CN102376746A - 有机el装置、有机el装置的制造方法及电子设备 - Google Patents
有机el装置、有机el装置的制造方法及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102376746A CN102376746A CN2011102299404A CN201110229940A CN102376746A CN 102376746 A CN102376746 A CN 102376746A CN 2011102299404 A CN2011102299404 A CN 2011102299404A CN 201110229940 A CN201110229940 A CN 201110229940A CN 102376746 A CN102376746 A CN 102376746A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- organic
- pixel
- layer
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 201
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 45
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 37
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 26
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 description 38
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003864 performance function Effects 0.000 description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 7
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000010010 raising Methods 0.000 description 4
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000003872 anastomosis Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000013316 zoning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及有机EL装置及其制造方法和电子设备,该有机EL装置具备:基板(10);有机EL元件(50),其形成在基板(10)上,具有第1电极(52)、发光功能层(54)和具有透明导电性的第2电极(56),向第2电极(56)侧射出光;滤色器(90),其在有机EL元件(50)射出光的区域、即像素区域(42)中形成在第2电极(56)侧;和隔壁(44),其形成在像素区域(42)以外的区域、即遮光区域(43);滤色器(90)是红色滤色器(90R)、绿色滤色器(90G)和蓝色滤色器(90B)这3色滤色器(90)中任意的任意一个,3色滤色器(90)中的至少1种颜色的滤色器(90)构成隔壁(44)的至少一部分。
Description
技术领域
本发明涉及有机EL装置、有机EL装置的制造方法及电子设备。
背景技术
近年来,作为平面型的显示装置,将对阳极(第1电极)、至少包含有机EL(场致发光)层的发光功能层与阴极(第2电极)层叠而形成的有机EL元件规则地配置在图像显示区域内所构成的有机EL装置备受关注。而且,作为该有机EL装置的利用领域,目前开拓出移动电话机的显示画面、头戴式显示器(HMD)、电子取景器(EVF)等被要求小型化的领域。在该小型的有机EL装置中,为了降低有机EL元件与滤色器(color filter)的匹配偏差(matching deviation),可考虑采用将滤色器形成在形成有有机EL元件的基板的单片(on-chip)滤色器。
当在形成有有机EL元件的基板上形成滤色器时,提出一种将由金属构成的黑矩阵作为隔壁来使用的构成(例如参照专利文献1)。即,通过使Cr(铬)或Al(铝)等金属薄膜图案化(patterning)形成俯视呈网状(格子状)的隔壁,来降低有机EL元件的发光从相邻的其他有机EL元件的发光区域射出的现象。
[专利文献1]日本特开2010-027265号公报
然而,上述的有机EL装置在制造过程中额外需要金属薄膜的形成工序及图案化工序,存在相应地导致制造成本增加的课题。另外,存在担心对于耐热性低的有机EL元件有影响这一课题。
发明内容
本发明为了解决上述的课题的至少一部分而提出,能够以以下的方式或者应用例来实现。
[应用例1]本应用例所涉及的有机EL装置具备:基板;有机EL元件,其形成在上述基板上,具有第1电极、发光功能层和具有透明导电性的第2电极,该有机EL元件向上述第2电极侧射出光;滤色器,其在上述有机EL元件射出光的区域、即像素区域中形成在上述第2电极侧;和隔壁,其形成在上述像素区域以外的区域、即遮光区域;上述滤色器是使红色光透射的红色滤色器、使绿色光透射的绿色滤色器、使蓝色光透射的蓝色滤色器中的任意一个,上述3色滤色器中的至少1种颜色的上述滤色器构成上述隔壁的至少一部分。
根据这样的构成,与使用金属等遮光性材料通过其他途径形成隔壁的情况相比,能够减少薄膜形成工序以及图案化工序。因此,能够提高有机EL装置的可靠性。而且,制造成本也降低。
[应用例2]在上述的有机EL装置中,上述隔壁的至少上述基板侧由上述红色滤色器构成。
红色滤色器相对红色光以外的2个原色光、即绿色光与蓝色光具有高的遮光性。因此,根据这样的构成,能够充分降低从遮光区域射出的光,能够提高显示品质。
[应用例3]在上述的有机EL装置中,上述隔壁中的俯视下与上述像素区域相邻的部分的至少上述基板侧,由形成在各个上述像素区域的上述滤色器构成。
根据这样的构成,无需在相邻的像素区域间形成与形成在双方的像素区域的滤色器不同颜色的滤色器。因此,无需实施细密的图案化工序即可构成隔壁,能够进一步削减制造成本。
[应用例4]在上述的有机EL装置中,上述发光功能层为发出白色光的发光功能层,上述第2电极由半透过反射性材料构成,在上述基板与上述发光功能层之间形成有反射层,在上述第2电极与上述反射层之间形成有光共振构造。
根据这样的构成,在通过光共振构造强调了特定波长范围的光后,能够作为通过滤色器进一步提高了颜色纯度的光而射出。因此,能够省略发光功能层的图案化工序,进一步削减了制造成本。
[应用例5]在上述的有机EL装置中,在上述有机EL元件与上述滤色器之间形成有含有无机材料层的保护层。
由于无机材料层具有高的密封性,所以根据这样的构成,在滤色器的制造过程以及有机EL装置的完成后,能够保护有机EL元件。因此,能够提高有机EL装置的可靠性。
[应用例6]在上述的有机EL装置中,上述保护层是包含平坦化层与无机材料层的层,该平坦化层形成在上述有机EL元件侧且由有机材料构成,该无机材料层形成在上述滤色器侧。
根据这样的构成,能够通过无机材料层确保密封性,同时通过平坦化层能够消除与上述的光共振构造的形成相伴的阶梯差。因此,能够维持有机EL装置的可靠性,并且提高显示品质。
[应用例7]本应用例所涉及的电子设备的特征在于,具备上述的有机EL装置。
根据这样的构成,能够以低成本得到具有显示品质与可靠性提高了的显示部的电子设备。
[应用例8]本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法按如下记载的顺序依次实施下述工序:第1工序,在基板上的图像显示区域依次层叠岛状的第1电极、发光功能层和由透明导电性材料构成的第2电极来形成有机EL元件;第2工序,将上述图像显示区域划分为俯视下包含于上述第1电极的像素区域和上述像素区域以外的区域、即遮光区域,进而将上述像素区域划分为红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域这3种像素区域;第3工序,在上述红色像素区域与上述遮光区域形成红色着色层;和第4工序,在上述绿色像素区域形成绿色着色层,并且在上述蓝色像素区域形成蓝色着色层。
根据这样的制造方法,无需进行遮光性材料层的形成与图案化即可在相邻的像素区域间形成隔壁。因此,能够降低对于有机EL元件的影响以及削减制造成本,同时得到可进行彩色显示的有机EL装置。
[应用例9]在上述的有机EL装置的制造方法中,上述第4工序是在上述绿色像素区域与包围该绿色像素区域的环状区域形成上述绿色着色层,并且在上述蓝色像素区域与包围该蓝色像素区域的环状区域形成上述蓝色着色层的工序。
根据这样的制造方法,能够在绿色像素区域的周围的遮光区域以及蓝色像素区域的周围的遮光区域形成由含有红色着色层的2层透明着色层构成的隔壁。因此,能够得到进一步提高了显示品质的有机EL装置。
[应用例10]本应用例所涉及的有机EL装置的制造方法按如下记载的顺序依次实施下述工序:第1工序,在基板上的图像显示区域依次层叠岛状的第1电极、发光功能层和由透明导电性材料构成的第2电极来形成有机EL元件;第2工序,将上述图像显示区域划分为俯视下包含于上述第1电极的像素区域和上述像素区域以外的区域、即遮光区域,进而将上述像素区域划分为红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域这3种像素区域;第3工序,在上述红色像素区域与上述遮光区域中的与上述红色像素区域相邻的区域形成红色着色层;第4工序,在上述绿色像素区域与上述遮光区域中的与上述绿色像素区域相邻的区域形成绿色着色层;和第5工序,在上述蓝色像素区域与上述遮光区域中的与上述蓝色像素区域相邻的区域形成蓝色着色层。
根据这样的制造方法,无需进行遮光性材料层的形成与图案化即可在相邻的像素区域间形成隔壁。因此,能够降低对于有机EL元件的影响以及削减制造成本,同时得到可进行彩色显示的有机EL装置。
[应用例11]在上述的有机EL装置的制造方法中,上述第3工序是下述的工序:在上述红色像素区域和上述遮光区域中的与上述红色像素区域相邻的区域、以及在上述第4工序中不形成上述绿色着色层且在上述第5工序不形成上述蓝色着色层的区域形成上述红色着色层。
根据这样的制造方法,能够在遮光区域的整个区域形成至少一层的透明着色层。因此,能够减少从遮光区域射出光,能够得到进一步提高了显示品质的有机EL装置。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的有机EL装置的电路构成的图。
图2是表示有机EL装置的图像显示区域内的像素电极等的配置的方式的示意俯视图。
图3是表示有机EL装置的图像显示区域内的像素电极等的配置的方式的示意俯视图。
图4是表示第1实施方式的有机EL装置的Y方向的剖面的示意剖视图。
图5是表示第1实施方式的有机EL装置的X方向的剖面的示意剖视图。
图6是放大表示像素电极的外缘部的示意剖视图。
图7是表示滤色器的分光透过特性的图。
图8是第2实施方式所涉及的有机EL装置的示意俯视图。
图9是在第2实施方式所涉及的有机EL装置中,按照滤色器的每个颜色表示形成该滤色器的区域的图。
图10是表示第2实施方式所涉及的有机EL装置的X方向的剖面的示意剖视图。
图11是第3实施方式所涉及的有机EL装置的示意俯视图。
图12是表示第4实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的工序剖面图。
图13是表示第4实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的工序剖面图。
图14是表示第5实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的工序剖面图。
图15是表示第5实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的工序剖面图。
图16是表示将第1实施方式的有机EL装置作为部件进行组装的电子设备的图。
其中,附图标记说明如下:1…第1实施方式的有机EL装置,2…第2实施方式的有机EL装置,3…第3实施方式的有机EL装置,10…元件基板,11…对置基板,12…元件层,35…红色着色层,36…绿色着色层,37…蓝色着色层,42…像素区域,42B…蓝色像素区域,42G…绿色像素区域,42R…红色像素区域,43…遮光区域,44…隔壁,46…像素,46B…蓝色像素,46G…绿色像素,46R…红色像素,50…有机EL元件,52…作为第1电极的像素电极,52B…蓝色像素电极,52G…绿色像素电极,52R…红色像素电极,54…发光功能层,56…作为第2电极的阴极,61…第1层间绝缘膜,62…第2层间绝缘膜,63…反射层,64…反射层保护膜,67…第1接触孔,68…第2接触孔,71…半导体层,72…沟道区域,73…源极区域,74…漏极区域,75…栅电极,77…源电极,78…漏电极,79…栅极绝缘膜,80…阶梯差区域,81…第1阶梯差区域,82…第2阶梯差区域,90…滤色器,90B…蓝色滤色器,90G…绿色滤色器,90R…红色滤色器,92…平坦化层,93…密封层,94…保护层,95…外涂(overcoat)层,96…填充层,100…图像显示区域,102…扫描线,104…信号线,106…电源供给线,108…开关用TFT,110…保持电容,112…驱动用TFT,120…扫描线驱动电路,130…信号线驱动电路,140…同步信号线,260…头戴式显示器,261…绑带,262…光学系统收纳部,270…背面型投影仪,271…框体,273…合成光学系统,274…反射镜,275…反射镜,276…屏幕,280…前面型投影仪,281…光学系统,282…框体,283…屏幕。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法等进行描述。其中,在以下的各图中,为使各层、各部位形成为可在附图上识别的大小,使各层、各部位的比例尺与实际不同。
(第1实施方式)
图1是表示本实施方式所涉及的有机EL装置1的电路构成的图。其中,后述的各实施方式所涉及的有机EL装置的电路构成也与图1所示的构成相同。有机EL装置1是分别独立地控制规则形成的多个有机EL元件50的发光,在图像显示区域100形成彩色图像的有源矩阵型有机EL装置。在图像显示区域100形成有沿X方向延伸的多个扫描线102、以与该扫描线正交的方式沿Y方向延伸的多个信号线104和与该信号线平行延伸的多个电源供给线106。而且,在由上述3种布线围起的每一划分区域形成有像素46。
各个像素46具备:被经由扫描线102对栅电极供给扫描信号的开关用TFT(薄膜晶体管)108、保持经由开关用TFT108而从信号线104供给的图像信号的保持电容110、由保持电容110保持的图像信号被向栅电极供给的驱动用TFT112、和经由驱动用TFT112被从电源供给线106供给驱动电流的有机EL元件50。上述的各TFT使用了所谓的高温多晶硅工艺而形成。而且,各有机EL元件50构成为包括:作为第1电极的像素电极(阳极)52(参照图5)、形成于图像显示区域100的整个区域的作为第2电极的阴极56(参照图5)、和同样形成于图像显示区域100的整个区域的至少含有机EL层的发光功能层54(参照图3)。
像素46有射出红色光的红色像素46R、射出绿色光的绿色像素46G和射出蓝色光的蓝色像素46B共计3种,在图像显示区域100内规则地形成。具体而言,生成同一颜色的像素46沿Y方向排列,而在X方向上规则地形成有上述的3种像素46(R、G、B)。其中,像素46是由相关的诸多要素构成的功能性概念。另一方面,后述的像素区域42(参照图2等)是对能够射出(发出)红色光、绿色光、蓝色光3种原色光的任意光的最小单位区域进行表示的平面性概念。
在图像显示区域100的周边形成有扫描线驱动电路120及信号线驱动电路130。扫描信号根据由未图示的外部电路供给的各种信号从扫描线驱动电路120向扫描线102依次供给。而且,图像信号从信号线驱动电路130向信号线104供给,像素驱动电流从未图示的外部电路向电源供给线106供给。其中,扫描线驱动电路120的动作与信号线驱动电路130的动作通过经由同步信号线140从外部电路供给的同步信号实现相互同步。
当扫描线102被驱动、开关用TFT108处于接通状态时,此刻的信号线104的电位被保持电容110保持,根据保持电容110的状态来决定驱动用TFT112的电平。然后,经由驱动用TFT112从电源供给线106向像素电极52流过驱动电流,进而经由发光功能层54向阴极56流过驱动电流。发光功能层54根据驱动电流的大小发光。结果,具备该发光功能层的各个有机EL元件50、以及具备该有机EL元件的各个像素46根据该驱动电流的大小射出光。结果,在规则地形成有3种像素46(R、G、B)的图像显示区域100形成彩色图像。
各个像素46的发光色(3原色中任意颜色)如后所述,由使规定波长范围的光透射并遮挡其他波长范围的光的滤色器90(参照图3等)生成。因此,各个有机EL元件50在3种像素46(R、G、B)间相通。其中,在以下的记载中,当简单使用“像素46”时,意指上述3种像素46(R、G、B)的统称。
在本实施方式以及后述的各实施方式的记载中,对于作为像素46的构成要素的、滤色器90(参照图3)、像素区域42(参照图2)、像素电极52(参照图2)等也按照3种像素46(R、G、B)标注了R、G、B的附图标记。而且,当省略附图标记(R、G、B)而简单记载为如“滤色器90”时,与“像素46”同样是指统称。
由于各个像素46能够在规定的范围内生成任意强度的光(3原色光中的任意一种光),所以沿X方向排列的3个像素46的组合能够生成任意颜色(色度)的光。虽然也可以将该3个像素46的组合定义为“像素”,将上述各个像素46定义为“子像素”,但在本说明书中将能够生成3原色光的任意颜色的光的最小单位作为“像素46”。
图2~图7是表示本实施方式的有机EL装置1的构成等的图。图2是放大表示有机EL装置1的图像显示区域100内的示意俯视图。图4是表示图2的Y方向上的剖面的示意剖视图。图5是表示图2的X方向上的剖面的示意剖视图。图3、图6以及图7将在后面描述。以下,使用图2~图7对有机EL装置1的构成等进行描述。
图2是表示有机EL装置1的图像显示区域100(参照图1)内的像素电极52的等配置方式、以及红色滤色器90R的形成区域(所形成的区域)的示意俯视图。图3是表示有机EL装置1的图像显示区域100内的像素电极52等的配置方式、以及绿色滤色器90G的形成区域和蓝色滤色器90B的形成区域的示意俯视图。有机EL装置1以及后述的各实施方式的有机EL装置在包含后述的遮光区域43的图像显示区域100的整个面形成有至少1层滤色器90。
如图2以及图3所示,在图像显示区域100内规则地形成俯视呈方形的像素电极52。而且,在各个像素电极52中,像素区域42被划分成俯视下包含在该像素电极中。具体而言,在俯视图中,从像素电极52将占该像素电极的外缘部的具有若干宽度的环状区域除去后的区域为像素区域42。其中,如上所述,像素46(R、G、B)与像素电极52(R、G、B)一一对应。
图像显示区域100内不包含在像素区域42中的区域、即将相邻的像素区域42隔开的区域为遮光区域43。如上所述,像素区域42是包含在像素电极52的区域。因此,像素电极52的外缘部、即上述的环状区域包含在遮光区域43中。由于在有机EL装置1中,像素电极52形成为矩阵状,所以遮光区域43成为格子状。此外,像素电极52的配置方式并不局限于矩阵状,也可以为其他方式,例如可以是锯齿状的配置。
各像素区域42的尺寸为约14μm×约4μm。而且,将相邻的像素区域42间隔开的遮光区域43的宽度为约1μm。因此,像素区域42形成为中心间尺寸为约15μm×约5μm。如上所述,在本实施方式的有机EL装置1中,构成对各个有机EL元件50进行驱动的驱动用TFT112等的半导体层71(参照图4)由高温多晶硅工艺形成。因此,使得驱动用TFT112等元件小型化且小面积化。从而,能够在上述的约14μm×约4μm的小面积的像素区域42内形成构成一个像素46的开关用TFT108、保持电容110和驱动用TFT112。
像素区域42是射出在有机EL元件50内产生的发光的区域。上述的发光在通过滤色器90以及后述的光共振构造形成为符合3原色光中的任意一个的光后被射出。如上所述,在本实施方式的有机EL装置1以及后述的各实施方式的有机EL装置(以下称作“有机EL装置1等”)中,发光功能层54以及阴极56形成在图像显示区域100的整个面。因此,像素电极52的形成区域与产生发光的区域一致。
但是,如上所述,在有机EL装置1等中,同时采用光共振构造与滤色器90得到了3原色光。而且,由于在像素电极52的外缘部像素电极52的层厚存在偏差,所以共振长度变动。即,无法恰宜地形成光共振构造。结果,在该外缘部,将产生波长分布脱离3原色光的各个波长分布的光。因此,在有机EL装置1等中,将俯视图中从像素电极52除去了外缘部的区域定义为像素区域42,外缘部包含在遮光区域43中。
图2中被施以阴影的区域是红色滤色器90R的形成区域。而且,图3中被施以阴影的区域是绿色滤色器90G的形成区域与蓝色滤色器90B的形成区域。这里,对于滤色器的形成材料进行说明。有机EL装置1等的滤色器90通过使分散有颜料的负型丙烯等树脂、即透明着色层图案化而形成。
在各个滤色器90中混入有与各像素46的发光色对应的颜料。在红色滤色器90R中分散有使与红色光相当的波长范围的光、即波长为约610nm~约750nm的范围内的光透过,但吸收此外的波长范围的光的材料。在绿色滤色器90G中分散有使与绿色光相当的波长范围的光、即波长为约500nm~约560nm的范围内的光透过,但吸收此外的波长范围的光的材料。在蓝色滤色器90B中分散有使与蓝色光相当的波长范围的光、即波长为约435nm~约480nm的范围内的光透过,但吸收此外的波长范围的光的材料。
如图2所示,红色滤色器90R形成在除了绿色像素区域42G以及蓝色像素区域42B以外的整个区域。即,红色滤色器90R形成在遮光区域43的整个区域以及红色像素区域42R。另一方面,如图3所示,绿色滤色器90G以及蓝色滤色器90B与红色滤色器90R相比,形成在局部区域。具体而言,在俯视图中,绿色滤色器90G以及蓝色滤色器90B形成为与像素电极52(G、B)和包围该像素电极的规定宽度的环状区域(用外侧的双点划线表示)重叠。因此,绿色滤色器90G以及蓝色滤色器90B仅形成在对应的像素区域42(B、G)上和遮光区域43内的与像素区域42(B、G)邻接的区域、即包围该像素区域的环状的区域。
