CN102446777B - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够避免上下模具咬住引线框架并且防止模塑树脂向引线框架的端子附着的半导体装置的制造方法。其特征在于，具有如下工序：将引线框架放置在下模具的凹陷部分；使所述下模具和上模具重合，利用使所述引线框架滑动的单元，使所述引线框架向所述下模具的凹陷部分以及所述上模具的凹陷部分的侧面即形成有进行树脂注入的浇口的注入面的方向滑动；由所述下模具和所述上模具进行合模，利用在所述上模具上所形成的突起压溃所述引线框架的端部，在所述浇口的左右形成对所述注入面和所述引线框架之间进行填埋的伸出部；从所述浇口注入模塑树脂。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及对模塑模具内的引线框架进行树脂密封的半导体装置的制造方法。
背景技术
在专利文献1中，公开了在模塑模具的凹陷部分容纳引线框架并进行树脂密封的技术。在该技术中，压溃（crush）引线框架的侧缘部分，由此，形成伸出部。该伸出部填埋模塑模具的凹陷部分的侧面的浇口（gate）进入的侧面和引线框架的间隙(以后，称为余隙)。在形成伸出部之后，当从浇口注入模塑树脂时，模塑树脂被伸出部堵住。由此，避免模塑树脂向引线框架的端子附着。
[专利文献1]：日本特开平5-185467号公报。
[专利文献2]：日本特开平8-323798号公报。
[专利文献3]：日本特开2008-166395号公报。
[专利文献4]：日本特开平8-156009号公报。
[专利文献5]：日本特开平11-121656号公报。
[专利文献6]：日本特开平6-244228号公报。
[专利文献7]：日本特开平7-130780号公报。
但是，当在保持余隙较大的状态下形成伸出部时，存在伸出部不能够到达凹陷部分的侧面而不能够填埋余隙的情况。因此，考虑将凹陷部分形成得较窄而预先使余隙较小。但是，在使凹陷部分较窄的情况下，不能够对应引线框架的尺寸的偏差(制造误差)，存在上下模具咬住较大的引线框架的情况。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够避免上下模具咬住引线框架并且防止模塑树脂向引线框架的端子附着的半导体装置的制造方法。
本申请发明的半导体装置的制造方法具有如下工序：将引线框架放置在下模具的凹陷部分；使该下模具和上模具重合，利用在该下模具的凹陷部分或者该上模具的凹陷部分所形成的使该引线框架滑动的单元，使该引线框架向该下模具的凹陷部分以及该上模具的凹陷部分的侧面即形成有浇口的注入面的方向滑动；利用该下模具和该上模具进行合模，由在该上模具上所形成的突起压溃该引线框架的端部，在该浇口的左右形成填埋该注入面和该引线框架之间的伸出部；从该浇口注入模塑树脂。
根据本发明，能够避免上下模具咬住引线框架，并且，能够防止模塑树脂向引线框架的端子附着。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中所使用的上模具的平面图。
图2是本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中所使用的下模具的平面图。
图3是图1的III-III虚线的剖面图。
图4是示出本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的流程图。
图5是示出将引线框架放置在下模具的凹陷部分的状态的图。
图6是示出使上模具和下模具重合并使引线框架在注入面方向滑动的图。
图7是示出在合模结束时余隙被填埋的图。
图8是示出图7的引线框架和下模具的平面图。
图9是示出伸出部将模塑树脂堵住的图。
图10是示出使突起的位置偏移了的上模具的图。
图11是示出形成有四个突起的上模具的图。
图12是示出形成有圆筒形状的突起以及滑动用突起的上模具的图。
图13是示出本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法中所使用的上模具的图。
图14是示出本发明的实施方式3的半导体装置的制造方法中所使用的上模具的图。
图15是示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造方法中所使用的上模具和下模具的图。
附图标记说明：
10 上模具
12 凹陷部分
12a 注入面
14a、14b 突起
16a、16b 滑动用突起
18 腔
30 下模具
32 凹陷部分
34 腔
36 浇口。
具体实施方式
实施方式1
图1是本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中所使用的上模具的平面图。在上模具10中，形成有比其外周部分低一级的凹陷部分12。在凹陷部分12形成有突起14a和14b、以及滑动用突起16a和16b。滑动用突起16a以及16b比突起14a以及14b长。在凹陷部分12的中央部分形成有比凹陷部分12低一级的腔18。
图2是本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中所使用的下模具的平面图。在下模具30中，形成有比其外周部分低一级的凹陷部分32。在凹陷部分32的中央部分形成有比凹陷部分32低一级的腔34。在凹陷部分32的侧面形成有成为用于向腔18以及34进行树脂注入的模塑树脂的路径的浇口36。将凹陷部分32的侧面的形成有浇口36的侧面称为注入面32a。
图3是图1的III-III虚线的剖面图。凹陷部分12的侧面的形成有突起14a的一侧的侧面在夹住（clamp）时与下模具30的注入面32a一起形成一个平面，所以，称为注入面12a。
图4是示出本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的流程图。以下，根据该流程图，对本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法进行说明。首先，将引线框架放置在下模具30的凹陷部分32(步骤40)。参照图5，对步骤40进行说明。图5是示出将引线框架50放置在下模具30的凹陷部分32的状态的图。
一般地，由于引线框架外形具有一定的制造误差，所以，凹陷部分32以与引线框架50的设计尺寸相比具有一些裕量的方式形成。因此，在注入面32a和引线框架50之间存在间隔(余隙)。
然后，使处理前进到步骤42。在步骤42中，使引线框架50向注入面32a方向滑动。参照图6对步骤42进行说明。图6是示出使上模具10和下模具30重合并且使引线框架向注入面32a方向滑动的图。在步骤42中，以滑动用突起16a的前端部分的仅一部分与引线框架50的端部的与注入面12a以及32a相反侧的端部(称为一端部分)相抵的方式，使上模具10和下模具30重合。
在该状态下，当将上模具10和下模具30在图6所示的白色箭头方向夹住时，滑动用突起16a将引线框架50的一端部分按压压溃。并且，对于引线框架50来说，一端部分被按压压溃，从而向注入面12a以及32a的方向滑动。引线框架50的滑动方向在图6中以黑色箭头示出。当使步骤42结束时，与步骤42的处理前相比较，能够缩小余隙。并且，滑动用突起16b也具有与滑动用突起16a同样的功能。
然后，使处理前进到步骤44。在步骤44中，进行合模并且填埋余隙。并且，合模是指成为使上模具10和下模具30接触并能够将模塑树脂注入到腔的状态。在步骤44中，突起14a的前端部分的整体与引线框架50的一端部分的相反的端部(称为另一端部分)相抵。
在该状态下，当在图7所示的白色箭头方向使上模具10和下模具30夹住时，另一端部分被压溃，另一端部分的一部分向注入面12a以及32a侧伸出，填埋余隙。图7是示出在合模结束时余隙被填埋的图。并且，突起14b也具有与突起14a同样的功能。
图8是示出图7的引线框架50和下模具30的平面图。在引线框架50的一端部分，形成有被滑动用突起16a以及16b按压压溃了的凹部60a以及60b。此外，在引线框架的另一端部分，形成有被突起14a以及14b按压压溃了的凹部62a以及62b。并且，伴随凹部62a以及62b的形成，在浇口36的左右形成有填埋余隙的伸出部64a以及64b。
然后，使处理前进到步骤46。在步骤46中，从浇口36注入模塑树脂。参照图9对步骤46进行说明。图9是示出伸出部64a以及64b堵住模塑树脂的图。在步骤46中，利用传递模塑法，使模塑树脂70流入到腔18以及34中，经过保压工序（dwelling process）等形成封装。此处，如图9所示，在引线框架50的外周，利用伸出部64a以及64b使模塑树脂70的流动停止。
在本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中，在注入模塑树脂的工序(步骤46)之前，形成对浇口36的左右的余隙进行填埋的伸出部64a以及64b。并且，在伸出部64a以及64b填埋余隙的状态下进行模塑树脂的注入，所以，能够防止模塑树脂70大范围地附着在引线框架50的端子上。
此处，在本发明的实施方式1中，利用使引线框架50滑动的工序(步骤42)，充分地缩小余隙，形成伸出部64a以及64b。因此，能够利用伸出部64a以及64b可靠地填埋余隙。
在本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中，通过使引线框架滑动，由此，能够缩小余隙，所以，不需要在进行滑动的工序(步骤42)之前将余隙缩小。因此，能够考虑引线框架50的制造误差而使凹陷部分32充分地宽。因此，能够避免上下模具咬住引线框架。
在本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中，将引线框架的一端部分和另一端部分压溃，但是，本发明不限定于此。在本发明中，能够通过使引线框架滑动的工序决定引线框架的位置，所以，引线框架的位置控制性高。即，能够将引线框架配置在所希望的位置。
并且，由于引线框架的位置控制性高，所以，例如，也能够在远比引线框架的一端部分或另一端部分小的连杆（tie bar）部分形成伸出部。即，使突起与连杆相抵来压溃连杆，形成填埋连杆和上下模具之间的伸出部也可以。在该情况下，在上模具上形成用于将连杆的一部分压溃的连杆用突起，在形成伸出部的工序中，使连杆用突起压溃连杆。
图10是示出使突起的位置偏移的上模具80的图。关于突起82a以及82b，如果是能够在浇口的左右形成伸出部的位置，则形成在哪里都可以。特别是，在连杆的宽度较窄的情况下，使突起的位置适当地偏移也可以。
在本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中，在两处形成突起，但是，本发明不限定于此，也可以在三处以上形成突起。例如，参照图11对在上模具上形成了四个突起的例子进行说明。图11是示出形成有四个突起92a、92b、92c以及92d的上模具90的图。使用该上模具90在浇口的左右各形成两处伸出部，由此，能够可靠地防止模塑树脂绕到引线框架外周。
