JP2003133067A - パターン形成装置及びパターン形成方法 - Google Patents
パターン形成装置及びパターン形成方法Info
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- JP2003133067A JP2003133067A JP2001325583A JP2001325583A JP2003133067A JP 2003133067 A JP2003133067 A JP 2003133067A JP 2001325583 A JP2001325583 A JP 2001325583A JP 2001325583 A JP2001325583 A JP 2001325583A JP 2003133067 A JP2003133067 A JP 2003133067A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精細なパターンを精度良く連続的に形成可
能であり、量産に好適である。 【解決手段】 基体11上に所定のパターンで材料を被
着させるパターン形成装置10であって、基体11を支
持して連続走行させる基体搬送手段12と、上記基体走
行手段12と同期して、長尺状のマスク13を連続走行
させるマスク搬送手段14と、マス13クの開口部を通
して、材料を上記基体11に被着させる薄膜形成手段1
9とを有する。
能であり、量産に好適である。 【解決手段】 基体11上に所定のパターンで材料を被
着させるパターン形成装置10であって、基体11を支
持して連続走行させる基体搬送手段12と、上記基体走
行手段12と同期して、長尺状のマスク13を連続走行
させるマスク搬送手段14と、マス13クの開口部を通
して、材料を上記基体11に被着させる薄膜形成手段1
9とを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上に所定のパ
ターンで材料を被着させるパターン形成装置及びパター
ン形成方法に関する。
ターンで材料を被着させるパターン形成装置及びパター
ン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、有機エレクトロルミネッセンス素
子(以下、有機EL素子と称する。)を発光素子とした
有機EL表示装置が注目されている。この有機EL素子
は、例えば透明なガラス基板上に、ITO(Indium Tin
Oxide)等の透明材料からなる透明電極と、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層等からなる有機EL層と、陰極
とがこの順に成膜されてなる。
子(以下、有機EL素子と称する。)を発光素子とした
有機EL表示装置が注目されている。この有機EL素子
は、例えば透明なガラス基板上に、ITO(Indium Tin
Oxide)等の透明材料からなる透明電極と、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層等からなる有機EL層と、陰極
とがこの順に成膜されてなる。
【0003】このような有機EL素子を用いた有機EL
表示装置は、具体的には、透明なガラス基板の上に陽極
となる透明電極がストライプ状に形成され、この透明電
極に略直交するように、正孔輸送層、発光層及び電子輸
送層からなる有機EL層がストライプ状に形成され、こ
の有機EL層上にさらに陰極が形成されてなる。すなわ
ち、有機EL表示装置では、透明電極と陰極とが交差す
る位置に表示画素として有機EL素子が形成されること
になり、これら有機EL素子がマトリクス状に配列され
ることにより発光エリアを形成している。
表示装置は、具体的には、透明なガラス基板の上に陽極
となる透明電極がストライプ状に形成され、この透明電
極に略直交するように、正孔輸送層、発光層及び電子輸
送層からなる有機EL層がストライプ状に形成され、こ
の有機EL層上にさらに陰極が形成されてなる。すなわ
ち、有機EL表示装置では、透明電極と陰極とが交差す
る位置に表示画素として有機EL素子が形成されること
になり、これら有機EL素子がマトリクス状に配列され
ることにより発光エリアを形成している。
【0004】そして、陽極である透明電極と陰極との間
に直流電圧105を印加することによって、透明電極か
ら注入されたホール及び陰極から注入された電子がそれ
ぞれ有機EL層へ到達し、ここで正孔と電子との再結合
が生じる。これにより、所定の波長を持った光が発生し
て、透明なガラス基板側からその光109が外部へ出射
する。
に直流電圧105を印加することによって、透明電極か
ら注入されたホール及び陰極から注入された電子がそれ
ぞれ有機EL層へ到達し、ここで正孔と電子との再結合
が生じる。これにより、所定の波長を持った光が発生し
て、透明なガラス基板側からその光109が外部へ出射
する。
【0005】上述したような正孔輸送層、発光層、電子
輸送層等の有機EL層を成膜する方法としては、例えば
ガラス基板上に形成されたストライプ状の透明電極上
に、ストライプ状の開口部を有するマスクを固定した状
態で配し、マスクの開口部を通して各種有機材料を例え
ば真空蒸着法等により透明電極上に被着させる方法が挙
げられる。
輸送層等の有機EL層を成膜する方法としては、例えば
ガラス基板上に形成されたストライプ状の透明電極上
に、ストライプ状の開口部を有するマスクを固定した状
態で配し、マスクの開口部を通して各種有機材料を例え
ば真空蒸着法等により透明電極上に被着させる方法が挙
げられる。
【0006】また、例えばガラス基板上に形成されたス
トライプ状の透明電極上に、レジストを用いたフォトリ
ソグラフィ法によってストライプ状のマスクを形成し、
このマスクの開口部を通して各種有機材料を透明電極上
に被着させる方法が挙げられる。
トライプ状の透明電極上に、レジストを用いたフォトリ
ソグラフィ法によってストライプ状のマスクを形成し、
このマスクの開口部を通して各種有機材料を透明電極上
に被着させる方法が挙げられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機EL層
は、精度良く透明電極上に形成されなければならない
が、上述したような、ガラス基板上にマスクを固定状態
で配する方法では、蒸着物を重ねていくうちに蒸着物が
マスクの開口部周縁に徐々に堆積して開口幅が変化し、
有機EL層が所望のストライプ形状とならないといった
不都合を生じる。また、この方法においては、ガラス基
板とマスクとの位置決めが困難であるという難点もあ
る。
は、精度良く透明電極上に形成されなければならない
が、上述したような、ガラス基板上にマスクを固定状態
で配する方法では、蒸着物を重ねていくうちに蒸着物が
マスクの開口部周縁に徐々に堆積して開口幅が変化し、
有機EL層が所望のストライプ形状とならないといった
不都合を生じる。また、この方法においては、ガラス基
板とマスクとの位置決めが困難であるという難点もあ
る。
【0008】また、レジストを用いたフォトリソグラフ
ィ法でマスクを形成する方法は、製造コストが高価とな
るという問題がある。また、この方法は、製造工程が煩
雑となる等、有機EL表示装置を量産する際の製造方法
としては不向きである。
ィ法でマスクを形成する方法は、製造コストが高価とな
るという問題がある。また、この方法は、製造工程が煩
雑となる等、有機EL表示装置を量産する際の製造方法
としては不向きである。
【0009】そこで本発明はこのような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、高精細なパターンを精度良
く連続的に形成可能であり、量産に好適なパターン形成
装置及びパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
みて提案されたものであり、高精細なパターンを精度良
く連続的に形成可能であり、量産に好適なパターン形成
装置及びパターン形成方法を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係るパターン形成装置は、基体上に所定
のパターンで材料を被着させるパターン形成装置であっ
て、基体を支持して連続走行させる基体搬送手段と、上
記基体走行手段と同期して、長尺状のマスクを連続走行
させるマスク搬送手段と、マスクの開口部を通して、材
料を上記基体に被着させる薄膜形成手段とを有すること
を特徴とする。
めに、本発明に係るパターン形成装置は、基体上に所定
のパターンで材料を被着させるパターン形成装置であっ
て、基体を支持して連続走行させる基体搬送手段と、上
記基体走行手段と同期して、長尺状のマスクを連続走行
させるマスク搬送手段と、マスクの開口部を通して、材
料を上記基体に被着させる薄膜形成手段とを有すること
を特徴とする。
【0011】また、本発明に係るパターン形成方法は、
基体と長尺状のマスクとを同期して連続走行させなが
ら、上記マスクの開口部を通して、材料を上記基体上に
所定の形状にて被着させることを特徴とする。
基体と長尺状のマスクとを同期して連続走行させなが
ら、上記マスクの開口部を通して、材料を上記基体上に
所定の形状にて被着させることを特徴とする。
【0012】以上のように構成されたパターン形成装置
では、基体を連続走行させながら成膜を行うので、短時
間で効率良くパターン形成できる。また、基体上に常に
新しいマスクを供給し続けるとともにパターン形成後の
マスクを基体上から除去しながらパターン形成を行うの
で、長時間に亘る連続成膜を行っても、精度を落とすこ
となくパターン形成が可能である。
では、基体を連続走行させながら成膜を行うので、短時
間で効率良くパターン形成できる。また、基体上に常に
新しいマスクを供給し続けるとともにパターン形成後の
マスクを基体上から除去しながらパターン形成を行うの
で、長時間に亘る連続成膜を行っても、精度を落とすこ
となくパターン形成が可能である。
【0013】また、本発明に係るパターン形成装置は、
基体上に所定のパターンで材料を被着させるパターン形
成装置であって、基体を支持して連続走行させる基体搬
送手段と、上記基体搬送手段に支持された基体と外周面
とが当接するように配され、上記基体搬送手段と同期し
て回転する転写シリンダと、マスクの開口部を通して上
記転写シリンダの外周面に所定のパターンで材料を被着
させる薄膜形成手段と、上記薄膜形成手段と上記転写シ