在有机EL装置1等中,滤色器90兼作隔壁44(参照图5等)。即,在有机EL装置1等中,隔壁44由滤色器90构成。其中,如段落3(第三段)等所描述那样,隔壁44是为了降低有机EL元件50的发光从除了像素区域42以外的区域射出而形成的要素。形成在图像显示区域100的整个区域的滤色器90中的不与像素区域42重叠的区域、即形成在遮光区域43的部分成为隔壁44。因此,滤色器90内形成在像素区域42的部分作为狭义的、即本来的滤色器90发挥功能。如上所述,滤色器90为透明着色层。也可以为将形成于图像显示区域100的整个区域的透明着色层中与像素区域42重叠的部分定义为滤色器90,将与遮光区域43重叠的部分定义为隔壁44。
在本说明书中,俯视图中不使用“44”的附图标记而全部使用“90”的附图标记。而且,在剖视图中,对广义的滤色器中的形成于遮光区域43而发挥隔壁功能的部分标注了“44(90)”的附图标记。并且说明书中的记载为“隔壁44”。
如图2所示,红色滤色器90R形成于红色像素区域42R以及遮光区域43的整个区域。即,形成为直至绿色像素区域42G以及蓝色像素区域42B的外周线。而且,在有机EL装置1中,红色滤色器90R比其他两种滤色器90(G、B)先形成。因此,在包围绿色像素区域42G的环状区域形成有下层(元件基板10侧)为红色滤色器90R、上层为绿色滤色器90G的层叠体。同样,在包围蓝色像素区域42B的环状区域形成有下层(元件基板10侧)为红色滤色器90R、上层为蓝色滤色器90B的层叠体。另一方面,在包围红色像素区域42R的环状区域仅形成有红色滤色器90R。
本发明的各实施方式所涉及的有机EL装置1等,通过由滤色器90构成隔壁44,从而无需通过其他途径形成分散有黑色颜料等的透明树脂、或由Al等金属材料构成的黑色矩阵,降低了从除了像素区域42以外的区域射出发光的情况。因此,光刻工序、即成膜工序与图案化工序即湿式蚀刻工序降低了至少一次。结果,降低了对耐腐蚀性、耐热性低的有机EL元件50施加的负荷,有助于有机EL装置的可靠性提高。
并且,在本实施方式所涉及的有机EL装置1中,通过在遮光区域43的整个区域形成红色滤色器90R,还能应对在像素电极52的外缘部的共振长度的变动,提高了显示品质。
图4是表示有机EL装置1的Y方向的剖面的示意剖视图。具体而言,是将图2中的A-A′线的剖面、B-B′线的剖面和C-C′线的剖面接合进行表示的图,是将沿X方向排列的3种像素46(R、G、B)的剖面接合进行表示的图。其中,本图中对于开关用TFT108与保持电容110省略了图示。以下,从元件基板10侧开始按顺序进行说明。
元件基板10由石英玻璃构成。有机EL装置1等是向与元件基板10侧相反一侧射出光的顶部发光型的有机EL装置。因此,元件基板10不需要透明性。但是,元件基板10还作为由高温多晶硅工序形成驱动用TFT112等时的基体发挥功能。因此,需要耐热至约1000度,并且在该加热时不会析出杂质。为了满足该条件,使用了石英玻璃作为元件基板10。
在元件基板10的对置基板11侧的面上,以与每3种像素46(R、G、B)对应的方式形成了驱动用TFT112。如上所述,开关用TFT108等被省略图示。在以下的记载中,将该对置基板11侧称为“上面”、“上方”或“上侧”。
驱动用TFT112包括:由多晶(poly)硅构成的半导体层71、栅极绝缘膜79和栅电极75。作为半导体层71的构成材料的多晶硅如上所述通过高温工序形成,迁移率等提高。栅电极75由Al(铝)等构成,通过使与上述的扫描线102相同的层图案化而形成。栅极绝缘膜79由SiOn(氧化硅)或SiNn(氮化硅)或SiOmNn(氮氧化硅)构成,且形成在图像显示区域100的整个面。
半导体层71由作为与栅电极75对置的部分的沟道区域72、作为该沟道区域的两侧区域的源极区域73以及漏极区域74构成。在驱动用TFT112的上表面形成了由SiOn等构成的第1层间绝缘膜61。在第1层间绝缘膜61的与上述的源极区域73以及漏极区域74重叠的区域(选择性除去该第1层间绝缘膜)形成了第1接触孔67。而且,以埋设于该第1接触孔的方式形成了源电极77以及漏电极78。
在源电极77以及漏电极78的上表面形成由SiOn等构成的第2层间绝缘膜62。而且,在漏电极78的上表面选择性地除去该第2层间绝缘膜而形成了第2接触孔68。而且,俯视下在除了该第2接触孔的形成区域及其周围的若干区域以外的区域形成有反射层63。反射层63通过使由Al等反射性高的金属材料层图案化而形成。各反射层63被由SiOn等无机材料构成的反射层保护层64覆盖。而且,在各反射层63的上表面隔着该反射层保护层形成有像素电极52。
像素电极52由ITO(氧化铟锡合金)等透明导电性材料构成,且经由第2接触孔68与漏电极78连接。因此,像素电极52与驱动用TFT112导通,能够将从电源供给线106供给来的驱动电流向后述的发光功能层54供给。
如图所示,有机EL装置1的像素电极52的层厚因像素46的发光颜色而各异。具体而言,红色像素46R的红色像素电极52R的层厚为约100nm,绿色像素46G的绿色像素电极52G的层厚为约60nm,蓝色像素46B的蓝色像素电极52B的层厚为约20nm。该层厚之差是为了利用共振(共振现象)来强调规定波长分布的光而设定的。即,像素电极52的层厚、发光功能层54的层厚与反射层保护层64的层厚之和被设定为恰当的长度,以便强调各个像素46应该射出的波长范围的光。
像素电极52通过反复进行共计3次光刻工序、具体为ITO薄膜的成膜工序与图案化工序的组合而形成。
第一次的光刻工序是在将膜厚40nm的ITO薄膜形成在元件基板10上的整个面后,在第2接触孔68的附近的区域以及将来形成红色像素电极52R的区域残留该薄膜,而从其他区域选择性除去该薄膜的工序。
第二次的光刻工序是在将膜厚40nm的ITO薄膜形成在元件基板10上的整个面后,在第2接触孔68的附近的区域、将来形成红色像素电极52R的区域以及将来形成绿色像素电极52G的区域残留该薄膜,并从其他区域选择性除去该薄膜的工序。
第三次的光刻工序是在将膜厚20nm的ITO薄膜形成在元件基板10上的整个面后,在第2接触孔68的附近的区域以及将来形成3种像素电极52(R、G、B)中的任意一个的区域残留该薄膜,并从其他区域选择性除去该薄膜的工序。
这里,由于ITO薄膜的图案化是通过WET蚀刻来进行的,所以像素电极52的外缘部的层厚逐渐减薄。另外,在红色像素46R以及绿色像素46G的像素电极52(R、G)中,因首先形成的ITO薄膜的端部导致产生阶梯差,无法将上述的共振长度形成为恰当的距离。因此,在有机EL装置1中,使该外缘部不包含在像素区域42而包含在遮光区域43中。而且,以与该外缘部俯视重叠的方式形成隔壁44,从而降低了射出不恰当的波长范围的光的情况。如上所述,隔壁44是滤色器90中形成在遮光区域43的部分。
另外,虽然有时如后所述,隔壁44由双层的滤色器90的层叠体构成,但在本图中,图示为全部由单层的滤色器90构成。
在像素电极52的上表面遍及图像显示区域100的整个区域形成有发光功能层54与阴极56。由像素电极52、发光功能层54和阴极56构成有机EL元件50。其中,在以下的记载中,将从元件基板10的上表面直至反射层63的下表面之间称作元件层12。
阴极56是由LiF(氟化锂)或Ca(钙)等构成的电子注入缓冲层(无附图标记)与导电层(无附图标记)的层叠体。而且,阴极56在图像显示区域100内的整个区域为同一电位,且在图像显示区域的外侧与形成在元件基板10上的阴极布线(未图示)导通。导电层由ITO或Al、AgMg(银-镁合金)等金属薄膜构成,具有半透过反射性、即使被照射的光的约50%透射、将其余部分反射的性质。因此,在反射层63与阴极56之间构成了微腔(microcavity)、即光共振构造。有机EL元件50能够利用该光共振构造使在发光功能层54内产生的白色光共振,并经由对置基板11将其射出。
发光功能层54是从元件基板10侧按顺序依次层叠下述5个层而形成的层,即:用于容易地从像素电极52注入空穴的空穴注入层、用于容易地将被注入的空穴输送给发光层的空穴输送层、通过通电即空穴与电子的结合而发光的有机EL层、用于容易地将从阴极56注入的电子输送给有机EL层的电子输送层、用于容易地从阴极56注入电子的电子注入层。
有机EL层是通过上述的结合而发出白色光的层,由低分子系有机EL材料或高分子系有机EL材料形成。如上所述,有机EL层在3种像素46(R、G、B)间相通。有机EL装置1等通过上述的光共振构造与滤色器90将白色光形成为3原色光中的任意光后将其射出。因此,作为功能性概念的像素46除了包括有机EL元件50、形成在元件基板10上的驱动用TFT112等元件外,还包括滤色器90。
在阴极56的上面隔着保护层94形成有滤色器90以及隔壁44。保护层94通过从元件基板10侧按顺序层叠由丙烯酸等有机材料构成的平坦化层92与由SiOn等无机材料构成的密封层93而形成。平坦化层92主要发挥使像素电极52的外缘部的阶梯差、以及相邻的像素电极52间的阶梯差降低的功能。密封层93主要发挥使水分或蚀刻液等浸入到有机EL元件50等的形成区域的现象降低的功能。
在滤色器90以及隔壁44的上面隔着外涂层95以及填充层96粘接有对置基板11。由于对置基板11具有透明性而不需要耐热性,所以可以由通常的玻璃或塑料等形成。有机EL装置1等由对置基板11、元件基板10、和形成在该一对基板间的各要素构成。并且,也可以在对置基板11的上表面配置偏光板等。
像素电极52被图案化成除了第2接触孔68的周边区域之外,俯视下处于反射层63中。因此,除了该周边区域以外,发光功能层54内产生的光在反射层63与阴极56之间共振,特定的波长范围的光在被强调后,透过阴极56而向滤色器90射出。然后,通过滤色器90将不含于3原色光的各个波长范围的光吸收,成为颜色纯度进一步提高了的光,从对置基板11侧射出。结果,在有机EL装置1的图像显示区域100中形成高品质的图像。
如上所述,由于在像素电极52的外缘部共振长度发生变动,所以可产生从作为目标的光的波长范围脱离的光。因此,在有机EL装置1等中,在俯视下包围滤色器90的周围的遮光区域43形成以该滤色器作为构成要素的隔壁44,降低了射出目标之外的光的情况。
图5是X方向的剖视图,是表示图2所示的D-D′线处的剖面的示意剖视图。在本图中,对形成在滤色器90的上方的外涂层95以及对置基板11等图示进行了省略。并且,将从元件基板10的表面到反射层63的各要素简化为元件层12(参照图4)来进行图示。其中,在以下的说明中,对于一部分的要素省略了记载。
如图所示,在阴极56的上方隔着将平坦化层92与密封层93层叠而构成的保护层94形成了滤色器90与隔壁44。如上所述,滤色器90由分散有颜料等的丙烯酸树脂、即透明着色层构成。该透明着色层能够通过改变被分散等的颜料而实现任意的颜色。即,能够得到使任意波长范围的光透过、吸收其他波长范围的光的透明着色层。
如上所述,滤色器90在像素区域42中发挥狭义的滤色器90的功能,在遮光区域43中作为隔壁44发挥功能。而且,在有机EL装置1中,红色滤色器90R(成为红色滤色器90R的透明着色层、即红色着色层)形成在遮光区域43的整个区域。因此,全部的隔壁44的至少一部分由红色滤色器90R构成。
具体而言,红色像素区域42R的周围的隔壁44仅由红色滤色器90R(附图标记为“44(90)”)构成。绿色像素区域42G的周围的隔壁44具有由下层的红色滤色器90R(附图标记为“44(90)”)与上层的绿色滤色器90G(附图标记为“44(90)”)构成的双层构造。蓝色像素区域42B的周围的隔壁44具有由下层的红色滤色器90R(附图标记为“44(90)”)与上层的蓝色滤色器90B(附图标记为“44(90)”)构成的双层构造。通过该构成,在有机EL装置1中,降低了因像素电极52的外缘部的共振长度的变动而产生的、从作为目标的光的波长范围脱离的光经由对置基板11被射出的现象。以下,对该像素电极52的外缘部的共振长度的变动等进行说明。
