CN111519135A - 遮蔽装置及补锂设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种遮蔽装置及补锂设备，遮蔽装置包括驱动组件和环形遮蔽片，环形遮蔽片包括遮蔽片主体和遮蔽部，遮蔽片主体设有补锂开口，遮蔽部位于补锂开口内；环形遮蔽片与驱动组件连接，驱动组件用于驱动环形遮蔽片运动，以使遮蔽部在靶材安装机构与基片之间的区域与基片同步运动，且遮蔽部的正投影至少部分位于基片上，以用于在补锂时使基片上形成电极区和留白区。该遮蔽装置在使用时，环形遮蔽片可与基片的收放卷装置同步运转，使遮蔽部在靶材安装机构与基片之间的区域与基片同步运动，遮蔽部与基片相对静止，从而在补锂区间内持续对基片上的特定区域进行遮蔽，确保基片的电极区可以有效进行溅射，而防止被遮蔽的区域镀膜，从而形成留白区。

Description

遮蔽装置及补锂设备
技术领域
本发明涉及电池生产制造技术领域，特别是涉及一种遮蔽装置及补锂设备。
背景技术
锂离子电池具有高比容量、高电压平台、长循环寿命等特点，广泛应用于便携式电子3C设备、电动汽车、船舶、空间技术、生物医学工程、物流、国防军工等领域。发展高能量密度和高倍率特性锂离子电池一直是人们追求的目标，负极材料是决定锂离子电池特性的关键因素。目前商用石墨负极在比容量(理论比容量为372mAh/g)、倍率特性、安全性等方面都难以满足新一代锂离子电池的更高要求。显然，新型负极材料的研究，成为高性能锂离子电池发展的重要技术保障。硅作为一种具有高比容量(理论比容量为4200mAh/g)的负极材料，其理论比容量远高于商用石墨，近年来受到研究学者们的广泛关注。但是，单质硅在充放电过程中伴随着巨大的体积变化(高达300％)，造成活性颗粒破碎粉化、从集流体表面脱落并失去电接触，同时加剧活性物质与电解液之间的副反应，最终导致电极性能急剧衰减。这一问题极大地限制了硅作为锂离子电池负极材料的发展和实际应用。氧化亚硅也是一种具有较高比容量的负极材料，相较于硅，其在充放电过程中体积变化较小。这是由于在首次嵌锂过程中，氧化亚硅锂化生成单质硅、氧化锂和硅酸锂。原位生成的单质硅弥散分布在氧化锂-硅酸锂无定形基体中，这样的结构可以缓冲活性硅脱嵌锂过程产生的体积变化。同时氧的引入有利于降低氧化亚硅在脱嵌锂过程中的体积变化。此外，氧化亚硅还具有工作电压低、安全性好、原料来源广泛等优点，正因如此，氧化亚硅材料成为近年来研究人员们关注的热点。然而，氧化亚硅材料较差的电子电导和离子电导极大地影响了其电化学性能的发挥，同时，与单质硅相比，虽然氧化亚硅的体积膨胀得到了缓解，但其依然存在体积变化引起应力集中、导致活性物质开裂的问题。为解决这一问题，可以在负极材料中进行补锂，以解决电池体积膨胀及提高首次效率的问题。硅碳负极补锂工艺是在硅碳负极表面预涂一层锂金属，该涂层与负极紧密接触，在灌注电解液后与负极发生反应嵌入负极颗粒内部，预存一部分锂离子在负极内部，从而弥补首次充放电或者循环过程中由于形成或修复SEI膜所需要消耗的锂离子。
常用的补锂方法有撒锂粉方法、锂带压延方法和PVD预补锂方法等，每种补锂方法都会使用到相关的补锂设备，而现有补锂设备在制备补锂基片/极片时，通常都是批量制备的10米～5000米的补锂基片，进而根据电池需要的基片/极片尺寸进行裁剪，但是在后续处理以焊接极耳实现电流输出输入时较为麻烦。
发明内容
基于此，有必要提供一种可在补锂时形成电极区和留白区的遮蔽装置。
一种遮蔽装置，包括驱动组件和环形遮蔽片，所述环形遮蔽片包括遮蔽片主体和遮蔽部，所述遮蔽片主体设有补锂开口，所述遮蔽部位于所述补锂开口内；所述环形遮蔽片与所述驱动组件连接，所述驱动组件用于驱动所述环形遮蔽片运动，以使所述遮蔽部在靶材安装机构与基片之间的区域与所述基片同步运动，且所述遮蔽部的正投影至少部分位于所述基片上，以用于在补锂时使所述基片在对应所述遮蔽部的区域形成留白区和在对应所述补锂开口的区域形成电极区。
现有补锂设备是将基片的全部区域进行镀膜，并没有形成留白区。但锂离子电池上使用的极片并非全部区域都需要进行补锂，电池上的极片分为电极区和留白区，留白区普遍为金属薄片如铜或铝，其作用是焊接极耳实现电流输出输入。本发明的遮蔽装置在使用时，环形遮蔽片可与基片的收放卷装置同步运转，使遮蔽部在靶材安装机构与基片之间的区域与基片同步运动，遮蔽部与基片相对静止，从而在补锂区间内持续对基片上的特定区域进行遮蔽，确保基片的电极区可以有效进行溅射，而防止被遮蔽的区域镀膜，从而形成留白区，裁剪后直接可用作极片，极为便利。环形遮蔽片被驱动运转一周后会运行到相同位置，继续对基片的另一个区域进行遮蔽，能够实现连续工作。该遮蔽装置可适用于任何补锂设备中，包括撒锂粉补锂设备、锂带压延补锂设备和PVD预补锂设备中，适用范围广。
在其中一个实施例中，所述驱动组件包括动力件和环形轨道，所述环形遮蔽片安装于所述环形轨道，所述动力件用于驱动所述环形遮蔽片沿所述环形轨道运动。
