TWI527145B - Guide member, substrate, substrate cassette, substrate processing device, guide connecting method, manufacturing method of display element, and manufacturing device of display element - Google Patents

Description

導頭構件、基板、基板匣、基板處理裝置、導頭連接方法、顯示元件之製造方法及顯示元件之製造裝置

本發明係關於導頭構件、基板、基板匣、基板處理裝置、導頭連接方法、顯示元件之製造方法及顯示元件之製造裝置。

作為構成顯示器裝置等顯示裝置之顯示元件，已知有例如有機電致發光(有機EL)元件。有機EL元件，係於基板上具有陽極及陰極且具有夾於此等陽極與陰極間之有機發光層之構成。有機EL元件，係從陽極往有機發光層注入電洞而在有機發光層使電洞與電子結合，藉由該結合時之發出之光而得到顯示光。有機EL元件，係於基板上形成有例如連接於陽極及陰極之電路等。

作為製作有機EL元件之方法之一，已知有例如被稱為捲軸對捲軸方式(roll to roll)(以下僅標記為「捲軸方式」)之方法(參照例如專利文獻1)。捲軸方式，係送出捲繞於基板供給側之滾筒之一片片狀基板且一邊以基板回收側之滾筒捲取被送出之基板一邊搬送基板，在基板被送出後至被捲取之期間，將構成有機EL元件之發光層或陽極、陰極、電路等依序形成於基板上之方法。

專利文獻1記載之構成，例如係基板送出用滾筒及基板捲取用滾筒能自生產線卸除之構成。已卸除之滾筒例如被搬送至另一生產線，而能安裝於該另一生產線來使用。該構成中，係在滾筒與生產線之間頻繁地進行基板之移交、且頻繁地進行在生產線內之基板之移交。

[先行技術文獻]

[專利文獻1]國際公開第2006/100868號小冊子

然而，上述構成中，並未安排例如在滾筒/生產線間之搬送或生產線內之滾筒間之搬送等之對策，以基板之搬送精度之觀點而言係有問題。

有鑑於如上述情事，本發明之目的在於使基板搬送精度提升。

根據本發明之第1態樣，提供一種導頭構件，其具備：連接於基板之連接部；以及至少用於上述基板與上述連接部之間之對齊之位置基準部。

根據本發明之第2態樣，提供一種基板，其具備：搬送於既定方向之基板本體；以及連接於該基板本體之端部之導頭；使用本發明之導頭構件作為該導頭。

根據本發明之第3態樣，提供一種基板匣，其具備收容基板之匣本體；收容本發明之基板作為基板。

根據本發明之第4態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：處理基板之基板處理部；將基板搬入該基板處理部之基板搬入部；以及從該基板處理部搬出基板之基板搬出部；使用本發明之基板匣作為基板搬入部及基板搬出部中之至少一方。

根據本發明之第5態樣，提供一種導頭連接方法，係使導頭構件連接於基板，其包含：使基板與導頭構件之位置一致之對齊步驟；以及在該對齊步驟之後連接基板與導頭構件之連接步驟。

根據本發明之第6態樣，提供一種顯示元件之製造方法，其具有：在基板處理部處理基板之步驟；使用本發明之導頭構件將該基板供給至該基板處理部之步驟。

根據本發明之第7態樣，提供一種顯示元件之製造裝置，其具備：搬送連接於基板之本發明之導頭構件之搬送單元；以及處理該基板之基板處理部。

根據本發明能使基板之搬送精度提升。

[第1實施形態]

以下，參照圖式說明本發明之第1實施形態。

(膜基板、導頭構件)

圖1係顯示膜基板FB之構成之俯視圖。圖1係顯示膜基板FB之俯視構成之圖，圖2係顯示膜基板FB之剖面構成之圖。

如圖1及圖2所示，膜基板(基板)FB具有導頭構件(標頭構件)LDR及膜(基板本體)F，係導頭構件LDR與膜F貼附而連接之構成。

導頭構件LDR係在俯視下形成為大致矩形之片狀構件。作為構成導頭構件LDR之材料，可舉出例如不鏽鋼或塑膠等。於導頭構件LDR之沿一邊(圖中左側之邊)200a之區域形成有段部201。段部201形成於導頭構件LDR之例如一方之面(圖2之下面)200b。導頭構件LDR中形成有段部201之部分較其他部分薄。

膜基板FB，係導頭構件LDR之段部201例如藉由熱熔接或透過接著劑貼附於膜F之端部Fa之構成。如此，導頭構件LDR之段部201作為連接於具有可撓性之膜F之連接部使用。導頭構件LDR被貼附成在邊200a之延伸方向從膜F稍微突出。因此，在邊200a之延伸方向，膜F之端部整體被導頭構件LDR覆蓋。

本實施形態中，作為導頭構件LDR之連接對象之膜F，可舉出例如具有可撓性且捲成捲軸狀來使用之帶狀膜等。作為此種膜之構成材料，可使用例如耐熱性之樹脂膜、不鏽鋼等。例如，樹脂膜可使用聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯－乙烯醇共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯樹脂等材料。膜F之短邊方向(圖1之上下方向)之尺寸形成為例如1m～2m左右，長邊方向(圖1之左右方向)之尺寸形成為例如10m以上。圖1及圖2中，雖顯示於膜F之長邊方向之一端連接有導頭構件LDR之構成，但本實施形態中，實際上係於膜F之長邊方向兩端分別連接有導頭構件LDR之構成。此外，上述之尺寸不過為一例，並非限定於此。例如膜基板FB之Y方向之尺寸亦可為50cm以下，亦可為2m以上。又，膜基板FB之X方向之尺寸亦可為10m以下。又，本實施形態之可撓性，係指即使例如對基板施加至少自重程度之既定之力亦不會產生剪斷或破壞，能彎曲該基板之性質。上述可撓性會隨該基板之材質、大小、厚度、或溫度等環境等而變化。

膜F最好係熱膨脹係數較小，以使即使承受例如200℃左右之熱，尺寸亦不會改變。例如，可將無機填料混合於樹脂膜以縮小熱膨脹係數。作為無機填料之例，可舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。

本實施形態之導頭構件LDR形成為剛性較膜F高。作為此種構成之具體例，可舉出例如將導頭構件LDR之厚度形成為較膜F之厚度厚之構成、或使用剛性較膜F之構成材料高之材料作為導頭構件LDR之構成材料之構成等。本實施形態中，如圖2所示，導頭構件LDR之厚度t1形成為較膜F之厚度t2厚。

藉由使導頭構件LDR之剛性高於膜F之剛性，以支承例如膜F之端部Fa。藉此，在搬送膜F或進行捲取或送出之情形等處理膜F之情形，可保護膜F之端部Fa不彎折或變形等。

如圖2所示，於段部201貼附有膜F之狀態下，例如膜F之圖中下面(面Fc)與導頭構件LDR之圖中下面(面200b)成為大致同一面狀態。為了得到此種構成，例如只要預先求出膜F之厚度(使用接著劑時則進一步求出接著劑之厚度)t2，並將該段部201形成為該厚度t2與段部201之高度成為相等即可。以如本實施形態在導頭構件LDR與膜F成為大致同一面狀態之構成，例如將膜基板FB載置於平坦之台上時可無間隙地載置。

如圖1所示，於導頭構件LDR中之段部201之附近，設有在與膜F之間作為對齊之基準之位置基準部202。此位置基準部202，在本實施形態中形成為例如矩形標記(圖中為三條線)。位置基準部202，例如於導頭構件LDR中對向之邊200c及邊200d之緣部分各設有一個。

相對此位置基準部202，於膜F形成有膜側位置基準部Fd。膜側位置基準部Fd例如形成為與位置基準部202為相同之標記(三條線之標記)。膜側位置基準部Fd例如於膜F之短邊方向兩端各設有一個。兩個膜側位置基準部Fd間之該短邊方向之距離，與在同一方向之兩個位置基準部202間之距離相等。本實施形態中，藉由使設於導頭構件LDR之位置基準部202之位置與設於膜F之膜側位置基準部Fd之位置一致，以使在導頭構件LDR與膜F之間位置一致。因此，導頭構件LDR與膜F之間之對齊能高精度地進行。

於導頭構件LDR中例如在俯視下從段部201偏離之位置設有複數個開口部203。複數個開口部203配置成與形成有段部201之邊200a之延伸方向相同之方向。複數個開口部203例如相隔一定間隔配置。例如保持導頭構件LDR之搬送構件等之一部分係插入各開口部203而被掛持。因此，能容易地搬送導頭構件LDR。此外，作為使易搬送導頭構件LDR之構成不限於複數個開口部203，亦可係開口部203僅一個之構成。又，開口部203之形狀不限於如圖1所示之矩形，亦可係圓形或三角形、多角形、其他形狀。又，亦可將開口部203作為上述位置基準部202使用。

又，不限於將開口部203設於導頭構件LDR之構成，亦可例如係設有不貫通導頭構件LDR之表裡之凹部之構成。在形成有凹部之情形下，亦能掛持搬送構件等之一部分。又，亦可為於導頭構件LDR中形成有段部201之邊200a以外之邊形成缺口部之構成。在此情形下，亦能將搬送構件等之一部分掛持於該缺口部。

