CN107623051A - 一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺 - Google Patents

一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN107623051A
CN107623051A CN201710762391.4A CN201710762391A CN107623051A CN 107623051 A CN107623051 A CN 107623051A CN 201710762391 A CN201710762391 A CN 201710762391A CN 107623051 A CN107623051 A CN 107623051A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cell piece
plated
graphite boat
complement
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710762391.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107623051B (zh
Inventor
陈伟兵
彭平
夏中高
顾鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Pingmei Shenma Energy and Chemical Group Co Ltd
Original Assignee
Ping Long Coal Based Amperex Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ping Long Coal Based Amperex Technology Ltd filed Critical Ping Long Coal Based Amperex Technology Ltd
Priority to CN201710762391.4A priority Critical patent/CN107623051B/zh
Publication of CN107623051A publication Critical patent/CN107623051A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107623051B publication Critical patent/CN107623051B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：挑选需补渡的电池片；步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜；步骤3：电池片补渡准备：抽测电池片的平均厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；步骤4：对电池片进行补渡：步骤5：将补镀完的电池片进行全捡并正常下传到下一道工序；采用该工艺补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致，外形美观，颜色正常。

Description

一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺。
背景技术
在太阳能电池生产中有一个工序叫做PECVD工序，PECVD工序的作用是在硅太阳能电池上沉积一层氮化硅薄膜，减少太阳光的反射率，来提高电池的转换效率。
对电池进行镀膜时以石墨舟作为载体，由于石墨舟为石墨材质，镀膜时对氮化硅有一定的吸附能力，为了减少在对电池镀膜时由于石墨舟对氮化硅的吸附而影响电池镀膜的均匀性，因此新清洗的石墨舟上线前会预先在石墨舟上沉积一层氮化硅薄膜，减少石墨舟承载电池片镀膜时石墨舟对氮化硅的吸附能力，以此降低电池片镀膜时对电池片上沉积氮化硅薄膜均匀性的影响。
在镀膜过程中，由于温度、石墨舟或者设备本身等一些不可控因素，每舟电池片可能会造成一些颜色不良电池片，这些不良片正常情况先需要返工处理，在这些不良片中一些电池片整体膜厚偏薄，片内膜厚均匀性无明显差异，因此可以将膜厚偏薄电池片收集后进行补镀膜并正常下传，降低生产成本。但由于一般造成偏薄片都是由于温度的不均匀造成，偏薄片边缘相对中间膜厚稍有偏厚，因此正常补镀后边缘相对偏厚，边缘颜色偏白。
发明内容
本发明的目的在于克服当前镀膜工序正常生产时由于设备、以及舟或者炉管温度等一些因素导致的舟内少许发红片边缘相对偏厚，将红片插入舟内补镀后边缘相对偏厚，外观不良的问题，而提供一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，该处理工艺可通过降低对石墨舟饱和时间，减少石墨舟上氮化硅的沉积量，补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致。
本发明是这样实现的：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9-11min，射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
上述的一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为10min，射频功率为7500W，占空比为0.1，压力为1500mtorr ，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为9800W，占空比为0.1，压力为1500mtorr ，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
本发明具有以下的优点：本发明中一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺对于边缘膜厚偏厚的发红片，可通过降低对石墨舟饱和时间，减少石墨舟上氮化硅的沉积量，以此在插偏薄片补镀时，由于前期石墨舟上氮化硅沉积量太少，因此石墨舟舟片对氮化硅有强的吸附力，造成电池边缘与石墨舟接触处吸附氮化硅减少，补镀后可有效避免电池边缘偏厚问题，补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致，外形美观，颜色正常。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9min，射频功率为7000W，占空比为0.98，压力为1400mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8L/min，NH3气体流量控制在7.6L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000W，占空比为0.98，压力为1400mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8L/min，NH3气体流量控制在7.6L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
实施例2：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为11min，射频功率为8000W，占空比为0.12，压力为1600mtorr ，SiH4气体流量控制在1.2L/min，NH3气体流量控制在8.0L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为8000W，占空比为0.12，压力为1600mtorr ，SiH4气体流量控制在1.2L/min，NH3气体流量控制在8.0L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
实施例3：一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于插片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为10min，射频功率为7500W，占空比为0.1，压力为1500mtorr ，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的花篮中抽取3片电池片进行检测厚度，得出该花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为9800W，占空比为0.1，压力为1500mtorr ，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
关于该“PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺”的测试实验：
实验对象：选取300片膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片。
对照实验：将上述的300片电池片分成三组，每组100片，分别为实验组、对照组一、对照组二。
实验方法：
实验组：采用实施例1中的石墨舟预镀膜工艺进行处理；
对照组一：采用产线正常石墨舟预镀膜工艺进行处理；
对照组二：未采用石墨舟预镀膜工艺进行处理。
实验结果：
组别 补镀方案 补镀效果 中间同边缘的膜厚差距
实验组 预镀膜十分钟石墨舟补镀 补镀后边缘发白现象相对产线正常舟好转，边缘膜厚同中间基本一致 边缘同中间相差2-3nm
对照组一 产线正常预镀膜石墨舟补镀 补镀后边缘发白，边缘膜厚相对中间偏厚 边缘同中间相差4-6nm
对照组二 未进行预镀膜石墨舟补镀 补镀后边缘发白现象相对产线正常舟好转，边缘膜厚同中间基本一致，但由于石墨舟未进行预处理，硅片有脏污现象 边缘同中间相差2-3nm
实验数据分析：
使用本发明的工艺进行预镀膜十分钟后的石墨舟，由于石墨舟未饱和完全，因此石墨舟对氮化硅吸附能力很强（吸附能力高于电池片），会导致电池边缘与石墨舟接触处吸附氮化硅量减少，因此补镀完成后，电池边缘与中间膜厚差值减小；使用正常产线石墨舟补镀时，由于石墨舟已完全处于氮化硅饱和状态，因此使用该石墨舟镀膜偏薄电池片的边缘与中间会增加相同的膜厚，所以因此补镀完成后，电池边缘与中间膜厚差值基本上没有变化，补渡后的电池边缘依旧偏厚；使用未预镀膜石墨舟补镀偏薄片时，会有与实验组一样的效果，但由于未预镀膜石墨舟表面有石墨粉尘，会导致电池脏污。因此，本发明通过降低对石墨舟饱和时间，减少石墨舟上氮化硅的沉积量，可有效避免电池边缘偏厚问题，补镀后的电池片边缘厚度与中间均匀一致，外形美观，颜色正常。

Claims (2)

1.一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于硅片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为9-11min，射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的硅片花篮中抽取3片电池片进行厚度检测，得出该硅片花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为7000-8000W，占空比为0.98-0.12，压力为1400-1600mtorr ，SiH4气体流量控制在0.8-1.2L/min，NH3气体流量控制在7.6-8.0L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
2.根据权利要求1所述的一种PECVD工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：挑选需补渡的电池片：生产员工在镀膜后捡片时将返工片分类，将膜厚低于72nm且薄厚均匀的电池片放置于硅片花篮中准备补镀；
步骤2：对石墨舟进行预镀膜：清洗石墨舟，将清洗后的石墨舟进行预镀膜：将石墨舟进行射频辉光处理，射频时间为10min，射频功率为7500W，占空比为0.1，压力为1500mtorr ，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；
步骤3：电池片补渡准备：从含100片电池片的硅片花篮中抽取3片电池片进行厚度检测，得出该硅片花篮中电池片的平均厚度，计算出需要补渡的厚度，按照12s/nm的补渡速率，计算出补镀所需的时间，并将需补镀电池片插入准备好的石墨舟内；
步骤4：对电池片进行补渡：将计算好的时间写入补镀工艺，将插满补镀电池片的石墨舟送入炉内补镀：控制射频功率为9800W，占空比为0.1，压力为1500mtorr ，SiH4气体流量控制在1L/min，NH3气体流量控制在7.8L/min；
步骤5：将补镀完的电池片进行全检，备用。
CN201710762391.4A 2017-08-30 2017-08-30 一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺 Active CN107623051B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710762391.4A CN107623051B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710762391.4A CN107623051B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107623051A true CN107623051A (zh) 2018-01-23
CN107623051B CN107623051B (zh) 2020-11-13

Family

ID=61088379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710762391.4A Active CN107623051B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107623051B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109355642A (zh) * 2018-11-08 2019-02-19 百力达太阳能股份有限公司 一种改善管式pecvd色差降级的镀膜方法
CN110223915A (zh) * 2019-05-15 2019-09-10 电子科技大学 一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法
CN113851557A (zh) * 2021-09-17 2021-12-28 通威太阳能（安徽）有限公司 一种perc电池及其制备方法
CN114284368A (zh) * 2021-12-17 2022-04-05 通合新能源(金堂)有限公司 太阳能电池片的镀膜工艺
CN116154041A (zh) * 2023-03-10 2023-05-23 通威太阳能(眉山)有限公司 一种电池片的返工处理方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5631197A (en) * 1995-08-30 1997-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Sacrificial etchback layer for improved spin-on-glass planarization
US20030190496A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Badowski Alfred A. Dynamic use of process temperature
US20090179307A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Integrated circuit system employing feed-forward control
CN102330074A (zh) * 2011-09-14 2012-01-25 江阴鑫辉太阳能有限公司 一种双层膜补充镀膜工艺
CN102412117A (zh) * 2010-09-19 2012-04-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜形成方法
CN102569035A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 上海先进半导体制造股份有限公司 背面金属工艺中断后晶片的返工方法
CN103972048A (zh) * 2014-04-22 2014-08-06 上海华力微电子有限公司 改善层间介质层研磨返工工艺的方法
CN105355722A (zh) * 2015-12-11 2016-02-24 江阴鑫辉太阳能有限公司 一种太阳能电池组件的制造方法
CN105448765A (zh) * 2015-12-07 2016-03-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属薄膜厚度测量方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5631197A (en) * 1995-08-30 1997-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Sacrificial etchback layer for improved spin-on-glass planarization
US20030190496A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Badowski Alfred A. Dynamic use of process temperature
US20090179307A1 (en) * 2008-01-15 2009-07-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Integrated circuit system employing feed-forward control
CN102412117A (zh) * 2010-09-19 2012-04-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜形成方法
CN102330074A (zh) * 2011-09-14 2012-01-25 江阴鑫辉太阳能有限公司 一种双层膜补充镀膜工艺
CN102569035A (zh) * 2012-02-27 2012-07-11 上海先进半导体制造股份有限公司 背面金属工艺中断后晶片的返工方法
CN103972048A (zh) * 2014-04-22 2014-08-06 上海华力微电子有限公司 改善层间介质层研磨返工工艺的方法
CN105448765A (zh) * 2015-12-07 2016-03-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属薄膜厚度测量方法
CN105355722A (zh) * 2015-12-11 2016-02-24 江阴鑫辉太阳能有限公司 一种太阳能电池组件的制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109355642A (zh) * 2018-11-08 2019-02-19 百力达太阳能股份有限公司 一种改善管式pecvd色差降级的镀膜方法
CN110223915A (zh) * 2019-05-15 2019-09-10 电子科技大学 一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法
CN113851557A (zh) * 2021-09-17 2021-12-28 通威太阳能（安徽）有限公司 一种perc电池及其制备方法
CN114284368A (zh) * 2021-12-17 2022-04-05 通合新能源(金堂)有限公司 太阳能电池片的镀膜工艺
CN116154041A (zh) * 2023-03-10 2023-05-23 通威太阳能(眉山)有限公司 一种电池片的返工处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107623051B (zh) 2020-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107623051A (zh) 一种pecvd工序中镀膜膜厚偏薄片的处理工艺
CN102280396B (zh) 一种石墨舟饱和处理工艺
CN112289895B (zh) 一种n型高效太阳能电池及制备方法
CN107742603A (zh) 一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法
CN107331734A (zh) 一种电池片pecvd镀膜后返工片的处理方法
CN105280755A (zh) 三次连续沉积升温扩散工艺
CN110106493B (zh) 利用管式pecvd设备制备背面钝化膜的方法
JP2020522896A (ja) 管型ｐｅｒｃ太陽電池のコーティング装置、及びコーティング方法
CN103866288A (zh) 一种用于原子层薄膜沉积的反应装置及方法
CN110656323A (zh) 用于制造hit太阳能电池的cvd设备、成套cvd设备及镀膜方法
CN105355722B (zh) 一种太阳能电池组件的制造方法
CN115498072A (zh) 铜种子层处理方法及太阳电池的制备方法
CN106299023B (zh) 一种抗pid太阳能电池返工片的处理方法
CN107611220A (zh) 一种太阳能电池片制备方法
CN102881767B (zh) 一种用于太阳能电池的链式扩散工艺
CN104393061B (zh) 一种晶体硅太阳能电池减反射膜及其制备工艺
CN111128815A (zh) 一种perc太阳能电池用的石墨舟饱和工艺
CN105957904B (zh) 改进的太阳能电池片的扩散工艺
CN206052149U (zh) 太阳能硅片镀膜用石墨舟片及石墨舟
CN115863156A (zh) 一种改善太阳能电池高方阻均匀性的扩散工艺
CN105552143A (zh) N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池
CN110400769B (zh) 石墨框的饱和方法以及石墨框
CN206163456U (zh) 特气管路及pecvd设备
CN107522191A (zh) 一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法
CN210956690U (zh) 一种n型硅片的异质结太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180613

Address after: 452670 Xiangcheng industrial agglomeration area (Xiangye Road), Xuchang, Henan

Applicant after: Ping long coal based Amperex Technology Limited

Applicant after: China Pingmei Shenma Energy Chemical Group Co., Ltd.

Address before: 452670 Xiangcheng industrial agglomeration area (Xiangye Road), Xuchang, Henan

Applicant before: Ping long coal based Amperex Technology Limited

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant