CN102496580B - 一种焊料凸点的形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种焊料凸点的形成方法，包括：在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；在上述开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层；在阻挡层上形成焊料膏；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；回流焊料膏，形成柱状凸点。本发明提高了焊料凸点的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的芯片级封装。

Description

一种焊料凸点的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体器件封装领域，尤其涉及倒装焊、焊料凸点、晶圆级芯片尺寸封装(WaferLevelchipScalePackage，WLCSP)的形成方法。
背景技术
近年来，由于芯片的微电路制作朝向高集成度发展，因此，其芯片封装也需向高功率、高密度、轻薄与微小化的方向发展。芯片封装就是芯片制造完成后，以塑胶或陶磁等材料，将芯片包在其中，以达保护芯片，使芯片不受外界水汽及机械性损害。芯片封装主要的功能分别有电能传送(PowerDistribution)、信号传送(SignalDistribution)、热的散失(HeatDissipation)与保护支持(ProtectionandSupport)。
由于现今电子产品的要求是轻薄短小及高集成度，因此会使得集成电路制作微细化，造成芯片内包含的逻辑线路增加，而进一步使得芯片I/O(input/output)脚数增加，而为配合这些需求，产生了许多不同的封装方式，例如，球栅阵列封装(Ballgridarray，BGA)、芯片尺寸封装(ChipScalePackage，CSP)、多芯片模块封装(MultiChipModulepackage，MCMpackage)、倒装式封装(FlipChipPackage)、卷带式封装(TapeCarrierPackage，TCP)及晶圆级封装(WaferLevelPackage，WLP)等。
不论以何种形式的封装方法，大部分的封装方法都是将晶圆分离成独立的芯片后再完成封装的程序。而晶圆级封装是半导体封装方法中的一个趋势，晶圆级封装以整片晶圆为封装对象，因而封装与测试均需在尚未切割晶圆的前完成，是一种高度整合的封装技术，如此可省下填胶、组装、黏晶与打线等制作，因此可大量降低人工成本与缩短制造时间。
申请号为200410049093.3的中国专利介绍了一种焊料凸点的形成方法。图1A至图1F为现有焊料凸点形成过程示意图。如图1A所示，焊盘104的衬底102上形成一层钝化层106。然后，在焊盘104和钝化层106表面相继淀积一层耐热金属层108(通常为铬Cr或钛Ti)和金属浸润层110(通常为铜Cu)，如图1B所示。然后涂布光刻胶112并图案化光刻胶在与焊盘相应位置形成开口114，如图1C所示。接着，如图1D所示，在开口114中填充材料为锡(Sn)或锡银(SnAg)的焊料，去除光刻胶112后便形成了如图1E所示的蘑菇形焊料凸点120。之后蚀刻耐热金属层108和金属浸润层110，最后通过端电极回流工艺将焊料凸点熔成如图1F所示的球形焊料凸点120。
现有技术形成晶圆级芯片尺寸封装过程中，由于焊料凸点材料直接与金属浸润层接触，金属浸润层的铜极易扩散到焊料凸点的锡中形成铜锡合金，影响焊接质量。同时，在金属浸润层上形成焊料之前，裸露的浸润层容易氧化而使后续形成的焊料凸点性能及可靠性降低。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种焊料凸点的形成方法，防止芯片电性能及可靠性降低。
为解决上述问题，本发明提供一种焊料凸点的形成方法，包括：在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；在上述开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层；在阻挡层上形成焊料膏；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；回流焊料膏，形成柱状凸点。
可选地，所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。
可选地，所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。
可选地，所述附着层的材料是铜。
可选地，所述铜附着层的厚度是5～60μm。
可选地，所述阻挡层的材料是镍。
可选地，所述镍阻挡层的厚度是1.5～3μm。
可选地，所述焊料膏的材料是纯锡或锡合金。
可选地，所述焊料膏的厚度是5～70μm。
与现有技术相比，本发明形成的柱状凸点结构中：
附着层(Cu)在空间上提供了一个足够的物质空间，使焊料球能够牢固地置于附着层上而不会偏离；也正因为附着层的柱状结构使得焊料球的尺寸得以缩小，在保证最终产品焊接过程中物理连接可靠度的前提下，提升了单位空间内的功能输出端口数，更能满足芯片焊盘密间距、功能输出多的封装需求。
厚度适宜的阻挡层(Ni)一方面能够避免自身因扩散效应而消失，进而有效地阻止焊料和金属浸润层之间因金属间化合物的形成而产生的孔隙；同时又不至于因镍阻挡层过厚而导致电阻率上升而影响产品的电热性能。
附图说明
图1A至图1F是现有焊料凸点形成过程示意图；
图2是本发明形成柱状凸点的具体实施方式流程图；
图3A至图3G是本发明形成柱状凸点的实施例的工艺示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
图2是本发明形成焊料凸点的具体实施方式流程图，包括步骤：
S101，在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；
S102，在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；
S103，在上述开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层；
S104，在阻挡层上形成焊料膏；
S105，去除光刻胶；
S106，蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；
S107，回流焊料膏，形成柱状凸点。
首先执行步骤S101，在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层，形成如图3A所示的结构。
在这一步骤中，芯片300上设有焊盘301和钝化层302，焊盘301是芯片300的功能输出端子，并最终通过后续形成的柱状凸点实现电性功能的传导过渡；钝化层302的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、苯三聚丁烯等介电材料或它们的混合物，用于保护芯片300中的线路。
需要说明的是，所述芯片的焊盘和钝化层可以是芯片的初始焊盘和初始钝化层，也可以是根据线路布图设计需要而形成的过渡焊盘、钝化层；形成过渡焊盘、钝化层的方式主要是采用再布线工艺技术，通过一层或多层再布线将初始焊盘、钝化层转载到过渡焊盘、钝化层上。所述再布线工艺技术为现有成熟工艺，已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
在本实施例中，所述耐热金属层303的材料可以是钛Ti、铬Cr、钽Ta或它们的组合构成，本发明优选为Ti。所述金属浸润层304的材料可以是铜Cu、铝Al、镍Ni中的一种或它们的组合构成，其中较优的金属浸润层304为Cu。耐热金属层303与金属浸润层304一起构成最终结构的种子层。所述耐热金属层303和金属浸润层304的方法同样可以采用现有的蒸发或溅射或物理气相沉积的方法，其中较优的方法为溅射。当然，根据本领域技术人员的公知常识，形成的方法不仅限于溅射方法，其他适用的方法均可应用于本发明，并且形成的耐热金属层303和金属浸润层304的厚度也是根据实际的工艺需求而定。
然后实施步骤S102，在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层，形成如图3B所示的结构。
在本实施例中，形成光刻胶305的方法可以是旋转涂布，这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。形成光刻胶305后，具体可通过现有光刻显影技术定义出焊盘301的形状，使光刻胶305中形成开口以曝露出焊盘301上的金属浸润层304。
然后实施步骤S103，在上述开口中的金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层，形成如图3C所示的结构。
在这一步骤中，以芯片300上剩余的光刻胶305为掩膜，在上步中形成的光刻胶305的开口内、金属浸润层304的上方，依次形成附着层306和阻挡层307，具体工艺可以通过用电镀的方式。当然，根据本领域技术人员的公知常识，形成的方法不仅限于电镀，其他适用的方法均可应用于本发明。所述附着层306的材料为铜Cu，阻挡层307的材料为镍Ni。
本实施例中，附着层306铜的厚度为5～60μm，具体厚度为5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、或60μm等。附着层306为最终电性输出端子即柱状凸点的柱状结构主体。附着层306在空间上提供了一个足够的物质空间，保证了后续由焊料膏308a回流而成的焊料球308b能够牢固地置于附着层306上而不会偏离，同时也提高了与焊料膏308a间的结合力。
本实施例中，阻挡层307镍的厚度为1.5μm～3μm，具体厚度为1.5μm、2μm、2.5μm或3μm等。阻挡层307的作用为防止后续形成焊料凸点的材料扩散至金属浸润层304中，当Ni层厚度小于1.5μm时，Ni最终会因相邻金属间的扩散效应而消失，进而无法有效地阻挡后续焊料凸点扩散到金属浸润层304中；当Ni层厚度大于3μm时，会因Ni金属本身的电热性能较差而导致电阻率上升，进而影响最终产品的电热性能。
然后实施步骤S104，在阻挡层上形成焊料膏，形成如图3D所示的结构。
在这一步骤中，仍以光刻胶305为掩膜，在阻挡层307上形成焊料膏308a，形成所述焊料膏308a的材料为纯锡或锡合金，如锡银合金、锡铜合金、锡银铜合金等。形成焊料膏308a的方法可以是电解电镀、溅射、网版印刷或直接植入预制好的焊料球308b等方式，这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
本实施例中，焊料膏308a的厚度为5μm～70μm，具体厚度例如5μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm、55μm、60μm、65μm或70μm等。由上述步骤形成的柱状结构，可以大大减少焊料膏308a的使用量，一方面节约了材料成本，更重要的是少量焊料膏308a回流成的焊料球308b尺寸较小，能满足焊盘301密间距或相同空间内更多功能输出点的应用需求。
接着实施步骤S105，去除光刻胶，形成如图3E所示的结构。
在完成上述工序后，光刻胶305可以去除了，可以使用湿法或剥离的方式去除，这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
然后实施步骤S106，蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露，形成如图3F所示的结构。
在本实施例中，具体可通过喷洒酸液或将晶片浸泡于酸液中的方法来去除焊料膏308a以外的芯片300表面的金属浸润层304和耐热金属层303，从而曝露出钝化层302。
最后，实施步骤S107，回流焊料膏，形成焊料球308b，形成如图3G所示的结构。
在本实施例中，通过回流加热熔化焊料膏308a形成焊料球308b，最终实现了将芯片300的功能焊盘301引出到焊料球308b上的封装过渡。
至此，也就是说，从焊盘301底部依次往上形成包括耐热金属层303、金属浸润层304、附着层306、阻挡层307和焊料球308b，这些金属结构构成了最终的柱状凸点，实现了由焊盘301到柱状凸点间电性传输的封装过渡。
虽然本发明以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (9)

1.一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，包括：
在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层，所述钝化层的顶面位于同一平面，所述钝化层的顶面高于所述焊盘的顶面；
在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层，所述开口的宽度小于所述焊盘的宽度；
在上述开口中的金属浸润层上依次形成相互层叠设置的附着层和阻挡层；
在阻挡层上正对开口位置处形成焊料膏；
去除光刻胶；
蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；
回流焊料膏，形成柱状凸点，所述焊料膏回流形成的焊料球位于所述阻挡层的轴向投影内。
2.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述附着层的材料是铜。
5.根据权利要求4所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述铜附着层的厚度是5～60μm。
6.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料是镍。
7.根据权利要求6所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述镍阻挡层的厚度是1.5～3μm。
8.根据权利要求1所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述焊料膏的材质是纯锡或锡合金。
9.根据权利要求8所述的一种焊料凸点的形成方法，其特征在于，所述焊料膏的厚度是5～70μm。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014071813A1 (zh) 2012-11-08 2014-05-15 南通富士通微电子股份有限公司 半导体器件的封装件和封装方法
CN102915986B (zh) 2012-11-08 2015-04-01 南通富士通微电子股份有限公司 芯片封装结构
WO2014071815A1 (zh) 2012-11-08 2014-05-15 南通富士通微电子股份有限公司 半导体器件及其形成方法
CN102931098B (zh) * 2012-11-08 2015-06-03 南通富士通微电子股份有限公司 芯片封装方法
CN102915981B (zh) * 2012-11-08 2016-02-03 南通富士通微电子股份有限公司 半导体器件及其封装方法
US9589815B2 (en) 2012-11-08 2017-03-07 Nantong Fujitsu Microelectronics Co., Ltd. Semiconductor IC packaging methods and structures
CN102931164B (zh) * 2012-11-08 2015-12-09 南通富士通微电子股份有限公司 半导体器件的封装件
CN105225977B (zh) * 2015-11-03 2018-05-04 中芯长电半导体（江阴）有限公司 一种铜柱凸块结构的制作方法
CN106847772B (zh) * 2016-12-20 2019-12-20 中国电子科技集团公司第五十八研究所 用于陶瓷外壳的无助焊剂倒装焊方法
CN112017978B (zh) * 2020-08-26 2022-04-08 颀中科技（苏州）有限公司 一种芯片金属凸块的成型方法
US11715756B2 (en) * 2021-04-09 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device structure and methods of forming the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601712A (zh) * 2003-09-23 2005-03-30 三星电子株式会社 加强的焊料凸块结构以及形成加强的焊料凸块的方法
CN101090099A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 焊料凸块及其制造方法
CN101207047A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种焊料凸点的制作方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7276801B2 (en) * 2003-09-22 2007-10-02 Intel Corporation Designs and methods for conductive bumps
JP4777644B2 (ja) * 2004-12-24 2011-09-21 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN100468713C (zh) * 2006-05-15 2009-03-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体晶片焊料凸块结构及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1601712A (zh) * 2003-09-23 2005-03-30 三星电子株式会社 加强的焊料凸块结构以及形成加强的焊料凸块的方法
CN101090099A (zh) * 2006-06-12 2007-12-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 焊料凸块及其制造方法
CN101207047A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种焊料凸点的制作方法

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