图6是放大表示像素电极52的外缘部的示意剖视图。图6(a)是放大表示图5所示的E部分、即红色像素电极52R的外缘部的图。图6(b)是放大表示图5所示的F部分、即绿色像素电极52G的外缘部的图。上述两个图都在反射层63的下层仅图示出第2层间绝缘膜62,而省略了从第2层间绝缘膜62到元件基板10的各要素的图示。另外,还省略了形成在阴极56的上层的各要素的图示。
如上所述,像素电极52将ITO的薄膜层叠而形成。因此,如图6(a)所示,在红色像素电极52R的外缘部(即包围红色像素区域42R的环状的区域)形成由第1阶梯差区域81与第2阶梯差区域82构成的阶梯差区域80。在第1阶梯差区域81中,红色像素电极52R由第二层的ITO薄膜与第三层的ITO薄膜的层叠体构成。在第2阶梯差区域82中,红色像素电极52R仅由第三层的ITO薄膜构成。
另外,如图6(b)所示,在绿色像素电极52G的外缘部(即包围绿色像素区域42G的环状的区域)形成阶梯差区域80。在阶梯差区域80中,绿色像素电极52G仅由第三层的ITO薄膜构成。
如图4所示,如果除了外缘部以及第2接触孔68的附近,则绿色像素电极52G通过第二层的ITO薄膜与第三层的ITO薄膜层叠而形成。该两层ITO薄膜的层厚被设定为合并该两层的层厚、发光功能层54的层厚和反射层保护层64的层厚之和、即合计的层厚成为能够通过共振来强调绿色光的厚度(长度)。另外,蓝色像素电极52B由第三层的ITO薄膜形成。第三层的ITO薄膜的层厚被设定为该第三层的ITO薄膜的层厚、发光功能层54的层厚和反射层保护层64的层厚之和、即合计的层厚成为可通过共振来强调蓝色光的厚度(长度)。
因此,在包围红色像素区域42R的规定宽度的环状区域,绿色光以及蓝色光通过共振被强调且经由阴极56向对置基板11(参照图4)侧射出。同样,在包围绿色像素区域42G的规定宽度的环状区域,蓝色光通过共振被强调且经由阴极56向对置基板11(参照图4)侧射出。另外,虽然在放大图中省略了提示,但在包围蓝色像素区域42B的规定宽度的环状区域中,通过蓝色像素电极52B的层厚的变动,主要使比蓝色光处于短波长侧的光被强调并射出。该情况下,红色滤色器90R(成为红色滤色器90R的透明着色层)由于具有高的对绿色光以及比该绿色光更靠短波长侧的光进行遮光(遮挡)的功能,所以能够充分发挥作为隔壁44的功能。
图7是按照R、G、B每个颜色表示成为滤色器90的、分散有颜料的负型感光性丙烯酸材料的波长-透过率特性、即分透光特性的图。如图所示,红色滤色器90R相对于绿色光以及蓝色光具有高的遮光性(截断(cutoff)特性)。因此,在使用3原色光形成彩色图像的有机EL装置中,通过以红色滤色器90R构成隔壁44,能够充分地降低非适宜的波长的光射出。“充分”是指与使用了由分散有黑色颜料等的树脂材料或Al等金属材料形成的隔壁44的情况相比,几乎不发生改变的程度。
另外,通过由滤色器90形成隔壁44,与由不同于滤色器90的材料通过其他途径形成隔壁44的情况相比,能够削减制造成本。因此,本实施方式的有机EL装置1能够在维持显示品质的基础上实现低成本化。而且,与由上述的材料等通过其他途径形成隔壁的情况相比,减少了至少一次的薄膜形成工序及图案化工序,因此也降低了对于有机EL元件50等的影响,还提高了可靠性。
(第2实施方式)
接下来,使用图8~10对作为本发明的第2实施方式所涉及的电气光学装置的有机EL装置进行说明。图8是表示第2实施方式所涉及的有机EL装置2的图像显示区域100(参照图1)内的像素46、像素电极52等的配置方式与形成滤色器90的区域的示意俯视图。本实施方式所涉及的有机EL装置2具有与第1实施方式的有机EL装置1相似的构成。元件层12等的构成相同,滤色器90以及隔壁44的构成、像素电极52的Y方向的间隔与有机EL装置1不同。因此,对于相通的构成要素标注相同的附图标记,并省略部分说明。并且,省略电路图以及Y方向的剖视图。
如图8所示,与上述的有机EL装置1相同,有机EL装置2具有在图像显示区域100内规则地形成的与3原色对应的3种像素46(R、G、B)。各个像素46具有像素电极52和俯视下收容在该像素电极内的像素区域42(以双点划线进行图示)。图像显示区域100内的像素区域42以外的区域为遮光区域43。由于像素电极52形成为矩阵状,所以遮光区域43的平面形状成为具有沿X方向延伸的带状的部分与沿Y方向延伸的带状的部分的格子状。
在图像显示区域100内的整个区域形成有至少一层的滤色器90。该滤色器为广义的滤色器90,是分散有红、绿、蓝中的任意一个颜料等的透明着色层。与上述的有机EL装置1相同,该透明着色层中形成于像素区域42的部分成为本来的(狭义的)滤色器90,形成于遮光区域43的部分成为隔壁44(参照图10)。
在有机EL装置2中,Y方向相邻的像素46间的间隔被形成为大于X方向相邻的像素46间的间隔。因此,遮光区域43中沿X方向延伸的部分的宽度比沿Y方向延伸的部分的宽度宽。当将各个像素46作为子像素、将3色的像素46(R、G、B)的集合定义为“像素”时,也可以靠考虑将相邻的“像素”的Y方向的间隔形成为比同一“像素”内的“子像素”间的间隔宽。而且,3色的滤色器90中的绿色滤色器90G与蓝色滤色器90B仅形成在对应的像素区域42与包围该像素区域的环状的区域。另一方面,红色滤色器90R还形成在遮光区域43中的将Y方向相邻的像素46间隔开的区域、即在X方向延伸的带状的区域。
图9是将本实施方式的有机EL装置2中的(广义的)滤色器90的形成区域按照该滤色器的每个颜色进行表示的图。图9(a)是表示红色滤色器90R的形成区域的图,图9(b)是表示绿色滤色器90G的形成区域的图,图9(c)是表示蓝色滤色器90B的形成区域的图。在本图中,由双点划线包围的方形的区域是在将各个像素46定义为“子像素”时包含一个“像素”的区域(范围)。因此,由该双点划线包围的区域是能够以任意的强度射出任意波长分布的光(即任意颜色的光)的最小的区域。
如图所示,绿色滤色器90G的形成区域和蓝色滤色器90B的形成区域与上述的第1实施方式所涉及的有机EL装置1中的该形成区域类似。即,形成为俯视下与像素电极52(G、B)和包围该像素电极的规定宽度的环状的区域重叠。但是,与有机EL装置1中的该形成区域不同,绿色滤色器90G与蓝色滤色器90B的形成区域,在双方的像素电极(G、B)俯视对置的区域中部分重叠。
另一方面,红色滤色器90R的形成区域与有机EL装置1中的该形成区域不同。即,红色滤色器90R未形成在绿色像素46G与蓝色像素46B沿X方向相邻的部分。另外,也不形成在与绿色像素区域42G以及蓝色像素区域42B相邻的区域。在像素46沿Y方向相邻的部分的遮光区域43、即遮光区域43中沿X方向延伸的部分,红色滤色器90R仅形成在中央部分,而不形成在两侧的部分。因此,在包围各个像素区域42(R、G、B)的环状的区域、即与各个像素区域42(R、G、B)相邻的区域形成了单层的滤色器90(R、G、B)。
该方式的(广义的)滤色器90与第1实施方式的有机EL装置1的滤色器90相比,具有容易形成的优点。由于无需将红色滤色器90R图案化成该红色滤色器的外周线与绿色像素区域42G的外周线或蓝色像素区域42B的外周线一致,所以降低了光刻工序的难易度。因此,本实施方式的有机EL装置2具有制造成本减少的效果。
图10是表示图8的E-E′线处的剖面的示意剖视图,是有机EL装置2在X方向的示意剖视图。如图所示,广义的滤色器90形成为完全覆盖对应的像素区域42(R、G、B),其中也包括包围该像素区域的环状的区域在内。而且,与像素区域42重叠的部分作为狭义的滤色器90发挥功能,像素区域42间的与遮光区域43重叠的部分作为隔壁44(附图标记为“44(90)”)发挥功能。因此,与上述的有机EL装置1同样减少了形成有机EL元件50后的光刻工序、即覆盖有机EL元件50的保护层94的上表面的成膜工序以及图案化工序。结果,降低了对耐腐蚀性、耐热性低的有机EL元件50施加的负荷,有助于有机EL装置的可靠性的提高。
另外,如图所示,本实施方式的有机EL装置2由狭义的滤色器90、即像素区域42上的滤色器90与隔壁44连续的透明着色层构成。即,只有隔壁44未通过其他途径形成,在X方向相邻的像素区域42间未形成细的图案。因此提高了滤色器90以及隔壁44相对保护层94的密合性,可靠性提高。
此外,在本实施方式的有机EL装置2中,绿色像素电极52G的外缘部的遮光性、即包围绿色像素区域42G的环状区域的遮光性成为问题。如上所述在包围绿色像素区域42G的环状区域,存在因共振长度的变动而使比绿色光处于短波长侧的光被强调的趋势。但是,如上述的图7所示,绿色滤色器90G(绿色着色层)对于红色滤色器90R稍微逊色但对于蓝色光具有充分的遮光性。因此几乎不对绿色像素46G的性能产生影响。因此,本实施方式的有机EL装置2与上述的效果相辅,充分地实现了低成本化与可靠性的提高。
(第3实施方式)
接下来,对本发明的第3实施方式所涉及的作为电气光学装置的有机EL装置进行说明。图11是表示第3实施方式所涉及的有机EL装置3的图像显示区域100(参照图1)内的像素46、像素电极52的配置方式和形成滤色器90的区域的示意俯视图。本实施方式所涉及的有机EL装置3具有与上述的有机EL装置1以及有机EL装置2相似的构成,仅(广义的)滤色器90以及隔壁44的构成不同。因此,对于相通的构成要素标注相同的附图标记,并省略部分说明,而且对电路图以及Y方向的剖视图省略了图示。另外,本实施方式所涉及的有机EL装置3在X方向的剖视图与图10所示的第2实施方式所涉及的有机EL装置2的剖视图大致相同。因此,仅使用图11的示意俯视图进行对本实施方式的有机EL装置3的说明。
如图11所示,有机EL装置3与上述的各实施方式的有机EL装置相同,具有在图像显示区域100内规则地形成的与3原色对应的3种像素46(R、G、B)。各个像素46与上述的有机EL装置1的像素46同样,在反射层63(参照图4)与阴极56(参照图4)之间具有光共振构造,像素电极52的层厚根据射出的光(的颜色)而形成。有机EL装置3中在发光功能层54(参照图10)内产生的白色光在通过该光共振构造与滤色器90而成为特定波长范围的光后射出。各个像素46具有像素电极52和俯视下收容在该像素电极内的像素区域42。相邻的像素区域42的间隔在X方向与Y方向上相同。因此,遮光区域43的宽度、即沿X方向延伸的带状部分的宽度与沿Y方向延伸的带状部分的宽度相同。
如图所示,有机EL装置3的滤色器90俯视下形成为沿Y方向延伸的带状。其中,本图中的滤色器90为广义的滤色器90。滤色器90的宽度、即X方向的尺寸超出像素电极52的X方向的间距(在本实施方式的有机EL装置3中为约5μm)。而且,滤色器90形成为沿Y方向延伸的中心线与对应的像素电极52的沿Y方向延伸的中心线大致一致。因此,在图11中被施以阴影的区域、即沿X方向相邻的像素电极52间的区域,层叠不同颜色的滤色器90。
因此,无论切断位置如何,有机EL装置3的X方向的剖视图都与图10所示的第2实施方式所涉及的有机EL装置2的剖视图大致相同。即,隔壁44(参照图10)的至少一部分通过将相互不同颜色的双层滤色器90层叠而形成。如上所述,滤色器90具有使与3原色光中的任意一个相当的波长范围的光透射,而吸收其他波长范围的光的功能。因此,不同色的双层滤色器90层叠而成的层对于宽波长范围的光具有吸收性,具有高遮光性。
