CN102422396A - 基板处理方法和结晶性碳化硅(sic)基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开一种基板的处理方法，该方法能够防止当将基板退火时在结晶性碳化硅(SiC)基板中出现表面粗糙。还公开一种碳化硅(SiC)基板的制造方法。基板的处理方法的实施方案包括以下步骤：用等离子体照射单晶碳化硅(SiC)基板(1)；和在高温下加热已经用等离子体照射的单晶碳化硅(SiC)基板(1)。
Description
技术领域
本发明涉及一种如单晶碳化硅(SiC)的结晶性碳化硅(SiC)基板的预处理方法和一种结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法。更具体地，本发明涉及一种借助在加热处理基板的方法中预处理来获得表面平坦性的技术。
背景技术
为了电活化注入至单晶碳化硅(SiC)基板中的杂质，在高温下进行活化退火处理过程。然而，当将碳化硅(SiC)基板中的杂质进行活化退火时，不利地发生基板的表面粗糙。
作为解决该问题的方法，已知添加硅烷(SiH4)气体以进行退火的方法(参见非专利文献1)、施加碳涂层至待处理的基板以进行退火的方法(参见专利文献1)和在其中在高真空区域中残留水的分压降低的气氛下进行退火的方法(参见专利文献2)。专利文献3公开了在基板上形成外延层，在外延层的表面上形成离子注入层，进行用于激活杂质的高温退火并且随后使用等离子体将单晶碳化硅(SiC)基板的表面(离子注入层的表面)进行等离子体刻蚀。
[专利文献1]日本专利申请特开2005-39257
[专利文献2]国际公布08/136126小册子
[专利文献3]日本专利申请特开2001-35838
[非专利文献1]M.A.C apano，S.Ryu，J.A.Cooper，JR.，M.R.Melloch，K.Rottner，S.Karlsson，N.Nordell，A.Powell.and D.E.Walker：J.Electron.Mater，P214-218，Vol.28，No.3.(1999)
发明内容
然而，在非专利文献1中记载的基板加热处理装置和加热处理方法中，由于极难以控制硅烷(SiH4)气体的添加量，因此存在可能出现硅(Si)的液滴(液化并且聚集的硅)、或者由基板带来的水的量的改变使得难以确保在活化退火之后维持碳化硅(SiC)样品表面平坦性的再现性这样的问题。
在专利文献1中公开的基板加热处理装置中，由于待处理的基板涂布有抗蚀剂(resist)并且在特定的高温炉中碳化，并且由此待处理的基板被碳涂布，因此增加过程数量，并且存在由于来自抗蚀剂的重金属而污染的担心。
在专利文献2中公开的技术是如下有效技术：在退火期间控制在退火气氛下残留水的分压并且因此可以降低基板的表面粗糙度(RMS值)即碳化硅(SiC)的表面平坦性；该技术充分地实现了当时要求的电激活。然而，考虑到产率等的提高，期望实现进一步提高的表面平坦性。
在专利文献2中公开的基板加热处理方法中，当将铝(Al)作为杂质注入时，要求约1900℃的极高温度以实现活化率为100％；在此情况下，没有观察到台阶积累(step bunching)但是可能局部产生孔如坑，这将导致在pn接合中的泄漏。
在专利文献3中公开的技术中，进行用于活化注入的杂质的高温退火处理，并且其后在基板表面(离子注入层的表面)中形成的台阶积累和凹凸、沉积在基板表面上的异常沉积材料或者其组成已经改变的部分通过等离子体刻蚀物理除去。在专利文献3中，基板表面通过等离子体刻蚀而除去120nm或0.1μm的厚度。
在专利文献3中公开的技术中，为了实现去除退火之后的影响如在SiC表面上的异常沉积材料、组成改变、表面形状改变(表面平坦性)等的技术目的，有必要通过刻蚀除去作为SiC基板的表面层的离子注入层的表面(产生表面形状变化等的表面)的部分。因此，如果离子注入区域(杂质区域)的厚度没有增加，难以形成的离子注入区域会消失。换言之，当杂质区域具有小的厚度时，整个离子注入区域会被切割。
