CN102575085A - 半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂 - Google Patents

半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂 Download PDF

Info

Publication number
CN102575085A
CN102575085A CN2010800472267A CN201080047226A CN102575085A CN 102575085 A CN102575085 A CN 102575085A CN 2010800472267 A CN2010800472267 A CN 2010800472267A CN 201080047226 A CN201080047226 A CN 201080047226A CN 102575085 A CN102575085 A CN 102575085A
Authority
CN
China
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
carbonatoms
semiconductor encapsulation
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010800472267A
Other languages
English (en)
Inventor
田部井纯一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to CN201611089217.XA priority Critical patent/CN107033540B/zh
Publication of CN102575085A publication Critical patent/CN102575085A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62Alcohols or phenols
    • C08G59/621Phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/26Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers modified by chemical after-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3142Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/20Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/18Homopolymers or copolymers of hydrocarbons having four or more carbon atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L35/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least one other carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor

Abstract

本发明涉及一种用于半导体封装的环氧树脂组合物,其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料、以及脱模剂,所述脱模剂含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。

Description

半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂
技术领域
本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂。
背景技术
在半导体包装组装工序中,通过在半导体芯片的铝电极和内部引线之间热压接金属线来进行电连接的方法现在成为主流。另外,近年来伴随着电子器件的小型化、轻量化、高性能化的市场动向,电子部件的高集成化、多引脚化逐年发展。因此,要求比以前更复杂的焊线工序,使用铜制引线框时,由于在200~250℃的高温状态长时间暴露,因而铜表面的氧化更加进行。
这种状况下,即使以往的对于未氧化的铜表面的粘合性优异的半导体封装材料,对于表面状态不同的氧化铜也常有粘合性差的情况,从而出现在树脂封装后除去铸模时、回焊时引起剥离的问题。
用于抑制剥离的插入物与封装材料树脂的粘合性是与对于模具的脱模性相反的指标,因此,存在如果使粘合性提高则脱模性较差、成型性降低这类问题。采用电子部件的高集成化而铜框的氧化成为问题的以前,为了兼顾粘合性和脱模性,提出了添加氧化聚乙烯蜡以及α烯烃与马来酸的共聚物的半酯化物作为脱模剂的方法。(例如参照专利文献1、2。)根据该方法,虽然对未氧化的铜的粘合性和脱模性优异,但由于并用了氧化聚乙烯蜡,因而存在封装树脂对被氧化的铜框的粘合性降低的问题。而且,对于α烯烃部分短至碳原子为25个以下的共聚物脱模剂(例如参照专利文献3),存在连续成型性(通气口堵塞等的脱模性)较差的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第3975386号公报
专利文献2:日本特许第4010176号公报
专利文献3:日本特公昭61-52862号公报
发明内容
本发明是鉴于所述情况而完成的,要提供对氧化铜的粘合性良好并且脱模性、连续成型性也优异的半导体封装用环氧树脂组合物、及具备利用其进行了封装的元件的半导体装置以及脱模剂。
本发明人为了解决上述的课题,反复深入研究,结果发现,通过在半导体封装用环氧树脂组合物中使用特定的脱模剂能够达到上述的目的,至此完成了本发明。
即,本发明如下。
[1]一种半导体封装用环氧树脂组合物,其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料、以及脱模剂,
其中,所述脱模剂含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
[2]根据[1]所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其进一步含有下述通式(Ⅰ)表示的硅氧烷加成聚合物改性物。
Figure BDA0000155034940000021
(式中,R1~R2选自氢原子、碳原子数为1~55的取代或者无取代的烃基、亚烷基氧缩水甘油醚基以及环氧烷基,全部可以相同也可以不同。R3~R4选自氢原子、碳原子数为1~10的取代或者无取代的烃基、氨基、羧基、缩水甘油醚基以及烷基羧酸-4,4’-(1-甲基乙叉基)双酚缩水二甘油醚基,全部可以相同也可以不同。n表示1~100的整数。)
[3]根据[1]或[2]所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,相对于所述脱模剂的总量100质量%,所述(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物的含量为55质量%~100质量%。
[4]根据[2]所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,相对于所述半导体封装用环氧树脂组合物的总量100质量%,所述硅氧烷加成聚合物改性物的含量为0.1质量%~2质量%。
[5]根据[1]~[4]中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,所述(A)环氧树脂包含选自联苯型环氧树脂、对二甲苯型环氧树脂以及具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂中的至少一种。
[6]根据[1]~[5]中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其用于具备含铜引线框的半导体装置中的半导体元件的封装。
[7]一种半导体装置,其特征在于,用[1]~[6]中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物的固化物封装半导体元件。
[8]一种脱模剂,其含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
[9]根据[8]所述的脱模剂,其用于半导体封装用环氧树脂组合物。
[10]根据[9]所述的脱模剂,其中,所述半导体封装用环氧树脂组合物用于具备含铜引线框的半导体装置中的半导体元件的封装。
本发明的半导体封装用环氧树脂组合物对氧化铜的粘合性、以及成型时的脱模性、连续成型性优异,如果用该半导体封装用环氧树脂组合物对IC、LSI等电子部件进行封装,则能够获得可靠性优异的半导体装置。
附图说明
上述目的以及其它目的、特征和优点可通过以下所述的优选实施方式以及附随的以下附图来进一步明确。
[图1]是对使用本发明的半导体封装用环氧树脂组合物的半导体装置的一例显示出剖面结构的图。
[图2]是表示采用用于评价本发明的半导体封装用环氧树脂组合物脱模时负荷的评价用模具成型后的中模的状态的平面简图。
[图3]是表示图2的中模的成型品附近A部的剖面结构的简图。
具体实施方式
本发明所涉及的半导体封装用环氧树脂组合物优选含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料、以及脱模剂。该脱模剂优选含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
下面,对各成分进行详述。
作为在本发明中使用的(A)环氧树脂,是在半导体封装用环氧树脂组合物中通常使用的环氧树脂,没有特别限制,可以举出以苯酚线型酚醛环氧树脂、邻甲酚线型酚醛环氧树脂为代表的将使苯酚、甲酚、二甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F等酚类和/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、水杨醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下进行缩合或者共缩合而得的线型酚醛清漆树脂环氧化而得的环氧树脂;作为双酚A、双酚F、双酚S、双酚A/D等的二缩水甘油醚,烷基取代或者无取代的联苯酚的二缩水甘油醚的联苯型环氧树脂;由苯酚类和/或萘酚类与二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯合成的苯酚芳烷基树脂的环氧化物;茋型环氧树脂;对苯二酚型环氧树脂;通过邻苯二甲酸、二聚酸等多元酸与表氯醇的反应而得的缩水甘油酯型环氧树脂;通过二氨基二苯基甲烷、异氰脲酸等多胺与表氯醇的反应而得的缩水甘油胺型环氧树脂;作为二环戊二烯与酚类的共缩合树脂的环氧化物的二环戊二烯型环氧树脂;具有萘环的环氧树脂;三苯酚甲烷型环氧树脂;三羟甲基丙烷型环氧树脂;萜改性环氧树脂;用过乙酸等过酸对烯键进行氧化而得的线状脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂;以及通过硅酮、丙烯腈、丁二烯、异戊二烯系橡胶、聚酰胺系树脂等对这些环氧树脂进行改性而得的环氧树脂等,可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。
它们之中,从对氧化铜的粘合性的观点考虑,优选下述通式(Ⅱ)表示的联苯型环氧树脂、下述通式(Ⅲ)表示的对二甲苯型环氧树脂、以及下述通式(Ⅳ)表示的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂。
Figure BDA0000155034940000051
(通式(Ⅱ)中,R1~R4选自氢原子和碳原子数为1~10的取代或者无取代的一价烃基,全部可以相同也可以不同。n表示0~3的整数。)
(通式(Ⅲ)中,R选自氢原子和碳原子数为1~10的取代或者无取代的一价烃基,n表示0~20的整数。)
Figure BDA0000155034940000053
(通式(Ⅳ)中,R5~R13选自氢原子和碳原子数为1~10的取代或者无取代的一价烃基,全部可以相同也可以不同。n表示0~3的整数。)
上述通式(Ⅱ)中的R1~R4选自氢原子,甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、异丁基等碳原子数为1~10的烷基,甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数为1~10的烷氧基,苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子数为6~10的芳基,以及苄基、苯乙基等碳原子数为6~10的芳烷基等;其中优选氢原子或者甲基。作为上述通式(Ⅱ)表示的联苯型环氧树脂,可以举出以4,4’-双(2,3-环氧丙氧基)联苯或者4,4’-双(2,3-环氧丙氧基)-3,3’,5,5’-四甲基联苯为主成分的环氧树脂;使氯表醇与4,4’-联苯酚或者4,4’-(3,3’,5,5’-四甲基)联苯酚进行反应而得的环氧树脂等。其中,更优选以4,4’-双(2,3-环氧丙氧基)-3,3’,5,5’-四甲基联苯为主成分的环氧树脂,例如作为市售品可以获得YX-4000K、YX-4000H(商品名,Japan Epoxy Resin株式会社制造)等。使用该联苯型环氧树脂时,对氧化铜的粘合性提高。为了发挥其性能,其配合量相对于环氧树脂总量优选为20质量%以上,更优选为30质量%以上,进一步优选为50质量%。
上述通式(Ⅲ)中的R选自氢原子,甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、异丁基等碳原子数为1~10的烷基,甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数为1~10的烷氧基,苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子数为6~10的芳基,以及苄基、苯乙基等碳原子数为6~10的芳烷基等;其中优选氢原子或者甲基。作为上述通式(Ⅲ)表示的对二甲苯型环氧树脂,更优选以n=0为主成分的环氧树脂,例如作为市售品可以获得NC2000(商品名,日本化药株式会社制造)等。使用该对二甲苯型环氧树脂时,为了发挥其性能,其配合量相对于环氧树脂总量优选为10质量%以上,更优选20质量%以上。
上述通式(Ⅳ)中的R5~R13选自氢原子,甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、异丁基等碳原子数为1~10的烷基,甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数为1~10的烷氧基,苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子数为6~10的芳基,以及苄基、苯乙基等碳原子数为6~10的芳烷基等;其中优选氢原子或者甲基。作为上述通式(Ⅳ)表示的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂,更优选以n=0为主成分的环氧树脂,例如作为市售品可以获得NC3000L(商品名,日本化药株式会社制造)等。使用该具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂时,为了发挥其性能,其配合量相对于环氧树脂总量优选为10质量%以上,更优选20质量%以上。
上述通式(Ⅱ)表示的联苯型环氧树脂、上述通式(Ⅲ)表示的对二甲苯型环氧树脂、以及上述通式(Ⅳ)表示的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂可以分别单独使用,也可以将2种以上并用。在将2种以上并用时,它们的配合量以总计计,相对于(A)环氧树脂的总量优选为50质量%以上,更优选为70质量%以上。
相对于半导体封装用环氧树脂组合物的总量100质量%,本发明所涉及的(A)环氧树脂的含量没有特别限定,但优选为0.8质量%~12质量%,更优选为1.5质量%~10质量%。
在本发明中使用的(B)固化剂是在半导体封装用环氧树脂组合物中通常使用的固化剂,没有特别限制,例如可以为酚醛树脂。这种酚醛树脂系固化剂是在一分子内具有2个以上酚羟基的单体、低聚物、聚合物全部,不特别限定其分子量、分子结构,例如可以举出以苯酚线型酚醛树脂、邻甲酚线型酚醛树脂为代表的使苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚等苯酚类和/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类与甲醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下进行缩合或者共缩合而得的树脂;由苯酚类和/或萘酚类与二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯合成的苯酚芳烷基树脂等,可以分别单独使用它们,也可以将2种以上并用。
其中,从低粘度化、低吸湿性的观点考虑,优选下述通式(Ⅴ)表示的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型树脂。
Figure BDA0000155034940000071
(通式(Ⅴ)中,R14~R22选自氢原子和碳原子数为1~10的取代或者无取代的一价烃基,全部可以相同也可以不同。n表示0~10的整数。)
上式(Ⅴ)中的R14~R22全部可以相同也可以不同,选自氢原子,甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、异丁基等碳原子数为1~10的烷基,甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等碳原子数为1~10的烷氧基,苯基、甲苯基、二甲苯基等碳原子数为6~10的芳基,以及苄基、苯乙基等碳原子数为6~10的芳烷基等碳原子数为1~10的取代或者无取代的一价烃基;其中优选氢原子和甲基。作为上述通式(Ⅴ)表示的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂,例如可以举出R14~R22全部为氢原子的化合物等,其中,从熔融粘度的观点考虑,优选含有n为1以上的缩合物50质量%以上的缩合物的混合物。作为这种化合物,作为市售品可以获得MEH-7851SS(商品名,明和化成株式会社制造)。使用该具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂时,为了发挥其性能,其配合量相对于(B)固化剂的总量优选为50质量%以上,更优选70质量%以上。
本发明所涉及的固化剂(B)的含量没有特别限定,但相对于半导体封装用环氧树脂组合物的总量100质量%优选为0.8质量%~12质量%,更优选为1.5质量%~10质量%。
对于(A)环氧树脂与(B)固化剂的当量比、即(A)环氧树脂中的环氧基数/(B)固化剂中的羟基数之比没有特别限制,但为了将各自的未反应部分抑制得较少,优选设定成0.5~2的范围,更优选0.6~1.5。为了得到成型性、耐回焊性优异的半导体封装用环氧树脂组合物,进一步优选设定成0.8~1.2的范围。
本发明的半导体封装用环氧树脂组合物可以进一步含有(E)固化促进剂。(E)固化促进剂是半导体封装用环氧树脂组合物中通常使用的固化促进剂,没有特别限制,例如可以举出1,8-二氮杂-双环(5,4,0)十一碳烯-7、1,5-二氮杂-双环(4,3,0)壬烯、5,6-二丁基氨基-1,8-二氮杂-双环(5,4,0)十一碳烯-7等环胺化合物;以及苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺化合物及它们的衍生物;2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑等咪唑化合物及它们的衍生物;三丁基膦、甲基二苯基膦、三苯基膦、三(4-甲基苯基)膦、二苯基膦、苯基膦等有机膦、及对这些有机膦加成1,4-苯醌、2,5-甲苯醌、1,4-萘醌、2,3-二甲基苯醌、2,6-二甲基苯醌、2,3-二甲氧基-5-甲基-1,4-苯醌、2,3-二甲氧基-1,4-苯醌、苯基-1,4-苯醌等醌化合物、双酚A、双酚F、双酚S、酚醛树脂等具有π键的化合物而形成的具有分子内极化的化合物等有机磷化合物;四苯基
Figure BDA0000155034940000081
四苯基硼酸盐、三苯基膦四苯基硼酸盐等四苯基硼盐及它们的衍生物等。可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。其中,从成型性的观点考虑,优选有机磷化合物,更优选有机膦和有机膦与醌化合物的加成物,进一步优选三苯基膦、和三苯基膦、三(4-甲基苯基)膦、三(4-甲氧基苯基)膦等叔膦与对苯醌、1,4-萘醌等醌化合物的加成物。
对于(E)固化促进剂的配合量,只要是达到固化促进效果的量,则没有特别限制,但相对于(A)环氧树脂的总量100质量%优选为0.1~10质量%,更优选为1~5质量%。低于下限值时,存在短时间内的固化性较差的趋势,如果超过上限值,则固化速度过快,存在因未填充等而难以获得良好的成型品的趋势。
在本发明中使用的(C)无机填充剂是为了降低吸湿性、线膨胀系数、提高热传导性及提高强度而在成型材料中配合的物质,例如可以举出熔融二氧化硅、晶体二氧化硅、氧化铝、锆石、硅酸钙、碳酸钙、钛酸钾、碳化硅、氮化硅、氮化铝、氮化硼、氧化铍、氧化锆、锆石、镁橄榄石、皂石、尖晶石、莫来石、二氧化钛等粉体、或者将它们球形化而成的珠粒、玻璃纤维等。进而,作为具有阻燃效果的无机填充剂,可以举出氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌等。这些无机填充剂可以单独使用,也可以将2种以上组合使用。在上述的(C)无机填充剂之中,从降低线膨胀系数的观点考虑,优选熔融二氧化硅,从高热传导性的观点考虑,优选氧化铝,从成型时的流动性和模具磨损性方面考虑,填充剂形状优选为球形。
从成型性、降低吸湿性、线膨胀系数和提高强度的观点考虑,(C)无机填充剂的配合量相对于半导体封装用环氧树脂组合物的总量100质量%优选为80质量%以上,更优选为82~96质量%的范围,进一步优选为86~92质量%。低于下限时,存在可靠性降低的趋势,如果超过上限值,则存在成型性降低的趋势。
在本发明中使用的脱模剂中,含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物(以下,有时也称为(D)化合物)。该(D)化合物在(A)环氧树脂中的分散性高,对于提高对氧化铜的粘合力、脱模性是有效的。
作为(D)化合物所使用的碳原子数为28~60的α-烯烃,没有特别限制,例如可以举出1-二十八碳烯、1-三十碳烯、1-三十一碳烯、1-三十二碳烯、1-三十三碳烯、1-三十四碳烯、1-三十五碳烯、1-三十六碳烯、1-四十碳烯、1-四十一碳烯、1-四十二碳烯、1-四十三碳烯、1-四十四碳烯、1-四十五碳烯、1-五十碳烯、1-五十一碳烯、1-五十二碳烯、1-五十三碳烯、1-五十五碳烯、1-五十六碳烯等直链型α-烯烃、3-甲基-1-三十碳烯、3,4-二甲基-三十碳烯、3-甲基-1-四十碳烯、3,4-二甲基-四十碳烯等支链型α-烯烃等,可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。
(D)化合物所使用的α-烯烃的碳原子数低于下限值时,连续成型性(脱模性)较差,如果超过上限值,则对氧化铜的粘合性降低。
作为(D)化合物所使用的碳原子数为10~25的一元醇,没有特别限制,例如可以举出癸醇、十一烷醇、十二烷醇、十三烷醇、十四烷醇、十五烷醇、十六烷醇、十七烷醇、十八烷醇、十九烷醇、二十烷醇等直链型或者支链型的脂肪族饱和醇;己烯醇、2-己烯-1-醇、1-己烯-3-醇、戊烯醇、2-甲基-1-戊烯醇等直链型或者支链型的脂肪族不饱和醇;环戊醇、环己醇等脂环式醇;苄醇、肉桂醇等芳香族醇;糠醇等杂环式醇等。可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。优选碳原子数为10~22的直链型醇,更优选碳原子数为15~20的直链型脂肪族饱和醇。
(D)化合物所使用的一元醇的碳原子数低于下限值时,连续成型性(脱模性)较差,如果超过上限值,则对氧化铜的粘合性降低。
对于本发明所涉及的(D)化合物中的碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物,没有特别限制,例如可以举出下述通式(Ⅵ)表示的化合物、下述通式(Ⅶ)表示的化合物等,作为市售品,可以获得将1-二十八碳烯、1-三十碳烯、1-四十碳烯、1-五十碳烯、1-六十碳烯等用作原料的DIACARNA(注册商标)30(商品名,三菱化学株式会社制造)。
Figure BDA0000155034940000101
上述通式(Ⅵ)和(Ⅶ)中的R表示碳原子数为26~56的一价脂肪族烃基,n是1以上的整数。m表示α-烯烃与马来酸酐的共聚比,没有特别限制,但将α-烯烃设为X摩尔、将马来酸酐设为Y摩尔时,X/Y即m优选为1/2~10/1,更优选为大致等摩尔程度的1/1左右。
作为制造碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物的制造方法,没有特别限制,能够采用使原材料进行反应等的普通的共聚方法。在反应中,可以使用能够溶解α-烯烃与马来酸酐的有机溶剂等。作为有机溶剂没有特别限制,但优选为甲苯,也能使用芳香族系溶剂、醚系溶剂、卤素系溶剂等。反应温度根据使用的有机溶剂的种类不同而异,但从反应性、生产率的观点考虑,优选为50~200℃,更优选为100~150℃。对于反应时间,只要可以获得共聚物,则没有特别限制,但从生产率的观点考虑,优选为1~30小时,更优选为2~15小时,进一步优选为4~10小时。反应结束后,根据需要可以在加热减压等条件下除去未反应成分、溶剂等。对于其条件,温度优选为100~220℃,更优选为120~180℃,压力优选为13.3×103Pa以下,更优选为8×103Pa以下,时间优选为0.5~10小时。另外,在反应中,可以根据需要加入偶氮二异丁腈(AIBN)、过氧化苯甲酰(BPO)等自由基聚合系引发剂。
作为用碳原子数为10~25的一元醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化的方法,没有特别限制,可以举出使一元醇与共聚物进行加成反应等普通方法。对于碳原子数为28~60的α-烯烃和马来酸酐的共聚物与一元醇的反应摩尔比,没有特别限制,可以任意地设定,但通过调整该反应摩尔比,能够控制亲水性的程度,因此优选与目标封装用成型材料相匹配地进行适当设定。在反应中,可以使用能够溶解α-烯烃和马来酸酐的有机溶剂等。作为有机溶剂没有特别限制,但优选甲苯,也能使用芳香族系溶剂、醚系溶剂、卤素系溶剂等。反应温度根据使用的有机溶剂的种类不同而异,但从反应性、生产率的观点考虑,优选为50~200℃,更优选为100~150℃。对于反应时间,只要可以获得共聚物,则没有特别限制,但从生产率的观点考虑,优选为1~30小时,更优选为2~15小时,进一步优选为4~10小时。反应结束后,根据需要可以在加热减压等条件下除去未反应成分、溶剂等。对于其条件,温度优选为100~220℃,更优选为120~180℃,压力优选为13.3×103Pa以下,更优选为8×103Pa以下,时间优选为0.5~10小时。另外,在反应中,可以根据需要加入三乙胺、N,N-二甲基氨基吡啶等胺系催化剂、硫酸、对甲苯磺酸等酸催化剂等反应催化剂。
作为(D)化合物,例如可以举出在结构中含有选自下述式(a)或者(b)表示的二酯、以及式(c)~(f)表示的单酯中的1种以上作为重复单元的化合物等,也可以含有式(g)或者(h)表示的非酯。作为这种化合物,可以举出:在主链骨架中(1)由(a)~(f)的任一种单独构成的化合物,(2)无规地含有(a)~(f)的任两种以上的化合物、规则地含有(a)~(f)的任两种以上的化合物、嵌段地含有(a)~(f)的任两种以上的化合物,(3)无规地含有(a)~(f)的任一种或者任两种以上与(g)和/或(h)的化合物、规则地含有(a)~(f)的任一种或者任两种以上与(g)和/或(h)的化合物、嵌段地含有(a)~(f)的任一种或者任两种以上与(g)和/或(h)的化合物等。可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。另外,也可以包含(4)无规地含有(g)和(h)的化合物、规则地含有(g)和(h)的化合物、嵌段地含有(g)和(h)的化合物、和/或(5)由(g)或者(h)分别单独构成的化合物。从脱模性和粘合性的观点考虑,(D)成分的酯化率优选为20摩尔%以上,作为(D)化合物,优选含有共计20摩尔%以上的式(c)~(f)表示的单酯中的任一种或者两种以上的化合物,更优选含有30摩尔%以上的化合物。
Figure BDA0000155034940000131
上式(a)~(h)中的R1表示碳原子数为26~56的一价脂肪族烃基、R2表示碳原子数为10~25的一价烃基。m表示α-烯烃(X)与马来酸酐(Y)的共聚摩尔比X/Y,优选为1/2~10/1,更优选为1/1左右。
对于(D)化合物的数均分子量,只要重复单元是1以上,则没有特别限制,任何分子量区域均能实现良好的对氧化铜的粘合性和脱模性,优选数均分子量为2000~10000。
即使在(D)化合物中含有0~33质量%的未反应的α-烯烃,连续成型性和对氧化铜的粘合性也不会变化,但如果含量超过上限值,则存在成型品表面的污垢(封装污垢)变得显著的趋势。
对于(D)化合物的配合量,没有特别限制,但优选相对于(A)环氧树脂的总量100质量%为0.5~10质量%,更优选为1~5质量%。配合量低于下限值时,存在脱模性降低的趋势,如果超过上限值,则存在对氧化铜的粘合性不够的趋势。
对于本发明的半导体封装用环氧树脂组合物,作为脱模剂,可以在能够达成本发明效果的范围内将巴西棕榈蜡、褐煤酸、硬脂酸、高级脂肪酸、高级脂肪酸金属盐、褐煤酸酯等酯系蜡、聚乙烯、或者聚烯烃系蜡等以往公知的脱模剂与(D)化合物并用。
另外,(D)化合物的含量没有特别限定,相对于脱模剂的总量100质量%优选为55质量%~100质量%。通过设为这样的范围,能够实现良好的对氧化铜的粘合性和脱模性。
在本发明中使用的硅氧烷加成聚合物改性物是用烷基、环氧基、羧基和氨基等取代基将下述通式(Ⅰ)表示的二甲基硅氧烷的甲基取代基的一部分取代而得的改性硅油,由于与树脂的亲和性优异,因而能够获得耐焊锡应力性(耐半田ストレス性)和流动性良好的半导体封装用环氧树脂组合物。具有使脱模剂进一步在树脂中分散的效果,也能期望不使粘合性降低地提高脱模效果的效果。上述硅氧烷加成聚合物改性物能够使用1种或者2种以上混合使用,其用量相对于半导体封装用环氧树脂组合物总体为0.1~2质量%。但是,在硅氧烷加成聚合物改性物超过上限值时,容易发生表面污垢,很可能树脂渗漏变长,在低于下限值使用时,有时不能获得足够的低弹性模量、脱模剂的分散性。
Figure BDA0000155034940000141
(通式(Ⅰ)中,R1~R2选自氢原子、碳原子数为1~55的取代或者无取代的烃基、亚烷基氧缩水甘油醚基以及环氧烷基,全部可以相同也可以不同。R3~R4选自氢原子、碳原子数为1~10的取代或者无取代的烃基、氨基、羧基、缩水甘油醚基以及烷基羧酸-4,4’-(1-甲基乙叉基)双酚二缩水甘油醚基,全部可以相同也可以不同。n表示1~100的整数。)
从使IC等半导体元件的耐湿性、高温放置特性提高的观点考虑,也可以在本发明的半导体封装用环氧树脂组合物中添加阴离子交换体。作为阴离子交换体没有特别限制,能够使用以往公知的阴离子交换体,例如可以举出水滑石、选自锑、铋、锆、钛、锡、镁、铝中的元素的含水氧化物等,可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。其中,优选下述通式(Ⅷ)表示的水滑石和铋的含水氧化物。
Mg1-XAlX(OH)2(CO3)X/2·mH2O      (Ⅷ)
(0≤X≤0.5,m为正的整数)
对于阴离子交换体的配合量,只要是足以能捕捉卤素离子等离子性杂质的量,则没有特别限制,但优选相对于(A)环氧树脂的总量100质量%为0.1~30质量%,更优选为1~10质量%,进一步优选为2~5质量%。配合量低于下限时,存在离子性杂质的捕捉不充分的趋势,超过上限值时,由于与下限值以下相比效果上没有大的差别,因此在经济上是不利的。
为了提高树脂成分与无机填充剂的粘合性,可以根据需要在本发明的半导体封装用环氧树脂组合物中添加环氧基硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷、乙烯基硅烷等各种硅烷系化合物、钛系化合物、铝螯合物类、铝/锆系化合物等公知的偶联剂。对这些进行例示,可以举出乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(β-氨基乙基)氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基甲硅烷基异丙基)乙二胺、N-β-(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等硅烷系偶联剂;三异硬脂酰基钛酸异丙酯、三(焦磷酸二辛酯)钛酸异丙酯、三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸异丙酯、双(亚磷酸二(十三烷基)酯)钛酸四辛酯、双(亚磷酸二(十三烷基)酯)钛酸四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)酯、双(焦磷酸二辛酯)羟乙酸钛酸酯、双(焦磷酸二辛酯)钛酸乙二醇酯、三辛酰基钛酸异丙酯、二甲基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸异丙酯、三(十二烷基苯磺酰基)钛酸异丙酯、异硬脂酰基二丙烯酰基钛酸异丙酯、三(磷酸二辛酯)钛酸异丙酯、三枯基苯基钛酸异丙酯、双(亚磷酸二辛酯)钛酸四异丙酯等钛酸酯系偶联剂等,可以单独使用它们,也可以将2种以上组合使用。
上述偶联剂的配合量相对于(C)无机填充剂的总量100质量%优选为0.05~5质量%,更优选为0.1~2.5质量%。低于下限值时,存在耐湿性降低的趋势,如果超过上限值,则存在封装的成型性降低的趋势。
在本发明的半导体封装用环氧树脂组合物中,可以根据需要地进一步配合作为其它添加剂的溴化环氧树脂、三氧化锑、四氧化锑、五氧化锑等含有卤素原子、锑原子、氮原子或者磷原子的公知的有机或者无机的化合物、金属氢氧化物等阻燃剂,炭黑、有机染料、有机颜料、氧化钛、铅丹、氧化铁红等着色剂,咪唑、三唑、四唑、三嗪等和它们的衍生物、邻氨基苯甲酸、没食子酸、丙二酸、苹果酸、马来酸、氨基苯酚、醌等和它们的衍生物、脂肪族酰胺化合物、二硫代氨基甲酸盐、噻二唑衍生物等粘合促进剂等。
对于本发明的半导体封装用环氧树脂组合物,只要能够均匀地分散混合各种原材料,则也能采用任何方法来制备,作为通常的方法,可以举出如下方法:通过混合器等将规定配合量的原材料充分混合之后,采用搅拌辊、捏合机、挤塑机等进行熔融混炼,然之进行冷却、粉碎。按与成型条件相匹配的尺寸和质量进行成片则易于使用。
另外,本发明的半导体封装用环氧树脂组合物也可以溶解在各种有机溶剂中作为液状半导体封装用环氧树脂组合物来使用,也可以作为片或者膜状的半导体封装用环氧树脂组合物来使用,所述片或者膜状的半导体封装用环氧树脂组合物是通过将该液状半导体封装用环氧树脂组合物薄薄地涂布在板或者膜上、在树脂的固化反应没有怎样进行的条件下使有机溶剂挥散而得的。
作为用本发明中得到的半导体封装用环氧树脂组合物封装元件而得的半导体装置,可以举出在铜引线框的支撑构件上搭载半导体芯片、晶体管、二极管、晶闸管等有源元件、电容器、电阻器、线圈等无源元件等元件并用本发明的半导体封装用环氧树脂组合物对需要的部分进行封装而得的半导体装置等。作为这种半导体装置,例如可以举出在铜引线框上固定半导体元件并利用焊线、焊点将焊垫等元件的端子部与引线部连接后,利用本发明的半导体封装用环氧树脂组合物并通过传递成型等封装而成的DIP(双列直插式封装,Dual Inline Package)、PLCC(带引线的塑料芯片载体,Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(四侧引脚扁平封装,Quad Flat Package)、SOP(小外形封装,Small OutlinePackage)、SOJ(J型引脚小外形封装,Small Outline J-lead package)、TSOP(薄型小外形封装,Thin Small Outline Package)、TQFP(薄四方扁平封装,Thin Quad Flat Package)等普通的树脂封装型IC。
图1是对使用本发明的半导体封装用环氧树脂组合物的半导体装置的一例显示出剖面结构的图。介由芯片焊接材料固化体2将半导体元件1层叠成两层地固定在芯片焊垫(ダイパツド)3上。半导体元件1的电极极板(電極パツド)和铜引线框5之间由金属线4连接。半导体元件1被半导体封装用树脂组合物的固化体6封装。作为铜引线框5,优选在半导体装置的技术领域中通常使用的通用的含铜引线框。作为该含铜引线框,只要含有铜,则没有特别限制,优选至少在表面含有铜的引线框、铜合金的引线框或者由铜形成的引线框等。
作为用本发明的半导体封装用环氧树脂组合物对元件进行封装的方法,低压传递成型法是最常见的,也可以使用注射成型法、压缩成型法等。半导体封装用环氧树脂组合物在常温下为液状或者糊状时,可以举出分配方式、浇铸方式、印刷方式等。
另外,不仅有对元件直接进行树脂封装的普通的封装方法,还有半导体封装用环氧树脂组合物与元件不直接接触的方式的中空封装方式,也能很好地用作中空封装用的半导体封装用环氧树脂组合物。
另外,本发明的半导体封装用环氧树脂组合物对氧化铜的粘合性、脱模性、连续成型性等优异,如果用该半导体封装用环氧树脂组合物对IC、LSI等电子部件进行封装,则能够获得可靠性优异的半导体装置。
实施例
下面,列举实施例来对本发明详细说明,但本发明不限定于此。
合成例1:用碳原子数为18的一元醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物(D)的合成
将300g的1-二十八碳烯、1-三十碳烯、1-四十碳烯、1-五十碳烯、1-六十碳烯等的混合物与马来酸酐的共聚物(三菱化学株式会社制造,商品名为DIACARNA(注册商标)30)、和140g的硬脂醇溶解在500ml甲苯中,于110℃使其反应8小时后,边阶段性升温到160℃边除去甲苯,在减压下于160℃进行6小时反应,由此除去未反应成分,从而得到489g目标的单酯化率100摩尔%的化合物1。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=4100,分子量分布(Mw/Mn)=3.52,未反应的硬脂醇残留量为化合物1总体的1%以下。
将100g的上述化合物1溶解在400ml丙酮中,添加300ml正己烷。滤出所析出的沉淀物并干燥,得到了70g化合物1高分子量体。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=5600,分子量分布(Mw/Mn)=1.82。进一步从上清液中蒸馏除去溶剂、并干燥,从而得到了20g化合物1低分子量体。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=2400,分子量分布(Mw/Mn)=2.21。
合成例2:用碳原子数为12的一元醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物(D)的合成
添加97g的1-十二烷醇代替硬脂醇,除此之外,根据合成例1所记载的方法,得到了385g单酯化率100摩尔%的化合物2。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=3800,分子量分布(Mw/Mn)=3.81,未反应的1-十二烷醇残留量为化合物2总体的1%以下。
合成例3:用碳原子数为22的一元醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物(D)的合成
添加170g的二十二烷醇(花王株式会社制造,商品名为Kalcol220-80)代替硬脂醇,除此之外,根据合成例1所记载的方法,得到了458g单酯化率100摩尔%的化合物3。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=4400,分子量分布(Mw/Mn)=3.55,未反应的二十二烷醇残留量为化合物3总体的1%以下。
合成例4:用碳原子数为18的一元醇将碳原子数为20~24的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物的合成
将180g的1-二十碳烯、1-二十二碳烯、1-二十四碳烯的混合物(出光兴产株式会社制造,商品名为Linealene 2024)与58g马来酸酐溶解在500ml甲苯中,在110℃加热的同时每20分钟将0.16g的BPO分成3次地添加。将BPO添加完成后,进一步于110℃加热反应溶液7小时。在该聚合物的甲苯溶液中添加162g硬脂醇并于110℃使其反应8小时后,边阶段性升温到160℃边除去甲苯,在减压下于160℃进行6小时反应,由此除去未反应成分,从而得到380g目标的单酯化率100摩尔%的化合物4。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=9800,分子量分布(Mw/Mn)=2.63,未反应的硬脂醇残留量为化合物4总体的1%以下。
合成例5:用碳原子数为8的一元醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物的合成
添加68g的1-辛醇代替硬脂醇,除此之外,根据合成例1所记载的方法,得到了340g单酯化率100摩尔%的化合物5。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=3700,分子量分布(Mw/Mn)=3.80,未反应的1-辛醇残留量为化合物5总体的1%以下。
合成例6:用碳原子数为28的一元醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物(D)的合成
添加214g的二十八烷醇(株式会社素材机能研究所制造,商品名为Policosanol(来自米糠))代替硬脂醇,除此之外,根据合成例1所记载的方法,得到了506g单酯化率100摩尔%的化合物6。以四氢呋喃作为洗脱液,通过按聚苯乙烯换算的凝胶渗透色谱法测定分子量,结果数均分子量(Mn)=4800,分子量分布(Mw/Mn)=3.91,未反应的二十八烷醇残留量为化合物6总体的1%以下。
对于在实施例1~10和比较例1~9中使用的成分,示于下面。
(A)成分的环氧树脂:
环氧当量为185、熔点为108℃的联苯型环氧树脂(Japan EpoxyResin株式会社制造,商品名为Epicoat YX-4000K),
环氧当量为237、软化点为52℃的对二甲苯型环氧树脂(日本化药公司制造,商品名为NC2000),
环氧当量为273、软化点为52℃的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(简称为联苯芳烷基型环氧树脂)(日本化药公司制造,商品名为NC-3000L)
(B)成分的固化剂:
羟基当量为199、软化点为64℃的具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型酚醛树脂(简称为联苯芳烷基型树脂)(明和化成株式会社制造,商品名为MEH-7851SS)
(C)成分的无机填充剂:
平均粒径为10.8μm、比表面积为5.1m2/g的球状熔融二氧化硅(电气化学工业株式会社制造,商品名为Denka Fused Silica(DF)球形粉末型(等级FB-105))
(D)成分的脱模剂:
在上述合成例中得到的化合物1~6,作为其它脱模剂的氧化聚乙烯蜡(Clariant公司制造,商品名为PED191)、褐煤酸系蜡(Clariant公司制造,商品名为Rico Wax E)、α-烯烃单体(Chevron Phillips ChemicalCompany制造,商品名为Alpha Olefin C30+)
(E)成分的固化促进剂:
三苯基膦与对苯醌的加成物(北兴化学株式会社制造,商品名为TPP-BG)
硅氧烷加成聚合物改性物:
硅油A(将下式(Ⅸ)表示的化合物(东丽道康宁株式会社制造,BY-750,分子量约为1500)与双酚A型环氧树脂(Japan Epoxy Resin株式会社制造,JER(注册商标)YL-6810(环氧当量为172g/eq,熔点为45℃)12质量份于140℃加热熔融、并添加6质量份G1-1、0.15质量份三苯基膦、于140℃熔融混合30分钟而得的熔融反应物)
Figure BDA0000155034940000211
硅油B(下式(X)表示的化合物,式(X)中,m、n、l、a和b是相同或者不同的整数(东丽道康宁株式会社制造,商品名FZ-3730))
偶联剂:γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(Chisso株式会社制造,商品名为S510=GPS-M)
着色剂:炭黑(三菱化学株式会社制造,商品名为Carbon#5),分别按表1和表2所示的质量份配合上述成分,在混炼温度为100℃、混炼时间为30分钟的条件下进行双轴混炼,冷却后粉碎,制成半导体封装用环氧树脂组合物。此外,比较例4和5的化合物1和化合物4以及氧化聚乙烯蜡与联苯型环氧树脂在170℃、6小时的条件下进行预混炼来使用。
[表1]
Figure BDA0000155034940000221
[表2]
Figure BDA0000155034940000222
将制成的实施例和比较例的半导体封装用环氧树脂组合物利用下面的各试验进行评价。将评价结果示于表3和表4。
(1)粘合性
将氧化铜基材和形成片的半导体封装用环氧树脂组合物在175℃、70kg/cm2、2分钟的条件下进行一体成型而得到截锥形的成型品(上径2mm×下径3mm×厚度3mm)后,将得到的各成型品的基材固定,从横方向压住半导体封装用环氧树脂组合物的固化部位,测定其转矩(N)。
(2)脱模负荷
脱模时负荷评价用模具由作为传递成型铸模的上模、中模、下模构成。将成型后的中模的平面简图示于图2。成型后附着在中模上的成型品的形状是直径为14.0mm、高度为1.5mm厚。在图2中,11表示中模,12表示余料(カル),13表示流道。14表示成型品,15表示通气口。16表示把手,17表示推拉力计插入用的孔。
用图2所示的脱模时负荷评价用模具在模具温度为175℃、注入压力为6.9MPa、固化时间为1分钟条件下将评价用材料进行传递成型。在成型后吸附于中模11的圆形成型品14上,从中模上部的孔17抵住推拉力计(参照图3),在探出成型品时测定所述负荷。接着将评价用材料成型进行20冲后,对一半10冲的成型品进行测定,评价其平均值作为脱模负荷。
(3)连续成型性(通气口堵塞,模具污垢和封装污垢)
使用低压自动传递成型机(第一精工株式会社制造,GP-ELF),在模具温度为175℃、注入压力为9.8MPa、固化时间为70秒钟条件下,将80引脚四方扁平封装(80pQFP:Cu制引线框,封装外部尺寸:14mm×20mm×2mm厚,焊垫尺寸:6.5mm×6.5mm,芯片尺寸:6.0mm×6.0mm×0.35mm厚)连续地封装成型400冲。
对于通气口堵塞,每50冲目视观察模具,由此确认有无通气口堵塞,以下面的4个等级进行评价。
A:至400冲无问题
B:至300冲发生通气口堵塞
C:至200冲发生通气口堵塞
D:至100冲发生通气口堵塞
对于模具污垢,观察400冲的模具,由污垢从浇口蔓延情况的程度,评价为下面的5个等级。
A:无污垢
B:污垢蔓延为封装表面的10面积%以下
C:污垢蔓延超过封装表面的10面积%~20面积%以下
D:污垢蔓延超过封装表面的20面积%~50面积%以下
E:污垢蔓延超过封装表面的50面积%
对于封装污垢,观察400冲的封装,由污垢从浇口蔓延情况的程度,评价为下面的5个等级。
A:无污垢
B:污垢蔓延为封装表面的10面积%以下
C:污垢蔓延超过封装表面的10面积%~20面积%以下
D:污垢蔓延超过封装表面的20面积%~50面积%以下
E:污垢蔓延超过封装表面的50面积%
[表3]
Figure BDA0000155034940000241
[表4]
Figure BDA0000155034940000242
实施例1~5对氧化铜的粘合强度、脱模性(脱模负荷)均是良好的。含有硅油成分作为硅氧烷加成聚合物改性物的实施例6和7对氧化铜的粘合强度、脱模性(脱模负荷)也良好,连续成型性(模具的污垢)进一步得到改善。作为(A)环氧树脂全部使用联苯型环氧树脂或者具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(联苯芳烷基型环氧树脂)、含有硅油成分的实施例8和实施例9脱模性(脱模负荷)也良好,对氧化铜的粘合强度进一步得到改善。在(D)化合物中含有35质量%的α-烯烃单体的实施例10与比较例相比,对氧化铜的粘合强度、脱模性(脱模负荷)为良好。比较例1~3的脱模性(脱模负荷)较差。另外,并用了氧化聚乙烯蜡作为脱模剂成分的比较例4~5和比较例7表现出连续成型性(通气口阻塞)不良、对氧化铜的粘合也被阻碍地相当厉害。另外,本比较例5相当于专利文献1或者2中记载的实施例1。含有褐煤酸系脱模剂的比较例8和9对氧化铜的粘合强度弱,脱模性(脱模负荷)也较差。
本申请以在平成21年10月20日申请的日本专利申请特愿2009-241427、平成22年3月25日申请的日本专利申请特愿2010-070700以及平成22年4月27日申请的日本专利申请特愿2010-102429为基础要求优先权,并将其公开的全部内容援引于此。

Claims (10)

1.一种半导体封装用环氧树脂组合物,其特征在于,含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)无机填充材料、以及脱模剂,
其中,所述脱模剂含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
2.根据权利要求1所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,进一步含有下述通式(I)表示的硅氧烷加成聚合物改性物,
Figure FDA0000155034930000011
式(I)中,R1~R2选自氢原子、碳原子数为1~55的取代或者无取代的烃基、亚烷基氧缩水甘油醚基以及环氧烷基,全部相同或者不同;R3~R4选自氢原子、碳原子数为1~10的取代或者无取代的烃基、氨基、羧基、缩水甘油醚基以及烷基羧酸-4,4’-(1-甲基乙叉基)双酚二缩水甘油醚基,全部相同或者不同;n表示1~100的整数。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,相对于所述脱模剂的总量100质量%,所述(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物的含量为55质量%~100质量%。
4.根据权利要求2所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,相对于所述半导体封装用环氧树脂组合物的总量100质量%,所述硅氧烷加成聚合物改性物的含量为0.1质量%~2质量%。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物,其中,所述(A)环氧树脂包含选自联苯型环氧树脂、对二甲苯型环氧树脂以及具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂中的至少一种。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物,用于具备含铜引线框的半导体装置中的半导体元件的封装。
7.一种半导体装置,其特征在于,用权利要求1~6中任一项所述的半导体封装用环氧树脂组合物的固化物封装半导体元件。
8.一种脱模剂,其特征在于,含有(D)用碳原子数为10~25的长链脂肪族醇将碳原子数为28~60的α-烯烃与马来酸酐的共聚物进行酯化而得的化合物。
9.根据权利要求8所述的脱模剂,用于半导体封装用环氧树脂组合物。
10.根据权利要求9所述的脱模剂,其中,所述半导体封装用环氧树脂组合物用于具备含铜引线框的半导体装置中的半导体元件的封装。
CN2010800472267A 2009-10-20 2010-10-07 半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂 Pending CN102575085A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611089217.XA CN107033540B (zh) 2009-10-20 2010-10-07 半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-241427 2009-10-20
JP2009241427 2009-10-20
JP2010070700 2010-03-25
JP2010-070700 2010-03-25
JP2010-102429 2010-04-27
JP2010102429 2010-04-27
PCT/JP2010/006011 WO2011048765A1 (ja) 2009-10-20 2010-10-07 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、半導体装置及び離型剤

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611089217.XA Division CN107033540B (zh) 2009-10-20 2010-10-07 半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102575085A true CN102575085A (zh) 2012-07-11

Family

ID=43900010

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010800472267A Pending CN102575085A (zh) 2009-10-20 2010-10-07 半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂
CN201611089217.XA Active CN107033540B (zh) 2009-10-20 2010-10-07 半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611089217.XA Active CN107033540B (zh) 2009-10-20 2010-10-07 半导体封装用环氧树脂组合物及半导体装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9040606B2 (zh)
JP (1) JP5737183B2 (zh)
KR (2) KR101719021B1 (zh)
CN (2) CN102575085A (zh)
MY (1) MY157584A (zh)
SG (1) SG10201406600RA (zh)
TW (1) TWI500688B (zh)
WO (1) WO2011048765A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110650989A (zh) * 2017-05-24 2020-01-03 三菱化学株式会社 成型材料、及纤维增强复合材料
CN111261527A (zh) * 2020-02-11 2020-06-09 张正 一种半导体封装构件及其制备方法
CN111619046A (zh) * 2020-05-25 2020-09-04 余姚市远东化工有限公司 一种耐储存的脱模剂及其制备方法
WO2022142325A1 (zh) * 2020-12-28 2022-07-07 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧树脂组合物及含有其的透明复合材料、层压板

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120205822A1 (en) * 2009-10-26 2012-08-16 Yusuke Tanaka Resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the resin composition
US9048187B2 (en) 2010-03-25 2015-06-02 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same
JP5522461B2 (ja) * 2010-05-25 2014-06-18 日立化成株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
CN102558769B (zh) * 2010-12-31 2015-11-25 第一毛织株式会社 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及由该环氧树脂组合物封装的半导体器件
JP6056315B2 (ja) * 2012-09-21 2017-01-11 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物および電子部品装置
CN102863936B (zh) * 2012-10-09 2014-07-02 株洲时代新材料科技股份有限公司 一种加热固化型双组分环氧灌封胶及其制备方法
TWI494339B (zh) 2012-10-23 2015-08-01 Ind Tech Res Inst 部分酯化環氧樹脂及應用其製成之環氧樹脂組成物及其製法
WO2014116996A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Washington State University Research Foundation Derivatives of fatty esters, fatty acids and rosins
JP2016023279A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、半導体装置および構造体
JP6922158B2 (ja) * 2016-04-20 2021-08-18 住友ベークライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物、樹脂封止基板、および電子装置
JP6688992B2 (ja) * 2016-07-29 2020-04-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置
CN106608008B (zh) * 2016-11-28 2018-11-23 西安空间无线电技术研究所 一种脱模剂及其制备方法和在环氧树脂灌封中的应用
KR102056303B1 (ko) 2017-05-15 2019-12-16 주식회사 엘지화학 반도체 패키지용 수지 조성물과 이를 사용한 프리프레그 및 금속박 적층판
CN113614141B (zh) * 2019-03-27 2024-02-20 住友电木株式会社 密封用树脂组合物和半导体装置
JPWO2022118749A1 (zh) * 2020-12-03 2022-06-09

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000017045A (ja) * 1998-06-30 2000-01-18 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物で封止された半導体装置
JP2006028264A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2006104415A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP3975386B2 (ja) * 1999-12-28 2007-09-12 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP4010176B2 (ja) * 2001-06-15 2007-11-21 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2008024757A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物、及び電子部品装置
JP2008179791A (ja) * 2006-12-25 2008-08-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2727329C2 (de) 1977-06-16 1984-03-01 Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal Olefin-Maleinsäure-Copolymerisat-Ester
JPS6152862A (ja) 1984-08-24 1986-03-15 松下電器産業株式会社 超音波探触子の製造方法
US4871823A (en) * 1987-09-11 1989-10-03 S. C. Johnson & Son, Inc. 1-Alkene/excess maleic anhydride polymers
JPH06299180A (ja) 1993-04-14 1994-10-25 Nippon Steel Corp 塑性加工用固体潤滑剤及び固体潤滑層を有する金属板
JP3542311B2 (ja) * 2000-01-28 2004-07-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4966457B2 (ja) 2001-06-11 2012-07-04 新日本製鐵株式会社 ハイドロフォーム用固体潤滑剤および固体潤滑層を有する金属管
JP2009144107A (ja) * 2007-12-18 2009-07-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000017045A (ja) * 1998-06-30 2000-01-18 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物で封止された半導体装置
JP3975386B2 (ja) * 1999-12-28 2007-09-12 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP4010176B2 (ja) * 2001-06-15 2007-11-21 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2006028264A (ja) * 2004-07-13 2006-02-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2006104415A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2008024757A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物、及び電子部品装置
JP2008179791A (ja) * 2006-12-25 2008-08-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110650989A (zh) * 2017-05-24 2020-01-03 三菱化学株式会社 成型材料、及纤维增强复合材料
CN110650989B (zh) * 2017-05-24 2023-03-31 三菱化学株式会社 成型材料、及纤维增强复合材料
CN111261527A (zh) * 2020-02-11 2020-06-09 张正 一种半导体封装构件及其制备方法
CN111261527B (zh) * 2020-02-11 2021-10-01 深圳市法本电子有限公司 一种半导体封装构件及其制备方法
CN111619046A (zh) * 2020-05-25 2020-09-04 余姚市远东化工有限公司 一种耐储存的脱模剂及其制备方法
WO2022142325A1 (zh) * 2020-12-28 2022-07-07 广东盈骅新材料科技有限公司 环氧树脂组合物及含有其的透明复合材料、层压板

Also Published As

Publication number Publication date
TWI500688B (zh) 2015-09-21
KR20120099044A (ko) 2012-09-06
JPWO2011048765A1 (ja) 2013-03-07
SG10201406600RA (en) 2014-11-27
CN107033540A (zh) 2017-08-11
JP5737183B2 (ja) 2015-06-17
KR101719021B1 (ko) 2017-03-22
WO2011048765A1 (ja) 2011-04-28
TW201120129A (en) 2011-06-16
US9040606B2 (en) 2015-05-26
KR101779314B1 (ko) 2017-09-18
CN107033540B (zh) 2022-02-08
US20120199992A1 (en) 2012-08-09
MY157584A (en) 2016-06-30
KR20160128463A (ko) 2016-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102575085A (zh) 半导体封装用环氧树脂组合物、半导体装置及脱模剂
CN102918106B (zh) 半导体封装用环氧树脂组合物和使用它的半导体装置
CN100523046C (zh) 密封用环氧树脂成形材料以及电子器件装置
TWI503368B (zh) Epoxy resin molding materials and electronic components for packaging
CN103517948A (zh) 密封用环氧树脂成形材料及电子部件装置
CN101124233A (zh) 新型固化性树脂及其制造方法、及环氧树脂组合物、电子部件装置
KR101005994B1 (ko) 경화 촉진성 화합물-실리카 복합체, 경화 촉진성화합물-실리카 복합체의 제조 방법, 경화 촉진제, 경화성수지 조성물 및 전자 부품 장치
CN102585438A (zh) 密封用环氧树脂组合物和电子部件装置
CN101133097B (zh) 固化促进剂、固化性树脂组合物及电子器件装置
JP2003064239A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2003026769A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
CN102822271B (zh) 半导体封装用环氧树脂组合物和使用其的半导体装置
KR20220025804A (ko) 밀봉용 수지 조성물, 전자 부품 장치 및 전자 부품 장치의 제조 방법
JP5256614B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2005036085A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP5644831B2 (ja) リフレクターの製造方法及びled装置
CN110461938A (zh) 环氧树脂组合物和电子部件装置
JP2006028264A (ja) 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
CN109071780A (zh) 环氧树脂组合物及电子部件装置
WO2020158851A1 (ja) 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
TW202321367A (zh) 半導體密封用樹脂組成物及半導體裝置
JP2022107373A (ja) 熱硬化性樹脂組成物の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、及び電子部品装置
JP2024015914A (ja) 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2011246619A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及びこの組成物で封止された素子を備えた電子部品装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120711