於導頭構件LDR中例如位置基準部202與開口部203之間之區域設有資訊保存部204。於資訊保存部204形成有例如圖1所示之一維條碼圖案等。條碼圖案係例如可藉由外部之條碼檢測裝置檢測出之圖案。作為條碼圖案所含之資訊，可舉出例如導頭構件LDR之ID或與導頭構件LDR之連接對象之膜F相關之資訊(例如對膜F之加工資訊、膜F之長度、膜F之材質等規格值等)等。本實施形態中，雖例如資訊保存部204設於導頭構件LDR中對向之邊200c及邊200d各自之緣部分，但並不限於此，例如亦可為於導頭構件LDR之其他位置(例如中央部等)形成有資訊保存部204之構成。又，資訊保存部204不限於如圖1所示之具有一維條碼圖案之構成，例如亦可係具有二維條碼圖案之構成、埋入有IC旗標等之構成、形成有儲存元件之圖案之構成。又，不限於資訊保存部204設於兩處之構成，例如亦可係資訊保存部204設於一處或三處以上之構成。

(基板匣)

其次，說明收容上述膜基板FB之基板匣之構成。以下說明中，為了說明方便，係設定XYZ正交座標系統，並參照此XYZ座標系統說明各構件之位置關係。

圖3係顯示本實施形態之基板匣1之構成之立體圖。圖4係顯示沿圖3之A－A’剖面之構成之圖。如圖3及圖4所示，基板匣1具有匣本體2及座部3。

匣本體2係收容膜基板FB之部分。如圖4所示，匣本體2具有收容部20、基板搬送部(搬送機構)21、基板導引部22、第2基板搬送部36及第2基板導引部37。又，上述座部3設於匣本體2。又，例如匣本體2係鋁製或杜拉鋁製等。

如圖3及圖4所示，收容部20係收容膜基板FB之部分。收容部20，以能收容捲取成例如捲軸狀之膜基板FB之方式形成為圓筒狀，設置成一部分往+X側突出(突出部23)。本實施形態中，以延伸於圖中Y方向之狀態配置。收容部20具有蓋部25及基板驅動機構24。

蓋部25設於收容部20之+Y側端部或－Y側端部。蓋部25設置成能對收容部20拆裝。藉由使蓋部25對收容部20拆裝，而能對收容部20內部直接處理。作為蓋部25之開關機構，例如亦可係於蓋部25及收容部20設有彼此卡合之螺紋之構成，亦可為藉由鉸鏈機構連接蓋部25與收容部20之構成。

基板驅動機構24係進行捲取膜基板FB之動作及送出膜基板FB之動作之部分。基板驅動機構24設於收容部20之內部。基板驅動機構24具有滾筒部(軸部)26及導引部27。滾筒部26如圖4所示，具有旋轉軸構件26a、擴徑部26b及圓筒部26c。

旋轉軸構件26a係由例如鋁等剛性高之金屬形成之圓柱狀構件。旋轉軸構件26a例如被設於蓋部25中央部之開口部25a及軸承構件25b支承成能旋轉。此情形下，旋轉軸構件26a之中心軸成為平行於例如Y方向之狀態，旋轉軸構件26a旋轉於θY方向。

旋轉軸構件26a連接於未圖示之旋轉驅動機構。藉由旋轉驅動機構之驅動控制，旋轉軸構件26a以中心軸為中心旋轉。旋轉驅動機構如圖4所示，能使旋轉軸構件26a往例如+θY方向及－θY方向之任一方向旋轉。

擴徑部26b係於旋轉軸構件26a之表面以均一厚度形成。擴徑部26b形成為與旋轉軸構件26a一體旋轉。圓筒部26c在剖面視下於擴徑部26b之表面以均一厚度形成。圓筒部26c接著成覆蓋擴徑部26b之周圍。因此，圓筒部26c係與旋轉軸構件26a及擴徑部26b一體旋轉。

圖5(a)係顯示滾筒部26之構成之立體圖，圖5(b)係放大顯示滾筒部26之構成之剖面圖。如圖5(a)及圖5(b)所示，圓筒部26c於內徑部分具有凹部26e。凹部26e，從例如圓筒部26c之旋轉軸方向(圖中Y方向)之一端至另一端沿該旋轉軸方向形成。於圓筒部26c中設有凹部26e之部分之外面側設有開口部26d。開口部26d沿旋轉軸方向配置有複數個。本實施形態中，開口部26d例如設於與設於膜基板FB之導頭構件LDR之開口部203對應之位置。開口部26d之數目雖最好設為與導頭構件LDR之開口部203之數目一致，但當然亦可為不與開口部203之數目一致之構成。

於凹部26e設有插入並卡合於導頭構件LDR之該開口部203之卡合機構28。卡合機構28具有爪構件28a及按壓構件28b。爪構件28a設成可對開口部26d插脫。按壓構件28b係按壓該爪構件28a以使爪構件28a從開口部26d突出至圓筒部26c之外面上之彈性構件。按壓構件28b藉由對爪構件28a使力作用於內徑側而彈性變形。爪構件28a，藉由該按壓構件28b之彈性變形而收容於開口部26d內。

本實施形態中，在未捲附膜基板FB時，爪構件28a係藉由按壓構件28b而成為突出至圓筒部26c之外面上之狀態。圓筒部26c係使用具有使膜基板FB接著之程度之粘著性之材料形成。

又，如圖4所示，導引部27具有旋動構件(第1導引構件)27a及前端構件(第1導引構件)27b。旋動構件27a例如一端透過軸部27c而安裝於收容部20，設成能以該軸部27c為中心旋動於θY方向。旋動構件27a連接於未圖示之旋轉驅動機構。

前端構件27b在剖面視下連接於旋動構件27a之另一端。前端構件27b形成為具有在剖面視下為圓弧狀之曲面。膜基板FB，係透過設於前端構件27b之該剖面視圓弧狀之+Z側曲面被往滾筒部26導引。前端構件27b與旋動構件27a一體旋動。當例如旋動構件27a往從滾筒部26遠離之方向(滾筒部26之徑方向之外側方向)旋動時，係沿收容部20之內周抵接。因此，可避免前端構件27b與被滾筒部26捲取之膜基板FB之間之接觸。

座部3係連接於基板處理部102之部分。座部3例如設於設在收容部20之突出部23之+X側端部。座部3具有用以與基板處理部102連接之插入部3a。在基板匣1作為基板供給部101使用時，座部3係連接於基板處理部102之供給側連接部102A。在基板匣1作為基板回收部103使用時，座部3係連接於基板處理部102之回收側連接部102B。座部3不論連接於基板處理部102之基板供給部101及基板回收部103之任一者，均連接成可拆裝。

於座部3設有開口部34及第2開口部35。開口部34係設於+Z側之開口部，係在與匣本體2之間膜基板FB進出之部分。於匣本體2收容經由該開口部34之膜基板FB。收容於匣本體2之膜基板FB係經由該開口部34送出至匣本體2外部。

第2開口部35係設於－Z側之開口部，係在與匣本體2之間與膜基板FB不同之帶狀第2基板SB進出之部分。作為此種第2基板SB，可舉出例如保護膜基板FB之元件形成面之保護基板等。作為保護基板可使用例如襯紙等。第2開口部35例如與開口部34相隔間隔配置。第2開口部35例如形成為與開口部34相同之尺寸及形狀。又，作為本實施形態之第2基板SB，亦可使用不鏽鋼之薄板(例如厚度為0.1mm以下等)等具有導電性之材質。此情形下，第2基板SB與膜基板FB一起收容於匣本體2時，若使第2基板SB電氣連接於匣本體2，即能防止片基板FB之帶電。

如圖4所示，基板搬送部21、基板導引部22、第2基板搬送部36及第2基板導引部37，例如設於突出部23之內部。基板導引部22設於開口部34與基板搬送部21之間。基板導引部22係在開口部34與基板搬送部21之間導引膜基板FB之部分。基板導引部22具有基板用導引構件22a及22b。基板用導引構件22a及22b係於Z方向相隔間隙22c對向配置，設成對向面分別大致平行於XY平面。該間隙22c連接於開口部34，膜基板FB係在開口部34及間隙22c移動。

第2基板導引部37係在座部3與基板搬送部21之間導引第2基板SB之部分。第2基板導引部37具有第2基板用導引構件37a、37b及37c。第2基板用導引構件37a及37b係於Z方向相隔間隙37d對向配置，設成對向面分別大致平行於XY平面。第2基板用導引構件37c傾斜配置成將第2基板SB往+Z側導引。具體而言，係以第2基板用導引構件37c之－X側端部相對+X側端部往+Z側傾斜之狀態配置。

第2基板搬送部36，在座部3與基板搬送部21之間搬送第2基板SB。第2基板搬送部36配置於第2基板用導引構件37a及37b與第2基板用導引構件37c之間。第2基板搬送部36具有主動滾筒36a及從動滾筒36b。主動滾筒36a設成可旋轉於例如θY方向，連接於未圖示之旋轉驅動機構。從動滾筒36b於與主動滾筒36a之間相隔間隙配置成在與主動滾筒36a之間夾持第2基板SB。

基板搬送部21係在座部3與收容部20之間搬送膜基板FB及第2基板SB。基板搬送部21具有張力滾筒(張力機構)21a及測定滾筒(測定部)21b。張力滾筒21a係在與滾筒部26之間對膜基板FB及第2基板SB賦予張力之滾筒。張力滾筒21a設成能旋轉於θY方向。於張力滾筒21a例如連接有未圖示之旋轉驅動機構。此外，張力滾筒21a及測定滾筒21b亦可設成能分別移動於圖4之Z方向。

測定滾筒21b係具有較張力滾筒21a小之徑之滾筒。測定滾筒21b，於與張力滾筒21a之間相隔既定間隙配置成能在與張力滾筒21a之間夾持膜基板FB及第2基板SB。亦可為可調整測定滾筒21b與張力滾筒21a之間之間隙大小，以僅夾持膜基板FB或一併夾持膜基板FB及第2基板SB之構成。測定滾筒21b係隨著張力滾筒21a之旋轉而旋轉之從動滾筒。

藉由在在張力滾筒21a與測定滾筒21b之間夾持膜基板FB之狀態下使張力滾筒21a旋轉，能一邊對膜基板FB賦予張力，一邊分別將膜基板FB往該膜基板FB之捲取方向及送出方向搬送。

基板搬送部21具有檢測出例如測定滾筒21b之轉速或旋轉角度之檢測部21c。作為該檢測部21c能使用例如編碼器等。藉由該檢測部21c，而例如能測量透過測定滾筒21b之膜基板FB之搬送距離等。

在例如透過開口部34插入膜基板FB，透過第2開口部35插入第2基板SB之情形，膜基板FB及第2基板SB，藉由分別以基板導引部22及第2基板導引部37導引，而在匯合部39匯合。在匯合部39匯合之膜基板FB及第2基板SB，在匯合之狀態下被基板搬送部21搬送。此時，基板搬送部21係按壓膜基板FB與第2基板SB並使緊貼。因此，基板搬送部21係兼作將第2基板SB往膜基板FB按壓之按壓機構。

(有機EL元件、基板處理裝置)

其次，說明有機EL元件之構成作為使用上述膜基板FB製造之元件之例。圖6(a)係顯示有機EL元件構成之俯視圖。圖6(b)係圖6(a)之B－B′剖面圖。圖6(c)係圖6(a)之C－C′剖面圖。

如圖6(a)～圖6(c)所示，有機EL元件50係於膜基板FB形成閘極電極G及閘極絕緣層I、進而形成源極電極S、汲極電極D及像素電極P後形成有有機半導體層OS之底接觸型。

如圖6(b)所示，於閘極電極G上形成有閘極絕緣層I。於閘極絕緣層I上形成源極匯流排線SBL之源極電極S，且形成有與像素電極P連接之汲極電極D。於源極電極S與汲極電極D之間形成有有機半導體層OS。如此即完成場效型電晶體。又，於像素電極P上，如圖6(b)及圖6(c)所示形成發光層IR，於該發光層IR形成透明電極ITO。

由圖6(b)及圖6(c)可理解，於膜基板FB形成有分隔壁BA(堤層(BANK LAYER))。又，如圖6(c)所示，源極匯流排線SBL形成於分隔壁BA間。如上述，藉由存在分隔壁BA，以高精度地形成源極匯流排線SBL，且像素電極P及發光層IR亦正確地形成。此外，雖在圖6(b)及圖6(c)未顯示，但閘極匯流排線GBL亦與源極匯流排線SBL同樣地形成於分隔壁BA間。

此有機EL元件50非常合適用於以例如顯示器裝置等顯示裝置為首之電子機器之顯示部等。此情形下，係使用例如將有機EL元件50形成為面板狀者。此種有機EL元件50之製造，需形成形成有薄膜電晶體(TFT)、像素電極之基板。為了於該基板上之像素電極上精度良好地形成包含發光層之一層以上之有機化合物層(發光元件層)，需於像素電極之邊界區域容易且精度良好地形成分隔壁BA(堤層)。

圖7係顯示基板處理裝置100構成之概略圖。

基板處理裝置100係使用上述膜基板FB形成圖6所示之有機EL元件50之裝置。如圖7所示，基板處理裝置100具有基板供給部101、基板處理部102、基板回收部103及控制部104。於膜F連接有導頭構件LDR之膜基板FB，係從基板供給部101經由基板處理部102往基板回收部103被自動地搬送。又，該膜基板FB係在例如基板處理裝置100之各處理部(例如電極形成部92、發光層形成部93等)之間被自動地搬送。基板處理裝置100藉由使用膜基板FB之導頭構件LDR，而能高精度地或容易地搬送膜基板FB。控制部104統籌控制基板處理裝置100之動作。

以下說明中，參照與在圖3至圖5使用之XYZ正交座標系統共通之座標系統說明各構件之位置關係。此外，XYZ正交座標系統，水平面內之中膜基板FB之搬送方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、與X軸方向及Y軸方向各自正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。又，繞X軸、Y軸、以及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY、以及θZ方向。

基板供給部101連接於設於基板處理部102之供給側連接部102A。基板供給部101將例如捲成捲軸狀之膜基板FB往基板處理部102供給。基板回收部103，回收在基板處理部102處理後之膜基板FB。作為基板供給部101及基板回收部103使用例如上述之基板匣1。

圖8係顯示基板處理部102之構成之圖。

如圖8所示，基板處理部102具有搬送單元105、元件形成部106、對準部107、基板切斷部108、導頭構件貼附裝置300及資訊檢測裝置400。基板處理部102，係一邊搬送從基板供給部101供給之膜基板FB，一邊於該膜基板FB形成上述之有機EL元件50之各構成要素，將形成有有機EL元件50之膜基板FB往基板回收部103送出之部分。

搬送單元105具有配置於沿X方向之位置之複數個滾筒RR(搬送部)。藉由滾筒RR旋轉亦可將膜基板FB搬送於X軸方向。滾筒RR可係從兩面夾入膜基板FB之橡膠滾筒，膜基板FB只要係具有穿孔者亦可係具有棘輪之滾筒RR。此等滾筒RR中之一部分滾筒RR可移動於與搬送方向正交之Y軸方向。此外，搬送單元105不限定於滾筒RR，亦可係例如具有能空氣吸附至少導頭構件LDR之複數個皮帶輸送機(搬送部)之構成。

元件形成部106具有分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93。分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93，係從膜基板FB之搬送方向上游側往下游側依此順序配置。以下，依序說明元件形成部106之各構成。

分隔壁形成部91具有壓印滾筒110及熱轉印滾筒115。分隔壁形成部91係對從基板供給部101送出之膜基板FB形成分隔壁BA。在分隔壁形成部91以壓印滾筒110按壓膜基板FB，且以熱轉印滾筒115將膜基板FB加熱至玻璃轉移點以上以使按壓後之分隔壁BA保持形狀。因此，形成於壓印滾筒110之滾筒表面之模形狀轉印至膜基板FB。膜基板FB被熱轉印滾筒115加熱至例如200℃左右。此外，壓印滾筒110及熱轉印滾筒115亦可具有作為上述搬送單元105之搬送部之功能。又，上述搬送部，亦可構成為可對應導頭構件LDR之搬送方向之長度，移動於至少導頭構件LDR之搬送方向(X方向)。

壓印滾筒110之滾筒表面作成鏡面，於其滾筒表面安裝有以SiC、Ta等材料構成之微細壓印用模111。微細壓印用模111係形成薄膜電晶體之配線用壓模及彩色濾光器用壓模。

壓印滾筒110係使用微細壓印用模111於膜基板FB形成對準標記AM。由於於膜基板FB之寬度方向即Y軸方向之兩側形成對準標記AM，因此微細壓印用模111具有對準標記AM用之壓模。

電極形成部92設於分隔壁形成部91之+X側，形成使用了例如有機半導體之薄膜電晶體。具體而言，在形成如以圖6所示之閘極電極G、閘極絕緣層I、源極電極S、汲極電極D及像素電極P後，形成有機半導體層OS。

作為薄膜電晶體(TFT)，可係無機半導體系者或使用了有機半導體者。無機半導體之薄膜電晶體已知有非晶矽系者，但亦可係使用了有機半導體之薄膜電晶體。只要使用此有機半導體構成薄膜電晶體，即能活用印刷技術或液滴塗布法技術形成薄膜電晶體。又，使用了有機半導體之薄膜電晶體中，如以圖6所示之場效型電晶體(FET)特別理想。

電極形成部92具有液滴塗布裝置120與熱處理裝置BK、切斷裝置130等。

本實施形態中，作為液滴塗布裝置120，係使用例如在形成閘極電極G時使用之液滴塗布裝置120G、在形成閘極絕緣層I時使用之液滴塗布裝置120I、在形成源極電極S、汲極電極D及像素電極P時使用之液滴塗布裝置120SD、在形成有機半導體層OS時使用之液滴塗布裝置120OS等。

圖9係顯示液滴塗布裝置120之構成之俯視圖。圖9中，係顯示從+Z側觀看液滴塗布裝置120時之構成。液滴塗布裝置120於Y軸方向形成為較長。於液滴塗布裝置120設有未圖示之驅動裝置。液滴塗布裝置120可藉由該驅動裝置移動於例如X方向、Y方向及θZ方向。

於液滴塗布裝置120形成有複數個嘴122。嘴122設於液滴塗布裝置120中與膜基板FB之對向面。嘴122沿例如Y軸方向排列，例如形成有兩列該嘴122之列(嘴列)。控制部104可一次使液滴塗布於所有嘴122，亦可針對各嘴122個別調整塗布液滴之時點。

作為液滴塗布裝置120，能採用例如噴墨方式或分配器方式等。作為噴墨方式，可舉出帶電控制方式、加壓振動方式、電機轉換式、電熱轉換方式、靜電吸引方式等。液滴塗布法，使用材料之浪費較少且能將所欲量之材料確實地配置於所欲之位置。此外，藉由液滴塗布法塗布之金屬墨之一滴之量係例如1～300毫微克。

