JPH06293971A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPH06293971A JPH06293971A JP8077393A JP8077393A JPH06293971A JP H06293971 A JPH06293971 A JP H06293971A JP 8077393 A JP8077393 A JP 8077393A JP 8077393 A JP8077393 A JP 8077393A JP H06293971 A JPH06293971 A JP H06293971A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多孔質基体上にエピタキシャル成長による堆
積膜を形成するに際し、基体の脱ガスを迅速、かつ確実
に行なう。 【構成】 基体９４をロードロック室２０１内でＸｅラ
ンプ２０３で加熱することにより脱ガスを行ない、次い
で堆積容器９１に搬入して、ここで堆積膜を形成する。
積膜を形成するに際し、基体の脱ガスを迅速、かつ確実
に行なう。 【構成】 基体９４をロードロック室２０１内でＸｅラ
ンプ２０３で加熱することにより脱ガスを行ない、次い
で堆積容器９１に搬入して、ここで堆積膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の製造方法
に関し、更に詳しくは、半導体薄膜形成前の前処理に特
徴を有するものであり、特に電子デバイス、集積回路に
適する半導体基板の製造方法に関する。
に関し、更に詳しくは、半導体薄膜形成前の前処理に特
徴を有するものであり、特に電子デバイス、集積回路に
適する半導体基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの高速化、高性能化、高機能化
の要求に答えるために、微細化を中心として半導体に関
するさまざまな研究開発が行なわれている。その中で特
に近年は、不純物汚染をいっさい排除し、狙った性能を
得るために、クリーンルーム環境から、装置、洗浄、成
膜等のあらゆる面においてクリーン化についての議論が
なされている（Ｔ．Ｏｈｍｉ，Ｐｒｏｃ．１９８６ Ｓ
ＥＭＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，
ＰＰ．Ａ１−１′〜Ａ１−２１，Ｄｅｃ．，１９８
６）。
の要求に答えるために、微細化を中心として半導体に関
するさまざまな研究開発が行なわれている。その中で特
に近年は、不純物汚染をいっさい排除し、狙った性能を
得るために、クリーンルーム環境から、装置、洗浄、成
膜等のあらゆる面においてクリーン化についての議論が
なされている（Ｔ．Ｏｈｍｉ，Ｐｒｏｃ．１９８６ Ｓ
ＥＭＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，
ＰＰ．Ａ１−１′〜Ａ１−２１，Ｄｅｃ．，１９８
６）。
【０００３】そのなかでエピタキシャル成長による堆積
膜の形成前の基板表面処理は、得られる堆積膜の結晶構
造、物性その他に非常に敏感に作用するので、重要視さ
れている技術の１つである。このクリーン化の技術はＣ
ＶＤ法では基板温度を１０００℃程度の高温にし、塩素
系のガスを用いて行なうのが一般的である。その他にＭ
ＢＥ法で良く用いられる、保護酸化膜形成後高温処理や
Ｓｉビームで酸化膜を除去する方法や、Ｈプラズマを使
用する方法、１００ｅＶ以上のエネルギーを持つＡｒイ
オンのスパッタを用いる方法（Ｗ．Ｒ．Ｂｕｒｇｅｒ
ｅｔ ａｌ，ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃ
ｅ Ｌｅｔｔ．ＥＤＬ−８，１６８（１９８７））、筆
者らの報告している低エネルギーＡｒイオン照射による
方法（Ｔ．Ｏｈｍｉ，Ｔ．Ｉｃｈｉｋａｗａ ｅｔ ａ
ｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５３，４５（１９
８８））等がある。
膜の形成前の基板表面処理は、得られる堆積膜の結晶構
造、物性その他に非常に敏感に作用するので、重要視さ
れている技術の１つである。このクリーン化の技術はＣ
ＶＤ法では基板温度を１０００℃程度の高温にし、塩素
系のガスを用いて行なうのが一般的である。その他にＭ
ＢＥ法で良く用いられる、保護酸化膜形成後高温処理や
Ｓｉビームで酸化膜を除去する方法や、Ｈプラズマを使
用する方法、１００ｅＶ以上のエネルギーを持つＡｒイ
オンのスパッタを用いる方法（Ｗ．Ｒ．Ｂｕｒｇｅｒ
ｅｔ ａｌ，ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃ
ｅ Ｌｅｔｔ．ＥＤＬ−８，１６８（１９８７））、筆
者らの報告している低エネルギーＡｒイオン照射による
方法（Ｔ．Ｏｈｍｉ，Ｔ．Ｉｃｈｉｋａｗａ ｅｔ ａ
ｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５３，４５（１９
８８））等がある。
【０００４】一方表面クリーン化の重要性に関しては、
単結晶Ｓｉウエハに限らず、最近発光の分野で研究が盛
んな多孔質層の分野では、特に重要である。多孔質は、
ＳＯＩ構造を実現する方法（ＦＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉ
ｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｕｓ Ｏｘｉｄｉｚ
ｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ））のほかに、近年Ｓｉ発光素子
としての応用が期待されている。多孔質層表面のクリー
ン化は重要なものであるが、それ以外にも、多孔質層の
孔の内部に残る水分その他の不純物（ガスを含む）をエ
ピタキシャル成長前に除去するために熱処理を行なった
り、熱処理中にＳｉビームを照射する方法（Ｔ．Ｌ．Ｌ
ｉｎ ｅｔ ａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４
８，１７９３（１９８６））、さらにはＮｅのイオンス
パッタクリーニング（Ｍ．Ｉ．Ｊ．Ｂｅａｌ ｅｔ ａ
ｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ３
（２），ｐｐ７３２（１９８５））を用いる方法等が報
告されている。
単結晶Ｓｉウエハに限らず、最近発光の分野で研究が盛
んな多孔質層の分野では、特に重要である。多孔質は、
ＳＯＩ構造を実現する方法（ＦＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉ
ｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｕｓ Ｏｘｉｄｉｚ
ｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ））のほかに、近年Ｓｉ発光素子
としての応用が期待されている。多孔質層表面のクリー
ン化は重要なものであるが、それ以外にも、多孔質層の
孔の内部に残る水分その他の不純物（ガスを含む）をエ
ピタキシャル成長前に除去するために熱処理を行なった
り、熱処理中にＳｉビームを照射する方法（Ｔ．Ｌ．Ｌ
ｉｎ ｅｔ ａｌ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４
８，１７９３（１９８６））、さらにはＮｅのイオンス
パッタクリーニング（Ｍ．Ｉ．Ｊ．Ｂｅａｌ ｅｔ ａ
ｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ３
（２），ｐｐ７３２（１９８５））を用いる方法等が報
告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらエピタキ
シャル成長を行なう成膜室内で上記高温工程を行なうク
リーン化の方法では多孔質層を含む基体からの脱ガスが
多く、このガスによって成膜室を汚染させてしまい、堆
積膜中に不純物を取り込んでしまうという問題がある。
すなわち多孔質層の表面及び内部の不純物を除去するた
めに基体に高温の熱処理を行なうと、非常に多くのガス
が多孔質内部から放出される。このため、成膜室内でこ
れを行なうと成膜室内のガスによる汚染、及び堆積膜中
への不純物の取り込みは大きくなる。またいったん成膜
室内にガスを放出させてしまうと、ＭＢＥやスパッター
等の高真空領域での成膜においては、所望の真空度に達
するにはかなりの時間が必要であり、多孔質層を使用し
ない基板に比べて作業効率は非常に悪くなる。さらに
は、高温工程により多孔質層が変質してしまうこともあ
る。
シャル成長を行なう成膜室内で上記高温工程を行なうク
リーン化の方法では多孔質層を含む基体からの脱ガスが
多く、このガスによって成膜室を汚染させてしまい、堆
積膜中に不純物を取り込んでしまうという問題がある。
すなわち多孔質層の表面及び内部の不純物を除去するた
めに基体に高温の熱処理を行なうと、非常に多くのガス
が多孔質内部から放出される。このため、成膜室内でこ
れを行なうと成膜室内のガスによる汚染、及び堆積膜中
への不純物の取り込みは大きくなる。またいったん成膜
室内にガスを放出させてしまうと、ＭＢＥやスパッター
等の高真空領域での成膜においては、所望の真空度に達
するにはかなりの時間が必要であり、多孔質層を使用し
ない基板に比べて作業効率は非常に悪くなる。さらに
は、高温工程により多孔質層が変質してしまうこともあ
る。
【０００６】一方、イオン照射で表面クリーン化を行な
う方法で最も問題なものは、基板へのイオンダメージで
ある。ほとんどの場合、そのダメージを除去するため、
さらに熱処理を施すことが通常である。また本発明者ら
は、上記に示す報告で低エネルギーイオン照射による基
板へのダメージのない表面クリーン化法を報告し、基板
表面の吸着不純物層はダメージ無く除去することが可能
であるが、成膜室である程度の脱ガスをするまで高真空
中で基板を放置しなけらばならない点や、数μｍもの深
さの多孔質内部の吸着不純物を除去することはむずかし
い等の点で問題がある。
う方法で最も問題なものは、基板へのイオンダメージで
ある。ほとんどの場合、そのダメージを除去するため、
さらに熱処理を施すことが通常である。また本発明者ら
は、上記に示す報告で低エネルギーイオン照射による基
板へのダメージのない表面クリーン化法を報告し、基板
表面の吸着不純物層はダメージ無く除去することが可能
であるが、成膜室である程度の脱ガスをするまで高真空
中で基板を放置しなけらばならない点や、数μｍもの深
さの多孔質内部の吸着不純物を除去することはむずかし
い等の点で問題がある。
【０００７】本発明は、上記問題点、及び上記要求に答
える半導体基板の製造方法を提供することを目的とす
る。
える半導体基板の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、多孔質層を有する基体を真空容器内で加熱
して前記基体をクリーン化し、次いで前記基体を加熱し
た容器と異なる容器内で該基体上にエピタキシャル成長
による堆積膜の形成を行なうように半導体基板の製造方
法を構成するもので、真空容器からエピタキシャル成長
による堆積膜の形成を行なう堆積容器への基体の搬送が
真空中で行なわれること、基体の加熱方法がランプ加熱
方法であること、基体の主成分がＳｉであること、ラン
プがＸｅランプであること、容器内でのエピタキシャル
成長が、ソースガス以外の分子の分圧が１０-8Ｔｏｒｒ
以下の超高真空で行なわれることを含むものである。
に本発明は、多孔質層を有する基体を真空容器内で加熱
して前記基体をクリーン化し、次いで前記基体を加熱し
た容器と異なる容器内で該基体上にエピタキシャル成長
による堆積膜の形成を行なうように半導体基板の製造方
法を構成するもので、真空容器からエピタキシャル成長
による堆積膜の形成を行なう堆積容器への基体の搬送が
真空中で行なわれること、基体の加熱方法がランプ加熱
方法であること、基体の主成分がＳｉであること、ラン
プがＸｅランプであること、容器内でのエピタキシャル
成長が、ソースガス以外の分子の分圧が１０-8Ｔｏｒｒ
以下の超高真空で行なわれることを含むものである。
【０００９】
【作用】上記構成により、堆積容器内の汚染、及び膜中
への不純物の取り込み、多孔質層の変質、高真空領域へ
の復帰に際して生じる問題及び、イオン照射における基
板へのダメージ等の問題を生ずること無くＳｉウエハ等
の基体や多孔質層を含む基体を脱ガスすることが可能と
なる。さらにクリーニング効果も付加でき、その後所望
の膜を形成することが容易となる。
への不純物の取り込み、多孔質層の変質、高真空領域へ
の復帰に際して生じる問題及び、イオン照射における基
板へのダメージ等の問題を生ずること無くＳｉウエハ等
の基体や多孔質層を含む基体を脱ガスすることが可能と
なる。さらにクリーニング効果も付加でき、その後所望
の膜を形成することが容易となる。
【００１０】多孔質層を有する基体としては、Ｓｉ単結
晶基体を部分的に多孔質化したものから全面的に多孔質
