TWI538861B - A substrate processing system, and a circuit manufacturing method - Google Patents

A substrate processing system, and a circuit manufacturing method Download PDF

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Description

基板處理系統、及電路之製造方法
本發明係關於基板匣、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理方法、控制裝置及顯示元件之製造方法。
本申請根據2009年11月5日申請之日本特願2009-253975號及日本特願2009-253976號主張優先權，並將其內容援引於此。
作為構成顯示器裝置等顯示裝置之顯示元件，已知有例如有機電致發光(有機EL)元件。有機EL元件，係於基板上具有陽極及陰極且具有夾於此等陽極與陰極間之有機發光層之構成。有機EL元件，係從陽極往有機發光層注入電洞而在有機發光層使電洞與電子結合，藉由該結合時之發出之光而得到顯示光。有機EL元件，係於基板上形成有例如連接於陽極及陰極之電路等。
作為製作有機EL元件之方法之一，已知有例如被稱為捲軸對捲軸方式(roll to roll)(以下僅標記為「捲軸方式」)之方法(參照例如專利文獻1)。捲軸方式，係送出捲繞於基板供應側之滾筒之一片片狀基板且一邊以基板回收側之滾筒捲取被送出之基板一邊搬送基板，在基板被送出後至被捲取之期間，在處理裝置，將構成有機EL元件之發光層或陽極、陰極、電路等依序形成於基板上之方法。
專利文獻1記載之構成，例如係基板送出用滾筒及基板捲取用滾筒能自處理裝置卸除之構成。已卸除之滾筒例如被搬送至另一處理裝置，而能安裝於該另一處理裝置來使用。
專利文獻1：國際公開第2006/100868號
然而，上述般僅能自處理裝置卸除之構成中，不易判別例如在滾筒捲取有何種基板。又，不易判別例如對已捲取於滾筒之基板施加處理至何階段。因此，每次安裝滾筒皆需要以某些手段確認基板之作業，作業較繁雜。
本發明之態樣係以提供可對基板進行高效率處理之基板匣、基板處理裝置、基板處理系統、基板處理方法、控制裝置及顯示元件之製造方法為目的。
本發明第1態樣之基板匣，具備：匣本體，用以收容基板；以及資訊保存部，保存包含至少關於收容於匣本體之基板之諸元值之諸元資訊之資訊。
本發明第2態樣之基板匣，具備：匣本體，用以收容基板；以及資訊保存部，保存包含以至少關於收容於匣本體之基板之諸元值之諸元資訊為依據之程序資訊之資訊。
本發明第3態樣之基板處理裝置，具備：基板處理部，用以處理基板；基板搬入部，對基板處理部進行基板之搬入；以及基板搬出部，從基板處理部進行基板之搬出；作為基板搬入部及基板搬出部中之至少一方，係使用本發明之基板匣。
本發明第4態樣之基板處理系統，具備：基板處理裝置，用以處理基板；本發明之基板匣，係連接於基板處理裝置；以及主控制裝置，從基板匣之資訊保存部接收資訊，且根據該資訊控制基板處理裝置。
本發明第5態樣之基板處理方法，係一邊供應基板一邊處理該基板，並回收處理後之基板，其特徵在於：使用本發明之基板匣進行基板之供應及基板之回收中之至少一方；使用經由基板匣獲得之資訊處理基板。
本發明第6態樣之控制裝置，具備控制處理基板之基板處理裝置、及連接於該基板處理裝置之本發明之基板匣之主控制部。
本發明第7態樣之顯示元件之製造方法，具有：於基板處理部處理基板之步驟；以及使用本發明之基板匣對基板處理部供應基板或從基板處理部回收基板之步驟。
本發明第8態樣之基板匣，具備：匣本體，用以收容基板；以及資訊保存部，保存識別匣本體之識別資訊及收容於匣本體之基板之處理資訊中之至少一方之資訊。
本發明第9態樣之基板處理裝置，具備：基板處理部，用以處理基板；基板搬入部，對該基板處理部進行基板之搬入；以及基板搬出部，從基板處理部進行基板之搬出；作為基板搬入部及基板搬出部中之至少一方，係使用本發明之基板匣。
本發明第10態樣之基板處理系統，具備：基板處理裝置，用以處理基板；本發明之基板匣，係連接於該基板處理裝置；以及主控制裝置，從該基板匣之資訊保存部接收資訊，且根據該資訊控制基板處理裝置。
本發明第11態樣之基板處理方法，係一邊供應基板一邊處理該基板，並回收處理後之基板，其特徵在於：使用本發明之基板匣進行基板之供應及基板之回收中之至少一方；使用經由基板匣獲得之資訊處理基板。
本發明第12態樣之控制裝置，具備控制處理基板之基板處理裝置、及連接於該基板處理裝置之本發明之基板匣之主控制部。
本發明第13態樣之顯示元件之製造方法，具有：於基板處理部處理基板之步驟；以及使用本發明之基板匣對基板處理部供應基板或從基板處理部回收基板之步驟。
根據本發明之態樣，可對基板進行高效率處理。
以下，參照圖式說明本發明之第1實施形態。
(有機EL元件)
圖1A係顯示有機EL元件構成之俯視圖。圖1B係圖1A之b-b剖面圖。圖1C係圖1A之c-c剖面圖。
如圖1A～圖1C所示，有機EL元件50係於片狀基板FB形成閘極電極G及閘極絕緣層I、進而形成源極電極S、汲極電極D及像素電極P後形成有有機半導體層OS之底接觸型。
如圖1B所示，於閘極電極G上形成有閘極絕緣層I。於閘極絕緣層I上形成源極匯流排線SBL之源極電極S，且形成有與像素電極P連接之汲極電極D。於源極電極S與汲極電極D之間形成有有機半導體層OS。如此即完成場效型電晶體。又，於像素電極P上，如圖1B及圖1C所示形成發光層IR，於該發光層IR形成透明電極ITO。
如圖1B及圖1C所示，例如，於片狀基板FB形成有分隔壁BA(堤層(BANK LAYER))。又，如圖1C所示，源極匯流排線SBL形成於分隔壁BA間。如上述，藉由存在分隔壁BA，以高精度地形成源極匯流排線SBL，且像素電極P及發光層IR亦正確地形成。此外，雖在圖1B及圖1C未顯示，但閘極匯流排線GBL亦與源極匯流排線SBL同樣地形成於分隔壁BA間。
此有機EL元件50非常合適用於以例如顯示器裝置等顯示裝置為首之電子機器之顯示部等。此情形下，係使用例如將有機EL元件50形成為面板狀者。此種有機EL元件50之製造，需形成形成有薄膜電晶體(TFT)、像素電極之基板。為了於該基板上之像素電極上精度良好地形成包含發光層之一層以上之有機化合物層(發光元件層)，需於像素電極之邊界區域容易且精度良好地形成分隔壁BA(堤層)。
(基板處理裝置)
圖2係顯示使用具有可撓性之片狀基板FB進行處理之基板處理裝置100構成之概略圖。
基板處理裝置100係使用帶狀之片狀基板FB形成圖1所示之有機EL元件50之裝置。如圖2所示，基板處理裝置100具有基板供應部101、基板處理部102、基板回收部103及控制部104。片狀基板FB係從基板供應部101經由基板處理部102往基板回收部103被搬送。控制部104統籌控制基板處理裝置100之動作。又，控制部104具有儲存資訊之記憶部即資料庫104DB。
以下說明中，設定XYZ正交座標系統，參照此XYZ正交座標系統說明各構件之位置關係。以水平面內之中片狀基板FB之搬送方向為X軸方向、於水平面內與X軸方向正交之方向為Y軸方向、與X軸方向及Y軸方向各自正交之方向(亦即鉛直方向)為Z軸方向。又，以繞X軸、Y軸、以及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別為θX、θY、以及θZ方向。
作為片狀基板FB，可使用例如耐熱性之樹脂膜、不鏽鋼等。例如，樹脂膜可使用聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、纖維素樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、乙酸乙烯樹脂等材料。片狀基板FB之Y方向之尺寸形成為例如1m～2m左右，X方向之尺寸形成為例如10m以上。當然，此尺寸不過為一例，並非限定於此。例如片狀基板FB之Y方向之尺寸亦可為50cm以下，亦可為2m以上。又，片狀基板FB之X方向之尺寸亦可為10m以下。又，本實施形態之可撓性，係指即使例如對基板施加至少自重程度之既定之力亦不會產生剪斷或破壞，能彎曲該基板之性質。又，例如藉由上述既定之力彎曲之性質亦包含於可撓性。上述可撓性會隨該基板之材質、大小、厚度、或溫度等環境等而變化。此外，作為片狀基板FB，使用1片帶狀基板亦可，但連接複數個單位基板形成為帶狀之構成亦可。
片狀基板FB最好係熱膨脹係數較小，以使即使承受例如200℃左右之熱，尺寸亦不會改變。例如，可將無機填料混合於樹脂膜以縮小熱膨脹係數。作為無機填料之例，可舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋁、氧化矽等。
基板供應部101連接於設於基板處理部102之供應側連接部102A。基板供應部101將例如捲成捲軸狀之片狀基板FB往基板處理部102供應。基板回收部103，回收在基板處理部102處理後之片狀基板FB。
圖3係顯示基板處理部102之構成之圖。
如圖3所示，基板處理部102具有搬送部105、元件形成部106、對準部107、基板切斷部108。基板處理部102，係一邊搬送從基板供應部101供應之片狀基板FB，一邊於該片狀基板FB形成上述之有機EL元件50之各構成要素，將形成有有機EL元件50之片狀基板FB往基板回收部103送出之部分。
搬送部105具有配置於沿X方向之位置之複數個滾筒RR。藉由滾筒RR旋轉亦可將片狀基板FB搬送於X軸方向。滾筒RR可係從兩面夾入片狀基板FB之橡膠滾筒，片狀基板FB只要係具有穿孔者亦可係具有棘輪之滾筒RR。複數滾筒RR中之一部分滾筒RR可移動於與搬送方向正交之Y軸方向。
元件形成部106具有分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93。分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93，係從片狀基板FB之搬送方向上游側往下游側依此順序配置。以下，說明元件形成部106之各構成。
分隔壁形成部91具有壓印滾筒110及熱轉印滾筒115。分隔壁形成部91係對從基板供應部101送出之片狀基板FB形成分隔壁BA。在分隔壁形成部91以壓印滾筒110按壓片狀基板FB，且以熱轉印滾筒115將片狀基板FB加熱至玻璃轉移點以上以使按壓後之分隔壁BA保持形狀。因此，形成於壓印滾筒110之滾筒表面之模形狀轉印至片狀基板FB。片狀基板FB被熱轉印滾筒115加熱至例如200℃左右。
壓印滾筒110之滾筒表面作成鏡面，於其滾筒表面安裝有以SiC、Ta等材料構成之微細壓印用模111。微細壓印用模111係形成薄膜電晶體之配線用壓模及彩色濾光器用壓模。
壓印滾筒110係使用微細壓印用模111於片狀基板FB形成對準標記AM。由於於片狀基板FB之寬度方向即Y軸方向之兩側形成對準標記AM，因此微細壓印用模111具有對準標記AM用之壓模。
電極形成部92設於分隔壁形成部91之+X側，形成使用了例如有機半導體之薄膜電晶體。具體而言，在形成如以圖1所示之閘極電極G、閘極絕緣層I、源極電極S、汲極電極D及像素電極P後，形成有機半導體層OS。
作為薄膜電晶體(TFT)，可係無機半導體系者或使用了有機半導體者。無機半導體之薄膜電晶體已知有非晶矽系者，但亦可係使用了有機半導體之薄膜電晶體。只要使用此有機半導體構成薄膜電晶體，即能活用印刷技術或液滴塗布法技術形成薄膜電晶體。又，使用了有機半導體之薄膜電晶體中，如以圖1所示之場效型電晶體(FET)特別理想。
電極形成部92具有液滴塗布裝置120與熱處理裝置BK、切斷裝置130等。
本實施形態中，作為液滴塗布裝置120，係使用例如在形成閘極電極G時使用之液滴塗布裝置120G、在形成閘極絕緣層I時使用之液滴塗布裝置120I、在形成源極電極S、汲極電極D及像素電極P時使用之液滴塗布裝置120SD、在形成有機半導體層OS時使用之液滴塗布裝置120OS等。
圖4係顯示液滴塗布裝置120之構成之俯視圖。圖4中，係顯示從+Z側觀看液滴塗布裝置120時之構成。液滴塗布裝置120於Y軸方向形成為較長。於液滴塗布裝置120設有未圖示之驅動裝置。液滴塗布裝置120可藉由該驅動裝置移動於例如X方向、Y方向及θZ方向。
於液滴塗布裝置120形成有複數個嘴122。嘴122設於液滴塗布裝置120中與片狀基板FB之對向面。嘴122沿例如Y軸方向排列，例如形成有兩列該嘴122之列(嘴列)。控制部104可一次使液滴塗布於所有嘴122，亦可針對各嘴122個別調整塗布液滴之時點。
作為液滴塗布裝置120，能採用例如噴墨方式或分配器方式等。作為噴墨方式，可舉出帶電控制方式、加壓振動方式、電機轉換式、電熱轉換方式、靜電吸引方式等。液滴塗布法，使用材料之浪費較少且能將所欲量之材料確實地配置於所欲之位置。此外，藉由液滴塗布法塗布之金屬墨之一滴之量係例如1～300毫微克。
回到圖2，液滴塗布裝置120G係於閘極匯流排線GBL之分隔壁BA內塗布金屬墨。液滴塗布裝置120I係於切換部塗布聚醯亞胺系樹脂或聚氨酯系樹脂之電氣絕緣性墨。液滴塗布裝置120SD係於源極匯流排線SBL之分隔壁BA內及像素電極P之分隔壁BA內塗布金屬墨。液滴塗布裝置120OS係於源極電極S與汲極電極D之間之切換部塗布有機半導體墨。
金屬墨係粒子徑為約5nm左右之導電體在室溫之溶劑中會穩定地分散之液體，作為導電體，可使用碳、銀(Ag)或金(Au)等。形成有機半導體墨之化合物，可係單結晶材料或非晶形材料，且可係低分子或高分子。作為形成有機半導體墨之化合物中特別理想者，可舉出稠五苯、聯伸三苯、蔥等所代表之縮環芳香族碳化氫化合物之單結晶或π共軛系高分子等。
熱處理裝置BK分別配置於各液滴塗布裝置120之+X側(基板搬送方向下游側)。熱處理裝置BK可對片狀基板FB放射例如熱風或遠紅外線等。熱處理裝置BK係使用此等之放射熱，將塗布於片狀基板FB之液滴乾燥或燒成(烘烤)而使硬化。
切斷裝置130設於液滴塗布裝置120SD之+X側且為液滴塗布裝置120OS之上游側。切斷裝置130係使用例如雷射光等切斷藉由液滴塗布裝置120SD形成之源極電極S與汲極電極D。切斷裝置130具有未圖示之光源與使來自該光源之雷射光照射於片狀基板FB上之電流鏡131。
作為雷射光之種類，最好係對切斷之金屬膜會吸收之波長之雷射，波長轉換雷射中，YAG等之2,3,4倍諧波較佳。又，藉由使用脈衝型雷射能防止熱擴散，減低切斷部以外之損傷。材料為鋁時，最好係760nm波長之飛秒雷射。
本實施形態中，係使用例如使用了鈦藍寶石雷射作為光源之飛秒雷射照射部。該飛秒雷射照射部，係以例如10KHz～40KHz之脈衝照射雷射光LL。
本實施形態中，由於使用飛秒雷射，因此能進行次微秒級之加工，能正確地切斷決定場效型電晶體之性能之源極電極S與汲極電極D之間隔。源極電極S與汲極電極D之間隔係例如3μm左右～30μm左右。
除了上述之飛秒雷射以外，亦能使用例如碳酸氣體雷射或綠光雷射等。又，除了雷射以外，亦能為以切割鋸等以機械方式切斷之構成。
電流鏡131配置於雷射光LL之光路。電流鏡131係使來自光源之雷射光LL反射至片狀基板FB上。電流鏡131設成可旋轉於例如θX方向、θY方向及θZ方向。藉由電流鏡131旋轉，雷射光LL之照射位置會變化。
藉由使用上述之分隔壁形成部91及電極形成部92之兩方，即使不使用所謂微影製程，亦能活用印刷技術或液滴塗布法技術來形成薄膜電晶體等。在僅使用採用例如印刷技術或液滴塗布法技術等之電極形成部92時，有時會因墨之滲透或擴開而無法精度良好地形成薄膜電晶體等。
相對於此，由於藉由使用分隔壁形成部91來形成分隔壁BA，因此可防止墨之滲透或擴開。又，決定薄膜電晶體之性能之源極電極S與汲極電極D之間隔，係藉由雷射加工或機械加工而形成。
發光層形成部93配置於電極形成部92之+X側。發光層形成部93係於形成有電極之片狀基板FB上形成例如有機EL裝置之構成要素即發光層IR或像素電極ITO等。發光層形成部93具有液滴塗布裝置140及熱處理裝置BK。
以發光層形成部93形成之發光層IR，含有主化合物與磷光性化合物(亦稱為磷光發光性化合物)。所謂主化合物係於發光層含有之化合物。磷光性化合物係來自激發三重態之發光被觀測之化合物，在室溫下發出磷光。
本實施形態中，作為液滴塗布裝置140係使用例如形成紅色發光層之液滴塗布裝置140Re、形成綠色發光層之液滴塗布裝置140Gr、形成藍色發光層之液滴塗布裝置140B1、形成絕緣層之液滴塗布裝置140I及形成像素電極ITO之液滴塗布裝置140IT等。
作為液滴塗布裝置140可與上述液滴塗布裝置120同樣地採用噴墨方式或分配器方式等。在設置例如電洞輸送層及電子輸送層等作為有機EL元件50之構成要素時，係另外設置形成此等層之裝置(例如液滴塗布裝置等)。
液滴塗布裝置140Re係將R溶液塗布於像素電極P上。液滴塗布裝置140Re係調整R溶液之吐出量以使乾燥後之膜厚成為100nm。作為R溶液，可使用例如將主材之聚乙烯咔唑(PVK)加上紅摻雜材溶解於1,2-二氯乙烷中之溶液。
液滴塗布裝置140Gr係將G溶液塗布於像素電極P上。作為G溶液，可使用例如將主材PVK加上綠摻雜材溶解於1,2-二氯乙烷中之溶液。
液滴塗布裝置140B1係將B溶液塗布於像素電極P上。作為B溶液，可使用例如將主材PVK加上藍摻雜材溶解於1,2-二氯乙烷中之溶液。
液滴塗布裝置140I係於閘極匯流排線GBL或源極匯流排線SBL之一部分塗布電氣絕緣性墨。作為電氣絕緣性墨，可使用例如聚醯亞胺系樹脂或聚氨酯系樹脂之墨。
液滴塗布裝置140IT，係於紅色、綠色及藍色發光層上塗布ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)墨。作為ITO墨，可使用於氧化銦(In2O3)添加有數%之氧化錫(SnO2)之化合物等。又，亦可使用IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶質且能製作透明導電膜之材料。透明導電膜最好係透射率為90%以上。
熱處理裝置BK分別配置於各液滴塗布裝置140之+X側(基板搬送方向下游側)。熱處理裝置BK，與在電極形成部92使用之熱處理裝置BK同樣地，可對片狀基板FB放射例如熱風或遠紅外線等。熱處理裝置BK係使用此等之放射熱，將塗布於片狀基板FB之液滴乾燥或燒成(烘烤)而使硬化。
對準部107具有沿X方向設置之複數個對準攝影機CA(CA1～CA8)。對準攝影機CA可在可視光照明下以CCD或CMOS攝影，並處理該攝影影像而檢測出對準標記AM之位置，或亦可將雷射光照射於對準標記AM，即使接收其散射光亦可檢測出對準標記AM之位置。
對準攝影機CA1配置於熱轉印滾筒115之+X側。對準攝影機CA1係檢測出於片狀基板FB上藉由熱轉印滾筒115形成之對準標記AM之位置。對準攝影機CA2～CA8分別配置於熱處理裝置BK之+X側。對準攝影機CA2～CA8係檢測出經過熱處理裝置BK之片狀基板FB之對準標記AM之位置。
有時會因經過熱轉印滾筒115及熱處理裝置BK而使片狀基板FB在X軸方向及Y軸方向伸縮。可藉由於如上述進行熱處理之熱轉印滾筒115之+X側或熱處理裝置BK之+X側配置對準攝影機CA，而能檢測出因熱變形等導致之片狀基板FB之位置偏移。
對準攝影機CA1～CA8之檢測結果被發送至控制部104。控制部104根據對準攝影機CA1～CA8之檢測結果，進行例如液滴塗布裝置120或液滴塗布裝置140之墨之塗布位置與時點之調整、來自基板供應部101之片狀基板FB之供應速度或滾筒RR之搬送速度之調整、滾筒RR之往Y方向移動之調整、切斷裝置130之切斷位置或時點等之調整。
(基板匣)
本實施形態中，使用基板匣1做為基板供應部101及基板回收部103。以下說明中，為了說明方便，係設定與圖2共通之XYZ正交座標系統，並參照此XYZ正交座標系統說明各構件之位置關係。以下之XYZ正交座標系統係舉在基板供應部101連接於基板處理部102之狀態下將基板匣1做為基板供應部101使用之場合為例說明。
圖5係顯示基板匣1之構成之立體圖。又，圖6係顯示沿圖5之A-A’剖面之構成之圖。如圖5及圖6所示，基板匣1具有匣本體2及座部3。
匣本體2係收容片狀基板FB之部分。匣本體2具有收容部20、搬送部(搬送機構)21、基板導引部22、第2基板搬送部36及第2基板導引部37。又，上述座部3設於匣本體2。又，例如匣本體2係鋁製或杜拉鋁製等。
收容部20係收容片狀基板FB之部分。收容部20，以能收容捲取成例如捲軸狀之片狀基板FB之方式形成為圓筒狀，設置成一部分往+X側突出(突出部23)。本實施形態中，以延伸於圖中Y方向之狀態配置。收容部20具有蓋部25及基板驅動機構24。
蓋部25設於收容部20之+Y側端部或-Y側端部。蓋部25設置成能對收容部20拆裝。藉由使蓋部25對收容部20拆裝，而能對收容部20內部直接處理。作為蓋部25之開關機構，例如亦可係於蓋部25及收容部20設有彼此卡合之螺紋之構成，亦可為藉由鉸鏈機構連接蓋部25與收容部20之構成。蓋部25具有窗部28及顯示部29。
窗部28係以例如可見光能透過之材料，例如玻璃或塑膠等形成。透過窗部28，可觀察收容部20之內部。顯示部29係使片狀基板FB之狀態等資訊顯示之部分。於顯示部29顯示例如收容於收容部20之片狀基板FB之長度尺寸或片狀基板FB之剩餘長度等。
基板驅動機構24係進行捲取片狀基板FB之動作及送出片狀基板FB之動作之部分。基板驅動機構24設於收容部20之內部。基板驅動機構24具有滾筒部(軸部)26及導引部27。滾筒部26如圖6所示，具有旋轉軸構件26a、擴徑部26b及接著部26c。
旋轉軸構件26a係由例如鋁等剛性高之金屬形成之圓柱狀構件。旋轉軸構件26a例如被設於蓋部25中央部之開口部25a及軸承構件25b支承成能旋轉。此情形下，旋轉軸構件26a之中心軸成為平行於例如Y方向之狀態，旋轉軸構件26a旋轉於θY方向。
旋轉軸構件26a連接於未圖示之旋轉驅動機構。藉由旋轉驅動機構之驅動控制，旋轉軸構件26a以中心軸為中心旋轉。旋轉驅動機構如圖6所示，能使旋轉軸構件26a往例如+θY方向及-θY方向之任一方向旋轉。
擴徑部26b係於旋轉軸構件26a之表面以均一厚度形成。擴徑部26b形成為與旋轉軸構件26a一體旋轉。接著部26c在剖面視下於擴徑部26b之表面以均一厚度形成。接著部26c係使用具有使片狀基板FB接著之程度之黏著性之材料形成。
導引部27具有旋動構件(第1導引構件)27a及前端構件(第1導引構件)27b。旋動構件27a例如一端透過軸部27c而安裝於收容部20，設成能以該軸部27c為中心旋動於θY方向。旋動構件27a連接於未圖示之旋轉驅動機構。
前端構件27b在剖面視下連接於旋動構件27a之另一端。例如，前端構件27b形成為具有在剖面視下為圓弧狀之曲面。片狀基板FB，係透過設於前端構件27b之該剖面視圓弧狀之+Z側曲面被往滾筒部26導引。前端構件27b與旋動構件27a一體旋動。當例如旋動構件27a往從滾筒部26遠離之方向(滾筒部26之徑方向之外側方向)旋動時，係沿收容部20之內周抵接。因此，可避免前端構件27b與被滾筒部26捲取之片狀基板FB之間之接觸。
座部3係連接於基板處理部102之部分。座部3例如設於設在收容部20之突出部23之+X側端部。座部3具有用以與基板處理部102連接之插入部3a。在插入部3a之中基板處理部102側之端面3b，設有在與基板處理部102之間電氣連接之端子3c。
在基板匣1作為基板供應部101使用時，座部3係連接於基板處理部102之供應側連接部102A。在基板匣1作為基板回收部103使用時，座部3係連接於基板處理部102之回收側連接部102B。座部3不論連接於基板處理部102之基板供應部101及基板回收部103之任一者，均連接成可拆裝。
於座部3設有開口部34及第2開口部35。開口部34係設於+Z側之開口部，係在與匣本體2之間片狀基板FB進出之部分。於匣本體2收容經由該開口部34之片狀基板FB。收容於匣本體2之片狀基板FB係經由該開口部34送出至匣本體2外部。
第2開口部35係設於-Z側之開口部，係在與匣本體2之間與片狀基板FB不同之帶狀第2基板SB進出之部分。作為此種第2基板SB，可舉出例如保護片狀基板FB之元件形成面之保護基板等。作為保護基板可使用例如襯紙等。第2開口部35例如與開口部34相隔間隔配置。第2開口部35例如形成為與開口部34相同之尺寸及形狀。又，作為本實施形態之第2基板SB，亦可使用不鏽鋼之薄板(例如厚度為0.1mm以下等)等具有導電性之材質。此情形下，第2基板SB與片狀基板FB一起收容於匣本體2時，若使第2基板SB電氣連接於匣本體2，即能防止片狀基板FB之帶電。
搬送部21、基板導引部22、第2基板搬送部36及第2基板導引部37，例如設於突出部23之內部。基板導引部22設於開口部34與搬送部21之間。基板導引部22係在開口部34與搬送部21之間導引片狀基板FB之部分。基板導引部22具有基板用導引構件22a及22b。基板用導引構件22a及22b係於Z方向相隔間隙22c對向配置，設成對向面分別大致平行於XY平面。該間隙22c連接於開口部34，片狀基板FB係在開口部34及間隙22c移動。
第2基板導引部37係在座部3與搬送部21之間導引第2基板SB之部分。第2基板導引部37具有第2基板用導引構件37a、37b及37c。第2基板用導引構件37a及37b係於Z方向相隔間隙37d對向配置，設成對向面分別大致平行於XY平面。第2基板用導引構件37c傾斜配置成將第2基板SB往+Z側導引。具體而言，係以第2基板用導引構件37c之-X側端部相對+X側端部往+Z側傾斜之狀態配置。
第2基板搬送部36，在座部3與搬送部21之間搬送第2基板SB。第2基板搬送部36配置於第2基板用導引構件37a及37b與第2基板用導引構件37c之間。第2基板搬送部36具有主動滾筒36a及從動滾筒36b。主動滾筒36a設成可旋轉於例如θY方向，連接於未圖示之旋轉驅動機構。從動滾筒36b於與主動滾筒36a之間相隔間隙配置成在與主動滾筒36a之間夾持第2基板SB。
搬送部21係在座部3與收容部20之間搬送片狀基板FB及第2基板SB。搬送部21具有張力滾筒(張力機構)21a及測定滾筒(測定部)21b。張力滾筒21a係在與滾筒部26之間對片狀基板FB及第2基板SB賦予張力之滾筒。張力滾筒21a設成能旋轉於θY方向。於張力滾筒21a例如連接有未圖示之旋轉驅動機構。此外，張力滾筒21a及測定滾筒21b亦可設成能分別移動於圖6之Z方向。
測定滾筒21b係具有較張力滾筒21a小之徑之滾筒。測定滾筒21b，於與張力滾筒21a之間相隔既定間隙配置成能在與張力滾筒21a之間夾持片狀基板FB及第2基板SB。亦可為可調整測定滾筒21b與張力滾筒21a之間之間隙大小，以僅夾持片狀基板FB或一併夾持片狀基板FB及第2基板SB之構成。測定滾筒21b係隨著張力滾筒21a之旋轉而旋轉之從動滾筒。
藉由在在張力滾筒21a與測定滾筒21b之間夾持有片狀基板FB之狀態下使張力滾筒21a旋轉，能一邊對片狀基板FB賦予張力，一邊分別將片狀基板FB往該片狀基板FB之捲取方向及送出方向搬送。
搬送部21具有檢測出例如測定滾筒21b之轉速或旋轉角度之檢測部21c。作為該檢測部21c能使用例如編碼器等。藉由該檢測部21c，而例如能測量透過測定滾筒21b之片狀基板FB之搬送距離等。
在例如透過開口部34插入片狀基板FB，透過第2開口部35插入第2基板SB之情形，片狀基板FB及第2基板SB，藉由分別以基板導引部22及基板導引部37導引，而在匯合部39匯合。在匯合部39匯合之片狀基板FB及第2基板SB，在匯合之狀態下被搬送部21搬送。此時，搬送部21係按壓片狀基板FB與第2基板SB並使緊貼。因此，搬送部21係兼作將第2基板SB往片狀基板FB按壓之按壓機構。
於匣本體2設有資訊保存部IC(參照圖5)。資訊保存部IC係由例如IC晶片(例如唯讀類型、可讀寫類型)等構成，埋於例如匣本體2。資訊保存部IC具有儲存例如關於收容於匣本體2之片狀基板FB之諸元值之諸元資訊、以該諸元資訊為依據之程序資訊、識別匣本體2之識別資訊等資訊之記憶部MR、及將儲存於該記憶部MR之資訊加以通訊之通訊部CR。記憶部MR，本實施形態中為儲存包含諸元資訊及識別資訊兩者之資訊之構成，但儲存僅包含任一方之資訊之構成亦可。關於通訊部CR，並不限於本實施形態般設在資訊保存部IC內之構成，例如與資訊保存部IC獨立設置之構成亦可。
本實施形態中，雖例示設置一個資訊保存部IC之構成，但例如為在匣本體2設置複數個該資訊保存部IC之構成亦可。作為此例，可舉出例如將上述資訊保存為一維或二維之條碼等，將形成有該條碼之封條黏貼於與上述資訊保存部IC不同之部位之構成等。又，資訊保存部IC並不限於埋於匣本體2之構成，例如為將資訊保存部IC安裝成能與匣本體2分離之構成亦可。作為此構成，可舉出例如將IC晶片等安裝成可拆裝之構成等。又，使用例如上述形成有條碼之封條等之情形，由於可將該封條從匣本體2剝離，因此能與匣本體2分離。又，使資訊保存部IC為電氣連接於顯示部29之構成、使資訊保存部IC所保存之該資訊顯示在顯示部29之構成亦可。又，使資訊保存部IC所保存之資訊之至少一部分保存在片狀基板FB之構成亦可。作為此構成，可舉出例如在片狀基板FB形成一維或二維之條碼等之構成、或在片狀基板FB埋入IC標籤等之構成。
作為諸元值，作為一例可舉出片狀基板FB之材質、可撓性、耐熱性、磨耗性、厚度、摩擦係數、耐張力性、伸縮性、張力、膨脹係數等。此外，伸縮性為片狀基板FB所負荷之熱或相對張力之值亦可、為相對熱與張力之值亦可。又，作為諸元值，包含與附著於片狀基板FB之既定液體之親液性或片狀基板FB上之該既定液體之乾燥性等。作為該既定液體，包含例如從液滴塗布裝置120吐出之液滴、金屬墨、電氣絕緣性墨或從液滴塗布裝置140吐出之溶液等。又，諸元資訊亦包含關於對片狀基板FB進行之前處理之前處理資訊。前處理資訊係在收容於匣本體2之前對片狀基板FB進行之處理之資訊。作為上述前處理，可舉出例如對片狀基板FB之改質處理(撥液處理、親液處理等)或表面保護膜之形成處理等。作為此親液處理，可舉出例如對從上述液滴塗布裝置120,140吐出之墨之親液處理等。
程序資訊係關於對片狀基板FB施加之處理之資訊，為包含與諸元資訊對應之程序ID、程序名等之資訊。對該片狀基板FB施加之處理包含與片狀基板FB之諸元資訊對應之至少一個單位處理。作為該單位處理，本實施形態中相當於例如基板處理裝置100之各構成要素進行之處理等。作為此種處理，包含對基板施加之各處理，包含例如加熱處理、冷卻處理、搬送處理、加壓處理、塗布處理、蒸鍍處理、濺鍍處理、光照射處理、電子束照射處理、曝光處理、顯影處理、浸漬處理、乾燥處理、物理加工處理(切斷、局部除去等)、化學加工處理(溶解處理等)、與另一基板之接合處理、檢測處理、對準處理、變形處理、改質處理、分隔壁形成處理等。
資訊保存部IC係電氣連接於上述端子3c。端子3c，在基板匣1連接於基板處理部102時，連接於設在該基板處理部102之供應側連接部102A之裝置側端子102C(參照圖2)。此情形，資訊保存部IC係經由端子3c電氣連接於基板處理部102，經由端子3c可在與基板處理部102之間傳送資訊。又，資訊保存部IC經由通訊部CR可在與設於基板處理裝置100之控制部104之通訊部104CR(參照圖2)之間進行資訊之通訊。此情形，基板匣1與基板處理部102之間之資訊之傳送係藉由控制部104控制。
此外，在資訊保存部IC之記憶部MR，除了上述各資訊之外，亦保存例如基板處理裝置100之節拍時間、產率等資訊或基板匣1之搬送速度、滾筒部26之捲取速度、送出速度等資訊、關於片狀基板FB之資訊等之各種處理資訊亦可。關於「節拍時間」係指每單位處理區域(例如上述液滴塗布裝置120,140等1次可處理之區域，或有機EL元件50之面板1片之畫面區域、面板全面區域)之處理時間。關於「產率」係指每單位時間可處理之片狀基板FB之份量(例如長度、面板片數、基板匣1之個數等)。此等處理資訊與識別資訊或諸元資訊、程序資訊等同樣地經由通訊部CR傳送至控制部104。
圖7A及圖7B係儲存於控制部104之資訊之表之圖。
控制部104設有資料庫104DB，該資料庫104DB具有例如使識別資訊、諸元資訊表及程序資訊(程序ID)產生對應並儲存之第1表、及使程序ID與單位處理之組合資訊產生對應並儲存之第2表。
圖7A係顯示第1表之圖，圖7B係顯示第2表之圖。如圖7A所示，在第1表Tb1，識別資訊例如儲存為N1、N2、N3、…。又，在第1表Tb1，與該識別資訊對應之收容於基板匣1之片狀基板FB之諸元資訊儲存為各諸元值。根據圖7A之例，作為片狀基板FB之諸元資訊舉出片狀基板FB之材質、可撓性、耐熱性之三個諸元值為例顯示。當然，此處為了易於說明，作為諸元值之代表例使用上述三個值進行說明，但實際上儲存有較此情形多之諸元值。此情形，材料之諸元值儲存為例如「材質M1、材質M2、材質M3、…」等，可撓性之諸元值儲存為例如「可撓性F1、可撓性F2、可撓性F3、…」等，耐熱性之諸元值儲存為例如「耐熱性HR1、耐熱性HR2、耐熱性HR3、…」等。又，在第1表Tb1，儲存有與該諸元值之組合對應之程序ID。程序ID儲存為例如「ID1、ID2、ID3、…」等。程序ID連結於圖7B所示之第2表。
如圖7B所示，在第2表Tb2，儲存有與程序][D對應之上述單位處理之組合。圖7B中，上述基板處理部102之搬送部105之單位處理A、元件形成部106之分隔壁形成部91之單位處理B、電極形成部92之單位處理C及發光層形成部93之單位處理D係例示為單位處理之組合之一例。單位處理，除上述以外，為例如對準部107之處理或基板切斷部108之處理等亦可。
圖7B中，作為例如與程序ID1對應之單位處理之組合，儲存有「單位處理A1、單位處理B3、單位處理C2、單位處理D3、…」。作為與程序ID2對應之程序，儲存有「單位處理A2、單位處理B1、單位處理C3、單位處理D2、…」。作為與程序ID3對應之程序，儲存有「單位處理A1、單位處理B2、單位處理C1、單位處理D1、…」。
又，例如，單位處理A中單位處理A1與單位處理A2，可設為對搬送速度或滾筒RR之按壓力等彼此賦予差之處理。例如，單位處理B中單位處理B1～B3，為對壓印滾筒110之壓印用模111之種類或硬度、間距等彼此賦予差之處理亦可，對熱轉印滾筒115之加熱處理彼此賦予差之處理亦可。例如，單位處理C之單位處理C1～C3及單位處理D之單位處理D1～D3，作為電極形成部92之電極形成處理，除了本實施形態般分別使用液滴塗布裝置120或液滴塗布裝置140之塗布處理之外，為藉由蒸鍍形成電極之處理亦可，為藉由濺鍍法形成電極之處理亦可。此情形，基板處理部102之構成，除了液滴塗布裝置120,140之外另外設置蒸鍍裝置或濺鍍裝置等，控制部104控制成進行與程序ID對應之處理。又，使用例如上述液滴塗布裝置120,140之情形，單位處理依據使用液滴之種類為不同處理亦可。同樣地，在單位處理能以不同條件進行處理之情形，單位處理依各條件分別預先儲存為不同處理亦可。
(片狀基板往基板匣之收容動作)
其次，說明於如上述構成之基板匣1收容片狀基板FB之收容動作。圖8及圖9，係顯示收容動作時之基板匣1之狀態之圖。圖8及圖9中，為了容易判別圖，係以虛線顯示基板匣1之外形。
如圖8及圖9所示，於基板匣1收容片狀基板FB時，使基板匣1保持於保持具HD上。在此狀態下，將片狀基板FB從開口部34插入。插入片狀基板FB時，係先設為使張力滾筒21a及旋轉軸構件26a(滾筒部26)旋轉之狀態。
經由開口部34插入之片狀基板FB，被基板導引部22往搬送部21導引。搬送部21中，片狀基板FB係被夾於張力滾筒21a與測定滾筒21b之間而往收容部20側搬送。伴隨測定滾筒21b之旋轉，於例如檢測部21c檢測片狀基板FB之搬送長度。
往收容部20側通過搬送部21之片狀基板FB，一邊因自重而往-Z方向彎曲一邊被導引。本實施形態中，由於於片狀基板FB之-Z側設有導引部27，因此片狀基板FB係沿導引部27之旋動構件27a及前端構件27b被往滾筒部26導引。
在片狀基板FB之前端到達滾筒部26之接著部26c後，片狀基板FB之前端與接著部26c接著。在此狀態下若滾筒部26旋轉，片狀基板FB便徐徐地接著於接著部26c，片狀基板FB被接著部26c捲取。在片狀基板FB接著於接著部26c後，一邊調整例如張力滾筒21a之旋轉速度與旋轉軸構件26a之旋轉速度一邊搬送片狀基板FB，以使片狀基板FB在滾筒部26與搬送部21之間不會彎曲。
片狀基板FB在對滾筒部26被捲取例如一旋轉之量後，如圖9所示使導引部27退離。藉由在此狀態下使滾筒部26旋轉，片狀基板FB即徐徐地被滾筒部26陸續捲取。被捲取之片狀基板FB之厚度雖逐漸變厚，但由於導引部27已退離，因此片狀基板FB與導引部27不會接觸。
在已捲取所欲長度之片狀基板FB後，切斷例如片狀基板FB中開口部34外側之部分。如此，於基板匣1收容片狀基板FB。在片狀基板FB之收容動作中，基於於檢測部21c測定之片狀基板FB之測定長度來算出例如已收容於基板匣1內之片狀基板FB之全長亦無妨。又，可使顯示部29顯示算出結果。又，可使顯示部29顯示算出結果，亦可使記憶部MR儲存或使用通信部CR使通信。
此外，例如一邊由作業者從窗部28觀察收容部20之內部一邊進行片狀基板FB之捲取亦無妨。在此場合，可一邊確認片狀基板FB是否在折彎之狀態下被捲取、片狀基板FB之捲取形狀(捲軸形狀)是否為變形之狀態一邊使捲取作業進行，在有異常發生之場合可立刻使捲取停止。
(基板處理裝置之動作)
其次，說明如上述構成之基板處理裝置100之動作。
本實施形態中，係依序進行以收容有片狀基板FB之基板匣1作為基板供應部101連接於供應側連接部102A之連接動作、由基板供應部101進行之基板匣1之片狀基板FB之供應動作、基板處理部102之元件形成動作、基板匣1之卸除動作。
首先，說明基板匣1之連接動作。圖10係顯示基板匣1之連接動作之圖。
如圖10所示，關於供應側連接部102A，先將插入口形成為與座部3對應之形狀。
連接動作中，在使基板匣1保持於保持具(與例如圖8及圖9所示之保持具HD相同之構成)之狀態下，進行座部3與供應側連接部102A之對齊。在對齊後，使座部3往+X側移動而插入基板處理部102。
此時，使座部3之端子3c與供應側連接部102A之裝置側端子102C彼此接觸。藉由使端子3c與裝置側端子102C接觸，在基板匣1之資訊保存部IC與控制部104之通訊部104CR之間進行資訊之通訊。藉由此通訊動作，控制部104讀取基板供應部101之資訊保存部IC所保存之資訊(例如，識別資訊或諸元資訊等)。在控制部104，根據該讀取資訊之中之諸元資訊判斷程序ID，從第2表Tb2選擇與該程序ID對應之單位處理之組合，進行作為以下各動作(供應動作、元件形成動作等)而選擇之單位處理。藉由此動作，根據作為處理對象之片狀基板FB之諸元值切換單位處理，因此可對片狀基板FB進行最適當之處理。又，控制部104將從基板供應部101讀取之諸元資訊等寫入至基板回收部103之資訊保存部IC，藉此將基板供應部101之諸元資訊傳送至基板回收部103亦可。又，控制部104將關於根據上述諸元資訊選擇之單位處理之資訊傳送至基板回收部103亦可。此種情形，控制部104將以在基板處理部102對片狀基板FB進行之各單位處理為依據之資訊傳送至基板回收部103，因此基板回收部103可將對片狀基板FB進行何種處理等之處理經過資訊作為諸元資訊保存。
此外，在基板匣1之連接動作之前，資訊保存部IC，藉由在資訊保存部IC之通訊部CR與控制部104之通訊部104CR之間進行之無線通訊，將上述資訊傳送至控制部104亦可。
其次，說明供應動作。對基板處理部102供應片狀基板FB時，例如係使基板匣1之旋轉軸構件26a(滾筒部26)及張力滾筒21a往與收容動作時相反之方向旋轉，而如圖11所示，經由開口部34送出片狀基板FB。
其次，說明元件形成動作。元件形成動作中，如圖2所示，一邊從基板供應部101對基板處理部102供應片狀基板FB，一邊在基板處理部102於該片狀基板FB上陸續形成元件。基板處理部102中，如圖3所示，藉由滾筒RR搬送片狀基板FB。
控制部104，除了上述單位處理之組合之外，根據從基板匣1供應之處理資訊控制基板處理部102之動作亦可。例如，控制部104配合來自基板匣1之片狀基板FB之供應速度調整基板處理部102內之各滾筒RR之旋轉速度。又，控制部104檢測出滾筒RR是否於Y軸方向偏移，當偏移時即使滾筒RR移動以修正位置。又，控制部104係與片狀基板FB之位置修正一併進行。
從基板供應部101供應至基板處理部102之片狀基板FB，首先被搬送至分隔壁形成部91。分隔壁形成部91中，片狀基板FB係被以壓印滾筒110與熱轉印滾筒115夾持按壓，藉由熱轉印於片狀基板FB形成分隔壁BA及對準標記AM。
圖12係顯示於片狀基板FB形成有分隔壁BA及對準標記AM之狀態之圖。圖13係放大圖12之一部分而顯示之圖。圖14係顯示沿圖13之D-D剖面之構成之圖。圖12及圖13係從+Z側觀看片狀基板FB時之樣子之圖。
如圖12所示，分隔壁BA形成於片狀基板FB之Y方向中央部之元件形成區域60。如圖13所示，藉由形成分隔壁BA，而於元件形成區域60區劃出形成閘極匯流排線GBL及閘極電極G之區域(閘極形成區域52)與形成源極匯流排線SBL、源極電極S、汲極電極D及陽極P之區域(源極汲極形成區域53)。如圖14所示，閘極形成區域52在剖面視下形成為梯形。雖省略圖示，但源極汲極形成區域53亦為相同之形狀。分隔壁BA內之寬度W(μm)為閘極匯流排線GBL之線寬。此寬度W最好係相對於從液滴塗布裝置120G塗布之液滴直徑d(μm)設為兩倍～四倍左右。
此外，閘極形成區域52及源極汲極形成區域53之剖面形狀，最好係在剖面視下為V字形或U字形，以在微細壓印用模111按壓片狀基板FB後片狀基板FB容易剝離。除此以外之形狀，例如可係在剖面視下為矩形形狀。
另一方面，如圖12所示，對準標記AM係於片狀基板FB之Y方向兩端部之緣區域61形成一對。分隔壁BA及對準標記AM由於相互位置關係重要因此係同時形成。如圖13所示，於Y軸方向規定有對準標記AM與閘極形成區域52間之既定距離PY，於X軸方向規定有對準標記AM與源極汲極形成區域53間之既定距離PX。因此，能根據一對對準標記AM之位置檢測出片狀基板FB之X軸方向之偏移、Y軸方向之偏移及θ旋轉。
圖12及圖13中，對準標記AM雖係依X軸方向之每複數行分隔壁BA設置一對，但並不限於此，例如亦可依分隔壁BA之每一行設置對準標記AM。又，只要有空間，亦可不僅於片狀基板FB之緣區域61而於元件形成區域60亦設置對準標記AM。又，圖12及圖13中，對準標記AM雖顯示十字形，但亦可係圓形標記、傾斜之直線標記等其他標記形狀。
其次，片狀基板FB被搬送滾筒RR搬送至電極形成部92。電極形成部92中，藉由各液滴塗布裝置120進行液滴之塗布，於片狀基板FB上形成電極。
於片狀基板FB上首先藉由液滴塗布裝置120G形成閘極匯流排線GBL及閘極電極G。圖15A及圖15B，係顯示藉由液滴塗布裝置120G進行液滴塗布之片狀基板FB之樣子之圖。
如圖15A所示，液滴塗布裝置120G係於形成有分隔壁BA之片狀基板FB之閘極形成區域52以例如1～9之順序塗布金屬墨。此順序係例如以金屬墨彼此之張力塗布成直線狀之順序。圖15B係顯示例如塗布有一滴之金屬墨之狀態之圖。如圖15B所示，由於設有分隔壁BA，因此塗布於閘極形成區域52之金屬墨係不擴散而被保持。藉此方式，於閘極形成區域52整體塗布金屬墨。
於閘極形成區域52塗布金屬墨後，片狀基板FB被搬送以使塗布有該金屬墨之部分位於熱處理裝置BK之-Z側。熱處理裝置BK係對塗布於片狀基板FB上之金屬墨進行熱處理，使該金屬墨乾燥。圖16A係顯示使金屬墨乾燥後之閘極形成區域52之狀態之圖。如圖16A所示，藉由使金屬墨乾燥，使金屬墨所含之導電體積層為薄膜狀。此種薄膜狀之導電體形成於閘極形成區域52整體，如圖16B所示，於片狀基板FB上形成閘極匯流排線GBL及閘極電極G。
其次，片狀基板FB被搬送至液滴塗布裝置120I之-Z側。在液滴塗布裝置120I於片狀基板FB塗布電氣絕緣性墨。在液滴塗布裝置120I中，例如圖17所示，於通過源極汲極形成區域53之閘極匯流排線GBL上及閘極電極G上塗布電氣絕緣性墨。
在塗布電氣絕緣性墨後，片狀基板FB被搬送至熱處理裝置BK之-Z側，而藉由熱處理裝置BK對該電氣絕緣性墨施以熱處理。藉由此熱處理使電氣絕緣性墨乾燥，而形成閘極絕緣層I。圖17中，雖顯示閘極絕緣層I以橫跨分隔壁BA上之方式形成為圓形之狀態，但並不特別需跨越分隔壁BA而形成。
在形成閘極絕緣層I後，片狀基板FB被搬送至液滴塗布裝置120SD之-Z側。液滴塗布裝置120SD中，於片狀基板FB之源極汲極形成區域53塗布金屬墨。針對源極汲極形成區域53中橫跨閘極絕緣層I之部分，係以例如圖18所示之1～9之順序吐出金屬墨。
在金屬墨之吐出後，片狀基板FB被搬送至熱處理裝置BK之-Z側，進行金屬墨之乾燥處理。在該乾燥處理後，金屬墨所含之導電體積層為薄膜狀，而形成源極匯流排線SBL、源極電極S、汲極電極D及陽極P。不過，在此階段，係呈源極電極S與汲極電極D之間被連接之狀態。
其次，片狀基板FB被搬送至切斷裝置130之-Z側。片狀基板FB在切斷裝置130被切斷源極電極S與汲極電極D之間。圖19係顯示以切斷裝置130切斷源極電極S與汲極電極D之間隔後之狀態之圖。切斷裝置130，係一邊使用電流鏡131調整雷射光LL往片狀基板FB之照射位置，一邊進行切斷。
在切斷源極電極S與汲極電極D之間後，片狀基板FB被搬送至液滴塗布裝置OS之-Z側。在液滴塗布裝置OS，於片狀基板FB上形成有機半導體層OS。於片狀基板FB上之中重疊於閘極電極G之區域，以橫跨源極電極S及汲極電極D之方式被吐出有機半導體墨。
在有機半導體墨之吐出後，片狀基板FB被搬送至熱處理裝置BK之-Z側，進行有機半導體墨之乾燥處理。該乾燥處理後，有機半導體墨所含之半導體積層為薄膜狀，而如圖20所示形成有機半導體層OS。藉由以上之步驟，於片狀基板FB上即形成場效型電晶體及連接配線。
其次，片狀基板FB被搬送滾筒RR搬送至發光層形成部93(參照圖3)。在發光層形成部93，藉由液滴塗布裝置140Re、液滴塗布裝置140Gr、液滴塗布裝置140Bl及熱處理裝置BK分別形成紅色、綠色、藍色之發光層IR。由於於片狀基板FB上形成有分隔壁BA，因此即使在不以熱處理裝置BK對紅色、綠色及藍色之發光層IR進行熱處理而持續塗布之情形，亦不會因溶液往相鄰之像素區域溢出而產生混色。
在發光層IR之形成後，片狀基板FB係經過液滴塗布裝置140I及熱處理裝置BK而形成絕緣層I，經過液滴塗布裝置140IT及熱處理裝置BK而形成透明電極IT。經過如上述之步驟，於片狀基板FB上形成圖1所示之有機EL元件50。
元件形成動作中，為了防止在如上述地一邊使片狀基板FB搬送、一邊形成有機EL元件50之過程中，片狀基板FB往X方向、Y方向及θZ方向偏移，係進行對準動作。以下，參照圖21說明對準動作。
對準動作中，設於各部之複數個對準攝影機CA(CA1～CA8)適當檢測出形成於片狀基板FB之對準標記AM，對控制部104送出檢測結果。在控制部104，根據送來之檢測結果進行對準動作。
例如，控制部104係根據對準攝影機CA(CA1～CA8)所檢測出之對準標記AM之攝影間隔等檢測出片狀基板FB之進給速度，判斷滾筒RR是否以例如既定速度旋轉。在判斷滾筒RR非以既定速度旋轉時，控制部104係發出滾筒RR旋轉速度之調整之指令施加反饋。
又，例如控制部104係根據對準標記AM之攝影結果，檢測出對準標記AM之Y軸方向之位置是否偏移，而檢測出片狀基板FB之Y軸方向之位置偏移之有無。在檢測出位置偏移時，控制部104係檢測出在搬送片狀基板FB之狀態下位置偏移是持續何種程度之時間。
若位置偏移之時間為短時間，即藉由切換液滴塗布裝置120之複數個嘴122中塗布液滴之嘴122來對應。若片狀基板FB之Y軸方向之偏移長時間持續，則藉由滾筒RR之移動進行片狀基板FB之Y軸方向之位置修正。
又，例如控制部104係根據對準攝影機CA所檢測出之對準標記AM之X軸及Y軸方向之位置，檢測出片狀基板FB是否於θZ方向偏移。在檢測出位置偏移時，控制部104係與Y軸方向之位置偏移之檢測時同樣地，檢測出在搬送片狀基板FB之狀態下位置偏移是持續何種程度之時間。
若位置偏移之時間為短時間，即藉由切換液滴塗布裝置120之複數個嘴122中塗布液滴之嘴122來對應。若偏移長時間持續，則使兩個滾筒RR(設於隔著檢測出該偏移之對準攝影機CA之位置)移動於X方向或Y方向，以進行片狀基板FB之θZ方向之位置修正。
其次，說明卸除動作。例如於片狀基板FB形成有機EL元件50並回收片狀基板FB後，將作為基板供應部101使用之基板匣1從基板處理部102卸除。
圖22係顯示基板匣1之卸除動作之圖。
如圖22所示，卸除動作中，使座部3往-X方向移動而從供應側連接部102A卸除。在此動作，座部3係沿著供應側連接部102A之導引而卸除。
如上述，根據本實施形態，由於基板匣1具備收容片狀基板FB之匣本體2、及保存包含至少關於收容於匣本體2之片狀基板FB之諸元值之諸元資訊之資訊之資訊保存部IC，因此例如控制部104可使用收容於匣本體2之片狀基板FB之諸元資訊等判別該片狀基板FB之諸元值等。因此，可高效率進行對基板之處理。又，可提升包含片狀基板FB之生產線整體之資訊管理能力。
又，根據本實施形態，基板處理裝置100具備處理片狀基板FB之基板處理部102、對基板處理部102進行片狀基板FB之搬入之基板供應部101、及從基板處理部102進行基板之搬出之基板回收部103，作為基板供應部101係使用基板匣1，因此基板處理部102能使用來自基板匣1之資訊對片狀基板FB切換進行最適當處理。藉此，能降低片狀基板FB在基板處理部102之破損或變形等缺陷。
又，根據本實施形態，在顯示元件之製程，具有在基板處理部102處理片狀基板FB之步驟、使用基板匣1對基板處理部102供應片狀基板FB或從基板處理部102回收片狀基板FB之步驟，因此可在高水準之資訊管理下高效率製造顯示元件。
又，根據本實施形態，控制部104可更新基板匣1之資訊保存部IC所保存之諸元資訊等之資訊，因此作為基板供應部101使用之基板匣1之回收可能。
(第2實施形態)
接著，說明本發明之第2實施形態。
圖23係顯示構成本實施形態之基板處理裝置200的圖。
如圖23所示，基板處理裝置200具有基板供應部201、基板處理部202、基板回收部203及控制部204。本實施形態中，在基板供應部201及基板回收部203分別使用上述基板匣1之點與第1實施形態不同。
基板處理部202為在例如第1實施形態之基板處理部102未設置基板切斷部108之構成。因此，在該基板處理部202處理後之片狀基板FB，在未被切斷維持薄片狀之狀態下藉由基板回收部203回收。
又，例如，片狀基板FB之諸元資訊、程序資訊、基板匣1之識別資訊保存於基板匣1之構成、或在控制部204設置第1表Tb1及第2表Tb2之構成、或資訊保存部IC與控制部204之間可通訊之構成等，與在第1實施形態說明之構成相同。
圖24～圖26係顯示在基板回收部103之片狀基板FB之回收之樣子的圖。圖24～圖26中，為了容易判別圖，以省略一部分構成之狀態顯示。
在回收動作，如圖24所示，與將片狀基板FB插入基板匣1之開口部34同時從第2開口部35插入保護基板PB。保護基板PB係從例如未圖示之保護基板供應部供應。
插入後之片狀基板FB及保護基板PB，如圖25所示，係分別以基板導引部22及第2基板導引部37導引，於匯合部39匯合。在匯合部39匯合之片狀基板FB及保護基板PB係如圖26所示在匯合之狀態下被搬送部21搬送，被張力滾筒21a與測定滾筒21b按壓而密著。片狀基板FB及保護基板PB係在密著之狀態下被滾筒部26捲取回收。
控制部204，在藉由基板回收部203回收片狀基板FB時，對作為基板回收部203使用之基板匣1之資訊保存部IC傳送處理後之片狀基板FB之諸元資訊及與該諸元資訊對應之程序資訊。資訊保存部IC接收該傳送來之資訊並儲存於記憶部MR。
如上述，根據本實施形態，基板處理裝置200具備處理片狀基板FB之基板處理部202、對基板處理部202進行片狀基板FB之搬入之基板供應部201、及從基板處理部202進行基板之搬出之基板回收部203，作為基板供應部201及基板回收部203係使用基板匣1，因此來自基板匣1之資訊係傳送至回收對象之基板匣1。藉此，即使是管理該回收對象之基板匣1之情形、或對收容於回收對象之基板匣1之片狀基板FB進行處理之情形，基板處理裝置200亦可使用上述資訊。藉此，可提升基板處理裝置200之資訊管理能力，大幅提昇處理效率。
此外，本實施形態中，舉基板處理部202與第1實施形態記載之基板處理部102相同之構成為例進行說明，但並不限於此。例如在基板處理部202，為僅設置構成第1實施形態記載之基板處理部102之分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93中之一部分之構成亦可。
例如，作為基板處理部202，舉僅設置分隔壁形成部91、未設置電極形成部92及發光層形成部93之構成為例進行說明。此情形，在基板處理部202，在僅進行分隔壁BA之形成之狀態下片狀基板FB回收至基板回收部203。由基板回收部203回收之片狀基板FB，在另一基板處理部進行電極形成處理及發光層形成處理。
基板匣1係設成能與基板處理部202拆裝，因此在上述情形，可從基板處理部202卸除基板匣1，將基板匣1搬送並連接至另一基板處理部。在此基板匣1之資訊保存部IC保存包含片狀基板FB之諸元資訊、程序資訊、基板匣1之識別資訊之資訊，因此即使在連接對象之基板處理部亦可使用該資訊進行處理。如上述，即使在一個生產線跨越複數個基板處理部且在該基板處理部彼此未進行資訊之通訊之情形，亦可經由基板匣1將片狀基板FB之資訊進行通訊。即使是此情形，亦可提升資訊管理能力，大幅提昇處理效率。
(第3實施形態)
接著，說明本發明之第3實施形態。
本實施形態中，舉在複數個基板處理部進行資訊之通訊之情形之例進行說明。
圖27係顯示本實施形態之基板處理系統SYS之構成之圖。
如圖27所示，基板處理系統SYS具有第1基板處理裝置300、第2基板處理裝置310、及主控制裝置CONT。第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310係例如設置於相同地點、或相同工場內。
第1基板處理裝置300例如係於片狀基板FB形成有機EL元件50之分隔壁BA之裝置。第2基板處理裝置310例如係於片狀基板FB形成電極(閘極電極G等)或有機EL元件50之發光層IR、透明電極ITO之裝置。如上述基板處理系統SYS係形成有機EL元件50之裝置分為第1基板處理裝置300與第2基板處理裝置310之2個種類之裝置之構成。
第1基板處理裝置300具有基板供應部301、基板處理部302、及基板回收部303。本實施形態中，作為基板供應部301及基板回收部303，係使用上述基板匣1。
基板處理部302係分別具有與第1實施形態之基板處理裝置100之分隔壁形成部91為相同之構成，於與基板供應部301之連接部分設有供應側連接部302A。供應側連接部302A之構成與第1實施形態之供應側連接部102A為相同構成。如上述第1基板處理裝置300具有與第1實施形態之基板處理裝置100之從基板供應部101至基板處理部102之分隔壁形成部91之構成相同之構成。
於基板處理部302之中與基板回收部303之連接部分設有連接於基板匣1之座部3之回收側連接部302B。回收側連接部302B係與供應側連接部302A為相同之構成。
第2基板處理裝置310具有基板供應部311、基板處理部312、及基板回收部313，在各部為與第1基板處理裝置300相同之構成。基板處理部312具有與第1實施形態之基板處理裝置100之電極形成部92及發光層形成部93為相同之構成。
在第2基板處理裝置310，作為基板供應部311及基板回收部313，係使用上述基板匣1。又，從第1基板處理裝置300卸除後搬送至第2基板處理裝置310之基板回收部303(基板匣1)，係使用為第2基板處理裝置310之基板供應部311。是以，基板匣1亦作用為使片狀基板FB從第1基板處理裝置300往第2基板處理裝置310中繼之中繼裝置。
主控制裝置CONT係經由有線或無線之通訊機構分別連接於第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310，統籌控制此等第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310。又，主控制裝置CONT具有第1實施形態記載之第1表Tb1及第2表Tb2。因此，在主控制裝置CONT，可統籌管理使用於第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310之基板匣1之資訊保存部IC所保存之資訊。
如上述，本實施形態中，由於主控制裝置CONT統籌管理基板匣1之資訊保存部IC所保存之資訊，因此可提升基板處理系統SYS之資訊管理能力，可提升基板處理系統SYS之處理效率。
本實施形態般，以控制部104或主控制裝置CONT等概括管理有機EL元件50之生產線之情形，使基板匣1之資訊保存部IC為僅保存識別資訊之構成亦可。例如，以主控制裝置CONT概括管理有機EL元件50之生產線之情形，主控制裝置CONT之主記憶部MMR(參照圖27)具有與識別資訊對應之諸元資訊，主控制裝置CONT根據基板匣1之識別資訊辨識諸元資訊，可進行以該諸元資訊為依據之處理(例如，單位處理)。如上述，主控制裝置CONT從主記憶部MMR讀取與從資訊保存部IC讀取之識別資訊對應之諸元資訊，為了進行以該諸元資訊為依據之處理而將處理訊號傳送至第1基板處理裝置300或第2基板處理裝置310。處理訊號係例如用以使第1基板處理裝置300等進行各處理之設定值等之指令訊號。此外，例如以控制部104概括管理有機EL元件50之生產線之情形，替代主控制裝置CONT使用控制部104即可。藉此，可提升第1基板處理裝置300或第2基板處理裝置310之處理效率。
此外，本實施形態中，作為從第1基板處理裝置300卸除之基板匣1之連接對象，雖舉第2基板處理裝置310為例進行說明，但並不限於此。例如，預先配置塗布裝置或蒸鍍裝置、濺鍍裝置等進行複數種類之單位處理之複數個處理裝置320(圖27顯示為一點鏈線)，藉由主控制裝置CONT統籌控制各處理裝置320亦可。此情形，藉由主控制裝置CONT進行控制以將從第1基板處理裝置300卸除之基板匣1之連接對象切換於各處理裝置320亦可。藉由此控制，可進行與片狀基板FB之諸元資訊對應之處理。
本發明之技術範圍並不限於上述實施形態，在不脫離本發明趣旨之範圍內可適當施加變更。
例如，使基板匣1為不保存諸元資訊而保存程序ID之構成亦可。根據此構成，能使基板處理系統SYS之資訊管理更簡單。
又，上述實施形態中，在控制部104或主控制裝置CONT進行以諸元資訊為依據之程序之切換，但並不限於此，另外設置控制程序切換之切換控制裝置(或切換控制部)亦可。此情形，在切換控制裝置預先設置與上述第1表Tb1、第2表Tb2對應之表，以使基板匣1之資訊保存部IC所保存之資訊傳達至該切換控制裝置。在切換控制裝置，根據儲存於表之資訊選擇程序，將該選擇結果傳送至上述控制部104或主控制裝置CONT。此外，此種切換控制裝置預先設置於例如基板匣1亦可。
又，上述第1實施形態及第2實施形態中，舉僅在基板處理部之基板供應部使用基板匣1之構成、在基板處理部之基板供應部及基板回收部之兩方使用基板匣1之構成為例進行說明，但僅在例如基板回收部使用基板匣1之構成亦可。
(第4實施形態)
接著，說明本發明之第4實施形態。以下說明中，對與上述實施形態相同或同等之構成要素賦予相同符號以省略或簡化其說明。本實施形態中，如圖2所示，基板處理裝置100係使用具有可撓性之帶狀之片狀基板FB形成圖1所示之有機EL元件50之裝置。如圖2所示，基板處理裝置100具有基板供應部101、基板處理部102、基板回收部103及控制部104。片狀基板FB係從基板供應部101經由基板處理部102往基板回收部103被搬送。控制部104統籌控制基板處理裝置100之動作。又，控制部104具有儲存資訊之記憶部即資料庫104DB。
圖28係顯示基板處理部102之構成之圖。
如圖28所示，基板處理部102具有搬送部105、元件形成部106、對準部107、基板切斷部108。基板處理部102，係一邊搬送從基板供應部101供應之片狀基板FB，一邊於該片狀基板FB形成上述之有機EL元件50之各構成要素，將形成有有機EL元件50之片狀基板FB往基板回收部103送出之部分。
本實施形態中，作為基板供應部101及基板回收部103係使用基板匣1。如圖5及圖6所示，基板匣1具有匣本體2及座部3。
於匣本體2設有資訊保存部IC(參照圖5)。資訊保存部IC係由例如IC晶片(例如唯讀類型、可讀寫類型)等構成，埋於例如匣本體2。本實施形態中，資訊保存部IC具有儲存例如收容於匣本體2之片狀基板FB之處理資訊或識別匣本體2之識別資訊等資訊之記憶部MR、及將儲存於該記憶部MR之資訊加以通訊之通訊部CR。關於記憶部MR，本實施形態中為儲存包含處理資訊及識別資訊兩者之資訊之構成，但儲存僅包含任一方之資訊之構成亦可。關於通訊部CR，並不限於本實施形態般設在資訊保存部IC內之構成，例如與資訊保存部IC獨立設置之構成亦可。
本實施形態之處理資訊，作為一例，包含片狀基板FB上之缺陷資訊。此缺陷資訊包含片狀基板FB上之缺陷部分之位置資訊、缺陷之修復可否之缺陷程度、圖案欠缺或圖案露出等缺陷種類、或片狀基板FB上之缺陷之修復狀況(例如，修復有無)等之中至少一種。此外，片狀基板FB上之缺陷部分之位置資訊為例如片狀基板FB上之缺陷部分之位置座標亦可、從片狀基板FB之端部至該缺陷部分之距離亦可。
上述片狀基板FB上之缺陷資訊，係經由通訊部CR從資訊保存部IC傳送至基板處理部102之控制部104。被傳送該缺陷資訊之控制部104，根據該缺陷資訊控制電極形成部92等之各處理。作為一例，根據該缺陷資訊所含之缺陷程度判斷該缺陷部分修復不可之情形，控制部104將對該缺陷部分或包含該缺陷部分之元件形成區域60不進行電極形成處理之資訊與缺陷部分之位置資訊一起傳送至液滴塗布裝置120。作為另一例，在該缺陷資訊所含之缺陷部分之修復結束之情形，控制部104將對該缺陷部分或包含該缺陷部分之元件形成區域60進行電極形成處理之資訊傳送至液滴塗布裝置120。如上述，控制部104可根據上述缺陷資訊，選擇對缺陷部分之處理，將選擇後之處理預先傳送至液滴塗布裝置120。
又，如圖29A所示，將例如作為基準位置之標記等之圖案PTN沿著X方向形成在片狀基板FB之中沿著Y方向之端邊之位置，使用該圖案PTN檢測缺陷部分P1之位置，將該檢測結果作為缺陷部分P1之位置資訊亦可。圖29A所示之例，編碼器(位置資訊檢測裝置)之編碼器圖案係作為圖案PTN形成在片狀基板FB。編碼器圖案係例如可判別片狀基板FB在X方向之位置之圖案。即使缺陷部分P1之位置資訊為片狀基板FB在X方向之位置之情形，缺陷部分P1之位置座標，亦可根據缺陷部分P1在X方向之位置使用配置在Y方向之線感測器或可在Y方向移動之攝影機等檢測缺陷部分P1在Y方向之位置來特定。
又，如圖29A所示，缺陷部分P1之位置資訊為對片狀基板FB之中沿著X方向複數劃分之各區域(例如，缺陷區域)賦予之區域編號(例如，A110,A111,A112等)亦可。
此外，本實施形態之處理資訊亦包含關於片狀基板FB上之既定部分之位置資訊、對片狀基板FB之處理之進度資訊、形成於片狀基板FB之形成層(例如，各電極層、TFT層、發光層等)之形態資訊、關於片狀基板FB之形狀之形狀資訊等。此處，片狀基板FB上之既定部分可舉出上述缺陷部分、形成有對齊之基準標記之部分、形成有作為片狀基板FB之長度或間隔之指標之基準標記之部分等。又，在片狀基板FB係連接複數個單位基板而形成之情形，處理資訊亦包含關於該單位基板彼此之連接位置(接續位置)之資訊。
進度資訊包含顯示對片狀基板FB處理進行至何階段之資訊等。進度資訊係顯示例如在片狀基板FB僅形成分隔壁BA之階段、在片狀基板FB形成分隔壁及電極之階段、在片狀基板FB形成分隔壁、電極及發光層之階段等處理階段之資訊。又，進度資訊包含對片狀基板FB進行前處理(例如，親液處理、撥液處理、保護膜形成處理等)之階段亦可，包含閘極電極、源極電極、汲極電極等之電極之形成階段亦可。此進度資訊經由通訊部CR從資訊保存部IC傳送至基板處理部102之控制部104，係使用為選擇在基板處理部102對片狀基板FB進行之處理之資訊之一。