因此，在专利文献3中，有必要形成比必要的离子注入区域的厚度要厚对应于借助等离子体刻蚀而除去的部分的厚度的离子注入区域。换言之，有必要形成不仅具有原始要求量(厚度)而且具有额外的厚度的离子注入区域；考虑到成本和产率，要求实现单晶碳化硅(SiC)基板的表面平坦性同时降低外延层和用于形成额外的离子注入区域的杂质的量。
考虑到前述问题作出本发明；本发明的目的是提供一种基板的处理方法和一种碳化硅(SiC)基板的制造方法，在所述基板的处理方法中，当将结晶性碳化硅(SiC)基板进行退火处理时，抑制表面粗糙的出现。
为了实现以上目的，本发明是一种结晶性碳化硅(SiC)基板的处理方法，并且该方法包括：对于离子注入杂质原子的结晶性碳化硅(SiC)基板，使用包含惰性气体和氟类气体中至少之一的气体进行等离子体照射的步骤；和对于已进行等离子体照射的结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
此外，本发明是一种结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，并且该方法包括：制备其中离子注入预定杂质原子的结晶性碳化硅(SiC)基板的步骤；对于结晶性碳化硅(SiC)基板，使用包含惰性气体和氟类气体中至少之一的气体进行等离子体照射的步骤；和对于已进行等离子体照射的结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
此外，本发明是一种结晶性碳化硅(SiC)基板的处理方法，并且该方法包括：对于结晶性碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射以除去至少一部分除了所述结晶性碳化硅(SiC)基板以外的物质的步骤，所述物质存在于结晶性碳化硅(SiC)基板的表面上；和对于已进行等离子体照射的结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
再进一步，本发明是一种结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，并且该方法包括：制备其中离子注入预定杂质原子的结晶性碳化硅(SiC)基板的步骤；对于结晶性碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射以除去至少一部分除了所述结晶性碳化硅(SiC)基板以外的物质的步骤，所述物质存在于结晶性碳化硅(SiC)基板的表面上；和对于已进行等离子体照射的结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
根据本发明的基板处理方法和结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，当对于结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理(例如，退火处理)时，可以降低在已进行高温加热处理的结晶性碳化硅(SiC)基板上的表面粗糙。
附图说明
图1是示出根据本发明实施方案的基板处理方法的图；
图2是在本发明的比较例1中的退火处理后的表面观察图；
图3是在本发明的比较例2中的退火处理后的表面观察图；
图4是在本发明的实施例1中的退火处理后的表面观察图；
图5是在本发明的实施例2中的退火处理后的表面观察图；
图6是在本发明的实施例3中的退火处理后的表面观察图；
图7是在本发明的实施例4中的退火处理后的表面观察图；
图8是在本发明的实施例5中的退火处理后的表面观察图。
具体实施方式
本发明的实施方案将详细描述如下。在实施方案中描述的组分仅是示例性的；本发明的技术范围由权利要求限定并且不限定由以下实施方案。
参考图1将描述根据本发明的基板处理方法的实例。
(基板处理方法1)
作为单晶碳化硅(SiC)的基板，将通过借助CVD在单晶碳化硅(4H-SiC(0001))基板上生长10微米p-型SiC外延层而获得的样品基板RCA洗涤并且接着使用。因此，在图1的初始步骤中，制备在其上形成p-型SiC外延层2的单晶碳化硅(SiC)基板1。
第一步骤是在包括p-型SiC外延层2的表面的单一区域上形成缓冲层3的步骤。离子注入的氧化硅(SiO2)缓冲层3通过在干燥的氧气(O2)气氛下在1150℃的温度下进行牺牲氧化30分钟以致氧化物膜为10nm厚而形成。