化したもの等、特に限定されるものでない。
晶基体を部分的に多孔質化したものから全面的に多孔質
化したもの等、特に限定されるものでない。
【００１１】基体の材料としてはＳｉを代表にＧａＡ
ｓ，Ｇｅ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ等、及びこれらの混在物も
含めて、限定されるものでない。
ｓ，Ｇｅ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅ等、及びこれらの混在物も
含めて、限定されるものでない。
【００１２】また、加熱する容器から堆積容器への搬送
が真空中で行われることは、搬送中に新たに汚染物質が
吸着しないという観点から、より好ましい。
が真空中で行われることは、搬送中に新たに汚染物質が
吸着しないという観点から、より好ましい。
【００１３】基体の加熱方法は、ランプ加熱が最も好ま
しく多孔質層の変質を抑えるために急峻に温度を昇降温
でき、短時間で脱ガスできるものが好ましい。特に多孔
質Ｓｉが表面に形成されている場合、ランプのメイン波
長としては１μｍ以下のものが有効である。
しく多孔質層の変質を抑えるために急峻に温度を昇降温
でき、短時間で脱ガスできるものが好ましい。特に多孔
質Ｓｉが表面に形成されている場合、ランプのメイン波
長としては１μｍ以下のものが有効である。
【００１４】ランプを使用すると、短波長領域でのクリ
ーン化効果も強く、また図４に示すように多孔質Ｓｉの
吸収係数が小さいので、多孔質内部まで透過して脱ガス
ができる波長を選ぶと効果的である。
ーン化効果も強く、また図４に示すように多孔質Ｓｉの
吸収係数が小さいので、多孔質内部まで透過して脱ガス
ができる波長を選ぶと効果的である。
【００１５】Ｘｅランプは図５に示す波長スペクトルを
持っており、吸収波長との関係で基体表面はもちろんの
こと、基体内部の多孔質孔表面をより選択的に加熱する
ことができ、波長的には効率的な脱ガスが実現できるラ
ンプといえる。ランプ法以外の方法で加熱する場合、た
とえば抵抗加熱法を用いることも可能であるが、基体以
外も加熱してしまい、効果的な脱ガスが妨げられたり、
加熱を止めた後の冷却に時間がとられる場合がある。
持っており、吸収波長との関係で基体表面はもちろんの
こと、基体内部の多孔質孔表面をより選択的に加熱する
ことができ、波長的には効率的な脱ガスが実現できるラ
ンプといえる。ランプ法以外の方法で加熱する場合、た
とえば抵抗加熱法を用いることも可能であるが、基体以
外も加熱してしまい、効果的な脱ガスが妨げられたり、
加熱を止めた後の冷却に時間がとられる場合がある。
【００１６】また加熱容器を堆積容器と分離する方法は
該堆積を行なう容器内での堆積が、堆積物以外の分子の
分圧が１０-8Ｔｏｒｒ以下の超高真空装置内で行なわれ
る時には、この堆積容器は汚染からの復帰が容易でない
真空領域のため、この方法が特に効果的である。
該堆積を行なう容器内での堆積が、堆積物以外の分子の
分圧が１０-8Ｔｏｒｒ以下の超高真空装置内で行なわれ
る時には、この堆積容器は汚染からの復帰が容易でない
真空領域のため、この方法が特に効果的である。
【００１７】以下、本発明を実施態様により詳細に説明
する。
する。
【００１８】図１は本発明を実施する際に使用する装置
の１例を示すものであるが、特にこの装置に限定される
ものではない。装置はＲＦ−ＤＣ結合バイアススパッタ
装置であり、２室構成となっている。
の１例を示すものであるが、特にこの装置に限定される
ものではない。装置はＲＦ−ＤＣ結合バイアススパッタ
装置であり、２室構成となっている。
【００１９】図１において、９１は基体上にエピタキシ
ャル成長による堆積膜の形成を行なうための堆積容器
（チャンバー）で、内部は真空にできるようになってい
る。
ャル成長による堆積膜の形成を行なうための堆積容器
（チャンバー）で、内部は真空にできるようになってい
る。
【００２０】９２はターゲット、９３は永久磁石、９４
は基体、９５は基板支持具、９６は高周波電源、９７は
マッチング回路、９８はターゲットの直流電位を決定す
るための直流電源、９９は基体の直流電位を決定するた
めの直流電源、１００，１０１はそれぞれターゲット、
及び基体のローパスフィルターをそれぞれ示す。
は基体、９５は基板支持具、９６は高周波電源、９７は
マッチング回路、９８はターゲットの直流電位を決定す
るための直流電源、９９は基体の直流電位を決定するた
めの直流電源、１００，１０１はそれぞれターゲット、
及び基体のローパスフィルターをそれぞれ示す。
【００２１】堆積容器９１は、ＳＵＳ３１６製で容器内
面は表面処理として電解研磨、電解複合研磨を施した、
表面の平滑度としてＲｍａｘ（表面荒さ）＜０．１μｍ
の鏡面加工された表面に高純度酸素による不動態酸化膜
が形成されている。ガス排気系はマスフローコントロー
ラーやフィルタも含めてすべてＳＵＳ３１６製のものに
電解研磨、及び不動態酸化処理を施すなどして容器内へ
ガス導入時に搬入される不純物量を極力低下させるよう
にする。排気系は以下のように構成されている。メイン
ポンプは磁気浮上型のランダム型ターボ分子ポンプであ
る。補助ポンプとしてドライポンプを使用している。こ
の排気系はオイルフリーシステムであり、該システムは
不純物汚染が少ないように構成されている。なお２段目
のターボ分子ポンプは大流量型のポンプであって、プラ
ズマ発生中のｍＴｏｒｒオーダーの真空度に対しても排
気速度は維持される。これらの結果堆積容器９１に導入
されるＡｒ中の不純物量はもっとも多い水分でさえ数ｐ
ｐｂ以下であり、基体温度を上昇させないときのバック
グラウンド真空度としては２×１０-11 Ｔｏｒｒが達成
できる。またターゲット９２には数百ＭＨｚまで周波数
を変えられる可変型高周波電源９６が接続されているこ
とから、高密度のプラズマの発生が可能であるほか、タ
ーゲット９２、及びクリーン化された基体９４ａにはロ
ーパスフィルタ１００，１０１を介して直流電位印加の
為の直流電源が接続されていて、これらによりターゲッ
ト９２、及び基体９４ａの電位を制御できる。
面は表面処理として電解研磨、電解複合研磨を施した、
表面の平滑度としてＲｍａｘ（表面荒さ）＜０．１μｍ
の鏡面加工された表面に高純度酸素による不動態酸化膜
が形成されている。ガス排気系はマスフローコントロー
ラーやフィルタも含めてすべてＳＵＳ３１６製のものに
電解研磨、及び不動態酸化処理を施すなどして容器内へ
ガス導入時に搬入される不純物量を極力低下させるよう
にする。排気系は以下のように構成されている。メイン
ポンプは磁気浮上型のランダム型ターボ分子ポンプであ
る。補助ポンプとしてドライポンプを使用している。こ
の排気系はオイルフリーシステムであり、該システムは
不純物汚染が少ないように構成されている。なお２段目
のターボ分子ポンプは大流量型のポンプであって、プラ
ズマ発生中のｍＴｏｒｒオーダーの真空度に対しても排
気速度は維持される。これらの結果堆積容器９１に導入
されるＡｒ中の不純物量はもっとも多い水分でさえ数ｐ
ｐｂ以下であり、基体温度を上昇させないときのバック
グラウンド真空度としては２×１０-11 Ｔｏｒｒが達成
できる。またターゲット９２には数百ＭＨｚまで周波数
を変えられる可変型高周波電源９６が接続されているこ
とから、高密度のプラズマの発生が可能であるほか、タ
ーゲット９２、及びクリーン化された基体９４ａにはロ
ーパスフィルタ１００，１０１を介して直流電位印加の
為の直流電源が接続されていて、これらによりターゲッ
ト９２、及び基体９４ａの電位を制御できる。
【００２２】なお基体９４の真空堆積容器９１への導入
は、該容器に接してもうけられた異なる容器であるロー
ドロック室２０１を介して行なわれる。これによって、
容器９１へ不純物が混入するこを防止している。なおロ
ードロック室２０１にはＸｅランプ２０３が設けてあ
り、これにより基体９４の加熱を行ない、基体のクリー
ン化を行なう。
は、該容器に接してもうけられた異なる容器であるロー
ドロック室２０１を介して行なわれる。これによって、
容器９１へ不純物が混入するこを防止している。なおロ
ードロック室２０１にはＸｅランプ２０３が設けてあ
り、これにより基体９４の加熱を行ない、基体のクリー
ン化を行なう。
【００２３】次に、上記構成のスパッタ装置を用いて半
導体基板を製造する場合につき説明する。
導体基板を製造する場合につき説明する。
【００２４】まず、多孔質Ｓｉ基体の製造について説明
する。ここでは陽極化成法による多孔質Ｓｉに関して例
をあげる。Ｓｉ単結晶基板を用意して、その全面もしく
は１部を多孔質化する。Ｓｉ基板は、ＨＦ溶液を用いた
陽極化成法によって、多孔質化させる。この多孔質Ｓｉ
層は、ＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に変化させて処理す
ることで密度１．１〜０．６ｇ／ｃｍ3 の範囲のものに
変化させることができる（単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ
／ｃｍ3 ）。
する。ここでは陽極化成法による多孔質Ｓｉに関して例
をあげる。Ｓｉ単結晶基板を用意して、その全面もしく
は１部を多孔質化する。Ｓｉ基板は、ＨＦ溶液を用いた
陽極化成法によって、多孔質化させる。この多孔質Ｓｉ
層は、ＨＦ溶液濃度を５０〜２０％に変化させて処理す
ることで密度１．１〜０．６ｇ／ｃｍ3 の範囲のものに
変化させることができる（単結晶Ｓｉの密度２．３３ｇ
／ｃｍ3 ）。
【００２５】多孔質Ｓｉは、Ｕｈｌｉｒ等によって１９
５６年に半導体の電解研磨の研究過程に於て発見された
（Ａ．Ｕｈｌｉｒ，Ｂｅｌｌ Ｓｙｓｔ．Ｔｅｃｈ．
Ｊ．，ｖｏｌ ３５，ｐ．３３３（１９５６））。
５６年に半導体の電解研磨の研究過程に於て発見された
（Ａ．Ｕｈｌｉｒ，Ｂｅｌｌ Ｓｙｓｔ．Ｔｅｃｈ．
Ｊ．，ｖｏｌ ３５，ｐ．３３３（１９５６））。
【００２６】透過電子顕微鏡による観察によれば、多孔
質Ｓｉ層には、平均約６００オングストローム程度の径
の孔が形成されている。また、その密度は単結晶Ｓｉに
比べると、半分以下である。しかし、単結晶性は維持さ
れているので、多孔質層の上部へ単結晶Ｓｉ層をエピタ
キシャル成長させることも可能であり、何種類かの報告
がある（Ｕｎａｇａｍｉ Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．：Ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ ｓｃｉｅｎｃ
ｅ ａｎｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｐｐ．１３３
９）。ただし、成長させた単結晶膜の結晶性は完全でな
く、欠陥が残存することが多い。結晶性を改善するため
に高温処理、もしくは高温成膜を行なうと、多孔質Ｓｉ
が変質する場合があり、増速酸化等の多孔質Ｓｉの持つ
特性自体が変化し、特に１０００℃以上では、内部の孔
の再配列が起こってしまう。
質Ｓｉ層には、平均約６００オングストローム程度の径
の孔が形成されている。また、その密度は単結晶Ｓｉに
比べると、半分以下である。しかし、単結晶性は維持さ
れているので、多孔質層の上部へ単結晶Ｓｉ層をエピタ
キシャル成長させることも可能であり、何種類かの報告
がある（Ｕｎａｇａｍｉ Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．：Ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ ｓｃｉｅｎｃ
ｅ ａｎｄ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｐｐ．１３３
９）。ただし、成長させた単結晶膜の結晶性は完全でな
く、欠陥が残存することが多い。結晶性を改善するため
に高温処理、もしくは高温成膜を行なうと、多孔質Ｓｉ
が変質する場合があり、増速酸化等の多孔質Ｓｉの持つ
特性自体が変化し、特に１０００℃以上では、内部の孔
の再配列が起こってしまう。
【００２７】多孔質層はその内部に大量の空隙が形成さ
れている為に、表面積は激増する。その結果、スパッタ
装置の堆積容器内にそのまま搬入すると、多くの水を中
心とするガスが放出されるので、これを防止するために
成膜する前に堆積容器に隣接する真空容器であるロード
ロック室で真空状態で基体を加熱することにより脱ガス
をして基体をクリーン化する。
れている為に、表面積は激増する。その結果、スパッタ
装置の堆積容器内にそのまま搬入すると、多くの水を中
心とするガスが放出されるので、これを防止するために
成膜する前に堆積容器に隣接する真空容器であるロード
ロック室で真空状態で基体を加熱することにより脱ガス
をして基体をクリーン化する。
【００２８】たとえばＸｅランプにより光照射をするな
らば、数十秒で基体温度を５００℃程度にまで上昇させ
られる。空隙率が約４０％、２μｍ厚の多孔質層がＳｉ
（１００）基体に形成された基体の場合、約２０分間の
ランプ照射でほぼ完全に脱ガスができる。
らば、数十秒で基体温度を５００℃程度にまで上昇させ
られる。空隙率が約４０％、２μｍ厚の多孔質層がＳｉ
（１００）基体に形成された基体の場合、約２０分間の
ランプ照射でほぼ完全に脱ガスができる。
【００２９】図２にこの照射の間の真空度変化を示す。
ここで他の多孔質条件ではそれぞれ脱ガスの様子が異な
るため温度、時間はそれぞれ異なる条件を用いる。
ここで他の多孔質条件ではそれぞれ脱ガスの様子が異な
るため温度、時間はそれぞれ異なる条件を用いる。
【００３０】図２には参考までに単結晶Ｓｉ基体の例を
合わせて掲げる。多孔質Ｓｉの場合単結晶Ｓｉに比べて
２桁以上多量のガスが放出される。次に基体を堆積容器
に導入する。この時の、ロードロック室でのＸｅランプ
照射の有無による堆積容器内の真空度変化の違いを図３
に示す。Ｘｅランプ照射を行なうことにより大幅に待機
時間を短縮することが可能となる。さらにロードロック
室で脱ガスを行なうため、堆積容器内の汚染を防ぎ、膜
中への不純物の取り込みを抑制できる。
合わせて掲げる。多孔質Ｓｉの場合単結晶Ｓｉに比べて
２桁以上多量のガスが放出される。次に基体を堆積容器
に導入する。この時の、ロードロック室でのＸｅランプ
照射の有無による堆積容器内の真空度変化の違いを図３
に示す。Ｘｅランプ照射を行なうことにより大幅に待機
時間を短縮することが可能となる。さらにロードロック
室で脱ガスを行なうため、堆積容器内の汚染を防ぎ、膜
中への不純物の取り込みを抑制できる。
【００３１】次いで前記の堆積容器内でスパッタ法によ
り、エピタキシャル成長を多孔質化した基体表面に行な
い、シリコン単結晶層を形成する。基体表面クリーニン
グ条件、基体バイアス、ターゲットバイアス、圧力等の
条件を設定することで、多孔質基体上に低欠陥の単結晶
Ｓｉ膜や多孔質層を継承した多孔質Ｓｉ等を下地多孔質
層を変質させることなく、短時間で形成することができ
る。
り、エピタキシャル成長を多孔質化した基体表面に行な
い、シリコン単結晶層を形成する。基体表面クリーニン
グ条件、基体バイアス、ターゲットバイアス、圧力等の
条件を設定することで、多孔質基体上に低欠陥の単結晶
Ｓｉ膜や多孔質層を継承した多孔質Ｓｉ等を下地多孔質
層を変質させることなく、短時間で形成することができ
る。
【００３２】
【実施例】以下、具体的な実施例によって本発明を説明
する。
する。
【００３３】（実施例１）５２５ミクロンの厚みを持っ
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
【００３４】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【００３５】電流密度 ：５（ｍＡ・ｃｍ-2 ） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：
１：１ 時間 ：２（分） 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をスパッタ装置のロー
ドロック室に導入した。導入後の真空度は７×１０-8Ｔ
ｏｒｒであった。次いでＸｅランプ（１ｋＷ）で２０分
間照射し脱ガスした。照射後には最大５×１０-6Ｔｏｒ
ｒまで真空度は低くなり、その後徐々に真空度が高ま
り、２０分後には３×１０-8Ｔｏｒｒとなった。Ｘｅラ
ンプ照射を止めると真空度は５×１０-9Ｔｏｒｒとなっ
た。その後堆積容器で構成されるスパッタ室に導入し、
１時間後に、多孔質Ｓｉ基体上に０．２ミクロンのＳｉ
エピタキシャル層を低温成長させた。Ａｒ導入前の真空
度は３×１０-9Ｔｏｒｒであった。堆積条件は、以下の
とおりであった。 表面クリーニング条件 温度 ：４５１℃ 雰囲気 ：Ａｒ 圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 基体電位 ：５Ｖ ターゲット電位：−５Ｖ 高周波電力 ：５Ｗ ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 堆積条件 ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 高周波電力 ：１００Ｗ 温度 ：４５１℃ Ａｒガス圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 成長時間 ：２０ｍｉｎ 膜厚 ：０．２μｍ ターゲット電流電位：−１５０Ｖ 基体直流電位 ：＋２０Ｖ 多孔質上に、低欠陥のＳｉ単結晶膜を成長させるとがで
きた。低欠陥とは、透過電子顕微鏡による断面ＴＥＭ観
察やＳｅｃｃｏエッチングによる観察で欠陥が確認され
ない程度の低欠陥をいう。さらにこの基体温度では、多
孔質層の変質は確認されなかった。この全工程は１６５
分であった。さらに界面に存在する炭素量はランプ照射
をしなかった場合は１０13ａｔｍ／ｃｍ2 で、照射をし
た場合は１０12ａｔｍ／ｃｍ2 に減少した。
１：１ 時間 ：２（分） 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をスパッタ装置のロー
ドロック室に導入した。導入後の真空度は７×１０-8Ｔ
ｏｒｒであった。次いでＸｅランプ（１ｋＷ）で２０分
間照射し脱ガスした。照射後には最大５×１０-6Ｔｏｒ
ｒまで真空度は低くなり、その後徐々に真空度が高ま
り、２０分後には３×１０-8Ｔｏｒｒとなった。Ｘｅラ
ンプ照射を止めると真空度は５×１０-9Ｔｏｒｒとなっ
た。その後堆積容器で構成されるスパッタ室に導入し、
１時間後に、多孔質Ｓｉ基体上に０．２ミクロンのＳｉ
エピタキシャル層を低温成長させた。Ａｒ導入前の真空
度は３×１０-9Ｔｏｒｒであった。堆積条件は、以下の
とおりであった。 表面クリーニング条件 温度 ：４５１℃ 雰囲気 ：Ａｒ 圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 基体電位 ：５Ｖ ターゲット電位：−５Ｖ 高周波電力 ：５Ｗ ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 堆積条件 ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 高周波電力 ：１００Ｗ 温度 ：４５１℃ Ａｒガス圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 成長時間 ：２０ｍｉｎ 膜厚 ：０．２μｍ ターゲット電流電位：−１５０Ｖ 基体直流電位 ：＋２０Ｖ 多孔質上に、低欠陥のＳｉ単結晶膜を成長させるとがで
きた。低欠陥とは、透過電子顕微鏡による断面ＴＥＭ観
察やＳｅｃｃｏエッチングによる観察で欠陥が確認され
ない程度の低欠陥をいう。さらにこの基体温度では、多
孔質層の変質は確認されなかった。この全工程は１６５
分であった。さらに界面に存在する炭素量はランプ照射
をしなかった場合は１０13ａｔｍ／ｃｍ2 で、照射をし
た場合は１０12ａｔｍ／ｃｍ2 に減少した。
【００３６】（実施例２）５２５ミクロンの厚みを持っ
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
【００３７】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【００３８】電流密度 ：５（ｍＡ・ｃｍ-2 ） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：
１：１ 時間 ：１０（分） 多孔質Ｓｉの厚み：１０（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をスパッタ装置のロー
ドロック室に導入した。導入後の真空度は１０-7Ｔｏｒ
ｒであった。次いでＸｅランプで５０分間５００℃で照
射し脱ガスした。照射後には最大５×１０-5Ｔｏｒｒま
で真空度は悪くなり、その後徐々に真空度が高まり、５
０分後には３×１０-8Ｔｏｒｒとなった。Ｘｅランプ照
射を止めると真空度は６×１０-9Ｔｏｒｒとなった。そ
の後、１度大気に出し、次いで堆積容器に搬入後該Ｐ型
（１００）多孔質Ｓｉ基体上に通常のＣＶＤ法によりエ
ピタキシャルＳｉ単結晶膜を３μｍ堆積させた。堆積条
件は以下の通りである。
１：１ 時間 ：１０（分） 多孔質Ｓｉの厚み：１０（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をスパッタ装置のロー
ドロック室に導入した。導入後の真空度は１０-7Ｔｏｒ
ｒであった。次いでＸｅランプで５０分間５００℃で照
射し脱ガスした。照射後には最大５×１０-5Ｔｏｒｒま
で真空度は悪くなり、その後徐々に真空度が高まり、５
０分後には３×１０-8Ｔｏｒｒとなった。Ｘｅランプ照
射を止めると真空度は６×１０-9Ｔｏｒｒとなった。そ
の後、１度大気に出し、次いで堆積容器に搬入後該Ｐ型
（１００）多孔質Ｓｉ基体上に通常のＣＶＤ法によりエ
ピタキシャルＳｉ単結晶膜を３μｍ堆積させた。堆積条
件は以下の通りである。
【００３９】 ソースガス ：ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ・・・５００ｓｃｃｍ キャリアガス：Ｈ2 ・・・１８０ ｌ／ｍｉｎ 基体温度 ：９５０℃ 圧力 ：８０Ｔｏｒｒ 成長時間 ：９ｍｉｎ 多孔質上に孔のふさがれた、低欠陥のＳｉ単結晶膜が成
長した。この工程はすべてを通じ、６５分間であった。
長した。この工程はすべてを通じ、６５分間であった。
【００４０】（実施例３）５２５ミクロンの厚みを持っ
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
【００４１】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【００４２】電流密度 ：５（ｍＡ・ｃｍ-2 ） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：
１：１ 時間 ：２（分） 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をロードロック室に導
入した。導入後の真空度は７×１０-8Ｔｏｒｒであっ
た。次いでハロゲンランプで２０分間照射し脱ガスし
た。照射後には最大８×１０-6Ｔｏｒｒまで真空度は悪
くなりその後徐々に真空度が高まり、５０分後には７×
１０-8Ｔｏｒｒとなった。ハロゲンランプ照射を止める
と真空度は９×１０-9Ｔｏｒｒとなった。その後ＭＢＥ
（分子線エピタキシー：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法により、単結晶Ｓｉ層を０．２μ
ｍ堆積させた。堆積条件は以下の通りである。
１：１ 時間 ：２（分） 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をロードロック室に導
入した。導入後の真空度は７×１０-8Ｔｏｒｒであっ
た。次いでハロゲンランプで２０分間照射し脱ガスし
た。照射後には最大８×１０-6Ｔｏｒｒまで真空度は悪
くなりその後徐々に真空度が高まり、５０分後には７×
１０-8Ｔｏｒｒとなった。ハロゲンランプ照射を止める
と真空度は９×１０-9Ｔｏｒｒとなった。その後ＭＢＥ
（分子線エピタキシー：ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法により、単結晶Ｓｉ層を０．２μ
ｍ堆積させた。堆積条件は以下の通りである。
【００４３】温度 ：８００℃ 圧力 ：１０-9Ｔｏｒｒ 成長時間：３５分 この結晶の欠陥を透過電子顕微鏡による断面ＴＥＭ観察
やｓｅｃｃｏエッチングによる観察で確認したが欠陥は
存在しなかった。この工程はすべてを通じて、１５０分
で行なうことができた。
やｓｅｃｃｏエッチングによる観察で確認したが欠陥は
存在しなかった。この工程はすべてを通じて、１５０分
で行なうことができた。
【００４４】（実施例４）５２５ミクロンの厚みを持っ
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
たＰ型（１００）単結晶Ｓｉ基体をＨＦ溶液中において
陽極化成を行なった。
【００４５】陽極化成条件は以下のとおりであった。
【００４６】電流密度 ：５（ｍＡ・ｃｍ-2 ） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2 Ｏ：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨ＝１：
１：１ 時間 ：２（分） 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をスパッタ装置のロー
ドロック室に導入した。導入後の真空度は７×１０-8Ｔ
ｏｒｒであった。次いで抵抗加熱法で脱ガスした。抵抗
加熱中は堆積容器も加熱され、最大１０-5Ｔｏｒｒまで
真空度は悪くなり、その後徐々に真空度が高まり、８０
分後には７×１０-8Ｔｏｒｒとなった。抵抗加熱を止め
ると真空度は６０分後に２×１０-8Ｔｏｒｒとなった。
その後スパッタ室に導入１時間後に、多孔質Ｓｉ基体上
にエピタキシャル層を厚さ０．２ミクロンで低温成長さ
せた。Ａｒ導入前の真空度は３×１０-9Ｔｏｒｒであっ
た。堆積条件は以下の通りである。 表面クリーニング条件 温度 ：３８５℃ 雰囲気 ：Ａｒ 圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 基体電位 ：５Ｖ ターゲット電位：−５Ｖ 高周波電力 ：５Ｗ ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 堆積条件 ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 高周波電力 ：１００Ｗ 温度 ：３８５℃ Ａｒガス圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 成長時間 ：２０ｍｉｎ 膜厚 ：０．２μｍ ターゲット電流電位：−１５０Ｖ 基体直流電位 ：＋３０Ｖ 多孔質上に、多孔質を継承した単結晶膜が成長した。さ
らにこの基板温度では多孔質層の変質は確認されなかっ
た。この全工程は２５０分であった。
１：１ 時間 ：２（分） 多孔質Ｓｉの厚み：２（μｍ） 空隙率 ：４０（％） 該Ｐ型（１００）多孔質Ｓｉ基体をスパッタ装置のロー
ドロック室に導入した。導入後の真空度は７×１０-8Ｔ
ｏｒｒであった。次いで抵抗加熱法で脱ガスした。抵抗
加熱中は堆積容器も加熱され、最大１０-5Ｔｏｒｒまで
真空度は悪くなり、その後徐々に真空度が高まり、８０
分後には７×１０-8Ｔｏｒｒとなった。抵抗加熱を止め
ると真空度は６０分後に２×１０-8Ｔｏｒｒとなった。
その後スパッタ室に導入１時間後に、多孔質Ｓｉ基体上
にエピタキシャル層を厚さ０．２ミクロンで低温成長さ
せた。Ａｒ導入前の真空度は３×１０-9Ｔｏｒｒであっ
た。堆積条件は以下の通りである。 表面クリーニング条件 温度 ：３８５℃ 雰囲気 ：Ａｒ 圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 基体電位 ：５Ｖ ターゲット電位：−５Ｖ 高周波電力 ：５Ｗ ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 堆積条件 ＲＦ周波数 ：１００ＭＨｚ 高周波電力 ：１００Ｗ 温度 ：３８５℃ Ａｒガス圧力 ：１５ｍＴｏｒｒ 成長時間 ：２０ｍｉｎ 膜厚 ：０．２μｍ ターゲット電流電位：−１５０Ｖ 基体直流電位 ：＋３０Ｖ 多孔質上に、多孔質を継承した単結晶膜が成長した。さ
らにこの基板温度では多孔質層の変質は確認されなかっ
た。この全工程は２５０分であった。
【００４７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
上記したような問題点及び上記したような要求に答え得
る半導体基板を製造する方法を提案することができる。
上記したような問題点及び上記したような要求に答え得
る半導体基板を製造する方法を提案することができる。
【００４８】本発明によれば基板を真空度中で加熱し、
その後加熱した部屋と別の部屋で該基板上に堆積を行な
うことにより成膜室内の汚染、及び膜中への不純物の取
り込み、多孔質層の変質、高真空領域への復帰の問題及
び、イオン照射における基板へのダメージの問題を生じ
ること無く多孔質層を含む基体を脱ガスし、その後膜を
形成することが可能となり、時間の大幅な短縮、不純物
汚染の改善に大きな効果がある。また、加熱する部屋か
ら堆積する部屋への搬送が真空中で行なわれると特に有
効であり、またこの方法は該堆積を行なう容器内での堆
積が堆積物以外の分子の分圧が１０-8Ｔｏｒｒ以下の超
高真空装置内で行なわれる時に有効である。
その後加熱した部屋と別の部屋で該基板上に堆積を行な
うことにより成膜室内の汚染、及び膜中への不純物の取
り込み、多孔質層の変質、高真空領域への復帰の問題及
び、イオン照射における基板へのダメージの問題を生じ
ること無く多孔質層を含む基体を脱ガスし、その後膜を
形成することが可能となり、時間の大幅な短縮、不純物
汚染の改善に大きな効果がある。また、加熱する部屋か
ら堆積する部屋への搬送が真空中で行なわれると特に有
効であり、またこの方法は該堆積を行なう容器内での堆
積が堆積物以外の分子の分圧が１０-8Ｔｏｒｒ以下の超
高真空装置内で行なわれる時に有効である。
【図１】本発明の実施に用いるバイアススパッタ装置の
一例を示す構成図である。
一例を示す構成図である。
【図２】多孔質Ｓｉ及び無孔Ｓｉ基体にＸｅランプを照
射した際のロードロック室の真空度の変化を示すグラフ
である。
射した際のロードロック室の真空度の変化を示すグラフ
である。
【図３】多孔質Ｓｉ基体のＸｅランプ照射有無の違いに
よるスパッタ室に導入した際の真空度変化を示すグラフ
である。
よるスパッタ室に導入した際の真空度変化を示すグラフ
である。
【図４】基体の光吸収係数を表すグラフである。
【図５】Ｘｅランプの波長分布を示すスペクトルであ
る。
る。
９１ 堆積容器 ９２ ターゲット ９３ 永久磁石 ９４ 基体 ９５ 基体支持具 ９６ 高周波電源 ９７ マッチング回路 ９８，９９ 直流電源 １００，１０１ ローパスフィルター ２０１ ロードロック室
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｍ 8122−4Ｍ 21/205
Claims (6)
- 【請求項１】 多孔質層を有する基体を真空容器内で加
熱して前記基体をクリーン化し、次いで前記基体を加熱
した容器と異なる容器内で該基体上にエピタキシャル成
長による堆積膜の形成を行なうことを特徴とする半導体
基板の製造方法。 - 【請求項２】 真空容器からエピタキシャル成長による
堆積膜の形成を行なう堆積容器への基体の搬送が真空中
で行なわれる請求項１に記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 基体の加熱方法がランプ加熱方法である
請求項１又は２に記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項４】 基体の主成分がＳｉである請求項１乃至
３のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項５】 ランプがＸｅランプである請求項１乃至
４のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。 - 【請求項６】 容器内でのエピタキシャル成長が、ソー
スガス以外の分子の分圧が１０-8Ｔｏｒｒ以下の超高真
空で行なわれる請求項１又は２に記載の半導体基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08077393A JP3241155B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08077393A JP3241155B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06293971A true JPH06293971A (ja) | 1994-10-21 |
| JP3241155B2 JP3241155B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=13727750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08077393A Expired - Lifetime JP3241155B2 (ja) | 1993-04-07 | 1993-04-07 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3241155B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689235A1 (en) * | 1994-06-23 | 1995-12-27 | Texas Instruments Incorporated | Porous dielectric material with improved pore surface properties for electronics applications |
| US6319852B1 (en) | 1995-11-16 | 2001-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Nanoporous dielectric thin film formation using a post-deposition catalyst |
| US6380105B1 (en) | 1996-11-14 | 2002-04-30 | Texas Instruments Incorporated | Low volatility solvent-based method for forming thin film nanoporous aerogels on semiconductor substrates |
| US6437007B1 (en) | 1995-11-16 | 2002-08-20 | Texas Instruments Incorporated | Aerogel thin film formation from multi-solvent systems |
| US6821554B2 (en) | 1995-11-16 | 2004-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Polyol-based method for forming thin film aerogels on semiconductor substrates |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
-
1993
- 1993-04-07 JP JP08077393A patent/JP3241155B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689235A1 (en) * | 1994-06-23 | 1995-12-27 | Texas Instruments Incorporated | Porous dielectric material with improved pore surface properties for electronics applications |
| US6319852B1 (en) | 1995-11-16 | 2001-11-20 | Texas Instruments Incorporated | Nanoporous dielectric thin film formation using a post-deposition catalyst |
| US6437007B1 (en) | 1995-11-16 | 2002-08-20 | Texas Instruments Incorporated | Aerogel thin film formation from multi-solvent systems |
| US6645878B2 (en) | 1995-11-16 | 2003-11-11 | Texas Instruments Incorporated | Low volatility solvent-based method for forming thin film nanoporous aerogels on semiconductor substrates |
| US6821554B2 (en) | 1995-11-16 | 2004-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Polyol-based method for forming thin film aerogels on semiconductor substrates |
| US6380105B1 (en) | 1996-11-14 | 2002-04-30 | Texas Instruments Incorporated | Low volatility solvent-based method for forming thin film nanoporous aerogels on semiconductor substrates |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP4718989B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-07-06 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3241155B2 (ja) | 2001-12-25 |
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