又，如圖8所示，液滴塗布裝置120G係於閘極匯流排線GBL之分隔壁BA內塗布金屬墨。液滴塗布裝置120I係於切換部塗布聚醯亞胺系樹脂或聚氨酯系樹脂之電氣絕緣性墨。液滴塗布裝置120SD係於源極匯流排線SBL之分隔壁BA內及像素電極P之分隔壁BA內塗布金屬墨。液滴塗布裝置120OS係於源極電極S與汲極電極D之間之切換部塗布有機半導體墨。

金屬墨係粒子徑為約5nm左右之導電體在室溫之溶劑中會穩定地分散之液體，作為導電體，可使用碳、銀(Ag)或金(Au)等。形成有機半導體墨之化合物，可係單結晶材料或非晶形材料，且可係低分子或高分子。作為形成有機半導體墨之化合物中特別理想者，可舉出稠五苯、聯伸三苯、蔥等所代表之縮環芳香族碳化氫化合物之單結晶或π共軛系高分子等。

熱處理裝置BK分別配置於各液滴塗布裝置120之+X側(基板搬送方向下游側)。熱處理裝置BK可對膜基板FB放射例如熱風或遠紅外線等。熱處理裝置BK係使用此等之放射熱，將塗布於膜基板FB之液滴乾燥或燒成(烘烤)而使硬化。

切斷裝置130設於液滴塗布裝置120SD之+X側且為液滴塗布裝置120OS之上游側。切斷裝置130係使用例如雷射光等切斷藉由液滴塗布裝置120SD形成之源極電極S與汲極電極D。切斷裝置130具有未圖示之光源與使來自該光源之雷射光照射於膜基板FB上之電流鏡131。

作為雷射光之種類，最好係對切斷之金屬膜會吸收之波長之雷射，波長轉換雷射中，YAG等之2,3,4倍諧波較佳。又，藉由使用脈衝型雷射能防止熱擴散，減低切斷部以外之損傷。材料為鋁時，最好係760nm波長之飛秒雷射。

本實施形態中，係使用例如使用了鈦藍寶石雷射作為光源之飛秒雷射照射部。該飛秒雷射照射部，係以例如10KHz～40KHz之脈衝照射雷射光LL。

本實施形態中，由於使用飛秒雷射，因此能進行次微秒級之加工，能正確地切斷決定場效型電晶體之性能之源極電極S與汲極電極D之間隔。源極電極S與汲極電極D之間隔係例如3μm左右～30μm左右。

除了上述之飛秒雷射以外，亦能使用例如碳酸氣體雷射或綠光雷射等。又，除了雷射以外，亦能為以切割鋸等以機械方式切斷之構成。

電流鏡131配置於雷射光LL之光路。電流鏡131係使來自光源之雷射光LL反射至膜基板FB上。電流鏡131設成可旋轉於例如θX方向、θY方向及θZ方向。藉由電流鏡131旋轉，雷射光LL之照射位置會變化。

藉由使用上述之分隔壁形成部91及電極形成部92之兩方，即使不使用所謂微影製程，亦能活用印刷技術或液滴塗布法技術來形成薄膜電晶體等。在僅使用採用例如印刷技術或液滴塗布法技術等之電極形成部92時，有時會因墨之滲透或擴開而無法精度良好地形成薄膜電晶體等。

相對於此，由於藉由使用分隔壁形成部91來形成分隔壁BA，因此可防止墨之滲透或擴開。又，決定薄膜電晶體之性能之源極電極S與汲極電極D之間隔，係藉由雷射加工或機械加工而形成。

發光層形成部93配置於電極形成部92之+X側。發光層形成部93係於形成有電極之膜基板FB上形成例如有機EL裝置之構成要素即發光層IR或像素電極ITO等。發光層形成部93具有液滴塗布裝置140及熱處理裝置BK。

以發光層形成部93形成之發光層IR，含有主化合物與磷光性化合物(亦稱為磷光發光性化合物)。所謂主化合物係於發光層含有之化合物。磷光性化合物係來自激發三重態之發光被觀測之化合物，在室溫下發出磷光。

本實施形態中，作為液滴塗布裝置140係使用例如形成紅色發光層之液滴塗布裝置140Re、形成綠色發光層之液滴塗布裝置140Gr、形成藍色發光層之液滴塗布裝置140B1、形成絕緣層之液滴塗布裝置140I及形成像素電極ITO之液滴塗布裝置140IT等。

作為液滴塗布裝置140可與上述液滴塗布裝置120同樣地採用噴墨方式或分配器方式等。在設置例如電洞輸送層及電子輸送層等作為有機EL元件50之構成要素時，係另外設置形成此等層之裝置(例如液滴塗布裝置等)。

液滴塗布裝置140Re係將R溶液塗布於像素電極P上。液滴塗布裝置140Re係調整R溶液之吐出量以使乾燥後之膜厚成為100nm。作為R溶液，可使用例如將主材之聚乙烯咔唑(PVK)加上紅摻雜材溶解於1,2-二氯乙烷中之溶液。

液滴塗布裝置140Gr係將G溶液塗布於像素電極P上。作為G溶液，可使用例如將主材PVK加上綠摻雜材溶解於1,2-二氯乙烷中之溶液。

液滴塗布裝置140B1係將B溶液塗布於像素電極P上。作為B溶液，可使用例如將主材PVK加上藍摻雜材溶解於1,2-二氯乙烷中之溶液。

液滴塗布裝置140I係於閘極匯流排線GBL或源極匯流排線SBL之一部分塗布電氣絕緣性墨。作為電氣絕緣性墨，可使用例如聚醯亞胺系樹脂或聚氨酯系樹脂之墨。

液滴塗布裝置140IT，係於紅色、綠色及藍色發光層上塗布ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)墨。作為ITO墨，可使用於氧化銦(In₂O₃)添加有數%之氧化錫(SnO₂)之化合物等。又，亦可使用IDIXO(In₂O₃-ZnO)等非晶質且能製作透明導電膜之材料。透明導電膜最好係透射率為90%以上。

熱處理裝置BK分別配置於各液滴塗布裝置140之+X側(基板搬送方向下游側)。熱處理裝置BK，與在電極形成部92使用之熱處理裝置BK同樣地，可對膜基板FB放射例如熱風或遠紅外線等。熱處理裝置BK係使用此等之放射熱，將塗布於膜基板FB之液滴乾燥或燒成(烘烤)而使硬化。

對準部107具有沿X方向設置之複數個對準攝影機CA(CA1～CA8)。對準攝影機CA可在可視光照明下以CCD或CMOS攝影，並處理該攝影影像而檢測出對準標記AM之位置，或亦可將雷射光照射於對準標記AM，即使接收其散射光亦可檢測出對準標記AM之位置。

對準攝影機CA1配置於熱轉印滾筒115之+X側。對準攝影機CA1係檢測出於膜基板FB上藉由熱轉印滾筒115形成之對準標記AM之位置。對準攝影機CA2～CA8分別配置於熱處理裝置BK之+X側。對準攝影機CA2～CA8係檢測出經過熱處理裝置BK之膜基板FB之對準標記AM之位置。

有時會因經過熱轉印滾筒115及熱處理裝置BK而使膜基板FB在X軸方向及Y軸方向伸縮。可藉由於如上述進行熱處理之熱轉印滾筒115之+X側或熱處理裝置BK之+X側配置對準攝影機CA，而能檢測出因熱變形等導致之膜基板FB之位置偏移。

對準攝影機CA1～CA8之檢測結果被發送至控制部104。控制部104根據對準攝影機CA1～CA8之檢測結果，進行例如液滴塗布裝置120或液滴塗布裝置140之墨之塗布位置與時點之調整、來自基板供給部101之膜基板FB之供給速度或滾筒RR之搬送速度之調整、滾筒RR之往Y方向移動之調整、切斷裝置130之切斷位置或時點等之調整。

導頭構件貼附裝置300，係例如切斷膜基板FB之膜F並於切斷部分貼附導頭構件LDR之裝置。導頭構件貼附裝置300於基板處理部102內設有一個或複數個。本實施形態中，於分隔壁形成部91與電極形成部92之間設有一個、於電極形成部92與發光層形成部93之間設有一個，共計設有兩個。

導頭構件貼附裝置300具有例如切斷膜F之切斷部、於膜F形成膜側位置基準部Fd之位置基準形成部、進行導頭構件LDR之位置基準部與膜F之膜側位置基準部Fd之對齊之對齊部等。

資訊檢測裝置400係例如檢測出上述導頭構件LDR之資訊保存部204所保存之資訊之裝置。被資訊檢測裝置400檢測出之資訊供給至例如控制部104。資訊檢測裝置400設於例如基板處理部102中分隔壁形成部91之上游側。藉由將資訊檢測裝置400配置於分隔壁形成部91之上游側，在基板處理部102對膜基板FB之實質上為最初之處理之分隔壁形成處理前與該膜基板FB相關之資訊即被供給至基板處理部102(或控制部104)。由於能在基板處理部102基於該資訊進行如分隔壁形成處理之各處理，因此可進行與膜基板FB之資訊對應之最佳處理。此外，資訊檢測裝置400之配置處，不限於分隔壁形成部91之上游側，只要係可讀取資訊保存部204所保存之資訊之位置，為基板處理部102內之哪一位置均可。在欲將資訊保存部204所保存之資訊活用於在基板處理部102內之處理時，最好係設於較基板處理部102更靠上游側。此外，本實施形態中，導頭構件貼附裝置300亦可係配置於較分隔壁形成部91上游之程序而於膜基板FB之既定部分貼附導頭構件LDR之裝置。

本實施形態中，在例如形成有一維條碼作為資訊保存部204時，係使用一維條碼讀取裝置作為資訊檢測裝置400。又，在形成有二維條碼作為資訊保存部204時，係使用二維條碼讀取裝置作為資訊檢測裝置400。同樣地，在形成有IC旗標或儲存元件之圖案作為資訊保存部204時，係使用能讀取此等所保存之資訊之裝置作為資訊檢測裝置400。當然，亦可使用具有可讀取複數種類(包含上述揭示之種類之至少一部分)之資訊之功能之裝置來作為資訊檢測裝置400。

(膜基板之製造動作)

其次，說明製造上述膜基板FB之步驟。圖10(a)～圖10(d)係顯示膜基板FB之製造步驟之圖。膜基板FB之製造係藉由例如具有與上述導頭構件貼附裝置300相同之構成之裝置進行。導頭構件LDR之貼附係在例如未圖示之載台上進行。圖10(a)～圖10(c)所示之虛線部分係導頭構件LDR之貼附預定位置。

首先，如圖10(a)所示，藉由例如搬送滾筒210等，使膜F配置成會通過導頭構件LDR之貼附預定位置。圖10(a)中，雖顯示例如將膜F從圖中右側搬送至左側之例，但搬送方向亦可係此方向之相反。

其次，如圖10(b)所示，在切斷膜F中導頭構件LDR之貼附預定位置之搬送方向上游側並於搬送滾筒210側之切片形成膜側位置基準部Fd後，將該膜F之端部Fa搬送至該搬送滾筒210側。又，從膜F切離之切片F0係固定於例如切斷時之位置。

其次，如圖10(c)所示，使膜F之端部Fa配置於連接位置。該連接位置為例如與導頭構件LDR之貼附預定位置之段部201對應之位置。於膜F之配置時，亦可例如一邊以對準攝影機CA300等檢測出形成於膜F之膜側位置基準部Fd、一邊調整位置。

其次，如圖10(d)所示，在膜F與導頭構件LDR之間進行對齊(對齊步驟)，在該對齊後將導頭構件LDR貼附於膜F而連接兩者(連接步驟)。

對齊步驟中，係使用設於膜F之膜側位置基準部Fd與設於導頭構件LDR之位置基準部202檢測出膜F之圖中上下方向及圖中左右方向之位置、與導頭構件LDR之圖中上下方向及圖中左右方向之位置(位置檢測步驟)，基於檢測出之位置調整導頭構件LDR之貼附位置。位置檢測步驟中，係使用例如對準攝影機CA300、CA301等檢測出膜側位置基準部Fd及位置基準部202之位置。於導頭構件LDR，在例如對齊步驟前先形成位置基準部202。

連接步驟中，例如圖10(d)所示，先使用熱壓接滾筒211等熱壓接膜F與導頭構件LDR。亦可預先於導頭構件LDR塗布熱熔接型之接著劑，藉由使該接著劑熔接以使膜F與導頭構件LDR連接。

此外，本實施形態中，由於膜F係對導頭構件LDR進行對齊，因此膜F中之形成有機EL元件50之區域(後述之元件形成區域60)係間接地對導頭構件LDR進行對齊。本實施形態中，由於導頭構件LDR係被搬送單元105高精度地搬送，因此膜F中之元件形成區域60係藉由導頭構件LDR被高精度地對齊。

(膜基板往基板匣之收容動作)

其次，說明於如上述構成之基板匣1收容膜基板FB之收容動作。圖11(a)及圖11(b)，係顯示收容動作時之基板匣1之狀態之圖。圖11(a)及圖11(b)中，為了容易判別圖，係以虛線顯示基板匣1之外形。

如圖11(a)所示，於基板匣1收容膜基板FB時，係在使基板匣1保持於保持具HD上之狀態下，將膜基板FB從開口部34插入。插入膜基板FB時，係先設為使張力滾筒21a及旋轉軸構件26a(滾筒部26)旋轉之狀態。

經由開口部34插入之膜基板FB，被基板導引部22往基板搬送部21導引。基板搬送部21中，膜基板FB係被夾於張力滾筒21a與測定滾筒21b之間而往收容部20側搬送。往收容部20側通過基板搬送部21之膜基板FB，一邊因自重而往－Z方向彎曲一邊被導引。本實施形態中，由於於膜基板FB之－Z側設有導引部27，因此膜基板FB係沿導引部27之旋動構件27a及前端構件27b被往滾筒部26導引。

在膜基板FB之前端到達滾筒部26之圓筒部26c後，從圓筒部26c突出之爪構件28a係插入設於膜基板FB之導頭構件LDR之開口部203內。由於在此狀態下滾筒部26之各部一體旋轉，因此係在爪構件28a卡合於導頭構件LDR之開口部203之狀態下膜基板FB被圓筒部26c捲取。

膜基板FB在對滾筒部26被捲取例如一旋轉之量後，如圖11(b)所示使導引部27退離。藉由在此狀態下使滾筒部26旋轉，膜基板FB即徐徐地被滾筒部26陸續捲取。被捲取之膜基板FB之厚度雖逐漸變厚，但由於導引部27已退離，因此膜基板FB與導引部27不會接觸。

又，膜基板FB徐徐地被滾筒部26陸續捲取，爪構件28a被已捲取之膜基板FB按壓往旋轉軸構件26a側。藉由此按壓力使按壓構件28b彈性變形，爪構件28a即被收容於凹部26e內。膜基板FB被捲取後，係以在滾筒部26與基板搬送部21之間膜基板FB不彎曲之方式，例如一邊調整張力滾筒21a之旋轉速度與旋轉軸構件26a之旋轉速度一邊搬送膜基板FB。在已捲取所欲長度之膜基板FB後，切斷例如膜基板FB中開口部34外側之部分。如此，於基板匣1收容膜基板FB。

(基板處理裝置之動作)

其次，說明如上述構成之基板處理裝置100之動作。

本實施形態中，係依序進行以收容有膜基板FB之基板匣1作為基板供給部101連接於供給側連接部102A之連接動作、由基板供給部101進行之基板匣1之膜基板FB之供給動作、基板處理部102之元件形成動作、基板匣1之卸除動作。

首先，說明基板匣1之連接動作。圖12係顯示基板匣1之連接動作之圖。

如圖12所示，關於供給側連接部102A，先將插入口形成為與座部3對應之形狀。

連接動作中，在使基板匣1保持於保持具(與例如圖11(a)所示之保持具HD相同之構成)之狀態下，進行座部3與供給側連接部102A之對齊。在對齊後，使座部3往+X側移動而插入基板處理部102。

其次，說明供給動作。對基板處理部102供給膜基板FB時，例如係使基板匣1之旋轉軸構件26a(滾筒部26)及張力滾筒21a往與收容動作時相反之方向旋轉，而如圖13所示，經由開口部34送出膜基板FB。此時，從開口部34係上述導頭構件LDR為前端而被送出。

其次，說明元件形成動作。元件形成動作中，一邊從基板供給部101對基板處理部102供給膜基板FB，一邊在基板處理部102於該膜基板FB上陸續形成元件。基板處理部102中，藉由滾筒RR搬送膜基板FB。

基板處理部102中，首先藉由資訊檢測裝置400檢測出導頭構件LDR之資訊保存部204所保存之資訊。控制部104，例如取得來自資訊檢測裝置400之資訊，並根據該處理資訊控制其後之基板處理部102之動作。又，控制部104檢測出滾筒RR是否於Y軸方向偏移，當偏移時即使滾筒RR移動以修正位置。又，控制部104係與膜基板FB之位置修正一併進行。

從基板供給部101供給至基板處理部102之膜基板FB，首先被搬送至分隔壁形成部91。分隔壁形成部91中，膜基板FB係被以壓印滾筒110與熱轉印滾筒115夾持按壓，藉由熱轉印於膜基板FB形成分隔壁BA及對準標記AM。

圖14係顯示於膜基板FB形成有分隔壁BA及對準標記AM之狀態之圖。圖15係放大圖14之一部分而顯示之圖。圖16係顯示沿圖15之D－D剖面之構成之圖。圖14及圖15係從+Z側觀看膜基板FB時之樣子之圖。

如圖14所示，分隔壁BA形成於膜基板FB之Y方向中央部之元件形成區域60。如圖15所示，藉由形成分隔壁BA，而於元件形成區域60區劃出形成閘極匯流排線GBL及閘極電極G之區域(閘極形成區域52)與形成源極匯流排線SBL、源極電極S、汲極電極D及陽極P之區域(源極汲極形成區域53)。如圖16所示，閘極形成區域52在剖面視下形成為梯形。雖省略圖示，但源極汲極形成區域53亦為相同之形狀。分隔壁BA內之寬度W(μm)為閘極匯流排線GBL之線寬。此寬度W最好係較從液滴塗布裝置120G塗布之液滴直徑d(μm)設為兩倍～四倍左右。

此外，閘極形成區域52及源極汲極形成區域53之剖面形狀，最好係在剖面視下為V字形或U字形，以在微細壓印用模111按壓膜基板FB後膜基板FB容易剝離。除此以外之形狀，例如可係在剖面視下為矩形形狀。

另一方面，如圖14所示，對準標記AM係於膜基板FB之Y方向兩端部之緣區域61形成一對。分隔壁BA及對準標記AM由於相互位置關係重要因此係同時形成。如圖15所示，於Y軸方向規定有對準標記AM與閘極形成區域52間之既定距離PY，於X軸方向規定有對準標記AM與源極汲極形成區域53間之既定距離PX。因此，能根據一對對準標記AM之位置檢測出膜基板FB之X軸方向之偏移、Y軸方向之偏移及θ旋轉。