第二步骤是将作为杂质原子的氮(N+)离子5注入至单晶碳化硅(SiC)基板的离子注入区域4的步骤。在室温下在注入能量为15keV至120keV的多个阶段以实现盒型轮廓的方式在注入量为4×1019/cm3和深度为250nm的条件下进行离子注入。
代替氮(N)，要注入的杂质原子可以为磷(P)、铝(Al)和硼(B)中任何一种。
在第三步骤中，作为缓冲层3的氧化硅(SiO2)层通过氢氟酸除去。
第四步骤是照射等离子体至单晶碳化硅(SiC)基板的表面(离子注入区域4)的步骤。等离子体照射使用氩(Ar)气、氩(Ar)气和四氟化碳(CF4)气体的混合气体或者四氟化碳(CF4)气体通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机进行。此处，优选进行等离子体照射以致刻蚀量(SiC刻蚀量)为20nm以下。
在第五步骤中，借助RCA洗涤来清洁(洗涤)已经在第四步骤中对其进行等离子体照射的单晶碳化硅(SiC)基板。
第六步骤是对于已经进行等离子体照射的单晶碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理(活化退火处理)的步骤。在该步骤中，在已经在第四步骤中进行等离子体照射并且已经形成离子注入区域4的具有p-型SiC外延层2的单晶碳化硅(SiC)基板1上，在1700℃的温度下在高频诱导加热炉中进行所述活化退火处理10分钟，或者在1900℃的高温下在电子轰击真空加热装置中进行所述活化退火处理1分钟。
通过上述制造方法，在本发明的实施方案中，可以制造其中抑制表面粗糙和坑的形成的单晶碳化硅(SiC)基板。
在本实施方案中，尽管作为在第四步骤中的等离子体照射方法，使用ICP刻蚀机，但是本发明不限于该方法。只要使用产生等离子体的方法即可，可以使用任何方法如使用平行板方法的电容耦合型、微波激发型或者RF分离型(downstream type)。
在本实施方案中，尽管作为在步骤6中的高温加热方法，记载了高频诱导加热方法和电子轰击真空加热方法的实例，只要使用可以进行加热处理如退火处理的方法即可，可以使用任何加热方法如红外加热方法、红外加热和高频诱导加热的混合加热方法或者电阻加热方法。
在第一和第四步骤中，尽管进行RCA洗涤，但洗涤不限于RCA洗涤。如果不是必需的话，可以省略洗涤。
(基板处理方法2)
将描述根据本发明的基板处理方法的另一实例。
在本实施方案中，省略基板处理方法1的第一步骤(缓冲层的形成)和第三步骤(缓冲层的去除)。
(实施例1)
通过基板处理方法1，进行单晶碳化硅(SiC)基板的基板处理方法。在第四步骤中的借助电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的等离子体照射使用氩(Ar)气和四氟化碳(CF4)气体的混合气体在示于表1的条件下进行。
[表1]
| 上部线圈的RF功率 | 400W |
| 基板偏压 | 150W |
| CF4气体流量 | 30sccm |
| Ar气体流量 | 20sccm |
| 刻蚀压力 | 0.2Pa |
| 等离子体照射时间 | 10秒 |
| SiC刻蚀量 | 20nm |
在第五步骤的高温加热处理中，使用高频诱导加热炉在1700℃的温度下进行活化退火处理10分钟。
获得的基板的表面粗糙度(RMS值：均方根值)使用原子力显微镜(AFM：原子力显微镜)测量。所述测量在4微米×4微米的测量面积内以阻尼力模式进行。
图4是在本实施例中退火处理后的表面观察图。当通过AFM观察表面粗糙度时，RMS值为1.6nm；已经发现当对于单晶碳化硅(SiC)进行高温处理时，在退火处理前借助等离子体照射的预处理具有降低表面粗糙的效果(图4)。
如上所述，在本实施例中，从表1和图4已经发现即使当在退火处理前借助等离子体照射的刻蚀量为20nm时，也可以降低表面粗糙。因此可以降低在单晶碳化硅(SiC)上形成的离子注入区域的刻蚀量和减少额外的离子注入区域的形成。
使用以下装置测量表面粗糙度(RMS)。
原子力显微镜(AFM：原子力显微镜)：由Seiko Instruments Inc.
制造的NPX200M0001
观察头 NPX200
控制器 Nanopics 2100
以阻尼力(DFM)模式扫描
(以其中控制悬臂和试样表面之间的距离以致以恒定振幅周期振动的探针接近基板试样表面并且振幅的减少量恒定的模式)
(实施例2)
为了降低通过等离子体照射的碳化硅(SiC)基板的刻蚀量，基板处理在示于表2的条件下进行，而不是使用在实施例1的第四步骤中的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机的等离子体条件。
表2
| 上部线圈的RF功率 | 400W |
| 基板偏压 | 0W |
| CF4气体流量 | 30sccm |
| Ar气体流量 | 20sccm |
| 刻蚀压力 | 0.2Pa |
| 等离子体照射时间 | 60秒 |
| SiC刻蚀量 | 0nm |
图5是在本实施例中的退火处理后的表面观察图。当借助AFM观察表面粗糙度时，RMS值为1.6nm；已经发现当对于单晶碳化硅(SiC)进行高温处理时，在退火处理前借助等离子体照射的预处理具有降低表面粗糙的效果(图5)。
如上所述，在本实施例中，从表2和图5已经发现即使当在退火处理前进行的借助等离子体照射的刻蚀量为0nm时，也可以降低表面粗糙。因此在没有实质形成额外的离子注入区域情况下可以降低表面粗糙。
(实施例3)
为了评价借助等离子体照射的处理气体的流量比，基板处理在示于表3的条件下进行，而不是使用借助在实施例1的第四步骤中的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机的等离子体照射条件。
表3
| 上部线圈的RF功率 | 400W |
| 基板偏压 | 0W |
| CF4气体流量 | 0sccm |
| Ar气体流量 | 20sccm |
| 刻蚀压力 | 0.2Pa |
| 等离子体照射时间 | 60秒 |
| SiC刻蚀量 | 0nm |
图6是在本实施例中的退火处理后的表面观察图。当借助AFM观察表面粗糙度时，RMS值为2.1nm；已经发现，尽管与添加四氟化碳(CF4)气体的情况相比，借助在退火处理前仅用氩(Ar)气的等离子体照射的预处理具有小的效果，但是当对于单晶碳化硅(SiC)进行高温处理时，所述预处理也具有降低表面粗糙的效果(图6)。
如上所述，在本实施例中，从表3和图6已经发现即使当借助在退火处理前进行的等离子体照射的刻蚀量为0nm时，也可以降低表面粗糙。因此可以在没有实质形成额外的离子注入区域的情况下降低表面粗糙。
(实施例4)
此外，为了评价在等离子体照射中的处理气体流量比，基板处理在示于表4的条件下进行，而不是使用借助在实施例1的第四步骤中的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀机的等离子体照射条件。
表4
| 上部线圈的RF功率 | 400W |
| 基板偏压 | 0W |
| CF4气体流量 | 30sccm |
| Ar气体流量 | 0sccm |
| 刻蚀压力 | 0.2Pa |
| 等离子体照射时间 | 60秒 |
| SiC刻蚀量 | 0nm |
图7是在本实施例中的退火处理后的表面观察图。当借助AFM观察表面粗糙度时，RMS值为0.9nm；已经发现当对于单晶碳化硅(SiC)进行高温处理时，在退火处理前仅用四氟化碳(CF4)气体的等离子体照射具有降低表面粗糙的显著效果(图7)。
如上所述，在本实施例中，从表4和图7已经发现即使当借助在退火处理前进行的等离子体照射的刻蚀量为0nm时，也可以降低表面粗糙。因此可以在没有实质形成额外的离子注入区域的情况下降低表面粗糙。
(实施例5)
为了评价通过使用电子冲击加热方法在真空气氛下进行高温加热处理获得的效果，使用电子冲击加热装置在1×10-3Pa的真空下在1900℃的温度下进行与实施例4相同的基板处理1分钟，而不是进行在第五步骤中的高温加热处理。
图8是在本实施例中的退火处理后的表面观察图。当借助AFM观察表面粗糙度时，RMS值为0.80nm，并且没有观察到微小的坑(图8)。已经发现，当对于单晶碳化硅(SiC)进行高温处理时，仅使用四氟化碳(CF4)气体的等离子体照射具有降低表面粗糙的显著效果。
如上所述，在本实施例中，从表4和图8已经发现即使当借助在退火处理前进行的等离子体照射的刻蚀量为0nm时，不仅可以降低表面粗糙也可以减少坑的形成。因此可以在没有实质形成额外的离子注入区域的情况下降低表面粗糙和坑的形成。
(比较例1)
除了不进行第四步骤(等离子体照射)以外，以与实施例1相同的方法对于碳化硅(SiC)基板进行处理。