在其中一个实施例中，所述遮蔽部的形状为矩形、圆形或月牙形。
在其中一个实施例中，所述遮蔽部的数量为多个，多个所述遮蔽部在所述补锂开口内间隔分布。
本发明还提供了一种补锂设备，包括补锂腔室和设于所述补锂腔室内的放卷装置、收卷装置、靶材安装机构组及上述遮蔽装置；
所述放卷装置，用于对待补锂的基片进行放卷；
所述收卷装置，用于对补锂后的基片进行收卷；
所述靶材安装机构组，用于安装补锂的靶材且设于所述放卷装置与所述收卷装置之间；
所述遮蔽装置，设于所述放卷装置与所述收卷装置之间，且所述靶材安装机构组在所述遮蔽装置的所述环形遮蔽片的环形内。
在其中一个实施例中，所述补锂设备为直线型补锂设备，所述靶材安装机构组的数量为至少两个，其中至少有两个靶材安装机构组分别用于与所述放卷装置与所述收卷装置之间的基片的两个侧表面对应设置；各组内的所述靶材安装机构的数量均为多个，且同一组内的多个靶材安装机构在自所述放卷装置至所述收卷装置的方向上依次呈直线分布；
所述遮蔽装置的数量为至少两个，其中至少有两个遮蔽装置分别用于与所述放卷装置与所述收卷装置之间的基片的两个侧表面对应设置，且所述靶材安装机构组在同侧的所述遮蔽装置的所述环形遮蔽片的环形内。
在其中一个实施例中，所述补锂设备为折返式补锂设备，还包括设于所述补锂腔室内的导向轮组；
所述导向轮组，设于所述放卷装置与所述收卷装置之间，所述导向轮组包括第一导向轮及第二导向轮，所述第一导向轮用于对所述基片的传输方向导向且使所述基片上第一侧表面的第一区域和第二区域相对设置，所述第二导向轮用于对所述基片的传输方向导向且使所述基片上第二侧表面的第三区域和第四区域相对设置，其中所述第二侧表面与所述第一侧表面分别为所述基片的两个侧表面；
所述靶材安装机构组的数量为至少两个，其中至少有两个靶材安装机构组分别设于所述基片的所述第一区域和所述第二区域之间的位置、所述第三区域和所述第四区域之间的位置，且该两个靶材安装机构组上用于安装双向溅射靶材；各组内的所述靶材安装机构的数量均为多个且沿所述基片的传输方向设置；
所述遮蔽装置的数量为至少两个，其中至少有两个遮蔽装置分别设于所述基片的所述第一区域和所述第二区域之间的位置、所述第三区域和所述第四区域之间的位置，且所述靶材安装机构组在同侧的所述遮蔽装置的所述环形遮蔽片的环形内。
在其中一个实施例中，还包括基片加热机构，所述基片加热机构包括加热安装机构及设于所述加热安装机构上的加热片，所述加热安装机构设于各组内的相邻两个所述靶材安装机构之间，所述加热片用于对所述放卷装置与所述收卷装置之间的基片加热。
在其中一个实施例中，所述加热安装机构为多个，各组内的每相邻两个所述靶材安装机构之间均设有所述加热安装机构。
在其中一个实施例中，所述基片的两个侧表面均设有所述基片加热机构，设于所述基片的两个侧表面的基片加热机构一一对应设置或错开设置。
在其中一个实施例中，所述补锂设备还包括阻隔机构及多个中频脉冲电源；
各组内相邻的所述靶材安装机构两两组成一对，每个靶材安装机构对上的两个靶材与一个所述中频脉冲电源连接；
所述阻隔机构设于所述补锂腔室内，且设于同一组内的相邻两对所述靶材安装机构之间。
在其中一个实施例中，各组内的所述靶材安装机构的数量均为三个及三个以上；
所述阻隔机构的数量为多个，各组内的任意相邻两对所述靶材安装机构之间均设有所述阻隔机构。
附图说明
图1为本发明一实施方式的遮蔽装置的结构示意图；
图2为本发明一实施方式的直线型补锂设备的结构示意图；
图3为本发明又一实施方式的直线型补锂设备的结构示意图；
图4为本发明又一实施方式的直线型补锂设备的阻隔机构的结构示意图；
图5为本发明一实施方式的折返式补锂设备的结构示意图；
图6为本发明又一实施方式的折返式补锂设备的结构示意图；
图7为本发明又一实施方式的折返式补锂设备的结构示意图；
图8为本发明又一实施方式的折返式补锂设备的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，本发明一实施方式的遮蔽装置300，包括驱动组件和环形遮蔽片310，环形遮蔽片310包括遮蔽片主体311和遮蔽部312，遮蔽片主体311设有补锂开口，遮蔽部312位于补锂开口内。环形遮蔽片310与驱动组件连接，驱动组件用于驱动环形遮蔽片310运动，以使遮蔽部312在靶材安装机构与基片400之间的区域与基片400同步运动，且遮蔽部312的正投影至少部分位于基片400上，以用于在补锂时使基片400在对应遮蔽部312的区域形成留白区和在对应补锂开口的区域形成电极区。
现有补锂设备是将基片的全部区域进行镀膜，并没有形成留白区。但锂离子电池上使用的极片并非全部区域都需要进行补锂，电池上的极片分为电极区和留白区，留白区普遍为金属薄片如铜或铝，其作用是焊接极耳实现电流输出输入。本发明的遮蔽装置300在使用时，环形遮蔽片310可与基片400的收放卷装置同步运转，使遮蔽部312在靶材安装机构与基片400之间的区域与基片400同步运动，遮蔽部312与基片400相对静止，从而在补锂区间内持续对基片400上的特定区域进行遮蔽，确保基片400的电极区可以有效进行溅射，而防止被遮蔽的区域镀膜，从而形成留白区，裁剪后直接可用作极片，极为便利。环形遮蔽片310被驱动运转一周后会运行到相同位置，遮蔽部312继续对基片400的另一个区域进行遮蔽，能够实现连续工作。遮蔽部312与收放卷轴联动，同速同时运转，具有纠偏控制和红外对位控制，能够保证留白区无溅射镀层，精度误差可以达到0.5mm。该遮蔽装置300可适用于任何补锂设备中，包括撒锂粉补锂设备、锂带压延补锂设备和PVD预补锂设备中，适用范围广。
在一个具体示例中，驱动组件包括动力件和环形轨道(图未示)，环形遮蔽片310安装于环形轨道，动力件用于驱动环形遮蔽片310沿环形轨道运动。可选地，环形轨道的数量为两个且相对设置，环形遮蔽片310的相对两侧分别安装于两个环形轨道，如此可使环形遮蔽片310在运动过程中更加稳定。
在一个具体示例中，遮蔽部312的形状为矩形、圆形或月牙形。可以理解，遮蔽部312的形状可以根据留白区的需要进行定制化设计，不限于此。
在一个具体示例中，遮蔽部312的数量为多个，多个遮蔽部312在补锂开口内间隔分布。可选地，相邻遮蔽部312之间的间隔为500mm～700mm。
请参阅图2，本发明一实施方式提供了一种直线型补锂设备10，包括补锂腔室11及设于补锂腔室11内的放卷装置121、收卷装置122、至少两个靶材安装机构组及至少两个遮蔽装置300。
放卷装置121用于对待补锂的基片400进行放卷。
收卷装置122用于对补锂后的基片400进行收卷。
至少两个靶材安装机构组用于安装补锂的靶材且设于放卷装置121与收卷装置122之间，至少两个靶材安装机构组分别用于与放卷装置121与收卷装置122之间的基片400的两个侧表面对应设置；各组内的靶材安装机构13的数量均为多个，且同一组内的多个靶材安装机构13在自放卷装置121至收卷装置122的方向上依次呈直线分布。
至少两个遮蔽装置300，设于放卷装置121与收卷装置122之间，其中至少有两个遮蔽装置300分别用于与放卷装置121与收卷装置122之间的基片400的两个侧表面对应设置，且靶材安装机构组在同侧的遮蔽装置300的环形遮蔽片310的环形内。
上述直线型补锂设备10通过放卷装置121对待补锂的基片400放卷，收卷装置122对补锂后的基片400进行收卷，且多个靶材安装机构13在自放卷装置121至收卷装置122的方向上依次呈直线分布，通过多个靶材安装机构13的靶材对基片补锂，如此实现了基片的补锂工艺连续化，提高了补锂的效率。同时，至少两个靶材安装机构组分别用于与放卷装置121与收卷装置122之间的基片400的两个侧表面对应设置，从而可对基片400的两个侧表面同时进行补锂，进一步提高了补锂效率。环形遮蔽片310可与基片400的收放卷装置同步运转，使遮蔽部312在靶材安装机构与基片400之间的区域与基片400同步运动，遮蔽部312与基片400相对静止，从而在补锂区间内持续对基片400上的特定区域进行遮蔽，确保基片400的电极区可以有效进行溅射，而防止被遮蔽的区域镀膜，从而形成留白区。环形遮蔽片310被驱动运转一周后会运行到相同位置，遮蔽部312继续对基片400的另一个区域进行遮蔽，能够实现连续工作。
在一个具体示例中，直线型补锂设备10还包括基片加热机构14，基片加热机构14包括加热安装机构及设于加热安装机构上的加热片，加热安装机构设于各组内的相邻两个靶材安装机构13之间，加热片用于对放卷装置121与收卷装置122之间的基片400加热。相邻两个靶材安装机构13之间的加热片用于在镀膜同时对放卷装置121与收卷装置122之间的基片400加热，可以使基片400上的镀膜受热并保持在合适的温度，提高基片的镀膜质量。
可理解，在一些实施例中，基片400为表面含有硅、氧化亚硅等负极材料的集流体。
进一步地，加热安装机构为多个，相应地，加热片也为多个。各组内的每相邻两个靶材安装机构13之间均设有加热安装机构，如此每相邻两个靶材安装机构13之间的加热片用于对放卷装置121与收卷装置122之间的基片400加热，可以使基片400受热均匀，进一步提高基片的镀膜质量。
可理解，加热安装机构及加热片的位置及数量也可根据需要灵活调整，例如每两个靶材安装机构13之间设置一个加热安装机构，等等。
在本具体示例中，至少两个靶材安装机构组的各个靶材安装机构13一一对应设置。进一步地，在本具体示例中，设于基片400的两个侧表面的基片加热机构14也一一对应设置。
可理解，在其他示例中，至少两个靶材安装机构组的各个靶材安装机构13相互错开对应设置，请参阅图3。进一步地，用于设于基片的两个侧表面的基片加热机构14也相互错开设置，如此可以使得基片受热更加均匀。
如图2所示的具体示例中，直线型补锂设备10具有至少两个靶材安装机构组；可理解，在其他示例中，靶材安装机构组的组数可以为三个或三个以上，例如在基片400的同一侧表面具有间隔且平行设置的两组或两组以上靶材安装机构组。可以理解，遮蔽装置300的数量可以根据需要相应增加，或调整环形遮蔽片310的大小使同一侧的靶材安装机构组均被包绕在环形遮蔽片310的环形内。
上述直线型补锂设备10中用于补锂的靶材一般为锂靶材，但不局限于锂靶材。
进一步地，各靶材安装机构13可以全部安装同一种靶材，靶材可以是锂靶材、锂硅合金靶材、锂硼合金靶、锂硫合金靶等等，各靶材安装机构13上安装的靶材种类也可以不相同。
需要说明的是，在一些实施例中，直线型补锂设备10还包括腔室加热装置15，腔室加热装置15用于对补锂腔室11进行加热。腔室加热装置15是对补锂腔室11的氛围环境进行控温，一般地，腔室加热装置15对补锂腔室11的加热并控制温度不会超过靶材的熔点，避免靶材熔化导致靶材失效。而上述加热片是对基片进行加热，以使靶材上的材料镀到基片上处于微熔状态，如此可以加速靶源粒子在薄膜表面的扩散，从而提高薄膜的均匀性和致密性。
进一步地，腔室加热装置15可为红外线加热装置等能够用于加热的装置。
在其中一些实施例中，各组内的多个靶材安装机构13沿直线方向均匀分布。
进一步地，上述放卷装置121具有放卷轴，收卷装置122具有收卷轴。可理解。在一些实施例中，可以通过改变放卷装置121和收卷装置122的传动方向，从而使得放卷装置121变成收卷装置122，相应地收卷装置122变成放卷装置121，如此提高了灵活性。
进一步地，直线型补锂设备10还包括传输带，传输带设于放卷装置121和收卷装置122之间，如此放卷装置121通过传输带将基片传输至收卷装置122。
进一步地，收卷装置122还具有夹板，夹板对基片起到固定作用，进而辅助基片收卷。
在其中一些实施例中，直线型补锂设备10还包括冷却机构，冷却机构用于对放卷装置121与收卷装置122之间的基片冷却，提供恒定范围的温度。
进一步地，冷却机构中装有冷却液，常用的冷却液为水。
在其中一些实施例中，直线型补锂设备10还包括真空泵组及与补锂腔室11连通的抽真空管道，真空泵组用于通过抽真空管道对补锂腔室11抽真空。
进一步地，真空泵组包括多个真空泵，例如第一真空泵161、第二真空泵162及第三真空泵等等。在一些示例中，第一真空泵161、第二真空泵162及第三真空泵可分别为机械泵、分子泵和罗茨泵中的一种。在抽真空时，先开启机械泵工作一段时间使补锂腔室11内的气压降低后，启动罗茨泵使补锂腔室11内的气压进一步减小，最后启动分子泵使补锂腔室11内的气压进一步减小，以满足补锂作业。
抽真空管道用于对抽出的空气进行排出。
在一些实施例中，直线型补锂设备10还包括与补锂腔室11连通的进气装置18，如此在抽真空达到一定真空度后，进气装置18还可向补锂腔室11内冲入氩气等保护气体。然后开启靶材进行镀膜。通入保护气体、靶材功率、传输速率调节等操作均可通过操作台实现。
在一具体示例中，镀膜结束后，关闭靶材，关闭真空泵组，通过进气装置18通入保护气体，直至真空计17恢复常压，开启腔体门，在收卷装置122上取出补锂后的基片。
在其中一些实施例中，直线型补锂设备10还包括真空计17，真空计17用于检测补锂腔室11的真空度或气压大小。
请参阅图4，在其中一些实施例中，直线型补锂设备10还包括阻隔机构19及多个中频脉冲电源；各组内相邻的靶材安装机构13两两组成一对，每个靶材安装机构对上的两个靶材与一个中频脉冲电源连接，即每个靶材安装机构对上的两个靶材通过一个中频脉冲电源控制；阻隔机构19设于补锂腔室11内，且设于同一组内的相邻两个靶材安装机构对之间。
如此，通过一个中频脉冲电源控制一个靶材安装机构对上的两个靶材(即为一个靶材对)，每个靶材安装机构对上的两个靶材实现交替工作，可以提供高溅射效率；进一步通过在同一组内的相邻两个靶材安装机构对之间设置阻隔机构19，从而限定每个靶材对的溅射区间，可以有效减少相邻靶材之间互相溅射，避免不同的靶材对对基片的同一个区域重复镀膜导致镀膜不均匀的问题。
进一步地，各组内的靶材安装机构13的数量均为三个及三个以上。
进一步地，阻隔机构19的数量为多个，各组内的任意相邻两个靶材安装机构对之间均设有阻隔机构19。
具体在如图4所示的示例中，从左至右，第一个和第二个靶材安装机构13形成上述的一个靶材安装机构对，记为第一个靶材安装机构对；第三个和第四个靶材安装机构13形成上述的一个靶材安装机构对，记为第二个靶材安装机构对；以此类推。进一步地，以第一个靶材安装机构对与第二个靶材安装机构对为例，第一个靶材安装机构对与第二个靶材安装机构对之间设置有阻隔机构19。
在一具体示例中，阻隔机构19为隔板，隔板的两个侧表面分别与相邻的两个靶材安装机构13上的两个靶材相对设置。
在其他一些实施例中，直线型补锂设备10还包括多个直流电源，每一直流电源与一个靶材安装机构13上的一个靶材连接，以用于控制各靶材安装机构13上的一个靶材。
请参阅图5，本发明一实施方式提供了一种折返式补锂设备20，包括补锂腔室21及设于补锂腔室21内的放卷装置221、收卷装置222、导向轮组、两个靶材安装机构组及至少两个遮蔽装置。
放卷装置221用于放卷待补锂的基片400。
收卷装置222用于收卷补锂后的基片400。
导向轮组，设于放卷装置221与收卷装置222之间。导向轮组包括第一导向轮2231及第二导向轮2232，第一导向轮2231用于对基片400的传输方向导向且使基片400上第一侧表面的第一区域和第二区域相对设置，第二导向轮2232用于对基片400的传输方向导向且使基片400上第二侧表面的第三区域和第四区域相对设置，其中第二侧表面与第一侧表面分别为基片400的两个侧表面。
至少两个靶材安装机构组，用于安装补锂的靶材且设于放卷装置221与收卷装置222之间。各组内的靶材安装机构23的数量均为多个，且沿基片400的传输方向设置。其中，有两个靶材安装机构组分别设于基片400的第一区域和第二区域之间的位置、第三区域和第四区域之间的位置，且该两个靶材安装机构组上用于安装双向溅射靶材。
至少两个遮蔽装置300，设于放卷装置221与收卷装置222之间，其中至少有两个遮蔽装置300分别设于基片400的第一区域和第二区域之间的位置、第三区域和第四区域之间的位置，且靶材安装机构组在同侧的遮蔽装置300的环形遮蔽片310的环形内。
上述折返式补锂设备20通过放卷装置221放卷待补锂的基片400，收卷装置222收卷补锂后的基片400，通过多个靶材安装机构23的靶材对基片补锂，如此实现了基片的补锂工艺连续化，提高了补锂的效率。同时通过导向轮组导向使得基片400的传输方向形成折返式，可以减小设备尺寸，且通过上述的两个靶材安装机构组上的双向溅射靶材实现对基片的两个侧表面同时进行补锂，进一步提高了补锂效率。环形遮蔽片310可与基片400的收放卷装置同步运转，使遮蔽部312在靶材安装机构与基片400之间的区域与基片400同步运动，遮蔽部312与基片400相对静止，从而在补锂区间内持续对基片400上的特定区域进行遮蔽，确保基片400的电极区可以有效进行溅射，而防止被遮蔽的区域镀膜，从而形成留白区。环形遮蔽片310被驱动运转一周后会运行到相同位置，遮蔽部312继续对基片400的另一个区域进行遮蔽，能够实现连续工作。
进一步地，折返式补锂设备20还包括基片加热机构24，基片加热机构24包括加热安装机构及设于加热安装机构上的加热片，加热安装机构设于各组内的相邻两个靶材安装机构23之间，加热片用于对放卷装置221与收卷装置222之间的基片400加热。相邻两个靶材安装机构23之间的加热片用于在镀膜同时对放卷装置221与收卷装置222之间的基片400加热，可以使基片上的镀膜受热并保持在合适的温度，提高基片的镀膜质量。
可理解，在一些实施例中，基片400为表面含有硅、氧化亚硅等负极材料的集流体。可理解，并不限定于负极基片，同样可为正极基片补锂，即进行正极补锂。硅碳负极可以是SiO2/Si/C混合体，也可以是SiO2/Si混合，也可以是Si/C混合，也可以是SiOC，也可以是SiOC与C混合，也可以是SiO2/Si，也可以是氧化亚硅与石墨，也可以是氧化亚硅单独使用。
具体在如图5所示的示例中，标号为T1～T2的靶材安装机构23为一个靶材安装机构组，标号为T7～T12的靶材安装机构23为另一个靶材安装机构组。可理解，各个靶材安装机构组内的靶材安装机构23的数量可以根据需要设置。
进一步地，第一导向轮2231的数量可为多个；具体在本示例中，第一导向轮2231的数量为两个，两个第一导向轮2231的排布方向与经首个第一导向轮2231之前的基片400的传输方向相互垂直，也与经后者的第一导向轮2231之后的基片400的传输方向相互垂直。进一步地，第二导向轮2232的数量也可为多个；具体在本示例中，第二导向轮2232的数量为两个，两个第二导向轮2232的排布方向与经首个第二导向轮2232之前的基片400的传输方向相互垂直，也与经后者的第二导向轮2232之后的基片400的传输方向相互垂直。
进一步地，第一导向轮2231及第二导向轮2232均为定滑轮。
请继续参阅图5，进一步地，加热安装机构为多个，相应地，加热片也为多个。各组内的每相邻两个靶材安装机构23之间均设有加热安装机构，如此每相邻两个靶材安装机构23之间的加热片用于对放卷装置221与收卷装置222之间的基片400加热，可以使基片受热均匀，进一步提高基片的镀膜质量。
可理解，加热安装机构及加热片的位置及数量也可根据需要灵活调整，例如每两个靶材安装机构23之间设置一个加热安装机构，等等。
请参阅图5及图6，在本具体示例中，两个靶材安装机构组相互平行设置，且该两个靶材安装机构组设于基片的两个侧表面。两个靶材安装机构组的各个靶材安装机构23一一对应设置。进一步地，在本具体示例中，设于基片400的两个侧表面的基片加热机构24一一对应设置。
可理解，在其他示例中，两个靶材安装机构组的各个靶材安装机构23相互错开对应设置，请参阅图7。进一步地，用于设于基片400的两个侧表面的基片加热机构24也相互错开设置，如此可以使得基片400受热更加均匀。
如图5～图7所示的具体示例中，折返式补锂设备20具有两个靶材安装机构组；可理解，在其他示例中，靶材安装机构的组数可以为三个或三个以上，例如在基片400的同一侧表面具有间隔且平行设置的两组或两组以上靶材安装机构。
请参阅图8，在其中一些实施例中，上述折返式补锂设备20还包括：另外两个靶材安装机构组。其中有一个靶材安装机构组设于放卷装置221与第一导向轮2231之间且位于基片400的与第一区域相背的一侧，另一个靶材安装机构组设于第二导向轮2232与收卷装置222之间且位于基片400的与第四区域相背的一侧。相应地，上述折返式补锂设备20还包括：另外两个遮蔽装置300。
具体地，该另外两个靶材安装机构组用于安装单向溅射靶材即可，结合上述的两个靶材安装机构组上的双向溅射靶材，可以使基片的两个侧表面基本上在整个溅射的过程中均同时镀膜，进而大大提高了补锂效率，能够广泛适用于大规模生产。
上述折返式补锂设备20中用于补锂的靶材一般为锂靶材，但不局限于锂靶材。
进一步地，各靶材安装机构23可以全部安装同一种靶材，靶材可以是锂靶材、锂硅合金靶材、锂硼合金靶、锂硫合金靶等等，各靶材安装机构23上安装的靶材种类也可以不相同。
需要说明的是，在一些实施例中，折返式补锂设备20还包括腔室加热装置25，腔室加热装置25用于对补锂腔室21进行加热。腔室加热装置25是对补锂腔室21的氛围环境进行控温，一般地，腔室加热装置25对补锂腔室21的加热并控制温度不会超过靶材的熔点，避免靶材熔化导致靶材失效。而上述加热片是对基片400进行加热，以使靶材上的材料镀到基片400上处于微熔状态，如此可以加速靶源粒子在薄膜表面的扩散，从而提高薄膜的均匀性和致密性。
进一步地，腔室加热装置25可为红外线加热装置等能够用于加热的装置。
在其中一些实施例中，各组内的多个靶材安装机构23沿直线方向均匀分布。
进一步地，上述放卷装置221具有放卷轴，收卷装置222具有收卷轴。可理解。在一些实施例中，可以通过改变放卷装置221和收卷装置222的传动方向，从而使得放卷装置221变成收卷装置222，相应地收卷装置222变成放卷装置221，如此提高了灵活性。
进一步地，折返式补锂设备20还包括传输带，传输带设于放卷装置221和收卷装置222之间，如此放卷装置221通过传输带将基片400传输至收卷装置222。
进一步地，收卷装置222还具有夹板，夹板对基片400起到固定作用，进而辅助基片400收卷。
在其中一些实施例中，折返式补锂设备20还包括冷却机构，冷却机构用于对放卷装置221与收卷装置222之间的基片400冷却，提供恒定范围的温度。
进一步地，冷却机构中装有冷却液，常用的冷却液为水。
在其中一些实施例中，折返式补锂设备20还包括真空泵组及与补锂腔室21连通的抽真空管道，真空泵组用于通过抽真空管道对补锂腔室21抽真空。
进一步地，真空泵组包括多个真空泵，例如第一真空泵261、第二真空泵262及第三真空泵等等。在一些示例中，第一真空泵261、第二真空泵262及第三真空泵可分别为机械泵、分子泵和罗茨泵中的一种。在抽真空时，先开启机械泵工作一段时间使补锂腔室21内的气压降低后，启动罗茨泵使补锂腔室21内的气压进一步减小，最后启动分子泵使补锂腔室21内的气压进一步减小，以满足补锂作业。
进一步地，抽真空管道用于对抽出的空气进行排出。
在一些实施例中，折返式补锂设备20还包括与补锂腔室21连通的进气装置28，如此在抽真空达到一定真空度后，进气装置28还可向补锂腔室21内冲入氩气等保护气体。然后开启靶材进行镀膜。通入保护气体、靶材功率、传输速率调节等操作均可通过操作台实现。
在一具体示例中，镀膜结束后，关闭靶材，关闭真空泵组，通过进气装置28通入保护气体，直至真空计27恢复常压，开启腔体门，在收卷装置222上取出补锂后的基片400。
在其中一些实施例中，折返式补锂设备20还包括真空计27，真空计27用于检测补锂腔室21的真空度或气压大小。
请参阅图6，在其中一些实施例中，折返式补锂设备20还包括阻隔机构29及多个中频脉冲电源；各组内相邻的靶材安装机构23两两组成一对，每个靶材安装机构对上的两个靶材与一个中频脉冲电源连接，即每个靶材安装机构对上的两个靶材通过一个中频脉冲电源控制。阻隔机构29设于补锂腔室21内，且设于同一组内的相邻两个靶材安装机构对之间。
如此，通过一个中频脉冲电源控制一个靶材安装机构对上的两个靶材(即为一个靶材对)，每个靶材安装机构对上的两个靶材实现交替工作，可以提供高溅射效率；进一步通过在同一组内的相邻两个靶材安装机构对之间设置阻隔机构29，从而限定每个靶材对的溅射区间，可以有效减少相邻靶材之间互相溅射，避免不同的靶材对对基片400的同一个区域重复镀膜导致镀膜不均匀的问题。
可理解，请参阅图7或图8，其也可设有上述阻隔机构29。
进一步地，各组内的靶材安装机构23的数量均为三个及三个以上。
进一步地，阻隔机构29的数量为多个，各组内的任意相邻两个靶材安装机构对之间均设有阻隔机构29。
具体在如图6所示的示例中，从左至右，第一个和第二个靶材安装机构23形成上述的一个靶材安装机构对，记为第一个靶材安装机构对；第三个和第四个靶材安装机构23形成上述的一个靶材安装机构对，记为第二个靶材安装机构对；以此类推。进一步地，以第一个靶材安装机构对与第二个靶材安装机构对为例，第一个靶材安装机构对与第二个靶材安装机构对之间设置有阻隔机构29。
在一具体示例中，阻隔机构29为隔板，隔板的两个侧表面分别与相邻的两个靶材安装机构23上的两个靶材相对设置。
在其他一些实施例中，折返式补锂设备20还可包括多个直流电源，每一直流电源与一个靶材安装机构23上的一个靶材连接，以用于控制各靶材安装机构23上的一个靶材。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种遮蔽装置，其特征在于，包括驱动组件和环形遮蔽片，所述环形遮蔽片包括遮蔽片主体和遮蔽部，所述遮蔽片主体设有补锂开口，所述遮蔽部位于所述补锂开口内；所述环形遮蔽片与所述驱动组件连接，所述驱动组件用于驱动所述环形遮蔽片运动，以使所述遮蔽部在靶材安装机构与基片之间的区域与所述基片同步运动，且所述遮蔽部的正投影至少部分位于所述基片上，以用于在补锂时使所述基片在对应所述遮蔽部的区域形成留白区和在对应所述补锂开口的区域形成电极区。
2.根据权利要求1所述的遮蔽装置，其特征在于，所述驱动组件包括动力件和环形轨道，所述环形遮蔽片安装于所述环形轨道，所述动力件用于驱动所述环形遮蔽片沿所述环形轨道运动。
3.根据权利要求1所述的遮蔽装置，其特征在于，所述遮蔽部的形状为矩形、圆形或月牙形。
4.根据权利要求1所述的遮蔽装置，其特征在于，所述遮蔽部的数量为多个，多个所述遮蔽部在所述补锂开口内间隔分布。
5.一种补锂设备，其特征在于，包括补锂腔室和设于所述补锂腔室内的放卷装置、收卷装置、靶材安装机构组及权利要求1～4任一项所述的遮蔽装置；
所述放卷装置，用于对待补锂的基片进行放卷；
所述收卷装置，用于对补锂后的基片进行收卷；
所述靶材安装机构组，用于安装补锂的靶材且设于所述放卷装置与所述收卷装置之间；
所述遮蔽装置，设于所述放卷装置与所述收卷装置之间，且所述靶材安装机构组在所述遮蔽装置的所述环形遮蔽片的环形内。
6.根据权利要求5所述的补锂设备，其特征在于，所述补锂设备为直线型补锂设备，所述靶材安装机构组的数量为至少两个，其中至少有两个靶材安装机构组分别用于与所述放卷装置与所述收卷装置之间的基片的两个侧表面对应设置；各组内的所述靶材安装机构的数量均为多个，且同一组内的多个靶材安装机构在自所述放卷装置至所述收卷装置的方向上依次呈直线分布；
所述遮蔽装置的数量为至少两个，其中至少有两个遮蔽装置分别用于与所述放卷装置与所述收卷装置之间的基片的两个侧表面对应设置，且所述靶材安装机构组在同侧的所述遮蔽装置的所述环形遮蔽片的环形内。
7.根据权利要求5所述的补锂设备，其特征在于，所述补锂设备为折返式补锂设备，还包括设于所述补锂腔室内的导向轮组；
所述导向轮组，设于所述放卷装置与所述收卷装置之间，所述导向轮组包括第一导向轮及第二导向轮，所述第一导向轮用于对所述基片的传输方向导向且使所述基片上第一侧表面的第一区域和第二区域相对设置，所述第二导向轮用于对所述基片的传输方向导向且使所述基片上第二侧表面的第三区域和第四区域相对设置，其中所述第二侧表面与所述第一侧表面分别为所述基片的两个侧表面；
所述靶材安装机构组的数量为至少两个，其中至少有两个靶材安装机构组分别设于所述基片的所述第一区域和所述第二区域之间的位置、所述第三区域和所述第四区域之间的位置，且该两个靶材安装机构组上用于安装双向溅射靶材；各组内的所述靶材安装机构的数量均为多个且沿所述基片的传输方向设置；
所述遮蔽装置的数量为至少两个，其中至少有两个遮蔽装置分别设于所述基片的所述第一区域和所述第二区域之间的位置、所述第三区域和所述第四区域之间的位置，且所述靶材安装机构组在同侧的所述遮蔽装置的所述环形遮蔽片的环形内。
8.根据权利要求5～7任一项所述的补锂设备，其特征在于，还包括基片加热机构，所述基片加热机构包括加热安装机构及设于所述加热安装机构上的加热片，所述加热安装机构设于各组内的相邻两个所述靶材安装机构之间，所述加热片用于对所述放卷装置与所述收卷装置之间的基片加热。
9.根据权利要求8所述的补锂设备，其特征在于，所述加热安装机构为多个，各组内的每相邻两个所述靶材安装机构之间均设有所述加热安装机构。
10.根据权利要求9所述的补锂设备，其特征在于，所述基片的两个侧表面均设有所述基片加热机构，设于所述基片的两个侧表面的基片加热机构一一对应设置或错开设置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284463A (zh) * 2020-09-27 2022-04-05 北京好风光储能技术有限公司 一种复合补锂片以及设有该复合补锂片的电芯和电池
CN114990648A (zh) * 2022-06-21 2022-09-02 广东捷盟智能装备有限公司 一种极片的预锂设备
WO2024016226A1 (zh) * 2022-07-20 2024-01-25 宁德时代新能源科技股份有限公司 补锂装置和补锂方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000313951A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Sony Corp 成膜装置及び成膜方法
JP2008057000A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Fuchita Nano Giken:Kk リチウムまたはリチウム合金の成膜装置
KR20100093873A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 삼성전기주식회사 박막 패턴 형성장치
CN102465252A (zh) * 2010-11-02 2012-05-23 三星Sdi株式会社 真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法
US20120171359A1 (en) * 2010-12-22 2012-07-05 Nitto Denko Corporation Organic el device manufacturing method and apparatus
CN102644059A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 三星Sdi株式会社 连续沉积装置
WO2016047349A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000313951A (ja) * 1999-04-28 2000-11-14 Sony Corp 成膜装置及び成膜方法
JP2008057000A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Fuchita Nano Giken:Kk リチウムまたはリチウム合金の成膜装置
KR20100093873A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 삼성전기주식회사 박막 패턴 형성장치
CN102465252A (zh) * 2010-11-02 2012-05-23 三星Sdi株式会社 真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法
US20120171359A1 (en) * 2010-12-22 2012-07-05 Nitto Denko Corporation Organic el device manufacturing method and apparatus
JP2012134043A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Nitto Denko Corp 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
CN102644059A (zh) * 2011-02-18 2012-08-22 三星Sdi株式会社 连续沉积装置
WO2016047349A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王爱珍: "《工程材料与改性处理》", 31 August 2006, 浙江大学出版社 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284463A (zh) * 2020-09-27 2022-04-05 北京好风光储能技术有限公司 一种复合补锂片以及设有该复合补锂片的电芯和电池
CN114284463B (zh) * 2020-09-27 2023-11-14 好风光储能技术(成都)有限公司 一种复合补锂片以及设有该复合补锂片的电芯和电池
CN114990648A (zh) * 2022-06-21 2022-09-02 广东捷盟智能装备有限公司 一种极片的预锂设备
WO2024016226A1 (zh) * 2022-07-20 2024-01-25 宁德时代新能源科技股份有限公司 补锂装置和补锂方法

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