CN102467992A - 透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏 - Google Patents

透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏 Download PDF

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Abstract

本发明涉及光透射率高和透射着色少的透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏。根据本发明，通过包括利用等离子体增强化学气相沉积法在光透明基底上层压包含可调节折射率和厚度的两层结构的层压体的工序，达到如下效果：能够提供构造致密且稳定的透明导电层压薄膜，能够提供可见光透射率高、透射着色少、在高温·高湿度环境中表面电阻变化率小、具有高薄膜耐久性的透明导电层压薄膜，能够提高大面积生产性和降低制造成本。

Description

透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏
技术领域
本发明涉及包含具有各不相同的折射率的层压体的透明导电层压薄膜、其制造方法及其用途。
背景技术
触摸屏是安装在显示装置的表面、将用户的手指、触笔等的物理接触转换为电子信号的输出装置，被应用到液晶显示装置(liquid crystal display)、等离子显示屏(plasma display panel)和EL(electro-luminescence)元件等。
这样的触摸屏是信息显示设备的特殊输入装置，根据实现方式分为电阻膜方式、电容方式、超声波方式、红外线方式和弹性波方式等。
最近，在使用量和应用范围扩大的移动设备和导航设备之类的小型便携式设备中，电阻膜方式和数字电容方式的触摸屏已广泛应用。特别是电阻膜方式操作实现容易，制造成本低，大量应用于一般的触摸屏手机和导航设备，然而最近，从现有的只能做标签(Tab)和拖动(Drag)的简单操作的触摸屏触摸方法脱离，将容易实现多种方式的多点触控的电容方式的触摸屏安装在智能手机和高档移动设备的显示器中的行为在一直扩大。
电容方式的触摸屏包含触摸图案层，所述触摸图案层起到对应外部物理接触产生电信号的作用，但在用于电容方式的触摸屏的透明导电薄膜的情况下，必须可见光透射率高、透射着色低且在透明电极图案蚀刻工序后生成的透明电极图案的可见度良好。特别是，用于电容方式的触摸屏的透明导电薄膜为了不失真地表现显示画面的色相，透射着色必须低，在触摸屏产品的结构上在透明电极图案蚀刻工序后生成的图案的可见度必须良好。为了获得低的透射着色性和高的图案可见度，必须使图案透射且肉眼可见的减到最少，为此，需要反射光量减少而透射量增加的层压结构。然而，在现有的触摸屏中使用的透明导电薄膜一般具有对电阻膜方式合适的可见光透射率。在用于克服这一点的多层结构的薄膜情况下，即使是在提高透射率和确保对高温和高湿度(150℃、湿度90％)以及热冲击的耐久性和电阻稳定性的情况下，还存在随着多层膜的层压导致生产时间增加而制造成本增加的问题。
为了解决上述问题，一直以来，形成具有比透明基底的折射率大、比透明导电层的折射率小的中间层，降低透射光的色差仪b*值从而透射色变成黄色和棕色的问题得到了解决，但不能制作在电容方式中使用的具有高透射率的导电层压薄膜。
此外，用于制作具有高透射率的导电层压薄膜的另外其他的现有技术提出了在形成低折射率和高折射率的氧化物薄膜的导电层压薄膜的中间层形成的工序中作为干式工艺用物理气相沉积法(PVD，physical vapor deposition)中溅射(Sputtering)成膜的方法，提高了透射率和耐久性。然而，用溅射法形成具有高折射率和低折射率的两层金属和无机氧化物需要长时间的成膜时间，无法解决在卷对卷(roll-to-roll)方式的连续生产过程中需要增加制造成本的问题。
发明内容
[发明要解决的问题]
本发明提供光透射率高和透射着色低的透明导电层压薄膜，提供即使在高温·高湿的恶劣环境中表面电阻变化率也小和耐久性优异、在提高透明电极图案的可见度的同时能够降低制造成本的透明导电层压薄膜及其制造方法，提供包含所述透明导电层压薄膜的触摸屏。
然而，本发明要解决的问题不限于以上所述问题，没有提及的其他问题，本领域的技术人员也可以从下面的说明中清楚地理解。
[用于解决问题的方法]
为了解决上述问题，本发明的第一方面，提供了一种透明导电层压薄膜，该透明导电层压薄膜包括：光透明基底；利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)层压在所述光透明基底上至10nm～300nm的厚度、包含无机氧化物、具有折射率为1.3～2.5的第一层压体；利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述第一层压体上至10nm～300nm的厚度、包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体；和层压在所述第二层压体上至10nm～100nm的厚度的透明导电层。
在一种实施方式中，在所述透明导电层的厚度为50nm以上的情况下，所述第二层压体的折射率比所述第一层压体的折射率大，但不限于此
在一种实施方式中，所述第一层压体和第二层压体的总厚度是50～350nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述第二层压体的色差仪的L、a*、b*值中透射色坐标值为-7＜b*＜2，但不限于此。
在一种实施方式中，所述透明导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化锡锑(ATO)和氧化铟锌(IZO)中的一种以上，但不限于此。
在一种实施方式中，所述光透明基底包含塑料薄膜，所述光透明基底的厚度为25um～350um，但不限于此。
在一种实施方式中，在所述光透明基底的一侧或两侧包含透明硬涂膜，但不限于此。
本发明的第二方面，提供了一种透明导电层压薄膜的制造方法，该制造方法包括：利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在光透明基底上层压包含无机氧化物、折射率为1.3～2.5的第一层压体至10nm～300nm的厚度；利用等离子体增强化学气相沉积法在所述第一层压体上层压包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体至10nm～300nm的厚度；和在所述第二层压体上层压透明导电层至10～100nm的厚度。
在一种实施方式中，所述等离子体增强化学气相沉积法包括卷对卷方式的等离子体增强化学气相沉积法，但不限于此。
在一种实施方式中，层压所述透明导电层包括利用选自由气相沉积法、离子蚀刻法、溅射法、化学气相沉积法和蚀刻法组成的组中的一种以上的方法和卷对卷工序连续形成所述透明导电层，但不限于此。
在一种实施方式中，透明导电层压薄膜的制造方法还包括在层压所述透明导电层后在120℃～150℃下进行热处理，使所述透明导电层结晶，但不限于此。
本发明的第三方面，提供了包含所述透明导电层压薄膜的触摸屏，但不限于此。
[发明的效果]
根据本发明，通过包括利用等离子体增强化学气相沉积法在光透明基底上层压包含可调节折射率和厚度的两层结构的层压体的工序，达到如下效果：能够提供构造致密且稳定的透明导电层压薄膜，能够提供可见光透射率高、透射着色少、在高温·高湿度环境中表面电阻变化率小、具有高薄膜耐久性的透明导电层压薄膜。
另一方面，由于在包含可调节折射率和厚度的两层结构的层压体的制造中应用了包括利用卷对卷型等离子体增强化学气相沉积法的工序，与其他PVD工序(溅射，电子束沉积等)相比，成膜速度能够提高5倍～7倍以上，因此具有能够提高大面积生产性和降低制造成本的效果。
此外，包含所述光透射率高、透射着色少以及在高温·高湿度环境中表面电阻变化率小的透明导电层压薄膜的触摸屏，可在包括电容方式和电阻膜方式的多种方式的触摸屏中不受限制地进行应用。
附图说明
图1是本发明的一种实施方式中透明导电层压薄膜的剖视图。
图2a是测定根据本发明的实施例1的透明导电层压薄膜的反射率的图。
图2b是测定根据比较例1的透明导电层压薄膜的反射率的图。
图3a是测定根据本发明的实施例2的透明导电层压薄膜的反射率的图。
图3b是测定根据比较例3的透明导电层压薄膜的反射率的图。
图4a是测定根据本发明的实施例2的透明导电层压薄膜的反射率的图。
图4b是测定根据比较例5的透明导电层压薄膜的反射率的图。
具体实施方式
下面，参照附图列举和详细说明本发明的实施方式和实施例，以便本发明所属技术领域的普通技术人员可以容易地实施。
不过，本发明可以用各种不同的方式实施，不限于在此说明的实施方式和实施例。另外，在附图中，为了明确说明本发明，与说明无关的部分省略，在整个说明书中，对类似的部分添加了类似的附图符号。
在整个说明书中，如果出现某一部分“包含”某一组件，这意味着除另有相反注明外不排除其他组件，可以进一步包含其他组件。
在整个说明书中，如果出现某一层或部件位于其他层或部件“之上”，这不仅仅指某一层或部件与其他层或部件接连的情况，也包括在两层或两个部件间有另外其他层或另外其他部件存在的情况。
在整个说明书中使用的程度用语“基本〔薬〕”、“基本上”等，在提及的意思中提示有固有的制造和物质公差时可用作该数值或接近该数值的意思，为帮助理解本发明、为防止不法侵权人不正当地利用提及正确的或绝对的数值的公开内容而使用的。整个说明书中使用的用语“～阶段”或“～的阶段”不是指“用于～的阶段”的意思。
本发明的第一方面，提供了一种透明导电层压薄膜，该透明导电层压薄膜包括：光透明基底；利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)层压在所述光透明基底上至10nm～300nm的厚度、包含无机氧化物、具有折射率为1.3～2.5的第一层压体；利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述第一层压体上至10nm～300nm的厚度、包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体；和层压在所述第二层压体上至10nm～100nm的厚度的透明导电层。
图1是本发明的一种实施方式中透明导电层压薄膜的剖视图。下面，参考图1详细说明本发明的一种实施方式。
所述无机氧化物包含金属氧化物或两性金属氧化物，作为具体的例子，包含选自由钛氧化物(titanium oxide)、锌氧化物(zincoxide)、铈氧化物(cerium oxide)、铝氧化物(aluminium oxide)、钽氧化物(tantalum oxide)、钇氧化物(yttrium oxide)、镱氧化物(ytterbium oxide)以及锆氧化物(zirconium oxide)、硅氧化物(silicon oxide)，锑锡氧化物(antimony tin oxide)和铟锡氧化物(indium tin oxide)组成的组中的一种以上，但不限于此。在例示的实施方式中，所述无机氧化物包含选自由二氧化钛、二氧化硅和氧化锆组成的组中的一种以上，但不限于此。在例示的实施方式中，为提高透明电极图案的可见度，所述无机氧化物包含二氧化钛或二氧化硅，但不限于此。
所述第一层压体20的折射率为1.3～2.5，厚度为10～300nm，但不限于此。所述数值范围是在包含所述第一层压体20和所述第二层压体30的层压体中在利用所述等离子体增强化学气相沉积法的沉积工序中构成两层膜的光的行为和构成多层层压体的情况下必须考虑的层压体的物理特性，在所述数值范围内层压体物质的稳定性大，形成层压体间的应力匹配(matching)，折射率变化小。作为所述应力匹配的例子，在第一层压体20层压二氧化钛(TiO2)使其具有约1.46的折射率，在第二层压体30使用二氧化硅(SiO2)调整折射率从而构成两层膜的层压体，在受到外部压力的情况下所述含二氧化钛的层压体承受拉伸力(tensile)，含二氧化硅的层压体承受收缩力(compressive strain)，具有能够保持对光透明基底10的力平衡的优势。
所述第二层压体30包含与所述第一层压体20所含的金属氧化物和/或无机氧化物不同的无机氧化物，厚度为10nm～300nm，但不限于此。在例示的实施方式中，在所述第一层压体20包含二氧化钛的情况下，第二层压体30包含除所述二氧化钛之外的金属氧化物或作为无机氧化物的二氧化硅。这样，包含各不相同的金属氧化物和/或无机氧化物的理由如上述所说明的是因为可以确保层压体的稳定性和光透射率的优秀性等。
在一种实施方式中，提供了一种透明导电层压薄膜，其中，在所述透明导电层40的厚度为50nm以上的情况下，所述第二层压体30的折射率具有比所述第一层压体20的折射率大的折射率，但不限于此。在透明导电层40的厚度为50nm以上的情况下，所述第二层压体30的折射率必须比所述第一层压体20的折射率高，否则不能具有高的光透射性的效果。
在一种实施方式中，所述第一层压体20和所述第二层压体30的总厚度是50～350nm，但不限于此。在例示的实施方式中，所述第一层压体20和所述第二层压体30的总厚度是90～310nm，但不限于此。在上述数值范围内能够确保层压体的高稳定性和高光透射率的优秀性。
所述第一层压体20和所述第二层压体30起缓冲的作用，通过所述透明导电层40的表面电阻，提高了对由于外部环境、特别是湿度和热或薄膜的弯曲度(Bending)之类的冲击的电稳定性。此外，层压的氧化物的高密度和致密的膜结构起到防止由透明树脂薄膜基底产生的水分和诸如溶剂之类有机物向透明导电体层扩散的屏障作用，提升对弯曲冲击的缓冲功能。
在一种实施方式中，提供了具有所述第二层压体30的色差仪的L、a*、b*值中透射色坐标值为-7＜b*＜2的透明导电层压薄膜。所述L、a*以及b*是指色差表，所述L值代表亮度，由0～100表示。还有，所述a*和b*是像xy坐标系那样的平面坐标系，横轴指a*值，纵轴指b*值，+a方表示红色，-a方表示绿色，+b方表示黄色，-b方表示蓝色。在本发明的例示的实施方式中，提供了具有所述色差仪的L、a*、b*值中透射色坐标值为-5＜b*＜3的透明导电层压薄膜。在所述数值范围内，可以实现所述透明导电层压薄膜的完全的透射率和色坐标值，在所述具有各不相同的折射率的二层层压体表面的局部最低反射率波长可以在350～500nm范围内有最低值，在调整层压体的厚度和折射率、利用所述等离子体增强化学气相沉积法使其沉积的情况下，在所述色差仪的透射色坐标值的数字范围内，能够减少紫色光或蓝色光的反射，也能够减少透射光的着色。
在一种实施方式中，所述透明导电层40包含氧化铟锡(ITO)、氧化锡锑(ATO)和氧化铟锌(IZO)中的一种以上，但不限于此。所述透明导电层40包含金属或金属氧化物，但不限于此。在例示的实施方式中，包含选自由氧化铟锡(ITO)、氧化锡锑(ATO)和氧化铟锌(IZO)、金、银、铜、铂和镍组成的组中的一种以上，但不限于此。
在一种实施方式中，所述光透明基底10包含塑料薄膜，所述光透明基底的厚度为25～350um，但不限于此。因此，所述光透明基底的厚度数值范围是从所述透明导电层压薄膜的透明度和生产性的观点出发所需。所述光透明基底10如果是能够确保该基底的厚度和透明度的光学透明物质，就可以包含技术人员根据需要适当选择的基底。在例示的实施方式中，所述光透明基底10例如包括包含选自由玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚甲基丙烯酸甲酯共聚物(poly(methylmethacrylate)copolymer)、三乙酰纤维素(triacetyl cellulose)、聚烯烃(polyolefin)、聚酰胺(polyamide)、聚氯乙烯(Poly(vinyl chloride))和非晶聚烯烃(amorphous polyolefin)组成的组中的一种以上的基底，但不限于此。所述光透明基底10的形态是片材、板或薄膜，但不限于此。