リンダとの間にマスクを支持可能なマスク支持手段とを
有し、上記転写シリンダは、マスクの開口部を通して外
周面に被着された材料を、基体に順次転写することを特
徴とする。
基体上に所定のパターンで材料を被着させるパターン形
成装置であって、基体を支持して連続走行させる基体搬
送手段と、上記基体搬送手段に支持された基体と外周面
とが当接するように配され、上記基体搬送手段と同期し
て回転する転写シリンダと、マスクの開口部を通して上
記転写シリンダの外周面に所定のパターンで材料を被着
させる薄膜形成手段と、上記薄膜形成手段と上記転写シ
リンダとの間にマスクを支持可能なマスク支持手段とを
有し、上記転写シリンダは、マスクの開口部を通して外
周面に被着された材料を、基体に順次転写することを特
徴とする。
【0014】また、本発明に係るパターン形成方法は、
マスクの開口部を通して回転するシリンダの外周面に材
料を所定の形状にて被着させながら、上記シリンダの回
転と同期して走行する基体上に、上記シリンダの外周面
に被着された材料を転写することを特徴とする。
マスクの開口部を通して回転するシリンダの外周面に材
料を所定の形状にて被着させながら、上記シリンダの回
転と同期して走行する基体上に、上記シリンダの外周面
に被着された材料を転写することを特徴とする。
【0015】以上のように構成されたパターン形成装置
では、基体を連続走行させながらパターン形成を行うの
で、長時間に亘る連続成膜が可能である。また、マスク
の開口は、所望のパターンの最小の繰り返し単位だけあ
ればよい。これをシリンダを介して基体上に転写するの
で、簡単な工程で作製されたマスクを用いて、大量のパ
ターン形成が可能である。
では、基体を連続走行させながらパターン形成を行うの
で、長時間に亘る連続成膜が可能である。また、マスク
の開口は、所望のパターンの最小の繰り返し単位だけあ
ればよい。これをシリンダを介して基体上に転写するの
で、簡単な工程で作製されたマスクを用いて、大量のパ
ターン形成が可能である。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したパターン
形成装置について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
形成装置について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
【0017】本発明は、例えば図1に示すような有機エ
レクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称
する。)1の有機材料からなる有機EL層を、所定のパ
ターンに成膜するためのパターン形成装置等に適用され
る。具体的には、本発明を適用したパターン形成装置
は、透明なガラス等からなる基板2上に形成されたスト
ライプ状の陽極3上に、正孔輸送層4、発光層5、電子
輸送層6等の有機材料からなる有機EL層7を例えば真
空蒸着法によって形成するために用いられる。有機EL
層7上には、陰極8が形成されている。
レクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称
する。)1の有機材料からなる有機EL層を、所定のパ
ターンに成膜するためのパターン形成装置等に適用され
る。具体的には、本発明を適用したパターン形成装置
は、透明なガラス等からなる基板2上に形成されたスト
ライプ状の陽極3上に、正孔輸送層4、発光層5、電子
輸送層6等の有機材料からなる有機EL層7を例えば真
空蒸着法によって形成するために用いられる。有機EL
層7上には、陰極8が形成されている。
【0018】また、この有機EL素子1を用いた表示装
置は、図2に示すように、基板2上に形成されたストラ
イプ状の陽極3及び有機EL層7に直交するように、ス
トライプ状の陰極8が形成され、陽極3と陰極8との交
点が有機EL素子1としてマトリクス状に配される。
置は、図2に示すように、基板2上に形成されたストラ
イプ状の陽極3及び有機EL層7に直交するように、ス
トライプ状の陰極8が形成され、陽極3と陰極8との交
点が有機EL素子1としてマトリクス状に配される。
【0019】基板2としては、ガラス等の透明材料等を
用いることができる。また、基板2としては、長尺状と
された可撓性を有するフィルム上の材料等を用いること
も可能である。
用いることができる。また、基板2としては、長尺状と
された可撓性を有するフィルム上の材料等を用いること
も可能である。
【0020】陽極3は、透明電極材料であるITO(In
dium Tin Oxide)等を基板2上に蒸着又はスパッタ法等
によってストライプ状に形成されてなる。また、陽極3
として、効率良く正孔を注入するために、真空準位から
の仕事関数が大きい材料、例えば金、二酸化スズ−アン
チモン混合物、酸化亜鉛−アルミニウム混合物等を用い
ることもできる。
dium Tin Oxide)等を基板2上に蒸着又はスパッタ法等
によってストライプ状に形成されてなる。また、陽極3
として、効率良く正孔を注入するために、真空準位から
の仕事関数が大きい材料、例えば金、二酸化スズ−アン
チモン混合物、酸化亜鉛−アルミニウム混合物等を用い
ることもできる。
【0021】有機EL層7は、例えば陽極3上に、正孔
輸送層4、発光層5、電子輸送層6がこの順に積層され
てなる。
輸送層4、発光層5、電子輸送層6がこの順に積層され
てなる。
【0022】正孔輸送層4に用いられる正孔輸送材料と
しては、例えばベンジジン又はその誘導体、スチリルア
ミン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導
体をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾー
ル又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキ
サジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又
はその誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、ア
リールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘
導体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又は
その誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又
はその誘導体、或いはポリシラン系化合物、ビニルカル
バゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化
合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、ポリ
マー等が挙げられる。
しては、例えばベンジジン又はその誘導体、スチリルア
ミン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導
体をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾー
ル又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキ
サジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又
はその誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、ア
リールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘
導体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又は
その誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又
はその誘導体、或いはポリシラン系化合物、ビニルカル
バゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化
合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、ポリ
マー等が挙げられる。
【0023】具体的には、α−ナフチルフェニルジアミ
ン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、
金属ナフタロシアニン、4,4’,4’’−トリメチル
トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス(3−
メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、
N,N,N’,N’−テトラキス(p−トリル)p−フ
ェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニ
ル−4,4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカル
バゾール、4−ジーp−トリルアミノスチルベン、ポリ
(パラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレ
ン)、ポリ(2,2’−チエニルピロール)等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
ン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、
金属ナフタロシアニン、4,4’,4’’−トリメチル
トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス(3−
メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、
N,N,N’,N’−テトラキス(p−トリル)p−フ
ェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニ
ル−4,4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカル
バゾール、4−ジーp−トリルアミノスチルベン、ポリ
(パラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレ
ン)、ポリ(2,2’−チエニルピロール)等が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
【0024】正孔輸送層4が発光層5の機能を兼ねる場
合、微量分子の共蒸着を行っても良く、例えばペリレン
誘導体、クマリン誘導体等の有機物質を微量含む有機薄
膜であってもよい。
合、微量分子の共蒸着を行っても良く、例えばペリレン
誘導体、クマリン誘導体等の有機物質を微量含む有機薄
膜であってもよい。
【0025】発光層5に用いられる材料としては、例え
ばアントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アク
リジン、スチルベン等の発光物質が挙げられる。なお、
これらの材料を電子輸送層6に含有させることができ
る。
ばアントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アク
リジン、スチルベン等の発光物質が挙げられる。なお、
これらの材料を電子輸送層6に含有させることができ
る。
【0026】電子輸送層6に用いられる電子輸送材料と
しては、キノリン又はその誘導体、ペリレン又はその誘
導体、ビススチリル又はその誘導体、ピラジン又はその
誘導体等が挙げられる。
しては、キノリン又はその誘導体、ペリレン又はその誘
導体、ビススチリル又はその誘導体、ピラジン又はその
誘導体等が挙げられる。
【0027】具体的には、8−ヒドロキシキノリンアル
ミニウム、アントラセン、ナフタリン、フェナントレ
ン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリ
ン、アクリジン、スチルベン又はこれらの誘導体等が挙
げられる。
ミニウム、アントラセン、ナフタリン、フェナントレ
ン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリ
ン、アクリジン、スチルベン又はこれらの誘導体等が挙
げられる。
【0028】陰極8を構成する材料としては、効率良く
電子を注入するために、真空準位からの仕事関数の小さ
い金属を用いることが好ましい。具体的には、アルミニ
ウム−リチウム合金の他、アルミニウム、インジウム、
マグネシウム、銀、カルシウム、バリウム、リチウム等
の低仕事関数金属を単体で、又は他の金属との合金とし
て安定性を高めて使用してもよい。
電子を注入するために、真空準位からの仕事関数の小さ
い金属を用いることが好ましい。具体的には、アルミニ
ウム−リチウム合金の他、アルミニウム、インジウム、
マグネシウム、銀、カルシウム、バリウム、リチウム等
の低仕事関数金属を単体で、又は他の金属との合金とし
て安定性を高めて使用してもよい。
【0029】まず、本発明を適用したパターン形成装置
の第1の例について、図3を参照して説明する。第1の
例のパターン形成装置10は、固い平板状の基体11上
に有機EL層7をパターン形成するための装置である。
の第1の例について、図3を参照して説明する。第1の
例のパターン形成装置10は、固い平板状の基体11上
に有機EL層7をパターン形成するための装置である。
【0030】具体的には、第1の例のパターン形成装置
10は、基板2上にストライプ状の陽極3が形成されて
なる基体11を走行させる基体搬送手段12と、長尺状
のマスク13を走行させるマスク搬送手段14と、長尺
状のマスク前駆体15を連続して巻き出す巻き出しロー
ル16と、パターン形成が終了した後のマスク13を連
続して巻き取る巻き取りロール17と、薄膜形成を行う
真空室18と、真空室18内に配置された複数の蒸着源
19と、マスク13と基体11との位置決めを行う位置
決め手段20と、マスク13に所定のパターンの開口部
を形成するレーザ21とを備える。
10は、基板2上にストライプ状の陽極3が形成されて
なる基体11を走行させる基体搬送手段12と、長尺状
のマスク13を走行させるマスク搬送手段14と、長尺
状のマスク前駆体15を連続して巻き出す巻き出しロー
ル16と、パターン形成が終了した後のマスク13を連
続して巻き取る巻き取りロール17と、薄膜形成を行う
真空室18と、真空室18内に配置された複数の蒸着源
19と、マスク13と基体11との位置決めを行う位置
決め手段20と、マスク13に所定のパターンの開口部
を形成するレーザ21とを備える。
【0031】基体搬送手段12は、ステージ状とされ、
マスク13と対向させた状態で平板状の基体11を支持
するとともに、マスク13と同期して基体11を走行さ
せ、真空室18内を通過させる。
マスク13と対向させた状態で平板状の基体11を支持
するとともに、マスク13と同期して基体11を走行さ
せ、真空室18内を通過させる。
【0032】第1の例のパターン形成装置10に用いら
れるマスク13としては、長尺状であり、可撓性を有す
るフィルム状であることが好ましい。具体的には、マス
ク13としては、例えば図4に示すような、長手方向に
直交するようなスリット状の開口部22が多数形成され
たものを用いることが可能である。なお、マスク13の
開口部22としては、図4に示す形状に限定されること
なく、ドット形状等、所望の形状であって構わない。マ
スク13は、例えばポリエステルフィルム等からなる。
れるマスク13としては、長尺状であり、可撓性を有す
るフィルム状であることが好ましい。具体的には、マス
ク13としては、例えば図4に示すような、長手方向に
直交するようなスリット状の開口部22が多数形成され
たものを用いることが可能である。なお、マスク13の
開口部22としては、図4に示す形状に限定されること
なく、ドット形状等、所望の形状であって構わない。マ
スク13は、例えばポリエステルフィルム等からなる。
【0033】マスク搬送手段14は、図示しない速度制
御装置によってマスク13の搬送速度を一定に制御され
る。マスク搬送手段14は、基体11の表面に対してマ
スク13を対向させるとともに、後述する基体11と同
期してマスク13を連続して走行させる。
御装置によってマスク13の搬送速度を一定に制御され
る。マスク搬送手段14は、基体11の表面に対してマ
スク13を対向させるとともに、後述する基体11と同
期してマスク13を連続して走行させる。
【0034】巻き出しロール16は、マスク13の開口
部が形成される前の段階である、フィルム状のマスク前
駆体15をロール状に巻き取ってなるとともに、マスク
前駆体15を連続的に巻き出して供給するものである。
部が形成される前の段階である、フィルム状のマスク前
駆体15をロール状に巻き取ってなるとともに、マスク
前駆体15を連続的に巻き出して供給するものである。
【0035】巻き取りロール17は、パターン形成を終
えた後のマスク13をロール状に連続して巻き取ってな
るものである。
えた後のマスク13をロール状に連続して巻き取ってな
るものである。
【0036】真空室18は、図示しない排気装置を備
え、内部を真空状態とする。
え、内部を真空状態とする。
【0037】図1に示す有機EL素子1を有する有機E
L表示装置を作成する場合には、図3に示す蒸着源19
は、例えば、マスク13及び基体11の走行方向から順
に、正孔輸送材料を収容する蒸着源19a、発光材料を
収容する蒸着源19b、電子輸送材料を収容する蒸着源
19cとされる。
L表示装置を作成する場合には、図3に示す蒸着源19
は、例えば、マスク13及び基体11の走行方向から順
に、正孔輸送材料を収容する蒸着源19a、発光材料を
収容する蒸着源19b、電子輸送材料を収容する蒸着源
19cとされる。
【0038】なお、蒸着源19の構成は、上述した順序
と逆であっても構わない。また、各蒸着源19が収容す
る有機材料は、R、G、Bの何れかの発光を呈するため
の材料であっても構わない。また、蒸着源19の加熱方
式は、抵抗加熱方式、電子線加熱方式等、特に限定され
ない。また、蒸着源19の設置数は、図3に示すような
3つに限定されることなく、1つ、2つ、また、3つ以
上であっても構わない。また、蒸着源19は、上述の構
成に限定されず、有機EL層7の構成に応じて設置数及
び収容材料を任意に変更できる。また、各蒸着源19の
間には、有機材料の拡散を防止するための隔壁を設けて
も構わない。
と逆であっても構わない。また、各蒸着源19が収容す
る有機材料は、R、G、Bの何れかの発光を呈するため
の材料であっても構わない。また、蒸着源19の加熱方
式は、抵抗加熱方式、電子線加熱方式等、特に限定され
ない。また、蒸着源19の設置数は、図3に示すような
3つに限定されることなく、1つ、2つ、また、3つ以
上であっても構わない。また、蒸着源19は、上述の構
成に限定されず、有機EL層7の構成に応じて設置数及
び収容材料を任意に変更できる。また、各蒸着源19の
間には、有機材料の拡散を防止するための隔壁を設けて
も構わない。
【0039】位置決め手段20は、長尺状のマスク13
と、マスク13と同期して走行する基体11との位置決
めを行うものである。パターン形成装置10が備える位
置決め手段20としては、例えばCCDセンサが用いら
れる。なお、位置決め手段20としては、特に限定され
ず、機械的な位置決め方式等でも構わない。
と、マスク13と同期して走行する基体11との位置決
めを行うものである。パターン形成装置10が備える位
置決め手段20としては、例えばCCDセンサが用いら
れる。なお、位置決め手段20としては、特に限定され
ず、機械的な位置決め方式等でも構わない。
【0040】レーザ21は、巻き出しロール16から巻
き出された走行中の長尺状のマスク前駆体15に対して
レーザビームを照射して所定の開口部を形成し、マスク
13とする。なお、本発明は、レーザ21を用いなくて
も、予め所定の開口部が形成された長尺状のマスク13
をロール状に巻き取っておき、真空室18に順次供給す
る方法を採用することも可能である。
き出された走行中の長尺状のマスク前駆体15に対して
レーザビームを照射して所定の開口部を形成し、マスク
13とする。なお、本発明は、レーザ21を用いなくて
も、予め所定の開口部が形成された長尺状のマスク13
をロール状に巻き取っておき、真空室18に順次供給す
る方法を採用することも可能である。
【0041】つぎに、上述した第1の例のパターン形成
装置10で、基体11上に、有機EL層7として正孔輸
送層4、発光層5、電子輸送層6をストライプ状に成膜
する方法について説明する。
装置10で、基体11上に、有機EL層7として正孔輸
送層4、発光層5、電子輸送層6をストライプ状に成膜
する方法について説明する。
【0042】パターン形成装置10では、先ず、巻き出
しロール16から巻き出されたマスク前駆体14が、レ
ーザ21でレーザビームを照射されて所定の開口部を形
成され、図4に示すようなマスク13とされる。
しロール16から巻き出されたマスク前駆体14が、レ
ーザ21でレーザビームを照射されて所定の開口部を形
成され、図4に示すようなマスク13とされる。
【0043】次に、マスク搬送手段14によって連続走
行されているマスク13と、基体搬送手段12によって
支持された基体11とを接近させ、例えば基体11の陽
極3のストライプ形状とマスク13の開口部であるスリ
ット形状とが一致するように、位置決め手段20によっ
て位置決めされて対向配置される。
行されているマスク13と、基体搬送手段12によって
支持された基体11とを接近させ、例えば基体11の陽
極3のストライプ形状とマスク13の開口部であるスリ
ット形状とが一致するように、位置決め手段20によっ
て位置決めされて対向配置される。
【0044】次に、位置決めされた基体11とマスク1
3とを等しい速度で真空室18内に搬送して走行させな
がら、蒸着源19a、蒸着源19b及び蒸着源19cを
加熱し、正孔輸送材料、発光材料及び電子輸送材料を蒸
発させる。これにより、マスク13の開口部を通じて所
定の形状の有機EL層7が基体11上に所定の順序で形
成される。
3とを等しい速度で真空室18内に搬送して走行させな
がら、蒸着源19a、蒸着源19b及び蒸着源19cを
加熱し、正孔輸送材料、発光材料及び電子輸送材料を蒸
発させる。これにより、マスク13の開口部を通じて所
定の形状の有機EL層7が基体11上に所定の順序で形
成される。
【0045】次に、有機EL層7がパターン形成された
基体11とマスク13とを真空室18から搬出し、基体
11とマスク13とを分離する。基体11は、例えば陰
極8を形成される等の次工程へ移行する一方、マスク1
3は、巻き取りロール17へ巻き取られる。巻き取りロ
ール17に巻き取られたマスク13は、使い捨てである
場合、廃棄される。
基体11とマスク13とを真空室18から搬出し、基体
11とマスク13とを分離する。基体11は、例えば陰
極8を形成される等の次工程へ移行する一方、マスク1
3は、巻き取りロール17へ巻き取られる。巻き取りロ
ール17に巻き取られたマスク13は、使い捨てである
場合、廃棄される。
【0046】以上のようにして、基体11上に、有機E
L層7がパターン形成される。
L層7がパターン形成される。
【0047】上述したパターン形成装置10は、複数の
基体11及び長尺状のマスク13を真空室18へ連続供
給するとともに、基体搬送手段12とマスク搬送手段1
4とによって基体11とマスク13とを同期して連続走
行させるので、マスク13の開口部を通して、短時間で
効率良く所望の材料を所定のパターンで基体11上に被
着させる。このため、パターン形成装置10は、有機E
L層7の各層を連続してパターン形成可能であり、量産
に好適である。
基体11及び長尺状のマスク13を真空室18へ連続供
給するとともに、基体搬送手段12とマスク搬送手段1
4とによって基体11とマスク13とを同期して連続走
行させるので、マスク13の開口部を通して、短時間で
効率良く所望の材料を所定のパターンで基体11上に被
着させる。このため、パターン形成装置10は、有機E
L層7の各層を連続してパターン形成可能であり、量産
に好適である。
【0048】また、マスク13は使い捨てであり、基体
11に対して常に新しいマスク13を供給し続けるの
で、マスク13の開口部に蒸着物が堆積することがな
く、長時間に亘る連続成膜を行った場合でも、高い精度
を維持しつつつ、基体11上に所望のパターンが形成さ
れる。
11に対して常に新しいマスク13を供給し続けるの
で、マスク13の開口部に蒸着物が堆積することがな
く、長時間に亘る連続成膜を行った場合でも、高い精度
を維持しつつつ、基体11上に所望のパターンが形成さ
れる。
【0049】つぎに、本発明を適用したパターン形成装
置の第2の例について、図5を用いて説明する。第2の
例のパターン形成装置30は、可撓性を有する基体上に
有機EL層7をパターン形成するための装置である。な
お、第2の例のパターン形成装置30は、第1の例のパ
ターン形成装置10と略同様の構成の巻き出しロール、
巻き取りロール、レーザ及び真空室を有しており、図5
ではこれらの図示を省略する。
置の第2の例について、図5を用いて説明する。第2の
例のパターン形成装置30は、可撓性を有する基体上に
有機EL層7をパターン形成するための装置である。な
お、第2の例のパターン形成装置30は、第1の例のパ
ターン形成装置10と略同様の構成の巻き出しロール、
巻き取りロール、レーザ及び真空室を有しており、図5
ではこれらの図示を省略する。
【0050】図5に示すように、第2の例のパターン形
成装置30は、図示しない真空室内に、円筒状の搬送シ
リンダ31と、搬送シリンダ31の入り口側に配されて
基体32とマスク33とを対向させるとともに案内する
第1ガイドローラ34と、搬送シリンダ31の出口側に
配されてマスク33を案内する第2ガイドローラ35
と、真空室内に配置された複数の蒸着源36とを備え
る。
成装置30は、図示しない真空室内に、円筒状の搬送シ
リンダ31と、搬送シリンダ31の入り口側に配されて
基体32とマスク33とを対向させるとともに案内する
第1ガイドローラ34と、搬送シリンダ31の出口側に
配されてマスク33を案内する第2ガイドローラ35
と、真空室内に配置された複数の蒸着源36とを備え
る。
【0051】搬送シリンダ31は、上述した第1の例の
パターン形成装置10における基体搬送手段12の機能
とマスク搬送手段14の機能とを兼ね備えるものであ
る。搬送シリンダ31は、円筒状であるとともに、図5
中矢印で示すように、反時計回り方向に回転可能とされ
る。また、搬送シリンダ31は、図6(a)に示すよう
に、位置決め手段として、幅方向両端に複数のスプロケ
ットガイド37を有している。搬送シリンダ31の周面
には、長尺状の基体32及び後述するマスク33がこの
順に積層されて巻き付けられ、搬送シリンダ31の回転
に伴ってこれらを走行させる。すなわち、長尺状の基体
32は、真空室内において、第1ガイドローラ34、搬
送シリンダ31の順に搬送される。
パターン形成装置10における基体搬送手段12の機能
とマスク搬送手段14の機能とを兼ね備えるものであ
る。搬送シリンダ31は、円筒状であるとともに、図5
中矢印で示すように、反時計回り方向に回転可能とされ
る。また、搬送シリンダ31は、図6(a)に示すよう
に、位置決め手段として、幅方向両端に複数のスプロケ
ットガイド37を有している。搬送シリンダ31の周面
には、長尺状の基体32及び後述するマスク33がこの
順に積層されて巻き付けられ、搬送シリンダ31の回転
に伴ってこれらを走行させる。すなわち、長尺状の基体
32は、真空室内において、第1ガイドローラ34、搬
送シリンダ31の順に搬送される。
【0052】マスク33は、例えば図6(b)に示すよ
うに、長尺状のフィルムの長手方向に直交するようなス
リット状の開口部38の他に、長手方向両辺に、上述し
たスプロケットガイド37に対応したスプロケットガイ
ド孔39を有している。搬送シリンダ31のスプロケッ
トガイド37とマスク33のスプロケットガイド孔39
とが互いにかみ合うことにより、マスク33が搬送シリ
ンダ31に確実に固定され、精度良いパターン形成が可
能となる。なお、マスク33としては、図6(b)に示
す形状に限定されることなく、所望の形状の開口部を有
していて構わない。マスク33は、例えばポリエステル
フィルム等からなる。
うに、長尺状のフィルムの長手方向に直交するようなス
リット状の開口部38の他に、長手方向両辺に、上述し
たスプロケットガイド37に対応したスプロケットガイ
ド孔39を有している。搬送シリンダ31のスプロケッ
トガイド37とマスク33のスプロケットガイド孔39
とが互いにかみ合うことにより、マスク33が搬送シリ
ンダ31に確実に固定され、精度良いパターン形成が可
能となる。なお、マスク33としては、図6(b)に示
す形状に限定されることなく、所望の形状の開口部を有
していて構わない。マスク33は、例えばポリエステル
フィルム等からなる。
【0053】蒸着源36a、蒸着源36b及び蒸着源3
6cは、第1の例のパターン形成装置10に用いられる
蒸着源19a、蒸着源19b及び蒸着源19cと略同様
の構成であるため、説明を省略する。
6cは、第1の例のパターン形成装置10に用いられる
蒸着源19a、蒸着源19b及び蒸着源19cと略同様
の構成であるため、説明を省略する。
【0054】つぎに、上述した第2の例のパターン形成
装置30で、基体32上に、有機EL層7として正孔輸
送層4、発光層5、電子輸送層6をストライプ状に成膜
する方法について説明する。
装置30で、基体32上に、有機EL層7として正孔輸
送層4、発光層5、電子輸送層6をストライプ状に成膜
する方法について説明する。
【0055】パターン形成装置30では、先ず、図示し
ない真空室内へ、基体32及びマスク33を供給し、第
1ガイドローラ34によって基体32とマスク33とを
位置決めして対向させる。
ない真空室内へ、基体32及びマスク33を供給し、第
1ガイドローラ34によって基体32とマスク33とを
位置決めして対向させる。
【0056】次に、互いに対向配置された基体32とマ
スク33とを、搬送シリンダ31の周面に巻き付けてお
く。このとき、マスク33に形成されたスプロケットガ
イド孔39と搬送シリンダ31のスプロケットガイドと
をかみ合わせることによって、マスク33がずれること
なく搬送シリンダ31の周面に巻き付く。なお、必要に
応じて基体32にスプロケットガイド孔が形成されてい
ても構わない。
スク33とを、搬送シリンダ31の周面に巻き付けてお
く。このとき、マスク33に形成されたスプロケットガ
イド孔39と搬送シリンダ31のスプロケットガイドと
をかみ合わせることによって、マスク33がずれること
なく搬送シリンダ31の周面に巻き付く。なお、必要に
応じて基体32にスプロケットガイド孔が形成されてい
ても構わない。
【0057】次に、搬送シリンダ31を回転させて基体
