TW201347266A - 蒸鍍資料處理裝置、有機ｅｌ元件之製造裝置及製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可對在正被搬送之基材上連續形成之有機EL組件確認各構成層之蒸鍍狀況的蒸鍍資料處理裝置、有機EL元件之製造裝置及製造方法。蒸鍍資料處理裝置包含：讀取裝置，係讀取在構成各有機EL組件之多數構成層中至少二以上之構成層；及處理部，係收集處理經藉該讀取裝置讀取之於前述基材長方向之相同位置中各構成層的資料，作為預定有機EL組件之資料。
Description
本發明係有關於處理形成在基材上之有機EL(電致發光)組件之蒸鍍資料之蒸鍍資料處理裝置。又，本發明係有關於用以製造有機EL元件之有機EL元件之製造裝置，又，有關於有機EL元件之製造方法。
以往，卷對卷製程作為有機EL元件之製造方法是已知的。該卷對卷製程係連續地送出且搬送捲取成卷狀之帶狀基材，又，多數蒸鍍源向搬送之基材吐出氣化材料，且在基材之蒸鍍面蒸鍍吐出之氣化材料，藉此在基材上形成有機EL組件之構成層，然後，將基材捲取成卷狀之製程(參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2008-287996號公報
但是，在專利文獻1之製造裝置或製造方法中，多數蒸鍍源陸續地吐出氣化材料，且陸續地積層各構成層，因此無法全部掌握各構成層之蒸鍍狀況。因此，希望對連續地形成在搬送之基材上之有機EL組件確認預定有機EL組件中各構成層之蒸鍍狀況。
因此，有鑑於上述問題，本發明之課題在於提供一種可對連續地形成在搬送之基材上之有機EL組件確認各構成層之蒸鍍狀況之蒸鍍資料處理裝置、有機EL元件之製造裝置及製造方法。
本發明之蒸鍍資料處理裝置係處理多數有機EL組件之蒸鍍資料者，該有機EL組件係藉由在被搬送之帶狀基材上蒸鍍氣化材料，以與前述基材之長方向並列而形成者；該蒸鍍資料處理裝置之特徵在於包含：讀取裝置，係讀取在構成前述各有機EL組件之多數構成層中至少二以上之構成層；及處理部，係收集處理經藉該讀取裝置讀取之於前述基材長方向之相同位置中各構成層的資料，作為預定有機EL組件之資料。
又，本發明之有機EL元件之製造裝置包含：搬送裝置，係搬送前述基材；及多數蒸鍍源，係吐出氣化材料至被搬送之前述基材；並且藉由在前述基材上蒸鍍由前
述各蒸鍍源吐出之氣化材料，形成由多數構成層構成之前述有機EL組件者，且該有機EL元件之製造裝置之特徵在於包含前述蒸鍍資料處理裝置。
又，本發明之有機EL元件之製造裝置中，包含具有遮蔽前述基材之遮蔽構件之遮蔽裝置；前述遮蔽構件包含第一開放部，且該第一開放部係以氣化材料可蒸鍍在前述基材中形成構成層之位置的構成層形成位置之方式，使前述基材之前述構成層形成位置露出；又，前述遮蔽裝置包含第二開放部，且該第二開放部係以氣化材料可蒸鍍在前述基材中形成前述讀取契機部之位置的契機部形成位置之方式，使前述基材之前述契機部形成位置露出，以形成成為前述讀取裝置讀取構成層之契機的讀取契機部；且前述讀取裝置亦可依據檢測前述讀取契機部，來讀取構成層。
又，在本發明之有機EL元件之製造裝置中，前述處理裝置包含：蒸鍍控制部，係控制前述各蒸鍍源吐出氣化材料；及蒸鍍檢查部，係依據經藉前述讀取裝置讀取之構成層的資料，來檢查該構成層之蒸鍍狀態；又，前述蒸鍍控制部亦可依據前述蒸鍍檢查部之檢查結果，使前述各蒸鍍源停止吐出氣化材料。
本發明之有機EL元件之製造方法之特徵在於藉前述有機EL元件之製造裝置製造有機EL元件。
1‧‧‧真空室
2‧‧‧搬送裝置
3‧‧‧蒸鍍裝置
4‧‧‧讀取裝置
5‧‧‧遮蔽裝置
5a‧‧‧第二開放部
6‧‧‧處理部
8‧‧‧有機EL元件
11‧‧‧真空腔室
12‧‧‧真空產生裝置
21‧‧‧基材供給部
22‧‧‧支持輥(罐型輥)
23‧‧‧支持輥(搬送輥)
24‧‧‧基材回收部
31‧‧‧第一蒸鍍部
32‧‧‧第二蒸鍍部
33‧‧‧第三蒸鍍部
41‧‧‧讀取器
51‧‧‧遮蔽構件
52‧‧‧切換機構
61‧‧‧搬送控制部
62‧‧‧蒸鍍控制部
63‧‧‧讀取控制部
64‧‧‧蒸鍍檢查部
65‧‧‧收集處理部
71‧‧‧輸入部
72‧‧‧輸出部
80‧‧‧有機EL組件
81‧‧‧基材
82‧‧‧陽極層
83‧‧‧有機EL層
84‧‧‧陰極層
85‧‧‧讀取契機部
86‧‧‧邊緣蓋
87‧‧‧密封層
100‧‧‧製造裝置
101‧‧‧處理裝置
221‧‧‧驅動軸
311‧‧‧陽極層蒸鍍源
321‧‧‧電洞注入層蒸鍍源
322‧‧‧電洞輸送層蒸鍍源
323‧‧‧發光層蒸鍍源
324‧‧‧電子輸送層蒸鍍源
325‧‧‧電子注入層蒸鍍源
331,332,333‧‧‧陰極層蒸鍍源
511(511a~f)‧‧‧遮蔽部
512‧‧‧第一開放部
513‧‧‧基部
514‧‧‧第二開放部
521‧‧‧本體部
522‧‧‧第一旋轉體
523‧‧‧第二旋轉體
524‧‧‧第一連桿體
525‧‧‧第二連桿體
526‧‧‧凸輪隨動件
527‧‧‧凸輪
527a‧‧‧第一區域
527b‧‧‧第二區域
527c‧‧‧第三區域
527d‧‧‧第四區域
641‧‧‧資訊記憶部
642‧‧‧結果判定部
811‧‧‧蒸鍍面
831‧‧‧電洞注入層
832‧‧‧電洞輸送層
833‧‧‧發光層
834‧‧‧電子輸送層
835‧‧‧電子注入層
841,842,843‧‧‧陰極層構成層
圖1是顯示本發明一實施形態之有機EL元件之
製造裝置的整體平面圖。
圖2是顯示同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份平面圖。
圖3是同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份圖，且是顯示預定遮蔽構件位於遮蔽位置之狀態的平面圖。
圖4是同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份圖，且是顯示預定遮蔽構件位於遮蔽位置之狀態的縱截面圖。
圖5是同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份圖，且是顯示預定遮蔽構件位於遮蔽位置之狀態的側面展開圖。
圖6是同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份圖，且是顯示預定遮蔽構件位於遮蔽解除位置之狀態的平面圖。
圖7是同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份圖，且是顯示預定遮蔽構件位於遮蔽解除位置之狀態的縱截面圖。
圖8是顯示同一實施形態之有機EL元件之製造裝置的系統概要圖。
圖9是顯示藉同一實施形態之有機EL元件之製造裝置製造之有機EL元件的主要部份平面圖。
圖10顯示同一有機EL元件之圖9中X-X線的放大截面圖。
圖11顯示藉本發明另一實施形態之有機EL元件之製造裝置製造之有機EL元件的放大縱截面圖。
圖12顯示本發明又另一實施形態之有機EL元件之製造裝置的主要部份側面展開圖。
圖13顯示藉同一實施形態之有機EL元件之製造裝置製造之有機EL元件的主要部份平面圖。
以下參照圖1至10說明本發明之有機EL元件之製造裝置之一實施形態。