本实施方式的有机EL装置3的特征在于,滤色器90由在像素电极52的X方向上具有比间距宽的宽度的带状图案的组合构成。由于未实施高精细的图案化,所以进一步减少了图案化工序的难易度。另外,由于能够将3种(3色)的滤色器90图案化成相同形状,所以能够实现光掩模在3种颜色中通用化。
而且,如上所述,由于将与不同颜色对应的像素区域42间分开的隔壁44的至少一部分通过层叠2色的滤色器90而形成,所以具有高遮光性。另外,由于滤色器90仅由沿Y方向延伸的带状部分构成,所以密合性进一步提高。因此,本实施方式的有机EL装置3在维持了显示品质以及可靠性的同时实现了进一步的低成本化。
(第4实施方式)
接下来,作为本发明的第4实施方式,对于作为电气光学装置的有机EL装置的制造方法进行说明。本实施方式的制造方法的对象为上述的第1实施方式所涉及的有机EL装置1。而且,本实施方式以及后述的第5实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的特征在于滤色器90的形成工序。构成元件层12的驱动用TFT112(参照图4)以及有机EL元件50(参照图4)等各要素通过公知的技术形成。因此,关于本实施方式以及后述的第5实施方式,从形成了保护层94的阶段开始进行说明。另外,对于上述的第1实施方式中所说明的构成要素省略部分说明的记载。在后述的第5实施方式中也同样如此。
图12以及图13是表示第4实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的工序剖面图。在上述的两个图中,与上述的图5相同,从元件基板10的表面直到反射层63的各要素被简化为元件层12(参照图4)来进行图示。其中,形成上述的有机EL元件50的工序是本实施方式中的第1工序。因此,在本实施方式的说明中,从第2工序的说明开始。此外,在实施了第1工序后、即有机EL元件50形成后,实施在该有机EL元件的上表面层叠平坦化层92与密封层93来形成保护层94的工序。以下,按工序顺序进行说明。
其中,在本实施方式以及后述的第5实施方式的说明所使用的附图(图12~图15)中,对于图案化后的透明着色层(35、36、37)标注了“44(90)”或者“90”的附图标记。
首先,作为第2工序,如图12(a)所示,将图像显示区域100内划分为像素区域42和作为该像素区域以外的区域的遮光区域43,该像素区域42是俯视下包含于像素电极52的区域,是有机EL元件50射出光的区域。而且,将像素区域42按照从该像素区域射出的光的颜色划分为红色像素区域42R、绿色像素区域42G和蓝色像素区域42B。
接着,作为第3工序,在红色像素区域42R与遮光区域43形成红色着色层35。首先,如图12(b)所示,在保护层94上的整个面形成红色着色层35。红色着色层35是由负型感光性丙烯酸构成的层,该丙烯酸中分散有红色的颜料、即可使波长为约610nm~约750nm的范围内的光透射,而吸收其余的波长范围的光的材料。接下来,通过光刻法对该红色着色层进行图案化,从除了红色像素区域42R以及遮光区域43这两个区域以外的区域选择性地除去该红色着色层。然后,对选择性残留的红色着色层35实施坚膜(post-baking)处理、即加热处理使之固化。如此一来,如图12(c)所示,仅在上述的两个区域残留红色着色层35。
如上所述,对图案化后的红色着色层35标注了“44(90)”或者“90”的附图标记。图案化后的红色着色层35相当于上述的第1~第3实施方式中的广义的红色滤色器90R。红色着色层35中残留于红色像素区域42R的部分作为红色滤色器90R发挥功能。而且,残留于遮光区域43的部分通过该红色着色层单层,或者以与其他颜色的透明着色层层叠的状态作为隔壁44发挥功能。其中,光刻法是对作为对象的薄膜按顺序实施曝光工序与蚀刻工序来图案化的方法。在本实施方式中,由于作为对象的薄膜为感光性丙烯酸,所以显影工序兼做蚀刻工序。
接着,作为第4工序,在绿色像素区域42G形成绿色着色层36,在蓝色像素区域42B形成蓝色着色层37。如上所述,绿色着色层36是分散有使波长为约500nm~约560nm的范围内的光透射,而吸收其余波长范围的光的材料的层,蓝色着色层37是分散有使波长为约435nm~约480nm的范围内的光透射,而吸收其余波长范围的光的材料的层,
首先,如图13(d)所示,在保护层94上(以及在先形成的红色滤色器90R上)的整个面形成绿色着色层36。然后,通过光刻法对该绿色着色层进行图案化,从除了绿色像素区域42G以及包围该绿色像素区域的环状区域这两个区域以外的区域选择性地除去该绿色着色层。然后,通过坚膜处理使图案化后的该绿色着色层固化,如图13(e)所示在上述的两个区域形成绿色着色层36。
其中,在上述的图案化时,由于形成在下层的红色滤色器90R以及隔壁44已经被固化,所以不会因蚀刻液(即显影液)而受损。
这里,上述的环状区域是从适当的像素区域42起连续、且不到达相邻的其他像素区域42的区域。因此,绿色着色层36被图案化为残留在俯视下包含绿色像素区域42G的岛状区域中。该残留的绿色着色层36中俯视下与绿色像素区域42G重叠的部分作为狭义的绿色滤色器90G发挥功能。而且,残留的绿色着色层36中与包围绿色像素区域42G的环状区域重叠的部分作为隔壁44发挥功能。在上述第3工序中,在绿色像素区域42G的周围直至该绿色像素区域的外周线残留有红色着色层35。因此,在上述的环状区域、即包围绿色像素区域42G的遮光区域43形成由下层的红色着色层35与上层的绿色着色层36构成的隔壁44。
接下来,如图13(f)所示,在保护层94上(以及在先形成的红色滤色器90R等上)的整个面形成蓝色着色层37。然后如图13(g)所示,通过光刻法对该蓝色着色层进行图案化,从除了蓝色像素区域42B以及包围该蓝色像素区域的环状区域这两个区域以外的区域选择性地除去该蓝色着色层。即,在蓝色像素区域42B以及包围该蓝色像素区域的环状区域残留蓝色着色层37。然后,通过坚膜处理,使图案化后的蓝色着色层37固化。图案化后的蓝色着色层37中俯视下与蓝色像素区域42B重叠的部分作为狭义的蓝色滤色器90B发挥功能。而且,残留的蓝色着色层37中与包围蓝色像素区域42B的环状区域重叠的部分作为隔壁44发挥功能。在上述第3工序中,在蓝色像素区域42B的周围直至该蓝色像素区域的外周线残留红色着色层35。因此,在上述的环状区域、即包围蓝色像素区域42B的遮光区域43形成由下层的红色着色层35与上层的蓝色着色层37构成的隔壁44。
通过以上的工序,在各像素区域42(R、G、B)形成滤色器90(R、G、B),在包围该像素区域的遮光区域形成1层或者双层的透明着色层(35、36、37)。该透明着色层(35、36、37)作为隔壁44发挥功能。其中,在形成红色滤色器90R后,可先进行绿色滤色器90G的形成与蓝色滤色器90B的形成中的任意一方。
根据本实施方式的制造方法,在各个像素区域42(R、G、B)形成滤色器90(R、G、B),在将相邻的像素区域42间分开的俯视呈格子状的遮光区域43形成隔壁44。而且,该隔壁中包围绿色像素区域42G的环状部分与包围蓝色像素区域42B的环状部分成为层叠有2层透明着色层的方式。透明着色层是吸收特定波长范围的光以外的光的层。因此,该层叠了2层透明着色层的构造具有高遮光性、即吸收较宽波长范围的光的功能。
根据本实施方式的制造方法,无需实施遮光性材料层的成膜工序及该遮光性材料层的图案化工序即可形成该具有高遮光性的隔壁44。即,无需实施成膜工序以及光刻工序中的作为加热处理以及湿式处理的显影处理等即可形成隔壁44。因此,能够降低上述的加热处理等对位于滤色器90与元件基板10之间的有机EL元件50造成的影响,能够制造出可靠性提高的有机EL装置。而且,由于能够减少成膜工序等的实施次数,所以能够制造出制造成本降低且该可靠性提高的有机EL装置。
(第5实施方式)
接下来,对作为本发明的第5实施方式所涉及的电气光学装置的有机EL装置的制造方法进行说明。图14以及图15是表示第5实施方式所涉及的有机EL装置的制造方法的工序剖面图。本实施方式的制造方法的对象是上述的第2实施方式所涉及的有机EL装置2。
在上述两个图中,与上述的图12、图13相同,将从元件基板10的表面直至反射层63的各要素简化为元件层12(参照图4)来进行图示。如上所述,对于本实施方式的制造方法,与上述的第4实施方式的制造方法的说明相同,在实施形成有机EL元件50的第1工序后,从在该有机EL元件的上表面形成有保护层94的阶段起按工序顺序进行说明。
首先,作为第2工序,如图14(a)所示,将图像显示区域100内划分为像素区域42和作为该像素区域以外的区域的遮光区域43,该像素区域42是包含于像素电极52的区域,是有机EL元件50射出光的区域。而且,将像素区域42按照从该像素区域射出的光的颜色划分为红色像素区域42R、绿色像素区域42G和蓝色像素区域42B。
接着,作为第3工序,在图9(a)所示的区域、即在红色像素区域42R及遮光区域43中与红色像素区域42R相邻的区域和沿Y方向延伸的带状部分(将沿Y方向相邻的像素区域42间分开的部分)的中央部分形成红色着色层35。首先,如图14(b)所示,在保护层94上的整个面形成红色着色层35。之后,通过光刻法对该红色着色层图案化,如图14(c)所示,在上述的区域(图9(a)所示的区域)残留红色着色层35。然后,对残留的红色着色层35进行坚膜处理使之固化。该固化后的红色着色层35中与红色像素区域42R重叠的部分作为(狭义的)红色滤色器90R发挥功能。
接着,作为第4工序,在绿色像素区域42G和遮光区域43中与绿色像素区域42G相邻的区域形成绿色着色层36。首先,如图15(d)所示,在保护层94上(以及在先形成的红色滤色器90R等之上)的整个面形成绿色着色层36。然后,通过光刻法对绿色着色层36图案化,如图15(e)所示,仅在上述的两个区域以外残留绿色着色层36。然后,对残留的绿色着色层36进行坚膜处理,使该绿色着色层固化。该固化后的绿色着色层36中与绿色像素区域42G重叠的部分作为(狭义的)绿色滤色器90G发挥功能。而且,与遮光区域43重叠的部分作为隔壁44发挥功能。
形成绿色着色层36的区域是形成有图9(b)中表示的广义含义下的绿色滤色器90G的区域。具体而言,是与绿色像素区域42G和包围该绿色像素区域的环状吻合的区域。该环状的区域是外缘部最终与其他颜色的滤色器90重叠的区域。即,是上述的外缘部在俯视下与蓝色像素区域42B对置的边上和在后述的第5工序中形成的(广义的)蓝色滤色器90B重叠的区域。而且,是在其他3条边上和在第3工序中形成的(广义的)红色滤色器90R重叠的区域。因此如图所示,图案化后的绿色着色层36在红色像素区域42R与绿色像素区域42G之间的遮光区域43的中央,与在先形成的红色着色层35的端部重合。
接着,作为第5工序,在蓝色像素区域42B和遮光区域43中与蓝色像素区域42B相邻的区域形成蓝色着色层37。首先如图15(f)所示,在保护层94上(以及在先形成的红色滤色器90R等上)的整个面形成蓝色着色层37。之后,通过光刻法对蓝色着色层37进行图案化,如图15(g)所示,仅在上述的两个区域以外残留蓝色着色层37。然后,对残留的蓝色着色层37进行坚膜处理来使之固化。该固化后的蓝色着色层37中与蓝色像素区域42B重叠的部分作为(狭义的)蓝色滤色器90B发挥功能。而且,与遮光区域43重叠的部分作为隔壁44发挥功能。