32及びマスク33を走行させながら、蒸着源36a、
蒸着源36b及び蒸着源36cを加熱し、正孔輸送材
料、発光材料及び電子輸送材料を蒸発させる。これによ
り、マスク33の開口部を通じて所定の形状の有機EL
層7が基体32上に所定の順序で形成される。
32及びマスク33を走行させながら、蒸着源36a、
蒸着源36b及び蒸着源36cを加熱し、正孔輸送材
料、発光材料及び電子輸送材料を蒸発させる。これによ
り、マスク33の開口部を通じて所定の形状の有機EL
層7が基体32上に所定の順序で形成される。
【0058】次に、有機EL層7がパターン形成された
基体32とマスク33とを分離する。基体32は、第2
ガイドローラ35に案内されて次工程へ移行する一方、
マスク33は図示しない巻き取りロールへ巻き取られ
る。
基体32とマスク33とを分離する。基体32は、第2
ガイドローラ35に案内されて次工程へ移行する一方、
マスク33は図示しない巻き取りロールへ巻き取られ
る。
【0059】以上のようにして、基体32上に所定の形
状の有機EL層7がパターン形成される。
状の有機EL層7がパターン形成される。
【0060】上述したパターン形成装置30は、長尺状
の基体32及び長尺状のマスク33を真空室へ連続供給
するとともに、基体搬送手段の機能とマスク搬送手段の
機能とを兼ね備える搬送シリンダ31によって基体32
とマスク33とを同期させて連続走行させるので、マス
ク33の開口部を通して、短時間で効率良く所望の材料
を所定のパターンで基体32上に被着させる。このた
め、パターン形成装置30は、有機EL層7の各層を連
続してパターン形成することが可能であり、量産に好適
である。
の基体32及び長尺状のマスク33を真空室へ連続供給
するとともに、基体搬送手段の機能とマスク搬送手段の
機能とを兼ね備える搬送シリンダ31によって基体32
とマスク33とを同期させて連続走行させるので、マス
ク33の開口部を通して、短時間で効率良く所望の材料
を所定のパターンで基体32上に被着させる。このた
め、パターン形成装置30は、有機EL層7の各層を連
続してパターン形成することが可能であり、量産に好適
である。
【0061】また、基体32に対して常に新しいマスク
33を供給し続けるので、マスク13の開口部に蒸着物
が堆積することがなく、長時間に亘る連続成膜を行った
場合でも、高い精度を維持しつつつ、基体33上に所望
のパターンが形成される。
33を供給し続けるので、マスク13の開口部に蒸着物
が堆積することがなく、長時間に亘る連続成膜を行った
場合でも、高い精度を維持しつつつ、基体33上に所望
のパターンが形成される。
【0062】また、この第2の例のパターン形成装置で
は、基体搬送手段の機能とマスク搬送手段の機能とを兼
ね備える円筒状の搬送シリンダ31を用いているので、
可撓性を有する基体32に対しても、精度良く安定した
パターン形成が可能である。
は、基体搬送手段の機能とマスク搬送手段の機能とを兼
ね備える円筒状の搬送シリンダ31を用いているので、
可撓性を有する基体32に対しても、精度良く安定した
パターン形成が可能である。
【0063】つぎに、本発明を適用したパターン形成装
置の第3の例について、図7を用いて説明する。第3の
例のパターン形成装置50は、転写シリンダの周面にい
ったん被着された材料を、平板状の基体上に転写しなが
らパターン形成するための装置である。なお、第3の例
のパターン形成装置50は、第1の例のパターン形成装
置10と略同様の構成の巻き出しロール、巻き取りロー
ル、レーザ及び真空室を有しており、図7ではこれらの
図示を省略する。
置の第3の例について、図7を用いて説明する。第3の
例のパターン形成装置50は、転写シリンダの周面にい
ったん被着された材料を、平板状の基体上に転写しなが
らパターン形成するための装置である。なお、第3の例
のパターン形成装置50は、第1の例のパターン形成装
置10と略同様の構成の巻き出しロール、巻き取りロー
ル、レーザ及び真空室を有しており、図7ではこれらの
図示を省略する。
【0064】図7に示すように、第3の例のパターン形
成装置50は、図示しない真空室内に、平板状の基体5
1を支持するとともに連続走行させる基体搬送手段52
と、周面の頂点が基体51に接するように配置された転
写シリンダ53と、転写シリンダ53の下方にマスク5
4を固定した状態で支持するマスク支持手段55と、マ
スク54の下方に配置された蒸着源56とを備える。
成装置50は、図示しない真空室内に、平板状の基体5
1を支持するとともに連続走行させる基体搬送手段52
と、周面の頂点が基体51に接するように配置された転
写シリンダ53と、転写シリンダ53の下方にマスク5
4を固定した状態で支持するマスク支持手段55と、マ
スク54の下方に配置された蒸着源56とを備える。
【0065】基体搬送手段52は、ステージ状とされ、
転写シリンダ53と接するように基体51を支持すると
ともに、転写シリンダ53の回転と同期して基体51を
走行させる。
転写シリンダ53と接するように基体51を支持すると
ともに、転写シリンダ53の回転と同期して基体51を
走行させる。
【0066】転写シリンダ53は、蒸着源56から蒸発
した材料をマスク54の開口部を通して被着されるとも
に、基体51へ当該材料を転写するものである。
した材料をマスク54の開口部を通して被着されるとも
に、基体51へ当該材料を転写するものである。
【0067】転写シリンダ53は、マスク54の開口部
と略同幅の突起を周面に有することが好ましい。この突
起がマスク54の開口部に位置するときに蒸着して材料
を突起上に被着させるようにすると、基体51へ転写す
る際の転写圧力が高まり、良好な転写性が得られる。
と略同幅の突起を周面に有することが好ましい。この突
起がマスク54の開口部に位置するときに蒸着して材料
を突起上に被着させるようにすると、基体51へ転写す
る際の転写圧力が高まり、良好な転写性が得られる。
【0068】また、転写シリンダ53の表面は、材料の
転写性の向上を目的として、シリコン系樹脂、フッ素系
エラストマー樹脂等でコートされていることが好まし
い。
転写性の向上を目的として、シリコン系樹脂、フッ素系
エラストマー樹脂等でコートされていることが好まし
い。
【0069】また、転写シリンダ53は、周面の温度調
節自在とされていることが好ましい。予め転写シリンダ
53の周面を冷却した状態で、周面全体に所定のパター
ンで材料を被着させ、次いで転写シリンダ53の周面を
加温して基体51に転写を行うといった方法を実現でき
る。
節自在とされていることが好ましい。予め転写シリンダ
53の周面を冷却した状態で、周面全体に所定のパター
ンで材料を被着させ、次いで転写シリンダ53の周面を
加温して基体51に転写を行うといった方法を実現でき
る。
【0070】基体搬送手段52の水平方向の移動と、転
写シリンダ53の回転とは同期している。基体搬送手段
52の水平方向の移動と、転写シリンダ53の回転とを
同期させる方法としては、基体搬送手段52と転写シリ
ンダ53とをギアで直接連動させる方法、エンコーダ等
のカウント法等が挙げられる。
写シリンダ53の回転とは同期している。基体搬送手段
52の水平方向の移動と、転写シリンダ53の回転とを
同期させる方法としては、基体搬送手段52と転写シリ
ンダ53とをギアで直接連動させる方法、エンコーダ等
のカウント法等が挙げられる。
【0071】マスク54の開口部は、上述した第1の例
及び第2の例と異なり、所望のパターンの最小の繰り返
し単位だけあればよい。すなわち、例えば基体51上
に、ストライプ状の有機EL層7を形成する場合には、
図8に示すような、一本のスリット状の開口部57を有
するマスク54を用いる。
及び第2の例と異なり、所望のパターンの最小の繰り返
し単位だけあればよい。すなわち、例えば基体51上
に、ストライプ状の有機EL層7を形成する場合には、
図8に示すような、一本のスリット状の開口部57を有
するマスク54を用いる。
【0072】マスク支持手段55は、上述した第1の例
及び第2の例と異なり、マスク54を固定した状態で支
持するものである。
及び第2の例と異なり、マスク54を固定した状態で支
持するものである。
【0073】蒸着源56は、図7に示すように、真空室
内に1つ設置されている。蒸着源56が収容する有機材
料は、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料、R、
G、B何れかの発光を呈するための材料等、有機EL層
7を構成する材料の何れであっても構わない。また、蒸
着源56の加熱方式は、抵抗加熱方式、電子線加熱方式
等、特に限定されない。
内に1つ設置されている。蒸着源56が収容する有機材
料は、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料、R、
G、B何れかの発光を呈するための材料等、有機EL層
7を構成する材料の何れであっても構わない。また、蒸
着源56の加熱方式は、抵抗加熱方式、電子線加熱方式
等、特に限定されない。
【0074】つぎに、上述した第3の例のパターン形成
装置50で、基体51上に、有機EL層7を構成する何
れかの層をストライプ状に成膜する方法について説明す
る。
装置50で、基体51上に、有機EL層7を構成する何
れかの層をストライプ状に成膜する方法について説明す
る。
【0075】先ず、図示しない真空室内において、転写
シリンダ53を回転させながら、蒸着源56を加熱し、
マスク支持手段55によって固定されたマスク54の開
口部を通して、転写シリンダ53の所定の範囲の周面に
材料を被着させる。すなわち、転写シリンダ53の周面
には、マスク54の開口部の形状とされた材料が、一定
間隔でストライプ状に被着されている。なお、材料の蒸
着に先立って、転写シリンダ53の周面を、予め冷却し
ておく。
シリンダ53を回転させながら、蒸着源56を加熱し、
マスク支持手段55によって固定されたマスク54の開
口部を通して、転写シリンダ53の所定の範囲の周面に
材料を被着させる。すなわち、転写シリンダ53の周面
には、マスク54の開口部の形状とされた材料が、一定
間隔でストライプ状に被着されている。なお、材料の蒸
着に先立って、転写シリンダ53の周面を、予め冷却し
ておく。
【0076】次に、基体搬送手段52によって支持され
た基体51と転写シリンダ53とを、所定の位置になる
ように位置決めして接触させる。
た基体51と転写シリンダ53とを、所定の位置になる
ように位置決めして接触させる。
【0077】次に、転写シリンダ53の周面を加熱し
て、基体搬送手段52の水平方向の移動と転写シリンダ
53の回転とを同期させる。これにより、転写シリンダ
53の周面に被着された材料が、基体51に転写され、
例えばストライプ形状の有機EL層7がパターン形成さ
れる。
て、基体搬送手段52の水平方向の移動と転写シリンダ
53の回転とを同期させる。これにより、転写シリンダ
53の周面に被着された材料が、基体51に転写され、
例えばストライプ形状の有機EL層7がパターン形成さ
れる。
【0078】上述した第3の例のパターン形成装置50
は、基体51を連続走行させながら転写シリンダ53を
同期して回転させてパターン形成を行うので、長時間に
亘る連続成膜が可能である。
は、基体51を連続走行させながら転写シリンダ53を
同期して回転させてパターン形成を行うので、長時間に
亘る連続成膜が可能である。
【0079】また、固定された状態のマスク54の開口
部を通して回転する転写シリンダ53に材料を被着させ
るので、マスク54の開口部は、所望のパターンの最小
の繰り返し単位だけあればよい。このため、簡単な工程
で作製されたマスク54を用いて、大量のパターン形成
が可能であるため、製造コストの低減が図られる。
部を通して回転する転写シリンダ53に材料を被着させ
るので、マスク54の開口部は、所望のパターンの最小
の繰り返し単位だけあればよい。このため、簡単な工程
で作製されたマスク54を用いて、大量のパターン形成
が可能であるため、製造コストの低減が図られる。
【0080】なお、上述の説明では、転写シリンダ53
の周面全体を予め冷却した後、材料を被着させ、次いで
周面を加熱して基体51に転写する方法を例に挙げた
が、本発明はこれに限定されることなく、例えば蒸着源
56が配された下方と、基体51が配された上方とで、
転写シリンダ53の周面に熱勾配をつけ、上方側を相対
的に高温として転写性を高めるといった方法を採用して
も構わない。
の周面全体を予め冷却した後、材料を被着させ、次いで
周面を加熱して基体51に転写する方法を例に挙げた
が、本発明はこれに限定されることなく、例えば蒸着源
56が配された下方と、基体51が配された上方とで、
転写シリンダ53の周面に熱勾配をつけ、上方側を相対
的に高温として転写性を高めるといった方法を採用して
も構わない。
【0081】つぎに、本発明を適用したパターン形成装
置の第4の例について、図9を用いて説明する。第4の
例のパターン形成装置70は、可撓性のマスクを用い、
平板状の基体上に転写しながら材料をパターン形成する
ための装置である。なお、第4の例のパターン形成装置
70は、第1の例のパターン形成装置10と略同様の構
成の巻き出しロール、巻き取りロール、レーザ及び真空
室を有しており、図9ではこれらの図示を省略する。
置の第4の例について、図9を用いて説明する。第4の
例のパターン形成装置70は、可撓性のマスクを用い、
平板状の基体上に転写しながら材料をパターン形成する
ための装置である。なお、第4の例のパターン形成装置
70は、第1の例のパターン形成装置10と略同様の構
成の巻き出しロール、巻き取りロール、レーザ及び真空
室を有しており、図9ではこれらの図示を省略する。
【0082】図9に示すように、第4の例のパターン形
成装置70は、図示しない真空室内に、平板状の基体7
1を支持するとともに連続走行させる基体搬送手段72
と、周面の頂点が基体71に接するように配置されたシ
リンダ73と、シリンダ73の入り口側に配されてマス
ク74を案内する第1ガイドローラ75と、シリンダ7
3の出口側に配されてマスク74を案内する第2ガイド
ローラ76と、真空室内に配置された複数の蒸着源77
とを備える。
成装置70は、図示しない真空室内に、平板状の基体7
1を支持するとともに連続走行させる基体搬送手段72
と、周面の頂点が基体71に接するように配置されたシ
リンダ73と、シリンダ73の入り口側に配されてマス
ク74を案内する第1ガイドローラ75と、シリンダ7
3の出口側に配されてマスク74を案内する第2ガイド
ローラ76と、真空室内に配置された複数の蒸着源77
とを備える。
【0083】シリンダ73は、上述した第3の例におけ
る転写シリンダ53と、第2の例におけるマスク搬送手
段である搬送シリンダ31との機能を兼ね備えるもので
ある。
る転写シリンダ53と、第2の例におけるマスク搬送手
段である搬送シリンダ31との機能を兼ね備えるもので
ある。
【0084】シリンダ73は、周面にマスク74を巻き
付けてマスク74を走行させるものである。シリンダ7
3は、円筒状であるとともに、図9中矢印で示すよう
に、半時計回りに回転可能とされる。また、シリンダ7
3は、位置決め手段として幅方向両端に複数のスプロケ
ットガイドを有していても構わない。
付けてマスク74を走行させるものである。シリンダ7
3は、円筒状であるとともに、図9中矢印で示すよう
に、半時計回りに回転可能とされる。また、シリンダ7
3は、位置決め手段として幅方向両端に複数のスプロケ
ットガイドを有していても構わない。
【0085】また、シリンダ73は、蒸着源77から蒸
発した材料をマスク74の開口部を通して周面に被着さ
れるともに、基体71へ当該材料を転写するものであ
る。
発した材料をマスク74の開口部を通して周面に被着さ
れるともに、基体71へ当該材料を転写するものであ
る。
【0086】シリンダ73は、マスク74の開口部と略
同幅の突起を周面に有することが好ましい。この突起が
マスク74の開口部に位置するときに蒸着して材料を突
起上に被着させるようにすると、基体71へ転写する際
の転写圧力が高まり、良好な転写性が得られる。
同幅の突起を周面に有することが好ましい。この突起が
マスク74の開口部に位置するときに蒸着して材料を突
起上に被着させるようにすると、基体71へ転写する際
の転写圧力が高まり、良好な転写性が得られる。
【0087】また、シリンダ73の表面は、材料の転写
性の向上を目的として、シリコン系樹脂、フッ素系エラ
ストマー樹脂等でコートされていることが好ましい。
性の向上を目的として、シリコン系樹脂、フッ素系エラ
ストマー樹脂等でコートされていることが好ましい。
【0088】また、シリンダ73は、周面の温度調節自
在とされていることが好ましい。これにより、予めシリ
ンダ73の周面を冷却した状態で、周面全体に所定のパ
ターンで材料を被着させ、次いでシリンダ73の周面を
加温して基体71に転写を行うといった方法を実現でき
る。また、シリンダ73の蒸着源77が配された下方と
基体71が配された上方とで、シリンダ73の周面に熱
勾配をつけ、上方側を相対的に高温として転写性を高め
るといった方法を採用することもできる。
在とされていることが好ましい。これにより、予めシリ
ンダ73の周面を冷却した状態で、周面全体に所定のパ
ターンで材料を被着させ、次いでシリンダ73の周面を
加温して基体71に転写を行うといった方法を実現でき
る。また、シリンダ73の蒸着源77が配された下方と
基体71が配された上方とで、シリンダ73の周面に熱
勾配をつけ、上方側を相対的に高温として転写性を高め
るといった方法を採用することもできる。
【0089】マスク74は、上述した第2の例のパター
ン形成装置30に用いられるマスク33と同様のものを
用いることができる。すなわち、マスク74としては、
長尺状のフィルムの長手方向に直交するようなスリット
状の開口部の他に、長手方向両辺に、シリンダ73のス
プロケットガイドに対応したスプロケットガイド孔を有
しても構わない。シリンダ73のスプロケットガイドと
マスク74のスプロケットガイド孔とが互いにかみ合う
ことにより、マスク74がシリンダ73に確実に固定さ
れる。なお、マスク74は、所望の有機EL層7の形状
に応じて、所望の形状の開口部を有していて構わない。
また、マスク74は、例えばポリエステルフィルム等か
らなる。
ン形成装置30に用いられるマスク33と同様のものを
用いることができる。すなわち、マスク74としては、
長尺状のフィルムの長手方向に直交するようなスリット
状の開口部の他に、長手方向両辺に、シリンダ73のス
プロケットガイドに対応したスプロケットガイド孔を有
しても構わない。シリンダ73のスプロケットガイドと
マスク74のスプロケットガイド孔とが互いにかみ合う
ことにより、マスク74がシリンダ73に確実に固定さ
れる。なお、マスク74は、所望の有機EL層7の形状
に応じて、所望の形状の開口部を有していて構わない。
また、マスク74は、例えばポリエステルフィルム等か
らなる。
【0090】蒸着源36a、蒸着源36b及び蒸着源3
6cは、第1の例のパターン形成装置10に用いられる
蒸着源19a、蒸着源19b及び蒸着源19cと略同様
の構成であるため、説明を省略する。ただし、蒸着源3
6a、蒸着源36b及び蒸着源36cの収容する材料
は、マスク74の搬送方向から順に電子輸送材料、発光
材料、正孔輸送材料とされている。
6cは、第1の例のパターン形成装置10に用いられる
蒸着源19a、蒸着源19b及び蒸着源19cと略同様
の構成であるため、説明を省略する。ただし、蒸着源3
6a、蒸着源36b及び蒸着源36cの収容する材料
は、マスク74の搬送方向から順に電子輸送材料、発光
材料、正孔輸送材料とされている。
【0091】つぎに、上述した第4の例のパターン形成
装置70で、基体71上に、有機EL層7として正孔輸
送層4、発光層5、電子輸送層6をストライプ状に成膜
する方法について説明する。
装置70で、基体71上に、有機EL層7として正孔輸
送層4、発光層5、電子輸送層6をストライプ状に成膜
する方法について説明する。
【0092】先ず、図示しない真空室内において、第1
ガイドローラ75及び第2ガイドローラ76でマスク7
4を案内しながら、シリンダ73の所定の周面に、マス
ク74を巻き付けておく。このとき、マスク74に形成
されたスプロケットガイド孔とシリンダ73のスプロケ
ットガイドとをかみ合わせることによって、マスク74
がずれることなくシリンダ73の周面に巻き付く。ま
た、材料の蒸着に先立って、シリンダ73の周面を予め
冷却しておく。
ガイドローラ75及び第2ガイドローラ76でマスク7
4を案内しながら、シリンダ73の所定の周面に、マス
ク74を巻き付けておく。このとき、マスク74に形成
されたスプロケットガイド孔とシリンダ73のスプロケ
