CN103837286A

CN103837286A - 压力传感器芯片

Info

Publication number: CN103837286A
Application number: CN201310581798.9A
Authority: CN
Inventors: 德田智久; 濑户祐希
Original assignee: Azbil Corp
Current assignee: Azbil Corp
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2013-11-19
Publication date: 2014-06-04
Anticipated expiration: 2033-11-19
Also published as: US9274016B2; JP2014102168A; JP6002010B2; KR101532147B1; US20140157905A1; KR20140064637A; CN103837286B

Abstract

本发明提供一种压力传感器芯片，减少因传感器隔膜的限制产生的应力，防止向隔膜边缘的应力集中，确保期待的耐压。在挡块构件（11-2）内部的、与传感器隔膜（11-1）的受压面平行的面（PL）的一部分设置连通于导压孔（11-2b）的周部的非接合区域（SA）。例如，通过将设置有非接合区域（SA）的面（PL）的去除非接合区域（SA）的区域（SB）相互结合，将被分割成两部分的一部分的挡块构件（11-21）以及另一部分的挡块构件（11-22）形成为一个挡块构件（11-2）。由此，与传感器隔膜（11-1）的受压面平行的面（PL）就被分为，连通于导压孔（11-2b）的周部的非接合区域SA，以及不连通于导压孔（11-2b）的周部的结合区域（SB）。

Description

压力传感器芯片

技术领域

本发明涉及一种使用输出与一个面以及另一个面接受到的压力差对应的信号的传感器隔膜的压力传感器芯片，例如涉及在接受压力而位移的薄板状的隔膜上形成电阻应变计、根据形成于隔膜上的电阻应变计的电阻值变化检测出施加于隔膜的压力的压力传感器芯片。

背景技术

以往，作为工业用的差压传感器，使用的是装入了使用传感器隔膜的压力传感器芯片的差压传感器，该传感器隔膜输出与一个面以及另一个面接受到的压力差对应的信号。该差压传感器构成为，将施加于高压侧以及低压侧的受压隔膜的各测量压通过作为压力传递介质的封入液引导至传感器隔膜的一个面以及另一个面，将该传感器隔膜的变形作为例如电阻应变计的电阻值变化进行检测，将该电阻值变化转换为电信号取出。

这种差压传感器例如被用于通过对在石油提纯成套设备中的高温反应塔等储藏被测流体的密闭罐内的上下两个位置的压差进行检测来测量液面高度的时候等。

在图10中示出了现有的差压传感器的概略结构。该差压传感器100构成为，将具有传感器隔膜（未图示出）的压力传感器芯片1装入测量计主体2中。压力传感器芯片1中的传感器隔膜由硅、玻璃等构成，在形成为薄板状的隔膜的表面形成有电阻应变计。测量计主体2由金属制的主体部3与传感部4构成，在主体部3的侧面设置有构成一对受压部的阻挡隔膜（受压隔膜）5a、5b，压力传感器芯片1被装入传感部4。

测量计主体2中，被装入传感部4中的压力传感器芯片1与设置于主体部3中的阻挡隔膜5a、5b之间通过压力缓冲室7a、7b分别连通，该压力缓冲室7a、7b通过大直径的中心隔膜6隔离，在将压力传感器芯片1与阻挡隔膜5a、5b连接的连通路径8a、8b中封入了硅油等压力传递介质9a、9b。

另外，需要硅油等压力介质是因为，为了防止测量介质中的异物附着于传感器隔膜，不让其腐蚀传感器隔膜，需要将具有耐腐蚀性的受压隔膜与具有应力（压力）灵敏度的传感器隔膜分开。

在该差压传感器100中，如图11的（a）中示意性示出的稳定状态时的动作状态那样，来自过程的第一流体压力（第一测量压）Pa被施加于阻挡隔膜5a，来自过程的第二流体压力（第二测量压）Pb被施加于阻挡隔膜5b。由此，阻挡隔膜5a、5b发生位移，该施加的压力Pa、Pb通过由中心隔膜6隔离的压力缓冲室7a、7b，经压力传递介质9a、9b分别被引导至压力传感器芯片1的传感器隔膜的一个面以及另一个面。其结果是，压力传感器芯片1的传感器隔膜呈现出与该导入的压力Pa、Pb的压差ΔP相当的位移。

对此，例如，如果对阻挡隔膜5a施加过大压力Pover的话，则如图11的（b）所示，阻挡隔膜5a发生较大位移，中心隔膜6随之吸收过大压力Pover而发生位移。并且，如果阻挡隔膜5a着底于测量计主体2的凹部10a的底面（过大压力保护面），该位移被限制的话，则通过阻挡隔膜5a的向传感器隔膜的该程度以上的压差ΔP的传递将被阻止。在阻挡隔膜5b上施加过大压力Pover的情况也与在阻挡隔膜5a上施加过大压力Pover的情况一样，如果阻挡隔膜5b着底于测量计主体2的凹部10b的底面（过大压力保护面），该位移被限制的话，则通过阻挡层隔膜5b的向传感器隔膜的该程度以上的压差ΔP的传递将被阻止。其结果是，因施加过大压力Pover导致的压力传感器芯片1的破损，即压力传感器芯片1上的传感器隔膜的破损就被防止于未然。

在该差压传感器100中，因为使测量计主体2中内含有压力传感器芯片1，所以能够保护压力传感器芯片1使其免于暴露在过程流体等外部腐蚀环境中。但是，由于采用了具有用于限制中心隔膜6和阻挡隔膜5a、5b的位移的凹部10a、10b，通过这些来保护压力传感器芯片1使其免于遭受过大压力Pover的结构，因此无法避免其形状的大型化。

因此，提出了在压力传感器芯片上设置第一挡块构件以及第二挡块构件，通过使该第一挡块构件以及第二挡块构件的凹部与传感器隔膜的一个面以及另一个面相对，来阻止施加过大压力时传感器隔膜的过度位移，由此来防止传感器隔膜的破损和破坏的结构（例如，参见专利文献1）。

图12示出了采用专利文献1中揭示的结构的压力传感器芯片的概略图。在该图中，11-1为传感器隔膜，11-2以及11-3为将传感器隔膜11-1夹持并接合的第一挡块构件以及第二挡块构件，11-4以及11-5为与挡块构件11-2以及11-3接合的第一基座以及第二基座。挡块构件11-2、11-3和基座11-4、11-5由硅、玻璃等构成。

在该压力传感器芯片11中，在挡块构件11-2、11-3上形成有凹部11-2a、11-3a，使挡块构件11-2的凹部11-2a与传感器隔膜11-1的一个面相对，使挡块构件11-3的凹部11-3a与传感器隔膜11-1的另一个面相对。凹部11-2a、11-3a为沿着传感器隔膜11-1的位移的曲面（非球面），其顶部形成有压力导入孔（导压孔）11-2b、11-3b。另外，在基座11-4、11-5上，在与挡块构件11-2、11-3的导压孔11-2b、11-3b对应的位置也形成有压力导入孔（导压孔）11-4a、11-5a。

采用这种压力传感器芯片11的话，在传感器隔膜11-1的一个面上施加过大压力而使传感器隔膜11-1位移时，该位移面整体将被挡块构件11-3的凹部11-3a的曲面挡住。另外，在传感器隔膜11-1的另一个面上施加过大压力而使传感器隔膜11-1位移时，该位移面整体将被挡块构件11-2的凹部11-2a的曲面挡住。

由此，在传感器隔膜11-1上施加过大压力时的过度位移得以阻止，在传感器隔膜11-1的周边部不会产生应力集中，可以有效地防止因施加过大压力导致的传感器隔膜11-1的不得已的破坏，能够提高该过大压力保护动作压力（耐压）。另外，在图10所示的结构中，去除了中心隔膜6、压力缓冲室7a、7b，将测量压Pa、Pb从阻挡隔膜5a、5b直接引导至传感器隔膜11-1，可以实现测量计主体2的小型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2005-69736号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在图12所示的压力传感器芯片11的结构中，挡块构件11-2以及11-3在传感器隔膜11-1的一个面以及另一个面上与其周边部11-2c以及11-3c整个面接合。即，使将挡块构件11-2的凹部11-2a包围的周边部11-2c与传感器隔膜11-1的一个面面对面，将该面对面的周边部11-2c的全部区域与传感器隔膜11-1的一个面直接接合。另外，使将挡块构件11-3的凹部11-3a包围的周边部11-3c与传感器隔膜11-1的另一个面面对面，将该面对面的周边部11-3c的全部区域与传感器隔膜11-1的另一个面直接接合。

在采用这种结构的情况下，如果通过挡块构件11-2施加超过过大压力保护动作压力（耐压）的过大压力的话，则传感器隔膜11-1弯曲并着底于挡块构件11-2的凹部11-2a之后，传感器隔膜11-1会以该状态与挡块构件11-2一起进一步地弯曲。于是，由于拉伸应力最易产生的施加压力侧的传感器隔膜11-1的边缘附近（图12中的用点划线包围的部位）的两面都处于限制状态，因此会在该部位产生应力集中，存在无法确保期待的耐压的问题。

进一步地，有时候，如果挡块构件11-2、11-3的凹部11-2a、11-3a的开口尺寸存在制作上的偏差的话，则由于在传感器隔膜11-1的限制部位产生位置偏差，因此有时受其影响应力集中更加明显。在这种情况下，伴随着传感器隔膜11-1的着底异常的应力集中也将重叠，有可能使耐压进一步降低。

本发明用于解决这种课题，其目的在于，提供一种压力传感器芯片，能够减少因传感器隔膜的限制而导致的应力产生，防止向隔膜边缘的应力集中，并确保期待的耐压。

用于解决课题的手段

为了达到该目的，本发明提供一种压力传感器芯片，具有：根据在一个面以及另一个面受到的压力差输出信号的传感器隔膜，和第一保持构件以及第二保持构件，所述第一保持构件以及第二保持构件的周边部与该传感器隔膜的一个面以及另一个面面对面接合，并具有向所述传感器隔膜引导测量压的导压孔，所述压力传感器芯片的特征在于，第一保持构件在内部具有连通导压孔周部的非接合区域，第一保持构件内部的非接合区域被设置于与传感器隔膜的受压面平行的面的一部分上，第二保持构件具有凹部，所述凹部对在传感器隔膜被施加过大压力时的该传感器隔膜的过度位移予以阻止。

根据本发明，在施加高压的测量压于传感器隔膜的一个面的情况下，传感器隔膜就向第二保持构件侧弯曲，隔膜边缘会产生开口。该情况下，采用本发明，由于测量压通过导压孔被引导至设置于第一保持构件内部的非接合区域，因此该非接合区域就成为测量压的受压面，通过使第一保持构件向与第二保持构件以及隔膜相同的方向弯曲并附和变形，隔膜边缘就不会产生开口。由此，因传感器隔膜的限制导致的应力产生就被减少，防止了向隔膜的应力集中。

又，在本发明中，如果在第一保持构件内部形成连接于非接合区域的、向第一保持构件的厚度方向突出延伸的环状的槽的话，则应力就被分散在连接于该非接合区域的环状的槽的内部，能够进一步实现高耐压。

对于本发明，在传感器隔膜上接受高压侧的测量压的面必须被决定的情况下，将传感器隔膜的一个面作为高压侧的测量压的受压面，将另一个面作为低压侧的测量压的受压面。即，在传感器隔膜上接受高压侧的测量压的面必须决定的情况下，将传感器隔膜的一个面作为高压侧的测量压的受压面，将高压侧的测量压通过导压孔引导至第一保持构件内部的非接合区域。

在本发明中，第一保持构件也具有对在传感器隔膜被施加过大压力时的传感器隔膜的过度位移予以阻止的凹部，关于第二保持构件，也可以与第一保持构件相同，在内部设置非接合区域。这样一来，无论传感器隔膜的哪个面成为高压侧的测量压的受压面，都能够使隔膜边缘不产生开口，减少因传感器隔膜的限制导致的应力产生，防止向隔膜边缘的应力集中。

在本发明中，第一保持构件内部的非接合区域只要是未被接合的区域即可，面与面相互之间可以接触也可以不接触。例如，通过等离子体、药液等使表面变得粗糙等，形成面与面相互接触但未接合的区域。又，也可以形成微小的台阶。

发明效果

根据本发明，在第一保持构件内部设置连接于导压孔周部的非接合区域，由于将该第一保持构件内部的非接合区域设置于与传感器隔膜的受压面平行的面的一部分上，因此第一保持构件内部的非接合区域就成为受压面，能够抑制施加于第一保持构件的反方向的力，使隔膜边缘不产生开口，减少因传感器隔膜的限制导致的应力产生，防止向隔膜边缘的应力集中，确保期待的耐压。

附图说明

图1是示出本发明涉及的压力传感器芯片的第一实施形态（实施形态1）的概略图。

图2是示出在该压力传感器芯片的第一实施形态（实施形态1）中，传感器隔膜着底于挡块构件的凹部后的状态的图。

图3是示出在该压力传感器芯片中，将挡块构件内的非接合区域形成为微小的台阶的例子的图。

图4是示出本发明涉及的压力传感器芯片的第二实施形态（实施形态2）的概略图。

图5是示出在该压力传感器芯片中，挡块构件内部的环状的槽是狭缝状（矩形状剖面）的环状槽的例子的图。

图6是示出在该压力传感器的第二实施形态（实施形态2）中，传感器隔膜着底于挡块构件的凹部后的状态的图。

图7是示出本发明涉及的压力传感器芯片的第三实施形态（实施形态3）的概略图。

图8是将现有结构情况下的在隔膜边缘产生的应力的比例设定为100％并与各结构比较应力的比例的图。

图9是示出本发明涉及的压力传感器芯片的第四实施形态（实施形态4）的概略图。

图10是示出现有的差压传感器的概略结构的图。

图11是示意性地示出该差压传感器的动作状态的图。

图12是示出采用了专利文献1中揭示的结构的传感器芯片的概略图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施形态进行详细说明。

[实施形态1]

图1是示出本发明涉及的压力传感器芯片的第一实施形态（实施形态1）的概略图。在该图中，与图12相同的符号表示与参照图12说明的构件相同或等同的构件，该说明省略。另外，在该实施形态中，用符号11A表示压力传感器芯片，与图12中示出的压力传感器芯片11区别。

对于该压力传感器芯片11A，挡块构件11-2在内部具有与导压孔11-2b周部连通的非接合区域SA。该非接合区域SA设置于与传感器隔膜11-1的受压面平行的面PL的一部分。非接合区域SA是用等离子体、药液等使表面变得粗糙等形成的、面与面虽然相互接触但没有接合的区域。

在该例中，挡块构件11-2被与传感器隔膜11-1的受压面平行的面PL分割为两部分，通过将设置有非接合区域SA的面PL的除去了非接合区域SA的区域SB相互接合，将该分割成两部分的其中一部分挡块构件11-21和另一部分挡块构件11-22形成为一个挡块构件11-2。由此，与传感器隔膜11-1的受压面平行的面PL就被分为，连通于导压孔11-2b的周部的非接合区域SA，以及不连通于导压孔11-2b的周部的接合区域SB。

在该压力传感器芯片11A中，在将测量压Pa作为高压侧的测量压、将测量压Pb作为低压侧的测量压的情况下，如果在传感器隔膜11-1的一个面施加高压侧的测量压Pa的话，则传感器隔膜11-1就向挡块构件11-3侧弯曲。此时，挡块构件11-2上被施加与传感器隔膜11-1弯曲方向相反的力，隔膜边缘（图中用点G示出的部位）产生开口。另外，在以下的说明中，对于图1，将传感器隔膜11-1弯曲的方向称为上方向，将与弯曲方向相反的一侧称为下方向。

在该情况下，在本实施形态中，由于测量压Pa通过导压孔11-2b被引导至设置于挡块构件11-2内部的非接合区域SA，因此该非接合区域SA就成为测量压Pa的受压面，抑制施加于挡块构件11-2的向下方向的力，使隔膜边缘不产生开口。由此，因传感器隔膜11-1的限制导致的应力产生就被减少，防止了向隔膜边缘的应力集中。

在该压力传感器芯片11A中，在传感器隔膜11-1着底于挡块构件11-3的凹部11-3a后，过大压力变大那样的情况下，非接合区域SA将会发挥更大的效果。

图2示出了传感器隔膜11-1着底于挡块构件11-3的凹部11-3a后的状态。如果在传感器隔膜11-1的一个面上施加过大压力的话，则传感器隔膜11-1就会向挡块构件11-3侧弯曲，着底于挡块构件11-3的凹部11-3a。在该传感器隔膜11-1向凹部11-3a着底之后，如果过大压力变大的话，则挡块构件11-2会因施加于挡块构件11-2的向下方向的力而变形，隔膜边缘会产生开口。

在该情况下，在本实施形态中，由于过大压力通过导压孔11-2b也被引导至设置于挡块构件11-2内部的非接合区域SA，因此该非接合区域SA就成为过大压力的受压面，向挡块构件11-21施加向上方向的力，抑制挡块构件11-21的变形，或者使其向反方向变形。在图2的例子中，使挡块构件11-21以追随隔膜11-1的向上方向的变形的形状向上方向变形。

由此，传感器隔膜11-1在向挡块构件11-3的凹部11-3a着底后，即使过大压力变大，隔膜边缘也不会产生开口，避免了向隔膜边缘的应力集中，确保了期待的耐压。

另外，在本实施形态中，为了抑制挡块构件11-2的向下方向的变形，或者使其向反方向变形，较理想的是，使设置于挡块构件11-2内部的非接合区域SA的面积，即挡块构件11-2内部的受压面积，充分大于挡块构件11-2的凹部11-2a的受压面积。

又，在该实施形态中，虽然用等离子体、药液等使表面变得粗糙等来形成挡块构件11-2内部的非接合区域SA，但是也可以如图3所示，形成微小的台阶h1。在形成微小的台阶h1情况下，由于如果将台阶h1的尺寸设定得过大的话，则向上方向的力就会变弱，因此将台阶h1设定得小一些比较好。台阶h1的尺寸仰赖于挡块构件11-2的向下方向的力。

[实施形态2]

图4示出了本发明涉及的压力传感器芯片的第二实施形态（实施形态2）的概略图。在本实施形态2的压力传感器芯片11B中，在挡块构件11-2的内部形成有，连接于非接合区域SA的向挡块构件11-3的厚度方向突出延伸的环状的槽11-2d。该环状的槽11-2d不是离散的被切断的槽，而是连续的槽，理想的是，将槽剖面的口径设定得大一些。

另外，在图4所示的例子中，将环状的槽11-2d的与非接合区域SA正交的剖面形状设定为圆形，但是也不一定必须是圆形，也可以设定成如图5所示的狭缝状（矩形）等。图6示出了该压力传感器芯片11B中传感器隔膜11-1着底于挡块构件11-3的凹部11-3a之后的状态。

[实施形态3]

图7示出了本发明涉及的压力传感器芯片的第三实施形态（实施形态3）的概略图。该实施形态3的压力传感器芯片11C与实施形态2的压力传感器芯片11B一样，挡块构件11-2内部具有非接合区域SA，和连接于该非接合区域SA的环状的槽11-2d，以下几点与实施形态2的压力传感器芯片11B不同。

在该压力传感器芯片11C中，挡块构件11-2的周边部11-2c的与传感器隔膜11-1的一个面面对面的区域S1中，外周侧的区域S1a被设定为与传感器隔膜11-1的一个面接合的接合区域，内周侧的区域S1b被设定为与传感器隔膜11-1的一个面不接合的非接合区域。

又，挡块构件11-3的周边部11-3c的与传感器隔膜11-1的另一个面面对面的区域S2中，外周侧的区域S2a被设定为与传感器隔膜11-1的另一个面接合的接合区域，内周侧的区域S2b被设定为与传感器隔膜11-1的另一个面不接合的非接合区域。

挡块构件11-2的周边部11-2c的外周侧的区域S1a通过与传感器隔膜11-1的一个面直接接合成为接合区域，挡块构件11-3的周边部11-3c的外周侧的区域S2a通过与传感器隔膜11-1的另一个面直接接合成为接合区域。

挡块构件11-2的周边部11-2c的内周侧的区域S1b用等离子体、药液等使表面变得粗糙，形成虽然与传感器隔膜11-1的一个面接触但是没有接合的非接合区域。挡块构件11-3的周边部11-3c的内周侧的区域S2b也用等离子体、药液等使表面变得粗糙，形成虽然与传感器隔膜11-1的另一个面接触但是没有接合的非接合区域。

在该压力传感器芯片11C中，传感器隔膜11-1的下表面的比非接合区域S1b进一步内侧的部分被设定为隔膜的感压区域D1，同样地，传感器隔膜11-1的上表面的比非接合区域S2b进一步内侧的部分被设定为隔膜的感压区域D2。在该隔膜的感压区域D1，将一边的测量压Pa施加于与挡块构件11-2相对的面，且在隔膜的感压区域D2，将另一边的测量压Pb施加于与挡块构件11-3相对的面。另外，感压区域D1以及D2的直径为隔膜的有效直径。

对于该压力传感器芯片11C，在将测量压Pa作为高压侧的测量压，将测量压Pb作为低压侧的测量压的情况下，如果对传感器隔膜11-1的下表面的感压区域D1施加高压侧的测量压Pa的话，则传感器隔膜11-1不会在其与挡块构件11-2的周边部11-2c不接合的非接合区域S1b因挡块构件11-2的限制而产生过渡的拉伸应力，且能够弯曲，因此产生于该部分的应力就被减少。

又，对于该压力传感器芯片11C，在将测量压Pb作为高压侧的测量压，将测量压Pa作为低压侧的测量压的情况下，如果对传感器隔膜11-1的上表面的感压区域D2施加高压侧的测量压Pb的话，则传感器隔膜11-1不会在其与挡块构件11-3的周边部11-3c不接合的非接合区域S2b因挡块构件11-3的限制而产生过渡的拉伸应力，且能够弯曲，因此产生于该部分的应力就被减少。

在图8中，将现有结构（图12中示出的结构）情况下的产生于隔膜边缘的应力的比例设定为100%，对具有非接合部（图1中示出的结构）的情况和新R结构（图7中示出的结构）的情况进行比较并示出。由该比较结果可知，通过采用具有非接合部的结构和新R结构，产生于隔膜边缘的应力得到缓和。相对于现有结构，新R结构产生应力的比例大约减小到20%，其效果特别明显。

另外，在图7示出的例子中，只在挡块构件11-2的内部设置非接合区域SA，但也可以如图9示出的实施形态4的压力传感器芯片11D那样，在挡块构件11-3的内部也设置非接合区域SA，设置连接于该非接合区域SA的环状的槽11-3d。

在该实施形态4的压力传感器芯片11D中，将设置于挡块构件11-2内部的环状的槽11-2d与设置于挡块构件11-3内部的环状的槽11-3d设置为相同剖面形状，另外，虽然是在相同位置相对设置的，但是也可以改变环状的槽11-2d与11-3d的剖面形状，环状的槽11-2d与11-3d的横方向的位置也可以不同。又，环状的槽11-2d、11-3d的剖面形状不仅限于前述的圆形、狭缝状，也可以采用椭圆形等各种形状。

又，在上述实施形态1～4中，在挡块构件11-2、11-3中设置了凹部11-2a、11-3a，但是未必一定要具有凹部11-2a、11-3a，可以仅仅是对传感器隔膜11-1进行保持的保持构件。即使在这种情况下，设置于该保持构件内的非接合区域也作为施加与传感器隔膜11-1弯曲方向相反侧的力的受压面而发挥作用。

又，在上述实施形态中，传感器隔膜11-1是形成了根据压力变化改变电阻值的电阻应变计的类型，但也可以是电容式的传感器芯片。电容式的传感器芯片具有：具备规定的空间（容量室）的基板、配置于该基板的空间上的隔膜、形成于基板的固定电极、和形成于隔膜的可动电极。通过隔膜接受压力而变形，使得可动电极与固定电极的间隔发生变化并使其间的电容发生变化。

[实施形态的扩张]

以上，参照实施形态对本发明进行了说明，但是本发明不仅限于上述实施形态。本发明的结构和细节，可以在本发明的技术思想的范围内做出本发明技术领域技术人员可理解的各种各样的变更。另外，关于各实施形态，可以在不矛盾的范围内进行任意组合并实施。

符号说明

11C～11D：压力传感器芯片，11-1：传感器隔膜，11-2（11-21、11-22）、11-3：挡块构件，11-2a、11-3a：凹部，11-2b、11-3b：压力导入孔（导压孔），11-2c、11-3c：周边部，11-2d、11-3d：环状的槽，11-4、11-5：基座，11-4a、11-5a：压力导入孔（导压孔），SA：非接合区域，SB：接合区域，S1a、S2a：外周侧的区域（接合区域），S1b、S2b：内周侧的区域（非接合区域），D1、D2：感压区域，PL：面。

Claims

1.一种压力传感器芯片，具有：根据在一个面以及另一个面受到的压力差输出信号的传感器隔膜，和第一保持构件以及第二保持构件，所述第一保持构件以及第二保持构件的周边部与该传感器隔膜的一个面以及另一个面面对面接合，并具有向所述传感器隔膜引导测量压的导压孔，所述压力传感器芯片的特征在于，

所述第一保持构件在内部具有连通所述导压孔的周部的非接合区域，

所述第一保持构件的内部的非接合区域被设置于与所述传感器隔膜的受压面平行的面的一部分上，

所述第二保持构件具有凹部，所述凹部对在所述传感器隔膜被施加过大压力时的该传感器隔膜的过度位移予以阻止。

2.如权利要求1所记载的压力传感器芯片，其特征在于，

在所述第一保持构件的内部形成有环状的槽，所述环状的槽连接于所述非接合区域，并向所述第一保持构件的厚度方向突出延伸。

3.如权利要求1所记载的压力传感器芯片，其特征在于，

所述第一保持构件被设置有所述非接合区域的、与所述传感器隔膜的受压面平行的面分割成两部分，

被分割的所述两部分中的一部分保持构件和另一部分保持构件在设置有所述非接合区域的面的去除非接合区域的区域相互接合。

4.如权利要求1所记载的压力传感器芯片，其特征在于，

连接于所述第一保持构件内部的非接合区域的环状的槽的与所述第一保持构件内部的非接合区域正交的剖面形状包含圆弧部分。

5.如权利要求1所记载的压力传感器芯片，其特征在于，

所述传感器隔膜的所述一个面被设定为高压侧的测量压的受压面，

所述传感器隔膜的所述另一个面被设定为低压侧的测量压的受压面。

6.如权利要求1所记载的压力传感器芯片，其特征在于，

所述第一保持构件具有凹部，所述凹部对所述传感器隔膜被施加过大压力时的该传感器隔膜的过度位移予以阻止，

所述第二保持构件在内部具有连通于所述导压孔的周部的非接合区域，

所述第二保持构件内部的非接合区域被设置于与所述传感器隔膜的受压面平行的面的一部分上。