CN102386066A - 液处理装置、液处理方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液处理装置，其能够对基板处理中不使用的处理喷嘴进行维修，能够实现提高生产率和省空间化。该液处理装置包括：围绕铅直轴自由旋转的转动基体；在第一处理区域和第二处理区域的外侧以待机状态设置在所述转动基体上，并被所述第一处理区域和第二处理区域所共用，用于向基板供给各种不同的处理液的多个处理喷嘴；设置在所述转动基体上并且具备进退自如的喷嘴保持部，通过所述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴，并输送到从第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域的喷嘴输送机构，在待机部对待机的处理喷嘴进行维修。

Description

液处理装置、液处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及向基板供给处理液，对基板进行液处理的液处理装置、液处理方法和存储介质。
背景技术
在半导体制造工序的光刻工序中，向作为基板的半导体晶片(以下，称为晶片)的表面供给抗蚀剂等的各种各样的处理液。在进行该光刻工序的涂覆、显影装置上设置有供给各处理液的液处理装置。
作为液处理装置的一例，有抗蚀剂涂覆装置。该抗蚀剂涂覆装置例如具备用于涂覆抗蚀剂的涂覆处理部，该涂覆处理部具备保持晶片的保持部和包围上述保持部所保持的晶片的侧周、防止抗蚀剂的飞散的罩等。
为了提高生产率，上述涂覆处理部在抗蚀剂涂覆装置上设置多个，在各涂覆处理部上能够同时对晶片进行处理。为了减少成本和空间，有多个涂覆处理部共用供给抗蚀剂的喷嘴的情况。这种情况下，支撑在臂上的喷嘴，在横向排列的罩上，沿该罩的排列方向移动，向罩内的各晶片供给抗蚀剂。例如，专利文献1中记载了这样的抗蚀剂涂覆装置。
此外，近年来，随着半导体制品的多品种化，使用各种各样种类的抗蚀剂。因此，存在构成为在上述臂上安装供给各种不同种类的抗蚀剂的喷嘴，使各喷嘴一起移动的情况。但是，如果是这种结构，则在维修一个喷嘴的情况下，所有的喷嘴都移动到涂覆处理部的外部设置的待机区域，使停止处理。但是，存在这样进行一个喷嘴的维修期间，其他的喷嘴进行晶片的处理，以提高生产率的要求。
专利文献2中，记载了如下液处理装置，其包括：在多个罩的排列方向延伸的导轨；具有沿着导轨的长度方向移动的基部和多个喷嘴的喷嘴待机部；和在与基部的移动方向正交的方向进退的臂。该液处理装置，向各罩的面前侧导引基部和喷嘴待机部使其移动，并且上述臂的前端部从喷嘴待机部接受喷嘴，向罩上方移动，进行处理。但是，为了使得喷嘴待机部和基部向罩的面前侧移动，必须以靠在各罩的面前侧的方式设置上述导轨，因此具有增大装置的设置面积的问题。
此外，上述专利文献1中，3个罩设置为直线状。处理晶片时，从一端向另一端的罩跨过中间的罩移动，但是，处理喷嘴通过该罩上方时，处理液从处理喷嘴滴到上述晶片，有可能发生缺陷。结果，有可能造成成品率下降。
【专利文献1】日本特开2010-045185
【专利文献2】日本特开2010-34210(图1和图8)
发明内容
本发明考虑到上述事实而提出的，其目的在于提供一种液处理装置，其能够对基板的处理中不使用的处理喷嘴进行维修，提高生产率并且实现省空间化得技术。
本发明的液处理装置包括：
彼此在左右方向设置，用于水平配置各个基板，并通过来自喷嘴的处理液进行处理的第一处理区域和第二处理区域；
相对于这些第一处理区域和第二处理区域的并列设置在后方侧，并围绕铅直轴转动自如的转动基体；
在上述第一处理区域和第二处理区域的外侧以待机状态设置在上述转动基体上，被上述第一处理区域和第二处理区域所共用，用于向基板供给各种不同的处理液的多个处理喷嘴；
设置在转动基体上并且具备进退自如的喷嘴保持部，通过上述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴，并向从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域输送的喷嘴输送机构；和
使得转动基体旋转，以相对于上述转动基体，使从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域与喷嘴保持部的进退方向的前方侧相对的旋转驱动部。