ットガイドとをかみ合わせることによって、マスク74
がずれることなくシリンダ73の周面に巻き付く。ま
た、材料の蒸着に先立って、シリンダ73の周面を予め
冷却しておく。
【0093】次に、シリンダ73を回転させてマスク7
4を走行させながら、蒸着源77a、蒸着源77b及び
蒸着源77cを加熱して、、電子輸送材料、発光材料及
び正孔輸送材料を蒸発させる。これにより、マスク74
の開口部を通して、シリンダ73の所定の範囲の周面に
有機EL層7の材料が被着される。すなわち、シリンダ
73の周面には、マスク74の開口部の形状とされた材
料が、一定間隔で被着されている。なお、シリンダ73
の周面に被着された層は、シリンダ73の周面側から順
に、電子輸送層7、発光層6及び正孔輸送層5とされて
いる。
4を走行させながら、蒸着源77a、蒸着源77b及び
蒸着源77cを加熱して、、電子輸送材料、発光材料及
び正孔輸送材料を蒸発させる。これにより、マスク74
の開口部を通して、シリンダ73の所定の範囲の周面に
有機EL層7の材料が被着される。すなわち、シリンダ
73の周面には、マスク74の開口部の形状とされた材
料が、一定間隔で被着されている。なお、シリンダ73
の周面に被着された層は、シリンダ73の周面側から順
に、電子輸送層7、発光層6及び正孔輸送層5とされて
いる。
【0094】次に、シリンダ73の周面を加熱して、基
体搬送手段72の水平方向への移動とシリンダ73の回
転とを同期させる。これにより、シリンダ73の周面に
被着された材料が、基体71に転写され、例えば所定の
形状の有機EL層7がパターン形成される。
体搬送手段72の水平方向への移動とシリンダ73の回
転とを同期させる。これにより、シリンダ73の周面に
被着された材料が、基体71に転写され、例えば所定の
形状の有機EL層7がパターン形成される。
【0095】上述したパターン形成装置70は、複数の
基体71及び長尺状のマスク74を真空室へ連続供給す
るとともに、マスク搬送手段とともに材料の転写機能を
兼ねるシリンダ73と、基体11とを同期して走行させ
るので、短時間で効率良く所望の材料を所定のパターン
で基体71上に被着させる。このため、パターン形成装
置70は、有機EL層7の各層を連続してパターン形成
することが可能であり、量産に好適である。
基体71及び長尺状のマスク74を真空室へ連続供給す
るとともに、マスク搬送手段とともに材料の転写機能を
兼ねるシリンダ73と、基体11とを同期して走行させ
るので、短時間で効率良く所望の材料を所定のパターン
で基体71上に被着させる。このため、パターン形成装
置70は、有機EL層7の各層を連続してパターン形成
することが可能であり、量産に好適である。
【0096】また、常に新しいマスク74をシリンダ7
3の周面に供給し続けるので、マスク74の開口部に蒸
着物が堆積することがなく、長時間に亘る連続成膜を行
った場合でも、高い精度を維持しつつつ、基体71上に
所望のパターンが形成される。
3の周面に供給し続けるので、マスク74の開口部に蒸
着物が堆積することがなく、長時間に亘る連続成膜を行
った場合でも、高い精度を維持しつつつ、基体71上に
所望のパターンが形成される。
【0097】なお、上述の説明では、透明な材料からな
る基板上に陽極、有機EL層、陰極がこの順に積層され
てなる有機EL素子を製造するパターン形成装置を例に
挙げたが、有機EL素子の積層の順番は、上述した順序
と逆であっても構わない。また、有機EL素子からの発
光の取り出しは、基板側からであっても、上面からであ
っても構わない。
る基板上に陽極、有機EL層、陰極がこの順に積層され
てなる有機EL素子を製造するパターン形成装置を例に
挙げたが、有機EL素子の積層の順番は、上述した順序
と逆であっても構わない。また、有機EL素子からの発
光の取り出しは、基板側からであっても、上面からであ
っても構わない。
【0098】また、上述の説明では、有機EL層を形成
するための薄膜形成手段として、いわゆる真空蒸着装置
を採用したが、本発明を適用したパターン形成装置は、
例えばインクジェット法等で有機EL層をパターン形成
する装置を有する場合にも適用可能である。
するための薄膜形成手段として、いわゆる真空蒸着装置
を採用したが、本発明を適用したパターン形成装置は、
例えばインクジェット法等で有機EL層をパターン形成
する装置を有する場合にも適用可能である。
【0099】また、本発明は上述の記載に限定されるこ
とはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜
変更可能である。
とはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜
変更可能である。
【0100】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係るパターン形成装置は、基体を連続走行させなが
ら成膜を行うので、短時間で効率良くパターン形成でき
る。また、基体上に常に新しいマスクを供給し続けると
ともにパターン形成後のマスクを基体上から除去しなが
らパターン形成を行うので、長時間に亘る連続成膜を行
っても、精度を落とすことなくパターン形成が可能であ
る。したがって、本発明によれば、高精細なパターンを
精度良く形成可能であり、大量生産に好適なパターン形
成装置を提供することが可能である。
明に係るパターン形成装置は、基体を連続走行させなが
ら成膜を行うので、短時間で効率良くパターン形成でき
る。また、基体上に常に新しいマスクを供給し続けると
ともにパターン形成後のマスクを基体上から除去しなが
らパターン形成を行うので、長時間に亘る連続成膜を行
っても、精度を落とすことなくパターン形成が可能であ
る。したがって、本発明によれば、高精細なパターンを
精度良く形成可能であり、大量生産に好適なパターン形
成装置を提供することが可能である。
【0101】また、本発明に係るパターン形成装置は、
基体を連続走行させながらパターン形成を行うので、長
時間に亘る連続成膜が可能である。また、マスクの開口
は、所望のパターンの最小の繰り返し単位だけあればよ
い。これをシリンダを介して基体上に転写するので、簡
単な工程で作製されたマスクを用いて、大量のパターン
形成が可能である。したがって、本発明によれば、高精
細なパターンを精度良く形成可能であり、大量生産に好
適なパターン形成装置を提供することが可能である。
基体を連続走行させながらパターン形成を行うので、長
時間に亘る連続成膜が可能である。また、マスクの開口
は、所望のパターンの最小の繰り返し単位だけあればよ
い。これをシリンダを介して基体上に転写するので、簡
単な工程で作製されたマスクを用いて、大量のパターン
形成が可能である。したがって、本発明によれば、高精
細なパターンを精度良く形成可能であり、大量生産に好
適なパターン形成装置を提供することが可能である。
【図1】有機EL素子の断面図である。
【図2】有機EL素子を用いた表示装置の分解斜視図で
ある。
ある。
【図3】本発明を適用したパターン形成装置の第1の例
の断面図である。
の断面図である。
【図4】第1の例のパターン形成装置で用いられるマス
クの平面図である。
クの平面図である。
【図5】本発明を適用したパターン形成装置の第2の例
の断面図である。
の断面図である。
【図6】(a)は、第2の例のパターン形成装置に用い
られる、シリンダの軸方向断面図である。(b)は、第
2の例のパターン形成装置で用いられるマスクの平面図
である。
られる、シリンダの軸方向断面図である。(b)は、第
2の例のパターン形成装置で用いられるマスクの平面図
である。
【図7】本発明を適用したパターン形成装置の第3の例
の断面図である。
の断面図である。
【図8】第3の例のパターン形成装置で用いられるマス
クの平面図である。
クの平面図である。
【図9】第4の例のパターン形成装置で用いられるマス
クの平面図である。
クの平面図である。
1 有機EL素子、2 基板、3 透明電極、4 正孔
輸送層、5 発光層、6 電子輸送層、7 有機EL
層、8陰極、10 パターン形成装置、11 基体、1
2 基体搬送手段、13 マスク、14 マスク搬送手
段、15 マスク前駆体、16 巻き出しロール、17
巻き取りロール、18 真空室、19蒸着源、20
位置決め手段、21 レーザ、22 開口部、30 パ
ターン形成装置、31 搬送シリンダ、32 基体、3
3 マスク、34 第1ガイドローラ、35 第2ガイ
ドローラ、36 蒸着源、37 スプロケットガイド、
38 開口部、39 スプロケットガイド孔、50 パ
ターン形成装置、51 基体、52 基体搬送手段、5
3 転写シリンダ、54 マスク、55 マスク支持手
段、56 蒸着源、70 パターン形成装置、71 基
体、72 基体搬送手段、73 シリンダ、74 マス
ク、75 第1ガイドローラ、76 第2のガイドロー
ラ、77 蒸着源、
輸送層、5 発光層、6 電子輸送層、7 有機EL
層、8陰極、10 パターン形成装置、11 基体、1
2 基体搬送手段、13 マスク、14 マスク搬送手
段、15 マスク前駆体、16 巻き出しロール、17
巻き取りロール、18 真空室、19蒸着源、20
位置決め手段、21 レーザ、22 開口部、30 パ
ターン形成装置、31 搬送シリンダ、32 基体、3
3 マスク、34 第1ガイドローラ、35 第2ガイ
ドローラ、36 蒸着源、37 スプロケットガイド、
38 開口部、39 スプロケットガイド孔、50 パ
ターン形成装置、51 基体、52 基体搬送手段、5
3 転写シリンダ、54 マスク、55 マスク支持手
段、56 蒸着源、70 パターン形成装置、71 基
体、72 基体搬送手段、73 シリンダ、74 マス
ク、75 第1ガイドローラ、76 第2のガイドロー
ラ、77 蒸着源、
Claims (27)
- 【請求項1】 基体上に所定のパターンで材料を被着さ
せるパターン形成装置であって、 基体を支持して連続走行させる基体搬送手段と、 上記基体走行手段と同期して、長尺状のマスクを連続走
行させるマスク搬送手段と、 マスクの開口部を通して、材料を上記基体に被着させる
薄膜形成手段とを有することを特徴とするパターン形成
装置。 - 【請求項2】 上記薄膜形成手段は、真空蒸着装置であ
ることを特徴とする請求項1記載のパターン形成装置。 - 【請求項3】 上記基体搬送手段はステージであり、平
板状の基体を走行させることを特徴とする請求項1記載
のパターン形成装置。 - 【請求項4】 上記マスクと上記基体との位置決めを行
う位置決め手段を有することを特徴とする請求項1記載
のパターン形成装置。 - 【請求項5】 上記基体搬送手段及び上記マスク搬送手
段は、回転自在なシリンダ状であり、 上記基体搬送手段及び上記マスク搬送手段は、可撓性を
有する基体及び可撓性を有するマスクを、この順に外周
面に巻き付けた状態で走行させることを特徴とする請求
項1記載のパターン形成装置。 - 【請求項6】 上記基体搬送手段及び上記マスク搬送手
段は周面にスプロケットガイドを有し、且つ上記マスク
は上記スプロケットガイドと対応するスプロケットガイ
ド孔を有することを特徴とする請求項5記載のパターン
形成装置。 - 【請求項7】 上記マスク搬送手段は、回転自在なシリ
ンダ状であり、可撓性を有するマスクを外周面に巻き付
けた状態で走行させながら、上記薄膜形成手段から外周
面に被着された所定の形状の材料を基体に転写すること
を特徴とする請求項1記載のパターン形成装置。 - 【請求項8】 上記材料として有機材料を用いることを
特徴とする請求項1記載のパターン形成装置。 - 【請求項9】 上記有機材料として有機エレクトロルミ
ネッセンス材料を用いることを特徴とする請求項8記載
のパターン形成装置。 - 【請求項10】 基体と長尺状のマスクとを同期して連
続走行させながら、上記マスクの開口部を通して、材料
を上記基体上に所定の形状にて被着させることを特徴と
するパターン形成方法。 - 【請求項11】 上記基体と上記マスクとを、シリンダ
の外周面に巻き付けた状態で連続走行させることを特徴
とする請求項10記載のパターン形成方法。 - 【請求項12】 上記マスクの開口部を通して上記材料
をシリンダの外周面に所定の形状にて被着させながら、
上記シリンダの外周面に被着された材料を上記基体上に
転写することを特徴とする請求項10記載のパターン形
成方法。 - 【請求項13】 上記材料として有機材料を用いること
を特徴とする請求項10記載のパターン形成方法。 - 【請求項14】 上記有機材料として有機エレクトロル
ミネッセンス材料を用いることを特徴とする請求項13
記載のパターン形成方法。 - 【請求項15】 基体上に所定のパターンで材料を被着
させるパターン形成装置であって、 基体を支持して連続走行させる基体搬送手段と、 上記基体搬送手段に支持された基体と外周面とが当接す
るように配され、上記基体搬送手段と同期して回転する
転写シリンダと、 マスクの開口部を通して上記転写シリンダの外周面に所
定のパターンで材料を被着させる薄膜形成手段と、 上記薄膜形成手段と上記転写シリンダとの間にマスクを
支持可能なマスク支持手段とを有し、 上記転写シリンダは、マスクの開口部を通して外周面に
被着された材料を、基体に順次転写することを特徴とす
るパターン形成装置。 - 【請求項16】 上記マスク支持手段は、マスクを固定
することを特徴とする請求項15記載のパターン形成装
置。 - 【請求項17】 上記薄膜形成手段は、真空蒸着装置で
あることを特徴とする請求項15記載のパターン形成装
置。 - 【請求項18】 上記基体搬送手段はステージであり、
平板状の基体を走行させることを特徴とする請求項15
記載のパターン形成装置。 - 【請求項19】 上記転写シリンダは、可撓性を有する
マスクを外周面に巻き付けるとともに、上記転写シリン
ダの回転に同期してマスクを走行させることを特徴とす
る請求項15記載のパターン形成装置。 - 【請求項20】 上記転写シリンダはスプロケットガイ
ドを有し、且つ上記マスクは上記スプロケットガイドと
対応するスプロケットガイド孔を有することを特徴とす
る請求項15記載のパターン形成装置。 - 【請求項21】 上記材料として有機材料を用いること
を特徴とする請求項15記載のパターン形成装置。 - 【請求項22】 上記有機材料として有機エレクトロル
ミネッセンス材料を用いることを特徴とする請求項21
記載のパターン形成装置。 - 【請求項23】 マスクの開口部を通して回転するシリ
ンダの外周面に材料を所定の形状にて被着させながら、
上記シリンダの回転と同期して走行する基体上に、上記
シリンダの外周面に被着された材料を転写することを特
徴とするパターン形成方法。 - 【請求項24】 上記マスクを固定した状態とすること
を特徴とする請求項23記載のパターン形成方法。 - 【請求項25】 上記マスクを上記シリンダに巻き付け
ながら走行させることを特徴とする請求項23記載のパ
ターン形成方法。 - 【請求項26】 上記材料として有機材料を用いること
を特徴とする請求項23記載のパターン形成方法。 - 【請求項27】 上記有機材料として有機エレクトロル
ミネッセンス材料を用いることを特徴とする請求項26
記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001325583A JP2003133067A (ja) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001325583A JP2003133067A (ja) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003133067A true JP2003133067A (ja) | 2003-05-09 |
Family
ID=19142122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001325583A Withdrawn JP2003133067A (ja) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003133067A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7186439B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing organic electroluminescent display |
US20120171359A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-05 | Nitto Denko Corporation | Organic el device manufacturing method and apparatus |
WO2012093627A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
CN103283307A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-09-04 | 日东电工株式会社 | 有机el元件的制造方法和制造装置 |
WO2016047349A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-10-23 JP JP2001325583A patent/JP2003133067A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7186439B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing organic electroluminescent display |
US20120171359A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-07-05 | Nitto Denko Corporation | Organic el device manufacturing method and apparatus |
JP2012134043A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Nitto Denko Corp | 有機el素子の製造方法及び製造装置 |
CN102610763A (zh) * | 2010-12-22 | 2012-07-25 | 日东电工株式会社 | 有机el元件的制造方法和制造装置 |
US8859032B2 (en) | 2010-12-22 | 2014-10-14 | Nitto Denko Corporation | Organic el device manufacturing method and apparatus |
WO2012093627A1 (ja) * | 2011-01-07 | 2012-07-12 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
CN103282540A (zh) * | 2011-01-07 | 2013-09-04 | 夏普株式会社 | 蒸镀装置和蒸镀方法 |
JP5319024B2 (ja) * | 2011-01-07 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
US8628620B2 (en) | 2011-01-07 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device and vapor deposition method |
CN103283307A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-09-04 | 日东电工株式会社 | 有机el元件的制造方法和制造装置 |
EP2701465A4 (en) * | 2011-12-27 | 2015-08-05 | Nitto Denko Corp | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT |
WO2016047349A1 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-03-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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---|---|---|---|
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