JP2013101880A - 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた第1及び第2蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、複数の上向き蒸着工程と、方向変換工程とを備えている有機ELデバイスの製造方法。
【選択図】 図1
Description
帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、
前記基材を前記長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って配置された少なくとも第1及び第2蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、
前記構成層形成工程は、
前記第1及び第2蒸着部にて、前記基材を蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ該基材の下方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う上向き蒸着工程と、
前記第1蒸着部と前記第2蒸着部との間に設けられたガイド機構によって、前記第1蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面が上方を向いた後、下方を向くように回転させ、前記第2蒸着部へと案内する方向変換工程と、
を備えていることを特徴とする。
また、第1蒸着部と第2蒸着部との間で基材を支持することによって、基材に所望の張力を付与することが可能となり、基材の撓みや振動を抑制することができるため、蒸着源との接触によって基材の蒸着面が損傷することを抑制できる。さらに、基材と蒸着源との距離の変化を抑制して構成層の厚みを適切に制御することができ、これにより、発光特性の低下を抑制することができる。
しかも、基材の非蒸着面を支持することにより、基材の蒸着面が損傷することを抑制することができる。
従って、品質の低下が抑制された有機ELデバイスを製造することが可能となる。
帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造装置であって、
前記基材の移動方向に沿って配置され、移動する前記基材の下方に配置された蒸着源を備え、前記基材を蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ、該蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う少なくとも第1及び第2蒸着部と、
前記第1蒸着部と前記第2蒸着部との間に設けられており、前記第1蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面が上方を向いた後、下方を向くように回転させ、前記第2蒸着部へと案内するガイド機構を備えた方向変換部と、
を備えていることを特徴とする。
かかる製造方法は、基材21を長手方向に移動させつつ、該基材21の移動方向に沿って配置された複数の蒸着部A〜D(第1及び第2蒸着部)にて、基材21の一面に蒸着源21aから気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備えている。
そして、該構成層形成工程は、蒸着部A〜D(第1及び第2蒸着部)にて、基材21を蒸着面21aが下方を向いた状態で移動させつつ該基材21の下方に配置された蒸着源9a〜9jから蒸着面21aに気化材料を吐出して蒸着を行う複数の上向き蒸着工程と、蒸着部A〜C(第1蒸着部)と蒸着部B〜D(第2蒸着部)との間に設けられたガイド機構31a〜31cによって、蒸着部A〜C(第1蒸着部)から送られた基材21を、該基材21の非蒸着面21bが内周面となるように該非蒸着面21b側から支持しながら蒸着面21aが上方を向いた後、下方を向くように回転させ、蒸着部B〜C(第2蒸着部)へと案内する方向変換工程と、を備えている。
また、蒸着部A〜D間(第1蒸着部と第2蒸着部との間)で基材21を支持することによって、基材21に所望の張力を付与することが可能となり、基材21の撓みや振動を抑制することができるため、蒸着源9a〜9jとの接触によって基材21の蒸着面21aが損傷することを抑制することができる。さらに、基材21と蒸着源9a〜9jとの距離の変化を抑制して構成層の厚みを適切に制御することができ、これにより、発光特性の低下を抑制することができる。
しかも、基材21の非蒸着面21bを支持することにより、基材21の蒸着面21aが損傷することを抑制することができる。
従って、品質の低下が抑制された有機ELデバイス20を製造することが可能となる。
図1に示すような製造装置1と同様の製造装置を用い、陽極層が1層、有機EL層が5層、陰極層が1層から構成されることとした。また、各蒸着源と基材との最短距離を2mmに設定した。該製造装置を用い、基材(SUS)21上に、陽極層(Al)、エッジカバー(SiO2)、正孔注入層(HAT−CN)、正孔輸送層(α−NPD)、発光層(Alq3)、電子輸送層(LiF)、電子注入層(LiF)、陰極層(Mg−Ai合金)、封止層(MoO3)を、順に蒸着することにより、有機ELデバイスを作製した。
図7に示す製造装置100と同様の製造装置を用いた。すなわち、製造装置として、直線状に配置された蒸着部A〜Dを備えており、蒸着部A〜D間にガイド機構が設けられていないこと以外は、図1と同様のものを用いた。なお、図7では、真空チャンバーを省略して製造装置を示した。
Claims (4)
- 帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造方法であって、
前記基材を前記長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って配置された少なくとも第1及び第2蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、
前記構成層形成工程は、
前記第1及び第2蒸着部にて、前記基材を蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ該基材の下方に配置された前記蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出して蒸着を行う上向き蒸着工程と、
前記第1蒸着部と前記第2蒸着部との間に設けられたガイド機構によって、前記第1蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面が上方を向いた後、下方を向くように回転させ、前記第2蒸着部へと案内する方向変換工程と、
を備えていることを特徴とする有機ELデバイスの製造方法。 - 前記ガイド機構は、前記非蒸着面を支持する複数のローラ部材を有しており、
該ローラ部材の少なくとも1つは、前記基材の幅方向に対し傾斜した方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 前記ローラ部材の少なくとも1つは、前記幅方向に対し45°傾斜した方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項2に記載の有機ELデバイスの製造方法。
- 帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機EL素子の構成層を形成する有機ELデバイスの製造装置であって、
前記基材の移動方向に沿って配置され、移動する前記基材の下方に配置された蒸着源を備え、前記基材を蒸着面が下方を向いた状態で移動させつつ、該蒸着源から前記蒸着面に前記気化材料を吐出させて蒸着を行う少なくとも第1及び第2蒸着部と、
前記第1蒸着部と前記第2蒸着部との間に設けられており、前記第1蒸着部から送られた前記基材を、該基材の非蒸着面が内周面となるように該非蒸着面側から支持しながら前記蒸着面が上方を向いた後、下方を向くように回転させ、前記第2蒸着部へと案内するガイド機構を備えた方向変換部と、
を備えていることを特徴とする有機ELデバイスの製造装置。
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