CN102280396A - 一种石墨舟饱和处理工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种石墨舟饱和处理工艺，包括如下步骤：将石墨舟清洗并干燥的步骤；进行干燥的步骤；在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；进行工艺调试的步骤。本发明提高了镀膜的合格率，在一定程度上降低了色差等不良品的比例，解决了原来石墨舟饱和的技术难题，大大提高了产线的产能及效益。

Description

一种石墨舟饱和处理工艺
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池制造中的镀膜工艺，尤其是涉及一种石墨舟饱和处理工艺。 
背景技术
PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)是硅太阳能电池制造工艺中不可缺少的一部分，随着PECVD技术的不断改进，管式PECVD在提高太阳能电池的效率上有了显著提高。而石墨舟饱和效果的好坏，在相当大的程度上，影响了管式PECVD的镀膜效果，若不能控制好石墨舟的饱和工艺，将会导致色差片增多，严重制约了产能及效益。 
发明内容
本发明为解决原来石墨舟饱和效果不好的问题，为此提供了一种石墨舟饱和处理工艺，包括如下步骤：将石墨舟清洗并干燥的步骤；进行干燥的步骤；在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；进行工艺调试的步骤。 
本发明石墨舟饱和处理工艺，所述石墨舟清洗步骤包括采用浓度为15%～20%的氢氟酸进行清洗的方法，干燥步骤包括在烘干箱内进行4h～6h烘干的步骤。 
本发明石墨舟饱和处理工艺，所述在管式PECVD内进行饱和处理的步骤包括在真空条件下进行2～4次射频辉光的步骤，所述射频辉光可以为3次。 
本发明石墨舟饱和处理工艺，每次辉光时间为2000s～2500s，相邻两次辉光时间间隔200～500s，所述射频辉光的频射功率为4800W～5600W，饱和温度为450℃～480℃，氨气和硅烷的流量比为1000：9000，占空比为3：30。 
本发明的有益效果是： 
本发明的工艺技术使石墨舟的饱和效果匹配产线镀膜工艺，提高了镀膜的合格率，在一定程度上降低了色差等不良品的比例，解决了原来石墨舟饱和的技术难题，大大提高了产线的产能及效益。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。 
本说明书（包括任何附加权利要求、摘要）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。 
本发明石墨舟饱和处理工艺的过程如下： 
（1）将石墨舟清洗并干燥的步骤；
（2）进行干燥的步骤；
（3）在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；
（4）进行工艺调试的步骤。
其中步骤（1）中的清洗清洗包括采用浓度为15%～20%的氢氟酸进行清洗的方法； 
其中步骤（2）中的干燥包括在烘干箱内进行4h～6h的烘干方法。
其中步骤（3）中的饱和处理包括在真空条件下进行2～4次射频辉光的步骤，每次辉光时间为2000s～2500s，相邻两次辉光时间间隔200～500s，射频辉光的频射功率为4800W～5600W，饱和温度为450℃～480℃，氨气和硅烷的流量比为1000：9000，占空比为3：30。 
下面通过具体实施例进一步说明本发明工艺方法的具体过程： 
实施例1
使用浓度为15%～20%的氢氟酸进行清洗，然后放入烘干箱内烘干4h～6h；将烘干好的石墨舟送至管式PECVD进行饱和处理，饱和温度设定为450℃～480℃，在真空条件下进行三次射频辉光，每次辉光时间为2000s～2500s，相邻两次辉光时间间隔200～500s，射频辉光的频射功率为4800W～5600W，氨气和硅烷的流量比为1000：9000，占空比为3：30。将饱和的石墨舟送至产线进行工艺调试并投入使用。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。 

Claims (7)

1.一种石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：
对石墨舟进行清洗的步骤；
进行干燥的步骤；
在管式PECVD内进行饱和处理的步骤；
进行工艺调试的步骤。
2.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述对石墨舟进行清洗的步骤中采用浓度为15%～20%的氢氟酸对石墨舟进行清洗。
3.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述干燥包括在烘干箱内进行4h～6h烘干的步骤。
4.根据权利要求1所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述饱和处理包括在真空条件下进行2～4次射频辉光的步骤。
5.根据权利要求4所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述饱和处理包括在真空条件下进行3次射频辉光的步骤。
6.根据权利要求4或5所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，每次辉光时间为2000s～2500s，相邻两次辉光时间间隔200～500s。
7.根据权利要求6所述的石墨舟饱和处理工艺，其特征在于，所述射频辉光的频射功率为4800W～5600W，饱和温度为450℃～480℃，氨气和硅烷的流量比为1000：9000，占空比为3：30。
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