本實施形態之有機EL元件之製造裝置(以下，簡稱為「製造裝置」)100包含：內部真空之真空室1；以通過真空室1之內部之方式，以長方向搬送帶狀基材81之搬送裝置2；吐出氣化材料至搬送之基材81之一側面之蒸鍍面811之蒸鍍裝置3；讀取構成各有機EL組件80之構成層之讀取裝置4；遮蔽基材81之遮蔽裝置5；及處理藉讀取裝置4讀取之資料之處理部6。
又，製造裝置100包含處理以與基材81之長方向並列所形成之多數有機EL組件80之蒸鍍資料之蒸鍍資料處理裝置(以下，簡稱為「處理裝置」)101。處理裝置101係藉讀取裝置4；處理部6；例如，如鍵盤或滑鼠之輸入各種資料之輸入部71；及例如，如顯示裝置或印表機之輸出經處理資料之輸出部72構成。
真空室1具有三個真空腔室11，及真空產生裝置
(例如，真空泵)12，且該真空產生裝置12係與各真空腔室11連接，使各真空腔室11之內部成為真空。又，各真空腔室11將各裝置2、3、4、5收容在內部。
搬送裝置2具有一送出且供給捲成卷狀之帶狀基材81之基材供給部21；及藉將基材81掛在外周部，支持基材81之支持輥22、23；及一將基材81捲取成卷狀且回收之基材回收部24。又，基材81係一直在使蒸鍍面811朝向側方之狀態下搬送。
在多數支持輥22、23上設有在以蒸鍍裝置3蒸鍍基材81時，支持基材81之第一至第三罐型輥22，及配置在基材供給部21及各罐型輥22與基材回收部24之間之多數搬送輥23。又，多數支持輥22、23架在基材81上。
蒸鍍裝置3具有向被第一罐型輥22支持之基材81蒸鍍氣化材料之第一蒸鍍部31，向被第二罐型輥22支持之基材81蒸鍍氣化材料之第二蒸鍍部32，及向被第三罐型輥22支持之基材81蒸鍍氣化材料之第三蒸鍍部33。又，各蒸鍍部31至33係配置於各罐型輥22側方之橫向蒸鍍部。
第一蒸鍍部31具有藉氣化且吐出氣化材料，在基材81之蒸鍍面811上形成陽極層82(參照圖10)之陽極層蒸鍍源311。即，第一蒸鍍部31形成構成陽極層82之一層陽極層構成層。
第二蒸鍍部32包含：藉氣化且吐出氣化材料，在基材81之蒸鍍面811上形成電洞注入層831(參照圖10)之電洞注入層蒸鍍源321；配置於電洞注入層蒸鍍源321下游，
且藉氣化且吐出氣化材料，形成電洞輸送層832(參照圖10)之電洞輸送層蒸鍍源322；及配置於電洞輸送層蒸鍍源322下游，且藉氣化且吐出氣化材料，形成發光層833(參照圖10)之發光層蒸鍍源323。
又，第二蒸鍍部32包含：配置於發光層蒸鍍源323
下游，且藉氣化且吐出氣化材料，形成電子輸送層834(參照圖10)之電子輸送層蒸鍍源324；及配置於電子輸送層蒸鍍源324下游，且藉氣化且吐出氣化材料，形成電子注入層835(參照圖10)之電子注入層蒸鍍源325。即，第二蒸鍍部32形成構成有機EL層83(參照圖10)之五層有機EL層構成層。
第三蒸鍍部33具有藉氣化且吐出氣化材料，在基材81之蒸鍍面811上形成第一至第三陰極層構成層841至843(參照圖10)之第一至第三陰極層蒸鍍源331至333。即，第三蒸鍍部33形成構成陰極層84之三層積層體之陰極層構成層。
各蒸鍍源311、321至325、331至333係藉加熱部(未圖示及編號)加熱且氣化收容於內部之材料，又，構造成使經氣化之材料(氣化材料)由吐出部之開口向基材81之蒸鍍面811吐出。又，各蒸鍍源311、321至325、331至333係配置成吐出口之開口配置於側部且與基材81之蒸鍍面811對向，以便橫向地吐出氣化材料。
又，各蒸鍍源311、321至325、331至333配置於相對接近基材81之位置。具體而言，在各蒸鍍源311、321至325、331至333之吐出部之開口與基材81之間的距離(最
短距離)為10mm以下之位置，配置各蒸鍍源311、321至325、331至333。
讀取裝置4具有讀取基材81之蒸鍍面811之預定區域之多數讀取器41。又，各讀取器41分別配置在各蒸鍍源311、321至325、331至333之下游側。因此，讀取裝置4係藉各讀取器41讀取藉各蒸鍍源311、321至325、331至333蒸鍍之有機EL組件80之各構成層82、831至835、841至843之蒸鍍狀態(例如，蒸鍍區域、蒸鍍厚度等)。
又，各讀取器41係配置於各罐型輥22之側方，且配置成與基材81之蒸鍍面811對向。又，各讀取器41配置於相對接近基材81之位置。又，在本實施形態中，各讀取器41為CCD相機。
如圖2至圖7所示，遮蔽裝置5包含：遮蔽基材81之遮蔽構件51；及藉使各遮蔽構件51旋轉移動，切換各遮蔽構件51之位置之多數切換機構52。又，雖然在圖2中圖示設於第一罐型輥22之全部(六個)遮蔽構件51，但是在圖3至圖7中只圖示特定(一個)遮蔽構件51。
又，雖然在圖2至圖7中圖示設於第一罐型輥22之遮蔽構件51及各切換機構52，但是，設於第二及第三罐型輥22之各遮蔽構件51及各切換機構52亦為大略相同之構成。又，在本實施形態中，設於第二罐型輥22之各遮蔽構件51及各切換機構52各為十個。設於第三罐型輥23之各遮蔽構件51及各切換機構52各為六個。
各遮蔽構件51包含：遮蔽基材81之遮蔽部511；
及以氣化材料可蒸鍍於基材81之預定位置(以下，稱為「構成層形成位置」)之方式，使構成層形成位置露出之第一開放部512。又，各遮蔽構件51具有與切換機構52連接之基部513。
又，各遮蔽構件51係藉各切換機構52，切換至藉遮蔽部511配置於陽極層蒸鍍源311及基材81間遮蔽基材81之遮蔽位置，及藉遮蔽部511由陽極層蒸鍍源311及基材81間退避解除遮蔽基材81之遮蔽解除位置。在本實施形態中，各遮蔽構件51係所謂翻動式遮蔽板。
各遮蔽部511形成帶狀(具體而言是矩形狀)，且形成板狀，另一方面，第一開放部512在遮蔽部511之內部形成矩形狀。又，遮蔽部511在位於遮蔽位置之狀態下，由基材81分開地配置。例如，遮蔽部511與基材81之間隔最好是1mm以下。
又，遮蔽裝置5係各遮蔽構件51沿罐型輥22之周方向並列，且位於遮蔽位置之各遮蔽部511間分開地配置，藉此形成第二開放部5a。又，遮蔽裝置5係藉第二開放部5a，露出基材81之預定位置(以下，稱為「契機部形成位置」)。因此，氣化材料會蒸鍍在81之契機部形成位置，且形成成為讀取裝置4讀取構成層82、831至835、841至843之契機之讀取契機部85(參照圖10)。
各切換機構52具有以與罐型輥22成為一體地旋轉之方式固定於罐型輥22之本體部521。又，各切換機構52包含：以藉與罐型輥22之驅動軸221平行之軸旋轉之方式被
本體部521支持之第一旋轉體522；及以藉沿與第一旋轉體522之軸直交之方向配置之軸旋轉之方式被本體部521支持，且接受第一旋轉體522之驅動之第二旋轉體523。
又，各切換機構52包含：端部與第一旋轉體522之軸連結之第一連桿體524；及端部與第二旋轉體523連結且另一端部與遮蔽構件51之基部513連接之第二連桿體525。此外，各切換機構52包含：可旋轉地安裝於第一連桿體524之另一端部之凸輪隨動件526；及滑接於凸輪隨動件526之凸輪527。
各第一旋轉體522及第二旋轉體523之內部分別設有磁性體。因此，各第二旋轉體523之磁性體由各第一旋轉體522之磁性體接受磁力，故隨著各第一旋轉體522旋轉，各第二旋轉體523旋轉。又，各第一旋轉體522與各第二旋轉體523係分開地配置。
凸輪527構成圓板狀。又，凸輪527係與用以驅動罐型輥22之驅動軸221同心狀地配置。但是，凸輪527不與驅動軸221及罐型輥22成為一體地旋轉，而是固定在真空腔室11上。
