CN102265416B - 半导体发光元件 - Google Patents

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Abstract

能够提供具备欧姆性和透过性尽可能良好的p电极的半导体发光元件。该半导体发光元件具备：基板；在基板上设置的n型半导体层；在n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在活性层上设置的p型半导体层；在p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在n型半导体层的第2区域上设置的n电极。

Description

半导体发光元件
技术领域
本发明涉及半导体发光元件。
背景技术
一般地，作为半导体发光元件，已知的构造为在基板上层叠成为接触层的n型半导体层、n型熔覆层、活性层、p型熔覆层和成为接触层的p型半导体层，并相对于成为接触层的n型半导体层和p型半导体层，分别形成成为欧姆电极的n电极和p电极。在这样的半导体发光元件中，当从p型半导体层一侧取出光时，作为p电极，一般采用具有高透过率的ITO(铟锡氧化物)。但是，该ITO由于低的欧姆性，因此，仅仅用ITO难以制作特性好的器件。因此，为了具备良好的接触特性、透过性，提出了在ITO和接触层之间设置由In、Sn以外的金属构成的金属氧化物层(例如，参照特开2001-196633号公报)。
但是，在上述特开2001-196633号公报中，由于夹着金属氧化物层的区域而存在ITO，因此，实际上不能发挥ITO本来的透过率。此外，由于采用ITO以外的金属的氧化物，因此，蚀刻条件与ITO不同，存在加工过程复杂的问题。
发明内容
本发明正是考虑上述问题而提出的，其目的在于提供具备欧姆性和透过性尽可能好的p电极的半导体发光元件。
根据本发明的第1方式的半导体发光元件，其特征在于，具备：基板；在上述基板上设置的n型半导体层；在上述n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；在上述活性层上设置的p型半导体层；在上述p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在上述n型半导体层的第2区域上设置的n电极。
此外，根据本发明的第2方式的半导体发光元件，其特征在于，具备：基板；在上述基板上设置的n型半导体层；在上述n型半导体层上设置的发光的活性层；在上述活性层上设置的p型半导体层；在上述p型半导体层上设置的且具有氧含有率小于40原子％的第1导电性氧化物层的p电极；以及在上述基板的与上述n型半导体层相反一侧的面设置的n电极。
附图说明
图1是根据本发明的第1实施方式的半导体发光元件的截面图。
图2是表示用于说明第1实施方式的半导体发光元件的效果的仿真结果的图。
图3(a)至图3(c)是表示用于说明第1实施方式的半导体发光元件的效果的仿真结果的图。
图4是绘制图2所示的仿真结果的曲线图。
图5是表示用于说明第1实施方式的半导体发光元件的效果的仿真结果的图。
图6是表示第1实施方式的半导体发光元件的电极的形状的一个具体例子的图。
图7是表示第1实施方式的半导体发光元件的电极的形状的另一个具体例子的图。
图8是根据第1实施方式的变形例的半导体发光元件的截面图。
图9是根据第2实施方式的半导体发光元件的截面图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。
第1实施方式
在图1中示出根据本发明的第1实施方式的半导体发光元件的截面。本实施方式的半导体发光元件如下制造。
首先，如图1所示，在蓝宝石基板2上通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法或者MBE(分子束外延)法等形成不掺杂的GaN缓冲层(未图示)之后，在该缓冲层上形成n型GaN层4。在此，蓝宝石基板2如图1所示，为了提高光取出效率，可以采用在表面形成凹凸的加工基板，也可以采用在表面未形成凹凸的平坦基板。
接着，在n型GaN层4上通过MOCVD、MBE法等形成由InGaN构成的活性层6。由InGaN构成的活性层6具有单量子阱(SQW)构造或多量子阱(MQW)构造。进一步地，在由InGaN构成的活性层6上，通过MOCVD法等按顺序地形成未图示的由p型AlGaN构成的熔覆层和p型GaN层8。通过将这样制成的基板用RTA(快速退火)炉等进行热处理，促进p型GaN层8的p型杂质的活性。
接着，在p型GaN层8的表面上形成透明的p电极10。该透明的p电极10的详细形成方法在后面描述。在p电极10形成之后，使用光刻技术和RIE(反应离子蚀刻)法等蚀刻技术，如图1所示，除去p电极10、p型GaN层8、由p型AlGaN构成的熔覆层(未图示)以及由InGaN构成的活性层6的层叠膜的一部分，在底面使GaN层4的表面露出，同时除去该露出的n型GaN层4的一部分。作为该除去方法，并不限于RIE法，也可以通过湿蚀刻进行。
接着，在整个面上通过CVD法等形成透明的绝缘膜12。作为透明的绝缘膜，采用了SiO2等。然后，通过光刻技术和湿蚀刻法等除去n型GaN层4上的透明的绝缘膜12的一部分，使n型GaN层4露出。然后，通过真空蒸镀和提离，在露出的n型GaN层4上形成n电极14。n电极14由Ti和Al的层叠膜形成，更具体地，采用从下往上顺序地层叠Ti/Al/Ti/Pt的4层层叠构造。该n电极14通过在氮气中实施温度650℃的退火而提高欧姆接触性。
接着，通过使用光刻技术和湿蚀刻法除去p电极10上的透明的绝缘膜12的一部分，使p电极10上的一部分表面露出。使用真空蒸镀法，在露出的p电极10上形成接合用的衬垫(pad)电极16，同时在n电极14上形成接合用的衬垫电极18。作为衬垫电极16、18的材质，可以如从下往上顺序地层叠Ti/Pt/Au的层叠膜或者从下往上顺序地层叠Ni/Au的层叠膜那样，在上部的层使用Au，在与n电极14或p电极10的界面使用相干性高的Ni、Ti。
最后，使用光刻技术和RIE技术，设置达到蓝宝石基板2的元件分离用沟22，芯片化变得容易。然后，通过CVD法、溅射法、蒸镀法等以覆盖到该元件分离用沟22的侧面为止的方式形成透明的绝缘膜12。
本实施方式的p电极10由透明的导电性氧化物(例如ITO)构成，具备第1ITO层10a和在该第1ITO层10a上形成的第2ITO层10b。第1ITO层10a例如被形成为层厚度在100nm以下，并且与第2ITO层10b相比，ITO的氧含有量少。这样，由于第1ITO层10a成为氧损失多的ITO层，因此，成为类金属的状态，具有低的接触电阻。另一方面，第2ITO层10b设为具有在透过率、电气传导性方面佳的氧含有量的ITO层。通过这样的构成，能够获得具有低的接触电阻和良好的透过性、电气传导性的p电极10。另外，当p电极10的厚度在100nm以下时，也可以不设置第2ITO层10b而仅仅由第1ITO层10a构成p电极10。
由该ITO构成的p电极10的形成方法例如使用电子束蒸镀法形成。首先，基板的温度为200℃～450℃左右，蒸镀速率为0.1nm/sec～1.5nm/sec，不导入氧而将背压设为通常推荐的真空度(1.0×10-5Torr以下)的条件下，对ITO烧结材料照射电子束，在p型GaN层8上将层厚度为10nm～100nm左右的第1ITO层10a成膜。此时，由于第1ITO层10a的层厚度依赖于期望的透过率、薄膜电阻，因此，不必限于10nm～100nm。
接着，在上述温度、上述蒸镀速率下，以氧分压成为1.0×10-4Torr～1.0×10-3Torr左右的方式使氧流入，将导电率和透过性良好的第2ITO层10b成膜。在此，第2ITO层10b也可以从第1ITO层10a形成时开始连续地一边增加氧流入量一边进行成膜，消除与第1ITO层10a的氧导入的边界。
首先，参照图2说明与ITO层的特性有关的形成时的氧分压依赖性。准备膜厚度都为250nm的单层的ITO层、氧分压为0Torr、1.0×10-4Torr、4.0×10-4Torr、7.0×10-4Torr而形成的4种ITO层的样本a、b、c、d，在图2中示出调查与各个样本a、b、c、d有关的接触电阻(Ω·cm2)、透过率(％)、电阻率(薄膜电阻)和氧含有率(原子％)的结果。另外，透过率表示对ITO层进行热处理后的值。根据该图2可知，存在氧分压越低、接触电阻就越低的倾向。另一方面，存在透过率随着氧分压越高而越大的倾向，两者难以两全。
因此，本发明者为了获得第1ITO层10a的最佳的接触电阻，则如图3(a)、图3(b)、3(c)所示，进行在由n型半导体层、活性层以及p型半导体层构成的层叠膜上形成n电极和p电极的半导体发光元件的电压下降仿真。该仿真是相对于p电极的接触电阻为1×10-2(Ω·cm2)的半导体发光元件和p电极的接触电阻为1×10-3(Ω·cm2)的半导体发光元件，计算注入20mA的电流时的半导体发光元件的各层中的电压下降。根据图3(b)、3(c)可知，p电极的接触电阻为1×10-3(Ω·cm2)的情况与p电极的接触电阻为1×10-2(Ω·cm2)的情况相比，p电极的电压下降减小了1位数，作为半导体发光元件，能够实现大约6％的驱动电压的低电压化。因此，在本实施例中，优选地，第1ITO层10a的接触电阻小于1×10-2(Ω·cm2)，从而能够获得良好的接触电阻。
此外，根据图2所示的测定结果，在图4中示出了描绘上述样本a、b、c、d的电阻率和氧含有率与接触电阻的氧分压依赖性的曲线图。如根据图4所示的曲线图可知的，电阻率在氧分压为大约4×10-4(Torr)时最低，而比该氧分压值小或者大时，电阻率上升。当然，与氧分压的上升相应地，氧含有率上升，接触电阻也上升。如上所述，由于第1ITO层10a的接触电阻优选地小于1×10-2(Ω·cm2)，因此，根据图4可知，优选地，第1ITO层10a的氧含有率比0原子％大且小于40原子％，更优选地，在5原子％以上而小于40原子％。
接着，如根据本实施方式的由ITO构成的p电极那样，准备与具有第1ITO层和在该第1ITO层上形成的第2ITO层的ITO电极有关的3种样本e、f、g。样本e、f、g被形成为膜厚度都设为250nm，将第1ITO层的成膜时的氧分压全部设为0Torr，将第2ITO层的成膜时的氧分压全部设为4.0×10-4Torr，将第1ITO层的层厚度分别设为10nm、30nm、50nm。在图5中示出调查与这些样本e、f、g有关的接触电阻(Ω·cm2)、透过率(％)和电阻率的结果。另外，透过率表示对ITO层实施热处理后的值。根据该图5可知，第1ITO层在10nm左右的厚度下没有接触电阻的降低效果。此外，在设置有第1ITO层时(样本e、f、g时)，成膜时的氧分压相同或者高，与图2所示的样本c或样本d相比，接触电阻变为大约1/3左右。此外，在样本e、f、g时，获得透过率在90％以上，电阻率也在1.0×10-3(Ω·cm)以下，不逊色于通过一般的蒸镀法形成的由单层的ITO构成的p电极的特性。
另外，在特开2005-244128号公报中公开了作为在半导体层叠膜上形成的p电极使用向包含从由锌、铟、锡和镁构成的组中选择的至少一种元素的导电性氧化物膜导入氧并使与上述半导体层叠膜相反一侧的面中的氧浓度成为最高而构成的电极的半导体发光元件。但是，在该特开2005-244128号公报所记载的半导体发光元件中，导电性氧化物膜在其与半导体层叠膜的界面一侧设置有薄膜电阻低的层，即电阻率小的层。
导电性氧化物，例如ITO的薄膜电阻，一般依赖于氧损失量。如果氧损失量变少，则载流子变少，电阻率变高。此外，如果氧损失量过少，则结晶性变差，载流子的迁移率减少，电阻率变高。即，变成图4所示的特性。根据图4可知，薄膜电阻低的ITO层，即电阻率低的ITO层，其电阻率为1×10-4(Ω·cm)左右，氧含有率为61原子％左右。另外，电阻率为1×10-4(Ω·cm)的ITO的载流子密度为1.0×1020(原子/cm3)～1.0×1021(原子/cm3)，可见光的透过率为90％以上。
因此，在特开2005-244128号公报所记载的半导体发光元件中，与半导体层叠膜的界面一侧的上述p电极层(与本实施方式的第1ITO层对应)的氧含有率为61原子％左右，比p电极的其它部分的氧含有率小。
与此相对，在本实施方式的半导体发光元件中，根据图4可知，第1ITO层的氧含有率小于40原子％，因此，与特开2005-244128号公报所记载的半导体发光元件的上述p电极层相比，结晶性稍差，薄膜电阻(电阻率)也变高。但是，在本实施方式中，由于将载流子密度高的(传导电子浓度高的)ITO层作为第1ITO层，因此，与特开2005-244128号公报所记载的半导体发光元件相比，接触电阻低，即欧姆性佳。于是，在本实施方式中，为了使作为p电极整体的薄膜电阻降低且使透过率提高，形成在第1ITO层上层叠薄膜电阻低且透过率高的第2ITO层的构成。
如以上所说明的，根据本实施方式，能够获得具备欧姆性和透过性尽可能良好且加工容易的电极的半导体发光元件。
此外，根据本实施方式的由ITO构成的p电极，即使是比根据蚀刻速率换算的蚀刻时间长50％的蚀刻，也可以使侧面蚀刻在1μm以下，并且具有能够无残渣地加工的优点。对此在下面进行说明。第1ITO层10a与进行了氧导入的第2ITO层10b相比，结晶粒小。该结晶粒小的第1ITO层10a与具有高导电性、高透过性的第2ITO层10b相比，蚀刻速率大。在湿蚀刻时，从结晶粒的微小间隙渗入的蚀刻剂首先蚀刻第1ITO层10a，上层的第2ITO层10b随后成为蚀刻形态。将此时的蚀刻速率假设为A。侧面蚀刻与上层的第2ITO层的缓慢的蚀刻速率有关系。将该速率设为B。通常，当以单层对由ITO构成的p电极成膜时，A＝B，如果进行50％过蚀刻，则能够进行大的侧面蚀刻。因此，非常难以选定用于减少侧面蚀刻且进行无残渣的蚀刻的蚀刻时间。但是，在根据本实施方式的ITO电极中，第1ITO层的蚀刻速率A远远大于第2ITO层的蚀刻速率B(即，A＞＞B)，因此，可以设置没有残渣的充分的蚀刻时间。
根据本实施方式的成膜了的由ITO构成的p电极10通过在氮中以500℃～800℃的温度进行热处理，能够获得良好的接触特性。这是因为通过进行热处理，从由ITO构成的p电极10向p型GaN层8一侧稍微扩散、反应了的In形成InGaN的狭带层，载流子容易产生隧道效应。在本实施方式中，第1ITO层10a如前所述地成为类金属的状态，与高导电、高透过性的第2ITO层10b相比，结晶性差。因此，通过热处理，In容易向p型GaN层8一侧扩散，与通常的ITO电极相比，接触电阻变低。因此，上述热处理温度尽可能地高。优选地，在700℃附近。这是因为GaN结晶的成长一般在700℃以上进行，因此，是对结晶不产生损害且最可能引起界面反应的高温度。
在本实施方式中，由ITO构成的p电极10例如也可以通过溅射法进行成膜。此时，溅射法形成的成膜由于飞散粒子的能量高，因此，作为成膜时的基板温度，能够在常温～300℃的范围中选择。
此外，在本实施方式的半导体发光元件中，为了进行引线接合，分别形成p侧衬垫电极16和n侧衬垫电极18。此时，p侧衬垫电极16和n侧衬垫电极18的形状，如图6所示，也可以在半导体发光元件的顶面的两端的附近形成。在此，图6示出本实施方式的半导体发光元件的顶面。此外，如图7所示，n侧衬垫电极18以具备在半导体发光元件的一个端部的附近形成的衬垫部18a和从该衬垫部18a向p侧衬垫电极16延伸的1条细线部18b的方式形成，p电极16以具备在半导体发光元件的另一个端部的附近形成的衬垫部16a和从该衬垫部16a向n侧衬垫电极18延伸的2条细线部16b、16c的方式形成。这样，通过设置细线部，可以很好地进行电流的扩展。另外，p侧衬垫电极16和n侧衬垫电极18的形状也可以不是正方形而是圆形，其形成的位置也可以不是两端的附近，而是任意一个衬垫电极设置在半导体发光元件的顶面的中心附近。
此外，在第1实施方式中，透明的绝缘膜12例如用SiO2形成。该成膜方法有CVD法、溅射法、蒸镀法等各种方法。此外，由于具有绝缘性即可，因此，作为透明的绝缘膜12，可以不限于SiO2，也可以使用TiO2等。
此外，在第1实施方式中，在ITO电极10上没有形成透明的绝缘膜12，但是，如图8所示，如同第1实施方式的变形方式的半导体发光元件，也可以在由ITO构成的p电极10上形成。在这种情况下，优选地，透明的绝缘膜12的折射率n比由ITO构成的p电极10的折射率小(2.0左右)，当将使其透过而取出的光的波长设为λ时，其膜厚度d可以形成为满足m·λ/4＝n·d(m是偶数)的条件。根据该变形方式的构成，通过在由ITO构成的p电极10上形成透明的绝缘膜12，可提高光取出效率和可靠性。
第2实施方式
接着，在图9中示出根据本发明的第2实施方式的半导体发光元件。本实施方式的半导体发光元件是在GaN基板32上结晶生长的半导体发光元件。即，本实施方式的半导体发光元件具有在GaN基板32上依次层叠n型GaN层4、InGaN的活性层6、p型GaN层8、第1ITO层10a和第2ITO层10b的构造。第1ITO层10a和第2ITO层10b构成p电极10。然后，在p电极10上形成p侧衬垫电极16，在GaN基板32的与n型GaN层4相反一侧的面形成n电极14，在n电极14的与GaN基板32相反一侧的面形成n侧衬垫电极18。
GaN基板上的结晶生长方法基本上与蓝宝石基板上的结晶生长方法一样。一般地，GaN基板上的结晶，转移密度少，发光效率高，如果基板的价格下降，则是今后主流的基板。当GaN基板使用时，如图9所示，由于基板是导电性的，因此，可以在基板上将n电极14成膜。作为n电极14，与蓝宝石基板使用时相同，如果使用Ti/Al系的电极，则可以期待低接触性。
该第2实施方式也可以获得与第1实施方式同样的效果。
此外，在上述第1和第2实施方式中，虽然采用ITO作为p电极的材料，但是，也可以使用包含从In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的组中选择的至少一个元素的导电性氧化物。
如以上说明的，在本发明的各实施方式中，作为p电极，通过在与半导体层叠膜相接的区域使用氧含有率小于40原子％的导电性氧化物层，在其上部形成低薄膜电阻、高透过率的导电性氧化物层，能够获得同时实现高的光取出效率和低的驱动电压的半导体发光元件。此外，湿蚀刻时的残渣也可以减轻。

Claims (12)

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：
基板；
在上述基板上设置的n型半导体层；
在上述n型半导体层的第1区域上设置的发光的活性层；
在上述活性层上设置的p型半导体层；
p电极，其设置在上述p型半导体层上，并具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和在上述第1导电性氧化物层上设置的且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层，所述第1导电性氧化物层中的结晶粒小于所述第2导电性氧化物层中的结晶粒；以及
在上述n型半导体层的第2区域上设置的n电极。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第1导电性氧化物层至少包含一个从In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的组中选择的元素。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第1导电性氧化物层的接触电阻小于1×10-2Ω·cm2。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在10nm以上且100nm以下。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第2导电性氧化物层的透过率比上述第1导电性氧化物层高。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，上述基板是蓝宝石基板或者半导体基板。
7.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：
基板；
在上述基板上设置的n型半导体层；
在上述n型半导体层上设置的发光的活性层；
在上述活性层上设置的p型半导体层；
p电极，其设置在上述p型半导体层上，并具有氧含有率小于40原子%的第1导电性氧化物层和在上述第1导电性氧化物层上设置的且氧含有率比上述第1导电性氧化物层高的第2导电性氧化物层，所述第1导电性氧化物层中的结晶粒小于所述第2导电性氧化物层中的结晶粒；以及
在上述基板的与上述n型半导体层相反一侧的面设置的n电极。
8.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第1导电性氧化物层至少包含一个从In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的组中选择的元素。
9.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第1导电性氧化物层的接触电阻小于1×10-2Ω·cm2。
10.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第1导电性氧化物层的膜厚度在10nm以上且100nm以下。
11.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，上述第2导电性氧化物层的透过率比上述第1导电性氧化物层高。
12.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，上述基板是半导体基板。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5211121B2 (ja) * 2010-08-06 2013-06-12 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2012084667A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Showa Denko Kk 化合物半導体発光素子及びその製造方法、ランプ、電子機器並びに機械装置
JP2012146926A (ja) 2011-01-14 2012-08-02 Rohm Co Ltd 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
CN103022308A (zh) * 2011-09-26 2013-04-03 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制造方法
CN103165786A (zh) * 2011-12-12 2013-06-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制造方法
JP5848600B2 (ja) * 2011-12-22 2016-01-27 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5419999B2 (ja) * 2012-01-13 2014-02-19 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP5792694B2 (ja) * 2012-08-14 2015-10-14 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2014053458A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP6058980B2 (ja) * 2012-11-20 2017-01-11 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその電極の形成方法
WO2014150800A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Glo Ab Two step transparent conductive film deposition method and gan nanowire devices made by the method
US9666779B2 (en) * 2013-11-25 2017-05-30 Yangzhou Zhongke Semiconductor Lighting Co., Ltd. Semiconductor light emitting diode chip with current extension layer and graphical current extension layers
JP2016012611A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
KR20160025455A (ko) * 2014-08-27 2016-03-08 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP6617401B2 (ja) * 2014-09-30 2019-12-11 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
CN106711200B (zh) * 2016-10-20 2020-05-19 浙江大学 一种p型ZnRhMO非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法
JP2019212903A (ja) * 2018-05-30 2019-12-12 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード及びそれを有する発光素子
JP7424038B2 (ja) * 2019-12-23 2024-01-30 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および、プロジェクター
CN115210801A (zh) 2020-01-25 2022-10-18 上海显耀显示科技有限公司 具有高光提取效率的微型发光二极管

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793054A (en) * 1995-06-15 1998-08-11 Nec Corporation Gallium nitride type compound semiconductor light emitting element
CN101421854A (zh) * 2006-04-13 2009-04-29 昭和电工株式会社 半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和具备该元件的灯

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW439304B (en) 2000-01-05 2001-06-07 Ind Tech Res Inst GaN series III-V compound semiconductor devices
JP3846150B2 (ja) * 2000-03-27 2006-11-15 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子および電極形成方法
JP2003309285A (ja) 2002-04-16 2003-10-31 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
JP4543700B2 (ja) * 2004-02-27 2010-09-15 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US7385226B2 (en) * 2004-03-24 2008-06-10 Epistar Corporation Light-emitting device
KR100703091B1 (ko) * 2005-09-08 2007-04-06 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
DE102005046190A1 (de) 2005-09-27 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit Stromaufweitungsschicht

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793054A (en) * 1995-06-15 1998-08-11 Nec Corporation Gallium nitride type compound semiconductor light emitting element
CN101421854A (zh) * 2006-04-13 2009-04-29 昭和电工株式会社 半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和具备该元件的灯

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2005-244128A 2005.09.08

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