在本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法中使用长方形的突起和滑动用突起，但是，本发明不限定于此。例如，参照图12对使突起和滑动用突起为圆筒形状的例子进行说明。图12是示出形成有圆筒形状的突起102a和102b、以及滑动用突起104a和104b的上模具100的图。当使突起以及滑动用突起为圆筒形状(有时也称作销（pin）)时，其位置以及直径的修正容易。因此，能够降低模具加工所需要的时间和成本。
实施方式2
图13是示出本发明的实施方式2的半导体装置的制造方法中所使用的上模具的图。在上模具110上形成有滑动用突起112。在滑动用突起112的前端部分形成有朝向浇口侧(注入面12a侧)的倾斜面。在实施方式2的半导体装置的制造方法中，使用该上模具110，利用与实施方式1同样的方法制造半导体装置。
在使引线框架滑动的工序中，滑动用突起112的倾斜面按压压溃引线框架的一端部分，并且，使引线框架向注入面12a方向滑动。能够利用滑动用突起112的倾斜面使引线框架平滑地滑动。其他效果与实施方式1相同。此外，能够进行与实施方式1同等程度的变形。
实施方式3
图14是示出本发明的实施方式3的半导体装置的制造方法中所使用的上模具的图。在上模具120中形成有倾斜面122。该倾斜面122具有实施方式1的突起和滑动用突起这二者的功能。在实施方式3的半导体装置的制造方法中，使用该上模具120，利用与实施方式1同样的方法制造半导体装置。
在使引线框架滑动的工序中，倾斜面122按压压溃引线框架的一端部分，并且，使引线框架向注入面方向滑动。并且，在形成伸出部的工序中，倾斜面122按压压溃引线框架的另一端部分，形成伸出部。通过形成倾斜面122，由此，能够使上模具的结构简单。因此，能够降低上模具的加工成本。其他效果与实施方式1相同。此外，能够进行与实施方式1同等程度的变形。
实施方式4
图15示出本发明的实施方式4的半导体装置的制造方法中所使用的上模具和下模具的图。在上模具130上形成有突起14a。在下模具140上形成有朝向浇口侧(注入面12a以及32a侧)的倾斜面142。在实施方式4的半导体装置的制造方法中，使用该上模具130以及下模具140，利用与实施方式1同样的方法制造半导体装置。
在使引线框架滑动的工序中，由上模具130对在下模具140上所放置的引线框架进行按压，使引线框架向注入面方向滑动。这样，用下模具的倾斜面142置换实施方式1中的滑动用突起，由此，能够使模具的结构简单。因此，能够降低模具的加工成本。其他效果与实施方式1相同。此外，能够进行与实施方式1同等程度的变形。
此外，如果在下模具的凹陷部分或者上模具的凹陷部分具有使引线框架向注入面方向滑动的单元，则该单元的结构不特别限定。

Claims (8)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
将引线框架放置在下模具的凹陷部分；
使所述下模具和上模具重合，利用在所述下模具的凹陷部分或者所述上模具的凹陷部分所形成的使所述引线框架滑动的单元，使所述引线框架向所述下模具的凹陷部分以及所述上模具的凹陷部分的侧面即形成有浇口的注入面的方向滑动；
由所述下模具和所述上模具进行合模，利用在所述上模具上形成的突起将所述引线框架的端部压溃，在所述浇口的左右形成填埋所述注入面和所述引线框架之间的伸出部；以及
从所述浇口注入模塑树脂。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
使所述引线框架滑动的单元是在所述上模具的凹陷部分形成的比所述突起长的滑动用突起，在使所述引线框架滑动的工序中，所述滑动用突起的前端部分的仅一部分和与所述引线框架的所述端部相反的端部相抵。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述滑动用突起的前端部分形成有朝向所述浇口侧的倾斜面。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述引线框架具有连杆，
所述上模具具有将所述连杆压溃的连杆用突起，
在形成所述伸出部的工序中，所述连杆用突起压溃所述连杆，形成填埋所述连杆和所述上模具以及所述下模具之间的伸出部。
5.如权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述上模具上形成三处以上的、将所述引线框架的端部压溃的所述突起。
6.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述突起以及所述滑动用突起是圆筒形状。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述突起以及使所述引线框架滑动的单元是在所述上模具上以朝向所述浇口侧的方式形成的倾斜面。
8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
使所述引线框架滑动的单元是在所述下模具上以朝向所述浇口侧的方式形成的倾斜面。
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