CN105122381B - 透明导电层压板、包含透明导电层压板的透明电极及透明导电层压板的制造方法 - Google Patents

透明导电层压板、包含透明导电层压板的透明电极及透明导电层压板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种透明导电层压板、包含透明导电层压板的透明电极及透明导电层压板的制造方法。所述透明导电层压板包括：透明基板；形成在所述透明基板上的两个或多个透明导电图案；以及，具有比所述透明导电图案的导电性高的导电性的导电线路，其中，所述导电线路和所述透明导电图案形成在所述透明基板的同一个表面上，并且所述导电线路形成为在至少两个彼此相邻的透明导电图案之间至少部分地连接到所述透明导电图案。

Description

透明导电层压板、包含透明导电层压板的透明电极及透明导 电层压板的制造方法
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2013年8月1日在韩国知识产权局提出的韩国专利申请No.10-2013-0091805的优先权和权益，将其全部内容通过引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种透明导电层压板、包含所述透明导电层压板的透明电极及所述透明导电层压板的制造方法。
背景技术
透明导电层压板是指具有高透光度和导电性的薄膜，并且已经被广泛用作液晶显示器、电致变色显示器(ECD)、有机电致发光装置、太阳能电池、等离子体显示板、柔性显示器、电子纸、触控板等的电压施加型公共电极或像素电极。
可能有必要设计透明导电氧化物(transparent conducting oxides(TCO))的材料以便在可见光区域传递光以及具有高传导性。为了在可见光区域(400至700纳米的波长)透明，电子能带隙(electronic energy bandgap)需要为3.1eV或3.1eV以上，这是400纳米的波长的电磁能。
满足这样的特征的氧化物半导体的代表是ZnO(3.3eV)、In2O3(3.7eV)和SnO2(3.6eV)。通常，TCO在可见光区域内具有80％或80％以上的光透过率，并且具有作为电气特性的约10-4Ωcm或10-4Ωcm以下的电阻率。
为了找到用于TCO的材料，到目前已经进行了对各种材料进行掺杂(doping)、合金化(alloying)等方法的研究。特别地，在In2O3的情况下，由于In2O3具有低于SnO2或ZnO的电阻率，因此In2O3最早被商业化，并且今天仍在使用的In2O3是ITO(掺杂Sn的In2O3)。
然而，在诸如ITO和ZnO的材料制成的透明导电薄膜中存在低传导性的问题。为了解决这个问题，以改善传导性，已经尝试在透明导电薄膜电极上形成由金属图案形成的辅助电极，但是由于辅助电极而增加了表面台阶(surface step)和表面粗糙度，并且因此在涂覆(coating)等后处理中存在不能顺利地执行的问题。
[参考文献]
韩国专利公报：10-1050137
发明内容
本发明致力于提供一种可以解决所述问题的透明导电层压板、包含所述透明导电层压板的透明电极和所述透明导电层压板的制造方法。
本发明的示例性实施例提供一种透明导电层压板，包括：透明基板；设置在所述透明基板上的两个或多个透明导电图案；以及具有比所述透明导电图案更高的导电性的导电线路，其中，所述导电线路和所述透明导电图案设置在所述透明基板的同一表面上，并且所述导电线路被设置为在至少两个相邻的透明导电图案之间以接触所述透明导电图案的至少一部分。
本发明的另一个示例性实施例提供一种透明导电层压板，进一步包括：设置在所述透明导电图案和所述导电线路的上表面上的透明导电层。
本发明的又一个示例性实施例提供一种包含所述透明导电层压板的透明电极。
本发明的再一个示例性实施例提供一种透明导电层压板的制造方法，包括：制备透明基板；在所述透明基板上形成第一透明导电层；通过图案化所述第一透明导电层来形成两个或多个透明导电图案的图案化；以及在至少两个相邻的透明导电图案之间形成导电线路使得所述导电线路的至少一部分接触所述透明导电图案。
根据所述示例性实施例，由于所述透明导电层压板具有低的薄层电阻(sheetresistance)，所以所述透明导电层压板具有作为透明电极的出色的效果。
此外，所述透明导电层压板具有这样的优势：具有高的开口率(aperture ratio)和高的可见光透过率。
此外，由于所述透明导电层压板具有非常小的表面台阶，在所述透明导电层压板上形成诸如有机材料层的另一层作为后处理的情况下，有利于显著地降低出错率(errorrate)。
此外，当包含所述透明导电层压板的所述透明电极用于电子装置中时，有利于实现低出错率和由于优异的导电性而显示的高效率。
附图说明
图1示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的侧截面的部分区域。
图2示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的俯视图的部分区域。
图3示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的侧截面的部分区域。
图4至6示出了根据本发明的另一个示例性实施例的透明导电层压板的制造方法。
图7示出了根据实例1的透明导电层压板的照片。
图8示出了根据实例3的透明导电层压板的照片。
图9示出了测量根据图8的区域的元素。
具体实施方式
在下文中，将更详细地描述本发明。
本发明提供一种透明导电层压板，包括：透明基板；设置在所述透明基板上的两个或多个透明导电图案；以及具有比所述透明导电图案更高的导电性的导电线路，其中，所述导电线路和所述透明导电图案设置在所述透明基板的同一表面上，并且所述导电线路被设置为在至少两个相邻的透明导电图案之间以接触所述透明导电图案的至少一部分。
此外，根据本发明的示例性实施例，导电线路可以被设置为在透明导电图案之间以接触透明导电图案。
“至少两个相邻的透明导电图案”可以指在透明导电图案中位置最接近的至少两个透明导电图案。
本发明的“透明”是指可见光的透过率是50％或50％以上或者60％或60％以上。此外，“透明”可以包括整个区域不完全透明且开口率是60％或60％以上的情况。
本发明的“传导性(conductivity)”是指导电性(electrical conductivity)。
本发明的“导电线路”是指由具有导电性的材料制成的直线、曲线或直线和曲线组合成的连续的线。此外，导电线路可以包含包括分支的分支点。
本发明的“图案”是指重复形成的预定图案。具体地，图案可以是诸如三角形和四边形的多边形、圆形、椭圆形或非晶形形状。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的形状可以是三角形、四边形、蜂窝状或Voronoi多边形(泰森多边形)。具体地，三角形可以是等边三角形、直角三角形等，并且四边形可以是正方形、长方形、梯形等。当称作Voronoi图生成器(Voronoi diagramgenerators)的点配置在将要填充的区域中时，Voronoi多边形可以是通过填充这样的区域的方法形成的图案的形状，该区域为相比于与其它点的距离，每个点和相应点之间具有最接近的距离的区域。
根据本发明的示例性实施例，导电线路可以设置为填充在透明基板上在至少两个相邻的透明导电图案之间。具体地，至少两个透明导电图案彼此分离，并且可以通过导电线路彼此物理和电连接。
此外，根据本发明的示例性实施例，导电线路可以设置为接触透明导电图案的侧面。具体地，根据本发明的示例性实施例，导电线路可以设置为接触透明导电图案的整个侧面，或者仅仅导电线路的一部分可以设置为接触透明导电图案的侧面。
图1示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的侧截面的部分区域。具体地，图1示出了包括设置在透明基板101上的透明导电图案201之间的导电线路301的透明导电层压板的实例。
图2示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的俯视图的部分区域。具体地，图2示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的上表面的部分区域，并且示出了包括设置在透明导电图案201之间的导电线路301的透明导电层压板。
根据本发明的示例性实施例，与邻近透明基板的下表面相对的透明导电图案和导电线路之间的上表面台阶(upper surface step)可以是0纳米或0纳米以上以及30纳米或30纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，透明基板是玻璃基板，并且透明导电图案的厚度可以是150纳米或150纳米以上以及200纳米或200纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的厚度可以是150纳米或150纳米以上以及200纳米或200纳米以下，并且在透明导电图案和导电线路之间的上表面台阶可以是0纳米或0纳米以上以及30纳米或30纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，与邻近透明基板的下表面相对的透明导电图案和导电线路之间的上表面台阶可以是0纳米或0纳米以上以及10纳米或10纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，透明基板是塑料基板，并且透明导电图案的厚度可以是15纳米或15纳米以上以及20纳米或20纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的厚度可以是15纳米或15纳米以上以及20纳米或20纳米以下，并且在透明导电图案和导电线路之间的上表面台阶可以是0纳米或0纳米以上以及10纳米或10纳米以下。
“邻近透明基板的下表面”是指放置为最接近透明基板的透明导电图案和导电线路的表面。
本发明的“表面台阶”可以指设置在透明基板上的至少两个透明导电图案和导电线路的上边界的平坦度(flat degree)。即，“表面台阶”可以指本发明的透明导电层压板的上表面的平坦度。
在本发明的透明导电层压板中，上表面台阶是非常低的。此外，本发明的透明导电层压板具有上表面粗糙度低的优势。因此，在本发明的透明导电层压板上形成附加层的情况下，有利的是可以形成具有预定厚度的层。因此，在通过使用本发明的透明导电层压板来形成电子装置的情况下，有利的是可以降低出错率。也就是说，在本发明的透明导电层压板上涂覆和层压另一材料的情况下，有可能防止诸如去湿(dewetting)、断开(disconnecting)和气泡陷阱(bubble trap)的问题。此外，当在本发明的透明导电层压板上沉积附加层时，台阶覆盖率(step coverage)极好，并且可以防止产生空隙。
当其内ITO、IZO等作为整层形成在透明基板上的透明导电薄膜应用于电子装置时，由于高的薄层电阻，存在效率低的问题。因此，发明人已经尝试通过在透明导电薄膜上形成具有细微的线宽(minute line width)的辅助电极来降低透明导电薄膜的薄层电阻。然而，发明人观察到，由于辅助电极的表面台阶，当在透明导电薄膜上形成附加层时，诸如出现断开的出错率很高。此外，为了降低出错率，发明人尝试降低辅助电极的锥度角(tapered angle)，但观察到很难实现细微的线宽。
此外，为了防止辅助电极通过接触有机材料层或相对的电极而存在短路，在辅助电极的表面形成绝缘薄膜的情况下，存在透明导电层的开口率会降低的问题。
因此，为了解决这个问题，发明人已经研制出本发明的具有低表面台阶的透明导电层压板。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的厚度可以是15纳米或15纳米以上以及200纳米或200纳米以下。此外，根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的厚度可以是50纳米或50纳米以上以及180纳米或180纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，在透明基板是诸如玻璃基板的具有高耐热性的基板的情况下，透明导电图案的厚度可以是100纳米或100纳米以上以及200纳米或200纳米以下，或者是150纳米或150纳米以上以及180纳米或180纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，在透明基板是诸如塑料基板具有低耐热性的基板的情况下，透明导电图案的厚度可以是15纳米或15纳米以上以及20纳米或20纳米以下。
当透明导电图案的厚度在所述范围内时，有可能实现极好的光透过率和优良的导电性。
根据本发明的示例性实施例，导电线路的线宽可以是2微米或2微米以上以及70微米或70微米以下。
在本发明的透明导电层压板中，因为导电线路可以实现细微的线宽，所以具有可以增加透明导电层压板的开口率的优势。具体地，在导电线路中，可以通过下文描述的透明导电层压板的制造方法来实现细微的线宽。
本发明的“导电线路的线宽”是在垂直于导电线路的厚度方向的方向中的距离。具体地，“导电线路的线宽”可以是在相邻的透明导电图案之间的分开距离。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的间距可以是100微米或100微米以上以及600微米或600微米以下。
本发明的“透明导电图案的间距”可以指重复的两个或多个透明导电图案的最小距离。也就是说，“透明导电图案的间距”可以指当相邻的透明导电图案的中心彼此相连时的距离。
根据本发明的示例性实施例，透明基板可以是具有良好的透明度、表面平滑度、易于处理性和耐水性的玻璃基板或透明塑料基板，但并不限于此，并且不限于透明基板是否是通常用于有机电子装置中的基板。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案可以包括金属氧化物或透明导电聚合物。具体地，根据本发明的示例性实施例，透明导电图案可以包括透明导电氧化物。
根据本发明的示例性实施例，金属氧化物可以包括从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、AZO(掺杂Al的ZnO)、GZO(掺杂Ga的ZnO)、SnO2和ZnO组成的组中选择的一种或多种。然而，金属氧化物并不限于此，并且可以不限于金属氧化物是否是透明的且具有优良的导电性的材料。
根据本发明的示例性实施例，透明导电聚合物可以是聚(3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)和/或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)。此外，根据本发明的示例性实施例，透明导电聚合物可以包括在聚合物基体中的诸如金属纳米线和碳纳米管的导电纳米材料。
然而，透明导电聚合物并不限于此，并且可不限于金属氧化物是否是透明的且具有优良的导电性的材料。
根据本发明的示例性实施例，透明导电图案的材料可以和下文描述的透明导电层的材料相同。
即使导电线路的线宽很小，透明导电图案的材料可以是具有较高的导电性的金属以获得高导电性。具体地，根据本发明的示例性实施例，导电线路可以包括从由银、铜、铝、金、镍、铋、钯或其合金组成的组选择的一种或多种。然而，透明导电图案的材料不限于此，并且可不限于透明导电图案的材料是否是具有比导电图案更高的导电性的材料。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层压板的薄层电阻可以是透明导电图案的薄层电阻的70％或70％以下。具体地，根据本发明的示例性实施例，透明导电层压板的薄层电阻可以是透明导电图案的薄层电阻的30％或30％以上以及70％或70％以下。此外，透明导电层压板的薄层电阻可以是透明导电图案的薄层电阻的40％或40％以上以及70％或70％以下。
在本发明的透明导电层压板中，整个透明导电层压板的薄层电阻可以由于导电线路的低电阻值而降低。也就是说，当本发明的透明导电层压板应用到电子装置中时，由于相对较低的薄层电阻而可以实现高效率。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层压板的开口率可以是80％或80％以上以及99％或99％以下。也就是说，由于可以形成具有细微的线宽的导电线路，本发明的透明导电层压板可以具有高开口率。
本发明的“透明导电层压板的开口率”可以指透明导电图案面积总和与透明导电层压板的整个面积的百分比值。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层压板的可见光的透过率可以是60％或60％以上以及93％或93％以下。具体地，根据本发明的示例性实施例，透明导电层压板的可见光的透过率可以是70％或70％以上以及90％或90％以下。
本发明的“透明导电层压板的可见光的透过率”可以是透明导电图案的可见光的透过率。根据本发明的示例性实施例，导电线路具有高导电性，但可以是不透明材料，并且因此，可见光的透过率可以是透明导电图案的可见光的透过率。
根据本发明的示例性实施例，可以进一步包括设置在透明导电图案和导电线路的上表面上的透明导电层。
透明导电层设置在透明导电层压板上以用于减少上表面台阶。此外，透明导电层可以缓解由于导电线路和透明导电图案之间的异质特性(foreign property)而使透明导电层压板的诸如导电性的性能可能不一致的问题。此外，即使在导电线路和透明导电图案之间存在微小的间隙，也有透明导电层可以弥补该间隙的优势。
图3示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的侧截面的部分区域。具体地，图3示出了透明导电层压板的实例，其中，透明基板101上包括透明导电图案201和在透明导电图案201之间的导电线路301，并且透明导电层401设置在透明导电图案201和导电线路301上。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层的厚度可以是50纳米或50纳米以上以及180纳米或180纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层可以包括从由金属氧化物、透明导电聚合物、纳米碳管、石墨烯和金属纳米线组成的组中选择的一种或多种。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层的材料可以和透明导电图案的材料相同。
本发明提供一种包括所述透明导电层压板的透明电极。
此外，本发明提供一种包括所述透明电极的有机电子装置。
根据本发明的示例性实施例，透明电极可以是阳极。
根据本发明的示例性实施例，有机电子装置可以是从由有机太阳能电池、有机光发射装置、有机晶体管和有机光电导体组成的组中选择的一种。
根据本发明的示例性实施例，有机太阳能电池可以包括至少一个包括阳极、被设置为与所述阳极相对的阴极和设置在所述阳极与所述阴极之间的光活性层(photoactivelayer)的有机材料层。
根据本发明的示例性实施例，有机光发射装置可以包括至少一个包括阳极、被设置为与所述阳极相对的阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的发光层的有机材料层。
根据本发明的示例性实施例，有机晶体管可以包括源极(source)、漏极(drain)、栅极(gate)和至少一个有机材料层。在有机晶体管的情况下，透明导电层压板可以是源极或漏极。
根据本发明的示例性实施例，有机光电导体可以包括至少一个包括阳极、被设置为与所述阳极相对的阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的有机感光层的有机材料层。
本发明提供一种透明导电层压板的制造方法，包括：制备透明基板；在透明基板上形成第一透明导电层；通过图案化第一透明导电层来形成两个或多个透明导电图案的图案化；以及在至少两个相邻的透明导电图案之间形成导电线路以便导电线路的至少一部分接触透明导电图案。
根据本发明的示例性实施例，第一透明导电层可以通过使用透明导电图案的材料来形成。
根据本发明的示例性实施例，第一透明导电层可以通过沉积、溶液法或转移法形成在透明基板上。然而，所述方法不限于此，并且可以不限于所述方法是否是可以以预定厚度形成的第一透明导电层的方法。
根据本发明的示例性实施例，导电线路可以通过使用上文所述的导电线路的材料形成。
根据本发明的示例性实施例，导电线路的形成可以是：在图案化之后，在透明基板和透明导电图案上形成用于形成导电线路的导电层，并且去除形成在透明导电图案上的导电层。
根据本发明的示例性实施例，导电层可以形成为具有与透明导电图案的厚度有0纳米或0纳米以上以及30纳米或30纳米以下的差异的厚度。
导电层的厚度可以指未形成透明导电图案的透明基板的上表面到导电层的上表面的长度。
根据本发明的示例性实施例，导电层的厚度可以大于透明导电图案的厚度。具体地，根据本发明的示例性实施例，导电层的厚度大于透明导电图案的厚度，并且通过从导电层的厚度减去透明导电图案层的厚度得到的值可以是0纳米或0纳米以上以及30纳米或30纳米以下。
根据本发明的示例性实施例，导电层的厚度可以小于透明导电图案的厚度。具体地，根据本发明的示例性实施例，导电层的厚度小于透明导电图案的厚度，并且通过从透明导电图案层的厚度减去导电层的厚度得到的值可以是0纳米或0纳米以上以及30纳米或30纳米以下。
此外，根据本发明的示例性实施例，具有小的表面台阶的透明导电层压板可以通过去除没有形成导电线路的导电层来制造。
根据本发明的示例性实施例，导电层的形成可以在通过使用金属纳米粒子油墨和/或有机金属油墨完全涂覆表面后通过喷墨印刷或烧结来执行。
具体地，在形成导电层的情况下，导电线路形成在透明导电图案之间。而且，透明导电层压板可以通过去除形成在透明导电图案上的未形成导电线路的导电层来制造。
此外，根据本发明的示例性实施例，可以在形成导电层之前在透明导电层上形成牺牲层。在这种情况下，透明导电层压板可以通过在图案化透明导电层之后形成导电层以及和牺牲层一起去除未形成导电线路的导电层来形成导电线路来制造。本发明的牺牲层可用来轻易地去除未形成导电线路的导电层。
此外，根据本发明的示例性实施例，在导电层的形成中，导电层可以通过使用导电线路的材料(例如金属)而通过诸如溅镀(sputtering)、热沉积(thermal depositing)、电子束沉积(electron-beam depositing)和化学气相沉积(chemical vapor depositing)的方法来形成。
此外，根据本发明的示例性实施例，导电层的形成，导电层可以通过诸如银镜反应和其他无电镀或电镀的方法来形成。
根据本发明的示例性实施例，在通过无电镀或电镀的方法形成导电层的情况下，可以首先形成种子层并且接着形成导电层。
根据本发明的示例性实施例，所述方法可以进一步包括：在第一透明导电层上形成牺牲层；同时或分别图案化第一透明导电层和牺牲层；以及在形成导电线路后去除牺牲层。
根据本发明的示例性实施例，牺牲层可以使用聚合物溶液、负性抗蚀剂、正性抗蚀剂、紫外光固化低聚物、紫外光固化树脂、钼氧化物等，并且可以使用在形成牺牲层后在牺牲层上形成导电层的过程中不会剥离并且甚至可以在形成导电层后简单地去除牺牲层而不破坏导电层和导电线路的任何材料。
根据本发明的示例性实施例，形成牺牲层的方法可以使用诸如涂覆、转移和沉积的方法。
根据本发明的示例性实施例，在牺牲层的去除中，可以使用在对导电线路和第一透明导电层的破坏很小的同时可以去除牺牲层的任何方法而没有限制。具体地，根据本发明的示例性例，牺牲层可以通过使用可以很好地溶解牺牲层的溶剂或专用的去膜溶液(stripping solution)来去除。更具体地，根据本发明的示例性实施例，在牺牲层由聚合物制成的情况下，牺牲层可以通过使用乙醇、丙酮、N-甲基吡咯烷酮(NMP)或二甲基甲酰胺(DMF)作为可以很好地溶解聚合物的溶剂和/或有机胺基去膜溶液来去除。此外，根据本发明的示例性实施例，在构成牺牲层的材料是可以溶解于碱性溶液(basic solution)的材料的情况下，牺牲层可以通过使用碱性水溶液来去除。此外，根据本发明的示例性实施例，在构成牺牲层的材料是可以溶解于水的材料的情况下，牺牲层可以通过使用蒸馏水来去除。
根据本发明的示例性实施例，在使用牺牲层的情况下，在第一透明导电层上形成牺牲层之后，可以图案化第一透明导电层。
根据本发明的示例性实施例，在图案化中，可以同时图案化第一透明导电层和牺牲层。具体地，根据本发明的示例性实施例，在第一透明导电层是通过使用激光蚀刻来图案化的情况下，第一透明导电层和牺牲层可以通过激光同时蚀刻，并且因此，可以省略单独蚀刻牺牲层。
根据本发明的示例性实施例，在图案化中，第一透明导电层和牺牲层可以分别图案化。具体地，根据本发明的示例性实施例，牺牲层可以通过使用湿法蚀刻、干法蚀刻、激光蚀刻、光刻方法、印刷方法等来图案化。而且，第一透明导电层可以被图案化为与通过使用干法蚀刻、湿法蚀刻、激光蚀刻等来图案化的牺牲层的图案相同的图案。
根据本发明的示例性实施例，透明导电层压板的制造方法可以进一步包括在形成导电线路之后形成第二导电层压板。
根据本发明的示例性实施例，第二透明导电层可以通过使用形成上文所述的透明导电图案的材料通过涂覆方法、沉积方法、转移方法等来形成。
图4至6示出了根据本发明的另一示例性实施例的透明导电层压板的制造方法。
在图4中，第一透明导电层501形成在透明基板101上，并且通过图案化第一透明导电层501来形成透明导电图案201。此后，在形成导电层601之后，通过去除未形成导电线路301的导电层来制造透明导电层压板。
在图5中，第一透明导电层501形成在透明基板101上，并且在第一透明导电层上形成牺牲层701之后，通过同时蚀刻第一透明导电层501和牺牲层701来形成透明导电图案201。此后，在形成导电层601之后，通过去除未形成导电线路301的导电层及牺牲层701来制造透明导电层压板。
在图6中，第一透明导电层501形成在透明基板101上，并且在第一透明导电层上形成牺牲层701之后，图案化牺牲层701，并且此后，通过图案化第一透明导电层501来形成透明导电图案201。此后，在形成导电层601之后，通过去除未形成导电线路301的导电层及牺牲层701来制造透明导电层压板。
虽然已经联系目前被认为是实用的示例性实施例描述了本发明，但应当理解本发明不限于所述公开的实施例，但是相反，目的是涵盖包括在所附加的权利要求的精神和范围之内的各种修改和等价的布置。
[比较实例1]
以170纳米的厚度在玻璃基板上形成ITO来制造透明导电层压板。在透明导电层压板中，ITO是结晶状态(crystalline state)，并且透明导电层压板的薄层电阻是10Ω/sq到11Ω/sq。
[实例1]
以170纳米的厚度在玻璃基板上形成ITO。在通过使用旋转涂覆方法以大约100纳米的厚度在ITO上形成光致抗蚀剂ultra-1300(Daw Chemical)之后，通过使用紫外激光(Hanbit Laser Corporation)将抗蚀层和ITO层蚀刻为具有25μm的线宽和438μm的间距的方形网格形式来形成ITO的方形图案。此后，在涂覆有机钛基催化剂溶液之后，将基板在90℃的温度下浸于铝前驱体溶液中2分钟来形成铝导电层。此后，将基板浸于丙酮中30分钟来去除在其上形成的光致抗蚀剂层和铝导电层，并且制造出由ITO的透明导电图案和铝的导电线路构成的透明导电层压板。
已证实在实例1中制造的透明导电层压板的薄层电阻是6.7Ω/sq，并且是比较实例1中制造的仅由ITO制成的玻璃基板的薄层电阻的61％至67％。也就是说，能够看出在实例1中制造的透明导电层压板的导电性高于仅由ITO制成的薄膜的导电性。
图7示出了根据实例1的透明导电层压板的照片。
[比较实例2]
在室温下以170纳米的厚度通过溅镀在玻璃基板上形成非晶质(amorphous)ITO来制造透明导电层压板。在透明导电层压板中，ITO是非晶质状态(amorphous state)，并且透明导电层压板的薄层电阻是100Ω/sq。
[实例2]
在室温下以170纳米的厚度通过溅镀在玻璃基板上形成非晶质ITO。以1.7微米的厚度在ITO上形成酚醛树脂基光致抗蚀剂LGPR-412DR(LG CHEM.)，并且随后通过光刻工艺形成蜂窝状(六边形)光致抗蚀剂图案。此后，在将基板浸于3％的草酸溶液之后，通过在40℃的温度下搅拌草酸溶液20分钟来去除未被光致抗蚀剂覆盖的暴露部分的ITO。此后，在通过电子束沉积形成具有170纳米的厚度的铜导电层之后，接着将其浸于有机胺基光致抗蚀剂的专用去膜溶液中10分钟来去除在其上形成的光致抗蚀剂和铜导电层。此后，制造出由ITO制成的透明导电图案和铜制成的导电线路所构成的透明导电层压板。
在实例2中制造的透明导电层压板的导电线路的线宽是9微米，并且透明导电图案是具有200微米的间距的蜂窝状网格形状。
此外，在实例2中制造的透明导电层压板的薄层电阻是5Ω/sq到7Ω/sq。因此，已证实薄层电阻是比较实例2中制造的仅由ITO形成的玻璃基板的薄层电阻的5％至7％。
[实例3]
将Heraus corporation的PH-1000基涂覆溶液作为PEDOT：PSS以500rpm的速度在实例2中制造的透明导电层压板上旋涂30秒，并且接着以230℃的温度热处理30分钟来形成透明导电层。
在实例3中制造的透明导电层压板的薄层电阻是10Ω/sq到11Ω/sq。
图8示出了根据实例3的透明导电层压板的照片。在实例3中，由于透明导电层是透明的，透明导电层未显示在图8的照片上。
此外，测量根据图8中显示的区域的元素的结果显示在图9中。图8和9中的#3是PEDOT:PSS的透明导电层设置在铜导电线路上的区域。#4是PEDOT:PSS的透明导电层设置在ITO的透明导电图案上的区域，#5是导电线路和导电图案之间的边界，并且#6是导电线路未完全形成的区域。
具体地，在图8和9中，#3是指在形成导电线路的位置上未检测到形成透明导电层的ITO，并且#4是指在设置透明导电图案的区域中未检测到形成导电线路的Cu。#5是指当在导电线路和导电图案之间存在间隙时，可以通过作为透明导电层的PEDOT:PSS来填充间隙。此外，作为导电线路没有正常形成的划痕区域，#6可以看出在形成导电线路的区域中不存在形成透明导电图案的ITO。
[比较实例3]
在和实例3相同的条件下在玻璃基板上形成透明导电层来形成透明导电层压板。在这种情况下，薄层电阻是2,100Ω/sq。
[符号说明]
101：透明基板
201：透明导电图案
301：导电线路
401：透明导电层(第二透明导电层)
501：第一透明导电层
601：用于形成导电线路的导电层
701：牺牲层

Claims (18)

1.一种透明导电层压板，包括：
透明基板；
设置在所述透明基板上的两个以上透明导电图案；以及
具有比所述透明导电图案更高的导电性的导电线路，
其中，所述导电线路和所述透明导电图案设置在所述透明基板的同一表面上，并且所述导电线路设置在至少两个相邻的透明导电图案之间以接触所述透明导电图案的侧面，
其中，在与所述透明基板垂直的方向上，所述导电线路不与所述透明导电图案重叠，
其中，所述透明导电层压板进一步包括设置在所述透明导电图案和所述导电线路的上表面上的透明导电层，
其中，与邻近所述透明基板的下表面相对的所述透明导电图案和所述导电线路的上表面台阶为0纳米以上、30纳米以下，
其中，至少两个透明电导电图案彼此分开并且通过所述导电线路彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，与邻近所述透明基板的下表面相对的所述透明导电图案和所述导电线路的上表面台阶为0纳米以上、10纳米以下。
3.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电图案的厚度为15纳米以上、200纳米以下。
4.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述导电线路的线宽为2微米以上、70微米以下。
5.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电图案的厚度为50纳米以上、180纳米以下。
6.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电图案的形状是三角形、四边形、蜂窝形或Voronoi多边形。
7.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电图案的间距为100微米以上、600微米以下。
8.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电图案包括金属氧化物或透明导电聚合物。
9.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述导电线路包括从由银、铜、铝、金、镍、铋、钯或其合金组成的组中选择的一种以上。
10.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电层可以包括从由金属氧化物、透明导电聚合物、碳纳米管、石墨烯和金属纳米线组成的组中选择的一种以上。
11.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电层压板的薄层电阻为所述透明导电图案的薄层电阻的70％以下。
12.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电层压板的开口率为80％以上、99％以下。
13.根据权利要求1所述的透明导电层压板，其中，所述透明导电层压板的可见光透过率为60％以上、93％以下。
14.一种透明电极，包括权利要求1至13中的任何一项所述的透明导电层压板。
15.一种有机电子装置，包括权利要求14所述的透明电极。
16.一种透明导电层压板的制造方法，包括：
制备透明基板；
在所述透明基板上形成第一透明导电层；
通过图案化所述第一透明导电层来形成两个以上透明导电图案的图案化；
在至少两个相邻的透明导电图案之间形成导电线路以便所述导电线路的至少一部分接触所述透明导电图案的侧面；以及
在形成所述导电线路之后，在所述透明导电图案和所述导电线路上形成第二透明导电层，
其中，在与所述透明基板垂直的方向上，所述导电线路不与所述透明导电图案重叠，
其中，与邻近所述透明基板的下表面相对的所述透明导电图案和所述导电线路的上表面台阶为0纳米以上、30纳米以下，
其中，至少两个透明电导电图案彼此分开并且通过所述导电线路彼此电连接。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述导电线路包括：在所述图案化之后，在所述透明基板和所述透明导电图案上形成用于形成所述导电线路的导电层，以及去除形成在所述透明导电图案上的所述导电层。
18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
在所述第一透明导电层上形成牺牲层；
同时或分别图案化所述第一透明导电层和所述牺牲层；以及
在形成所述导电线路之后，去除所述牺牲层。
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