本发明的液处理方法包括：
在彼此在左右方向设置的、用于通过来自喷嘴的处理液进行处理的第一处理区域和第二处理区域水平配置各个基板的工序；
使相对于这些第一处理区域和第二处理区域的并列设置在后方侧的转动基体围绕铅直轴转动的工序；
使上述转动基体上设置的、被上述第一处理区域和上述第二处理区域共用的多个处理喷嘴在上述第一处理区域和第二处理区域的外侧待机的工序；
从各处理喷嘴向基板供给各种不同的处理液的工序；
设置在上述转动基体上并且具备进退自如的喷嘴保持部，由上述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴的工序；
通过喷嘴输送机构将喷嘴保持部输送到从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域的工序；
通过旋转驱动部使转动基体转动，以相对于上述转动基体，使从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域与喷嘴保持部的进退方向的前方侧相对的工序。
本发明的存储介质存储对基板进行液处理的液处理装置中使用的计算机程序，
上述计算机程序用于实施上述液处理方法。
发明效果
根据本发明，包括：在第一处理区域和第二处理区域的外侧以待机状态设置在转动基体上的、被上述第一处理区域和第二处理区域所共用的多个处理喷嘴；和设置在上述转动基体上并对各处理区域自由进退的喷嘴保持部，将选择的处理喷嘴向各处理区域输送，因此能够对在基板处理中不使用的处理喷嘴进行维修。因此，能够抑制生产率降低。此外，没有必要设置跨过各处理区域对喷嘴保持部进行引导的导引部件，能够实现装置的省空间化。例如，本装置具有2个涂覆处理部，通过对应于期望的生产率设置多个这样结构的装置，喷嘴输送部件没有必要跨过涂覆处理部移动。因此，能够抑制从处理喷嘴向基板上滴下液体，抑制降低成品率。
附图说明
图1为本发明实施方式的抗蚀剂涂覆装置的俯视图。
图2为上述抗蚀剂涂覆装置的立体图。
图3为上述抗蚀剂涂覆装置的涂覆处理部的纵截侧视图。
图4为上述抗蚀剂涂覆装置的抗蚀剂供给部的侧视图。
图5为上述抗蚀剂供给部的主视图。
图6为图4的A-A箭头方向截面图。
图7为构成上述抗蚀剂供给部的臂和臂保持部的立体图。
图8为抗蚀剂供给喷嘴和调温水供给部的纵截侧视图。
图9为上述抗蚀剂供给喷嘴的立体图。
图10为上述调温水供给部的横截俯视图。
图11为表示上述抗蚀剂涂覆装置的动作的作用图。
图12为表示上述抗蚀剂涂覆装置的动作的作用图。
图13为表示上述抗蚀剂涂覆装置的动作的作用图。
图14为表示上述抗蚀剂涂覆装置的动作的作用图。
图15为表示上述抗蚀剂涂覆装置的动作的作用图。
图16为表示上述抗蚀剂涂覆装置的动作的作用图。
图17为表示交接抗蚀剂供给喷嘴的状态的说明图。
图18为表示交接抗蚀剂供给喷嘴的状态的说明图。
图19为表示交接抗蚀剂供给喷嘴的状态的说明图。
图20为表示进行维修的状态的说明图。
图21为表示进行维修的状态的说明图。
图22为其他的实施方式的抗蚀剂涂覆装置的俯视图。
图23为其他的实施方式的抗蚀剂涂覆装置的俯视图。
图24为其他的实施方式的抗蚀剂涂覆装置的概略俯视图。
图25为其他的实施方式的抗蚀剂涂覆装置的概略俯视图。
符号说明
1 抗蚀剂涂覆装置
11A、11B 涂覆处理部
12 旋转卡盘
15 罩
20 基板输送机构
21 筐体
31 转动台
32 基台
42 水平移动部
60 臂
61 臂保持部
68 喷嘴保持部
82 纯水供给喷嘴
83 稀释剂供给喷嘴
91 喷嘴待机部
151 控制部
具体实施方式
参照为俯视图、立体图的图1、图2对作为本发明的液处理装置的实施方式的抗蚀剂涂覆装置1进行说明。抗蚀剂涂覆装置1包括：2个涂覆处理部11和抗蚀剂供给部3，将作为基板的晶片W从前段的处理装置输送到上述涂覆处理部11。此外，抗蚀剂涂覆装置1具备包围2个涂覆处理部11和抗蚀剂供给部3的筐体21，筐体21的侧壁上设置2个输送口19。基板输送机构20通过这些输送口19，进入筐体21内，能够与涂覆处理部11之间交接晶片W。
涂覆处理部11A、11B彼此横向排列，具有相同结构。为了说明方便，从抗蚀剂供给部3观察，左右的涂覆处理部为11A、11B。参照表示涂覆处理部11A的纵截侧面的图3进行说明。涂覆处理部11具备旋转卡盘12和旋转驱动机构13。旋转卡盘12构成吸附晶片W的背面中央部以水平保持的基板保持部。旋转驱动机构13通过旋转轴14与旋转卡盘12连接，通过旋转驱动机构13，旋转卡盘12以保持晶片W的状态围绕铅直轴旋转。
在旋转卡盘12的周围设置有包围该旋转卡盘12上的晶片W的侧周的罩15。罩15内形成晶片W的处理区域。罩15的上方侧形成开口部10，罩15的底部侧设置有例如构成凹部状的受液部16。该受液部16上设置排液口17。此外，在受液部16设置有立起的排气管18，能够对罩15内的处理气氛进行排气。
图23为构成为升降自如的升降销，在罩15内设置3个(图3为了方便仅表示2个)。对应于向抗蚀剂涂覆装置1上输送晶片W的基板输送机构20的动作，升降机构24使升降销23升降，在上述基板输送机构20和旋转卡盘12之间交接晶片W。
接着，参照图4的侧视图和图5的主视图说明抗蚀剂供给部3。抗蚀剂供给部3设置在从涂覆处理部11A、11B间向筐体21的里侧的位置。具备扁平的圆形的转动基体31，在转动基体31上设置方板状的基台32。转动基体31的内部设置从动轮33，该从动轮33固定在转动基体31上。在转动基体31的附近设置主动轮34，主动轮34与构成转动驱动部的电动机35的输出轴连接。主动轮34和从动轮33上卷挂着带36，电动机35对主动轮34旋转驱动，使得带36转动，由此，使从动轮33转动。与从动轮33的转动联动的转动基体31，与基台32一起围绕铅直轴转动。转动基体31的转动中心和涂覆处理部11A的旋转卡盘12的转动中心的距离，与转动基体31的转动中心和涂覆处理部11B的旋转卡盘12的转动中心的距离相互相等。
朝向涂覆处理部11侧为前方侧，在基台32的后方侧设置横向延伸的导引部件41，导引部件41上设置水平移动部42。基台32的后端，在导引部件41的伸长方向设置主动轮44和从动轮43，主动轮44与电动机45的输出轴连接。主动轮44和从动轮43上卷挂着带46，带46上与上述水平移动部42连接。电动机45对主动轮44进行旋转驱动，带46转动。随着带46的动作，水平移动部42被导引部件41引导，沿水平方向移动。
图6为图4的A-A箭头向截面图。如这些图4和图6所示，从水平移动部42向着前方伸出支撑台47，在支撑台47上设置有主动轮48和对该主动轮48进行驱动的电动机49。此外，在水平移动部42上设置向上方延伸的支柱51，在该支柱51上设置支撑部件52。在支撑部件52上设置从动轮53，在主动轮48和从动轮53上卷挂带54。从动轮53与在铅直轴方向延伸的滚珠丝杠55连接，滚珠丝杠55与位于支撑部件52上方的支撑部件56螺合。
支撑部件56与后述的臂保持部61连接，臂保持部61与以上下方向延伸的方式设置在图4所示的支柱51的引导件57连接。通过电动机49旋转驱动主动轮48时，从动轮53与滚珠丝杠55一起围绕轴转动，臂保持部61沿着引导件57升降。
下面，对臂保持部61进行说明。臂保持部61形成上侧和前方侧开口的方形的箱状，前后构成为长尺的形状。图7表示臂保持部61的纵截侧面，如该图7所示，臂保持部61的内侧侧面的前后分别设置主动轮62、从动轮63。主动轮62与设置在臂保持部61的侧方的电动机64的输出轴连接。主动轮62和从动轮63上卷挂带65。此外，在臂保持部61的底部设置导引部件66。
臂保持部61内设置构成喷嘴输送机构并在前后方向较长的臂60。臂60的侧方设置与上述带65连接的连接部60a。图中60b为与导引部件66卡合的卡合部。由电动机64旋转驱动主动轮62，使带65转动时，臂60由导引部件66引导，以与水平移动部42的移动方向正交的方式前后移动。
臂60的背面的前端侧设置方形块状的流路形成部件67，在流路形成部件67的下方设置圆柱形的喷嘴保持部68。喷嘴保持部68表示在粗的箭头之前。臂60的前端设置前处理用喷嘴保持部81，在前处理用喷嘴保持部81的下方，在水平移动部42的移动方向设置纯水供给喷嘴82和稀释液供给喷嘴83。这些喷嘴82、83向下方开口。
图8中表示上述流路形成部件67和喷嘴保持部68的纵截侧视图。在流路形成部件67中形成空气流路69，空气流路69的上游侧连接配管71。配管71的上游侧分支、通过阀V1、V2，与空气供给源72、排气单元73连接。对于该配管71，在图8以外的图中为了方便省略图示。
喷嘴保持部68形成为中空，其内部空间74连接上述空气流路69的下游。喷嘴保持部68的侧周设置孔部75。在孔部75设置突片76，该突片76对应于内部空间74的压力在喷嘴保持部68的侧周突出没入。
返回图3和图4继续说明。转动基体31的前方侧从上依次叠层设置方形块状的喷嘴待机部91和调温水供给端口92。喷嘴待机部91具备在上方侧开口的11个孔部，孔部沿上述水平移动部42的移动方向排列。这些孔部作为后述的抗蚀剂供给喷嘴101的待机区域93而构成。如图4所示，待机区域93与流路94连接。在该流路94的上游侧通过配管95与上述稀释剂供给源87连接。配管95上存在阀V5。
在待机区域93的下侧设置立起的筒部96，筒部96内连接废液路径97。向流路94供给的稀释剂，与筒部96的外壁冲突，达到筒部96上，供给到在待机区域93待机的抗蚀剂供给喷嘴101。由此，上述抗蚀剂供给喷嘴101的喷嘴主体部103被清洗。此外，后述的虚拟分配时从抗蚀剂供给喷嘴101供给的抗蚀剂供给筒部96内，成为废液。
参照图8对抗蚀剂供给喷嘴101进行说明。抗蚀剂供给喷嘴101例如设置11个，分别供给不同种类的抗蚀剂。抗蚀剂供给喷嘴101具备方形的支撑部102、喷嘴主体部103。喷嘴主体部103设置在支撑部102的下方，在下方侧具备开口部104。
支撑部102上设置与上述开口部104连接的抗蚀剂流路105。形成调温水供给路径106，以包围该抗蚀剂流路105。调温水供给路径106从抗蚀剂流路105的上游侧向下游侧形成，在该下游侧折返，折返的流路是在调温水供给路径106的外侧向着该供给路106的上游侧形成。该折返流路为调温水排出路径107。
各抗蚀剂供给喷嘴101的抗蚀剂流路105上连接具有可挠性的抗蚀剂供给管108的一端。如图3所示，抗蚀剂供给管108的另一端与存储各个不同的抗蚀剂的抗蚀剂供给源109连接。图中的111，是抗蚀剂供给系统，包括设置在各抗蚀剂供给管108的气动阀112。从后述的控制部151向该抗蚀剂供给系统111发送信号，使各气动阀112独立开闭。由此，控制各抗蚀剂供给喷嘴101的抗蚀剂的供给和切断。
返回图8，支撑部102的上方侧形成上侧开口的凹部121，在凹部121的侧周面在横方向形成凹部122。上述喷嘴保持部68进入凹部121，从该喷嘴保持部68突出的突片76与凹部121卡合。由此，如图9所示，抗蚀剂供给喷嘴101通过喷嘴保持部68保持在臂60上。
接着，参照该调温水供给端口92的纵截侧面的图8和表示横截平面的图10对调温水供给端口92进行说明。在调温水供给端口92前后并列设置供给调温水的供给空间131和排出调温水的排出空间132，各空间131、132由隔壁134分开。上述抗蚀剂供给管108前后贯通这些供给空间131和排出空间132。供给空间131和排出空间132上分别连接调温水流通管133的一端和另一端，调温水流通管133上设置泵130和例如由热交换器构成的调温部135。
此外，设置有包围上述抗蚀剂供给管108的第一外管136、和包围该第一外管136的第二外管137。第一外管136从上述隔壁134向抗蚀剂供给喷嘴101的支撑部102延伸，第二外管137从调温水供给端口92的外壁向上述支撑部102延伸。第一外管136和第二外管137构成为具有可挠性。
抗蚀剂供给管108和第一外管136的间隙，构成为调温水供给路径138。该调温水供给路138的调温水供给端口92侧与供给空间131连接，抗蚀剂供给喷嘴101侧与调温水供给路径106连接。第一外管136和第二外管137的间隙构成调温水排出路径139。调温水排出路径139的调温水供给端口92侧与排出空间132连接，调温水供给路径138的抗蚀剂供给喷嘴101侧与调温水排出路径107连接。即，通过这些配管、供给路径和排出路径形成调温水循环路径，在调温部135调节了温度的调温水，通过泵130依次流过配管133→供给空间131→调温水供给路径138→调温水供给路径106→调温水排出路径107→调温水排出路径139→排出空间132，从排出空间132流入调温水流通管133。在调温部135再次调节温度。由此，流过抗蚀剂供给管108的抗蚀剂被调整为规定的温度。
如图10所示，调温水供给端口92的调温水的流路为对应于各抗蚀剂供给管108分叉的多歧管的结构。供给空间131、排出空间132由各抗蚀剂供给管108共用，供给到供给空间131的调温水被供给到各抗蚀剂供给管108周围形成的调温水供给路径138。图10中箭头表示调温水的流路。
虽然省略了图示，但上述纯水供给喷嘴82和稀释剂供给喷嘴83，与抗蚀剂供给喷嘴101同样，在纯水和稀释剂的流路的外侧形成调温水的供给路径和排出路径。此外，如图3所示，设置纯水供给源86、与纯水供给喷嘴82连接的配管84、稀释剂供给源87、与稀释剂供给喷嘴83连接的配管85。在这些配管84、85的外侧，与抗蚀剂供给管108同样也形成调温水供给路径，在其外侧形成与上述供给路径连接的调温水排出路径。图4中的84a、85a为形成上述调温水排出路径，而设置在配管84、85外侧的外管。86a为外管84a、85a的连接器。图中V3、V4为设置在上述配管84、85中的阀。图3以外的各图中，省略配管84、85的上游侧的图示。
如图1和图4所示，在2个罩15、15之间设置虚拟分配部141。虚拟分配部141构成为上侧开口的接受盘形状，其内部构成虚拟分配区域142。虚拟分配部141在抗蚀剂涂覆装置1不进行晶片W的处理的待机状态时，使纯水供给喷嘴82和稀释剂供给喷嘴83位于该虚拟分配部141的上方，在定期进行虚拟分配的情况下使用。虚拟分配区域142与排液管143连接，在虚拟分配区域142，从纯水供给喷嘴82和稀释剂供给喷嘴83喷出的各处理液经由排液管143进行排液。
在该抗蚀剂涂覆装置1上设置例如计算机构成的控制部151。控制部151具备程序、存储器、CPU构成的数据处理部等，上述程序中写入命令(各步骤)，以从控制部151向抗蚀剂涂覆装置1的各部输送控制信号，控制各电动机的驱动、阀的开关动作和升降销的升降等，进行后述的各处理工序。该程序(包括处理参数的输入操作或显示相关的程序)存储于计算机存储介质，例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)、存储卡等的存储介质，安装在控制部151上。
上述存储器中将晶片W的批次的ID与提高抗蚀剂的濡性用的前处理(前湿润)中使用的喷嘴、使用的抗蚀剂供给喷嘴101相互对应地进行存储。此外，在存储器中存储对每个抗蚀剂供给喷嘴101进行虚拟分配的时间和进行清洗处理的时间。虚拟分配是在抗蚀剂供给喷嘴101在喷嘴待机部91待机时，喷出抗蚀剂，除去抗蚀剂供给喷嘴101内或抗蚀剂供给管108内旧的抗蚀剂的动作。上述清洗处理是在抗蚀剂供给喷嘴101在喷嘴待机部91待机时，在待机区域93对抗蚀剂供给喷嘴101清洗的动作。
接着，参照图11～图16，说明通过该抗蚀剂涂覆装置1，在晶片W上涂覆抗蚀剂的工序。此外，适当地参照表示臂60的侧面的图17～图19。在本例中，通过基板输送机构20，按照涂覆处理部11A、11B的顺序交替输送晶片W。此外，在本例中，晶片W设定为通过纯水供给喷嘴82进行预湿润。首先，在处理前一批的晶片W之前，纯水供给喷嘴82在虚拟分配部141进行虚拟分配(图11(a))。然后，开始用于处理晶片W的动作。
使臂60的上升、后退和水平移动，如图17所示，喷嘴保持部68移动到对输送给涂覆处理部11A的晶片W进行处理的抗蚀剂供给喷嘴101上方(图11(b))。然后，臂60下降，如图18所示，喷嘴保持部68进入抗蚀剂供给喷嘴101的凹部121，突片76与设置在凹部121上的凹部122卡合。由此，喷嘴保持部68保持该抗蚀剂供给喷嘴101。
臂60保持着上述抗蚀剂供给喷嘴101并上升，其后，使转动基体31转动，臂60的前端朝向涂覆处理部11A。并且，该臂60的上升中和转动基体31的转动中，不通过水平移动部42使臂60进行横方向的移动。如果臂60朝向涂覆处理部11A，则如图19所示，使臂60前进，直到其前端位于涂覆处理部11A中的罩15的开口部10的外边缘上方而停止(图12(c))。此时，如图中的虚线所示，使臂60位于使得旋转卡盘12的中心P和进行预湿润的纯水供给喷嘴82的轴与臂60的进退方向偏移的位置。为了方便，该位置称为臂60的处理准备位置。
通过基板输送机构20将晶片W输送到涂覆处理部11A，通过该基板输送机构20和升降销23的协同作业，晶片W以相互的中心一致的方式交接到在旋转卡盘12上。接着，臂60前进，纯水供给喷嘴82位于晶片W的中心上方(图12(d))。晶片W围绕铅直轴旋转，并且从纯水供给喷嘴82向晶片W的中心部供给纯水。供给的纯水向晶片W的周边部扩散，提高晶片W的表面的抗蚀剂的濡湿性。
如果停止供给纯水，则使转动基体31转动，其后，臂60前进，保持在臂60上的抗蚀剂供给喷嘴101位于晶片W的中心上方(图13(e))从抗蚀剂供给喷嘴101将抗蚀剂供给晶片W的中心部。被供给的抗蚀剂，向晶片W的周边部扩散，在晶片W的整个表面涂覆抗蚀剂。
如果停止供给抗蚀剂，则使该臂60后退，以使臂60的前端退出到罩15外(图13(f))。接着，使转动基体31转动，以使臂60的前端朝向涂覆处理部11B，臂60的前端停止在该涂覆处理部11B的罩15的开口部10的外缘中的处理准备位置(图14(g))。此时，也与在涂覆处理部11A进行处理同样，臂60位于使得旋转卡盘12的中心P和进行预湿润的纯水供给喷嘴82的轴与臂60的进退方向偏离的位置。
以下，与在涂覆处理部11A中进行处理的情况相同，如果晶片W搬入涂覆处理部11B，则使臂60前进(图14(h))，向晶片W上依次进行预湿润、抗蚀剂涂覆处理。在涂覆处理部11B并行这些预湿润、抗蚀剂涂覆处理，在涂覆处理部11A，依次进行晶片W的旋转停止，由基板输送机构20和升降销23将晶片W搬出罩15外。
这样，在涂覆处理部11A、11B反复进行晶片W的处理。如果对一批中最后的晶片W进行处理，则臂60从罩15的外缘上继续后退，该臂60的前端的喷嘴保持部68位于喷嘴待机部91上方时，上述后退动作停止(图15(i))。然后，使臂60下降，所保持的抗蚀剂供给喷嘴101返回喷嘴待机部91时，喷嘴保持部68对抗蚀剂供给喷嘴101的保持进行解除。接着，使臂60上升后，在横方向移动，上述喷嘴保持部68位于处理下一个批次的抗蚀剂供给喷嘴101上方时，停止向上述横方向的移动(图15(j))。其后，使臂60下降，如上所述，保持抗蚀剂供给喷嘴101，与前一批次的处理时同样，移动到处理准备位置，继续进行处理(图16(k))。
晶片W的处理中，每经过对各抗蚀剂供给喷嘴所设定的时间，在喷嘴待机部91抗蚀剂供给喷嘴101进行喷出抗蚀剂的虚拟分配。图20表示进行该虚拟分配的状态。，对于清洗处理也与虚拟分配同样，每经过规定的时间就进行。图21表示向待机区域93供给稀释剂，对抗蚀剂供给喷嘴101进行清洗的状态。抗蚀剂供给喷嘴101保持在臂60上时，到达执行虚拟分配的时刻或进行清洗处理的时刻的情况下，例如，现在处理中的批次的处理结束，返回喷嘴待机部91，进行虚拟分配或清洗处理。
根据该抗蚀剂涂覆装置1，通过臂60保持抗蚀剂供给喷嘴101，对晶片W进行处理。与该晶片W的处理并行，对于在喷嘴待机部91待机的抗蚀剂供给喷嘴101，能够进行虚拟分配或清洗处理等的维修。因此，能够抑制维修带来的抗蚀剂涂覆装置1的生产率的降低。此外，与晶片W的处理并行，能够将在喷嘴待机部91待机的抗蚀剂供给喷嘴101的上游侧的抗蚀剂供给源109中存储的抗蚀剂更换称其他种类的抗蚀剂，并且继续从抗蚀剂供给喷嘴101喷出抗蚀剂，除去该喷嘴101和抗蚀剂供给管108中残留的旧的抗蚀剂。这样，能够抑制更换抗蚀剂时的生产率的降低。
此外，抗蚀剂涂覆装置1使转动基体31转动，使臂60朝向各涂覆处理部11A、11B，并使设置在转动基体31上的喷嘴待机部91移动。由此，臂60从喷嘴待机部91接受抗蚀剂供给喷嘴101，并且能够移动到涂覆处理部11A、11B上的处理位置。因此，不必为了使臂60和喷嘴待机部91移动到各涂覆处理部11A、11B上方，而跨过涂覆处理部11A、11B设置导引件，因此能够抑制抗蚀剂涂覆装置1的设置面积变大。
此外，因为如此排列2个罩，使抗蚀剂供给喷嘴101在其之间移动，所以例如在进行抗蚀剂涂覆后、抗蚀剂供给喷嘴101不需要跨过进行干燥等的晶片W的上方。因此，能够抑制处理液从抗蚀剂供给喷嘴101、纯水供给喷嘴82和稀释剂供给喷嘴83滴落处理中的晶片W上，因此能够抑制成品率降低。
此外，在本例中，直到向罩15内输送晶片W，臂60的前端在罩15的开口部10的外缘停止，纯水供给喷嘴82的纯水的喷出位置从旋转卡盘12的中心与臂60的前进方向偏离。晶片W搬入罩15内时，使臂60前进，进行预湿润。因此，能够迅速开始晶片W的处理，能够实现生产率的提高。在不进行预湿润的情况下，代替纯水供给喷嘴82，抗蚀剂供给喷嘴101在相同的位置待机，能够迅速对晶片W进行处理。进而，上述例子中，臂60相对于涂覆处理部11A、11B进退时，臂60不进行向抗蚀剂供给喷嘴101的排列方向的移动，因此能够防止与保持在臂60上的抗蚀剂供给喷嘴101连接的外管137相对于该外管137的伸长方向倾斜移动。因此，能够抑制与保持在臂60上的抗蚀剂供给喷嘴101连接的外管137与其他的外管137或装置1的结构物摩擦而劣化，或产生颗粒。
此外，上述例子中，从各抗蚀剂供给喷嘴101供给不同的化合物的抗蚀剂，也可以供给相同的化合物构成的抗蚀剂而各个的温度不同的抗蚀剂。从各处理喷嘴供给的“不同的处理液”是指，包括液体的种类不同的情况、和液体的种类相同但温度不同的情况等。
此外，上述实施方式中，对抗蚀剂供给装置进行说明，但本发明，能够适用于对于2个罩，从各个喷嘴供给多种处理液，进行液处理的装置和方法。具体而言，能够适用于清洗、蚀刻等的基板表面处理装置和基板表面处理方法。
并且，在上述例子中，在相同的筐体21内设置2个涂覆处理部11A、11B和1个抗蚀剂供给部3，但是，例如也可以如图22的结构。在该例中，在筐体21内还设置与涂覆处理部11A、11B同样结构的涂覆处理部11C、11D，在筐体21内，涂覆处理部11A～11D直线排列。抗蚀剂供给部3设置2个，一个抗蚀剂供给部3的转动基体31离开涂覆处理部11A、11B等距离设置，另一个抗蚀剂供给部31的转动基体3离开涂覆处理部11C、11D等距离设置。例如，与在各涂覆处理部11A～11D上方通过涂覆处理部11A～11D共用的抗蚀剂供给喷嘴101的结构相比，不会有抗蚀剂供给喷嘴101跨过处理晶片W中的罩，向其他罩移动的现象，因此，能够抑制在上述晶片W上落下抗蚀剂而引起的成品率的下降。
图23表示其他的抗蚀剂涂覆装置的例子。在该抗蚀剂涂覆装置中，由隔壁164将涂覆处理部11A的周围的空间161、涂覆处理部11B的周围的空间162、抗蚀剂供给部3的周围的空间163彼此分开。空间161和空间163之间形成开口部165，空间162和空间163之间形成开口部166。各开口部165、166上分别设置自由开闭这些开口部165、166的挡板167、168。涂覆处理部11A中进行晶片W的处理时，开口部165的挡板167打开，臂60进入空间161。此外，涂覆处理部11B中进行晶片W的处理时，开口部166的挡板168打开，臂60进入空间162。
除了如此进行涂覆处理部11A、11B的处理的情况之外，挡板167、168分别关闭。由此，抑制涂覆处理部11A、11B中的一方的气氛流入另一方的气氛。这样的结构，对于一个涂覆处理部的罩的气氛流入另一个涂覆处理部的罩而在另一个涂覆处理部的处理受到影响的情况是有效的。例如，在涂覆处理部11A、11B使用不同的抗蚀剂，各抗蚀剂成分相互起化学反应变质的情况下，使用这样的结构，能够更可靠抑制成品率降低。
上述实施方式中，通过纯水进行预湿润，但是使用稀释剂的情况也与使用纯水的情况相同，向晶片W的中心供给该稀释剂。此外，作为预湿润使用的处理液，也可以使用稀释剂和水的混合液，这种情况下，例如在预湿润用的处理液的供给源86、87中代替稀释剂和水而存储上述混合液，能够从喷嘴82、83向晶片W供给。此外，稀释剂和水中的任一方先从喷嘴喷出，接着，另一方从上述喷嘴喷向晶片W也可以。进而，也可以将稀释剂和水同时向晶片W的中心供给，将喷嘴82、83安装在喷嘴保持部81上使得这些的混合液能够供给到晶片W。
如图24所示，臂60也可以构成为多关节臂。但是，如上述各例那样，臂60构成为由各导引部件引导，在抗蚀剂供给喷嘴101的配置方向水平移动，并且从朝向各罩15的位置前进移动，由此，能够有效使得装置的制造成本降低。
此外，如图25所示，也可以在臂60的前进方向配置抗蚀剂供给喷嘴101。在旋转卡盘12的转动中心P和转动基体的转动中心Q的连接线上配置抗蚀剂供给喷嘴101。此外，预湿润用的纯水供给喷嘴82也可以位于该线上。这种情况下，臂只进行升降动作、前进动作，就能够将抗蚀剂供给喷嘴101输送到晶片W上方，进行处理。因此，可以不设置臂60的水平移动机构，所以能够实现制造成本的降低。

Claims (10)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：
第一处理区域和第二处理区域，彼此在左右方向设置，用于水平配置各个基板，并通过来自喷嘴的处理液进行处理；
转动基体，相对于这些第一处理区域和第二处理区域的并列，设置在后方侧，并围绕铅直轴转动自如；
多个处理喷嘴，在所述第一处理区域和第二处理区域的外侧以待机状态设置在所述转动基体上，被所述第一处理区域和第二处理区域所共用，并且用于向基板供给各种不同的处理液；
喷嘴输送机构，其设置在所述转动基体上并且具备自由进退的喷嘴保持部，通过所述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴，并向从所述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域输送；和
旋转驱动部，使转动基体转动，以相对于所述转动基体，使从所述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域与喷嘴保持部的进退方向的前方侧相对。
2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述第一处理区域的基板保持区域的中心和所述第二处理区域的基板保持区域的中心各自到转动基体的转动中心的距离相等。
3.如权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于：
所述转动基体具备使得所述处理喷嘴待机的待机部。
4.如权利要求1～3中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
设置有控制所述喷嘴保持部的动作的控制部，
第一处理区域和第二处理区域设置在上侧开口的罩内，
所述控制部执行：直到基板被输送到所述罩内，使保持处理喷嘴的喷嘴保持部移动到该罩的开口部的外缘之后，在该外缘停止的步骤，和将基板输送到罩内后，使喷嘴保持部向所述基板上方移动的步骤。
5.如权利要求1～4中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
所述多个处理喷嘴在与喷嘴保持部的进退方向正交的方向排列，
所述喷嘴保持部构成为，以能够移动到对应于所选择的处理喷嘴的位置的方式，在多个处理喷嘴的排列方向移动自如。
6.如权利要求5所述的液处理装置，其特征在于：
设置有控制所述喷嘴保持部和转动基体的动作的控制部，
所述控制部执行：
使喷嘴保持部在多个处理喷嘴的排列方向移动，将处理喷嘴交接到喷嘴保持部的步骤；
使转动基体转动，以使所述第一处理区域或所述第二处理区域位于保持处理喷嘴的喷嘴保持部的进行方向的步骤；和
使所述喷嘴保持部向第一处理区域或第二处理区域前进的步骤。
7.一种液处理方法，其特征在于，包括：
在彼此在左右方向设置，并用于通过来自喷嘴的处理液进行处理的第一处理区域和第二处理区域水平配置各个基板的工序；
使得相对于这些第一处理区域和第二处理区域的并列而设置在后方侧的转动基体围绕铅直轴转动的工序；
使设置在所述转动基体上的、被所述第一处理区域和所述第二处理区域共用的多个处理喷嘴在所述第一处理区域和第二处理区域的外侧待机的工序；
从各处理喷嘴向基板供给各种不同的处理液的工序；
设置在所述转动基体上并且具备进退自如的喷嘴保持部，由所述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴的工序；
通过喷嘴输送机构将喷嘴保持部输送到从所述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域的工序；
通过转动驱动部使转动基体旋转，以相对于所述转动基体使从所述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域与喷嘴保持部的进退方向的前方侧相对的工序。
8.如权利要求7所述的液处理方法，其特征在于：
第一处理区域和第二处理区域设置在上侧开口的罩内，
所述液处理方法具备：
直到基板输送到所述罩内，使保持处理喷嘴的喷嘴保持部移动到该罩的开口部的外缘的工序；
使喷嘴保持部停止在该开口部的外缘的工序；和
将基板输送到罩内后，使喷嘴保持部向所述基板上方移动的工序。
9.如权利要求7或8所述的液处理方法，其特征在于：
多个处理喷嘴在与喷嘴保持部正交的方向排列，
所述液处理方法具备：
使喷嘴保持部在多个处理喷嘴的排列方向移动的工序；
喷嘴保持部接受处理喷嘴的工序；
使转动基体转动，以使所述第一处理区域或所述第二处理区域位于保持有喷嘴的喷嘴保持部的进行方向的工序；和
使接受有处理喷嘴的喷嘴保持部前进至第一处理区域或所述第二处理区域的工序。
10.一种存储介质，其特征在于：
其存储有对基板进行液处理的液处理装置所使用的计算机程序，
所述计算机程序是用于实施权利要求7～9中的任一项所述的液处理方法的程序。
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