凸輪527包含：用以將遮蔽部511保持在遮蔽解除位置之第一區域527a；將遮蔽部511由遮蔽解除位置移動至遮蔽位置之第二區域527b；用以將遮蔽部511保持在遮蔽位置之第三區域527c；及將遮蔽部511由遮蔽位置移動至遮蔽解除位置之第四區域527d。
又，各切換機構52係以罐型輥22之外周部之切線
方向(與罐型輥22之驅動軸221直交之方向)為中心使遮蔽構件51旋轉，藉此使遮蔽部511與基材81連接與分離。又，各切換機構52上設有賦勢構件(未圖示及編號)，且凸輪隨動件526被賦勢成維持接觸凸輪527之各區域(第一區域527a至第四區域527d)。
又，在第一罐型輥22中，罐型輥22旋轉一次時，切換成使遮蔽部511位於遮蔽位置與遮蔽解除位置各一次。讀取裝置4，為讀取全部構成層82、831至835、841至843之蒸鍍狀況，在各罐型輥22旋轉一次時，只有配置於罐型輥22之各蒸鍍源311、321至325、341至343之數，遮蔽部511切換至遮蔽位置及遮蔽解除位置。
具體而言，在第二罐型輥22中，罐型輥22旋轉時，切換成使遮蔽部511位於遮蔽位置與遮蔽解除位置各五次。在第三罐型輥22中，第三罐型輥22旋轉時，切換成使遮蔽部511位於遮蔽位置與遮蔽解除位置各三次。又，讀取器41在遮蔽部511位於遮蔽解除位置時，讀取基材81之蒸鍍面811。
處理部6，如圖8所示，具有控制搬送裝置2之搬送控制部61，控制蒸鍍裝置3之蒸鍍控制部62，及控制讀取裝置4之讀取控制部63。又，處理部6具有依據藉讀取裝置4讀取之資料，檢查蒸鍍狀況之蒸鍍檢查部64，及收集藉讀取裝置4讀取之資料之收集處理部65。
蒸鍍控制部62控制各蒸鍍源311、321至325、331至333吐出氣化材料。又，蒸鍍控制部62係依據蒸鍍檢查部
64之檢查結果，使各蒸鍍源311、321至325、331至333停止吐出氣化材料。具體而言，蒸鍍檢查部64判斷預定構成層形成位置之陽極層82為異常時，使配置於陽極層蒸鍍源311之下游側之各蒸鍍源321至325、331至333停止吐出氣化材料至該構成層形成位置。
讀取控制部63係依據檢測基材81之讀取契機部85，控制各讀取器41，使各讀取器41讀取基材81之蒸鍍面811。具體而言，為在適當位置讀取構成層，讀取控制部63在讀取器41檢測讀取契機部85後經過預定時間時，控制各讀取器41，使讀取器41讀取基材81之蒸鍍面811。
蒸鍍檢查部64包含：記憶用以檢查之蒸鍍資料之資訊之資訊記憶部641；及比較資訊記憶部641之資訊與藉讀取裝置4讀取之構成層之蒸鍍資料(例如，蒸鍍區域、因蒸鍍濃度而不同之蒸鍍厚度等)，且判定蒸鍍狀況為正常或異常之結果判定部642。又，蒸鍍檢查部64判定預定構成層形成位置之蒸鍍為異常時，將該構成層形成位置之資訊送至蒸鍍控制部62。
收集處理部65收集處理藉讀取裝置4讀取之基材81長方向之相同位置，即，相同構成層形成位置之各構成層82、831至835、841至843的資料，作為一有機EL組件80之資料。因此，除各有機EL組件80以外，可收集各構成層82、831至835、841至843之資料。
本實施形態之有機EL元件之製造裝置100係如上所述，接著，參照圖9及圖10說明藉本實施形態之有機EL
元件之製造裝置100製造之有機EL元件8。
有機EL元件8具有基材81，由一層構成之陽極層82，五層積層體之有機EL層83，及三層積層體之陰極層84。又，有機EL元件8具有成為讀取以與基材81之長方向並列所形成之多數有機EL組件80之構成層82、831至835、841至843之契機的讀取契機部85。
又，基材81之各尺寸(寬度、厚度、長度)可根據形成於基材81上之有機EL組件80的大小、或製造裝置100之構成等適當設定，沒有特別之限制。又，各層82至84之厚度通常設計成數nm至數十nm，但是可根據使用之構成層形成材料、或發光特性等適當設計，沒有特別限制。
使用如在搬送時不會損傷之具有可撓性之材料，作為基材81之形成材料。如此之材料可舉例如：不鏽鋼、銅、鋁或鈦等金屬材料，薄膜玻璃等非金屬無機材料，或聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚苯乙烯、聚乙烯樹脂或聚醯胺樹脂等熱硬化樹脂或熱可塑性樹脂之合成樹脂材料。
陽極層82之形成材料可舉金、銀、鋁等為例。又，本實施形態之陽極層82採用由一陽極構成層形成之構成，但是不限於該構成。例如，陽極層亦可由一以上之陽極構成層形成。
有機EL層83係由五有機EL層構成之五層積層體。又，由陽極層82側開始，五有機EL層構成層係依序為電洞注入層831、電洞輸送層832、發光層833、電子輸送層
834及電子注入層835。
電洞注入層831之材料可舉例如：銅酞青(CuPc)、4,4'-雙[N-4-(N,N-二-m-三胺基)苯基]-N-苯基胺基]聯苯(DNTPD)、HAT-CN等。
電洞輸送層832之形成材料可舉例如：4,4'-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N-雙(3-甲苯基)-1,1'聯苯-4,4'二胺(TPD)等。
發光層833之形成材料可舉例如：三(8-羥喹啉)鋁(Alq3)、摻雜銦錯合物(Ir(ppy)3)之4,4'-N,N'-二肼甲醯聯苯(CBP)等。
電子輸送層834之形成材料可舉例如：氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)，氧化鋰(Li2O)等。
電子注入層835之形成材料可舉例如：三(8-羥喹啉)鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-喹啉)-4-苯酚酯-鋁(BAlq)、OXD-7(1,3-雙[5-(對三級丁苯基)-1,3,4-二唑-2-基])苯、氟化鋰(LiF)等。
本實施形態之有機EL層83採用由五個有機EL層構成層形成之構成，但是不限於該構成。例如，有機EL層83亦可由一個以上之有機EL層構成層形成。具體而言，如果有機EL層83至少具有發光層833，則該層構成沒有特別限制。
陰極層84之形成材料可舉例如：包含鋁(Al)，鎂(Mg)、銀(Ag)等之合金，或氟化鋰(LiF)等。又，在本實施形態中，第一陰極構成層為LiF層，第二陰極構成層為Mg
層，且第三陰極構成層為Ag層。又，本實施形態之陰極層84採用由三陰極構成層形成之構成，但是不限於該構成。例如，陰極層亦可由一以上之陰極構成層形成。
讀取契機部85係配置在與基材81之長方向並列之多數有機EL組件80間。又，讀取契機部85係形成為在基材81之長方向上，比有機EL組件80小之寬度尺寸。
由上所述，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置100，讀取裝置4會讀取構成與基材81之長方向並列所形成之各有機EL組件80之多數構成層82、831至835、841至843全部。又，處理部6收集處理藉讀取裝置4讀取之基材81長方向相同位置之各構成層82、831至835、841至843的資料，作為預定有機EL組件80之資料。
藉此，可容易確認每一有機EL組件80之各構成層82、831至835、841至843之資料。因此，可對在搬送之基材81上連續地形成之有機EL組件80，確認預定有機EL組件80中各構成層82、831至835、841至843之蒸鍍狀況。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置100，在遮蔽裝置5設有遮蔽基材81之遮蔽構件51。又，在遮蔽構件51設有第一開放部512，因此露出基材81中形成構成層之位置之構成層形成位置。藉此，氣化材料會蒸鍍在基材81之構成層形成位置，且形成所希望之構成層82、831至835、841至843。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置100，在遮蔽裝置5中，在遮蔽部511間之間隙設有第二開放
部5a，因此露出基材81之契機部形成位置，且該基材81之契機部形成位置係形成成為讀取裝置4讀取構成層82、831至835、841至843之契機之讀取契機部85之位置。
藉此，氣化材料會蒸鍍在基材81之契機部形成位置，因此形成讀取契機部85。又，讀取裝置4依據檢測讀取契機部85，讀取構成層82、831至835、841至843，因此各讀取器41正確地辨識構成層82、831至835、841至843之位置且讀取構成層82、831至835、841至843。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置100，蒸鍍檢查部64係依據藉讀取裝置4讀取之構成層82、831至835、841至843之資料，檢查該構成層82、831至835、841至843之蒸鍍狀態。又，控制各蒸鍍源311、321至325、331至333吐出氣化材料之蒸鍍控制部62依據蒸鍍檢查部64之檢查結果，使各蒸鍍源311、321至325、331至333停止氣化材料吐出。
藉此，蒸鍍檢查部64判斷預定之構成層82、831至835、841至843為異常時，下游側之蒸鍍源321至325、331至333藉停止吐出氣化材料至該構成層82、831至835、841至842，可謀求氣化材料之材料比率提高。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置100，在蒸鍍時，如果未產生基材81之位置偏移，則使遮蔽裝置5之旋動速度與支持輥(罐型輥)22之旋轉速度相等，且進行氣化材料之蒸鍍。相對於此，如果產生基材81之位置偏移，則在檢測該位置偏移之同時，根據該偏移變更遮蔽
裝置5之旋動速度，藉此可修正因該偏移產生之影響。
又，本發明之蒸鍍資料處理裝置、有機EL元件之製造裝置及製造方法當然不限於上述之實施形態，而可在不脫離本發明之要旨之範圍內施加種種變更。又，當然亦可任意地選擇下述各種變更例之構成或方法等，且採用在上述實施形態之構成或方法等。
例如，在本發明之各裝置及製造方法中，在第一蒸鍍部31之下游具有邊緣蓋蒸鍍部，且在第三蒸鍍部33之下游具有密封層蒸鍍部。藉此，如圖11所示，亦可在製造之有機EL元件8上形成覆蓋陽極層82周圍之邊緣蓋86以防止陽極層82與陰極層84接觸，及覆蓋各層82至84之密封層87以防止各層82至84與空氣接觸。
該邊緣蓋86之形成材料可舉氧化矽(SiOx)、三氧化鉬(MoO3)、五氧化釩(V2O5)等為例。
該密封層87之形成材料可舉三氧化鉬(MoO3)、氧氮化矽(SiNOx)、含氧碳化矽(SiOC)等為例。又，SiOx可舉SiO2等為例，且SiNOx可舉SiNO等為例。
又，在上述實施形態之各裝置100、101及製造方法中，說明第二開放部5a係藉遮蔽部511間之間隙形成，但是不限於此。例如，如圖12所示，亦可是在各遮蔽構件51上設置第二開放部514之構成。又，在圖12中，顯示各遮蔽構件51位於遮蔽位置之狀態。
又，如圖12所示，亦可是第二開放部514呈每一遮蔽構件51不同之形狀之構成。依據該構成，如圖13所示，
讀取契機部85形成六遮蔽部511(511a至511f)各不同之形狀，因此蒸鍍檢查部64判定預定構成層82、831至835、841至843之蒸鍍狀況為異常時，可特定發生異常之遮蔽構件51(511a至511f)