在一种实施方式中，所述光透明基底10在其至少一侧以上包含透明的硬涂膜，但不限于此。为提高所述光透明基底的表面硬度和弯曲度(bending)，所述透明硬涂膜的厚度为2～15um，但不限于此。在例示的实施方式中，是3～15um，但不限于此。所述硬涂膜是包含选自密胺类树脂、聚氨酯类树脂、醇酸类树脂、丙烯酸类树脂及硅类树脂组成的组中的一种以上的固化型树脂，但不限于此
本发明的第二个方面，提供了一种透明导电层压薄膜的制造方法，该制造方法包括：利用等离子体增强化学气相沉积法在光透明基底上层压包含无机氧化物、折射率为1.3～2.5的第一层压体至10nm～300nm的厚度；利用等离子体增强化学气相沉积法在所述第一层压体上层压包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体至10nm～300nm的厚度；和在所述第二层压体上层压透明导电层40至10～100nm的厚度。
在一种实施方式中，所述等离子体增强化学气相沉积法包括卷对卷方式的等离子体增强化学气相沉积法，但不限于此。所述等离子体增强化学气相沉积法能够将具有高的密度和纯度的层压体形成致密且均匀的薄膜。另一方面，在沉积率(deposition rate)调整容易且是在低温下沉积在所述光学基底薄膜上的情况下，进行价格低廉的生产是可能的。所述等离子体增强化学气相沉积法为获得最佳的均匀的膜质，能够根据温度分布和反应器位置对反应气体流动等流体力学参数和传热参数进行优化。在例示的实施方式中，可以在低压下对气体供应高电能，通过产生等离子体的等离子体离子源(plasma ion source)激活反应前体(precursor)，将被激活的反应气体移动至反应器中，在所述光透明基底上诱发相变，在低温下形成所要的薄膜。在例示的实施方式中，此时使用的所述前体在形成含二氧化钛的层压体的情况下，在使用钛酸乙酯(titanium ethoxide)或四氯化钛(titanium tetrachloride)形成含二氧化硅的层压体时，将TMDSO(tetramethyldisiloxane)+O2或SiH4+O2用作反应前体，但不限于此。另一方面，所述等离子体增强化学气相沉积法包括卷对卷方式，但不限于此。通过所述等离子体增强化学气相沉积法的所述第一层压体和第二层压体的层压成膜时间短并能够确保成膜后的层压体的无机氧化物的致密性和均匀分布性，如此再加上包括卷对卷方式，就能进行所述透明导电层压薄膜的按顺序的连续生产。
在一种实施方式中，层压所述透明导电层包括利用选自由气相沉积法、离子蚀刻法、溅射法、化学气相沉积法和蚀刻法组成的组中的一种以上的方法和卷对卷工序连续形成所述透明导电层，但不限于此。
在一种实施方式中，还包括在层压所述透明导电层后在120℃～150℃下进行热处理，使所述透明导电层结晶的透明导电层压薄膜的制造方法，但不限于此。在例示的实施方式中，所述热处理还包括在120℃～150℃下热处理约90分钟，但不限于此。
本发明的第三方面，提供了包含透明导电层压薄膜的触摸屏，但不限于此。所述触摸屏是电容方式的触摸屏，但不限于此，电阻膜方式的触摸屏也能适用。在例示的实施方式中，所述透明导电层压薄膜作为面板，在作为另一面板的玻璃板上形成氧化铟锡(ITO)薄膜后，利用透明导电玻璃来通过间隔对向配置该两个面板使氧化铟锡薄膜彼此相对，制造作为开关结构的触摸屏，但不限于此。
下面，利用实施例进一步具体说明本发明，但本发明不限于此。
[实施例1]
第一层压体的制造
在由厚度为125um的PET膜构成的透明树脂薄膜基底的一面使用GPi公司PECVD调制器作为适用大面积PECVD线性源的等离子体增强化学气相沉积设备。
向PECVD室注入PET，用40kHz的交流发电机向真空度维持在1～20mtorr的室的等离子体离子源供电，作为反应前体(Precusor)向PECVD反应器注入四氯化钛(TitaniumTetrachloride)，在基板上诱发相变，形成具有折射率为2.32的34nm厚的TiO2膜。
第二层压体的层压
作为所述第一层压体的生产方法，作为反应前体(Precusor)向PECVD反应器注入TMDSO和气氛O2，在所述第一层压体形成具有折射率为1.45的61nm厚的SiO2膜的第二层压体。
透明导电层的层压
向溅射室注入第二层压体成膜的薄膜，以射频磁控溅射法形成的。目标是使用含5(重量)％一氧化锡、95(重量)％氧化铟的烧结体维持室的初始真空度在5.0×10-5torr，以氩气80％和氧气20％分压注入，在4.0×10-3torr的气氛中层压作为具有折射率为2.05的25nm厚的透明导电层的ITO薄膜，制造透明导电层压薄膜。
<比较例1>
使透明导电层的厚度固定在25nm，为调查由于中间层结构导致的透射率和透射着色值、对高温·高湿度的可靠性，除了没有形成第一层压体的TiO2外，以与实施例1相同的方式制造具有折射率为1.45和厚度为42nm的SiO2薄膜的透明导电层压薄膜。
<比较例2>
为研究透明导电层的厚度和电阻变化、由于折射率的差别导致的透射率和透射着色值的差别，通过真空沉积(Electron BeamEvaporation)工序形成第一层压体和第二层压体。
[0055]向沉积室注入厚度为125μm的PET薄膜，向电子束坩埚分别注入第一层压体(TiO2)和第二层压体(SiO2)及相近物，维持初始真空为6.0×10-6torr，边照射电子束边注入氧气，提高无机氧化物的反应性。在无机氧化物的光学薄膜的最佳氧分压压力即5.0×10-5torr下进行操作。
制造具有2.16的折射率的厚度为66nm的TiO2膜和具有1.43的折射率的厚度为43nm的SiO2膜。ITO的厚度和形成方法是以与实施例1相同的方法制作透明导电层压薄膜。
测定根据本发明的一个实施例的所述实施例1制造的透明导电层压薄膜的透射率、色坐标值、表面电阻及可靠性等，将其与比较例1和比较例2的结果一起表示在下面的表1中。
[表1]
Figure BSA00000620908300141
<平均透射率和色坐标值的测量方法>
与比较例一起测定根据本发明的一个实施例的透明导电层压薄膜的透射率，透射率是使用日立公司U4300分光光度计(spectrophotometer)测定，使用CIE色坐标测定法和D75源分别测定的。
<表面电阻的测定和电阻变化率的测定方法>
利用四端子法测定，在测定在室温下放置的透明导电层压薄膜的ITO面的表面电阻Ro(ohm/cm2)后，放入加热室，在60℃、95％湿度的气氛中放置240小时后，测定ITO表面电阻R，计算表面电阻的变化率(R/Ro)，评估高温·高湿度的可靠性。
<薄膜的折射率和厚度的测定方法>
在各层上形成的TiO2、SiO2和ITO膜的折射率与膜厚度的测定使用相位调制方式的分光椭圆仪(Phase Modulated Ellipsometry)。
由所述表1可以确认作为透明层压体的ITO的表面电阻对高温·高湿度的可靠性(R/Ro)，在实施例1中由PEVCD形成两层中间层(第一层压体和第二层压体)的情况具有比由PEVCD只形成单层中间层的比较例1和由电子束沉积工序形成两层中间层的比较例2更优异的特性。对此，如上所述，通过TiO2和SiO2层对外部的热冲击分别对应拉伸力和收缩力，可见ITO膜的表面张力可以稳定化。
此外，由电子束形成的中间层即第一层压体和第二层压体表现了低密度和松散的薄膜结构造成的抗热和水分冲击弱的结果，这一结果可以确认利用作为本发明一个实施例的实施例1的PECVD工序形成的高密度和致密膜结构的第一层压体和第二层压体对热和水分等外部冲击的可靠性特性非常优异。
图2a是测定根据本发明的实施例1的透明导电层压薄膜的反射率的图，图2b是测定根据比较例1的透明导电层压薄膜的反射率的图。
由所述表1、图2a和图2b可见，在比较例1中，与根据本发明的一个实施例的实施例1相比，透射着色的数值有细微的差别，但可以确定的是表示低可见光透射率值，在要求高的透射率值的电容方式的触摸屏中使用是不合适的。
在比较例2中，与根据本发明的一个实施例的实施例1相比，透射率值是同一程度的值，但可见表示透射着色(黄色)的b*值相对较高。
此外，比较图2a和2b可以确认，根据本发明的一个实施例的实施例1的情况与比较例3相比，在可见光范围内的反射率低，特别是在550nm波长范围内非常低，通过这一点可以确认，本发明的光透射性高。
[实施例2]
为研究透明导电层的厚度和电阻变化、由于折射率的差别导致的透射率和透射色值的差别，除了层压TiO2膜的厚度为61nm和SiO2膜的厚度为25nm、透明导电层的厚度为40nm外，与实施例1同样层压制造透明导电层压薄膜。
<比较例3>
如实施例2那样固定透明导电层的厚度，为研究由于中间层结构导致的透射率和透射着色的变化，除了将第二层压体即SiO2的厚度改为24nm外，以与比较例1相同的方法制作透明导电层压薄膜。
<比较例4>
除了在所述比较例2中作为第一层压体的TiO2层和作为第二层压体的SiO2层以及作为透明导电层的ITO的厚度分别是67nm、25nm和40nm外，以与比较例2相同的方法制作透明导电薄膜。
测定根据本发明的一个实施例的所述实施例2制造的透明导电层压薄膜的透射率和色坐标值，将其与比较例3和比较例4的结果一起表示在下表2中。
表2
Figure BSA00000620908300171
图3a是测定根据本发明的实施例2的透明导电层压薄膜的反射率的图，图3b是测定根据比较例3的透明导电层压薄膜的反射率的图。
由所述表2、图3a和图3b可见，在比较例3中，与根据本发明的一个实施例的实施例2相比，透射着色数值有细微的差别，但可以确定的是表示低可见光透射率值，在要求高的透射率值的电容方式的触摸屏中使用是不合适的。
在比较例4中，与根据本发明的一个实施例的实施例1相比，透射率值是同一程度的值，但可见表示透射着色(黄色)的b*值相对较高。
此外，比较图3a和3b可以确认，根据本发明的一个实施例的实施例2的情况与比较例5相比，在可见光范围内的反射率低，特别是在550nm波长范围内非常低，通过这一点可以确认，本发明的光透射性高。
[实施例3]
在透明导电层(ITO；折射率20.5)的厚度为50nm以上的情况下，作为光学透明树脂在PET上形成的第一层压体和第二层压体的情况要求第二层压体的折射率比第一层压体的折射率高。
在PET上层压具有1.45的折射率的SiO2层至282nm的厚度来制作第一层压体，在所述第一层压体上层压具有折射率为2.32的TiO2至57nm，将透明导电层的厚度层压到70nm，以制造透明导电层压薄膜。
<比较例5>
与实施例3同样地固定透明导电层的厚度，为研究由于中间层结构导致的透射率和透射着色的变化，除了将第二层压体即SiO2的厚度改为55nm外，以与比较例1相同的方法制作透明导电层压薄膜。
<比较例6>
除了在所述比较例2中作为第一层压体的SiO2层和作为第二层压体的TiO2层以及作为透明导电层的ITO的厚度分别是288nm、64nm和70nm外，以与比较例2相同的方法制作透明导电薄膜。
测定根据本发明的一个实施例的所述实施例3制造的透明导电层压薄膜的透射率和色坐标值，将其与比较例5和比较例6的结果一起表示在下表3中。
表3
Figure BSA00000620908300191
图4a是测定根据本发明的实施例2的透明导电层压薄膜的反射率的图，图4b是测定根据比较例5的透明导电层压薄膜的反射率的图。
由上表3、图4a和图4b可见，在比较例5中，与根据本发明的一个实施例的实施例3相比，透射着色数值有细微的差别，但可以确定的是表示低可见光透射率值，在要求高的透射率值的电容方式的触摸屏中使用是不合适的。
在比较例6中，与根据本发明的一个实施例的实施例1相比，透射率值是同一程度的值，但可见表示透射着色(黄色)的b*值相对较高。
此外，比较图4a和4b可以确认，根据本发明的一个实施例的实施例3的情况与比较例5相比，在可见光范围内的反射率低，特别是在550nm波长范围内非常低，通过这一点可以确认，本发明的光透射性高。
作为根据本发明的一个实施例的实施例1～实施例3的结果表明，本发明在确保高透射率、低透射着色以及对高温·高湿度的外部环境的可靠性特性方面是非常好的。
以上列举实施方式和实施例详细说明了本发明，但可以理解，本发明并不限于所述实施方式和实施例，可以有各种各样的变形例，具有本领域的普通知识的人员可以在本发明的技术精神内进行各种形式的多种变形。
[符号的说明]
10：光透明基底
20：第一层压体
30：第二层压体
40：透明导电层
100：透明导电层压

Claims (12)

1.一种透明导电层压薄膜，其包括：
光透明基底；
利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述光透明基底上至10nm～300nm厚度、包含无机氧化物、具有折射率为1.3～2.5的第一层压体；
利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述第一层压体上至10nm～300nm厚度、包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体；和
层压在所述第二层压体上至10～100nm厚度的透明导电层。
2.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，在所述透明导电层的厚度为50nm以上的情况下，所述第二层压体的折射率比所述第一层压体的折射率大。
3.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述第一层压体和第二层压体的总厚度是50～350nm。
4.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述透明导电层包含氧化铟锡、氧化锡锑和氧化铟锌中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述光透明基底包含玻璃或塑料薄膜，所述光透明基底的厚度为25um～350um。
6.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述第二层压体的色差仪的L、a*、b*值中透射色坐标值为-7＜b*＜2。
7.根据权利要求1所述的透明导电层压薄膜，所述光透明基底在一侧或两侧包含透明硬涂膜。
8.一种透明导电层压薄膜的制造方法，其包括：
利用等离子体增强化学气相沉积法在光透明基底上层压包含无机氧化物、折射率为1.3～2.5的第一层压体至10nm～300nm的厚度；
利用等离子体增强化学气相沉积法在所述第一层压体上层压包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体至10nm～300nm的厚度；和
在所述第二层压体上层压透明导电层至10～100nm的厚度。
9.根据权利要求8所述的透明导电层压薄膜的制造方法，所述等离子体增强化学气相沉积法包括卷对卷方式的等离子体增强化学气相沉积法。
10.根据权利要求8所述的透明导电层压薄膜的制造方法，层压所述透明导电层包括利用选自由气相沉积法、离子蚀刻法、溅射法、化学气相沉积法和蚀刻法组成的组中的一种以上的方法和卷对卷工序连续形成所述透明导电层。
11.根据权利要求8所述的透明导电层压薄膜的制造方法，其进一步包括在层压所述透明导电层后在120℃～150℃下进行热处理，使所述透明导电层结晶。
12.一种触摸屏，其包含根据权利要求1至7中任一项所述的透明导电层压薄膜。
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