CN102374912A - 压力测定器 - Google Patents

压力测定器 Download PDF

Info

Publication number
CN102374912A
CN102374912A CN2011101814291A CN201110181429A CN102374912A CN 102374912 A CN102374912 A CN 102374912A CN 2011101814291 A CN2011101814291 A CN 2011101814291A CN 201110181429 A CN201110181429 A CN 201110181429A CN 102374912 A CN102374912 A CN 102374912A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pedestal
flexible film
silicon substrate
pressure
pressure tester
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011101814291A
Other languages
English (en)
Inventor
德田智久
住吉雄一朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Azbil Corp
Original Assignee
Azbil Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Azbil Corp filed Critical Azbil Corp
Publication of CN102374912A publication Critical patent/CN102374912A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14Housings
    • G01L19/147Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L7/00Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
    • G01L7/02Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
    • G01L7/08Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/02Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够准确测定压力的压力测定器。该压力测定器具备:承受压力的挠性膜(1);用于固定挠性膜(1)底面为圆形的凸部(12)的台座(2);以及与凸部(12)的圆形的底面接合的图1所示的固定部件(3)。挠性膜(1)可以由硅构成,将(100)面作为主面。此外,挠性膜(1)被配置成由设置有凹部(23)的硅基板(21)和设有凹部(24)的硅基板(22)所夹持。因此,挠性膜(1)隔着硅基板(22)被固定于台座(2)。

Description

压力测定器
技术领域
本发明涉及测定技术,涉及压力测定器。
背景技术
利用了半导体压电电阻效应的压力测定器,由于小巧、轻便且灵敏度高而广泛利用在机械设备等中(例如,参照专利文献1、2)。在这种压力测定器中,由半导体构成的振动片上设有应变计。当应变计因施加于振动片的压力而变形时,应变计的电阻值由于压电电阻效应而发生变化。从而,通过测定应变计的电阻值,能够测定出压力。
专利文献1:日本专利第3307281号公报
专利文献2:日本特开2006-170823号公报
在压力测定器中,在施加了除构成测定对象以外的外力的情况下,有时在构成零件的接合面产生应力集中,压力测定产生误差。此外,以往所提出的用于缓和应力集中的机构、构造复杂,还存在制造成本上升这样的问题。
发明内容
为此,本发明的目的在于提供一种能够缓和应力集中并准确地测定压力的压力测定器。
本发明的方式的压力测定器具备承受压力的挠性膜;固定挠性膜且设有底面为圆形的凸部的台座;以及与凸部的圆形的底面接合的固定部件。按照本发明的方式的压力测定器,固定部件隔着设置于台座的底面为圆形的凸部固定于台座。因此,在台座与固定部件的接合面上很难产生应力集中。
根据本发明,能够提供可准确测定压力的压力测定器。
附图说明
图1为本发明的实施方式所涉及的压力测定器的剖视图。
图2为本发明的实施方式所涉及的台座的仰视图。
图3为本发明的实施方式所涉及的第一硅基板的仰视图。
图4为本发明的实施方式所涉及的第二硅基板的俯视图。
图5为本发明的实施方式所涉及的玻璃基板的俯视图。
图6为本发明的实施方式所涉及的挠性膜的俯视图。
图7为本发明的实施方式的变形例所涉及的压力测定器的剖视图。
图8为本发明的其他实施方式所涉及的压力测定器的剖视图。
附图标号说明
1...挠性膜;2...台座;3...固定部件;12、224...凸部;13、14、27、28、33...贯通孔;21、22、201、222...硅基板;23、24...凹部;31...玻璃基板;51、52、53、54...电阻应变计;101...挠性膜的圆形部分;250...氧化硅膜。
具体实施方式
以下,说明本发明的实施方式。在以下附图的记载中,相同或类似的部分用相同或类似的标号表示。但附图只是示意性的,因此具体的尺寸等应参照以下的说明进行判断。此外,附图之间显然也包含彼此的尺寸关系或比率不同的部分。
如图1所示,实施方式所涉及的压力测定器具备承受压力的挠性膜1、固定挠性膜1且如图2所示设有底面为圆形的凸部12的台座2、与凸部12的圆形底面接合的图1所示的固定部件3。挠性膜1例如由硅构成,将(100)面作为主面。此外,挠性膜1被配置成由设有凹部23的硅基板21和设有凹部24的硅基板22所夹持。硅基板22被配置于台座2上。因此,挠性膜1隔着硅基板22被固定于台座2。
如图1及图3所示,在硅基板21上设有从凹部23的中心向上表面贯通的贯通孔27。如图1及图4所示,在硅基板22上设有从凹部24的中心向底面贯通的贯通孔28。
例如,图3所示的凹部23的外周和图4所示的凹部24的外周相叠合。如图1所示,硅基板21和硅基板22被配置成,凹部23的外周与凹部24的外周的横向位置一致。
在硅基板21上还可配置玻璃基板31。如图5所示,在玻璃基板31上设有与硅基板21的贯通孔27连通的贯通孔33。配置于图1所示的硅基板22的底面的台座2由玻璃(例如,TEMPAX(注册商标)玻璃)等构成。在台座2上设有与硅基板22的贯通孔28连通的贯通孔13。设有凸部12的台座2可通过例如切削或蚀刻而容易地制造。以与台座2的凸部12的底面接触的方式配置的固定部件3由不锈钢等构成。在固定部件3上设有与台座2的贯通孔13连通的贯通孔14。固定部件3为例如包围挠性膜1等的组件,并不限于板状。
覆盖挠性膜1的凹部23及凹部24的图6所示的圆形部分101,作为用于测定施加于上表面的压力与施加于底面的压力的压差的振动片发挥功能。在作为用于测定压差的振动片发挥功能的挠性膜1的圆形部分101上,以90°的间隔沿(110)方向设有四个电阻应变计51、52、53、54。挠性膜1由于压差而挠曲,电阻应变计51、52、53、54的电阻值发生变化。从而,通过计测电阻应变计51、52、53、54的电阻值而能够测定压差。例如,通过向由硅构成的挠性膜1注入杂质离子而形成电阻应变计51、52、53、54。
在以上说明的图1所示的压力测定器中,固定部件3与设置于台座2的图2所示的底面为圆形的凸部12接合而被固定。因此,在对固定部件3施加有外力的情况下,材料各不相同的台座2与固定部件3的接合面很难产生应力集中。从而,结合部很难被破坏。此外,在相同直径的情况下,圆形的接触面积比四边形的接触面积小,能够缩小发生应力自身,并且通过采取缩径构造,还能缩小向上部构造的应力传递。从而,图1所示的压力测定器,抑制了由于应力传递而可能产生的测定误差。此外,很难产生由上部构造的应力集中而引起的破损等。
(变形例)
图7所示的压力测定器与图1所示的压力测定器不同,在台座2及固定部件3上不设置贯通孔。因此,硅基板22的贯通孔28被台座2封闭。由于硅基板22的凹部24也被挠性膜1覆盖,所以硅基板22的凹部24及贯通孔28所形成的空间被封闭。此时,会对挠性膜1的底面施加一定的基准压力。因此,能够从测定出的压差,容易地求解出施加到挠性膜1的上表面的压力。
(其他实施方式)
如上所述地按照实施方式记载了本发明,但构成该公开的一部分的记述及附图不应理解为限定本发明。本领域的普通技术人员根据该公开显然可以想到各种代替实施方式、实施例及运用技术。例如,只要设置于台座的底面为圆形的凸部与固定部件接合,则压力测定器可以采用各种各样的形态。
例如,图8所示的压力测定器为从包含硅基板222、配置于硅基板222上的氧化硅膜250、及配置于氧化硅膜250上的硅基板201的SOI(Silicon on Insulator,绝缘衬底上硅)基板制造出来的。从SOI基板的硅基板222,通过蚀刻等而设置凹部224。设有凹部224的硅基板201部分实施薄膜化,作为承受压力的振动片发挥功能。在图8所示的结构中,设置在台座2的底面为圆形的凸部12也与固定部件3接合,所以能够缓和接合面中的应力集中。这样,应当理解本发明还包含此处未记载的各种实施方式等。

Claims (6)

1.一种压力测定器,其特征在于,具备:
挠性膜,该挠性膜承受压力;
台座,该台座固定上述挠性膜,并且设有底面为圆形的凸部;以及
固定部件,该固定部件与上述凸部的圆形的底面接合。
2.根据权利要求1所述的压力测定器,其特征在于,
上述台座由玻璃构成,上述固定部件由金属构成。
3.根据权利要求1或2所述的压力测定器,其特征在于,
上述台座隔着硅基板固定上述挠性膜。
4.根据权利要求3所述的压力测定器,其特征在于,
在上述硅基板上设置有被上述挠性膜覆盖的凹部。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的压力测定器,其特征在于,
上述挠性膜由硅构成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的压力测定器,其特征在于,
在上述挠性膜与上述台座之间设置有封闭空间。
CN2011101814291A 2010-07-07 2011-06-27 压力测定器 Pending CN102374912A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-154933 2010-07-07
JP2010154933A JP2012018049A (ja) 2010-07-07 2010-07-07 圧力測定器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102374912A true CN102374912A (zh) 2012-03-14

Family

ID=45437603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011101814291A Pending CN102374912A (zh) 2010-07-07 2011-06-27 压力测定器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120006129A1 (zh)
JP (1) JP2012018049A (zh)
KR (1) KR101238987B1 (zh)
CN (1) CN102374912A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103837287A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
CN103837286A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5897940B2 (ja) * 2012-03-14 2016-04-06 アズビル株式会社 圧力センサチップ
US9191707B2 (en) * 2012-11-08 2015-11-17 Bank Of America Corporation Automatic display of user-specific financial information based on audio content recognition
JP6018486B2 (ja) * 2012-11-19 2016-11-02 アズビル株式会社 差圧センサ
JP5970017B2 (ja) * 2014-03-31 2016-08-17 アズビル株式会社 圧力センサチップ
JP5970018B2 (ja) * 2014-03-31 2016-08-17 アズビル株式会社 圧力センサチップ
JP6034819B2 (ja) * 2014-03-31 2016-11-30 アズビル株式会社 圧力センサチップ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4406993A (en) * 1981-08-28 1983-09-27 Kulite Semiconductor Products, Inc. Oil filled pressure transducers
US5049421A (en) * 1989-01-30 1991-09-17 Dresser Industries, Inc. Transducer glass bonding technique
JP2000193548A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ及びその製造方法
US20050087020A1 (en) * 2003-08-29 2005-04-28 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Pressure sensor device and cell thereof
CN100498257C (zh) * 2003-08-20 2009-06-10 株式会社山武 压力传感装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57191529A (en) * 1981-05-20 1982-11-25 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor pressure to electricity transducer
JPH09101219A (ja) * 1995-10-06 1997-04-15 Toyota Motor Corp 圧力センサ
JPH09184779A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Matsushita Electric Works Ltd 圧力センサ
JPH11304612A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力検出装置
JP4273663B2 (ja) * 2001-01-11 2009-06-03 株式会社デンソー 半導体圧力センサの製造方法
JP3835317B2 (ja) * 2002-03-12 2006-10-18 株式会社デンソー 圧力センサ
KR200312978Y1 (ko) 2003-01-30 2003-05-16 이철규 다기능 압력계
US7055392B2 (en) * 2003-07-04 2006-06-06 Robert Bosch Gmbh Micromechanical pressure sensor
WO2005119194A1 (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Nagano Keiki Co., Ltd. 圧力センサモジュール、および圧力検出装置
EP1826543B1 (en) * 2006-02-27 2011-03-30 Auxitrol S.A. Stress isolated pressure sensing die
JP2011094966A (ja) * 2008-02-19 2011-05-12 Alps Electric Co Ltd 半導体圧力センサの製造方法
JP2011013178A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Yamatake Corp 圧力センサ及び製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4406993A (en) * 1981-08-28 1983-09-27 Kulite Semiconductor Products, Inc. Oil filled pressure transducers
US5049421A (en) * 1989-01-30 1991-09-17 Dresser Industries, Inc. Transducer glass bonding technique
JP2000193548A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ及びその製造方法
CN100498257C (zh) * 2003-08-20 2009-06-10 株式会社山武 压力传感装置
US20050087020A1 (en) * 2003-08-29 2005-04-28 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Pressure sensor device and cell thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈德勇: "微机械谐振梁压力传感器研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (博士) 信息科技辑》, no. 2, 15 December 2002 (2002-12-15) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103837287A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
CN103837286A (zh) * 2012-11-20 2014-06-04 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
US9274016B2 (en) 2012-11-20 2016-03-01 Azbil Corporation Pressure sensor chip
CN103837286B (zh) * 2012-11-20 2016-08-31 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012018049A (ja) 2012-01-26
US20120006129A1 (en) 2012-01-12
KR101238987B1 (ko) 2013-03-04
KR20120004923A (ko) 2012-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102374912A (zh) 压力测定器
US20210003468A1 (en) Method of Making a Dual-Cavity Pressure Sensor Die
US7290453B2 (en) Composite MEMS pressure sensor configuration
US10768064B2 (en) MEMS pressure gauge sensor and manufacturing method
US11255740B2 (en) Pressure gauge chip and manufacturing process thereof
US7622782B2 (en) Pressure sensors and methods of making the same
CN105934661B (zh) 微型强化圆片级mems力传感器
CN107848788B (zh) 具有容差沟槽的加固的晶圆级mems力传感器
EP3367082A1 (en) Pressure sensor
EP3012638B1 (en) Silicon diaphragm pressure sensor
JP6194624B2 (ja) 物理量検出素子及び物理量検出装置
CN107673306B (zh) 一种mems压力传感器的制备方法
WO2003087719A1 (fr) Capteur d'inclinaison, procede de fabrication de ce capteur d'inclinaison et procede permettant de mesurer l'inclinaison
JP2012181030A (ja) 静電容量型加速度センサ
US10156489B2 (en) Piezoresistive pressure sensor
JP2012137368A (ja) 加速度センサ
JP4335545B2 (ja) 圧力と加速度との双方を検出するセンサおよびその製造方法
KR20200110627A (ko) Mems 디바이스 및 그 제조 방법
CN107870050A (zh) 具有过压保护的压力传感器隔膜
JP4431475B2 (ja) 半導体型3軸加速度センサ
US10899603B2 (en) Micromechanical z-inertial sensor
US20160341759A1 (en) Sensor and method of manufacturing same
JP2007147374A (ja) 圧力センサ
US9857258B2 (en) Pressure sensor to sense multi-directional movement
JP5494804B2 (ja) 力学センサ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: AZBIL CORPORATION

Free format text: FORMER OWNER: YAMATAKE K. K.

Effective date: 20120518

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20120518

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Applicant after: Azbil Corporation

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Applicant before: Yamatake Corp.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120314