JP5323041B2 - 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 - Google Patents

有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 Download PDF

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Description

本発明は、基材に形成された電極層上に有機層を有し、該有機層から光を放出する有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置に関する。
近年、次世代の低消費電力の発光表示装置に用いられる素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、基本的には、有機発光材料から成る発光層を含む少なくとも１層の有機層と一対の電極とを有している。かかる有機ＥＬ素子は、有機発光材料に由来して多彩な色の発光が得られ、また、自発光素子であるため、テレビジョン（ＴＶ）等のディスプレイ用途として注目されている。
有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも１層の有機層が互いに反対電極を有する２つの電極層に挟持されて構成されており（サンドイッチ構造）、各有機層は、それぞれ数ｎｍ〜数十ｎｍの有機膜から構成されている。また、電極層で挟まれた有機層は、基材上に支持されるようになっており、基材上に陽極層（電極層）、有機層、陰極層の順に積層されることによって有機ＥＬ素子が形成されるようになっている。また、有機ＥＬ素子が複数の有機層を有する場合、基材上に陽極層を形成した後、陽極層上に各有機層を順次積層し、積層された有機層上に陰極層を形成することによって、有機ＥＬ素子が形成されるようになっている。
このような有機ＥＬ素子の製造方法において、基材に形成された陽極層上に各有機層を成膜（形成）する方法としては、一般的に真空蒸着法や塗布法が知られているが、これらのうち、各有機層を形成するための材料（有機層形成材料）の純度を高めることができ、高寿命が得られ易いことから、真空蒸着法が主として用いられている。
上記した真空蒸着法では、蒸着装置の真空チャンバー内において基材と対向する位置に各有機層に対応して設けられた蒸着源を用いて蒸着を行う。具体的には、蒸着源内に配置された加熱部で各有機層形成材料を加熱してこれを気化させ、気化された有機層形成材料（気化材料）を上記蒸着源に設けられたノズルから放射状に吐出して、基材に形成された陽極層上に付着させることにより、該陽極層上に有機層形成材料を蒸着する。
かかる真空蒸着法においては、いわゆるバッチプロセスやロールプロセスが採用されている。バッチプロセスとは、陽極層が形成された基材１枚ごとに陽極層上に有機層を蒸着するプロセスである。また、ロールプロセスとは、陽極層が形成されロール状に巻き取られた帯状の基材を連続的に（いわゆるロールトゥロールで）繰り出し、繰り出された基材を回転駆動するキャンロールの表面で支持してその回転と共に移動させつつ、陽極層上に連続的に各有機層を蒸着し、各有機層が蒸着された基材をロール状に巻き取るプロセスである。これらのうち、低コスト化を図る観点から、ロールプロセスを用いて有機ＥＬ素子を製造することが望ましい。
このように真空蒸着法においてロールプロセスを用いて有機ＥＬ素子を製造する場合において、陽極層上に複数の層を積層する際には、所望パターンの各有機層を形成するために、開口部を有するいわゆるシャドーマスクを介して陽極層上に各層を順次積層することが行われている。また、各層を位置精度良く積層するためには各層での位置あわせ（アライメント）が必要となる。従って、かかるシャドーマスクを用いた有機層形成を、各有機層の位置ずれを調整するアライメント機構を用いて行うことが提案されている（特許文献１参照）。
特許文献１には、基材の移動方向と垂直方向（ＴＤ方向）については、画像認識カメラによって有機発光層（有機層）のパターンやアライメントマークを認識して位置ずれを検知し、一対のガイドロールの位置及び角度を調整して位置ずれを調整し、移動方向（ＭＤ方向）については、アキュムレーターによって基材の走行経路を調整することによって位置ずれを調整することが開示されている。
特開２００３−１７３８７０号公報
しかし、特許文献１のような画像認識カメラやアキュムレーターといった機構を真空チャンバー内に設置するためには、上記カメラの耐圧性能を確保する必要や、上記チャンバーの容積を拡大する必要がある。このため、有機ＥＬ素子の製造装置の大型化やコストの増大を招くおそれがある。
また、上記アキュムレーターを用いることなく連続して陽極層上に各層を形成するためには、基材とシャドーマスクの搬送速度を同期させる必要があるが、両者の搬送速度を完全に一致させることは極めて困難であるため、基材の搬送が進むほど、ＭＤ方向の位置ずれ量が大きくなるおそれもある。
さらに、通常、基材とシャドーマスクとは異なる材質の材料から形成されているため、材質の相違に起因して両者の線膨張係数が異なる。このため、層形成用材料を気化させることによって真空チャンバー内の温度が上昇すると、基材とシャドーマスクとの位置合わせ精度が低下するおそれもある。
本発明は、上記問題点に鑑み、複雑な構成を採用することなく、基材に形成される各層の移動方向及び該移動方向と垂直方向の位置ずれを抑制して、効率的に有機ＥＬ素子を製造し得る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明者が鋭意検討した結果、基材及びシャドーマスクに貫通孔を形成し、キャンロールにおける基材を支持する側の表面に位置合わせ用の突起部を設け、該突起部に基材及びシャドーマスクの貫通孔を係合させることによって、基材とシャドーマスクとの位置合わせを行い、この状態でシャドーマスクを介して各層を陽極層上に順次蒸着することにより、位置ずれが生じることなく各層を積層し得ることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、
電極層の形成された帯状の基材を供給し、該基材の非電極層側を回転駆動するキャンロール表面に当接させて該基材を移動させつつ、前記キャンロールと対向するように配された蒸着源のノズルから気化された有機層形成材料を吐出させて、前記基材の電極層側に有機層を形成する蒸着工程を含んでなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記蒸着工程では、更に、開口部を有するシャドーマスクを、前記キャンロールに当接した前記基材と前記ノズルとの間に介入させるように供給し、
前記基材及びシャドーマスクとして長手方向に配列された複数の貫通孔が設けられたものを用い且つ前記キャンロールとして前記貫通孔に係合する係合突起部が設けられたものを用い、前記基材及び前記シャドーマスクの貫通孔に前記係合突起部を係合させて前記基材及びシャドーマスクを移動させつつ、前記基材の電極層側に前記開口部に応じた有機層を形成することを特徴とする。
これにより、基材及びシャドーマスクの貫通孔を係合突起部と係合させるだけで、シャドーマスクと基材の位置合わせを行うことができ、このように位置合わせをしつつ、電極層上に有機層を積層することができる。従って、複雑な構成を採用することなく、基材に形成される各層の移動方向及び該移動方向と垂直方向のアライメントを調整して、効率的に有機ＥＬ素子を製造することができる。
また、本発明は、前記係合突起部は、前記キャンロール側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状に形成され、前記シャドーマスクの貫通孔の孔径の方が前記基材の貫通孔の孔径よりも小さい。
これにより、基材とシャドーマスクとが、隙間を隔てて対向するため、シャドーマスクとの接触による基材の損傷が発生することを回避することができる。
また、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置は、
電極層の形成された帯状の基材を供給する基材供給手段と、供給された基材と非電極層側で当接しつつ該基材の移動と共に回転駆動するキャンロールと、該キャンロールと対向するように配置され、ノズルから気化された有機層形成材料を吐出して前記キャンロールに当接した基材の電極層側に有機層を形成する蒸着源と、開口部を有するシャドーマスクを、前記キャンロールに当接した前記基材と前記ノズルとの間に介入させるように供給するシャドーマスク供給手段とを備えてなる有機ＥＬ素子の製造装置であって、
前記基材及び前記シャドーマスクには、長手方向に配列された複数の貫通孔が設けられてなり、前記キャンロールには、前記貫通孔に係合して前記基材及び前記シャドーマスクを支持する係合突起部が設けられていることを特徴とする。
また、前記係合突起部は、前記キャンロール側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状に形成され、前記シャドーマスクの貫通孔の孔径の方が前記基材の貫通孔の孔径よりも小さい。
以上の通り、本発明によれば、複雑な構成を採用することなく、基材に形成される各層の移動方向及び該移動方向と垂直方向の位置ずれを抑制して、効率的に有機ＥＬ素子を製造することができる。
本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置を模式的に示す概略側面断面図 本実施形態の基材及びシャドーマスクを模式的に示す図 本実施形態の基材とシャドーマスクを重ね合わせた状態を模式的に示す図 有機ＥＬ素子の層構成を模式的に示す概略断面図 本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置を模式的に示す概略側面図 本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置に用いられるアライメントピンを模式的に示す概略側面図 実施例に用いた有機ＥＬ素子の製造装置において有機層を形成する際の構成を模式的に示す概略側面断面図 実施例に用いた有機ＥＬ素子の製造装置において陰極層を形成する際の構成を模式的に示す概略側面断面図
以下に本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置について図面を参照しつつ説明する。
まず、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置及び製造方法について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置の一例を模式的に示す概略側面断面図であり、図２は、本実施形態の基材及びシャドーマスクを模式的に示す図であり、図３は、本実施形態の基材とシャドーマスクを重ね合わせた状態を模式的に示す図であり、図４は、有機ＥＬ素子の層構成を模式的に示す概略断面図である。
図１に示すように、有機ＥＬ素子の製造装置１は、真空チャンバー３を有する蒸着装置であり、真空チャンバー３内には、大まかには、基材供給装置（基材供給手段）５ａと、キャンロール７と、蒸着源９とが配置されている。真空チャンバー３は、不図示の真空発生装置により、その内部が減圧状態にされるようになっている。
基材供給装置５ａは、ロール状に巻き取られた帯状の基材２１を繰り出してキャンロール７に供給するようになっている。また、そして、基材供給装置５ａから繰り出された基材２１はキャンロール７に供給された後、基材回収装置５ｂによって巻き取られるようになっている。すなわち、基材２１をロールトゥロールで繰り出し且つ巻き取れるようになっている。
シャドーマスク供給装置（シャドーマスク供給手段）６ａは、ロール状に巻き取られた帯状のシャドーマスク（シャドーマスク）３１を繰り出して、基材２１とノズル９ａとの間に介入させるように、キャンロール７に供給するようになっている。また、シャドーマスク供給装置６ａから繰り出されたシャドーマスク３１は、キャンロール７に供給された後、シャドーマスク回収装置６ｂによって巻き取るようになっている。すなわち、シャドーマスク３１をロールトゥロールで繰り出し且つ巻き取れるようになっている。
キャンロール７は、ステンレスから形成されており、回転駆動するようになっている。キャンロール７の周面において幅方向両端部にはそれぞれ、アライメントピン（係合突起部）１１が突設されている。アライメントピン１１は、ここでは四角柱状に形成され、周方向に一定間隔で複数設けられている。
かかるキャンロール７は、内部に冷却機構等の温度調整機構を有していることが好ましく、これにより、後述する基材２１上での有機層の成膜（形成）中において、基材２１の温度を安定させることができる。キャンロール７の外径は、例えば、３００〜２０００ｍｍに設定することができる。
一方、基材２１の幅方向両端部には、それぞれアライメントピン１１に挿入される第１貫通孔（貫通孔）２１ａが形成されている。かかる第１貫通孔２１ａは、幅方向の間隔及び周方向の間隔がアライメントピン１１のそれぞれ幅方向及び周方向の間隔と等しくなるように形成され、且つ、アライメントピン１１の断面と同じ形状及び同じ大きさに形成されている。これにより、アライメントピン１１が基材２１の第１貫通孔２１ａに挿入されることにより、第１貫通孔２１ａとアライメントピン１１とが係合し、基材２１がキャンロール７の回転（図１の時計回り）と共に移動するようになっている。
また、アライメントピン１１と第１貫通孔２１ａとが係合している状態では、基材２１の移動方向（ＭＤ方向）及び該移動方向と垂直方向（ＴＤ方向）における基材２１の移動が規制されるようになっている。また、基材２１において蒸着源９と対向する領域及びその近傍では、基材２１の裏面がキャンロール７の表面と当接するようになっている。
シャドーマスク３１の幅方向両端部には、それぞれアライメントピン１１に挿入される第２貫通孔（貫通孔）３１ａが形成されている。かかる第２貫通孔３１ａは、幅方向の間隔及び周方向の間隔がアライメントピン１１のそれぞれ幅方向及び周方向の間隔と等しくなるように形成され、且つ、アライメントピン１１の断面と同じ形状及び同じ大きさに形成されている。これにより、アライメントピン１１がシャドーマスク３１の第２貫通孔３１ａに挿入されることにより、第２貫通孔３１ａとアライメントピン１１とが係合し、シャドーマスク３１がキャンロール７の回転（図１の時計回り）と共に移動するようになっている。
また、アライメントピン１１と第２貫通孔３１ａとが係合している状態では、基材２１の移動方向（ＭＤ方向）及び該移動方向と垂直方向（ＴＤ方向）におけるシャドーマスク３１の移動が規制されるようになっている。また、シャドーマスク３１において蒸着源９と対向する領域及びその近傍では、シャドーマスク３１の裏面が基材２１の表面と当接するようになっている。
シャドーマスク３１の幅方向中央部には、長手方向に沿って開口部３１ｂが複数形成されている。開口部３１ｂは、シャドーマスク３１ｂが基材２１と対向している状態で、後述する蒸着源９から吐出された有機層形成材料２２の通過を許容して、基材２１に形成された陽極層２３上に有機層が形成されることを可能とするようになっている。かかる開口部３１ｂは、所望の形状に形成されており、該開口部３１ｂに応じた有機層が陽極層２３上に形成されるようになっている。
そして、キャンロール７が回転すると、その回転に応じて基材供給装置５ａから基材２１が順次繰り出され、繰り出された基材２１の第１貫通孔２１ａがアライメントピン１１に挿入される。それと同時に、キャンロール７の回転に応じてシャドーマスク供給装置６ａからシャドーマスク３１が順次繰り出され、シャドーマスク３１の第２貫通孔３１ａがアライメントピン１１に挿入されつつ、シャドーマスク３１が基材２１とノズル９ａとの間に介入される。
そして、基材２１及びシャドーマスク３１は、キャンロール７に支持されつつその回転方向に移動し、キャンロール７から離れる際、アライメントピン１１から基材２１の第１貫通孔２１ａ及びシャドーマスク３１の第２貫通孔３１ａが脱離する。次に、キャンロール７から離れた基材２１及びシャドーマスク３１はそれぞれ、基材回収装置５ｂ及びシャドーマスク回収装置６ｂによって巻き取られるようになっている。
アライメントピン１１の周方向及び幅方向の間隔は、基材２１及びシャドーマスク３１の位置合わせが調整された状態で、シャドーマスク３１の開口部３１ｂを介して基材２１上に気化された有機層形成材料２２を蒸着可能であれば、特に限定されるものではない。但し、アライメントピン１１の周方向の数量が少なくなると、基材２１とシャドーマスク３１の位置がずれるおそれがある。
また、かかる数量が多くなると、より確実にアライメントずれを抑制することができる一方、これに応じて第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａの間隔が狭くなり、基材２１及びシャドーマスク３１が破損するおそれがある。従って、例えばかかる観点を考慮してアライメントピン１１の周方向の数量を設定することができ、例えば、アライメントピン１１を３０°ピッチで等間隔に１２個形成したり、１０°ピッチで等間隔に３６個形成することができる。
基材２１の形成材料としては、キャンロール７に巻き架けられても損傷しないような可撓性を有する材料が用いられ、このような材料として、例えば、金属材料、非金属無機材料や樹脂材料を挙げることができる。
上記金属材料としては、例えば、ステンレス、鉄−ニッケル合金等の合金、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、チタン等を挙げることができる。また、上記した鉄−ニッケル合金としては、例えば３６アロイや４２アロイ等を挙げることができる。これらのうち、ロールプロセスに適用し易いという観点から、上記金属材料は、ステンレス、銅、アルミニウムまたはチタンであることが好ましい。また、かかる金属材料から形成された基材の厚みは、取り扱い性や基材の巻き取り性の観点から、５〜２００μｍであることが好ましい。
上記非金属無機材料としては、例えば、ガラスを挙げることができる。この場合、非金属無機材料から形成された基材として、フレキシブル性を持たせた薄膜ガラスを用いることができる。また、かかる非金属材料から形成された基材の厚みは、十分な機械的強度および適度な可塑性の観点から、５〜５００μｍであることが好ましい。
上記樹脂材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの合成樹脂を挙げることができ、かかる合成樹脂として、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等を挙げることができる。また、かかる樹脂材料から形成された基材として、例えば、上記合成樹脂のフィルムを用いることができる。また、かかる樹脂材料から形成された基材の厚みは、十分な機械的強度および適度な可塑性の観点から、５〜５００μｍであることが好ましい。
シャドーマスク３１の形成材料としては、キャンロール７に巻き架けられても損傷しないような可撓性を有する材料が用いられ、このような材料として、例えば、金属材料、非金属無機材料や樹脂材料を挙げることができる。
上記金属材料としては、例えば、ステンレス、鉄−ニッケル合金等の合金、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、チタン等を挙げることができる。また、上記した鉄−ニッケル合金としては、例えば３６アロイや４２アロイ等を挙げることができる。これらのうち、十分な機械的強度と適度な可撓性を有し、ロールプロセスに適用し易いという観点から、上記金属材料は、ステンレス、銅、アルミニウムまたはチタンであることが好ましい。また、かかる金属材料から形成された基材の厚みは、取り扱い性や基材の巻き取り性の観点から、５〜２００μｍであることが好ましい。
上記非金属無機材料としては、例えば、ガラスを挙げることができる。この場合、非金属無機材料から形成された基材として、フレキシブル性を持たせた薄膜ガラスを用いることができる。また、かかる非金属材料から形成された基材の厚みは、十分な機械的強度および適度な可塑性の観点から、５〜５００μｍであることが好ましい。
上記樹脂材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂などの合成樹脂を挙げることができ、かかる合成樹脂として、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等を挙げることができる。また、かかる樹脂材料から形成された基材として、例えば、上記合成樹脂のフィルムを用いることができる。また、かかる樹脂材料から形成された基材の厚みは、十分な機械的強度および適度な可塑性の観点から、５〜５００μｍであることが好ましい。
また、シャドーマスク３１は基材２１と同じ材質から形成されていることが好ましい。これにより、シャドーマスク３１と基材２１の線膨張係数が等しくなり、線膨張係数の差に起因する位置ズレを抑制することができる。
本実施形態において、基材２１として具体的には、スパッタ法によって予め陽極層２３（図４参照）を形成したものを用いることができる。
陽極層２３を形成するための材料としては、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）等の各種透明導電材料や、金、銀、白金などの金属や合金材料を用いることができる。
蒸着源９は、発光層２５ａを含む少なくとも１層の有機層（図４参照）における各有機層に対応して設けられている。蒸着源９は、キャンロール７の周面における基材２１の支持領域と対向する位置に配置されており、基材２１に有機層を形成するための材料（有機層形成材料２２）を蒸着させることにより、基材２１上に有機層（図４参照）を順次形成するようになっている。かかる蒸着源９は、気化された有機層形成材料２２を基材２１に向けて吐出可能なノズルを有していれば、その構成は特に限定されるものではない。例えば、蒸着源９内で有機層形成材料２２を加熱して気化させるように構成されているものを採用することができる。
前記蒸着源９は、有機層形成材料２２を収容することができるようになっており、ノズル９ａと、加熱部（不図示）とを有している。ノズル９ａは、キャンロール７において基材２１の支持領域と対向するように配置されている。上記加熱部は、有機層形成材料２２を加熱して気化させるようになっており、気化された有機層形成材料２２は、ノズル９ａから外部に吐出されているようになっている。
そして、蒸着源９内で有機層形成材料２２が加熱されると、該有機層形成材料２２が気化され、気化された有機形成用材料２２が、ノズル９ａから基材２１に向かって吐出され、吐出された有機層形成材料２２が、シャドーマスク３１の開口部３１ｂを通過し、基材２１に形成された陽極層２３上に蒸着されるようになっている。このように気化された有機層形成材料２２が陽極層２３上に蒸着されることにより、陽極層２３上に有機層が形成されるようになっている。
有機層は、発光層２５ａたる有機層を含んでいれば特に限定されるものではなく、例えば図４（ｂ）に示すように、正孔注入層（有機層）２５ｂ、発光層２５ａ及び電子注入層（有機層）２５ｃをこの順に積層して３層とすることができる。その他、必要に応じて、上記図４（ｂ）に示す発光層２５ａと正孔注入層２５ｂの間に正孔輸送層（有機層）２５ｄ（図４（ｃ）参照）を挟むことによって、または、発光層２５ａと電子注入層２５ｃとの間に電子輸送層（有機層）２５ｅ（図４（ｃ）参照）を挟むことによって、有機層を４層とすることもできる。
さらに、図４（ｃ）に示すように、正孔注入層２５ｂと発光層２５ａとの間に正孔輸送層２５ｄ、発光層２５ａと電子注入層２５ｃとの間に電子輸送層２５ｅを挟むことによって、有機層を５層とすることもできる。また、各有機層の厚みは、通常、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度になるように設計されるが、かかる厚みは、有機層形成材料２２や、発光特性等に応じて適宜設計されるものであり、特に限定されない。
発光層２５ａを形成するための材料としては、例えば、トリス（８−ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）をドープした４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾニルビフェニル（ＣＢＰ）等を用いることができる。
正孔注入層２５ｂを形成するための材料としては、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４’−ビス［Ｎ−４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）等を用いることができる。
正孔輸送層２５ｄを形成するための材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’―ビス（３−メチルフェニル）−１，１’ビフェニル−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）等を用いることができる。
電子注入層２５ｃを形成するための材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）等を用いることができる。
上記電子輸送層２５ｅを形成するための材料としては、例えば、トリス（８−ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ＯＸＤ−７（１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］）ベンゼン等を用いることができる。
蒸着源９は、上記したような基材２１上に形成される有機層の層構成や層数量に応じて複数配置されることができる。例えば、図４（ｂ）に示すように有機層を３層積層する場合には、各層に応じて蒸着源９を３つ配置することができる。このように複数の蒸着源９が設けられた場合、キャンロール７の回転方向に対し最も上流側に配置された蒸着源９によって陽極層２３上に１層目の有機層が蒸着された後、下流側の蒸着源９によって１層目の有機層上に順次２層目の有機層が蒸着されて、積層されるようになっている。
そして、上記キャンロール７に形成されたアライメントピン１１と、第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａとの係合によって基材２１とシャドーマスク３１との位置合わせ（アライメント調整）を行いつつ、キャンロール７に支持されている基材２１及びシャドーマスク３１に対して蒸着源９から気化した有機層形成材料２２が吐出されると、シャドーマスク３１の開口部３１ｂを通過した上記材料２２が、基材２１に形成された陽極層２３上に蒸着される。これにより、開口部３１ｂの形状及び大きさに応じた有機層が陽極層２３上に形成される。そして、かかる蒸着が、各有機層について順次行われることにより、陽極層２３上に各有機層が積層される。
このようにして基材２１に形成された陽極層２３上に有機層を形成した後、例えばこれを巻き取り、上記した有機層を形成するための蒸着源９の代わりに陰極層２７を形成するための蒸着源を配置し（図８参照）、上記と同様に基材２１とシャドーマスク３１との位置合わせを行いつつ、有機層上に陰極層（層）２７を形成することによって、図４に示すように、基材２１上に、陽極層２３、有機層及び陰極層２７がこの順に積層された有機ＥＬ素子基材２０が製造されるようになっている。なお、陰極層２７を形成する際、有機層を形成するためのシャドーマスク３１に代えて、陰極層２７を形成するためのシャドーマスクを用いることもできる。
陰極層２７としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ＩＴＯ、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属を含む合金等を用いることができる。また、その他、有機層を形成するための蒸着源９に代えてスパッタ装置等の真空成膜装置を配置し、上記したように基材２１とシャドーマスク３１との位置合わせを行いつつ、有機層上に陰極層２７を積層させる（成膜する）こともできる。また、最下流側の蒸着源９のさらに下流側に陰極層２７を形成するための蒸着源を配置し、有機層上に陰極層２７を連続して形成することもできる。また、陰極層２７を、上記とは別途の従来公知の方法で、有機層上に積層することもできる。
なお、真空チャンバー３内のキャンロール７における基材２１の支持領域と対向する位置において、キャンロール７の回転方向に対し有機層を形成するための蒸着源９の上流側に、陽極層２３を形成するためのスパッタ装置等の真空成膜装置を配置し、キャンロール７に支持されつつ移動する基材２１に陽極層２３を成膜した後、有機層を蒸着することもできる。
また、その他、陽極層２３の材料として、蒸着源によって蒸着可能な材料を用いた場合には、真空チャンバー３内に陽極層２３用の蒸着源を配置し、基材２１上に、陽極層２３、有機層、陰極層２７をこの順に連続して蒸着することによって、有機ＥＬ素子２０を形成することもできる。
上記した基材２１の第１貫通孔２１ａ、シャドーマスク３１の第２貫通孔３１ａの孔径（大きさ）は、基材２１とシャドーマスク３１の位置合わせを調整可能であれば、特に限定されるものではない。但し、これら第１貫通孔２１ａ、第２貫通孔３１ａが大きくなると、基材２１の幅方向において有機層を形成可能な領域が狭くなる傾向にある。従って、例えばかかる観点を考慮すれば、第１及び第２貫通孔２１ａ、３１ａの大きさは、幅方向（ＴＤ方向）において１０ｍｍ以下であることが好ましく、５ｍｍ以下であることがより好ましく、２ｍｍ以下であることがさらに好ましい。また、ＭＤ方向において、１０ｍｍ以下であることが好ましく、５ｍｍ以下であることがより好ましく、２ｍｍ以下であることがさらに好ましい。第１貫通孔２１ａ、第２貫通孔３１ａは、特に限定されるものではないが、例えばパンチング加工やフォトエッチング加工で形成することができる。
また、上記した四角柱状のアライメントピン１１の外径は、上記第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａと係合可能であり、かかる係合によって基材２１及びシャドーマスク３１の位置合わせが可能であれば特に限定されるものではなく、第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａの形状に応じて適宜設定することができる。
次に、上記製造装置を用いた第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、電極層の形成された帯状の基材を供給し、該基材の非電極層側を回転駆動するキャンロール表面に当接させて該基材を移動させつつ、前記キャンロールと対向するように配された蒸着源のノズルから気化された有機層形成材料を吐出させて、前記基材の電極層側に有機層を形成する蒸着工程を含んでなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記蒸着工程では、更に、開口部を有するシャドーマスクを、前記キャンロールに当接した前記基材と前記ノズルとの間に介入させるように供給し、前記基材及びシャドーマスクとして、長手方向に配列された複数の貫通孔が設けられたものを用い且つ前記キャンロールとして、前記貫通孔に係合する係合突起部が設けられたものを用い、前記基材及び前記シャドーマスクの貫通孔に前記係合突起部を係合させて前記基材及び前記シャドーマスクを移動させつつ、前記基材の電極層側に前記開口部に応じた有機層を形成するものである。
本実施形態に於いては、真空チャンバー３内において、スパッタリング等によって陽極層２３が形成され、ロール状に巻き取られた基材２１を基材供給装置５ａから繰り出し、繰り出された基材２１の第１貫通孔２１ａを、図１の時計回りに回転するキャンロール７のアライメントピン１１に係合させつつ、基材２１をキャンロール７の周面によって支持し、キャンロール７と共に基材２１を移動させた後に巻き取ることによって基材２１の繰り出し及び巻き取りを行う。
また、ロール状に巻き取られたシャドーマスク３１をシャドーマスク供給装置６ａから繰り出し、繰り出されたシャドーマスク３１を、図１の時計回りに回転するキャンロール７のアライメントピン１１に基材２１と対向するように係合させつつ、シャドーマスク３１を基材２１の表面によって支持し、キャンロール７及び基材２１と共にシャドーマスク３１を移動させた後に巻き取ることによってシャドーマスク３１の繰り出し及び巻き取りを行う。
第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａがアライメントピン１１と係合している状態で、基材２１及びシャドーマスク３１をキャンロール７と共に移動させることにより、基材２１及びシャドーマスク３１の位置合わせを行いつつ基材２１及びシャドーマスク３１を、これらの移動方向に対し蒸着源９の上流側から下流側まで移動させることができる。
そして、蒸着源９で有機層形成材料２２を気化させ、気化された有機層形成材料２２を、上記のように位置合わせされた状態で移動する基材２１及びシャドーマスク３１に向かって吐出し、シャドーマスク３１の開口部３１ｂを通過させて、基材２１に形成された陽極層２３上に開口部３１ｂに応じた有機層を形成する。これにより、開口部３１ｂの形状及び大きさに応じた有機層を基材２１上に形成する。このとき、上記の通り、基材２１とシャドーマスク３１が位置合わせされているため、位置精度良く陽極層２３上に有機層を形成することができる。
また、上記した様に、例えば有機層が形成された基材２１を巻き取り、有機層を形成するための蒸着源９に代えて陰極層２７を形成するための蒸着源を配置し、再度、基材供給装置５ａから基材２１を繰り出して、上記と同様に基材２１とシャドーマスク３１との位置合わせを行いつつ、有機層上に陰極層２７を形成することもできる。また、最下流側の蒸着源９のさらに下流側に陰極層２７を形成するための蒸着源を配置し、有機層上に陰極層２７を連続して形成することもできる。
このように、本実施形態では、陽極層２３（電極層）の形成された帯状の基材２１を供給し、該基材の非陽極層２３側を回転駆動するキャンロール７表面に当接させて該基材２１を移動させつつ、キャンロール７と対向するように配された蒸着源９のノズル９ａから気化された有機層形成材料２２を吐出させて、基材２１の陽極層２３側に有機層を形成する蒸着工程を含み、蒸着工程では、更に、開口部３１ｂを有するシャドーマスク３１を、キャンロール７に当接した基材２１とノズル９ａとの間に介入させるように供給し、基材２１及びシャドーマスク３１として、長手方向に配列された複数の第１、第２貫通孔２１ａ、３１ａ（貫通孔）が設けられたものを用い且つキャンロール７として、第１、第２貫通孔２１ａ、３１ａに係合するアライメントピン１１（係合突起部）が設けられたものを用い、基材２１及びシャドーマスク３１の第１、第２貫通孔２１ａ、３１ａにアライメントピン１１を係合させて基材２１及びシャドーマスク３１を移動させつつ、基材２１の陽極層２３側に開口部３１ｂに応じた有機層を形成する。
これにより、第１及び第２貫通孔２１ａ、３１ａがアライメントピン１１と係合するだけで、シャドーマスク３１と基材２１の位置合わせを行うことができ、このように位置合わせをしつつ、陽極層２３上に各層を蒸着することができる。従って、複雑な構成を採用することなく、基材２１に形成される各層のＭＤ方向（移動方向）及びＴＤ方向（該移動方向と垂直方向）の位置ずれを抑制して、効率的に有機ＥＬ素子を製造することができる。
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置について説明する。図５は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置を示す図である。
本実施形態の製造装置は、ロール状に巻き取られた帯状のシャドーマスク３１を用いる代わりに、環状（無端状）のシャドーマスク３１を用い、かかる環状のシャドーマスク３１を、駆動ローラ４１を含む複数のローラで張架し、駆動ローラ４１を回転させてシャドーマスク３１を回動させることにより、基材２１と対向するようにシャドーマスク３１を供給するように構成されている。
また、かかるシャドーマスク３１を用いることに伴い、蒸着源９は、シャドーマスク３１内側の空間部に配置されている。そして、シャドーマスク３１の表面には、上記第１実施形態と同様の第１貫通孔３１ａ及び開口部３１ｂが形成されている。その他の構成は第１実施形態の製造装置と同様であるため、説明を省略する。
また、かかる製造装置を用いた本実施形態の製造方法では、上記した環状のシャドーマスク３１を用いて蒸着工程を行うこと以外は、第１実施形態の製造方法と同様である。
本実施形態の製造装置及び製造方法によれば、上記第１実施形態と同様に、基材２１の第１貫通孔２１ａと環状のシャドーマスク３１の第２貫通孔３１ａとがアライメントピン１１に挿入され、基材２１とシャドーマスク３１の位置合わせがＭＤ方向及びＴＤ方向に調整された状態で、基材２１に形成された陽極層２３上に、有機層形成材料２２を蒸着することができるため、位置精度良く陽極層２３上に有機層を形成することができる。また、このように位置合わせを行いつつ、上記と同様に陰極層２７を有機層上に形成することができる。
次に、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置について説明する。図６は、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造装置に用いられる、キャンロール７に設けられたアライメントピン１１を示す概略側面図である。図１〜３と共通する部分には共通する符号を付して説明を省略する。
図６に示すように、本実施形態の製造装置では、アライメントピン１１が、断面矩形状であり、且つ、キャンロール７側（基端側）から先端側にかけて先細りとなるテーパ形状に形成されている。すなわち、四角錘状に形成されている。また、基材２１の第１貫通孔２１ａは、アライメントピン１１の基端部と同じ形状及び同じ大きさに形成され、シャドーマスク３１の第２貫通孔３１ａの孔径は、第１貫通孔２１ａの孔径よりも小さく形成されている。
これにより、第１貫通孔２１ａがアライメントピン１１に挿入されると、基材２１の裏面はキャンロール７の周面に当接するようになっている。また、第２貫通孔３１ａがアライメントピン１１に挿入されると、シャドーマスク３１は、基材２１とは隙間を隔ててアライメントピン１１に支持される。このようにシャドーマスク３１が基材２１から離れた状態で、シャドーマスク３１と基材２１の位置合わせが行われつつ、気化された有機層形成材料２２が蒸着源９から放出され、開口部３１ｂを通過して陽極層２３上に蒸着される。また、このように位置合わせを行いつつ、上記と同様に陰極層２７を有機層上に形成することができる。その他の構成は、第１実施形態の製造装置及び製造方法と同様であるため、説明を省略する。
また、かかる製造装置を用いた本実施形態の製造方法では、上記したテーパ形状のアライメントピン１１、第１貫通孔２１ａ、該第１貫通孔２１ａよりも孔径が小さな第２貫通孔３１ａを用いて蒸着工程を行うこと以外は、第１実施形態の製造方法と同様であるため、説明を省略する。
本実施形態の製造装置及び製造方法によれば、基材２１とシャドーマスク３１とが、隙間を隔てて対向するため、シャドーマスク３１との接触によって基材２１の損傷が発生することを回避することができる。
なお、アライメントピン１１のテーパ角度や、第２貫通孔３１ａの孔径は、基材２１とシャドーマスク３１との間に所望の隙間が形成されるように、適宜設定することができる。また、かかる隙間は、陽極層２３上における有機層の形成状態等に応じて適宜設定することができる。
また、本実施形態では、アライアメントピン１１のピッチを大きくするとシャドーマスク３１が基材２１に接触する虞が生じる。従って、上記第１実施形態で述べた観点に加え、さらにかかる観点も考慮して、アライメントピンのＭＤ方向の数量やピッチを設定することができ、例えばアライメントピン１１を３０°ピッチで等間隔に１２個形成したり、１０°ピッチで等間隔に３６個形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置は、上記の通りであるが、本発明は上記各実施形態に限定されず本発明の意図する範囲内において適宜設計変更可能である。例えば、上記第１及び第２実施形態ではアライメントピン１１を四角柱状に形成したが、アライメントピン１１の形状は、第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａと係合して、基材２１とシャドーマスク３１とのアライメントを調整可能であれば、これらに特に限定されるものではなく、その他例えば、三角柱状、円柱状や、断面星型の柱状等に設計することができる。
また、第３実施形態では、アライメントピン１１を四角錐状に形成したが、この場合においてもその形状は、第１貫通孔２１ａ及び第２貫通孔３１ａを挿入させて基材２１とシャドーマスク３１とのアライメントを調整可能であり、且つ、基材２１とシャドーマスク３１との間に隙間を形成することが可能であれば、特に限定されるものではなく、その他例えば、三角錐状、円錐状や、星型の断面を有し先端に向かう程その断面積が小さくなるような柱状等に形成することもできる。
また、上記各実施形態では、基材２１に形成された陽極層２３上への有機層の成膜方法として、真空蒸着法を用いたが、成膜方法は、上記各実施形態に特に限定されるものではなく、その他例えば、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法、化学気相合成法等を挙げることができる。
また、上記実施形態では、真空チャンバー３内にシャドーマスク供給装置６ａを１つ配置し、該シャドーマスク供給装置６ａから１つのシャドーマスク３１をロールトゥロールで基材２１と重ね合うように供給したが、その他、真空チャンバー３内に複数のシャドーマスク供給装置を配置し、該シャドーマスク供給装置それぞれから、複数のシャドーマスク３１を基材２１と対向するように供給することもできる。
次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
図１に示す、上記第１実施形態の製造装置１を用いた。基材２１として、ロール状のＳＵＳ３０４（幅５０ｍｍ、長さ１０００ｍ、厚み０．０５ｍｍ）を用い、陽極層２３を形成するための材料としてＩＺＯを用いた。かかる基材２１上に、樹脂層（ＪＳＲ社製ＪＥＭ−４７７）を塗工した後、乾燥、キュアを行い、厚み３μｍの絶縁層を成膜した後、該絶縁層上の全体にスパッタリング法を用いて厚み１００ｎｍのＩＺＯ層を形成し、フォトリソ工程によって、幅方向（ＴＤ方向）両端から５ｍｍ及び１０ｍｍの位置に、３５ｍｍ×１０２．６２ｍｍのＩＺＯ層が、長手方向（ＭＤ方向）に２．１ｍｍの間隔で残存させることによって、ＩＺＯ層から成る陽極層２３のパターンを形成した（パターニング）。
また、エッチング法を用い、基材２１の幅方向両端部に、２．１ｍｍ×２．１ｍｍ（Ｒ０．５ｍｍ）の角丸正方形の第１貫通孔２１ａを、該角丸正方形の中心が、幅方向（ＴＤ方向）においては両端から３ｍｍ、移動方向（ＭＤ方向）においては１０４．７２ｍｍピッチであり、上記した陽極層２３のパターン間に第１貫通孔２１ａが配置されるように、幅方向両端において長手方向に沿って形成した。
シャドーマスク３１として、ロール状のＳＵＳ３０４（幅５０ｍｍ、長さ１０００ｍｍ、厚み０．０５ｍｍ）を２つ用いた（シャドーマスク３１Ａ、３１Ｂとする）。シャドーマスク３１Ａには、フォトエッチング法を用い、２．１ｍｍ×２．１ｍｍ（Ｒ０．５ｍｍ）の角丸正方形の第２貫通孔３１ａを、該角丸正方形の中心が、幅方向（ＴＤ方向）においては両端から３ｍｍ、移動方向（ＭＤ方向）においては１０４．７２ｍｍピッチとなるように、幅方向両端において長手方向に沿って形成した。また、第２貫通孔３１ａの形成と同時に、ＴＤ方向に２個、ＭＤ方向において２個（２個×２個）の４個の第２貫通孔３１ａの中心に、３６ｍｍ×１０２．６２ｍｍの開口部３１ｂをフォトエッチング法で形成することによって、シャドーマスク３１Ａを形成した。
シャドーマスクＢには、フォトエッチング法を用い、シャドーマスク３１Ａと同様の位置に第２貫通孔３１ａを形成し、該第２貫通孔３１ａの形成と同時に、ＴＤ方向において両端から１０ｍｍ及び５ｍｍの位置、ＭＤ方向において第２貫通孔３１ａの中心に、３０ｍｍ×９０ｍｍの開口部３１ｂをフォトエッチング法で形成することによって、シャドーマスク３１Ｂを形成した。
また、３つの直径１２００ｍｍのキャンロール７上にそれぞれ、底面２ｍｍ×２ｍｍ（Ｒ０．５ｍｍ）の角丸正方形、上面１．５ｍｍ×１．５ｍｍ（Ｒ０．５ｍｍ）の角丸正方形、高さ３ｍｍの角丸正四角錐台のアライメントピン１１を、キャンロール７の回転軸方向に見て１０°刻みで、３６個形成した。
また、図７に示すように、キャンロール７における基材２１が支持されている領域と対向する位置には、キャンロール７の回転方向に対して上流側から下流側に向かって、正孔注入層たるＣｕＰｃ層を蒸着するための蒸着源９Ａ、正孔輸送層たるα−ＮＰＤ層を蒸着するための蒸着源９Ｂ、発光層たるＡｌｑ３層を蒸着するための蒸着源９Ｃ、電子注入層たるＬｉＦ層を蒸着するための蒸着源９Ｄが、この順に配置されている。
そして、上記したように基材２１をプラズマ処理した後、基材２１の第１貫通孔２１ａとシャドーマスク３１Ａの第２貫通孔３１ａとをアライメントピン１１に挿入して基材２１とシャドーマスク３１Ａの位置合わせを行い、蒸着源９Ａ〜９Ｄによって、各有機層形成材料２２を気化させて放出し、ＣｕＰｃ層、α−ＮＰＤ層、Ａｌｑ３層、ＬｉＦ層を基材２１上に順に加熱蒸着して積層して有機層を４層形成し、基材２１及びシャドーマスク３１Ａを巻き取った。なお、シャドーマスク３１Ａを巻き取らず、有機層の蒸着に続けて連続して陰極層２７を蒸着することもできる。
次に、真空チャンバー３内においてキャンロール７の基材２１の支持領域と対向する位置に、図８に示すように、蒸着源９Ａ〜９Ｄの代わりに陰極たるアルミニウム（Ａｌ）を蒸着するための蒸着源９Ｅを配置し、上記基材２１の第１貫通孔２１ａとシャドーマスク３１Ｂの第２貫通孔３１ａとをアライメントピン１１に挿入して基材２１とシャドーマスク３１Ｂの位置合わせを行い、蒸着源９Ｅによって、陰極層形成用材料２６を気化させて放出し、上記有機層の上にＡｌ層を加熱蒸着して積層して、基材２１及びシャドーマスク３１Ｂを巻き取った。
巻き取った基材２１の陽極層２３及び陰極層２７に電界を印加したところ、有機層が発光した。また、設計値に対する有機層及び陰極層２７の配置のずれ量をそれぞれ、レーザー測長系ユニット（小野測器社製、ＬＶ−９３００）を用いて、ＭＤ方向に１０ｍｍおきに測定したところ、搬送長さ（ＭＤ方向の位置）によらず、最大で０．２ｍｍであり、位置ずれ量が小さいことが認められた。また、基材２１上に形成される層の材質によらず、位置ずれ量が小さいことが認められた。
（比較例）
アライメントピンが形成されていないキャンロール、貫通孔が形成されていない基材及びシャドーマスクを用いること以外は実施例と同様にして、基材に有機層及び陰極層を形成した。また、実施例と同様にして、設計値に対する有機層及び陰極層の配置のずれ量をそれぞれ測定した。その結果、有機層及び陰極層の上記ずれ量は、ＭＤ方向で最大５００ｍｍであった。
以上の結果、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子の製造装置により、複雑な構成を採用することなく、基材に形成される各層の移動方向及び該移動方向と垂直方向のアライメントを調整して、効率的に有機ＥＬ素子を製造し得ることがわかった。
１：有機ＥＬ素子の製造装置、３：真空チャンバー、５ａ：基材供給装置、６ａ：シャドーマスク供給装置（シャドーマスク供給手段）、７：キャンロール、９：蒸着源、１１：アライメントピン（係合突起部）、２１：基材、２１ａ：第１貫通孔（貫通孔）、２３：陽極層（電極層）、２５ａ：発光層（有機層）、３１：シャドーマスク、３１ａ：第２貫通孔（貫通孔）、３１ｂ：開口部

Claims (2)

  1. 電極層の形成された帯状の基材を供給し、該基材の非電極層側を回転駆動するキャンロール表面に当接させて該基材を移動させつつ、前記キャンロールと対向するように配された蒸着源のノズルから気化された有機層形成材料を吐出させて、前記基材の電極層側に有機層を形成する蒸着工程を含んでなる有機ＥＬ素子の製造方法であって、
    前記蒸着工程では、更に、開口部を有するシャドーマスクを、前記キャンロールに当接した前記基材と前記ノズルとの間に介入させるように供給し、
    前記基材及びシャドーマスクとして、長手方向に配列された複数の貫通孔が設けられたものを用い且つ前記キャンロールとして、前記貫通孔に係合する係合突起部が設けられたものを用い、前記係合突起部は、前記キャンロール側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状に形成され、前記シャドーマスクの貫通孔の孔径の方が前記基材の貫通孔の孔径よりも小さく、
    前記基材及び前記シャドーマスクの貫通孔に前記係合突起部を係合させて前記基材及びシャドーマスクを移動させつつ、前記基材の電極層側に前記開口部に応じた有機層を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
  2. 電極層の形成された帯状の基材を供給する基材供給手段と、供給された基材と非電極層側で当接しつつ該基材の移動と共に回転駆動するキャンロールと、該キャンロールと対向するように配置され、ノズルから気化された有機層形成材料を吐出して前記キャンロールに当接した基材の電極層側に有機層を形成する蒸着源と、開口部を有するシャドーマスクを、前記キャンロールに当接した前記基材と前記ノズルとの間に介入させるように供給するシャドーマスク供給手段とを備えてなる有機ＥＬ素子の製造装置であって、
    前記基材及び前記シャドーマスクには、長手方向に配列された複数の貫通孔が設けられてなり、前記キャンロールには、前記貫通孔に係合して前記基材及びシャドーマスクを支持する係合突起部が設けられており、前記係合突起部は、前記キャンロール側から先端側に向かって先細りとなるテーパ状に形成され、前記シャドーマスクの貫通孔の孔径の方が前記基材の貫通孔の孔径よりも小さいことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5828770B2 (ja) * 2012-01-24 2015-12-09 株式会社神戸製鋼所 真空成膜装置
US9382615B2 (en) * 2012-10-12 2016-07-05 Asm Ip Holding B.V. Vapor deposition of LiF thin films
KR20140061808A (ko) * 2012-11-14 2014-05-22 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증착 장치
US10363537B2 (en) 2013-02-14 2019-07-30 Universiteit Gent Deposition tool for combinatorial thin film material libraries
KR102069346B1 (ko) 2013-04-17 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 증착 장치
JP6111822B2 (ja) * 2013-04-25 2017-04-12 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置
JP6070530B2 (ja) * 2013-12-19 2017-02-01 住友金属鉱山株式会社 部材内に設けた空洞部への微細孔の貫通方法およびこれを用いたガス放出金属ロールの製造方法
EP3124649A4 (en) * 2014-03-25 2017-08-16 ULVAC, Inc. Film-formation device and film-formation method
JPWO2016047349A1 (ja) * 2014-09-25 2017-07-06 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN104862650B (zh) * 2015-05-15 2017-04-19 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板蒸镀装置及蒸镀方法
DE102015110087A1 (de) * 2015-06-23 2016-12-29 Aixtron Se Fördereinrichtung für ein Substrat
JP2017155263A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 成膜システム及び表示装置の製造方法
JP6998139B2 (ja) * 2017-06-28 2022-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
KR101973286B1 (ko) * 2017-11-13 2019-04-26 임우빈 조명용 유기발광소자 제조 방법 및 그 제조 장치
KR102005665B1 (ko) * 2018-01-11 2019-07-30 임우빈 조명용 유기발광소자 제조 방법 및 그 제조 장치
WO2020004335A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
US20220199961A1 (en) * 2019-03-28 2022-06-23 Woo-Bin Im Method and apparatus for manufacturing organic light emitting diode for lighting
CN111519135A (zh) * 2020-03-30 2020-08-11 维达力实业(深圳)有限公司 遮蔽装置及补锂设备
CN117983565A (zh) * 2024-03-29 2024-05-07 德沪涂膜设备(苏州)有限公司 一种掩膜板清洗装置以及掩膜板的清洗方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61261471A (ja) * 1985-05-13 1986-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 部分被覆方法
JPS62243758A (ja) * 1986-04-14 1987-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 部分被覆方法
JPS6373654A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 Sumitomo Electric Ind Ltd リ−ドフレ−ムの製造方法
EP0488535A3 (en) * 1990-11-08 1992-09-23 Bmc Technology Corporation Method and apparatus for manufacturing electrodes for multilayer ceramic capacitors
JPH0964676A (ja) * 1995-08-24 1997-03-07 Seiko Seiki Co Ltd 周波数調整装置
JP2000313951A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Sony Corp 成膜装置及び成膜方法
JP4627392B2 (ja) * 2001-09-26 2011-02-09 株式会社アルバック 真空処理装置および真空処理方法
JP2003133067A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Sony Corp パターン形成装置及びパターン形成方法
JP2003173870A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置及び製造方法
JP2004119064A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Fujitsu Ltd 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US20040140758A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Organic light emitting device (OLED) display with improved light emission using a metallic anode
JP4609756B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置のマスク位置合わせ機構および成膜装置
JP4618066B2 (ja) * 2005-09-15 2011-01-26 株式会社大真空 成膜マスク装置
KR100729097B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
JP4828959B2 (ja) * 2006-02-17 2011-11-30 住友重機械工業株式会社 基板ホルダ及び基板ホルダの取扱方法
JP4867821B2 (ja) * 2007-07-03 2012-02-01 コニカミノルタホールディングス株式会社 可撓性基板保持具、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2010244917A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Seiko Epson Corp 成膜用マスク、電気光学装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造方法

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