CN102280445B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上；多条导线，形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽，所述开口槽形成在所述多条导线之间。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
所描述的技术总体涉及一种显示装置及其制造方法。更具体地，所描述的技术总体涉及一种显示装置及其制造方法，其用于改善显示装置的性能并抑制在显示装置中产生缺陷。
背景技术
诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的大多数平板显示装置使用有机绝缘层和薄膜晶体管。
当形成接触孔或将导电层图案化时，有机绝缘层暴露于多个蚀刻工艺。然而，当有机绝缘层暴露于蚀刻工艺(特别是干法蚀刻工艺)时，有机绝缘层的表面粗糙度明显增大。如果导电层形成在表面粗糙度增大的有机绝缘层上并被图案化，则导电层的导电材料容易留在有机绝缘层的表面上。留在有机绝缘层上的导电材料阻碍导线彼此电绝缘，从而导致短路。
背景技术部分公开的上述信息仅是为了强化对所描述的技术的背景的理解，因此，其可包括对本领域普通技术人员来说不形成在本国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供一种用于防止内部短路的显示装置。
另一示例性实施例提供用于制造所述显示装置的方法。
根据示例性实施例，所述显示装置包括：基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上；多条导线，形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽，所述开口槽形成在所述多条导线之间。
所述多条导线可彼此分开地设置。
所述显示装置还可包括：栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅极电极，形成在栅极绝缘层上。
所述显示装置还可包括设置在有机绝缘层和栅极电极之间的无机绝缘层。
无机绝缘层可具有开口槽。有机绝缘层的开口槽和无机绝缘层的开口槽可一起排列以暴露栅极绝缘层或栅极电极。
无机绝缘层可包括含有氢的氮化硅膜。
半导体层可以是通过图案化多晶硅层形成的。
所述多条导线可包括源极电极和漏极电极。
所述显示装置还可包括：第一电容器电极，形成在基板上；第二电容器电极，形成在栅极绝缘层上。第一电容器电极可与半导体层处于基本相同的高度。第二电容器电极可与源极电极和漏极电极处于基本相同的高度。
所述显示装置还可包括：像素电极，形成在栅极绝缘层上；有机发射层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机发射层上。像素电极可结合到半导体层的漏极区。
栅极电极可形成为包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层结构。
像素电极可由与栅极电极的栅极透明层的材料相同的材料形成在与栅极透明层相同的高度。
所述显示装置还可包括：像素电极，形成在栅极绝缘层上；液晶层，形成在像素电极上；共电极，形成在液晶层上。像素电极可结合到半导体层的漏极区。
根据另一示例性实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：准备基板；在基板上形成半导体层；在半导体层上形成有机绝缘层；在有机绝缘层上形成开口槽；在有机绝缘层上形成多条导线。所述多条导线彼此分开地设置，所述开口槽形成在所述多条导线之间。
所述制造方法还可包括以下步骤：在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极电极。所述有机绝缘层被形成在栅极电极上。
所述多条导线可包括源极电极和漏极电极。
所述制造方法还可包括以下步骤：在基板上在与半导体层基本相同的高度形成第一电容器电极，所述多条导线包括形成在与源极电极和漏极电极基本相同的高度处的第二电容器电极。
所述制造方法还可包括在栅极电极和有机绝缘层之间形成无机绝缘层的步骤。
在有机绝缘层上形成开口槽的步骤还可包括以下步骤：在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔。有机绝缘层的接触孔、无机绝缘层的接触孔和栅极绝缘层的接触孔可一起排列，以暴露半导体层的一部分。
在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔的步骤还可包括以下步骤：去除有机绝缘层和无机绝缘层的将要形成多个接触孔的部分；利用半色调曝光通过光刻去除有机绝缘层的将要形成所述开口槽的部分的一部分；通过蚀刻工艺去除栅极绝缘层的将形成所述多个接触孔的部分以暴露半导体层；去除有机绝缘层的留在将形成所述开口槽的区域中的部分。
形成开口槽的步骤可包括将有机绝缘层和无机绝缘层一起图案化的步骤。
无机绝缘层可包括氮化硅膜和氧化硅膜中的至少一种。
无机绝缘层可包括利用硅烷、氨和氢通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的氮化硅膜。
所述制造方法还可包括在栅极电极上形成无机绝缘层之后退火的步骤。
所述退火可包括在高于250℃的温度执行热处理。
根据示例性实施例，所述显示装置可防止内部短路。
此外，用于显示装置的薄膜晶体管的半导体层可被有效地退火。
此外，可有效地制造所述显示装置。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，对本发明及其许多附带优点更完整的理解将是容易明白的，且本发明及其许多附带优点变得更好理解，附图中，相同的标号表示相同或相似的组件，其中：
图1是概略地示出根据第一示例性实施例的显示装置的结构的俯视图；
图2是示出图1中示出的显示装置的像素区域的布局图；
图3是图2中示出的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管的剖视图；
图4至图9是顺序示出图2中示出的显示装置的制造工艺的剖视图；
图10是示出根据第二示例性实施例的显示装置的结构的剖视图；
图11是示出根据第三示例性实施例的显示装置的结构的剖视图。
具体实施方式
诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的大多数平板显示装置使用有机绝缘层和薄膜晶体管。当形成接触孔或将导电层图案化时，有机绝缘层暴露于多个蚀刻工艺。然而，当有机绝缘层暴露于蚀刻工艺(特别是干法蚀刻工艺)时，有机绝缘层的表面粗糙度明显增大。如果导电层形成在表面粗糙度增大的有机绝缘层上并被图案化，则导电层的导电材料容易留在有机绝缘层的表面上。留在有机绝缘层上的导电材料阻碍导线彼此电绝缘，从而导致短路。
在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，所描述的实施例可以以各种不同的方式来修改。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。针对与第一示例性实施例的构造不同的构造来描述除了第一示例性实施例之外的示例性实施例。
附图中，元件的尺寸和厚度表现为更好地理解且容易描述，本发明不限于此。在附图中，为清晰起见，放大了层和区域的厚度。此外，为容易描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可直接在所述另一元件上，或者也可存在中间元件。
现在将参照图1、2和3解释根据第一示例性实施例的显示装置101。如图1所示，显示装置101包括基板111，基板111分为显示区域DA和非显示区域NA。多个像素区域PE布置在基板111的显示区域DA中以显示图像，一个或更多个驱动电路910和920形成在非显示区域NA上。这里，像素区域PE代表形成像素(显示图像的最小单位)的区域。在第一示例性实施例中，没有必要在非显示区域NA中形成驱动电路910和920两者，可以省略驱动电路910和920中的一个或两个。
如图2所示，根据第一示例性实施例的显示装置101是具有两个晶体管-一个电容器(2Tr-1Cap)结构的有机发光二极管(OLED)显示器，在该结构中，在每个像素区域PE中布置有单个OLED 70、两个薄膜晶体管10和20及单个电容器90。然而，第一示例性实施例不限于此。因此，显示装置101可以是具有在每个像素区域PE中布置有至少三个薄膜晶体管和至少两个电容器的结构的OLED显示器。此外，显示装置101可包括额外的连接线，使得显示装置101具有各种结构。至少一个额外形成的薄膜晶体管和电容器可构成补偿电路。
补偿电路改善形成在像素区域PE中的OLED 70的均一性，从而抑制图像品质偏差。补偿电路可包括二至八个薄膜晶体管。
形成在基板111的非显示区域NA上的驱动电路910和920(示出在图1中)可分别包括额外的薄膜晶体管。
OLED 70包括为空穴注入电极的阳极、为电子注入电极的阴极及布置在阳极和阴极之间的有机发射层。
具体地，在第一示例性实施例中，显示装置101包括形成在每个像素区域PE中的第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20。第一薄膜晶体管10和第二薄膜晶体管20分别包括栅极电极153和156、半导体层133和136、源极电极184和187及漏极电极185和188。