圖14及圖15中，對準標記AM雖係依X軸方向之每複數行分隔壁BA設置一對，但並不限於此，例如亦可依分隔壁BA之每一行設置對準標記AM。又，只要有空間，亦可不僅於膜基板FB之緣區域61而於元件形成區域60亦設置對準標記AM。又，圖14及圖15中，對準標記AM雖顯示十字形，但亦可係圓形標記、傾斜之直線標記等其他標記形狀。

其次，膜基板FB被搬送滾筒210搬送至電極形成部92。電極形成部92中，藉由各液滴塗布裝置120進行液滴之塗布，於膜基板FB上形成電極。

於膜基板FB上首先藉由液滴塗布裝置120G形成閘極匯流排線GBL及閘極電極G。圖17(a)及圖17(b)，係顯示藉由液滴塗布裝置120G進行液滴塗布之膜基板FB之樣子之圖。

如圖17(a)所示，液滴塗布裝置120G係於形成有分隔壁BA之膜基板FB之閘極形成區域52以例如1～9之順序塗布金屬墨。此順序係例如以金屬墨彼此之張力塗布成直線狀之順序。圖17(b)係顯示例如塗布有一滴之金屬墨之狀態之圖。如圖17(b)所示，由於設有分隔壁BA，因此塗布於閘極形成區域52之金屬墨係不擴散而被保持。藉此方式，於閘極形成區域52整體塗布金屬墨。

於閘極形成區域52塗布金屬墨後，膜基板FB被搬送以使塗布有該金屬墨之部分位於熱處理裝置BK之－Z側。熱處理裝置BK係對塗布於膜基板FB上之金屬墨進行熱處理，使該金屬墨乾燥。圖18(a)係顯示使金屬墨乾燥後之閘極形成區域52之狀態之圖。如圖18(a)所示，藉由使金屬墨乾燥，使金屬墨所含之導電體積層為薄膜狀。此種薄膜狀之導電體形成於閘極形成區域52整體，如圖18(b)所示，於膜基板FB上形成閘極匯流排線GBL及閘極電極G。

其次，膜基板FB被搬送至液滴塗布裝置120I之－Z側。在液滴塗布裝置120I於膜基板FB塗布電氣絕緣性墨。在液滴塗布裝置120I中，例如圖19所示，於通過源極汲極形成區域53之閘極匯流排線GBL上及閘極電極G上塗布電氣絕緣性墨。

在塗布電氣絕緣性墨後，膜基板FB被搬送至熱處理裝置BK之－Z側，而藉由熱處理裝置BK對該電氣絕緣性墨施以熱處理。藉由此熱處理使電氣絕緣性墨乾燥，而形成閘極絕緣層I。圖19中，雖顯示閘極絕緣層I以橫跨分隔壁BA上之方式形成為圓形之狀態，但並不特別需跨越分隔壁BA而形成。

在形成閘極絕緣層I後，膜基板FB被搬送至液滴塗布裝置120SD之－Z側。液滴塗布裝置120SD中，於膜基板FB之源極汲極形成區域53塗布金屬墨。針對源極汲極形成區域53中橫跨閘極絕緣層I之部分，係以例如圖20所示之1～9之順序吐出金屬墨。

在金屬墨之吐出後，膜基板FB被搬送至熱處理裝置BK之－Z側，進行金屬墨之乾燥處理。在該乾燥處理後，金屬墨所含之導電體積層為薄膜狀，而形成源極匯流排線SBL、源極電極S、汲極電極D及陽極P。不過，在此階段，係呈源極電極S與汲極電極D之間被連接之狀態。

其次，膜基板FB被搬送至切斷裝置130之－Z側。膜基板FB在切斷裝置130被切斷源極電極S與汲極電極D之間。圖21係顯示以切斷裝置130切斷源極電極S與汲極電極D之間隔後之狀態之圖。切斷裝置130，係一邊使用電流鏡131調整雷射光LL往膜基板FB之照射位置，一邊進行切斷。

在切斷源極電極S與汲極電極D之間後，膜基板FB被搬送至液滴塗布裝置OS之－Z側。在液滴塗布裝置OS，於膜基板FB上形成有機半導體層OS。於膜基板FB上之中重疊於閘極電極G之區域，以橫跨源極電極S及汲極電極D之方式被吐出有機半導體墨。

在有機半導體墨之吐出後，膜基板FB被搬送至熱處理裝置BK之－Z側，進行有機半導體墨之乾燥處理。該乾燥處理後，有機半導體墨所含之半導體積層為薄膜狀，而如圖22所示形成有機半導體層OS。藉由以上之步驟，於膜基板FB上即形成場效型電晶體及連接配線。

其次，膜基板FB被搬送滾筒210搬送至發光層形成部93。在發光層形成部93，藉由液滴塗布裝置140Re、液滴塗布裝置140Gr、液滴塗布裝置140B1及熱處理裝置BK分別形成紅色、綠色、藍色之發光層IR。由於於膜基板FB上形成有分隔壁BA，因此即使在不以熱處理裝置BK對紅色、綠色及藍色之發光層IR進行熱處理而持續塗布之情形，亦不會因溶液往相鄰之像素區域溢出而產生混色。

在發光層IR之形成後，膜基板FB係經過液滴塗布裝置140I及熱處理裝置BK而形成絕緣層I，經過液滴塗布裝置140IT及熱處理裝置BK而形成透明電極IT。經過如上述之步驟，於膜基板FB上形成圖1所示之有機EL元件50。

元件形成動作中，為了防止在如上述地一邊使膜基板FB搬送、一邊形成有機EL元件50之過程中，膜基板FB往X方向、Y方向及θZ方向偏移，係進行對準動作。以下，參照圖23說明對準動作。

對準動作中，設於各部之複數個對準攝影機CA(CA1～CA8)適當檢測出形成於膜基板FB之對準標記AM，對控制部104送出檢測結果。在控制部104，根據送來之檢測結果進行對準動作。

例如，控制部104係根據對準攝影機CA(CA1～CA8)所檢測出之對準標記AM之攝影間隔等檢測出膜基板FB之進給速度，判斷滾筒RR是否以例如既定速度旋轉。在判斷滾筒RR非以既定速度旋轉時，控制部104係發出滾筒RR旋轉速度之調整之指令施加反饋。

又，例如控制部104係根據對準標記AM之攝影結果，檢測出對準標記AM之Y軸方向之位置是否偏移，而檢測出膜基板FB之Y軸方向之位置偏移之有無。在檢測出位置偏移時，控制部104係檢測出在搬送膜基板FB之狀態下位置偏移是持續何種程度之時間。

若位置偏移之時間為短時間，即藉由切換液滴塗布裝置120之複數個嘴122中塗布液滴之嘴122來對應。若膜基板FB之Y軸方向之偏移會長時間持續，則藉由滾筒RR之移動進行膜基板FB之Y軸方向之位置修正。

又，例如控制部104係根據對準攝影機CA所檢測出之對準標記AM之X軸及Y軸方向之位置，檢測出膜基板FB是否於θZ方向偏移。在檢測出位置偏移時，控制部104係與Y軸方向之位置偏移之檢測時同樣地，檢測出在搬送膜基板FB之狀態下位置偏移是持續何種程度之時間。

若位置偏移之時間為短時間，即藉由切換液滴塗布裝置120之複數個嘴122中塗布液滴之嘴122來對應。若偏移會長時間持續，則使兩個滾筒RR(設於隔著檢測出該偏移之對準攝影機CA之位置)移動於X方向或Y方向，以進行膜基板FB之θZ方向之位置修正。

其次，說明卸除動作。例如於膜基板FB形成有機EL元件50並回收膜基板FB後，將作為基板供給部101使用之基板匣1從基板處理部102卸除。

圖24係顯示基板匣1之卸除動作之圖。

卸除動作中，使座部3往－X方向移動而從供給側連接部102A卸除。係卸除座部3。

如以上所示，本實施形態之導頭構件LDR，由於具備連接於具有可撓性之膜F之連接部(段部201)與至少用於膜F與上述連接部(段部201)之間之對齊之位置基準部202，因此能對膜F之所欲位置高精度地連接。

又，本實施形態之膜基板FB，由於具備具有可撓性且被搬送於既定方向之膜F與連接於該膜F之端部之本實施形態之導頭構件LDR，因此可正確地保護膜F之端部。藉此，能減低因膜基板FB之搬送產生之膜F之彎曲或扭曲等變形。

又，本實施形態之基板匣1，由於具備收容膜基板FB(具有可撓性)之匣本體2，因此能在幾乎不產生彎曲或扭曲等之狀態下收容膜基板FB。又，本實施形態之基板匣1，由於具備收容膜基板FB(具有可撓性)之匣本體2，因此能送出在幾乎不產生彎曲或扭曲等之狀態下收容之膜基板FB。

又，本實施形態之基板處理裝置100，由於具備處理膜基板FB(具有可撓性)之基板處理部102、將膜基板FB搬入該基板處理部102之基板供給部101、從該基板處理部102搬出膜基板FB之基板回收部103，且使用本實施形態之基板匣1作為基板供給部101及基板回收部103中之至少一方，因此能對在幾乎無彎曲或扭曲等之狀態下供給之膜基板FB進行處理，且能收容處理後之膜基板FB。