形成蓝色着色层37的区域是形成有图9(c)中所示的广义的蓝色滤色器90B的区域。具体而言,是蓝色像素区域42B和包围该蓝色像素区域的环状吻合的区域。该环状区域是外缘部与在先形成的广义的滤色器90重叠的区域。即,是上述的外缘部在俯视下与绿色像素区域42G对置的边上和在上述的第4工序中形成的绿色着色层36、即广义的绿色滤色器90G重叠的区域。而且,是在其他3条边上和在第3工序中形成的红色滤色器35、即广义的红色滤色器90R重叠的区域。因此如图所示,图案化后的蓝色着色层37在红色像素区域42R与蓝色像素区域42B之间的遮光区域43的中央,与在先形成的红色着色层35的端部重合。而且,在绿色像素区域42G和蓝色像素区域42B之间的遮光区域43的中央与在先形成的绿色着色层36的端部重合。
通过以上的工序,在各个像素区域42形成与该像素区域射出的光的颜色对应的(狭义的)滤色器90(R、G、B)。而且,在将相邻的该像素区域42分开的遮光区域43形成隔壁44。
根据本实施方式的制造方法,无需实施遮光性材料层的成膜工序及该遮光性材料层的图案化工序即可形成隔壁44。即,无需实施成膜工序以及光刻工序中的作为加热处理以及湿式处理的显影处理等即可形成隔壁44。因此,能够降低上述的加热处理等对位于滤色器90与元件基板10之间的有机EL元件50造成的影响,能够制造出可靠性提高的有机EL装置。而且,有机EL装置的制造成本也降低。
另外,根据本实施方式的制造方法,能够形成在遮光区域43内滤色器90的外缘部相互重合的隔壁44。由于在先形成的滤色器90的外缘部被后形成的滤色器90的外缘部覆盖,所以该构成的隔壁44的密合性提高。因此,能够形成滤色器90及隔壁44的可靠性都提高了的有机EL装置。
(电子设备)
图16是表示将上述的第1实施方式的有机EL装置1作为部件组装的各种电子设备的图。其中,除了上述的有机EL装置1之外,也可以将第2实施方式的有机EL装置2或第3实施方式的有机EL装置3用作部件。
图16(a)是表示在作为电子设备的头戴式显示器中的应用例的示意图。头戴式显示器260具备绑带261、光学系统收纳部262以及有机EL装置1。这样,有机EL装置1能够作为图像显示器进行利用。
图16(b)是表示在背面型投影仪中的应用例的示意图。背面型投影仪270在框体271中具备合成光学系统273、反射镜274、反射镜275、屏幕276以及有机EL装置1。这样,有机EL装置1能够作为图像显示器进行利用。
图16(c)是表示在前面型投影仪(便携式投影仪)中的应用例的示意图。前面型投影仪280在框体282中具备光学系统281以及有机EL装置1,能够将图像显示在屏幕283上。此外,当作为便携式投影仪进行使用时,如果取代屏幕283而朝向白墙壁进行放映,则可省略屏幕283,能够提供更易于携带的便携式投影仪。这样,有机EL装置1能够作为图像显示器进行利用。
如上所述,由于第1~第3实施方式所涉及的有机EL装置1~3减少了形成滤色器90所需的光刻工序,所以实现了低成本化以及可靠性的提高。因此,通过将该有机EL装置1~3应用到各种电子设备中,能够提供低价格且高品质的电子设备。
本发明的实施方式除了上述的各实施方式以外,还可以考虑各种变形例。以下,列举变形例进行说明。
(变形例1)
在上述各实施方式的有机EL装置(1~3)中,针对每一像素电极52对反射层63进行图案化。但是也可以是下述方式:在第2接触孔68的附近以外不对反射层63图案化,而形成在第2层间绝缘膜62上的近似整个面。根据这样的方式,能够减低像素区域42与遮光区域43之间的阶梯差。结果,能够提高滤色器90的层厚的均匀性,能够提高有机EL装置的显示品质。
(变形例2)
在上述各实施方式的有机EL装置(1~3)中,形成在有机EL元件50(具体为阴极56)与滤色器90之间的保护层94通过从有机EL元件50侧按顺序层叠由丙烯酸等有机材料构成的平坦化层92与由SiOn等无机材料构成的密封层93而形成。但是,保护层94的构成并不局限于该两层的层叠体。例如,也可以是还在平坦化层92与阴极56之间形成由无机材料构成的层。根据该构成,能够提高密封性等,能够提高有机EL装置的可靠性。
另外,也可以将密封层93设为由CVD等真空成膜法形成的层与由湿式成膜法形成的层的层叠体。由于平坦性提高,所以能够提高滤色器90的层厚的均匀性,能够提高显示品质。
(变形例3)
在上述各实施方式的有机EL装置(1~3)中,分开形成像素电极52与反射层63。但是,也可以是使像素电极52兼有反射层的构成。根据该构成,能够减少至少1次的成膜工序以及图案化工序,所以能够削减制造成本。
Claims (11)
1.一种有机EL装置,其特征在于,具备:
基板;
有机EL元件,其形成在上述基板上,具有第1电极、发光功能层和具有透明导电性的第2电极,该有机EL元件向上述第2电极侧射出光;
滤色器,其在上述有机EL元件射出光的区域、即像素区域中形成在上述第2电极侧;和
隔壁,其形成在上述像素区域以外的区域、即遮光区域;
上述滤色器是使红色光透射的红色滤色器、使绿色光透射的绿色滤色器、使蓝色光透射的蓝色滤色器这3色滤色器中的任意一个,
上述3色滤色器中的至少1种颜色的上述滤色器构成上述隔壁的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
上述隔壁的至少上述基板侧由上述红色滤色器构成。
3.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,
上述隔壁中的俯视下与上述像素区域相邻的部分的至少上述基板侧,由形成在各个上述像素区域的上述滤色器构成。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的有机EL装置,其特征在于,
上述发光功能层为发出白色光的发光功能层,
上述第2电极由半透过反射性材料构成,
在上述基板与上述发光功能层之间形成有反射层,
在上述第2电极与上述反射层之间形成有光共振构造。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的有机EL装置,其特征在于,
在上述有机EL元件与上述滤色器之间形成有含有无机材料层的保护层。
6.根据权利要求5所述的有机EL装置,其特征在于,
上述保护层是包含平坦化层与无机材料层的层,该平坦化层形成在上述有机EL元件侧且由有机材料构成,该无机材料层形成在上述滤色器侧。
7.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1~6中任意一项所述的有机EL装置。
8.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,按如下记载的顺序依次实施下述工序:
第1工序,在基板上的图像显示区域依次层叠岛状的第1电极、发光功能层和由透明导电性材料构成的第2电极来形成有机EL元件;
第2工序,将上述图像显示区域划分为俯视下包含于上述第1电极的像素区域和上述像素区域以外的区域、即遮光区域,进而将上述像素区域划分为红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域这3种像素区域;
第3工序,在上述红色像素区域与上述遮光区域形成红色着色层;和
第4工序,在上述绿色像素区域形成绿色着色层,并且在上述蓝色像素区域形成蓝色着色层。
9.根据权利要求8所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
上述第4工序是在上述绿色像素区域与包围该绿色像素区域的环状区域形成上述绿色着色层,并且在上述蓝色像素区域与包围该蓝色像素区域的环状区域形成上述蓝色着色层的工序。
10.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,按如下记载的顺序依次实施下述工序:
第1工序,在基板上的图像显示区域依次层叠岛状的第1电极、发光功能层和由透明导电性材料构成的第2电极来形成有机EL元件;
第2工序,将上述图像显示区域划分为俯视下包含于上述第1电极的像素区域和上述像素区域以外的区域、即遮光区域,进而将上述像素区域划分为红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域这3种像素区域;
第3工序,在上述红色像素区域和上述遮光区域中的与上述红色像素区域相邻的区域形成红色着色层;
第4工序,在上述绿色像素区域和上述遮光区域中的与上述绿色像素区域相邻的区域形成绿色着色层;和
第5工序,在上述蓝色像素区域和上述遮光区域中的与上述蓝色像素区域相邻的区域形成蓝色着色层。
11.根据权利要求10所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,
上述第3工序是下述的工序:在上述红色像素区域和上述遮光区域中的与上述红色像素区域相邻的区域、以及在上述第4工序中不形成上述绿色着色层且在上述第5工序中不形成上述蓝色着色层的区域形成上述红色着色层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010-180103 | 2010-08-11 | ||
JP2010180103A JP5459142B2 (ja) | 2010-08-11 | 2010-08-11 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102376746A true CN102376746A (zh) | 2012-03-14 |
CN102376746B CN102376746B (zh) | 2016-08-03 |
Family
ID=45564318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110229940.4A Active CN102376746B (zh) | 2010-08-11 | 2011-08-09 | 有机el装置、有机el装置的制造方法及电子设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8933623B2 (zh) |
JP (1) | JP5459142B2 (zh) |
KR (1) | KR101823962B1 (zh) |
CN (1) | CN102376746B (zh) |
TW (1) | TWI545743B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103794735A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-14 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置、有机el装置的制造方法、电子设备 |
CN108899354A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
CN109192759A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
CN109427999A (zh) * | 2017-08-29 | 2019-03-05 | 创王光电股份有限公司 | 发光元件 |
CN111029383A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示模组及其制备方法、oled显示装置 |
CN112447120A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
CN113466982A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-10-01 | 佳能株式会社 | 滤色器阵列、电子器件和滤色器阵列的制造方法 |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013073887A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Canon Inc | 表示装置 |
KR101400389B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2014-05-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
TWI463193B (zh) * | 2011-11-17 | 2014-12-01 | Au Optronics Corp | 彩色濾光片及液晶顯示器 |
TWI520398B (zh) | 2012-06-15 | 2016-02-01 | 群康科技(深圳)有限公司 | 有機發光裝置及包含其之影像顯示系統 |
US9035286B2 (en) * | 2013-02-19 | 2015-05-19 | Au Optronics Corporation | Multi-color light emitting diode and method for making same |
KR102037850B1 (ko) * | 2013-02-27 | 2019-10-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102021027B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2019-09-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
TWI515890B (zh) * | 2013-06-03 | 2016-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光顯示面板與其之製造方法 |
JP6318478B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
JP6221418B2 (ja) * | 2013-07-01 | 2017-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
TWI681559B (zh) | 2013-10-10 | 2020-01-01 | 日商精工愛普生股份有限公司 | 發光裝置及包含其之電子機器 |
JP2015146304A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | ソニー株式会社 | 表示装置、および電子機器 |
JP6318676B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器 |
JP6318693B2 (ja) | 2014-02-25 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
CN103943662B (zh) * | 2014-04-21 | 2017-03-15 | 上海和辉光电有限公司 | 全彩有机发光二极管结构及其制作方法 |
KR102193091B1 (ko) * | 2014-05-22 | 2020-12-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 낮은 반사율을 갖는 블랙 매트릭스를 구비한 평판 표시장치 및 그 제조 방법 |
US10886337B2 (en) | 2014-08-20 | 2021-01-05 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
KR102352283B1 (ko) * | 2014-11-03 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102308669B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2021-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
CN104701465A (zh) * | 2015-03-10 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 顶发射型有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
JP6696143B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2020-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器 |
CN105607368B (zh) * | 2016-01-04 | 2020-02-07 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
JP2017147059A (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR102457437B1 (ko) | 2016-03-31 | 2022-10-24 | 소니그룹주식회사 | 표시 장치 및 전자 기기 |
JP2018081799A (ja) | 2016-11-15 | 2018-05-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器 |
KR101801689B1 (ko) * | 2017-01-18 | 2017-11-27 | (주)이녹스첨단소재 | Oled 패널 하부 보호필름 및 이를 포함하는 oled 패널 |
CN106873236B (zh) * | 2017-04-11 | 2019-11-29 | 惠科股份有限公司 | 显示面板的制造方法和显示面板 |
KR102502221B1 (ko) * | 2017-08-08 | 2023-02-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색 변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US11985881B2 (en) * | 2018-06-29 | 2024-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, display device, input/output device, data processing device |
JP7378923B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2023-11-14 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、モジュール、カメラおよび機器 |
KR20200055846A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2020136145A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | キヤノン株式会社 | 有機el素子及び発光装置 |
KR20210028296A (ko) | 2019-09-03 | 2021-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210042216A (ko) * | 2019-10-08 | 2021-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111384141A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR20210152102A (ko) * | 2020-06-05 | 2021-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220126852A (ko) | 2021-03-09 | 2022-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11810956B2 (en) * | 2021-11-11 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | In-situ thermal annealing of electrode to form seed layer for improving FeRAM performance |
JPWO2023106050A1 (zh) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040079923A1 (en) * | 1999-09-24 | 2004-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting organic compound and EL display device utilizing the same |
US20060214579A1 (en) * | 2001-11-01 | 2006-09-28 | Sony Corporation | Display apparatus |
US20070123135A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Nam-Choul Yang | Method of fabricating Organic Light Emitting Diode (OLED) |
US20090153036A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Seiko Epson Corporation | Organic el device and electronic apparatus |
CN101740609A (zh) * | 2008-11-13 | 2010-06-16 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2823725B2 (ja) * | 1992-01-18 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | カラー薄膜elパネル |
US6004681A (en) * | 1996-08-02 | 1999-12-21 | The Ohio State University Research Foundation | Light-emitting devices containing network electrode polymers in electron blocking layer |
US8853696B1 (en) * | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
JP4731714B2 (ja) * | 2000-04-17 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
CN1656852A (zh) * | 2002-05-23 | 2005-08-17 | 富士电机控股株式会社 | 有机el显示器 |
TWI405496B (zh) * | 2004-12-13 | 2013-08-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件之封裝方法,及發光面板以及顯示面板之製造方法 |
JP4592473B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-12-01 | 三洋電機株式会社 | 発光パネルの製造方法、表示パネルの製造方法及び表示パネル |
JP2006339028A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
KR101252083B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP4858054B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2010027265A (ja) | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、その製造方法及び電子機器 |
JP5214360B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 色変換方式有機elディスプレイ |
CN102577610B (zh) * | 2009-11-10 | 2015-04-08 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示装置 |
-
2010
- 2010-08-11 JP JP2010180103A patent/JP5459142B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-04 US US13/198,089 patent/US8933623B2/en active Active
- 2011-08-05 KR KR1020110078030A patent/KR101823962B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-08 TW TW100128258A patent/TWI545743B/zh active
- 2011-08-09 CN CN201110229940.4A patent/CN102376746B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040079923A1 (en) * | 1999-09-24 | 2004-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting organic compound and EL display device utilizing the same |
US20060214579A1 (en) * | 2001-11-01 | 2006-09-28 | Sony Corporation | Display apparatus |
US20070123135A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Nam-Choul Yang | Method of fabricating Organic Light Emitting Diode (OLED) |
US20090153036A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-18 | Seiko Epson Corporation | Organic el device and electronic apparatus |
CN101740609A (zh) * | 2008-11-13 | 2010-06-16 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103794735A (zh) * | 2012-10-29 | 2014-05-14 | 精工爱普生株式会社 | 有机el装置、有机el装置的制造方法、电子设备 |
CN109427999A (zh) * | 2017-08-29 | 2019-03-05 | 创王光电股份有限公司 | 发光元件 |
CN108899354A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
CN108899354B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
CN109192759A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
US11037994B2 (en) | 2018-08-29 | 2021-06-15 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and method for manufacturing the same |
CN109192759B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示面板的制备方法 |
CN112447120A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置的制造方法及显示装置 |
CN111029383A (zh) * | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示模组及其制备方法、oled显示装置 |
CN113466982A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-10-01 | 佳能株式会社 | 滤色器阵列、电子器件和滤色器阵列的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI545743B (zh) | 2016-08-11 |
JP2012038677A (ja) | 2012-02-23 |
JP5459142B2 (ja) | 2014-04-02 |
TW201212223A (en) | 2012-03-16 |
CN102376746B (zh) | 2016-08-03 |
KR20120022609A (ko) | 2012-03-12 |
US20120038267A1 (en) | 2012-02-16 |
US8933623B2 (en) | 2015-01-13 |
KR101823962B1 (ko) | 2018-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102376746A (zh) | 有机el装置、有机el装置的制造方法及电子设备 | |
US9887246B2 (en) | Organic light emitting display panel and device with a black bank in a planarization layer | |
TWI619247B (zh) | Display device | |
JP5601025B2 (ja) | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 | |
US7498738B2 (en) | Organic EL element and organic EL panel | |
KR101625288B1 (ko) | 유기 el 표시 장치 | |
KR101288427B1 (ko) | 표시 기판 및 그 제조방법 | |
KR102409060B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR100544436B1 (ko) | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 | |
JP5116263B2 (ja) | カラーフィルタ基板、それの製造方法及びそれを含む表示装置 | |
US7687983B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
TWI233577B (en) | Organic EL device and liquid crystal display | |
JP5831100B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
KR101948207B1 (ko) | 백색 발광 소자, 이를 포함하는 백색 발광 패널, 백색 발광 패널의 제조 방법, 및 백색 발광 소자를 포함하는 표시 장치 | |
JP2002299044A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP3746046B2 (ja) | 有機電界発光素子とその製造方法 | |
JP2007220395A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
KR100567305B1 (ko) | 컬러 발광 표시 장치 | |
KR20150038982A (ko) | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 | |
WO2013099744A1 (ja) | 表示装置 | |
JP6492403B2 (ja) | 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器 | |
JP2011009093A (ja) | 有機el装置及び電子機器 | |
KR102563157B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 표시 장치 | |
KR102499080B1 (ko) | 유기발광다이오드표시장치 및 이의 제조방법 | |
KR20180013602A (ko) | 백색 발광층을 포함하는 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |