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置は、前記基材を搬送する搬送装置と、搬送される前記基材に気化材料を吐出する複数の蒸着源とを備え、前記各蒸着源から吐出された気化材料が前記基材に蒸着されることで、複数の構成層からなる前記有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬデバイスの製造装置において、前記の蒸着データ処理装置を備えることを特徴とする。
本発明に係る蒸着データ処理装置及び有機ＥＬデバイスの製造装置によれば、読取装置は、基材の長手方向に並列して形成される各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る。そして、処理部は、読取装置で読み取った基材の長手方向の同じ位置における各構成層のデータを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する。したがって、例えば、有機ＥＬ素子ごとに各構成層のデータを容易に確認することができる。
また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置においては、前記基材を遮蔽する遮蔽部材を有する遮蔽装置を備え、前記遮蔽部材は、前記基材における構成層を形成する位置である構成層形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記構成層形成位置を露出させる第１の開放部を備え、前記遮蔽装置は、前記読取装置が構成層を読み取る契機となる読取契機部を形成すべく、前記基材における前記読取契機部を形成する位置である契機部形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記契機部形成位置を露出させる第２の開放部を備え、前記読取装置は、前記読取契機部を検出することに基づいて、構成層を読み取ってもよい。
斯かる構成の有機ＥＬデバイスの製造装置によれば、遮蔽装置には、基材を遮蔽する遮蔽部材が設けられている。そして、遮蔽部材には、第１の開放部が設けられているため、基材における構成層を形成する位置である構成層形成位置が露出される。これにより、基材の構成層形成位置に気化材料が蒸着され、所望の構成層が形成される。
さらに、遮蔽装置には、第２の開放部が設けられているため、読取装置が構成層を読み取る契機となる読取契機部を形成する位置である基材の契機部形成位置が、露出される。これにより、基材の契機部形成位置に気化材料が蒸着されるため、読取契機部が形成される。そして、読取装置が読取契機部を検出することに基づいて構成層を読み取るため、読取装置が構成層の位置を正確に認識して構成層を読み取れる。
また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置においては、前記処理装置は、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部と、前記読取装置で読み取った構成層のデータに基づいて、当該構成層の蒸着状態を検査する蒸着検査部とを備え、前記蒸着制御部は、前記蒸着検査部の検査結果に基づいて、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを停止させてもよい。
斯かる構成の有機ＥＬデバイスの製造装置によれば、蒸着検査部は、読取装置で読み取った構成層のデータに基づいて、当該構成層の蒸着状態を検査する。そして、各蒸着源が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部は、蒸着検査部の検査結果に基づいて、各蒸着源が気化材料を吐出することを停止させる。
したがって、例えば、蒸着検査部が所定の構成層を異常と判断した場合に、蒸着制御部が下流側の蒸着源から当該構成層の位置に気化材料を吐出することを停止させることで、気化材料の材料歩合向上を図ることができる。
また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、前記の有機ＥＬデバイスの製造装置により有機ＥＬデバイスを製造することを特徴とする。
以上の如く、本発明によれば、搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、各構成層の蒸着状況を確認することができるという優れた効果を奏する。
以下、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における一実施形態について、図１〜図１０を参酌して説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置（以下、単に「製造装置」ともいう）１００は、内部が真空である真空室１と、真空室１の内部を通過するように、帯状の基材８１を長手方向に搬送する搬送装置２と、搬送される基材８１の一方側の面である蒸着面８１１に気化材料を吐出する蒸着装置３と、各有機ＥＬ素子８０を構成する構成層を読み取る読取装置４と、基材８１を遮蔽する遮蔽装置５と、読取装置４で読み取ったデータを処理する処理部６とを備える。
なお、製造装置１００は、基材８１の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子８０の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置（以下、単に「処理装置」ともいう）１０１を備えており、該処理装置１０１は、読取装置４と、処理部６と、例えば、キーボードやマウスといったように、各種データを入力する入力部７１と、例えば、表示装置やプリンタといったように、処理されたデータを出力する出力部７２とにより、構成されている。
真空室１は、三つの真空チャンバ１１と、各真空チャンバ１１の内部が真空となるように、各真空チャンバ１１に接続される真空発生装置（例えば、真空ポンプ）１２とを備えている。そして、各真空チャンバ１１は、各装置２，３，４，５を内部に収容している。
搬送装置２は、ロール状に巻かれた帯状の基材８１を繰り出して供給する基材供給部２１と、外周部に基材８１が掛けられることで、基材８１を支持する複数の支持ローラ２２，２３と、基材８１をロール状に巻き取って回収する基材回収部２４とを備える。なお、基材８１は、終始、蒸着面８１１を側方に向けた状態で搬送されている。
複数の支持ローラ２２，２３には、基材８１が蒸着装置３で蒸着される際に、基材８１を支持する第１〜第３のキャンローラ２２と、基材供給部２１及び各キャンローラ２２並びに基材回収部２４間に配置される複数の搬送ローラ２３とが設けられている。そして、複数の支持ローラ２２，２３は、基材８１に掛け渡されている。
蒸着装置３は、第１のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第１の蒸着部３１と、第２のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第２の蒸着部３２と、第３のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第３の蒸着部３３とを備える。なお、各蒸着部３１〜３３は、各キャンローラ２２の側方に配置される横向き蒸着部である。
第１の蒸着部３１は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に陽極層８２（図１０参照）を形成する陽極層蒸着源３１１を備える。即ち、第１の蒸着部３１は、陽極層８２を構成する一層の陽極層構成層を形成する。
第２の蒸着部３２は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に正孔注入層８３１（図１０参照）を形成する正孔注入層蒸着源３２１と、正孔注入層蒸着源３２１より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、正孔輸送層８３２（図１０参照）を形成する正孔輸送層蒸着源３２２と、正孔輸送層蒸着源３２２より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、発光層８３３（図１０参照）を形成する発光層蒸着源３２３とを備える。
また、第２の蒸着部３２は、発光層蒸着源３２３より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、電子輸送層８３４（図１０参照）を形成する電子輸送層蒸着源３２４と、電子輸送層蒸着源３２４より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、電子注入層８３５（図１０参照）を形成する電子注入層蒸着源３２５とを備える。即ち、第２の蒸着部３２は、有機ＥＬ層８３（図１０参照）を構成する五層の有機ＥＬ層構成層を形成する。
第３の蒸着部３３は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に第１〜第３の陰極層構成層８４１〜８４３（図１０参照）を形成する第１〜第３の陰極層蒸着源３３１〜３３３を備える。即ち、第３の蒸着部３３は、陰極層８４を構成する三層積層体の陰極層構成層を形成する。
各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３は、加熱部（図示及び採番していない）により、内部に収容された材料を加熱して気化させ、そして、気化された材料（気化材料）を吐出部の開口から基材８１の蒸着面８１１に向けて吐出するように構成されている。そして、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３は、横向きに気化材料を吐出すべく、吐出部の開口が側部に配置され且つ基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。
また、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。具体的には、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３の吐出部の開口と基材８１との間の距離（最短距離）が１０ｍｍ以下となる位置に、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３が配置されている。
読取装置４は、基材８１の蒸着面８１１の所定領域を読み取る複数の読取器４１を備える。また、各読取器４１は、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３の下流側にそれぞれ配置されている。これにより、読取装置４は、各読取器４１により、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３で蒸着された有機ＥＬ素子８０の各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の蒸着状態（例えば、蒸着領域、蒸着厚さ等）を読み取る。
そして、各読取器４１は、各キャンローラ２２の側方に配置されると共に、基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。さらに、各読取器４１は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。なお、本実施形態においては、各読取器４１は、ＣＣＤカメラとしている。
遮蔽装置５は、図２〜図７に示すように、基材８１を遮蔽する複数の遮蔽部材５１と、各遮蔽部材５１を回転移動させることにより、各遮蔽部材５１の位置を切り替える複数の切替機構５２とを備える。なお、図２には、第１のキャンローラ２２に設けられる全て（六つ）の遮蔽部材５１を図示しているが、図３〜図７には、特定（一つ）の遮蔽部材５１のみを図示している。
また、図２〜図７において、第１のキャンローラ２２に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２を図示しているが、第２及び第３のキャンローラ２２に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２も略同じ構成である。なお、本実施形態においては、第２キャンローラ２２に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２は、十個ずつ、第３キャンローラ２３に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２は、六つずつとしている。
各遮蔽部材５１は、基材８１を遮蔽する遮蔽部５１１と、基材８１の所定位置（以下、「構成層形成位置」ともいう）に気化材料が蒸着されるように、構成層形成位置を露出させる第１の開放部５１２とを備える。また、各遮蔽部材５１は、切替機構５２に接続される基部５１３を備える。
そして、各遮蔽部材５１は、各切替機構５２により、遮蔽部５１１が蒸着源３１１及び基材８１間に配置されることで基材８１を遮蔽させる遮蔽位置と、遮蔽部５１１が蒸着源３１１及び基材８１間から退避されることで基材８１を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替えられる。本実施形態においては、各遮蔽部材５１は、所謂、フリップ式遮蔽板としている。
各遮蔽部５１１は、帯状（具体的には矩形状）に形成されていると共に、板状に形成されている一方、第１の開放部５１２は、遮蔽部５１１の内部に、矩形状に形成されている。また、遮蔽部５１１は、遮蔽位置に位置した状態において、基材８１から離間されて配置される。例えば、遮蔽部５１１と基材８１との離間の間隔は、１ｍｍ以下であることが望ましい。
なお、遮蔽装置５は、各遮蔽部材５１がキャンローラ２２の周方向に沿って並列されていると共に、遮蔽位置に位置されている各遮蔽部５１１間が離間して配置されていることで、第２の開放部５ａを形成している。そして、遮蔽装置５は、第２の開放部５ａにより、基材８１の所定位置（以下、「契機部形成位置」ともいう）を露出させる。これにより、基材８１の契機部形成位置に気化材料が蒸着され、読取装置４が構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を読み取る契機となる読取契機部８５（図１０参照）が形成される。
各切替機構５２は、キャンローラ２２と一体になって回転するようにキャンローラ２２に固定される本体部５２１を備える。また、各切替機構５２は、キャンローラ２２の駆動軸２２１に平行な軸で回転するように本体部５２１に支持される第１回転体５２２と、第１回転体５２２の軸と直交する方向に沿って配置される軸で回転するように本体部５２１に支持され、かつ、第１回転体５２２の駆動を受ける第２回転体５２３とを備える。
そして、各切替機構５２は、一端部が第１回転体５２２の軸に連結される第１リンク体５２４と、一端部が第２回転体５２３の軸に連結され且つ他端部が遮蔽部材５１の基部５１３に連結される第２リンク体５２５とを備える。さらに、各切替機構５２は、第１リンク体５２４の他端部に回転可能に取り付けられるカムフォロワ５２６と、カムフォロワ５２６に摺接されるカム５２７とを備える。
各第１回転体５２２及び各第２回転体５２３の内部には、磁性体がそれぞれ設けられている。これにより、各第２回転体５２３の磁性体が各第１回転体５２２の磁性体から磁力を受けるため、各第１回転体５２２が回転するのに伴って、各第２回転体５２３が回転する。なお、各第１回転体５２２と各第２回転体５２３とは、離間して配置されている。
カム５２７は、円板状に構成されている。そして、カム５２７は、キャンローラ２２を駆動するための駆動軸２２１と同心状に配置されている。しかしながら、カム５２７は、駆動軸２２１及びキャンローラ２２と一体になって回転することはなく、真空チャンバ１１に固定されている。
カム５２７は、遮蔽部５１１を遮蔽解除位置で保持するための第１領域５２７ａと、遮蔽部５１１を遮蔽解除位置から遮蔽位置に移動させるための第２領域５２７ｂと、遮蔽部５１１を遮蔽位置で保持するための第３領域５２７ｃと、遮蔽部５１１を遮蔽位置から遮蔽解除位置に移動させるための第４領域５２７ｄとを備える。
そして、各切替機構５２は、キャンローラ２２の外周部の接線方向（キャンローラ２２の駆動軸２２１と直交する方向）を中心に遮蔽部材５１を回転させることで、遮蔽部５１１を基材８１に接離させる。なお、各切替機構５２には、付勢部材（図示及び採番していない）が設けられており、カムフォロワ５２６がカム５２７の各領域（第１領域５２７ａ〜第４領域５２７ｄ）に接触した状態を維持するように付勢されている。
なお、第１のキャンローラ２２においては、キャンローラ２２が一回転する際に、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに一回ずつ位置するように切り替えられているが、読取装置４が全ての構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の蒸着状況を読み取るべく、各キャンローラ２２が一回転する際に、キャンローラ２２に配置されている蒸着源３１１，３２１〜３２５，３４１〜３４３の数だけ、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替えられている。
具体的には、第２のキャンローラ２２においては、キャンローラ２２が一回転する際に、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに五回ずつ位置するように切り替えられ、また、第３のキャンローラ２２においては、第３のキャンローラ２２が一回転する際に、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに三回ずつ位置するように切り替えられる。そして、読取器４１は、遮蔽部５１１が遮蔽解除位置に位置する際に、基材８１の蒸着面８１１を読み取っている。
処理部６は、図８に示すように、搬送装置２を制御する搬送制御部６１と、蒸着装置３を制御する蒸着制御部６２と、読取装置４を制御する読取制御部６３とを備える。また、処理部６は、読取装置４で読み取ったデータに基づいて、蒸着状況を検査する蒸着検査部６４と、読取装置４で読み取ったデータを集積する集積処理部６５とを備える。
蒸着制御部６２は、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３が気化材料を吐出することを制御する。そして、蒸着制御部６２は、蒸着検査部６４の検査結果に基づいて、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３が気化材料を吐出することを停止させる。具体的には、蒸着検査部６４が所定の構成層形成位置における陽極層８２を異常と判断した場合に、陽極層蒸着源３１１の下流側に配置される各蒸着源３２１〜３２５，３３１〜３３３が当該構成層形成位置に気化材料を吐出することを停止させる。
読取制御部６３は、基材８１の読取契機部８５を検出することに基づいて、各読取器４１が基材８１の蒸着面８１１を読み取るように、各読取器４１を制御する。具体的には、読取制御部６３は、構成層を適正な位置で読み取るべく、読取器４１が読取契機部８５を検出した後所定時間が経過した際に、読取器４１が基材８１の蒸着面８１１を読み取るように、各読取器４１を制御する。
蒸着検査部６４は、検査するための蒸着データの情報を記憶する情報記憶部６４１と、情報記憶部６４１の情報と読取装置４で読み取った構成層の蒸着データ（例えば、蒸着領域、蒸着濃度による蒸着厚さ等）とを比較し、蒸着状況が正常か異常かを判定する結果判定部６４２とを備える。そして、蒸着検査部６４は、所定の構成層形成位置における蒸着を異常と判定した際に、その構成層形成位置の情報を蒸着制御部６２に送る。
集積処理部６５は、読取装置４で読み取った基材８１の長手方向の同じ位置、即ち、同じ構成層形成位置における各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３のデータを、一つの有機ＥＬ素子８０のデータとして集積処理する。これにより、各有機ＥＬ素子８０別に、各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３のデータがまとめられる。
本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００については以上の通りであり、次に、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００で製造される有機ＥＬデバイス８の構成について、図９及び図１０を参酌して説明する。
有機ＥＬデバイス８は、基材８１と、一層からなる陽極層８２と、五層の積層体である有機ＥＬ層８３と、三層の積層体である陰極層８４とを備えている。また、有機ＥＬデバイス８は、基材８１の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子８０の各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を読み取る契機となる読取契機部８５を備える。
なお、基材８１の各サイズ（幅、厚み、長さ）は、基材８１に形成される有機ＥＬ素子８０の大きさや、製造装置１００の構成等に応じて適宜設定することができ、特に限定されるものではない。また、各層８２〜８４の厚みは、通常、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度になるように設計されるが、用いる構成層形成材料や、発光特性等に応じて適宜設計されるものであり、特に限定されない。
基材８１の形成材料として、搬送される際に損傷しないような可撓性を有する材料が用いられる。このような材料として、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム又はチタンといった金属材料や、薄膜ガラスといった非金属無機材料や、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂又はポリアミド樹脂といった熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂である合成樹脂材料が挙げられる。
陽極層８２の形成材料として、金、銀、アルミニウムなどを挙げることができる。なお、本実施形態に係る陽極層８２は、一つの陽極層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、陽極層は、一つ以上の陽極層構成層から形成されていればよい。
有機ＥＬ層８３は、五つの有機ＥＬ層構成層から構成された五層の積層体である。そして、五つの有機ＥＬ層構成層は、陽極層８２側から順に、正孔注入層８３１、正孔輸送層８３２、発光層８３３、電子輸送層８３４及び電子注入層８３５である。
正孔注入層８３１の形成材料として、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４'−ビス［Ｎ−４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）、ＨＡＴ−ＣＮ等が挙げられる。
正孔輸送層８３２の形成材料として、例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'―ビス（３−メチルフェニル）−１，１'ビフェニル−４，４'ジアミン（ＴＰＤ）等が挙げられる。
発光層８３３の形成材料として、例えば、トリス（８−ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）をドープした４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾニルビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
電子注入層８３４の形成材料として、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）等が挙げられる。
電子輸送層８３５の形成材料として、例えば、トリス（８−ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ＯＸＤ−７（１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］）ベンゼン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
なお、本実施形態に係る有機ＥＬ層８３は、五つの有機ＥＬ層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、有機ＥＬ層８３は、一つ以上の有機ＥＬ層構成層から形成されていればよい。具体的には、有機ＥＬ層８３は、少なくとも発光層８３３を備えていれば、その層構成は特に限定されるものではない。
陰極層８４の形成材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等を含む合金や、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。そして、本実施形態においては、第１の陰極層構成層がＬｉＦ層とし、第２の陰極層形成層がＭｇ層とし、第３の陰極層構成層がＡｇ層としている。なお、本実施形態に係る陰極層８４は、三つの陰極層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、陰極層は、一つ以上の陰極層構成層から形成されていればよい。
読取契機部８５は、基材８１の長手方向に並列される複数の有機ＥＬ素子８０間に配置されている。そして、読取契機部８５は、基材８１の長手方向において、有機ＥＬ素子８０よりも小さい幅寸法となるように形成されている。
以上より、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、読取装置４は、基材８１の長手方向に並列して形成される各有機ＥＬ素子８０を構成する複数の構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の全てを読み取る。そして、処理部６は、読取装置４で読み取った基材８１の長手方向の同じ位置における各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３のデータを、所定の有機ＥＬ素子８０のデータとして集積処理する。
これにより、有機ＥＬ素子８０ごとに各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３のデータを容易に確認することができる。したがって、搬送されている基材８１に連続的に形成される有機ＥＬ素子８０に対して、所定の有機ＥＬ素子８０における各構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の蒸着状況を確認することができる。
また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、遮蔽装置５には、基材８１を遮蔽する遮蔽部材５１が設けられている。そして、遮蔽部材５１には、第１の開放部５１２が設けられているため、基材８１における構成層を形成する位置である構成層形成位置が露出される。これにより、基材８１の構成層形成位置に気化材料が蒸着され、所望の構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３が形成される。
また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、遮蔽装置５には、遮蔽部５１１間の隙間に第２の開放部５ａが設けられているため、読取装置４が構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を読み取る契機となる読取契機部８５を形成する位置である基材８１の契機部形成位置が、露出される。
これにより、基材８１の契機部形成位置に気化材料が蒸着されるため、読取契機部８５が形成される。そして、読取装置４が読取契機部８５を検出することに基づいて構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を読み取るため、各読取器４１が構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の位置を正確に認識して構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を読み取れる。
また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、蒸着検査部６４は、読取装置４で読み取った構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３のデータに基づいて、当該構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の蒸着状態を検査する。そして、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部６２は、蒸着検査部６４の検査結果に基づいて、各蒸着源３１１，３２１〜３２５，３３１〜３３３が気化材料を吐出することを停止させる。
これにより、蒸着検査部６４が所定の構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を異常と判断した場合に、下流側の蒸着源３２１〜３２５，３３１〜３３３が当該構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４２の位置に気化材料を吐出することを停止することで、気化材料の材料歩合向上を図ることができる。
また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、蒸着に際し、基材８１の位置ずれが生じていない場合には、遮蔽装置５の回動速度と支持ローラ（キャンローラ）２２の回転速度を等しくして、気化材料の蒸着が行われる。これに対し、基材８１の位置ずれが生じている場合には、これの位置ずれを検知するとともに、そのずれに応じて遮蔽装置５の回動速度を変更することによって、そのずれによる影響を修正できる。
なお、本発明に係る蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。また、下記する各種の変更例に係る構成や方法等を任意に選択して、上記した実施形態に係る構成や方法等に採用してもよいことは勿論である。
例えば、本発明に係る各装置及び製造方法においては、第１の蒸着部３１の下流にエッジカバー蒸着部を備え、第３の蒸着部３３の下流に封止層蒸着部を備えることにより、図１１に示すように、製造した有機ＥＬデバイス８に、陽極層８２と陰極層８４とが接触することを防止すべく、陽極層８２の周囲を覆うエッジカバー８６と、各層８２〜８４が空気と接触することを防止すべく、各層８２〜８４を覆う封止層８７とが形成されてもよい。
斯かるエッジカバー８６の形成材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等が挙げられる。
斯かる封止層８７の形成材料としては、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＮＯx）、酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）等が挙げられる。なお、ＳｉＯxとしては、例えば、ＳｉＯ2等が挙げられ、ＳｉＮＯxとしては、例えば、ＳｉＮＯ等が挙げられる。
また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、第２の開放部５ａが各遮蔽部５１１間の隙間で形成される構成を説明したが、斯かる構成に限らない。例えば、図１２に示すように、各遮蔽部材５１に、第２の開放部５１４が設けられる構成でもよい。なお、図１２においては、各遮蔽部材５１が遮蔽位置に位置している状態を示している。
しかも、図１２に示すように、第２の開放部５１４が遮蔽部材５１ごとに異なる形状である構成でもよい。斯かる構成によれば、図１３に示すように、読取契機部８５が六つの遮蔽部５１１（５１１ａ〜５１１ｆ）ごとに異なる形状に形成されているため、蒸着検査部６４が所定の構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３の蒸着状況を異常と判定した場合に、異常を発生させた遮蔽部材５１（５１１ａ〜５１１ｆ）を特定することができる。
また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、基材８１に気化材料が蒸着されることで、読取契機部８５が形成される構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、基材供給部２１から供給される基材８１に、事前にタグ等が貼り付けられていてもよい。
また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、遮蔽部５１１が回転するフリップ式遮蔽板である構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、遮蔽装置５は、遮蔽部５１１が所定方向にスライドすることで、遮蔽部５１１を遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替える構成でもよく、また、遮蔽装置５は、基材８１に面合わせで密接され且つ基材８１と一体になって搬送される帯状のシャドーマスクである構成でもよい。
また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、読取装置４が全ての構成層８２，８３１〜８３５，８４１〜８４３を読み取る構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、読取装置４は、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る構成であればよい。
１…真空室、２…搬送装置、３…蒸着装置、４…読取装置、５…遮蔽装置、５ａ…第２の開放部、６…処理部、８…有機ＥＬデバイス、１１…真空チャンバ、１２…真空発生装置、２１…基材供給部、２２…支持ローラ（キャンローラ）、２３…支持ローラ（搬送ローラ）、２４…基材回収部、３１，３２，３３…蒸着部、４１…読取器、５１…遮蔽部材、５２…切替機構、６１…搬送制御部、６２…蒸着制御部、６３…読取制御部、６４…蒸着検査部、６５…集積処理部、７１…入力部、７２…出力部、８０…有機ＥＬ素子、８１…基材、８２…陽極層、８３…有機ＥＬ層、８４…陰極層、８５…読取契機部、８６…エッジカバー、８７…封止層、１００…有機ＥＬデバイスの製造装置、１０１…蒸着データ処理装置、２２１…駆動軸、３１１，３２１，３２２，３２３，３２４，３２５，３３１，３３２，３３３…蒸着源、５１１…遮蔽部、５１２…第１の開放部、５１３…基部、５１４…第２の開放部、５２１…本体部、５２２…第１回転体、５２３…第２回転体、５２４…第１リンク体、５２５…第２リンク体、５２６…カムフォロワ、５２７…カム、５２７ａ…第１領域、５２７ｂ…第２領域、５２７ｃ…第３領域、５２７ｄ…第４領域、６４１…情報記憶部、６４２…結果判定部、８１１…蒸着面、８３１…正孔注入層、８３２…正孔輸送層、８３３…発光層、８３４…電子輸送層、８３５…電子注入層、８４１，８４２，８４３…陰極層構成層
Claims (5)
- 搬送される帯状の基材に気化材料を蒸着することで、前記基材の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置であって、
前記各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置と、該読取装置で読み取った前記基材の長手方向の同じ位置における各構成層のデータを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部とを備えることを特徴とする蒸着データ処理装置。 - 前記基材を搬送する搬送装置と、搬送される前記基材に気化材料を吐出する複数の蒸着源とを備え、前記各蒸着源から吐出された気化材料が前記基材に蒸着されることで、複数の構成層からなる前記有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬデバイスの製造装置において、
請求項１に記載の蒸着データ処理装置を備えることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造装置。 - 前記基材を遮蔽する遮蔽部材を有する遮蔽装置を備え、
前記遮蔽部材は、前記基材における構成層を形成する位置である構成層形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記構成層形成位置を露出させる第１の開放部を備え、
前記遮蔽装置は、前記読取装置が構成層を読み取る契機となる読取契機部を形成すべく、前記基材における前記読取契機部を形成する位置である契機部形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記契機部形成位置を露出させる第２の開放部を備え、
前記読取装置は、前記読取契機部を検出することに基づいて、構成層を読み取る請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 - 前記処理装置は、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部と、前記読取装置で読み取った構成層のデータに基づいて、当該構成層の蒸着状態を検査する蒸着検査部とを備え、
前記蒸着制御部は、前記蒸着検査部の検査結果に基づいて、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを停止させる請求項２又は３に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。 - 請求項２〜４の何れか１項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置により有機ＥＬデバイスを製造することを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013030034A JP2013214500A (ja) | 2012-03-09 | 2013-02-19 | 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 |
| CN201380013335.0A CN104160784A (zh) | 2012-03-09 | 2013-03-05 | 蒸镀数据处理装置、有机el器件的制造装置以及制造方法 |
| US14/383,626 US20150111312A1 (en) | 2012-03-09 | 2013-03-05 | Deposition data processing apparatus, and apparatus and method for manufacturing organic el device |
| PCT/JP2013/055926 WO2013133252A1 (ja) | 2012-03-09 | 2013-03-05 | 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 |
| TW102108250A TW201347266A (zh) | 2012-03-09 | 2013-03-08 | 蒸鍍資料處理裝置、有機ｅｌ元件之製造裝置及製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012052975 | 2012-03-09 | ||
| JP2012052975 | 2012-03-09 | ||
| JP2013030034A JP2013214500A (ja) | 2012-03-09 | 2013-02-19 | 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013214500A true JP2013214500A (ja) | 2013-10-17 |
Family
ID=49116727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013030034A Withdrawn JP2013214500A (ja) | 2012-03-09 | 2013-02-19 | 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150111312A1 (ja) |
| JP (1) | JP2013214500A (ja) |
| CN (1) | CN104160784A (ja) |
| TW (1) | TW201347266A (ja) |
| WO (1) | WO2013133252A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107464880B (zh) * | 2016-06-02 | 2020-04-14 | 清华大学 | 有机薄膜晶体管制备方法和制备装置 |
| CN107464890B (zh) * | 2016-06-03 | 2020-04-28 | 清华大学 | 有机发光二极管制备方法和制备装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4080135B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2008-04-23 | 富士フイルム株式会社 | 画像情報記録読取装置 |
| JP2003173870A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置及び製造方法 |
| GB0224109D0 (en) * | 2002-10-16 | 2002-11-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Deposition apparatus and methods |
| EP1969618B1 (en) * | 2005-12-29 | 2018-01-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for atomizing material for coating processes |
| CN102598863B (zh) * | 2009-11-19 | 2015-07-29 | 株式会社尼康 | 引导部件、基板、基板筒、基板处理装置、引导部件连接方法、显示元件的制造方法及显示元件的制造装置 |
| JP5888919B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2016-03-22 | キヤノン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2012156073A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 真空蒸着装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012248486A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
-
2013
- 2013-02-19 JP JP2013030034A patent/JP2013214500A/ja not_active Withdrawn
- 2013-03-05 CN CN201380013335.0A patent/CN104160784A/zh active Pending
- 2013-03-05 US US14/383,626 patent/US20150111312A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-05 WO PCT/JP2013/055926 patent/WO2013133252A1/ja active Application Filing
- 2013-03-08 TW TW102108250A patent/TW201347266A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104160784A (zh) | 2014-11-19 |
| TW201347266A (zh) | 2013-11-16 |
| US20150111312A1 (en) | 2015-04-23 |
| WO2013133252A1 (ja) | 2013-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8859032B2 (en) | Organic el device manufacturing method and apparatus | |
| JP5740244B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 | |
| US9306191B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US8921142B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing organic EL device | |
| US9224953B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing organic el device | |
| WO2013133252A1 (ja) | 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 | |
| JP5284443B2 (ja) | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 | |
| US8999735B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing organic el device | |
| JP2013161570A (ja) | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 | |
| TW201322524A (zh) | 有機ｅｌ元件之製造方法及製造裝置 | |
| JP2013179019A (ja) | ガイド部材、ガイド機構及び有機ｅｌデバイスの製造方法 | |
| JP5856871B2 (ja) | 有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 | |
| JP5269970B2 (ja) | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 | |
| JP6662383B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2014035848A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造装置及び製造方法 | |
| JP2020024865A (ja) | 有機ｅｌパネル製造装置、有機ｅｌパネルの製造方法及び有機ｅｌパネル | |
| JP2017057450A (ja) | シートの搬送装置及び搬送方法 | |
| JP2016052929A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造装置及び製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151125 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20160415 |