又，由於本實施形態之導頭連接方法，係使導頭構件LDR連接於具有可撓性之膜F，其包含：使膜F與導頭構件LDR之位置一致之對齊步驟；以及在該對齊步驟之後連接膜F與導頭構件LDR之連接步驟，因此能對膜F之所欲位置高精度地連接導頭構件LDR。

本發明之技術範圍並非限定於上述實施形態者，能在不脫離本發明之主旨之範圍內適當加以變更。

上述實施形態中，導頭構件LDR之尺寸，例如能將導頭構件LDR之X方向之尺寸設定為較設於基板處理部102之滾筒RR中於搬送方向(X方向)相鄰之滾筒RR彼此之間隔長。藉此，由於導頭構件LDR係在被至少兩個以上之滾筒RR支承之狀態下搬送，因此能更確實地搬送。

具體而言，可舉出如圖25所示，形成為基板處理部102之分隔壁形成部91或電極形成部92等各處理部中之入口側之滾筒RR與出口側之滾筒RR之間隔L1以上之長度之構成。又，亦可如圖25所示，形成為分隔壁形成部91或電極形成部92等各處理部中之出口側之滾筒RR與次一處理部之入口側之滾筒RR之間隔L2以上之長度。又，由於膜基板FB至少具有膜F以上之剛性，因此各處理部中之入口側之滾筒RR與出口側之滾筒RR之間隔L1或各處理部中之出口側之滾筒RR與次一處理部之入口側之滾筒RR之間隔L2可設為較例如無導頭構件LDR之情形時長。此外，本實施形態中之導頭構件LDR之搬送方向之長度雖無特別限定，但亦可考量例如液滴塗布裝置120於搬送方向之長度、各處理部於搬送方向之間隔、處理部為曝光裝置時曝光視野之搬送方向之寬度等，而設定為30cm以上。

此外，如圖25所示，例如上述之分隔壁形成部91與電極形成部92作為不同裝置被裝入，並連結分隔壁形成部91與電極形成部92組裝基板處理部102時，基板處理裝置100亦可於分隔壁形成部91與電極形成部92之間具有橋導件BG而作為輔助部。又，例如於本實施形態中，各處理部之出口側中之滾筒RR之配置高度(Z方向之高度)與次一處理部之入口側中之滾筒RR之配置高度，最好儘可能地為相同高度，從作業性或辨識性之觀點來看，係50cm～100cm左右。此外，各處理部之出口側中之滾筒RR之配置高度與次一處理部之出口側中之滾筒RR之配置高度彼此不同時，只要使上述橋導件BG傾斜於高度方向(Z方向)配置即可。

又，例如導頭構件LDR之X方向之尺寸L3較基板處理部102之分隔壁形成部91或電極形成部92等各處理部中之入口側之滾筒RR與出口側之滾筒RR之間隔L1小時，亦可如圖26所示，作成設置滑動爪機構500或導板501等作為輔助部之構成。滑動爪機構500係爪構件500a(具有能插入導頭構件LDR之開口部203之突出部)能沿導軌500b移動於X方向之構成。又，爪構件500a能在移動方向下游側之端部往－Z方向移動，而能拔除插入之突出部。又，作為導板501，例如圖26所示，於各處理部(此處例示電極形成部92)之上游側設有兩個(導板501a及501b)、於電極形成部92內之圖中X方向兩端部各設有一個(導板501c及501d)，於電極形成部92之下游側設有兩個(導板501e及501f)。

又，如圖27所示，在例如分隔壁形成部91之構成為藉由熱轉印滾筒115於+Z側對膜基板FB施加張力之構成時，在導頭構件LDR之X方向之尺寸L3較經由熱轉印滾筒115外面之滾筒RR間之距離L4小之情形下，亦可作成配置導板502、裝載用滾筒503、貝努里墊504、或罩構件505等作為輔助部之構成。

圖27中，作為裝載用滾筒503，可舉出例如：設置成可對配置於熱轉印滾筒115上游側之滾筒RR接近遠離之裝載用滾筒503a、設置成可對熱轉印滾筒115接近遠離之裝載用滾筒503b、或設置成可對配置於熱轉印滾筒115下游側之滾筒RR接近遠離之裝載用滾筒503c等。

貝努里墊504例如具有藉由膜基板FB之移動使負壓產生之貝努里機構，使膜基板FB接近貝努里墊504側。由於貝努里墊504之負壓產生面沿膜基板FB之移動方向設置，因此可避免膜基板FB被熱轉印滾筒115捲入。

罩構件505，例如設置成空出熱轉印滾筒115中抵接於微細壓印用模111之區域且覆蓋膜基板FB之X方向兩端部。因此，膜基板FB係沿熱轉印滾筒115之外面移動。

又，雖說明了例如上述實施形態中，在基板處理部102內在對膜基板FB施加張力之狀態下搬送之構成，但並不限於此，例如亦可如圖28(a)～28(c)所示，以使膜基板FB彎曲之方式搬送。此情形下，例如圖28(a)所示，於使膜基板FB彎曲之滯留部分510之上游側配置導引板506a及上游側滾筒508，且於滯留部分510之下游側配置下游側滾筒509及導引板506b、506c。又，例如於上游側滾筒508連接橋板507。橋板507例如係在上游側滾筒508與下游側滾筒509之間移交膜基板FB之板構件。

於滯留部分510，首先如圖28(a)及圖28(b)所示，從滯留部分510之上游側往下游側透過作為輔助部之橋板507搬送膜基板FB前端之導頭構件LDR。在導頭構件LDR例如被滯留部分510下游側之滾筒RR支承後，如圖28(c)所示，解除橋板507。藉由解除橋板507，由於上游側滾筒508與下游側滾筒509之間即不被支承，因此之後搬送來之膜基板FB之膜F沿滯留部分510之形狀彎曲。如上述，能作成在滯留部分510一邊使導頭構件LDR不彎曲、一邊使膜F彎曲之構成。

又，上述實施形態中，作為導頭構件LDR之位置基準部202，雖舉出形成例如標記等之構成為例進行了說明，但並不限於此。亦可例如圖29所示，於導頭構件LDR之一部分形成缺口部520、530，並使用該缺口部520、530進行導頭構件LDR與膜基板FB之間之對齊。

圖29所示之例中，缺口部520及530設於與膜F之連接部(段部201)之Y方向兩端部(角部)。缺口部520及530例如形成為在CCD攝影機等之攝影區域540、550內。缺口部520及530如圖29之放大部分所示，分別具有垂直於圖中X方向之邊520a、530a。

在使用此缺口部520及530進行對齊時，首先將導頭構件LDR配置成缺口部520及530與膜F之一部分重疊。之後，針對例如邊520a及530a，分別求出例如與膜F之端邊Fa間之距離ΔX1及ΔX2。又，針對導頭構件LDR之－Y側之邊520b及+Y側之邊530b，分別求出膜F之－Y側之邊Fg及+Y側之邊Fh間之距離ΔY1及ΔY2。其後，例如將導頭構件LDR之貼附位置調整成ΔX1=ΔX2、ΔY1=ΔY2。藉由此構成，可不於膜F側另外形成標記即能進行對齊。

1．．．基板匣

2．．．匣本體

26．．．滾筒部

26a．．．旋轉軸構件

26b．．．擴徑部

26c．．．圓筒部

26d．．．開口部

26e．．．凹部

28．．．卡合機構

28a．．．爪構件

28b．．．按壓構件

100．．．基板處理裝置

101．．．基板供給部

102．．．基板處理部

103．．．基板回收部

104．．．控制部

105．．．搬送單元

120．．．液滴塗布裝置

201．．．段部

202．．．位置基準部

203．．．開口部

204．．．資訊保存部

300．．．導頭構件貼附裝置

400．．．資訊檢測裝置

520,530．．．缺口部

F．．．膜

Fa．．．端部

Fd．．．膜側位置基準部

FB．．．膜基板

LDR．．．導頭構件

圖1係顯示本發明之實施形態之導頭構件之構成之俯視圖。

圖2係顯示本實施形態之導頭構件之構成之剖面圖。

圖3係顯示本實施形態之基板匣之構成之立體圖。

圖4係顯示本實施形態之基板匣之構成之剖面圖。

圖5係顯示本實施形態之基板匣一部分之構成之圖。

圖5(a)係立體圖，圖5(b)係剖面圖。

圖6係藉由本實施形態之基板處理裝置形成之有機EL元件之構成圖。

圖7係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成之圖。

圖8係顯示本實施形態之基板處理部之構成之圖。

圖9係顯示本實施形態之液滴塗布裝置之構成之圖。

圖10係顯示本實施形態之膜基板FB之製造過程之圖。

圖11係顯示本實施形態之基板匣之收容動作之圖。

圖12係顯示本實施形態之基板匣之連接動作之圖。

圖13係顯示本實施形態之基板匣之連接動作之圖。

圖14係顯示本實施形態之基板處理部之分隔壁形成步驟之圖。

圖15係顯示本實施形態之形成於片基板之分隔壁之形狀及配置之圖。

圖16係本實施形態之形成於片基板之分隔壁之剖面圖。

圖17係顯示本實施形態之液滴之塗布動作之圖。

圖18係顯示本實施形態之形成於分隔壁間之薄膜之構成之圖。

圖19係顯示本實施形態之於片基板形成閘極絕緣層之步驟之圖。

圖20係顯示本實施形態之切斷片基板之配線之步驟之圖。

圖21係顯示本實施形態之於源極汲極形成區域形成薄膜之步驟之圖。

圖22係顯示本實施形態之形成有機半導體層之步驟之圖。

圖23係顯示本實施形態之對準一例之圖。

圖24係顯示本實施形態之基板匣之卸除動作之圖。

圖25係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成之圖。

圖26係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成之圖。

圖27係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成之圖。

圖28係顯示本實施形態之基板處理裝置之其他構成之圖。

圖29係顯示本實施形態之膜基板之其他構成之圖。

200a,200c,200d．．．邊

200b．．．面

201．．．段部

202．．．位置基準部

203．．．開口部

204．．．資訊保存部

F．．．膜

Fa．．．端部

Fc．．．面

Fd．．．膜側位置基準部

FB．．．膜基板

LDR．．．導頭構件

Claims (50)