又，在上述實施形態之各裝置100、101及製造方法中，說明藉氣化材料會蒸鍍在基材81上，形成讀取契機部85之構成，但是不限於該構成。例如，亦可在由基材供給部21供給之基材81上，事前黏貼標記等。
又，在上述實施形態之各裝置100、101及製造方法中，說明遮蔽部511係旋轉之翻動式遮蔽板的構成，但是不限於此。例如，遮蔽裝置5亦可為藉遮蔽部511以預定方向滑動，切換遮蔽部511至遮蔽位置與遮蔽解除位置之構成，又，遮蔽裝置5亦可為面接合地密接於基材81上且與基材81成一體地搬送之帶狀孔板之構成。
又，在上述實施形態之各裝置100、101及製造方法中，說明讀取裝置4讀取全部構成層82、831至835、841至843之構成，但是不限於此。例如，亦可為讀取裝置4至少讀取二以上之構成層之構成。
1‧‧‧真空室
2‧‧‧搬送裝置
3‧‧‧蒸鍍裝置
4‧‧‧讀取裝置
5‧‧‧遮蔽裝置
6‧‧‧處理部
11‧‧‧真空腔室
12‧‧‧真空產生裝置
21‧‧‧基材供給部
22‧‧‧支持輥(罐型輥)
23‧‧‧支持輥(搬送輥)
24‧‧‧基材回收部
31‧‧‧第一蒸鍍部
32‧‧‧第二蒸鍍部
33‧‧‧第三蒸鍍部
41‧‧‧讀取器
71‧‧‧輸入部
72‧‧‧輸出部
81‧‧‧基材
100‧‧‧製造裝置
311‧‧‧陽極層蒸鍍源
321‧‧‧電洞注入層蒸鍍源
322‧‧‧電洞輸送層蒸鍍源
323‧‧‧發光層蒸鍍源
324‧‧‧電子輸送層蒸鍍源
325‧‧‧電子注入層蒸鍍源
331,332,333‧‧‧第一至第三陰極層蒸鍍源
811‧‧‧蒸鍍面
Claims (5)
- 一種蒸鍍資料處理裝置，係處理多數有機EL組件之蒸鍍資料者，該有機EL組件係藉由在被搬送之帶狀基材上蒸鍍氣化材料，而以與前述基材之長方向並列所形成者；該蒸鍍資料處理裝置之特徵在於包含：讀取裝置，係讀取在構成前述各有機EL組件之多數構成層中至少二以上之構成層；及處理部，係收集處理經藉該讀取裝置讀取之於前述基材長方向之相同位置中各構成層的資料，作為預定有機EL組件之資料。
- 一種有機EL元件之製造裝置，係包含：搬送裝置，係搬送前述基材；及多數蒸鍍源，係吐出氣化材料至被搬送之前述基材；並且藉由在前述基材上蒸鍍由前述各蒸鍍源吐出之氣化材料，形成由多數構成層構成之前述有機EL組件者，該有機EL元件之製造裝置之特徵在於包含如申請專利範圍第1項之蒸鍍資料處理裝置。
- 如申請專利範圍第2項之有機EL元件之製造裝置，其包含具有遮蔽前述基材之遮蔽構件的遮蔽裝置；前述遮蔽構件包含第一開放部，且該第一開放部係以氣化材料可蒸鍍在前述基材中形成構成層之位置的構成層形成位置之方式，使前述基材之前述構成層形成位置露出；又，前述遮蔽裝置包含第二開放部，且該第二開放 部係以氣化材料可蒸鍍在前述基材中形成前述讀取契機部之位置的契機部形成位置之方式，使前述基材之前述契機部形成位置露出，以形成成為前述讀取裝置讀取構成層之契機的讀取契機部；且前述讀取裝置係依據檢測前述讀取契機部，來讀取構成層。
- 如申請專利範圍第2或3項之有機EL元件之製造裝置，其中前述處理裝置包含：蒸鍍控制部，係控制前述各蒸鍍源吐出氣化材料；及蒸鍍檢查部，係依據經藉前述讀取裝置讀取之構成層的資料，來檢查該構成層之蒸鍍狀態；又，前述蒸鍍控制部係依據前述蒸鍍檢查部之檢查結果，使前述各蒸鍍源停止吐出氣化材料。
- 一種有機EL元件之製造方法，其特徵在於其係藉由如申請專利範圍第2至4項中任一項之有機EL元件之製造裝置製造有機EL元件。
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