CN102447075A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板，包括基板、薄膜晶体管元件、图案化介电层、图案化金属层以及桥接导线。薄膜晶体管元件位于显示区内。图案化介电层包括层间介电层位于显示区内并位于薄膜晶体管元件上方，以及框胶底座位于周边区。图案化金属层包括信号线位于显示区内的层间介电层上方，以及第一连接导线与第二连接导线位于周边区内。第一连接导线位于框胶底座面对显示区的内侧并与信号线电性连接，且第二连接导线位于框胶底座背对显示区的外侧。桥接导线至少位于框胶底座下方，且第一连接导线与第二连接导线通过桥接导线彼此电性连接。

Description

显示面板
技术领域
本发明关于一种显示面板，尤其涉及一种具有由同一图案化介电层形成的层间介电层与框胶底座的显示面板。
背景技术
一般而言，显示面板主要包括一阵列基板、一上盖基板、一发光阵列形成于阵列基板上，以及一框胶形成于阵列基板与上盖基板之间，用以接合阵列基板与上盖基板。在习知显示面板中，框胶往往需要经由激光照射加以固化以发挥黏着阵列基板与上盖基板的作用。由于激光照射会产生高温，为了避免位于框胶下方的阵列基板的元件受到损伤，必须额外形成一层可耐高温的材料层例如无机材料层作为框胶底座之用。然而，形成耐高温的框胶底座会增加一道光掩膜工艺，因此，造成制作成本的增加，而不利于电激发光显示面板的发展。
发明内容
本发明的之目的之一在于提供一种显示面板，以减少制作成本并提升可靠度。
本发明的一较佳实施例提供一种显示面板，包括一基板、至少一薄膜晶体管元件、一图案化介电层、一图案化金属层以及至少一桥接导线。基板具有一显示区与一周边区。薄膜晶体管元件位于显示区内。图案化介电层包括一层间介电层位于显示区内并位于薄膜晶体管元件上方，以及一框胶底座位于周边区内并环绕显示区。图案化金属层包括至少一信号线位于显示区内的层间介电层上方，以及至少一第一连接导线与至少一第二连接导线位于周边区内。第一连接导线位于框胶底座面对显示区的一内侧并与信号线电性连接，且第二连接导线位于框胶底座背对显示区的一外侧。桥接导线位于周边区内，桥接导线至少位于框胶底座下方，且第一连接导线与第二连接导线系透过桥接导线彼此电性连接。
其中，该桥接导线更位于该第一连接导线与该第二连接导线下方。
其中，该薄膜晶体管元件包括一顶栅型薄膜晶体管元件。
其中，该薄膜晶体管元件包括：一半导体通道层，位于该基板上；两个掺杂层，位于该基板上并对应于该半导体通道层的两侧；一栅极介电层，位于该基板、该半导体通道层与该掺杂层上；一栅极，位于该栅极介电层上；以及两个源/漏极，位于该层间介电层上并分别与该掺杂层电性连接。
其中，该源/漏极由该图案化金属层所构成，且该桥接导线与该栅极由另一图案化金属层所构成。
其中，该桥接导线与该掺杂层由同一图案化掺杂层所构成。
其中，更包括：一保护层，位于该层间介电层与该源/漏极上；以及一发光元件，位于该保护层上，其中该发光元件包括一透明电极。
其中，另包括一透明导电图案，位于该周边区的该第一连接导线与该第二连接导线上，其中该透明导电图案暴露出该框胶底座并与该第一连接导线与该第二连接导线电性连接。
其中，该透明电极与该透明导电图案由同一图案化透明导电层所构成。
其中，该图案化介电层包括一无机介电层，该层间介电层与该框胶底座由同一层膜层所形成。
其中，更包括：一上盖基板，与该基板对向设置；以及一框胶，位于该框胶底座上，用以接合该上盖基板与该基板。
其中，该框胶包括一玻璃胶。
本发明的显示面板利用框胶底座来作为框胶的承载平台。框胶底座与层间介电层由同一层图案化介电层所构成，因此不会增加额外工艺。此外，由于框胶底座的材料为可耐高温的无机介电材料，因此，框胶底座不会在框胶的激光照射过程中受损。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的上视示意图。
图2绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的剖面示意图。
图3绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的示意图。
图4绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的示意图。
图5绘示了本发明的第四较佳实施例的显示面板的示意图。
其中，附图标记
10：显示面板               12：基板
12D：显示区                12P：周边区
12S：像素区                14：上盖基板
15：储存电极               16：薄膜晶体管元件
162：开关薄膜晶体管元件    162C：半导体通道层
162P：掺杂层               162G：栅极
162S，162D：源/漏极        161：驱动薄膜晶体管元件
161C：半导体通道层         161P：掺杂层
161G：栅极                 161E：延伸电极
1621，161D：源/漏极        DL：数据线
17：栅极介电层             18：图案化金属层
181：第一连接导线          182：第二连接导线
20：桥接导线               22：框胶底座
24：电路板                 26：框胶
27：图案化透明导电层       271：透明导电图案
28：发光元件               281：第一电极
282：发光层                283：第二电极
30：图案化介电层           32：层间介电层
34：图案化金属层           36：第一保护层
36A：开口                  38：第二保护层
38A：开口                  40：间隙物
SL：信号线                 GL：栅极线
PL：电源线                 50：显示面板
60：显示面板               70：显示面板
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1与图2。图1绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的上视示意图，图2绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的剖面示意图。为了突显本实施例的显示面板的特征，部分元件未绘示于图1或图2。如图1与图2所示，本实施例的显示面板10包括一基板12、一上盖基板14、多条信号线SL(signal line)、多个薄膜晶体管元件16、至少一第一连接导线181、至少一第二连接导线182、至少一桥接导线20、一框胶底座22、一电路板24、一框胶26与多个发光元件28。基板12可为例如一透明基板，其具有一显示区12D，以及一周边区12P环绕显示区12D。上盖基板14与基板12对向设置。在本实施例中，信号线SL可包括多条数据线DL与多条电源线PL，设置于基板12的显示区12D内，其中数据线DL与电源线PL可由同一图案化金属层构成并为交替设置。显示面板10另包括多条栅极线GL，栅极线GL可由另一图案化金属层所构成，且栅极线GL与数据线DL彼此交会而于显示区12D内定义出多个像素区12S(如图2所示)。框胶底座22位于基板12的周边区12P内并环绕显示区12D。第一连接导线181与第二连接导线182设置于基板12的周边区12P内，第一连接导线181位于框胶底座22面对显示区12D的一内侧并与信号线SL电性连接。例如在本实施例中，第一连接导线181与数据线DL电性连接，但不以此为限，第一连接导线181也可与电源线PL电性连接。第二连接导线182位于框胶底座22背对显示区12D的一外侧，且第二连接导线182与电路板24上的驱动芯片(图未示)电性连接。电路板24可为例如可挠式印刷电路板，但不以此为限。桥接导线20位于基板12的周边区12P内，桥接导线20至少位于框胶底座22下方，且第一连接导线181与第二连接导线182系透过桥接导线20彼此电性连接。发光元件28系分别位于显示区12D的各像素区12S内。框胶底座22系设置于桥接导线20的表面上，而框胶26则设置于框胶底座22上并与上盖基板14接触，用以黏合基板12与对向基板14，且框胶26并可阻绝环境中的水气与氧气侵入显示面板10的内部，而增加显示面板10的使用寿命。在本实施例中，框胶26可为例如玻璃胶(glass frit)，其为例如氧化硅与高分子材料的混合物。玻璃胶可利用激光照射方式加以固化，在固化后其可有效阻绝水气与氧气并且发挥黏着性，但框胶26的材料并不以此为限。
本实施例的显示面板10可为一电激发光显示面板，例如一有机发光二极管显示面板，但不以此为限。在本实施例中，框胶底座22为一图案化介电层30的一部分，且图案化介电层30更包括一层间介电层32，位于显示区12D内并位于薄膜晶体管元件16上方。图案化介电层30较佳为可耐高温的材料，例如氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层等无机介电层，但不以此为限。显示面板10的各像素区12S内可设置有一开关薄膜晶体管元件162与一驱动薄膜晶体管元件161。开关薄膜晶体管元件162可为例如一N型薄膜晶体管元件，开关薄膜晶体管元件162包括一半导体通道层162C位于基板12上、两个掺杂层162P位于基板12上并对应于半导体通道层162C的两侧、一栅极介电层17位于基板12、半导体通道层162C与掺杂层162P上、一栅极162G位于栅极介电层17上，以及两个源/漏极162S，162D位于层间介电层32上并分别与掺杂层162P电性连接。此外，驱动薄膜晶体管元件161可为例如一P型薄膜晶体管元件，驱动薄膜晶体管元件161包括一半导体通道层161C位于基板12上、两个掺杂层161P位于基板12上并对应于半导体通道层161C的两侧、栅极介电层17位于基板12、半导体通道层161C与掺杂层161P上、一栅极161G位于栅极介电层17上，以及两个源/漏极161S，161D位于层间介电层32上并分别与掺杂层161P电性连接。开关薄膜晶体管元件162的栅极162G系与栅极线GL(图2未示)电性连接，源/漏极162S系与数据线DL的一端电性连接且数据线DL的另一端则与第一连接导线181电性连接，而源/漏极162D则系与驱动薄膜晶体管元件161的栅极161G电性连接。此外，驱动薄膜晶体管元件161的源/漏极161S与电源线PL(图2未示)电性连接，而源/漏极161D则与发光元件28电性连接。另外，源/漏极161D另可与一储存电极15电性连接，而栅极161G可具有一延伸电极161E，且储存电极15与延伸电极161E可形成一储存电容。发光元件28可为一电激发光元件，例如一有机发光二极管元件，其包括一第一电极281、一发光层282与一第二电极283，其中第一电极281与源/漏极161D电性连接。在本实施例中，第一电极281系为一透明电极，例如一氧化铟锡(ITO)电极，且第一电极281系由一图案化透明导电层27所构成。
另外，层间介电层32上可进一步设置至少一保护层，例如一第一保护层36与一第二保护层38。第一保护层36与第二保护层38的材质较佳可为有机材料，其可具有平坦化的效果。第一保护层36可具有一开口36A暴露出，藉此发光元件28的第一电极281可经由开口36A与源/漏极161D电性连接。第二保护层38位于第一保护层36上，其具有开口38A暴露的第一电极281，藉此发光层282与第二电极283可设置于开口38A内并与第一电极281电性连接。另外，第二保护层38上可设置间隙物(spacer)40，其可使基板12与上盖基板14之间维持固定的间隙。
在本实施例中，薄膜晶体管元件16(包括开关薄膜晶体管元件162与驱动薄膜晶体管元件161)系为顶栅型薄膜晶体管元件，但不以此为限。此外，数据线DL、电源线PL、源/漏极162S，162D、源/漏极161S，161D、第一连接导线181与第二连接导线182可由一图案化金属层18例如一第二金属层(metal 2，M2)所构成，且图案化金属层18位于层间介电层30上方。再者，栅极线GL、栅极162G、栅极161G与桥接导线20可由另一图案化金属层34例如一第一金属层(metal 1，M1)所构成，且图案化金属层34系位于层间介电层32下方。
由上述可知，本实施例的显示面板10利用框胶底座22来作为框胶26的承载平台。由于框胶底座22与层间介电层32由同一层膜层，也即同一层图案化介电层30所构成，因此不会增加额外工艺。此外，由于框胶底座22的材料为可耐高温的材料，例如无机介电材料，因此框胶底座22不会在框胶26的激光照射过程中受损。另外，由于第一连接导线181与第二连接导线182于框胶底座22之后形成，第一连接导线181与第二连接导线182并未设置于框胶底座22的表面，以避免激光照射的高温影响第一连接导线181与第二连接导线182的导电性。第一连接导线181与第二连接导线182的电性连接系透过设置于框胶底座22下方的桥接导线20加以达成，且桥接导线20、第一连接导线181与第二连接导线182系位于同一平面上。桥接导线20系与栅极线GL、栅极162G以与栅极161G由图案化金属层34所构成，因此也不会增加额外工艺。
本发明的显示面板并不以上述实施例为限。下文将依序介绍本发明的其它较佳实施例的显示面板，且为了便于比较各实施例的相异处并简化说明，在下文的各实施例中使用相同的符号标注相同的元件，且主要针对各实施例的相异处进行说明，而不再对重复部分进行赘述。
请参考图3，并请一并参考图1。图3绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的示意图。如图3所示，不同于前述实施例，本实施例的显示面板50的桥接导线20不是由图案化金属层所构成，而是与开关薄膜晶体管元件162的掺杂层162P以及驱动薄膜晶体管元件161的掺杂层161P由同一层图案化掺杂层所构成。另外，本实施例的作法与前述实施例的作法也可一并使用，也即桥接导线20可为一复合层桥接导线，其可包括图案化掺杂层与图案化金属层堆栈而成。
请参考图4，并请一并参考图1。图4绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的示意图。如图4所示，不同于前述实施例，在本实施例中，显示面板60的桥接导线20大体上系对应于框胶底座22的下方并更延伸至第一连接导线181与第二连接导线182的下方，藉此桥接导线20与第一连接导线181以及第二连接导线182具有较大的接触面积，而可降低电阻。
请参考图5，并请一并参考图1。图5绘示了本发明的第四较佳实施例的显示面板的示意图。如图5所示，不同于前述实施例，在本实施例中，显示面板70更包括一透明导电图案271，位于周边区12P的第一连接导线181与第二连接导线182上。透明导电图案271暴露出框胶底座22并与第一连接导线181与第二连接导线182电性连接。透明导电图案271较佳可与第一电极281由同一图案化透明导电层27所构成，藉此不需增加额外工艺。由于透明导电图案271覆盖于第一连接导线181与第二连接导线182上，因此可避免由金属材料构成的第一连接导线181与第二连接导线182产生氧化或腐蚀而可确保第一连接导线181与第二连接导线182的导电性。另外，透明导电图案271也可一并覆盖数据线DL。
本发明的显示面板并不以上述实施例为限。举例而言，显示面板并不限于电激发光显示面板，而也可为其它各类型的显示面板，例如液晶显示面板。
综上所述，本发明的显示面板利用框胶底座来作为框胶的承载平台。框胶底座与层间介电层由同一层图案化介电层所构成，因此不会增加额外工艺。此外，由于框胶底座的材料为可耐高温的无机介电材料，因此框胶底座不会在框胶的激光照射过程中受损。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一基板，具有一显示区与一周边区；
至少一薄膜晶体管元件，位于该显示区内；
一图案化介电层，包括：
一层间介电层，位于该显示区内并位于该薄膜晶体管元件上方；以及
一框胶底座，位于该周边区内并环绕该显示区；
一图案化金属层，包括：
至少一信号线，位于该显示区内的该层间介电层上方；以及
至少一第一连接导线与至少一第二连接导线，位于该周边区内，该第一连接导线位于该框胶底座面对该显示区的一内侧并与该信号线电性连接，且该第二连接导线位于该框胶底座背对该显示区的一外侧；以及
至少一桥接导线，位于该周边区内，该桥接导线至少位于该框胶底座下方，且该第一连接导线与该第二连接导线系透过该桥接导线彼此电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该桥接导线更位于该第一连接导线与该第二连接导线下方。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管元件包括一顶栅型薄膜晶体管元件。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该薄膜晶体管元件包括：
一半导体通道层，位于该基板上；
两个掺杂层，位于该基板上并对应于该半导体通道层的两侧；
一栅极介电层，位于该基板、该半导体通道层与该掺杂层上；
一栅极，位于该栅极介电层上；以及
两个源/漏极，位于该层间介电层上并分别与该掺杂层电性连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该源/漏极由该图案化金属层所构成，且该桥接导线与该栅极由另一图案化金属层所构成。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该桥接导线与该掺杂层由同一图案化掺杂层所构成。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一保护层，位于该层间介电层与该源/漏极上；以及
一发光元件，位于该保护层上，其中该发光元件包括一透明电极。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，另包括一透明导电图案，位于该周边区的该第一连接导线与该第二连接导线上，其中该透明导电图案暴露出该框胶底座并与该第一连接导线与该第二连接导线电性连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，该透明电极与该透明导电图案由同一图案化透明导电层所构成。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该图案化介电层包括一无机介电层，该层间介电层与该框胶底座由同一层膜层所形成。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一上盖基板，与该基板对向设置；以及
一框胶，位于该框胶底座上，用以接合该上盖基板与该基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，该框胶包括一玻璃胶。
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