1. 一種導頭構件，其具備：連接部，連接於在短邊方向具有一定尺寸且在長邊方向具有既定長度之帶狀基板在前述長邊方向之端部，具有與前述基板在前述短邊方向之尺寸對應之寬度；以及至少用於前述基板與前述連接部之間之對齊之位置基準部。
2. 如申請專利範圍第1項之導頭構件，其中，前述位置基準部係能將前述基板與前述連接部以非接觸方式對齊之位置基準。
3. 如申請專利範圍第1項之導頭構件，其中，前述位置基準部包含缺口部。
4. 如申請專利範圍第3項之導頭構件，其中，前述缺口部形成於前述連接部。
5. 如申請專利範圍第1項之導頭構件，其中，前述位置基準部包含圖案。
6. 如申請專利範圍第1項之導頭構件，其進一步具備保存與前述基板相關之資訊之資訊保存部。
7. 如申請專利範圍第6項之導頭構件，其中，前述資訊保存部包含第2圖案。
8. 如申請專利範圍第6項之導頭構件，其中，前述資訊保存部包含半導體晶片。
9. 如申請專利範圍第6項之導頭構件，其中，前述資訊保存部作為前述位置基準部使用。
10. 如申請專利範圍第1項之導頭構件，其進一步具備設於從前述連接部偏離之位置之一個以上之開口部。
11. 如申請專利範圍第10項之導頭構件，其中，前述開口部中之至少一個作為前述位置基準部使用。
12. 如申請專利範圍第1項之導頭構件，其中，於前述基板形成顯示元件。
13. 一種基板，其具備：搬送於既定方向之基板本體；以及連接於前述基板本體之端部之導頭；使用申請專利範圍第1至12項中任一項之導頭構件作為前述導頭。
14. 如申請專利範圍第13項之基板，其中，前述基板本體具有與前述導頭構件之前述位置基準部對應設置之基板側之基準部。
15. 如申請專利範圍第13或14項之基板，其中，前述導頭構件，剛性較前述基板本體高。
16. 如申請專利範圍第13項之基板，其中，前述基板本體與前述導頭構件，於與前述基板本體之搬送方向正交之方向之尺寸係相同。
17. 如申請專利範圍第13或16項之基板，其中，前述導頭構件具有缺口部以作為前述位置基準部；前述基板本體重疊於前述缺口部之至少一部分。
18. 如申請專利範圍第13項之基板，其中，前述導頭構件於前述連接部具有段部； 前述基板本體連接於前述段部。
19. 如申請專利範圍第18項之基板，其中，前述段部形成為前述導頭構件之一面與前述基板本體之一面成為同一面狀態。
20. 一種基板匣，其具備收容基板之匣本體；收容申請專利範圍第13至19項中任一項之基板作為前述基板。
21. 如申請專利範圍第20項之基板匣，其中，前述匣本體係將前述基板以捲取狀態收容。
22. 如申請專利範圍第21項之基板匣，其具有進行前述基板之捲取及送出中之至少一方之基板驅動機構。
23. 如申請專利範圍第22項之基板匣，其中，前述基板驅動機構具有設有突出部且設成能旋轉之軸構件；前述導頭構件具有掛持於前述軸構件之前述突出部之開口部。
24. 如申請專利範圍第23項之基板匣，其中，前述突出部設成能相對前述軸構件之旋轉面退離。
25. 如申請專利範圍第23項之基板匣，其中，設於前述基板之前述導頭構件形成為對前述軸構件被捲取至少一旋轉以上之尺寸。
26. 一種基板處理裝置，其具備：處理基板之基板處理部；將前述基板搬入前述基板處理部之基板搬入部；以及從前述基板處理部搬出前述基板之基板搬出部； 使用申請專利範圍第20至25項中任一項之基板匣作為前述基板搬入部及前述基板搬出部中之至少一方。
27. 如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，其中，前述基板處理部具有檢測出與前述基板相關之資訊之檢測部。
28. 一種導頭連接方法，係使具有連接部之導頭構件連接於在短邊方向具有一定尺寸且在長邊方向具有既定長度之帶狀基板，該連接部具有與前述基板在前述短邊方向之尺寸對應之寬度，其包含：使前述基板與前述導頭構件之位置一致之對齊步驟；以及在前述對齊步驟之後藉由使前述連接部連接於前述基板在前述長度方向之端部以將前述基板與前述導頭構件連接之連接步驟。
29. 如申請專利範圍第28項之導頭連接方法，其中，前述對齊步驟具有：位置檢測步驟，係使用設於前述基板之基板側之位置基準部與設於前述導頭構件之位置基準部檢測出前述基板與前述導頭構件之位置。
30. 如申請專利範圍第29項之導頭連接方法，其中，在前述對齊步驟前於前述導頭構件形成前述位置基準部。
31. 如申請專利範圍第29項之導頭連接方法，其中，在前述對齊步驟前於前述基板形成前述基板側位置基準部。
32. 如申請專利範圍第29項之導頭連接方法，其中，前述對齊步驟係使用前述基板之端部作為前述基板側之位置 基準部。
33. 如申請專利範圍第29項之導頭連接方法，其中，前述對齊步驟係使用設於前述導頭構件之缺口部作為前述位置基準部。
34. 如申請專利範圍第28項之導頭連接方法，其中，前述連接步驟係將前述基板之一部分與前述導頭構件之一部分貼合而連接。
35. 一種顯示元件之製造方法，其具有：使用申請專利範圍第1至12項中任一項之導頭構件搬送基板之步驟；以及在基板處理部進行用以將顯示元件形成於前述基板之處理之步驟。
36. 如申請專利範圍第35項之顯示元件之製造方法，其中，前述基板處理部具有搬送前述基板之至少兩個搬送部；前述導頭構件之搬送方向之長度係前述兩個搬送部之配置間隔以上。
37. 如申請專利範圍第35項之顯示元件之製造方法，其中，前述基板處理部具有處理前述基板之至少兩個處理部；前述導頭構件之搬送方向之長度係前述兩個處理部之配置間隔以上。
38. 如申請專利範圍第35或37項之顯示元件之製造方法，其具有：使用輔助前述導頭構件之搬送之輔助部搬送前述基板之步驟。
39. 如申請專利範圍第35項之顯示元件之製造方法，其 具有：搬送收容成至少一部分彼此重疊之前述基板之步驟。
40. 如申請專利範圍第35項之顯示元件之製造方法，其具有：將被捲成捲軸狀並收容之前述基板拉出並搬送之步驟。
41. 如申請專利範圍第35項之顯示元件之製造方法，其中，前述基板上之前述顯示元件之形成區域係對前述導頭構件對齊。
42. 一種顯示元件之製造裝置，其具備：搬送連接於基板之申請專利範圍第1至12項中任一項之導頭構件之搬送單元；以及施以用以將顯示元件形成於前述基板之處理之基板處理部。
43. 如申請專利範圍第42項之顯示元件之製造裝置，其具備將前述基板收容成至少一部分彼此重疊之基板匣。
44. 如申請專利範圍第42項之顯示元件之製造裝置，其具備將前述基板收容成捲軸狀之基板匣。
45. 如申請專利範圍第42項之顯示元件之製造裝置，其中，前述搬送單元具有至少兩個搬送部；前述導頭構件之搬送方向之長度係前述兩個搬送部之配置間隔以上。
46. 如申請專利範圍第42項之顯示元件之製造裝置，其中，前述基板處理部具有處理前述基板之至少兩個處理部；前述導頭構件之搬送方向之長度係前述兩個處理部之配置間隔以上。
47. 如申請專利範圍第42項之顯示元件之製造裝置，其具備輔助前述導頭構件之搬送之輔助部。
48. 一種顯示元件之製造方法，係將具有可撓性之片基板於長邊方向搬入顯示元件製造用之處理裝置，對前述片基板施加既定處理，其具有：將與前述片基板同樣地具有能搬入前述處理裝置內之尺寸與厚度且剛性較前述片基板高之片狀導頭構件連接於前述片基板之長邊方向之端部的動作；將前述導頭構件之前端部搬入前述處理裝置的動作；以及以前述導頭構件之前端部通過設於前述處理裝置內之複數個滾筒而搬出至前述處理裝置外之方式於前述複數個滾筒之間或前述滾筒周圍設定導件的動作。
49. 如申請專利範圍第48項之顯示元件之製造方法，其中，前述導頭構件，於特定位置具有用以保存與前述片基板之規格相關之資訊、對前述片基板之加工資訊、或處理資訊之資訊保存部，前述處理裝置，係讀取保存於前述導頭構件之資訊保存部之資訊並活用於前述片基板之處理。
50. 如申請專利範圍第49項之顯示元件之製造方法，其中，前述處理裝置包含沿前述片基板之長邊方向配置且對前述片基板施加不同處理之至少兩個處理部，將從前述導頭構件之前端部至與前述片基板之連接部為止之長度設定為前述兩個處理部之配置間隔以上。