形態資訊包含形成於片狀基板FB之形成層(例如，電極層或發光層)之形狀、形成層之位置偏移、形成層之尺寸(例如，大小、厚度等)、形成層之形成範圍、形成層之位置等資訊。此形態資訊經由通訊部CR從資訊保存部IC傳送至基板處理部102之控制部104。例如，上述形態資訊在因裝置之系統關機或裝置之維護而於途中對片狀基板FB之處理停止之情形，使用為設定處理開始位置之資訊之一。又，作為一例，上述形態資訊即形成層之位置偏移，係使用為根據片狀基板FB之該位置偏移之個數或比例之資訊而通知裝置之維護時期或裝置之異常之資訊之一。
又，形狀資訊包含關於片狀基板FB整體之形狀之資訊。例如，為片狀基板FB之一部分被切開、或在片狀基板FB之一部分具有開口部之構成之情形，形狀資訊亦包含該缺口或開口部之資訊(例如，形狀之種類或位置資訊)等。此形狀資訊經由通訊部CR從資訊保存部IC傳送至基板處理部102之控制部104。例如，上述形狀資訊係使用在掌握搬送部21造成之片狀基板FB之磨耗頻率或傷之程度，控制部104根據該形狀資訊輸出通知裝置之維護時期或裝置之異常之資訊。
又，資訊保存部IC係電氣連接於上述端子3c。端子3c，在基板匣1連接於基板處理部102時，連接於設在該基板處理部102之供應側連接部102A之裝置側端子102C(參照圖2)。此情形，資訊保存部IC係經由端子3c電氣連接於基板處理部102，經由端子3c可在與基板處理部102之間傳送資訊。又，資訊保存部IC經由通訊部CR可在與設於基板處理裝置100之控制部104之通訊部104CR(參照圖2)之間進行資訊之通訊。此情形，基板匣1與基板處理部102之間之資訊之傳送係藉由控制部104控制。
此外，在資訊保存部IC之記憶部MR，除了上述各資訊之外，亦保存例如基板處理裝置100之節拍時間、產率等資訊或基板匣1之搬送速度、滾筒部26之捲取速度、送出速度等資訊、關於片狀基板FB之資訊等之各種參照資訊亦可。關於「節拍時間」係指每單位處理區域(例如上述液滴塗布裝置120,140等1次可處理之區域，或有機EL元件50之面板1片之畫面區域、面板全面區域)之處理時間。關於「產率」係指每單位時間可處理之片狀基板FB之份量(例如長度、面板片數、基板匣1之個數等)。此等參照資訊與識別資訊或處理資訊等同樣地經由通訊部CR傳送至控制部104。
此外，本實施形態中，在基板處理部102設有例如在片狀基板FB形成圖案PTN之形成裝置109A、檢測該圖案PTN之檢測裝置109B、切斷片狀基板FB之一部分並除去之切斷除去裝置109C、偵測包含片狀基板FB上之缺陷資訊之異常之異常偵測裝置109D等(參照圖28)。
圖28所示之實施形態中，在藉由異常偵測裝置109D偵測到片狀基板FB上之缺陷部分等之情形，可藉由檢測裝置109B檢測該缺陷部分之位置資訊。例如，檢測出之缺陷部分之位置資訊，係作為片狀基板FB之缺陷資訊由控制部104傳送至基板回收部103(基板匣1)之資訊保存部IC。
又，圖28所示之實施形態中，在基板供應部102之資訊保存部IC儲存有缺陷資訊之情形，該缺陷資訊所含之缺陷部分係根據該缺陷部分之位置資訊，被切斷除去裝置109C切斷並除去。此情形，例如圖29B所示，在片狀基板FB之一部分形成缺口部CH。
(基板處理裝置之動作)
其次，說明如上述構成之基板處理裝置100之動作。
本實施形態中，係依序進行以收容有片狀基板FB之基板匣1作為基板供應部101連接於供應側連接部102A之連接動作、由基板供應部101進行之基板匣1之片狀基板FB之供應動作、基板處理部102之元件形成動作、基板匣1之卸除動作。
首先，說明基板匣1之連接動作。如圖10所示，關於供應側連接部102A，先將插入口形成為與座部3對應之形狀。
連接動作中，在使基板匣1保持於保持具(與例如圖8及圖9所示之保持具HD相同之構成)之狀態下，進行座部3與供應側連接部102A之對齊。在對齊後，使座部3往+X側移動而插入基板處理部102。
此時，使座部3之端子3c與供應側連接部102A之裝置側端子102C彼此接觸。藉由使端子3c與裝置側端子102C接觸，在基板匣1之資訊保存部IC與控制部104之間進行資訊之通訊。藉由此通訊動作，資訊保存部IC所保存之處理資訊或參照資訊被傳送至控制部104。此外，在基板匣1之連接動作之前，資訊保存部IC，藉由在資訊保存部IC之通訊部CR與控制部104之通訊部104CR之間進行之無線通訊，將上述資訊傳送至控制部104亦可。
其次，說明供應動作。對基板處理部102供應片狀基板FB時，例如係使基板匣1之旋轉軸構件26a(滾筒部26)及張力滾筒21a往與收容動作時相反之方向旋轉，而如圖11所示，經由開口部34送出片狀基板FB。
其次，說明元件形成動作。元件形成動作中，如圖2所示，一邊從基板供應部101對基板處理部102供應片狀基板FB，一邊在基板處理部102於該片狀基板FB上陸續形成元件。基板處理部102中，如圖28所示，藉由滾筒RR搬送片狀基板FB。
控制部104，根據從基板匣1供應之參照資訊控制基板處理部102之動作亦可。例如，控制部104配合來自基板匣1之片狀基板FB之供應速度調整基板處理部102內之各滾筒RR之旋轉速度。又，控制部104檢測出滾筒RR是否於Y軸方向偏移，當偏移時即使滾筒RR移動以修正位置。又，控制部104係與片狀基板FB之位置修正一併進行。
從基板供應部101供應至基板處理部102之片狀基板FB，首先被搬送至分隔壁形成部91。分隔壁形成部91中，片狀基板FB係被以壓印滾筒110與熱轉印滾筒115夾持按壓，藉由熱轉印於片狀基板FB形成分隔壁BA及對準標記AM。
其次，說明卸除動作。例如於片狀基板FB形成有機EL元件50並回收片狀基板FB後，將作為基板供應部101使用之基板匣1從基板處理部102卸除。
在進行上述各動作之前，控制部104可使用從基板匣1傳送之資訊進行處理。例如，控制部104根據從基板匣1(基板供應部101)之資訊保存部IC讀取之處理資訊判斷片狀基板FB之處理狀態，根據該處理裝態進行以下之各動作(供應動作、元件形成動作)亦可。例如，控制部104根據從基板供應部101之資訊保存部IC讀取之缺陷資訊判斷對片狀基板FB之缺陷部分是否要修復、或對包含片狀基板FB之缺陷部分之區域是否可形成元件、或是否要藉由切斷除去裝置109C切除片狀基板FB之缺陷部分等。在判斷片狀基板FB之缺陷部分不可能修復之情形，控制部104可控制成對該缺陷部分不進行處理。藉此，基板處理裝置100可降低使用在各處理之成本(例如，材料之使用量或材料之塗布時間等)。又，在片狀基板FB上之缺陷部分可修復之情形，控制部104控制成在上述分隔壁形成動作、電極形成動作、發光層形成動作之中進行修復該缺陷部分之處理亦可。此外，控制部104控制成進行將關於在基板處理部102處理後之該缺陷部分之修復之修復記錄作為處理資訊儲存至基板回收部103之資訊保存部IC之處理亦可。此處，上述修復記錄包含缺陷之種類、缺陷部分之修復是否成功、進行何種修復之修復內容(例如，修復方法或步驟)、或修復日時等。控制部104，在缺陷部分之修復時，根據上述修復記錄控制成進行該缺陷部分之修復。例如，控制部104，根據上述修復記錄所含之缺陷之種類、修復是否成功、修復內容之組合設定對欲修復之缺陷部分最適當之修復內容。
又，控制部104控制成對在片狀基板FB之一部分偵測到異常之部分(例如，缺陷部分)、或根據來自基板匣1之資訊判斷有異常之部分，使用例如液滴塗布裝置120或液滴塗布裝置140等在與其他部分之間直接形成可識別圖案亦可。此情形，異常偵測裝置109D，只要檢測該圖案即可，因此可提升檢測精度。
又，在進行上述各動作時，在藉由設在圖28所示之基板處理部102之上游側之異常偵測裝置109D在片狀基板FB之一部分偵測到缺陷部分之情形，控制部104將關於該缺陷部分之缺陷資訊傳送至基板回收部103之資訊保存部IC。是以，控制部104可將在上述各動作之過程所得之缺陷資訊等之處理資訊儲存至基板回收部103之資訊保存部IC。如上述，控制部104可將在基板處理部102之各處理所得之處理資訊儲存至基板回收部103。此外，儲存至基板回收部103之處理資訊，在下一個生產線係使用為如上述般之資訊。
又，在進行上述各動作之前，在控制部104根據從基板供應部101之資訊保存部IC讀出之處理資訊判別在片狀基板FB已形成分隔壁BA之情形，控制部104可省略該分隔壁形成動作進行下一個電極形成動作等。接著，控制部104將省略上述分隔壁形成動作進行下一個電極形成動作之處理步驟作為處理資訊更新至基板回收部103之資訊保存部IC。
此外，在進行上述各動作之後，控制部104將基板供應部101之處理資訊傳送至基板回收部103亦可。此情形，控制部104將以在基板處理部102對片狀基板FB進行之各處理為依據之處理資訊與基板供應部101之處理資訊傳送至基板回收部103，因此基板回收部103能將對片狀基板FB進行何種處理等之處理經過資訊保存為處理資訊。
又，在基板切斷部108進行片狀基板FB之切斷之情形，藉由以避開形成有缺陷或缺口之部分之方式切斷，基板切斷部108可高效率除去設有該缺陷或缺口之部分。該除去後部分之中可使用為元件之部分亦可另外再利用。
其次，說明卸除動作。例如於片狀基板FB形成有機EL元件50並回收片狀基板FB後，將作為基板供應部101使用之基板匣1從基板處理部102卸除。
圖22係顯示基板匣1之卸除動作之圖。
如圖22所示，卸除動作中，使座部3往-X方向移動而從供應側連接部102A卸除。在此動作，座部3係沿著供應側連接部102A之導引而卸除。
如上述，根據本實施形態，由於基板匣1具備收容片狀基板FB之匣本體2、及保存識別匣本體2之識別資訊及收容於匣本體2之片狀基板FB之處理資訊中之至少一方之資訊之資訊保存部IC，因此基板處理部102可根據該識別資訊或處理資訊對該片狀基板FB進行適當處理。
又，根據本實施形態，基板處理裝置100具備處理片狀基板FB之基板處理部102、對基板處理部102進行片狀基板FB之搬入之基板供應部101、及從基板處理部102進行基板之搬出之基板回收部103，作為基板供應部101係使用基板匣1，因此基板處理部102能使用來自基板匣1之資訊對片狀基板FB進行最適當處理。藉此，可高效率進行基板處理部102對片狀基板FB之處理。
又，根據本實施形態，在顯示元件之製程，具有在基板處理部102處理片狀基板FB之步驟、使用基板匣1對基板處理部102供應片狀基板FB或從基板處理部102回收片狀基板FB之步驟，因此可在高水準之資訊管理下高效率製造顯示元件。
又，根據本實施形態，控制部104可更新基板匣1之資訊保存部IC所保存之處理資訊等之資訊，因此作為基板供應部101使用之基板匣1之回收可能。
(第5實施形態)
接著，說明本發明之第5實施形態。
本實施形態中，在基板供應部201及基板回收部203分別使用上述基板匣1之點與第4實施形態不同。本實施形態中，如圖23所示，基板處理裝置200具有基板供應部201、基板處理部202、基板回收部203及控制部204。
基板處理部202為在例如第4實施形態之基板處理部102未設置基板切斷部108之構成。因此，在該基板處理部202處理後之片狀基板FB，在未被切斷維持薄片狀之狀態下藉由基板回收部203回收。
又，例如，保存片狀基板FB之識別資訊、處理資訊之構成或資訊保存部IC與控制部204之間可通訊之構成等，與在第4實施形態說明之構成相同。
在回收動作，如圖24所示，與將片狀基板FB插入基板匣1之開口部34同時從第2開口部35插入保護基板PB。保護基板PB係從例如未圖示之保護基板供應部供應。
插入後之片狀基板FB及保護基板PB，如圖25所示，係分別以基板導引部22及第2基板導引部37導引，於匯合部39匯合。在匯合部39匯合之片狀基板FB及保護基板PB係如圖26所示在匯合之狀態下被搬送部21搬送，被張力滾筒21a與測定滾筒21b按壓而密著。片狀基板FB及保護基板PB係在密著之狀態下被滾筒部26捲取回收。
控制部204，在藉由基板回收部203回收片狀基板FB時，對作為基板回收部203使用之基板匣1之資訊保存部IC傳送處理後之片狀基板FB之處理資訊。資訊保存部IC接收該傳送來之資訊並儲存於記憶部MR。
如上述，根據本實施形態，基板處理裝置200具備處理片狀基板FB之基板處理部202、對基板處理部202進行片狀基板FB之搬入之基板供應部201、及從基板處理部202進行基板之搬出之基板回收部203，作為基板供應部201及基板回收部203係使用基板匣1，因此來自基板匣1之處理資訊係傳送至回收對象之基板匣1。藉此，即使是管理該回收對象之基板匣1之情形、或對收容於回收對象之基板匣1之片狀基板FB進行處理之情形，基板處理裝置200亦可使用上述資訊。藉此，可提升基板處理裝置200之資訊管理能力，大幅提昇處理效率。
此外，本實施形態中，舉基板處理部202與第4實施形態記載之基板處理部102相同之構成為例進行說明，但並不限於此。例如在基板處理部202，為僅設置構成第4實施形態記載之基板處理部102之分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93中之一部分之構成亦可。
例如，作為基板處理部202，舉僅設置分隔壁形成部91、未設置電極形成部92及發光層形成部93之構成為例進行說明。此情形，在基板處理部202，在僅進行分隔壁BA之形成之狀態下片狀基板FB回收至基板回收部203。由基板回收部203回收之片狀基板FB，在另一基板處理部進行電極形成處理及發光層形成處理。
基板匣1係設成能與基板處理部202拆裝，因此在上述情形，可從基板處理部202卸除基板匣1，將基板匣1搬送並連接至另一基板處理部。在此基板匣1之資訊保存部IC保存基板匣1之識別資訊、片狀基板FB之處理資訊，因此即使在連接對象之基板處理部亦可使用該資訊進行處理。如上述，即使在一個生產線跨越複數個基板處理部且在該基板處理部彼此未進行資訊之通訊之情形，亦可經由基板匣1將片狀基板FB之資訊進行通訊。即使是此情形，亦可提升資訊管理能力，大幅提昇處理效率。
(第6實施形態)
接著，說明本發明之第6實施形態。
本實施形態中，舉在複數個基板處理部進行資訊之通訊之情形之例進行說明。
圖30係顯示本實施形態之基板處理系統SYS之構成之圖。
如圖30所示，基板處理系統SYS具有第1基板處理裝置300、第2基板處理裝置310、及主控制裝置CONT。第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310係例如設置於相同地點、或相同工場內。
第1基板處理裝置300例如係於片狀基板FB形成有機EL元件50之分隔壁BA之裝置。第2基板處理裝置310例如係於片狀基板FB形成電極(閘極電極G等)或有機EL元件50之發光層IR、透明電極ITO之裝置。如上述基板處理系統SYS係形成有機EL元件50之裝置分為第1基板處理裝置300與第2基板處理裝置310之2個種類之裝置之構成。
第1基板處理裝置300具有基板供應部301、基板處理部302、及基板回收部303。本實施形態中，作為基板供應部301及基板回收部303，係使用上述基板匣1。
基板處理部302係分別具有與第4實施形態之基板處理裝置100之分隔壁形成部91為相同之構成，於與基板供應部301之連接部分設有供應側連接部302A。供應側連接部302A之構成與第4實施形態之供應側連接部102A為相同構成。如上述第1基板處理裝置300具有與第4實施形態之基板處理裝置100之從基板供應部101至基板處理部102之分隔壁形成部91之構成相同之構成。
於基板處理部302之中與基板回收部303之連接部分設有連接於基板匣1之座部3之回收側連接部302B。回收側連接部302B係與供應側連接部302A為相同之構成。
第2基板處理裝置310具有基板供應部311、基板處理部312、及基板回收部313，在各部為與第1基板處理裝置300相同之構成。基板處理部312具有與第4實施形態之基板處理裝置100之電極形成部92及發光層形成部93為相同之構成。
在第2基板處理裝置310，作為基板供應部311及基板回收部313，係使用上述基板匣1。又，從第1基板處理裝置300卸除後搬送至第2基板處理裝置310之基板回收部303(基板匣1)，係使用為第2基板處理裝置310之基板供應部311。是以，基板匣1亦作用為使片狀基板FB從第1基板處理裝置300往第2基板處理裝置310中繼之中繼裝置。
主控制裝置CONT係經由有線或無線之通訊機構分別連接於第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310，統籌控制此等第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310。因此，在主控制裝置CONT，可統籌管理使用於第1基板處理裝置300及第2基板處理裝置310之基板匣1之資訊保存部IC所保存之資訊。
如上述，本實施形態中，由於主控制裝置CONT統籌管理基板匣1之資訊保存部IC所保存之資訊，因此可提升基板處理系統SYS之資訊管理能力，可提升基板處理系統SYS之處理效率。
本實施形態般，以控制部104或主控制裝置CONT等概括管理有機EL元件50之生產線之情形，使基板匣1之資訊保存部IC為僅保存識別資訊之構成亦可。例如，以主控制裝置CONT概括管理有機EL元件50之生產線之情形，主控制裝置CONT之主記憶部MMR(參照圖27)具有與識別資訊對應之處理資訊，主控制裝置CONT根據基板匣1之識別資訊辨識處理資訊，可進行以該處理資訊為依據之處理。作為具體例，如圖28所示處理資訊包含片狀基板FB之缺陷資訊之情形，主控制裝置CONT從主記憶部MMR讀取與從資訊保存部IC讀取之識別資訊對應之缺陷資訊，為了進行以該缺陷資訊為依據之處理(例如，缺陷部分之修復)而將處理訊號傳送至第1基板處理裝置300或第2基板處理裝置310。處理訊號係例如用以使第1基板處理裝置300等進行各處理之設定值等之指令訊號。此外，例如以控制部104概括管理有機EL元件50之生產線之情形，替代主控制裝置CONT使用控制部104即可。藉此，可提升第1基板處理裝置300或第2基板處理裝置310之處理效率。
本發明之技術範圍並不限於上述實施形態，在不脫離本發明趣旨之範圍內可適當施加變更。
例如，第4實施形態之圖28所示之形成裝置109A、檢測裝置109B、切斷除去裝置109C及異常偵測裝置109D僅為一例，為與圖3所示之配置不同之配置亦可，未設置一部分裝置之構成亦可。
例如未設置切斷除去裝置109C之情形，基板處理部102使用上述基板切斷裝置108除去該片狀基板FB之一部分之構成亦可。又，分別配置複數個形成裝置109A、檢測裝置109B、切斷除去裝置109C亦可。異常偵測裝置109D並不限於配置在分隔壁形成部91、電極形成部92及發光層形成部93之各下游側之構成，適當省略或增加個數之構成亦可。
又，上述圖案PTN等，係使用例如分隔壁形成部91之壓印滾筒110與熱轉印滾筒115、電極形成部92之液滴塗布裝置120、發光層形成部93之液滴塗布裝置140等形成於片狀基板FB亦可。此外，圖案PTN係預先形成於片狀基板FB亦可。
又，上述說明中作為圖案PTN形成顯示X方向之位置之編碼器圖案之構成為一例，將編碼器圖案預先形成於片狀基板FB亦可。又，例如在檢測片狀基板FB之Y方向之位置之情形，基板處理裝置102使用測量例如片狀基板FB之Y方向之端邊或與圖案PTN之距離(在Y方向之距離)之測量裝置等檢測Y方向之位置之構成亦可。又，將檢測設定於片狀基板FB之XY方向之柵狀之位置座標之檢測裝置另外設置於基板處理部102之構成亦可。
又，上述第4實施形態及第5實施形態中，舉僅在基板處理部之基板供應部使用基板匣1之構成、在基板處理部之基板供應部及基板回收部之兩方使用基板匣1之構成為例進行說明，但僅在例如基板回收部使用基板匣1之構成亦可。
50‧‧‧有機EL元件
FB‧‧‧片狀基板
IC‧‧‧資訊保存部
SYS‧‧‧基板處理系統
CONT‧‧‧主控制裝置
1‧‧‧基板匣
2‧‧‧匣本體
100,200‧‧‧基板處理裝置
300‧‧‧第1基板處理裝置
310‧‧‧第2基板處理裝置
320‧‧‧處理裝置
101,201,301,311‧‧‧基板供應部
102,202,302,312‧‧‧基板處理部
103,203,303,313‧‧‧基板回收部
104,204‧‧‧控制部
圖1A係本發明第1實施形態之有機EL元件之構成圖。
圖1B係本發明第1實施形態之有機EL元件之剖面圖。
圖1C係本發明第1實施形態之有機EL元件之剖面圖。
圖2係顯示本實施形態之基板處理裝置之構成之圖。
圖3係顯示本實施形態之基板處理部之構成之圖。
圖4係顯示本實施形態之液滴塗布裝置之構成之圖。
圖5係顯示本實施形態之基板匣之構成之立體圖。
圖6係顯示本實施形態之基板匣之構成之剖面圖。
圖7A係顯示本實施形態之控制部之構成之圖。
圖7B係顯示本實施形態之控制部之構成之圖。
圖8係顯示本實施形態之基板匣之收容動作之圖。
圖9係顯示本實施形態之基板匣之收容動作之圖。
圖10係顯示本實施形態之基板匣之連接動作之圖。
圖11係顯示本實施形態之基板匣之連接動作之圖。
圖12係顯示本實施形態之基板處理部之分隔壁形成步驟之圖。
圖13係顯示形成於本實施形態之片狀基板之分隔壁之形狀及配置之圖。
圖14係形成於本實施形態之片狀基板之分隔壁之剖面圖。
圖15A係顯示本實施形態之液滴之塗布動作之圖。
圖15B係顯示本實施形態之液滴之塗布動作之圖。
圖16A係顯示形成於本實施形態之分隔壁間之薄膜之構成之圖。
圖16B係顯示形成於本實施形態之分隔壁間之薄膜之構成之圖。
圖17係顯示於本實施形態之片狀基板形成閘極絕緣層之步驟之圖。
圖18係顯示切斷本實施形態之片狀基板之配線之步驟之圖。
圖19係顯示於本實施形態之源極汲極形成區域形成薄膜之步驟之圖。
圖20係顯示形成本實施形態之有機半導體層之步驟之圖。
圖21係顯示本實施形態之對準一例之圖。
圖22係顯示本實施形態之基板匣之卸除動作之圖。
圖23係顯示本發明第2實施形態之基板處理裝置之構成之圖。
圖24係說明本實施形態之片狀基板FB之回收動作之圖。
圖25係說明本實施形態之片狀基板FB之回收動作之圖。
圖26係說明本實施形態之片狀基板FB之回收動作之圖。
圖27係顯示本發明第3實施形態之基板處理系統之構成之圖。
圖28係顯示第4實施形態之基板處理部之構成之圖。
圖29A係顯示本實施形態之片狀基板之一部分之構成之圖。
圖29B係顯示本實施形態之片狀基板之一部分之構成之圖。
圖30係顯示本發明第6實施形態之基板處理系統之構成之圖。
圖31係顯示本實施形態之處理資訊之一例之圖。
1‧‧‧基板匣
2‧‧‧匣本體
3‧‧‧座部
3a‧‧‧插入部
3b‧‧‧端面
3c‧‧‧端子
20‧‧‧收容部
23‧‧‧突出部
24‧‧‧基板驅動機構
25‧‧‧蓋部
25a‧‧‧開口部
25b‧‧‧軸承構件
26‧‧‧滾筒部
28‧‧‧窗部
29‧‧‧顯示部
34‧‧‧開口部
35‧‧‧第2開口部
CR‧‧‧通訊部
FB‧‧‧片狀基板
IC‧‧‧資訊保存部
MR‧‧‧記憶部

Claims (67)

  1. 一種基板處理系統，具備：基板處理裝置，處理具有可撓性之帶狀之基板；基板匣，連接於該基板處理裝置，且具備：匣本體，用以收容該基板；以及資訊保存部，保存至少包含關於收容於該匣本體之該基板之諸元值的諸元資訊；主控制裝置，從該基板匣之該資訊保存部接收該資訊，且根據該資訊控制該基板處理裝置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該資訊保存部，保存以該諸元資訊為依據之程序資訊。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該資訊保存部，保存進一步包含以關於收容於該匣本體之該基板之諸元值的諸元資訊為依據之至少程序資訊的資訊。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該諸元值包含該基板之材質、可撓性、耐熱性、磨耗性、伸縮性、厚度、膨脹係數、摩擦係數及耐張力性中之至少一者。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該諸元值包含與附著於該基板之既定液體之親液性、及該基板上之該既定液體之乾燥性中之至少一者。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該諸元資訊包含關於已對該基板進行之前處理之前處理資訊。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該資訊包含識別該匣本體之識別資訊。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該資 訊保存部係設在複數個部位。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該資訊保存部係設成能與該匣本體分離。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其進一步具備連接於該資訊保存部、進行該資訊之送訊及收訊中之至少一方之通訊部。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該匣本體進一步具有與處理該基板之基板處理裝置可拆裝地連接之座部。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中，該座部進一步具有被該基板處理裝置之一部分導引之被導引部。
  13. 如申請專利範圍第11項之基板處理系統，其中，該座部進一步具有將該基板處理裝置與該資訊保存部電氣連接之端子部。
  14. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該匣本體具有根據該諸元資訊進行該基板之拉入及該基板之送出中之至少一方之基板驅動機構。
  15. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該資訊保存部進一步具有顯示該資訊之顯示部。
  16. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，該基板處理裝置，進一步具備：基板處理部，用以處理該基板；基板搬入部，對該基板處理部進行該基板之搬入；以 及基板搬出部，從該基板處理部進行該基板之搬出；作為該基板搬入部及該基板搬出部中之至少一方，係使用該基板匣。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統，其中，在該基板處理部之該處理，使用該基板匣之該資訊保存部所保存之該資訊。
  18. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統，其中，該處理包含與該基板之該諸元資訊對應之至少一個單位處理；該基板處理部依據該資訊切換該單位處理。
  19. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統，其中，該處理包含與該基板之該諸元資訊對應之至少一個單位處理。
  20. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統，其進一步具備在與該基板匣之間電氣連接之裝置側端子部。
  21. 如申請專利範圍第16項之基板處理系統，其中，該基板處理部具有在與該基板匣之間進行該資訊之送訊及收訊中之至少一方之裝置側通訊部。
  22. 如申請專利範圍第1項之基板處理系統，其中，在該基板處理裝置之處理，包含與該基板之該諸元資訊對應之至少一個單位處理。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板處理系統，其中，該主控制裝置依據該基板之該資訊切換該基板處理裝置之該 單位處理。
  24. 一種基板處理系統，具備：基板處理裝置，處理具有可撓性之帶狀之基板；基板匣，連接於該基板處理裝置，且具備：匣本體，用以收容該基板；以及資訊保存部，保存識別該匣本體之識別資訊及收容於該匣本體之該基板之處理資訊中之至少一方之資訊；主控制部，從該基板匣之該資訊保存部接收該資訊，且根據該資訊控制該基板處理裝置。
  25. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該處理資訊進一步包含該基板之缺陷資訊。
  26. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該處理資訊進一步包含關於該基板之既定部分之位置資訊。
  27. 如申請專利範圍第26項之基板處理系統，其中，該既定部分包含該基板之缺陷部分。
  28. 如申請專利範圍第27項之基板處理系統，其中，該處理資訊進一步包含該缺陷部分之缺陷記錄。
  29. 如申請專利範圍第26項之基板處理系統，其中，該位置資訊包含該基板端部與該既定部分之間之距離。
  30. 如申請專利範圍第26項之基板處理系統，其中，該位置資訊包含該基板上之標記與該既定部分之間之距離。
  31. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該處理資訊包含對該基板之既定處理之進度資訊。
  32. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該 處理資訊包含欲形成於該基板之形成層之形態資訊。
  33. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該處理資訊包含關於該基板之形狀之形狀資訊。
  34. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該基板係連接複數個單位基板而形成；該處理資訊包含關於該單位基板彼此之連接部分之位置之資訊。
  35. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該處理資訊之至少一部分係形成於該基板。
  36. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該資訊保存部係設成能與該匣本體分離。
  37. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該資訊保存部係設在複數個部位。
  38. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其進一步具備連接於該資訊保存部、進行該資訊之送訊及收訊中之至少一方之通訊部。
  39. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該通訊部接收與該識別資訊對應之該處理資訊。
  40. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該匣本體進一步具有與處理該基板之基板處理裝置可拆裝地連接之座部。
  41. 如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中，該座部具有被該基板處理裝置之一部分導引之被導引部。
  42. 如申請專利範圍第40項之基板處理系統，其中，該 座部具有將該基板處理裝置與該資訊保存部電氣連接之端子部。
  43. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該匣本體具有進行該基板之拉入或該基板之送出中之至少一方之基板驅動機構。
  44. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該資訊保存部具有顯示該資訊之顯示部。
  45. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該資訊保存部具有與該識別資訊對應之該處理資訊。
  46. 如申請專利範圍第24項之基板處理系統，其中，該基板處理裝置，進一步具備：基板處理部，用以處理基板；基板搬入部，對該基板處理部進行該基板之搬入；以及基板搬出部，從該基板處理部進行該基板之搬出。
  47. 如申請專利範圍第46項之基板處理系統，其中，在該基板處理部之該處理，使用該基板匣之該資訊保存部所保存之該資訊。
  48. 如申請專利範圍第46項之基板處理系統，其中，該基板處理裝置，進一步具備在與該基板匣之間電氣連接之裝置側端子部。
  49. 如申請專利範圍第46項之基板處理系統，其中，該基板處理部具有在與該基板匣之間進行該資訊之送訊及收訊中之至少一方之裝置側通訊部。
  50. 如申請專利範圍第46項之基板處理系統，其中，該主控制部對該基板匣之該資訊保存部傳送該資訊。
  51. 如申請專利範圍第50項之基板處理系統，其中，該基板處理部具有切斷該基板之切斷部；該主控制部將關於被該切斷部切斷之該基板之位置之資訊傳送至該資訊保存部。
  52. 如申請專利範圍第50項之基板處理系統，其中，該基板處理部具有檢測該基板上之異常部之檢測部；該主控制部將關於被該檢測部檢測之該基板之位置之資訊傳送至該資訊保存部。
  53. 如申請專利範圍第52項之基板處理系統，其中，該基板處理部具有檢測賦予至該基板之該資訊之第2檢測部。
  54. 如申請專利範圍第46項之基板處理系統，其進一步具備對該基板賦予該資訊之資訊賦予部：該資訊賦予部，與該資訊保存部所保存之該資訊對應對該基板賦予該資訊。
  55. 一種電路之製造方法，係在具有可撓性之帶狀之片狀基板形成電路，其包含以下步驟：準備以匣本體、及資訊保存部構成之複數個基板匣，其中，該匣本體，具備：(i)捲取該片狀基板的軸構件、(ii)可將該片狀基板在捲繞於該軸構件之狀態下收容的收容部、(iii)可將該收容部以可裝卸之方式連接於用於在該片狀基板形成該電路之處理裝置之外側連接部的座部、以及(iv)設於該座部且用於使該片狀基板從該收容部往該處理裝置 或者從該處理裝置往該收容部進出的開口部，此外，該資訊保存部，可儲存被收容於該匣本體之該片狀基板的諸元資訊、或與該處理裝置之處理相關之程序資訊；將供應用基板匣，透過該座部連接於該處理裝置之供應側連接部，其中，該供應用基板匣，係在該等複數個基板匣之一個，對未處理之片狀基板遍及既定之長度尺寸加以收容且在該資訊保存部儲存有該諸元資訊而成；將該等複數個基板匣之一個作為回收用基板匣並透過座部連接於該處理裝置之回收側連接部；根據處理條件，進行用以在從該供應用基板匣供應之該片狀基板形成該電路之處理，其中，該處理條件，係依據儲存在該供應用基板匣之該資訊保存部的該諸元資訊而於該處理裝置被設定；將處理後之片狀基板收容於該回收用基板匣；以及將儲存在該供應用基板匣之該資訊保存部的該諸元資訊、以及藉由該處理裝置而對該片狀基板所進行之處理經過資訊，傳達至該回收用基板匣之該資訊保存部。
  56. 如申請專利範圍第55項之電路之製造方法，其中，該電路係以薄膜電晶體、與連接於該薄膜電晶體之電極的配線構成。
  57. 如申請專利範圍第56項之電路之製造方法，其中，該處理裝置，根據該供應用基板匣之該資訊保存部所保存之該諸元資訊，控制該片狀基板之處理條件。
  58. 如申請專利範圍第57項之電路之製造方法，其中， 作為施加於該片狀基板之處理，在以加熱處理、冷卻處理、搬送處理、加壓處理、塗布處理、蒸鍍處理、濺鍍處理、光照射處理、電子束照射處理、曝光處理、顯影處理、浸漬處理、乾燥處理、物理加工處理、化學加工處理、與另一基板之接合處理、檢測處理、對準處理、變形處理、改質處理、分隔壁形成處理之各個作為單位處理時，該處理裝置依據該諸元資訊切換施加於該片狀基板之該單位處理之條件。
  59. 如申請專利範圍第58項之電路之製造方法，其中，該基板匣之該資訊保存部所儲存之該諸元資訊，包含收容於該基板匣之該片狀基板的材質、可撓性、耐熱性、磨耗性、伸縮性、膨脹係數、摩擦係數、耐張力性、與附著於該片狀基板上之既定液體之親液性、及該片狀基板上之該既定液體之乾燥性的各諸元值中之至少一者。
  60. 如申請專利範圍第59項之電路之製造方法，其中，該基板匣具備：基板驅動機構，根據該諸元資訊進行該片狀基板之引入或該片狀基板之送出；滾筒，設於該開口部與該軸構件之間且伴隨該片狀基板之搬送而進行旋轉；以及檢測部，用於檢測該滾筒之轉速或旋轉角度並測量該片狀基板之搬送距離。
  61. 一種電路之製造方法，係在具有可撓性之帶狀之片狀基板形成電路，其包含以下步驟： 準備以匣本體、及資訊保存部構成之複數個基板匣，其中，該匣本體，具備：(i)捲取該片狀基板的軸構件、(ii)可將該片狀基板在捲繞於該軸構件之狀態下收容的收容部、(iii)可將該收容部以可裝卸之方式連接於用於在該片狀基板形成該電路之處理裝置之外側連接部的座部、以及(iv)設於該座部且用於從該收容部往該處理裝置或者從該處理裝置往該收容部進行對該片狀基板之引入及送出的開口部，此外，該資訊保存部，可儲存包含被收容於該匣本體之該片狀基板的既定部分之位置資訊的處理資訊；將供應用基板匣，透過該座部連接於該處理裝置之供應側連接部，其中，該供應用基板匣，係在該等複數個基板匣之一個，對未處理之片狀基板遍及既定之長度尺寸加以收容且在該資訊保存部儲存有該諸元資訊而成；將尚未收容該片狀基板之基板匣作為回收用基板匣並透過座部連接於該處理裝置之回收側連接部；根據處理條件，進行用以在從該供應用基板匣供應之該片狀基板形成該電路之處理，其中，該處理條件，係根據儲存在該供應用基板匣之該資訊保存部的該處理資訊而於該處理裝置被設定；將處理後之片狀基板收容於該回收用基板匣；以及將儲存在該供應用基板匣之該資訊保存部的該諸元資訊、以及藉由該處理裝置而對該片狀基板所進行之處理經過資訊，傳達至該回收用基板匣之該資訊保存部。
  62. 如申請專利範圍第61項之電路之製造方法，其中， 收容於該供應用基板匣之該片狀基板，係以於帶狀方向連接複數個片狀基板而形成；作為該處理資訊而保存的該既定部分之位置資訊，顯示該複數個片狀基板之連接部分之位置。
  63. 如申請專利範圍第61項之電路之製造方法，其中，作為該處理資訊而保存的該既定部分之位置資訊，顯示該片狀基板上之缺陷部分。
  64. 如申請專利範圍第63項之電路之製造方法，其中，該處理資訊包含該片狀基板上之該缺陷部分之缺陷履歷。
  65. 如申請專利範圍第61項之電路之製造方法，其中，該位置資訊，包含該片狀基板之端部與該既定部分之間的距離、或者形成於該片狀基板之標記與該既定部分之間的距離。
  66. 如申請專利範圍第61項之電路之製造方法，其中，該處理資訊，進一步包含關於該片狀基板之缺陷資訊、施加於該片狀基板之處理之進度資訊、關於形成於該片狀基板上之形成層之形態資訊、以及關於該片狀基板之形狀之形狀資訊中的至少一者。
  67. 如申請專利範圍第61項之電路之製造方法，其中，該處理裝置具備檢測該片狀基板上之異常部之檢測部；將有關於由該檢測部檢測之該異常部之該片狀基板上之位置的資訊，作為該既定部分之位置資訊傳送至該回收用基板匣之該資訊保存部。
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