此外，栅极线151、数据线181和共电源线182形成在基板111上。单个像素区域PE可被限定为由栅极线151、数据线181和共电源线182围绕的区域。然而，像素区域PE不限于此。可在基板111上额外地形成电容器线。
第一薄膜晶体管10的源极电极184连接到数据线181，第一薄膜晶体管10的栅极电极153连接到栅极线151。在第一薄膜晶体管10的漏极电极185和电容器90之间形成节点，使得第一薄膜晶体管10的漏极电极185连接到电容器90的第一电容器电极139。此外，第一薄膜晶体管10的漏极电极185连接到第二薄膜晶体管20的栅极电极156。共电源线182连接到第二薄膜晶体管20的源极电极187，OLED 70的阳极连接到第二薄膜晶体管20的漏极电极188。以下，OLED 70的阳极称为像素电极，OLED 70的阴极称为共电极。阳极和阴极的位置可互换。
第一薄膜晶体管10用作选择将发光的像素区域PE的开关元件。当第一薄膜晶体管10瞬间导通时，电容器90被充有电荷，充在电容器90中的电荷的量与从数据线181提供的电压成比例。当第一薄膜晶体管10截止时，第二薄膜晶体管20的栅极电压随被充电的电容器90的电压而增大。当第二薄膜晶体管20的栅极电压超过阈值电压时，第二薄膜晶体管20导通。然后，施加到共电源线182的电压通过第二薄膜晶体管20被提供到OLED70，因此OLED 70发光。
像素区域PE的构造不限于以上描述，可以进行各种改变。
现在将根据图3中示出的层叠顺序详细解释根据第一示例性实施例的薄膜晶体管10和20、OLED 70及电容器90的结构。
基板111是由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的透明绝缘基板。然而，第一示例性实施例不限于此，基板111可以是由不锈钢制成的金属基板。此外，当基板111由塑料制成时，可将柔性基板用作基板111。
缓冲层120形成在基板111上。缓冲层120以包括诸如由化学气相沉积或物理气相沉积形成的氧化硅层和氮化硅层中的至少一层绝缘层的单层结构或多层结构形成。缓冲层120防止在基板111中产生的湿气或杂质的扩散或渗透，使基板111的表面平坦化，并控制在用于形成半导体层的晶化工艺期间的热传输速度，从而满意地执行晶化。根据基板111的类型和工艺条件，可省略缓冲层120。
半导体层133和136及第一电容器电极139形成在缓冲层120上。通过在缓冲层120上形成非晶硅层、使非晶硅层晶化以形成多晶硅层并将多晶硅层图案化来形成半导体层133和136及第一电容器电极139。然而，第一示例性实施例不限于此。根据情况，第一电容器电极139可由不同于半导体层133和136的材料的材料形成。
栅极绝缘层140形成在半导体层133和136及第一电容器电极139上。具体地，栅极绝缘层140形成在缓冲层120上以覆盖半导体层133和136及第一电容器电极139。栅极绝缘层140由包括原硅酸四乙酯(TEOS)、SiNx和SiO2的各种已知的绝缘材料中的至少一种形成。
栅极电极153和156及像素电极710形成在栅极绝缘层140上。栅极电极153和156分别形成在半导体层133和136上，具体地，分别形成在半导体层133和136的沟道区1333和1366上。半导体层133和136分别分为未用杂质掺杂的沟道区1333和1366、分别设置在沟道区1333和1366的一侧和另一侧上的源极区1334和1367及漏极区1335和1368。源极区1334和1367及漏极区1335和1368用杂质掺杂。当将杂质掺杂到半导体层133和136中以形成源极区1334和1367及漏极区1335和1368时，栅极电极153和156分别阻挡沟道区1333和1366被杂质掺杂。此外，当将杂质掺杂到半导体层133和136的源极区1334和1367及漏极区1335和1368中时，可将杂质掺杂到第一电容器电极139中。
栅极电极153和156形成为包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层结构。栅极金属层包括诸如钼(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、银(Ag)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)的各种已知金属材料中的至少一种。栅极透明层包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(ZITO)、氧化镓铟锡(GITO)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镓铟锌(GIZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化氟锡(FTO)和铝掺杂氧化锌(AZO)的透明导电层中的至少一种。
像素电极710由与栅极电极153和156的栅极透明层的材料相同的材料形成，并与栅极透明层形成在基本相同的高度。
无机绝缘层160形成在栅极电极153和156上。无机绝缘层160包括氮化硅膜和氧化硅膜中的至少一种。即，无机绝缘层160可形成为包括氮化硅膜或氧化硅膜的单层结构，或者形成为包括氮化硅膜和氧化硅膜的多层结构。此外，无机绝缘层160可包含氢。具体地，在工艺条件方面氮化硅膜可容易含有氢。在使半导体层133和136退火的过程中，无机绝缘层160除了具有绝缘功能之外还可执行将氢提供到半导体层133和136的功能以实现平缓退火。
然而，第一示例性实施例不限于此。因此，无机绝缘层160可省略。即，将在后面描述的有机绝缘层170可直接形成在栅极电极153和156上。
此外，无机绝缘层160不形成在像素电极710上。即，形成无机绝缘层160使得无机绝缘层暴露像素电极710。
有机绝缘层170形成在无机绝缘层160上。容易将有机绝缘层170形成为比无机绝缘层160厚。因此，有机绝缘层170可形成为足够厚以保证稳定的层间绝缘。例如，有机绝缘层170可具有大约3μm的厚度。
如同无机绝缘层160，有机绝缘层170不形成在像素电极710上。即，形成有机绝缘层170，使得有机绝缘层170暴露像素电极710。
开口槽7080形成在有机绝缘层170中。在第一示例性实施例中，开口槽7080形成在有机绝缘层170中并暴露设置在有机绝缘层170下面的无机绝缘层160。如图3所示，一些开口槽7080与栅极电极153或156叠置，并暴露设置在栅极电极153或156上的无机绝缘层160的一部分。
此外，有机绝缘层170、无机绝缘层160和栅极绝缘层140具有选择性地暴露半导体层133和136的多个接触孔7644、7645、7647和7648。所述多个接触孔7644、7645、7647和7648暴露半导体层133和136的源极区1334和1367及漏极区1335和1368的部分。
此外，有机绝缘层170具有形成在第一电容器电极139上的电容器开口7090。电容器开口7090防止第一电容器电极139和第二电容器电极189之间的距离过度增大而劣化电容器90的电容。
多条导线184、185、187、188和189形成在有机绝缘层170上。所述多条导线包括源极电极184和187、漏极电极185和188及第二电容器电极189。换句话说，一些导线分别用作结合到半导体层133的源极区1334的源极电极和半导体层136的源极区1367的源极电极，另一些导线分别用作结合到半导体层133的漏极区1335的漏极电极和半导体层136的漏极区1368的漏极电极。第二电容器电极189可认为是所述导线之一。所述多条导线还可包括数据线181(示出在图2中)和共电源线182(示出在图2中)。
如同栅极电极153和156，所述多条导线184、185、187、188和189可由各种已知的金属材料中的至少一种形成。
源极电极184和187及漏极电极185和188分别通过接触孔7644、7645、7647和7648分别接触半导体层133和136的源极区1334和1367及漏极区1335和1368。
尽管第二电容器电极189形成在与源极电极184和187及漏极电极185和188基本相同的高度，但第一示例性实施例不限于此。因此，第二电容器电极189可形成在与栅极电极153和156相同的高度。
开口槽7080形成在所述多条导线184、185、187、188和189之间。即，所述多条导线184、185、187、188和189彼此分开设置，开口槽7080形成在这些导线之间。以这样的方式，开口槽7080围绕所述多条导线184、185、187、188和189，因此导线184、185、187、188和189可稳定地绝缘。即，在将导线184、185、187、188和189图案化的工艺期间，即使用于形成导线184、185、187、188和189的导电材料不必要地留在了有机绝缘层170上，开口槽7080也可防止导线184、185、187、188和189短路。
像素限定层190形成在所述多条导线184、185、187、188和189上。像素限定层190包括选择性地暴露像素电极710的一部分的像素开口195。像素限定层190可由各种已知的有机材料或无机材料形成。例如，可通过将光敏有机层图案化并通过热学地或光学地烘焙图案化的光敏有机层来形成像素限定层190。
有机发射层720形成在像素电极710上，共电极730形成在有机发射层720上。像素电极710、有机发射层720和共电极730形成有机发光二极管(OLED)70。其中顺序地形成有像素电极710、有机发射层720和共电极730的像素限定层190的像素开口195变为OLED 70的发光区域。
根据这样的构造，根据第一示例性实施例的显示装置101可稳定地防止内部短路。此外，可使用于显示装置101的薄膜晶体管10和20的半导体层133和136有效地退火。
现在将参照图4至图9解释根据第一示例性实施例的制造显示装置101的方法。
如图4所示，缓冲层10形成在基底111上。缓冲层120可形成为包括氮化硅膜的单层结构或层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的双层结构。
半导体层133和136及第一电容器电极139形成在缓冲层120上(S110)。可通过将非晶硅沉积在缓冲层120上、将非晶硅层晶化以形成多晶硅层并将多晶硅层图案化来形成半导体层133和136。
利用包括固相晶化、受激准分子激光晶化、金属诱导晶化(MIC)、金属诱导横向晶化(MILC)和超晶粒硅(SGS)晶化的各种已知的晶化方法将非晶硅层晶化。
形成覆盖半导体层133和136及第一电容器电极139的栅极绝缘层140(S120)。栅极透明层和栅极金属层顺序地形成在栅极绝缘层140上。
如图5所示，将栅极透明层和栅极金属层图案化以形成栅极电极153和156及像素电极中间体7100(S130)。即，栅极电极153和156及像素电极中间体7100形成为双层结构。
之后，将杂质掺杂到半导体层133和136中。这里，半导体层133和136分别分为未掺杂的沟道区1333和1366以及掺杂的源极区1334和1367及漏极区1335和1368。在掺杂工艺期间，栅极电极153和156阻挡半导体层133和136的沟道区1333和1366被掺杂。
参照图6，无机绝缘层160形成在栅极电极153和156及像素电极中间体7100上。无机绝缘层160包括氮化硅膜和氧化硅膜中的至少一种。即，无机绝缘层160可形成为包括氮化硅膜或氧化硅膜的单层结构，或者氮化硅膜和氧化硅膜层叠的多层结构。此外，无机绝缘层160包含氢。
例如，无机绝缘层160可包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)利用硅烷、氨和氢形成的氮化硅膜。以这样的方式形成的氮化硅膜包含氢，所述氢改善对半导体层133和136的退火效果，这将在下面描述。
然后，执行退火工艺以修复(cure)半导体层133和136中的晶体缺陷。退火工艺包括在高于250℃的温度执行热处理。当在400℃执行热处理时，可最有效地修复半导体层133和136中的晶体缺陷。
如果省略无机绝缘层160，并在有机绝缘层170形成在栅极电极153和156上时执行退火工艺，则难以在高于250℃的温度执行退火工艺。这是因为当将高于230℃的温度施加到有机绝缘层170时，有机绝缘层170被碳化并损坏。
然而，在第一示例性实施例中，由于无机绝缘层160直接形成在栅极电极153和156上并且执行退火工艺，因此可以在最佳温度执行退火工艺。
此外，与有机绝缘层170相比，诸如氮化硅膜的无机绝缘层160包含更多的氢，因此当形成有无机绝缘层160时，可对半导体层133和136更有效地执行退火工艺。
在无机绝缘层160上形成有机绝缘层170(S140)，然后如图7所示，通过使用半色调曝光(halftone exposure)通过光刻来选择性地去除有机绝缘层170和无机绝缘层160的将形成多个接触孔7644、7645、7647和7648(示出在图8中)的部分。此外，去除有机绝缘层170和无机绝缘层160的设置在像素电极中间体7100上的部分，以暴露像素电极中间体7100。此外，去除有机绝缘层170的将形成开口槽7080的部分，使得有机绝缘层170的将形成开口槽7080的部分的一部分留下。即，有机绝缘层170的将形成开口槽7080的部分没有被完全去除，有机绝缘层170的将形成开口槽7080的部分的一部分留下。这里，有机绝缘层170的将在第一电容器电极139上形成电容器开口7090的部分(示出在图8中)也被去除，从而有机绝缘层170的将在第一电容器电极139上形成电容器开口7090的部分的一部分留下(S150)。
之后，通过湿法蚀刻工艺去除栅极绝缘层140的将形成接触孔7644、7645、7647和7648的部分。所述湿法蚀刻工艺使用具有方向性的等离子体蚀刻。所述湿法蚀刻工艺使用诸如C4F8、SF6或CF4的含氟成分的气体。这里，在蚀刻栅极绝缘层140的工艺期间，有机绝缘层170的留在将形成开口槽7080和电容器开口7090的区域中的部分保护无机绝缘层160不被去除和损坏。这可以实现是因为有机绝缘层170和栅极绝缘层140具有不同的蚀刻选择性。无机绝缘层160具有与栅极绝缘层140的蚀刻选择性相似或等同的蚀刻选择性。因此，如果有机绝缘层170的剩余部分不存在，则当蚀刻栅极绝缘层140时，无机绝缘层160也会被蚀刻或损坏。
参照图8，通过灰化(ashing)去除有机绝缘层170的留在将要形成开口槽7080和电容器开口7090的区域中的部分，从而完成开口槽7080和电容器开口7090。
参照图9，去除像素电极中间体7100的栅极金属层，以形成像素电极710。在有机绝缘层170上形成多条导线184、185、187、188和189(S160)。导线184、185、187和188分别覆盖接触孔7644、7645、7647和7648。为第二电容器电极189的导线189覆盖电容器开口7090。多条导线中的一些为源极电极184和187，多条导线中的另一些为漏极电极185和188。多条导线中的另一些为第二电容器电极189。
源极电极184和187及漏极电极185和188分别通过多个接触孔7644、7645、7647和7648接触半导体层133和136的源极区1334和1367及漏极区1335和1368。
如上参照图3所述，形成具有暴露像素电极710的像素开口195的像素限定层190。有机发射层720和共电极730顺序地形成在通过像素开口195暴露的像素电极710上。
之后，布置对向基板210以覆盖OLED 70。
通过前述制造方法可有效地制造根据第一示例性实施例的显示装置101。显示装置101可稳定地防止内部短路，且用于显示装置101的薄膜晶体管10和20的半导体层133和136可被有效地退火。
现在将参照图10解释根据第二示例性实施例的显示装置102。
如图10中所示，在根据第二示例性实施例的显示装置102中，开口槽7681形成在无机绝缘层160中，开口槽7680形成在有机绝缘层170中。开口槽7680和7681一起排列以暴露栅极绝缘层140或栅极电极153和156。即，组合的开口槽7680和7681可具有增大的深度。因此，开口槽7680和7681可稳定地使导线184、185、187、188和189绝缘。
根据上述构造，显示装置102可稳定地防止内部短路，且用于显示装置102的薄膜晶体管10和20的半导体层133和136可被有效地退火。
除了开口槽7681形成在无机绝缘层160中且开口槽7680和7681一起排列以暴露栅极绝缘层140或者栅极电极153和156之外，根据第二示例性实施例的显示装置103的制造方法与根据第一示例性实施例的显示装置101的制造方法基本相同。在用于在无机绝缘层160中形成开口槽7681的工艺期间，无机绝缘层160的覆盖栅极电极153和156的部分也被去除。
现在将参照图11解释根据第三示例性实施例的显示装置103。
根据第三示例性实施例的显示装置103包括液晶层300来替代图3中示出的OLED 70。具体地，显示装置103包括连接到薄膜晶体管20的漏极电极188的像素电极310、形成在像素电极310上的液晶层300和形成在液晶层300上的共电极320。
液晶层300可包括各种已知的液晶材料。
此外，显示装置103还可包括设置为面对基板111的对向基板210，液晶层300设置在基板111和对向基板210之间。共电极320形成在对向基板210的内表面上。
此外，显示装置103还可包括分别结合到基板111和对向基板210的外表面的偏振板410和420。
如同第一示例性实施例，无机绝缘层160形成在栅极电极上，有机绝缘层170形成在无机绝缘层160上。包括源极电极187和漏极电极188的多条导线形成在有机绝缘层170上。
开口槽7080形成在有机绝缘层170上。多条导线187和188彼此分开地设置，开口槽7080形成在所述多条导线之间。即，开口槽7080围绕所述多条导线187和188并使所述多条导线187和188绝缘。
然而，第三示例性实施例不限于此。如在第二示例性实施例中，开口槽7080可形成在有机绝缘层170和无机绝缘层160中。
根据前述构造，通过驱动液晶来显示图像的显示装置103可稳定地防止内部短路，用于显示装置103的薄膜晶体管20的半导体层136可被有效地退火。
尽管已经结合目前认为是可行的示例性实施例描述了本公开，但是应该理解，本发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (24)

1.一种显示装置，包括：
基板；
半导体层，形成在基板上；
有机绝缘层，形成在半导体层上，有机绝缘层具有开口槽和暴露半导体层的一部分的接触孔；
多条导线，形成在有机绝缘层上并覆盖所述接触孔，所述开口槽形成在所述多条导线之间。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条导线彼此分开地设置。
3.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
栅极绝缘层，形成在半导体层上；
栅极电极，形成在栅极绝缘层上。
4.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在有机绝缘层和栅极电极之间的无机绝缘层。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，无机绝缘层具有开口槽，有机绝缘层的开口槽和无机绝缘层的开口槽一起排列以暴露栅极绝缘层或栅极电极。
6.如权利要求4所述的显示装置，其中，无机绝缘层包括含有氢的氮化硅膜。
7.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素电极，形成在栅极绝缘层上，像素电极结合到半导体层的漏极区；
有机发射层，形成在像素电极上；
共电极，形成在有机发射层上。
8.如权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素电极，形成在栅极绝缘层上，像素电极结合到半导体层的漏极区；
液晶层，形成在像素电极上；
共电极，形成在液晶层上。
9.如权利要求3所述的显示装置，其中，栅极电极形成为包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层结构，像素电极由与栅极电极的栅极透明层的材料相同的材料形成在与栅极透明层相同的高度。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，半导体层是通过图案化多晶硅层形成的。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条导线中的一条导线为连接到半导体层的源极区的源极电极，所述多条导线中的另一条导线为连接到半导体层的漏极区的漏极电极。
12.如权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一电容器电极，形成在基板上，第一电容器电极与半导体层处于相同的高度；
第二电容器电极，形成在栅极绝缘层上，第二电容器电极与源极电极和漏极电极处于相同的高度。
13.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备基板；
在基板上形成半导体层；
在半导体层上形成有机绝缘层；
在有机绝缘层上形成开口槽和暴露半导体层的一部分的接触孔；
在有机绝缘层上形成多条导线以覆盖所述接触孔，所述多条导线彼此分开地设置，所述开口槽形成在所述多条导线之间。
14.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在半导体层上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成栅极电极，所述有机绝缘层被形成在栅极电极上。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述多条导线包括源极电极和漏极电极。
16.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在基板上在与半导体层相同的高度形成第一电容器电极，所述多条导线包括形成在与源极电极和漏极电极相同的高度处的第二电容器电极。
17.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括在栅极电极和有机绝缘层之间形成无机绝缘层的步骤。
18.如权利要求17所述的方法，在有机绝缘层上形成开口槽的步骤还包括以下步骤：
在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔，有机绝缘层的接触孔、无机绝缘层的接触孔和栅极绝缘层的接触孔一起排列以暴露半导体层的一部分。
19.如权利要求18所述的方法，在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔的步骤还包括以下步骤：
去除有机绝缘层和无机绝缘层的将要形成多个接触孔的部分；
利用半色调曝光通过光刻去除有机绝缘层的将要形成所述开口槽的部分的一部分；
通过蚀刻工艺去除栅极绝缘层的将形成所述多个接触孔的部分，以暴露半导体层的部分；
去除有机绝缘层的留在将形成所述开口槽的区域中的部分。
20.如权利要求17所述的方法，形成开口槽的步骤包括将有机绝缘层和无机绝缘层一起图案化的步骤。
21.如权利要求17所述的方法，其中，无机绝缘层包括氮化硅膜和氧化硅膜中的至少一种。
22.如权利要求17所述的方法，其中，无机绝缘层包括利用硅烷、氨和氢通过等离子体增强化学气相沉积形成的氮化硅膜。
23.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括在栅极电极上形成无机绝缘层之后退火的步骤。
24.如权利要求23所述的方法，其中，所述退火包括在高于250℃的温度执行热处理。
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