图2是在比较例1中的退火处理后的表面观察图。如从示于图2的AFM图像显而易见的，在比较例1中，表示表面粗糙的RMS值为6.6nm，并且观察到为显著的表面粗糙的台阶积累。
(比较例2)
除了不进行第四步骤(等离子体照射)以外，以与实施例5相同的方法对于碳化硅(SiC)基板进行处理。
图3是在比较例2中的退火处理后的表面观察图。如从示于图3的AFM图像显而易见的，在比较例2中，表示表面粗糙的RMS值降低至1.57nm，没有观察到台阶积累但是观察到23个微小的坑。
如从以上实施例1-5和比较例1和2显而易见的，在本发明的实施方案中，对于单晶碳化硅(SiC)进行高温加热处理(例如，退火处理)前，对于单晶碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射，因此可以降低表面粗糙和坑的形成。如上所述，由于在本发明的实施方案中，不仅可以降低表面粗糙度还减少坑的形成，因此可以降低在pn接合中泄漏的发生并且提高碳化硅(SiC)基板的制造产率。等离子体照射优选使用惰性气体如氩(Ar)和氟类气体如四氟化碳(CF4)中至少一种进行。
(实施例6)
除了使用单晶碳化硅(4H-SiC(0001))基板作为基板代替具有通过外延生长形成的外延层2的碳化硅(4H-SiC(0001))基板以外，进行与实施例1相同的基板处理。当该基板与通过进行其中排除步骤4中的等离子体照射的基板处理方法而获得的基板比较时，可以降低表面粗糙。
(实施例7)
所述基板处理通过基板处理方法2进行。当将该基板与通过进行其中不进行等离子体照射的基板处理方法获得的基板相比较时，降低表面粗糙。
如上所述，根据本发明，在通过等离子体照射的预处理情况下，可以降低当对于在单晶碳化硅(SiC)上或者在通过在单晶碳化硅(SiC)基板上外延生长而获得的碳化硅(SiC)进行高温加热处理时导致的表面粗糙和坑的产生。因此，可以提高碳化硅(SiC)装置的产率。
为什么在高温加热处理如退火处理前进行等离子体照射降低表面粗糙和坑的产生的原因尚不清楚；这可能是因为通过等离子体照射去除附着至或形成于基板上的杂质如碳氧化硅(SiOC)等，由此抑制在高温加热时由于杂质导致的表面化学反应的加速。
无论如何，当注入至单晶碳化硅(SiC)基板的杂质通过进行高温处理而电活化时，在进行高温处理前对于单晶碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射，因此可以降低用于降低基板表面的平坦性的因素如台阶积累或者坑的形成。
如上所述，在本发明中，重要的是在高温加热处理如退火处理前进行等离子体照射处理；通过进行等离子体照射处理刻蚀基板不是必要的。在本发明中，在高温加热处理之前的阶段，在高温加热处理前对于碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射以致处理基板的表面从而使用于降低由高温加热处理导致的平坦性的因素的形成最小化，即在高温加热处理前进行用于降低由高温加热处理导致的表面粗糙的前置(front-end)处理。换言之，进行等离子体照射以致去除至少一部分存在于结晶性碳化硅(SiC)基板表面上的除了结晶性碳化硅(SiC)基板以外的物质(例如，附着至或者形成于基板上的杂质如碳氧化硅(SiOC))。通过等离子体照射刻蚀一部分结晶性碳化硅(SiC)基板(例如，实施例1)或者没有刻蚀(例如，实施例2-5)，如果至少部分物质即杂质可以被除去，则降低表面粗糙的因素(factor)，这导致降低台阶积累和坑的产生。
换言之，在本发明中，重要的是在对于碳化硅(SiC)基板的高温加热处理前的阶段中对于基板进行等离子体照射；在高温加热处理前，通过等离子体照射，对于碳化硅(SiC)基板预先进行用于减少由高温加热处理导致的劣化平坦性的因素的产生的处理。在本发明中，如在实施例2-5中所述，即使借助等离子体照射的碳化硅(SiC)基板的刻蚀量基本上为零，在高温加热处理之后也抑制基板表面的表面平坦性的劣化。如上所述，在本发明中，没有必要进行等离子体照射以刻蚀基板；在高温加热处理前进行本发明的等离子体照射，以致在产生由于高温加热处理导致的表面粗糙和坑形成之前，预先降低表面粗糙和在基板表面上坑的形成。
如上所述，本发明基本上不同于通过刻蚀去除在高温退火处理后已经形成的表面形状如台阶积累的变化的发明，在加热处理(如退火处理)前通过等离子体照射去除导致台阶积累和坑的因素。换言之，本发明不借助通过等离子体刻蚀去除在碳化硅(SiC)基板上的一个区域。因此，如在实施例1中，即使通过在加热处理前等离子体照射的刻蚀量降低至20nm，也可以降低在加热处理后在表面上台阶积累和坑的形成。此外，如在实施例2-5中，即使通过等离子体照射的刻蚀量降低至0nm，也可以降低在加热处理后在表面上台阶积累和坑的形成。
