WO2013133252A1 - 蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 - Google Patents

蒸着データ処理装置、有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 Download PDF

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WO2013133252A1
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organic
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shielding
layer
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良平 垣内
山本　悟
隆義 山野
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日東電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a deposition data processing apparatus for processing deposition data of an organic EL (electroluminescence) element formed on a substrate. Moreover, this invention relates to the manufacturing apparatus of the organic EL device for manufacturing an organic EL device, Furthermore, it is related with the manufacturing method of an organic EL device.
  • a roll-to-roll process is known as a method for manufacturing an organic EL device.
  • a belt-shaped substrate wound up in a roll is continuously fed out and conveyed, and a vaporized material is discharged toward the substrate on which a plurality of vapor deposition sources are conveyed.
  • the vaporized material discharged is deposited on the deposition surface of the base material to form a constituent layer of the organic EL element on the base material, and then the base material is wound into a roll (see Patent Document 1). ).
  • the present invention provides a vapor deposition data processing apparatus capable of confirming the vapor deposition status of each constituent layer with respect to the organic EL elements continuously formed on the substrate being conveyed, organic It is an object to provide an EL device manufacturing apparatus and a manufacturing method.
  • the vapor deposition data processing apparatus is a vapor deposition that processes vapor deposition data of a plurality of organic EL elements formed in parallel in the longitudinal direction of the base material by vapor-depositing a vaporized material on the belt-shaped base material to be conveyed.
  • a data processing apparatus wherein the reading device reads at least two of the plurality of constituent layers constituting each organic EL element, and the same position in the longitudinal direction of the substrate read by the reading device And a processing unit that integrates and processes the data of each constituent layer as data of a predetermined organic EL element.
  • the organic EL device manufacturing apparatus includes a transport device that transports the base material, and a plurality of vapor deposition sources that eject a vaporized material onto the transported base material.
  • the vapor deposition data processing apparatus is provided in the organic EL device manufacturing apparatus for forming the organic EL element composed of a plurality of constituent layers by depositing the vaporized material on the substrate.
  • the organic EL device manufacturing apparatus includes a shielding device having a shielding member that shields the base material, and the shielding member is a position where a constituent layer is formed on the base material.
  • a first opening part that exposes the constituent layer forming position of the base material so that the vaporized material is deposited at a position; and the shielding device is a reading trigger part that triggers the reading device to read the constituent layer
  • a second opening portion that exposes the trigger portion forming position of the base material such that a vaporized material is deposited at the trigger portion forming position that is a position where the reading trigger portion is formed on the base material.
  • the reading device may read the constituent layer based on detecting the reading trigger part.
  • the processing apparatus uses the deposition control unit that controls the vapor deposition material to discharge the vaporized material, and the data of the constituent layers read by the reader.
  • a vapor deposition inspection unit that inspects the vapor deposition state of the constituent layer based on the vapor deposition control unit, the vapor deposition control unit, based on the inspection result of the vapor deposition inspection unit, to stop each vapor deposition source from discharging the vaporized material Also good.
  • the organic EL device manufacturing method according to the present invention is characterized in that an organic EL device is manufactured by the organic EL device manufacturing apparatus.
  • the whole top view of the manufacturing apparatus of the organic EL device which concerns on one Embodiment of this invention is shown.
  • the principal part top view in the manufacturing apparatus of the organic EL device concerning the embodiment is shown.
  • the top view of the state in which a predetermined shielding member is located in a shielding position is shown.
  • prescribed shielding member is located in a shielding position is shown.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the organic EL device taken along line XX in FIG.
  • the expanded longitudinal cross-sectional view of the organic EL device manufactured with the manufacturing apparatus of the organic EL device which concerns on other embodiment which concerns on this invention is shown.
  • the principal part side surface expanded view in the manufacturing apparatus of the organic EL device which concerns on further another embodiment which concerns on this invention is shown.
  • the principal part top view of the organic EL device manufactured with the manufacturing apparatus of the organic EL device concerning the embodiment is shown.
  • An organic EL device manufacturing apparatus (hereinafter, also simply referred to as “manufacturing apparatus”) 100 according to the present embodiment includes a vacuum chamber 1 having a vacuum inside, and a strip-shaped substrate so as to pass through the inside of the vacuum chamber 1.
  • Conveying device 2 that conveys 81 in the longitudinal direction
  • vapor deposition device 3 that discharges a vaporized material to vapor deposition surface 811 that is one surface of substrate 81 to be conveyed
  • the reading device 4 includes a reading device 4, a shielding device 5 that shields the base material 81, and a processing unit 6 that processes data read by the reading device 4.
  • the manufacturing apparatus 100 includes a vapor deposition data processing apparatus (hereinafter also simply referred to as “processing apparatus”) 101 that processes vapor deposition data of a plurality of organic EL elements 80 formed in parallel in the longitudinal direction of the substrate 81. .
  • the processing device 101 outputs the processed data such as a reading device 4, a processing unit 6, an input unit 71 for inputting various data such as a keyboard and a mouse, and a display device and a printer, for example. And an output unit 72.
  • the vacuum chamber 1 includes three vacuum chambers 11 and a vacuum generator (for example, a vacuum pump) 12 connected to each vacuum chamber 11 so that the inside of each vacuum chamber 11 becomes a vacuum.
  • a vacuum generator for example, a vacuum pump
  • Each vacuum chamber 11 accommodates each device 2, 3, 4, 5 therein.
  • the transport device 2 includes a base material supply unit 21 that feeds and supplies a strip-shaped base material 81 wound in a roll shape, and a plurality of support rollers that support the base material 81 by the base material 81 being hung on the outer peripheral portion. 22 and 23, and a base material recovery part 24 that winds and recovers the base material 81 in a roll shape.
  • the base material 81 is conveyed in the state which turned the vapor deposition surface 811 to the side from beginning to end.
  • the plurality of support rollers 22, 23 include first to third can rollers 22 that support the base material 81 when the base material 81 is deposited by the deposition apparatus 3, the base material supply unit 21, and each can roller. 22 and a plurality of transport rollers 23 disposed between the base material recovery units 24. The plurality of support rollers 22 and 23 are stretched over the base material 81.
  • the vapor deposition apparatus 3 includes a first vapor deposition unit 31 that vaporizes a vaporized material toward the base material 81 supported by the first can roller 22 and a base material 81 supported by the second can roller 22.
  • a second vapor deposition unit 32 that vaporizes the vaporized material toward the substrate, and a third vapor deposition unit 33 that vaporizes the vaporized material toward the substrate 81 supported by the third can roller 22.
  • Each of the vapor deposition units 31 to 33 is a horizontal vapor deposition unit disposed on the side of each can roller 22.
  • 1st vapor deposition part 31 is provided with anode layer vapor deposition source 311 which forms anode layer 82 (refer to Drawing 10) on vapor deposition surface 811 of substrate 81 by vaporizing and discharging a vaporization material. That is, the first vapor deposition unit 31 forms one anode layer constituting layer constituting the anode layer 82.
  • the second vapor deposition section 32 includes a positive hole injection layer vapor deposition source 321 that forms a positive hole injection layer 831 (see FIG. 10) on the vapor deposition surface 811 of the base material 81 by vaporizing and discharging the vaporized material.
  • a hole transport layer deposition source 322 that is disposed downstream of the hole injection layer deposition source 321 and forms a hole transport layer 832 (see FIG. 10) by vaporizing and discharging the vaporized material, and a hole transport layer deposition
  • a light emitting layer deposition source 323 is disposed downstream of the source 322 and forms a light emitting layer 833 (see FIG. 10) by vaporizing and discharging the vaporized material.
  • the second vapor deposition section 32 is disposed downstream of the light emitting layer vapor deposition source 323, and vaporizes and discharges the vaporized material, thereby forming the electron transport layer vapor deposition source 324 that forms the electron transport layer 834 (see FIG. 10). And an electron injection layer deposition source 325 that is arranged downstream of the electron transport layer deposition source 324 and forms an electron injection layer 835 (see FIG. 10) by vaporizing and discharging the vaporized material. That is, the second vapor deposition section 32 forms five organic EL layer constituting layers constituting the organic EL layer 83 (see FIG. 10).
  • the third vapor deposition section 33 vaporizes the vaporized material and discharges it, thereby forming first to third cathode layer constituting layers 841 to 843 (see FIG. 10) on the vapor deposition surface 811 of the substrate 81.
  • Each of the vapor deposition sources 311, 321 to 325 and 331 to 333 is heated by a heating unit (not shown and numbered) to vaporize the material accommodated therein, and the vaporized material (vaporized material) Is discharged toward the vapor deposition surface 811 of the substrate 81 from the opening of the discharge portion.
  • the vapor deposition sources 311, 321 to 325, and 331 to 333 are disposed so that the opening of the discharge unit is disposed on the side and opposed to the vapor deposition surface 811 of the substrate 81 in order to discharge the vaporized material in the lateral direction. ing.
  • the respective vapor deposition sources 311, 321 to 325 and 331 to 333 are arranged at positions close to the base material 81. Specifically, the vapor deposition sources 311, 321 to 331 are positioned at positions where the distances (shortest distance) between the openings of the ejection portions of the vapor deposition sources 311, 321 to 325 and 331 to 333 and the base material 81 are 10 mm or less. 325 and 331 to 333 are arranged.
  • the reading device 4 includes a plurality of readers 41 that read a predetermined area of the vapor deposition surface 811 of the substrate 81.
  • Each reader 41 is arranged on the downstream side of each vapor deposition source 311, 321 to 325, 331 to 333.
  • the reader 4 uses the respective readers 41 to deposit the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 of the organic EL elements 80 deposited by the respective vapor deposition sources 311, 321 to 325 and 331 to 333. (E.g., deposition area, deposition thickness, etc.) is read.
  • Each reader 41 is arranged on the side of each can roller 22 and arranged to face the vapor deposition surface 811 of the substrate 81. Further, each reader 41 is arranged at a position close to the base material 81. In the present embodiment, each reader 41 is a CCD camera.
  • the shielding device 5 includes a plurality of shielding members 51 that shield the base material 81 and a plurality of switching that switches the position of each shielding member 51 by rotating each shielding member 51. And a mechanism 52.
  • FIG. 2 shows all (six) shielding members 51 provided on the first can roller 22, but FIGS. 3 to 7 show only a specific (one) shielding member 51. Is illustrated.
  • the shielding members 51 and the switching mechanisms 52 provided on the first can roller 22 are illustrated.
  • the shielding members 51 provided on the second and third can rollers 22 are illustrated.
  • Each switching mechanism 52 has substantially the same configuration.
  • ten shielding members 51 and ten switching mechanisms 52 are provided on the second can roller 22.
  • Each shielding member 51 has a shielding layer 511 that shields the base material 81 and a constituent layer forming position so that the vaporized material is deposited at a predetermined position of the base material 81 (hereinafter also referred to as “constituting layer forming position”). A first opening portion 512 to be exposed.
  • Each shielding member 51 includes a base 513 connected to the switching mechanism 52.
  • Each shielding member 51 includes a shielding position where the shielding unit 511 is disposed between the deposition source 311 and the substrate 81 by each switching mechanism 52, and a shielding position where the shielding unit 511 is disposed on the deposition source 311. By retreating from between the base materials 81, it is switched to a shielding release position for releasing the shielding of the base material 81.
  • each shielding member 51 is a so-called flip shielding plate.
  • Each shielding portion 511 is formed in a strip shape (specifically, a rectangular shape) and is formed in a plate shape, while the first opening portion 512 is formed in a rectangular shape inside the shielding portion 511.
  • the shielding part 511 is disposed away from the base material 81 in a state where it is located at the shielding position. For example, it is desirable that the spacing between the shielding part 511 and the base material 81 be 1 mm or less.
  • the shielding members 51 are arranged in parallel along the circumferential direction of the can roller 22, and the shielding portions 511 positioned at the shielding positions are spaced apart from each other.
  • a second opening 5a is formed.
  • the shielding apparatus 5 exposes the predetermined position (henceforth "trigger part formation position") of the base material 81 by the 2nd open part 5a.
  • the vaporized material is vapor-deposited at the trigger part forming position of the base material 81, and the reading trigger part 85 (see FIG. 10) is formed, which triggers the reading device 4 to read the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843.
  • Each switching mechanism 52 includes a main body 521 that is fixed to the can roller 22 so as to rotate integrally with the can roller 22.
  • Each switching mechanism 52 includes a first rotating body 522 supported by the main body 521 so as to rotate on an axis parallel to the drive shaft 221 of the can roller 22, and a direction orthogonal to the axis of the first rotating body 522.
  • a second rotating body 523 that is supported by the main body 521 so as to rotate about a shaft disposed along the shaft and that is driven by the first rotating body 522.
  • Each switching mechanism 52 has a first link body 524 having one end connected to the shaft of the first rotating body 522, one end connected to the shaft of the second rotating body 523, and the other end being the shielding member 51. And a second link body 525 coupled to the base 513. Further, each switching mechanism 52 includes a cam follower 526 that is rotatably attached to the other end portion of the first link body 524 and a cam 527 that is slidably contacted with the cam follower 526.
  • a magnetic body is provided inside each first rotating body 522 and each second rotating body 523.
  • each 2nd rotary body 523 receives magnetic force from the magnetic body of each 1st rotary body 522, as each 1st rotary body 522 rotates, each 2nd rotary body 523 rotates. To do.
  • each 1st rotary body 522 and each 2nd rotary body 523 are spaced apart.
  • the cam 527 has a disc shape.
  • the cam 527 is disposed concentrically with the drive shaft 221 for driving the can roller 22. However, the cam 527 does not rotate integrally with the drive shaft 221 and the can roller 22 and is fixed to the vacuum chamber 11.
  • the cam 527 includes a first region 527a for holding the shielding portion 511 at the shielding release position, a second region 527b for moving the shielding portion 511 from the shielding release position to the shielding position, and the shielding portion 511 at the shielding position.
  • a third region 527c for holding and a fourth region 527d for moving the shielding part 511 from the shielding position to the shielding release position are provided.
  • Each switching mechanism 52 rotates the shielding member 51 around the tangential direction of the outer peripheral portion of the can roller 22 (the direction orthogonal to the drive shaft 221 of the can roller 22), so that the shielding portion 511 is attached to the base material 81. Make contact and separation.
  • Each switching mechanism 52 is provided with a biasing member (not shown or numbered), and the cam follower 526 is in contact with each region (first region 527a to fourth region 527d) of the cam 527. Is being urged to maintain.
  • the shielding portion 511 is switched to the shielding position and the shielding release position once.
  • the vapor deposition sources 311 and 321 to 325 disposed on the can roller 22 are rotated when the can roller 22 makes one rotation so that the reader 4 can read the vapor deposition state of all the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843. , 341 to 343, the shielding portions 511 are switched between the shielding position and the shielding release position.
  • the shielding portion 511 is switched to the shielding position and the shielding release position five times each.
  • the shielding portion 511 is switched to the shielding position and the shielding release position three times each.
  • the reader 41 is reading the vapor deposition surface 811 of the base material 81, when the shielding part 511 is located in a shielding cancellation
  • the processing unit 6 includes a conveyance control unit 61 that controls the conveyance device 2, a vapor deposition control unit 62 that controls the vapor deposition device 3, and a reading control unit 63 that controls the reading device 4.
  • the processing unit 6 includes a vapor deposition inspection unit 64 that inspects the vapor deposition state based on data read by the reading device 4 and an integration processing unit 65 that accumulates the data read by the reading device 4.
  • the vapor deposition control unit 62 controls that the vapor deposition sources 311, 321 to 325 and 331 to 333 discharge the vaporized material.
  • the vapor deposition control unit 62 stops the vapor deposition materials 311, 321 to 325 and 331 to 333 from discharging the vaporized material based on the inspection result of the vapor deposition inspection unit 64. Specifically, when the vapor deposition inspection unit 64 determines that the anode layer 82 at a predetermined component layer forming position is abnormal, the vapor deposition sources 321 to 325 and 331 to 333 arranged on the downstream side of the anode layer vapor deposition source 311 are used. Stops discharging the vaporized material to the constituent layer forming position.
  • the reading control unit 63 controls each reader 41 such that each reader 41 reads the vapor deposition surface 811 of the substrate 81 based on detecting the reading trigger unit 85 of the substrate 81. Specifically, the reading control unit 63 causes the reader 41 to deposit the base material 81 when a predetermined time elapses after the reading unit 41 detects the reading trigger unit 85 in order to read the constituent layer at an appropriate position. Each reader 41 is controlled to read the surface 811.
  • the vapor deposition inspection unit 64 includes an information storage unit 641 that stores information on vapor deposition data for inspection, and information on the information storage unit 641 and vapor deposition data of the constituent layers read by the reading device 4 (for example, depending on the vapor deposition region and the vapor deposition concentration). And a result determination unit 642 for determining whether the deposition state is normal or abnormal. And when the vapor deposition test
  • the integration processing unit 65 reads the data of the constituent layers 82, 831 to 835, and 841 to 843 at the same position in the longitudinal direction of the base material 81 read by the reading device 4, that is, the same constituent layer forming position, into one organic EL. Integration processing is performed as data of the element 80. As a result, the data of the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 are collected for each organic EL element 80.
  • the organic EL device manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment is as described above. Next, regarding the configuration of the organic EL device 8 manufactured by the organic EL device manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment, FIG. This will be described with reference to FIG.
  • the organic EL device 8 includes a substrate 81, a single-layer anode layer 82, an organic EL layer 83 that is a five-layer laminate, and a cathode layer 84 that is a three-layer laminate. Further, the organic EL device 8 includes a reading trigger unit 85 that triggers reading of each of the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 of the plurality of organic EL elements 80 formed in parallel in the longitudinal direction of the substrate 81. Prepare.
  • Each size (width, thickness, length) of the base material 81 can be appropriately set according to the size of the organic EL element 80 formed on the base material 81, the configuration of the manufacturing apparatus 100, and the like. It is not limited.
  • the thickness of each of the layers 82 to 84 is usually designed to be about several nanometers to several tens of nanometers, but is appropriately designed according to the constituent layer forming material to be used, light emission characteristics, etc. It is not limited.
  • a flexible material that is not damaged when transported is used as the forming material of the base material 81.
  • a material for example, a metal material such as stainless steel, copper, aluminum or titanium, a non-metallic inorganic material such as thin film glass, a polyimide resin, a polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, or a polyamide resin
  • synthetic resin materials that are thermosetting resins and thermoplastic resins.
  • the material for forming the anode layer 82 examples include gold, silver, and aluminum.
  • the anode layer 82 according to the present embodiment employs a configuration composed of one anode layer constituent layer, it is not limited to such a configuration.
  • the anode layer may be formed from one or more anode layer constituent layers.
  • the organic EL layer 83 is a five-layer laminate composed of five organic EL layer constituent layers.
  • the five organic EL layer constituting layers are a hole injection layer 831, a hole transport layer 832, a light emitting layer 833, an electron transport layer 834, and an electron injection layer 835 in order from the anode layer 82 side.
  • the hole injection layer 831 for example, copper phthalocyanine (CuPc), 4,4′-bis [N-4- (N, N-di-m-tolylamino) phenyl] -N-phenylamino] biphenyl ( DNTPD) and HAT-CN.
  • CuPc copper phthalocyanine
  • DNTPD 4,4′-bis [N-4- (N, N-di-m-tolylamino) phenyl] -N-phenylamino] biphenyl
  • HAT-CN HAT-CN
  • the hole transport layer 832 for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl ( ⁇ -NPD), N, N′-diphenyl-N, N Examples include '-bis (3-methylphenyl) -1,1'biphenyl-4,4'diamine (TPD).
  • the light emitting layer 833 for example, 4,4′-N, N′-dicarbazonylbiphenyl doped with tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) or iridium complex (Ir (ppy) 3) ( CBP) and the like.
  • Examples of the material for forming the electron injection layer 834 include lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), and lithium oxide (Li 2 O).
  • Examples of the material for forming the electron transport layer 835 include tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (BAlq), OXD-7 (1 , 3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl]) benzene, lithium fluoride (LiF) and the like.
  • the organic EL layer 83 employs a configuration including five organic EL layer configuration layers, the configuration is not limited thereto.
  • the organic EL layer 83 only needs to be formed of one or more organic EL layer constituent layers.
  • the layer configuration is not particularly limited.
  • the material for forming the cathode layer 84 examples include alloys containing magnesium (Mg) and silver (Ag), lithium fluoride (LiF), and the like.
  • the first cathode layer constituting layer is an LiF layer
  • the second cathode layer forming layer is an Mg layer
  • the third cathode layer constituting layer is an Ag layer.
  • the cathode layer 84 according to the present embodiment employs a configuration including three cathode layer constituent layers, the configuration is not limited thereto.
  • the cathode layer only needs to be formed of one or more cathode layer constituent layers.
  • the reading trigger part 85 is disposed between the plurality of organic EL elements 80 arranged in parallel in the longitudinal direction of the base material 81.
  • the reading trigger portion 85 is formed to have a width dimension smaller than that of the organic EL element 80 in the longitudinal direction of the base material 81.
  • the reading device 4 includes the plurality of constituent layers 82 constituting each organic EL element 80 formed in parallel in the longitudinal direction of the base material 81. , 831 to 835 and 841 to 843 are read. Then, the processing unit 6 integrates the data of the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 at the same position in the longitudinal direction of the base material 81 read by the reading device 4 as data of a predetermined organic EL element 80. To do.
  • the shielding device 5 is provided with the shielding member 51 that shields the base material 81. And since the 1st open part 512 is provided in the shielding member 51, the structural layer formation position which is a position which forms the structural layer in the base material 81 is exposed. As a result, the vaporized material is deposited on the constituent layer forming position of the base material 81, and desired constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 are formed.
  • the reading device 4 is a constituent layer. 82, 831 to 835, 841 to 843, the trigger part forming position of the base material 81, which is the position where the reading trigger part 85 is triggered, is exposed.
  • the reading trigger part 85 is formed. Then, since the reading device 4 reads the constituent layers 82, 831 to 835, 841 to 843 based on the detection of the reading trigger part 85, each reader 41 is positioned at the constituent layers 82, 831 to 835, 841 to 843. Can be accurately recognized, and the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 can be read.
  • the vapor deposition inspection unit 64 is based on the data of the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 read by the reader 4. 82, 831 to 835 and 841 to 843 are inspected for vapor deposition.
  • the vapor deposition control unit 62 that controls that the vapor deposition sources 311, 321 to 325 and 331 to 333 discharge the vaporized material is based on the inspection result of the vapor deposition inspection unit 64. 331 to 333 stop discharging the vaporized material.
  • the downstream vapor deposition sources 321 to 325 and 331 to 333 correspond to the constituent layers 82, 831 to 835, respectively.
  • 841 to 842 can be stopped by discharging the vaporized material to improve the material ratio of the vaporized material.
  • the rotation speed of the shielding device 5 and the support roller (can roller) 22 are determined.
  • the vaporization material is deposited at the same rotational speed.
  • the positional deviation of the base material 81 has occurred, the positional deviation is detected and the rotational speed of the shielding device 5 is changed according to the deviation, thereby affecting the influence of the deviation. Can be corrected.
  • vapor deposition data processing apparatus the organic EL device manufacturing apparatus, and the manufacturing method according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
  • configurations, methods, and the like according to various modifications described below may be arbitrarily selected and employed in the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments.
  • an edge cover vapor deposition section is provided downstream of the first vapor deposition section 31, and a sealing layer vapor deposition section is provided downstream of the third vapor deposition section 33.
  • the edge cover 86 covering the periphery of the anode layer 82 and the layers 82 to In order to prevent 84 from coming into contact with air, a sealing layer 87 covering each of the layers 82 to 84 may be formed.
  • Examples of the material for forming the edge cover 86 include silicon oxide (SiO x ), molybdenum trioxide (MoO 3 ), and vanadium pentoxide (V 2 O 5 ).
  • Examples of the material for forming the sealing layer 87 include molybdenum trioxide (MoO 3 ), silicon oxynitride (SiNO x ), oxygen-containing silicon carbide (SiOC), and the like.
  • Examples of SiO x include SiO 2
  • examples of SiNO x include SiNO.
  • the configuration in which the second opening portion 5a is formed by the gap between the shielding portions 511 has been described.
  • the configuration is not limited thereto.
  • the second opening 514 may be provided in each shielding member 51.
  • FIG. 12 the state which each shielding member 51 is located in the shielding position is shown.
  • the second opening 514 may have a different shape for each shielding member 51.
  • the vapor deposition inspection portion 64 has a predetermined constituent layer 82. , 831 to 835 and 841 to 843, the shielding member 51 (511a to 511f) that has caused the abnormality can be identified.
  • the configuration in which the reading trigger portion 85 is formed by vaporizing the vaporized material on the base material 81 has been described.
  • the configuration is not limited thereto. I can't.
  • a tag or the like may be attached in advance to the base material 81 supplied from the base material supply unit 21.
  • the shielding unit 511 is a flip-type shielding plate that rotates is described, but the configuration is not limited thereto.
  • the shielding device 5 may be configured to switch the shielding portion 511 between a shielding position and a shielding release position by sliding the shielding portion 511 in a predetermined direction. It may be a belt-shaped shadow mask that is brought into close contact with the base material 81 and conveyed.
  • the reading device 4 reads all the constituent layers 82, 831 to 835 and 841 to 843 has been described, but the configuration is not limited thereto.
  • the reading device 4 may be configured to read at least two or more constituent layers.
  • reading control unit 64 ... vapor deposition inspection unit, 65 ... integration processing unit, 71 ... input unit, 72 ... output unit 80 ... Organic EL element, 81 ... Base material, 82 ... Anode layer, 83 ... Organic EL layer, 84 ... Cathode layer, 85 ... Reading trigger part, 86 ... Edge cover, 87 ... Sealing layer, 100 ... Organic EL device Manufacturing apparatus, 101 ... deposition data processing apparatus, 221 ... drive shaft, 11, 321, 322, 323, 324, 325, 331, 332, 333 ... evaporation source, 511 ... shielding part, 512 ... first opening part, 513 ... base part, 514 ... second opening part, 521 ... body part 522 ...

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Abstract

　搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、各構成層の蒸着状況を確認することができる蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法を提供する。蒸着データ処理装置は、各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置と、該読取装置で読み取った前記基材の長手方向の同じ位置における各構成層のデータを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部とを備える。

Description

蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法 関連出願の相互参照
　本願は、日本国特願２０１２－５２９７５号及び日本国特願２０１３－３００３４号の優先権を主張し、これらは引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。
　本発明は、基材に形成される有機ＥＬ（エレクトロルミネッサンス）素子の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置に関する。また、本発明は、有機ＥＬデバイスを製造するための有機ＥＬデバイスの製造装置に関し、さらには、有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。
　従来、有機ＥＬデバイスの製造方法として、ロールｔｏロールプロセスが知られている。斯かるロールｔｏロールプロセスとは、ロール状に巻き取られた帯状の基材を連続的に繰り出して搬送し、そして、複数の蒸着源が搬送されている基材に向けて気化材料を吐出し、吐出された気化材料が基材の蒸着面に蒸着することで、基材に有機ＥＬ素子の構成層が形成され、その後、基材をロール状に巻き取るといったプロセスである（特許文献１参照）。
日本国特開２００８－２８７９９６号公報
　ところで、特許文献１に係る製造装置や製造方法においては、複数の蒸着源が次々に気化材料を吐出し、各構成層が次々に積層されていくため、各構成層の蒸着状況が全く把握できない。したがって、搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、所定の有機ＥＬ素子における各構成層の蒸着状況を確認したいという要望がある。
　よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、搬送されている基材に連続的に形成される有機ＥＬ素子に対して、各構成層の蒸着状況を確認することができる蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法を提供することを課題とする。
　本発明に係る蒸着データ処理装置は、搬送される帯状の基材に気化材料を蒸着することで前記基材の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置であって、前記各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置と、該読取装置で読み取った前記基材の長手方向の同じ位置における各構成層のデータを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部とを備えることを特徴とする。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置は、前記基材を搬送する搬送装置と、搬送される前記基材に気化材料を吐出する複数の蒸着源とを備え、前記各蒸着源から吐出された気化材料が前記基材に蒸着されることで、複数の構成層からなる前記有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬデバイスの製造装置において、前記の蒸着データ処理装置を備えることを特徴とする。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置においては、前記基材を遮蔽する遮蔽部材を有する遮蔽装置を備え、前記遮蔽部材は、前記基材における構成層を形成する位置である構成層形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記構成層形成位置を露出させる第１の開放部を備え、前記遮蔽装置は、前記読取装置が構成層を読み取る契機となる読取契機部を形成すべく、前記基材における前記読取契機部を形成する位置である契機部形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記契機部形成位置を露出させる第２の開放部を備え、前記読取装置は、前記読取契機部を検出することに基づいて、構成層を読み取ってもよい。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置においては、前記処理装置は、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部と、前記読取装置で読み取った構成層のデータに基づいて当該構成層の蒸着状態を検査する蒸着検査部とを備え、前記蒸着制御部は、前記蒸着検査部の検査結果に基づいて、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを停止させてもよい。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、前記の有機ＥＬデバイスの製造装置により有機ＥＬデバイスを製造することを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の全体平面図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部平面図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部図であって、所定の遮蔽部材が遮蔽位置に位置する状態の平面図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部図であって、所定の遮蔽部材が遮蔽位置に位置する状態の縦断面図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部図であって、所定の遮蔽部材が遮蔽位置に位置する状態の側面展開図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部図であって、所定の遮蔽部材が遮蔽解除位置に位置する状態の平面図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部図であって、所定の遮蔽部材が遮蔽解除位置に位置する状態の縦断面図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置におけるシステム概要図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置で製造された有機ＥＬデバイスの要部平面図を示す。 同有機ＥＬデバイスの図９におけるＸ－Ｘ線における拡大断面図を示す。 本発明に係る他の実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置で製造された有機ＥＬデバイスの拡大縦断面図を示す。 本発明に係るさらに他の実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における要部側面展開図を示す。 同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置で製造された有機ＥＬデバイスの要部平面図を示す。
　以下、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置における一実施形態について、図１～図１０を参酌して説明する。
　本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置（以下、単に「製造装置」ともいう）１００は、内部が真空である真空室１と、真空室１の内部を通過するように、帯状の基材８１を長手方向に搬送する搬送装置２と、搬送される基材８１の一方側の面である蒸着面８１１に気化材料を吐出する蒸着装置３と、各有機ＥＬ素子８０を構成する構成層を読み取る読取装置４と、基材８１を遮蔽する遮蔽装置５と、読取装置４で読み取ったデータを処理する処理部６とを備える。
　なお、製造装置１００は、基材８１の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子８０の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置（以下、単に「処理装置」ともいう）１０１を備える。処理装置１０１は、読取装置４と、処理部６と、例えば、キーボードやマウスといったように、各種データを入力する入力部７１と、例えば、表示装置やプリンタといったように、処理されたデータを出力する出力部７２とにより、構成されている。
　真空室１は、三つの真空チャンバ１１と、各真空チャンバ１１の内部が真空となるように、各真空チャンバ１１に接続される真空発生装置（例えば、真空ポンプ）１２とを備えている。そして、各真空チャンバ１１は、各装置２，３，４，５を内部に収容している。
　搬送装置２は、ロール状に巻かれた帯状の基材８１を繰り出して供給する基材供給部２１と、外周部に基材８１が掛けられることで、基材８１を支持する複数の支持ローラ２２，２３と、基材８１をロール状に巻き取って回収する基材回収部２４とを備える。なお、基材８１は、終始、蒸着面８１１を側方に向けた状態で搬送されている。
　複数の支持ローラ２２，２３には、基材８１が蒸着装置３で蒸着される際に、基材８１を支持する第１～第３のキャンローラ２２と、基材供給部２１及び各キャンローラ２２並びに基材回収部２４間に配置される複数の搬送ローラ２３とが設けられている。そして、複数の支持ローラ２２，２３は、基材８１に掛け渡されている。
　蒸着装置３は、第１のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第１の蒸着部３１と、第２のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第２の蒸着部３２と、第３のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第３の蒸着部３３とを備える。なお、各蒸着部３１～３３は、各キャンローラ２２の側方に配置される横向き蒸着部である。
　第１の蒸着部３１は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に陽極層８２（図１０参照）を形成する陽極層蒸着源３１１を備える。即ち、第１の蒸着部３１は、陽極層８２を構成する一層の陽極層構成層を形成する。
　第２の蒸着部３２は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に正孔注入層８３１（図１０参照）を形成する正孔注入層蒸着源３２１と、正孔注入層蒸着源３２１より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、正孔輸送層８３２（図１０参照）を形成する正孔輸送層蒸着源３２２と、正孔輸送層蒸着源３２２より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、発光層８３３（図１０参照）を形成する発光層蒸着源３２３とを備える。
　また、第２の蒸着部３２は、発光層蒸着源３２３より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、電子輸送層８３４（図１０参照）を形成する電子輸送層蒸着源３２４と、電子輸送層蒸着源３２４より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、電子注入層８３５（図１０参照）を形成する電子注入層蒸着源３２５とを備える。即ち、第２の蒸着部３２は、有機ＥＬ層８３（図１０参照）を構成する五層の有機ＥＬ層構成層を形成する。
　第３の蒸着部３３は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に第１～第３の陰極層構成層８４１～８４３（図１０参照）を形成する第１～第３の陰極層蒸着源３３１～３３３を備える。即ち、第３の蒸着部３３は、陰極層８４を構成する三層積層体の陰極層構成層を形成する。
　各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３は、加熱部（図示及び採番していない）により、内部に収容された材料を加熱して気化させ、そして、気化された材料（気化材料）を吐出部の開口から基材８１の蒸着面８１１に向けて吐出するように構成されている。そして、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３は、横向きに気化材料を吐出すべく、吐出部の開口が側部に配置され且つ基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。
　また、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。具体的には、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３の吐出部の開口と基材８１との間の距離（最短距離）が１０ｍｍ以下となる位置に、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３が配置されている。
　読取装置４は、基材８１の蒸着面８１１の所定領域を読み取る複数の読取器４１を備える。また、各読取器４１は、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３の下流側にそれぞれ配置されている。これにより、読取装置４は、各読取器４１により、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３で蒸着された有機ＥＬ素子８０の各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の蒸着状態（例えば、蒸着領域、蒸着厚さ等）を読み取る。
　そして、各読取器４１は、各キャンローラ２２の側方に配置されると共に、基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。さらに、各読取器４１は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。なお、本実施形態においては、各読取器４１は、ＣＣＤカメラとしている。
　遮蔽装置５は、図２～図７に示すように、基材８１を遮蔽する複数の遮蔽部材５１と、各遮蔽部材５１を回転移動させることにより、各遮蔽部材５１の位置を切り替える複数の切替機構５２とを備える。なお、図２には、第１のキャンローラ２２に設けられる全て（六つ）の遮蔽部材５１を図示しているが、図３～図７には、特定（一つ）の遮蔽部材５１のみを図示している。
　また、図２～図７において、第１のキャンローラ２２に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２を図示しているが、第２及び第３のキャンローラ２２に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２も略同じ構成である。なお、本実施形態においては、第２キャンローラ２２に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２は、十個ずつとしている。第３キャンローラ２３に設けられる各遮蔽部材５１及び各切替機構５２は、六つずつとしている。
　各遮蔽部材５１は、基材８１を遮蔽する遮蔽部５１１と、基材８１の所定位置（以下、「構成層形成位置」ともいう）に気化材料が蒸着されるように、構成層形成位置を露出させる第１の開放部５１２とを備える。また、各遮蔽部材５１は、切替機構５２に接続される基部５１３を備える。
　そして、各遮蔽部材５１は、各切替機構５２により、遮蔽部５１１が蒸着源３１１及び基材８１間に配置されることで基材８１を遮蔽させる遮蔽位置と、遮蔽部５１１が蒸着源３１１及び基材８１間から退避されることで基材８１を遮蔽するのを解除する遮蔽解除位置とに切り替えられる。本実施形態においては、各遮蔽部材５１は、所謂、フリップ式遮蔽板としている。
　各遮蔽部５１１は、帯状（具体的には矩形状）に形成されていると共に、板状に形成されている一方、第１の開放部５１２は、遮蔽部５１１の内部に、矩形状に形成されている。また、遮蔽部５１１は、遮蔽位置に位置した状態において、基材８１から離間されて配置される。例えば、遮蔽部５１１と基材８１との離間の間隔は、１ｍｍ以下であることが望ましい。
　なお、遮蔽装置５は、各遮蔽部材５１がキャンローラ２２の周方向に沿って並列されていると共に、遮蔽位置に位置されている各遮蔽部５１１間が離間して配置されていることで、第２の開放部５ａを形成している。そして、遮蔽装置５は、第２の開放部５ａにより、基材８１の所定位置（以下、「契機部形成位置」ともいう）を露出させる。これにより、基材８１の契機部形成位置に気化材料が蒸着され、読取装置４が構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を読み取る契機となる読取契機部８５（図１０参照）が形成される。
　各切替機構５２は、キャンローラ２２と一体になって回転するようにキャンローラ２２に固定される本体部５２１を備える。また、各切替機構５２は、キャンローラ２２の駆動軸２２１に平行な軸で回転するように本体部５２１に支持される第１回転体５２２と、第１回転体５２２の軸と直交する方向に沿って配置される軸で回転するように本体部５２１に支持され、かつ、第１回転体５２２の駆動を受ける第２回転体５２３とを備える。
　そして、各切替機構５２は、一端部が第１回転体５２２の軸に連結される第１リンク体５２４と、一端部が第２回転体５２３の軸に連結され且つ他端部が遮蔽部材５１の基部５１３に連結される第２リンク体５２５とを備える。さらに、各切替機構５２は、第１リンク体５２４の他端部に回転可能に取り付けられるカムフォロワ５２６と、カムフォロワ５２６に摺接されるカム５２７とを備える。
　各第１回転体５２２及び各第２回転体５２３の内部には、磁性体がそれぞれ設けられている。これにより、各第２回転体５２３の磁性体が各第１回転体５２２の磁性体から磁力を受けるため、各第１回転体５２２が回転するのに伴って、各第２回転体５２３が回転する。なお、各第１回転体５２２と各第２回転体５２３とは、離間して配置されている。
　カム５２７は、円板状に構成されている。そして、カム５２７は、キャンローラ２２を駆動するための駆動軸２２１と同心状に配置されている。しかしながら、カム５２７は、駆動軸２２１及びキャンローラ２２と一体になって回転することはなく、真空チャンバ１１に固定されている。
　カム５２７は、遮蔽部５１１を遮蔽解除位置で保持するための第１領域５２７ａと、遮蔽部５１１を遮蔽解除位置から遮蔽位置に移動させるための第２領域５２７ｂと、遮蔽部５１１を遮蔽位置で保持するための第３領域５２７ｃと、遮蔽部５１１を遮蔽位置から遮蔽解除位置に移動させるための第４領域５２７ｄとを備える。
　そして、各切替機構５２は、キャンローラ２２の外周部の接線方向（キャンローラ２２の駆動軸２２１と直交する方向）を中心に遮蔽部材５１を回転させることで、遮蔽部５１１を基材８１に接離させる。なお、各切替機構５２には、付勢部材（図示及び採番していない）が設けられており、カムフォロワ５２６がカム５２７の各領域（第１領域５２７ａ～第４領域５２７ｄ）に接触した状態を維持するように付勢されている。
　なお、第１のキャンローラ２２においては、キャンローラ２２が一回転する際に、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに一回ずつ位置するように切り替えられている。読取装置４が全ての構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の蒸着状況を読み取るべく、各キャンローラ２２が一回転する際に、キャンローラ２２に配置されている蒸着源３１１，３２１～３２５，３４１～３４３の数だけ、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替えられている。
　具体的には、第２のキャンローラ２２においては、キャンローラ２２が一回転する際に、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに五回ずつ位置するように切り替えられる。また、第３のキャンローラ２２においては、第３のキャンローラ２２が一回転する際に、遮蔽部５１１が遮蔽位置と遮蔽解除位置とに三回ずつ位置するように切り替えられる。そして、読取器４１は、遮蔽部５１１が遮蔽解除位置に位置する際に、基材８１の蒸着面８１１を読み取っている。
　処理部６は、図８に示すように、搬送装置２を制御する搬送制御部６１と、蒸着装置３を制御する蒸着制御部６２と、読取装置４を制御する読取制御部６３とを備える。また、処理部６は、読取装置４で読み取ったデータに基づいて、蒸着状況を検査する蒸着検査部６４と、読取装置４で読み取ったデータを集積する集積処理部６５とを備える。
　蒸着制御部６２は、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３が気化材料を吐出することを制御する。そして、蒸着制御部６２は、蒸着検査部６４の検査結果に基づいて、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３が気化材料を吐出することを停止させる。具体的には、蒸着検査部６４が所定の構成層形成位置における陽極層８２を異常と判断した場合に、陽極層蒸着源３１１の下流側に配置される各蒸着源３２１～３２５，３３１～３３３が当該構成層形成位置に気化材料を吐出することを停止させる。
　読取制御部６３は、基材８１の読取契機部８５を検出することに基づいて、各読取器４１が基材８１の蒸着面８１１を読み取るように、各読取器４１を制御する。具体的には、読取制御部６３は、構成層を適正な位置で読み取るべく、読取器４１が読取契機部８５を検出した後所定時間が経過した際に、読取器４１が基材８１の蒸着面８１１を読み取るように、各読取器４１を制御する。
　蒸着検査部６４は、検査するための蒸着データの情報を記憶する情報記憶部６４１と、情報記憶部６４１の情報と読取装置４で読み取った構成層の蒸着データ（例えば、蒸着領域、蒸着濃度による蒸着厚さ等）とを比較し、蒸着状況が正常か異常かを判定する結果判定部６４２とを備える。そして、蒸着検査部６４は、所定の構成層形成位置における蒸着を異常と判定した際に、その構成層形成位置の情報を蒸着制御部６２に送る。
　集積処理部６５は、読取装置４で読み取った基材８１の長手方向の同じ位置、即ち、同じ構成層形成位置における各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３のデータを、一つの有機ＥＬ素子８０のデータとして集積処理する。これにより、各有機ＥＬ素子８０別に、各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３のデータがまとめられる。
　本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００については以上の通りであり、次に、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００で製造される有機ＥＬデバイス８の構成について、図９及び図１０を参酌して説明する。
　有機ＥＬデバイス８は、基材８１と、一層からなる陽極層８２と、五層の積層体である有機ＥＬ層８３と、三層の積層体である陰極層８４とを備えている。また、有機ＥＬデバイス８は、基材８１の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子８０の各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を読み取る契機となる読取契機部８５を備える。
　なお、基材８１の各サイズ（幅、厚み、長さ）は、基材８１に形成される有機ＥＬ素子８０の大きさや、製造装置１００の構成等に応じて適宜設定することができ、特に限定されるものではない。また、各層８２～８４の厚みは、通常、数ｎｍ～数十ｎｍ程度になるように設計されるが、用いる構成層形成材料や、発光特性等に応じて適宜設計されるものであり、特に限定されない。
　基材８１の形成材料として、搬送される際に損傷しないような可撓性を有する材料が用いられる。このような材料として、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム又はチタンといった金属材料や、薄膜ガラスといった非金属無機材料や、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂又はポリアミド樹脂といった熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂である合成樹脂材料が挙げられる。
　陽極層８２の形成材料として、金、銀、アルミニウムなどを挙げることができる。なお、本実施形態に係る陽極層８２は、一つの陽極層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、陽極層は、一つ以上の陽極層構成層から形成されていればよい。
　有機ＥＬ層８３は、五つの有機ＥＬ層構成層から構成された五層の積層体である。そして、五つの有機ＥＬ層構成層は、陽極層８２側から順に、正孔注入層８３１、正孔輸送層８３２、発光層８３３、電子輸送層８３４及び電子注入層８３５である。
　正孔注入層８３１の形成材料として、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４’－ビス［Ｎ－４－（Ｎ，Ｎ－ジ－ｍ－トリルアミノ）フェニル］－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）、ＨＡＴ－ＣＮ等が挙げられる。
　正孔輸送層８３２の形成材料として、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’―ビス（３－メチルフェニル）－１，１’ビフェニル－４，４’ジアミン（ＴＰＤ）等が挙げられる。
　発光層８３３の形成材料として、例えば、トリス（８－ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）をドープした４，４’－Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾニルビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
　電子注入層８３４の形成材料として、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）等が挙げられる。
　電子輸送層８３５の形成材料として、例えば、トリス（８－ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）－４－フェニルフェノラト－アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ＯＸＤ－７（１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］）ベンゼン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
　なお、本実施形態に係る有機ＥＬ層８３は、五つの有機ＥＬ層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、有機ＥＬ層８３は、一つ以上の有機ＥＬ層構成層から形成されていればよい。具体的には、有機ＥＬ層８３は、少なくとも発光層８３３を備えていれば、その層構成は特に限定されるものではない。
　陰極層８４の形成材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等を含む合金や、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。そして、本実施形態においては、第１の陰極層構成層がＬｉＦ層とし、第２の陰極層形成層がＭｇ層とし、第３の陰極層構成層がＡｇ層としている。なお、本実施形態に係る陰極層８４は、三つの陰極層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、陰極層は、一つ以上の陰極層構成層から形成されていればよい。
　読取契機部８５は、基材８１の長手方向に並列される複数の有機ＥＬ素子８０間に配置されている。そして、読取契機部８５は、基材８１の長手方向において、有機ＥＬ素子８０よりも小さい幅寸法となるように形成されている。
　以上より、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、読取装置４は、基材８１の長手方向に並列して形成される各有機ＥＬ素子８０を構成する複数の構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の全てを読み取る。そして、処理部６は、読取装置４で読み取った基材８１の長手方向の同じ位置における各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３のデータを、所定の有機ＥＬ素子８０のデータとして集積処理する。
　これにより、有機ＥＬ素子８０ごとに各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３のデータを容易に確認することができる。したがって、搬送されている基材８１に連続的に形成される有機ＥＬ素子８０に対して、所定の有機ＥＬ素子８０における各構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の蒸着状況を確認することができる。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、遮蔽装置５には、基材８１を遮蔽する遮蔽部材５１が設けられている。そして、遮蔽部材５１には、第１の開放部５１２が設けられているため、基材８１における構成層を形成する位置である構成層形成位置が露出される。これにより、基材８１の構成層形成位置に気化材料が蒸着され、所望の構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３が形成される。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、遮蔽装置５には、遮蔽部５１１間の隙間に第２の開放部５ａが設けられているため、読取装置４が構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を読み取る契機となる読取契機部８５を形成する位置である基材８１の契機部形成位置が、露出される。
　これにより、基材８１の契機部形成位置に気化材料が蒸着されるため、読取契機部８５が形成される。そして、読取装置４が読取契機部８５を検出することに基づいて構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を読み取るため、各読取器４１が構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の位置を正確に認識して構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を読み取れる。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、蒸着検査部６４は、読取装置４で読み取った構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３のデータに基づいて、当該構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の蒸着状態を検査する。そして、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部６２は、蒸着検査部６４の検査結果に基づいて、各蒸着源３１１，３２１～３２５，３３１～３３３が気化材料を吐出することを停止させる。
　これにより、蒸着検査部６４が所定の構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を異常と判断した場合に、下流側の蒸着源３２１～３２５，３３１～３３３が当該構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４２の位置に気化材料を吐出することを停止することで、気化材料の材料歩合向上を図ることができる。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１００によれば、蒸着に際し、基材８１の位置ずれが生じていない場合には、遮蔽装置５の回動速度と支持ローラ（キャンローラ）２２の回転速度を等しくして、気化材料の蒸着が行われる。これに対し、基材８１の位置ずれが生じている場合には、これの位置ずれを検知するとともに、そのずれに応じて遮蔽装置５の回動速度を変更することによって、そのずれによる影響を修正できる。
　なお、本発明に係る蒸着データ処理装置、有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。また、下記する各種の変更例に係る構成や方法等を任意に選択して、上記した実施形態に係る構成や方法等に採用してもよいことは勿論である。
　例えば、本発明に係る各装置及び製造方法においては、第１の蒸着部３１の下流にエッジカバー蒸着部を備え、第３の蒸着部３３の下流に封止層蒸着部を備える。これにより、図１１に示すように、製造した有機ＥＬデバイス８に、陽極層８２と陰極層８４とが接触することを防止すべく、陽極層８２の周囲を覆うエッジカバー８６と、各層８２～８４が空気と接触することを防止すべく、各層８２～８４を覆う封止層８７とが形成されてもよい。
　斯かるエッジカバー８６の形成材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等が挙げられる。
　斯かる封止層８７の形成材料としては、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＮＯx）、酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）等が挙げられる。なお、ＳｉＯxとしては、例えば、ＳｉＯ2等が挙げられ、ＳｉＮＯxとしては、例えば、ＳｉＮＯ等が挙げられる。
　また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、第２の開放部５ａが各遮蔽部５１１間の隙間で形成される構成を説明したが、斯かる構成に限らない。例えば、図１２に示すように、各遮蔽部材５１に、第２の開放部５１４が設けられる構成でもよい。なお、図１２においては、各遮蔽部材５１が遮蔽位置に位置している状態を示している。
　しかも、図１２に示すように、第２の開放部５１４が遮蔽部材５１ごとに異なる形状である構成でもよい。斯かる構成によれば、図１３に示すように、読取契機部８５が六つの遮蔽部５１１（５１１ａ～５１１ｆ）ごとに異なる形状に形成されているため、蒸着検査部６４が所定の構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３の蒸着状況を異常と判定した場合に、異常を発生させた遮蔽部材５１（５１１ａ～５１１ｆ）を特定することができる。
　また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、基材８１に気化材料が蒸着されることで、読取契機部８５が形成される構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、基材供給部２１から供給される基材８１に、事前にタグ等が貼り付けられていてもよい。
　また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、遮蔽部５１１が回転するフリップ式遮蔽板である構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、遮蔽装置５は、遮蔽部５１１が所定方向にスライドすることで、遮蔽部５１１を遮蔽位置と遮蔽解除位置とに切り替える構成でもよく、また、遮蔽装置５は、基材８１に面合わせで密接され且つ基材８１と一体になって搬送される帯状のシャドーマスクである構成でもよい。
　また、上記実施形態に係る各装置１００，１０１及び製造方法においては、読取装置４が全ての構成層８２，８３１～８３５，８４１～８４３を読み取る構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、読取装置４は、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る構成であればよい。
　１…真空室、２…搬送装置、３…蒸着装置、４…読取装置、５…遮蔽装置、５ａ…第２の開放部、６…処理部、８…有機ＥＬデバイス、１１…真空チャンバ、１２…真空発生装置、２１…基材供給部、２２…支持ローラ（キャンローラ）、２３…支持ローラ（搬送ローラ）、２４…基材回収部、３１，３２，３３…蒸着部、４１…読取器、５１…遮蔽部材、５２…切替機構、６１…搬送制御部、６２…蒸着制御部、６３…読取制御部、６４…蒸着検査部、６５…集積処理部、７１…入力部、７２…出力部、８０…有機ＥＬ素子、８１…基材、８２…陽極層、８３…有機ＥＬ層、８４…陰極層、８５…読取契機部、８６…エッジカバー、８７…封止層、１００…有機ＥＬデバイスの製造装置、１０１…蒸着データ処理装置、２２１…駆動軸、３１１，３２１，３２２，３２３，３２４，３２５，３３１，３３２，３３３…蒸着源、５１１…遮蔽部、５１２…第１の開放部、５１３…基部、５１４…第２の開放部、５２１…本体部、５２２…第１回転体、５２３…第２回転体、５２４…第１リンク体、５２５…第２リンク体、５２６…カムフォロワ、５２７…カム、５２７ａ…第１領域、５２７ｂ…第２領域、５２７ｃ…第３領域、５２７ｄ…第４領域、６４１…情報記憶部、６４２…結果判定部、８１１…蒸着面、８３１…正孔注入層、８３２…正孔輸送層、８３３…発光層、８３４…電子輸送層、８３５…電子注入層、８４１，８４２，８４３…陰極層構成層

Claims (5)

  1. 　搬送される帯状の基材に気化材料を蒸着することで前記基材の長手方向に並列して形成される複数の有機ＥＬ素子の蒸着データを処理する蒸着データ処理装置であって、
    　前記各有機ＥＬ素子を構成する複数の構成層のうち、少なくとも二つ以上の構成層を読み取る読取装置と、該読取装置で読み取った前記基材の長手方向の同じ位置における各構成層のデータを、所定の有機ＥＬ素子のデータとして集積処理する処理部とを備えることを特徴とする蒸着データ処理装置。
  2. 　前記基材を搬送する搬送装置と、搬送される前記基材に気化材料を吐出する複数の蒸着源とを備え、前記各蒸着源から吐出された気化材料が前記基材に蒸着されることで、複数の構成層からなる前記有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬデバイスの製造装置において、
    　請求項１に記載の蒸着データ処理装置を備えることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造装置。
  3. 　前記基材を遮蔽する遮蔽部材を有する遮蔽装置を備え、
    　前記遮蔽部材は、前記基材における構成層を形成する位置である構成層形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記構成層形成位置を露出させる第１の開放部を備え、
    　前記遮蔽装置は、前記読取装置が構成層を読み取る契機となる読取契機部を形成すべく、前記基材における前記読取契機部を形成する位置である契機部形成位置に気化材料が蒸着されるように、前記基材の前記契機部形成位置を露出させる第２の開放部を備え、
    　前記読取装置は、前記読取契機部を検出することに基づいて、構成層を読み取る請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
  4. 　前記処理装置は、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを制御する蒸着制御部と、前記読取装置で読み取った構成層のデータに基づいて当該構成層の蒸着状態を検査する蒸着検査部とを備え、
    　前記蒸着制御部は、前記蒸着検査部の検査結果に基づいて、前記各蒸着源が気化材料を吐出することを停止させる請求項２又は３に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
  5. 　請求項２～４の何れか１項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置により有機ＥＬデバイスを製造することを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
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