根据本发明，由于借助用于降低表面粗糙的刻蚀的切割量可以降低或者降低至零，因此可以实现低成本。
尽管以上已经参考附图描述本发明的优选实施方案，但是本发明不限于此类实施方案，并且在从权利要求范围掌握的技术范围内许多改造是可行的。本发明不受限于以上实施方案；在不偏离本发明的精神和范围的情况下许多改造和变化是可行的。
Claims (14)
1.一种结晶性碳化硅(SiC)基板的处理方法，所述方法包括：
对于离子注入杂质原子的所述结晶性碳化硅(SiC)基板，使用包含惰性气体和氟类气体中至少之一的气体进行等离子体照射的步骤；和
对于已进行所述等离子体照射的所述结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中
所述结晶性碳化硅(SiC)基板包括外延碳化硅(SiC)结晶层作为表面层。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中
所述气体是氩气、四氟化碳气体以及氩气和四氟化碳气体的混合气体中任一种。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的基板处理方法，其中
所述杂质原子是氮(N)、磷(P)、铝(Al)和硼(B)中任一种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基板处理方法，其中
所述高温加热处理借助高频诱导加热方法、电子冲击加热方法或电阻加热方法的装置进行。
6.一种结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，所述方法包括
制备其中离子注入预定杂质原子的结晶性碳化硅(SiC)基板的步骤；
对于所述结晶性碳化硅(SiC)基板，使用包含惰性气体和氟类气体中至少之一的气体进行等离子体照射的步骤；和
对于已进行所述等离子体照射的所述结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
7.根据权利要求6所述的结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，其中
所述结晶性碳化硅(SiC)基板是单晶碳化硅(SiC)基板。
8.根据权利要求7所述的结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，其中
所述单晶碳化硅(SiC)基板包括外延碳化硅(SiC)结晶层作为表面层。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，其中
所述气体是氩气、四氟化碳气体以及氩气和四氟化碳气体的混合气体中任一种。
10.根据权利要求6-9中任一项所述的结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，其中
所述制备碳化硅(SiC)基板的步骤包括将预定杂质原子离子注入所述结晶性碳化硅(SiC)基板中的步骤。
11.根据权利要求10所述的碳化硅(SiC)基板的制造方法，其中
在所述离子注入步骤之前，所述制备结晶性碳化硅(SiC)基板的步骤进一步包括对于包含所述结晶性碳化硅(SiC)基板表面的部分进行牺牲氧化以形成用于所述离子注入的缓冲层的步骤。
12.根据权利要求11所述的碳化硅(SiC)基板的制造方法，所述方法进一步包括
在所述离子注入之后除去所述缓冲层的步骤。
13.一种结晶性碳化硅(SiC)基板的处理方法，所述方法包括：
对于所述结晶性碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射以除去至少一部分除了所述结晶性碳化硅(SiC)基板以外的物质的步骤，所述物质存在于所述结晶性碳化硅(SiC)基板的表面上；和
对于已进行所述等离子体照射的所述结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
14.一种结晶性碳化硅(SiC)基板的制造方法，所述方法包括：
制备其中离子注入预定杂质原子的结晶性碳化硅(SiC)基板的步骤；
对于所述结晶性碳化硅(SiC)基板进行等离子体照射以除去至少一部分除了所述结晶性碳化硅(SiC)基板以外的物质的步骤，所述物质存在于所述结晶性碳化硅(SiC)基板的表面上；和
对于已进行所述等离子体照射的所述结晶性碳化硅(SiC)基板进行高温加热处理的步骤。
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |