CN101764186B - 半导体发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明实施方案涉及半导体发光结构。根据一些实施方案的所述半导体发光结构包括：多个化合物半导体层；电流扩散层，包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层和在所述透明电极层之间的金属层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。
Description
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申请要求2008年11月18日提交的韩国专利申请10-2008-0114616的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。
技术领域
本发明涉及半导体发光器件。
背景技术
III-V族氮化物半导体由于它们极好的物理和化学性能，所以作为用于发光器件例如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等的芯材料而受到极大关注。III-V族氮化物半导体包括具有式InxAlyGa1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。
发光二极管(LED)是利用化合物半导体的特性将电转化为红外线或者其它谱带范围的光从而发射和接收信号的一类半导体器件，或者用作光源。
由这些氮化物半导体材料制成的LED或者LD广泛地用于发光器件以获得光，并且应用作为各种产品例如移动式电话的键盘发光二极管、电布告板和照明器件的光源。
发明内容
一些实施方案提供一种半导体发光器件，包括多个透明电极层。
一些实施方案提供一种半导体发光器件，其通过在多个透明电极层之间布置金属层来改善透光性能和电性能。
一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体层；电流扩散层，包括在所述多个化合物半导体层上的多层的透明电极层以及在透明电极层之间的金属层；和电连接至所述电流扩散层的第二电极。
一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：衬底；多个化合物半导体层，其包括在衬底上的第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层；连接至所述第一导电半导体层的第一电极；在所述第二导电半导体层上的第一透明电极层；在所述第二透明电极层上的金属层；在所述金属层上的第二透明电极层；和电连接至所述第二导电半导体层的第二电极。
在附图和以下的描述中阐述一个或多个实施方案的细节。通过说明书和附图以及通过权利要求使其它特征可变得显而易见。
附图说明
图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图2～4是说明制造图1中半导体发光器件的工艺的示意图。
图5是根据第二实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图6是根据第三实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图7是根据第四实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图8是根据第五实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图9是根据第六实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图10是根据第七实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
图11是根据第八实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的实施方案，在附图中对其实施例进行说明。在实施方案的描述中，将参考附图来描述每层的“上”或者“下”，每层的厚度仅仅描述作为一个示例而不限于附图中的厚度。
在实施方案的描述中，应理解，当层(或膜)、区域、图案或者元件称为在另一衬底、层(或膜)、区域或图案之‘上’或者‘下’时，‘上’和‘下’包括‘直接地’和‘间接地’的全部含义。
图1是根据第一实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。
参考图1，半导体发光器件100包括：衬底110、第一导电半导体层120、有源层130、第二导电半导体层140、电流扩散(current spreading)层150、第一电极171和第二电极173。
发光器件100包括使用多个化合物半导体层例如III-V族化合物半导体的LED，所述LED可为发射蓝色光、绿色光或者红色光的彩色LED或者UV LED。通过LED发出的光可在实施方案技术范围内部以不同方式实施。
衬底110可选自蓝宝石衬底(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电衬底和GaAs。可在衬底110顶部上形成凹凸图案。此外，可在衬底110上形成使用II族～VI族元素的化合物半导体的层或图案，例如选自ZnO层(未显示)、缓冲层(未显示)和未掺杂的半导体层(未显示)中的至少一层。
缓冲层和未掺杂的半导体层可通过使用III-V族元素的化合物半导体形成，缓冲层可使得与衬底的晶格常数差减小，未掺杂的半导体层可由未掺杂的GaN基半导体形成。
在衬底110上形成包括多个化合物半导体层的发光结构145。发光结构145包括第一导电半导体层120、有源层130和第二导电半导体层140。第一导电半导体层120在衬底110或者另外的半导体层上形成，有源层130在第一导电半导体层120上形成，第二导电半导体层140在有源层130上形成。
第一导电半导体层120可由掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体中的至少一种形成，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。在其中第一导电半导体层120为N型半导体的情况下，第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电半导体层120可形成为单层或者多层，但是不限于此。
有源层130在第一导电半导体层120上形成，并且有源层130可形成为单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层130可由阱层和势垒层的结构例如使用III-V族元素化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层来周期性地形成。
可在有源层130上和/或下形成导电覆层，导电覆层可由AlGaN-基半导体形成。
第二导电半导体层140在有源层120上形成，并且可由掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体中的至少一种形成，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。在其中第二导电半导体层140是P-型半导体的情况下，第二导电掺杂剂包括P-型掺杂剂例如Mg和Zn。第二导电半导体层140可形成为单层或者多层，但是不限于此。
此外，可在第二导电半导体层140上形成第三导电半导体层，例如N-型半导体层或者P-型半导体层。第三导电半导体层由具有与第二导电半导体层不同极性的半导体形成。因此，发光结构145可包括选自N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。
电流扩散层150在第二导电半导体层140或者第三导电半导体层上形成。电流扩散层150包括第一透明电极层151、金属层153和第二透明电极层155。
第一透明电极层151在第二导电半导体层140上形成，金属层153在第一透明电极层151上形成，第二透明电极层155在金属层153上形成。
第一透明电极层151和第二透明电极层155可由导电氧化物形成。导电氧化物可由透明导电氧化物(TCO)材料形成，所述材料包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)和氧化锑锡(ATO)中的至少一种。
第一透明电极层151可形成为没有任何图案的膜形式或者具有预定图案形式的膜形式，并可形成为具有预定厚度例如200nm或更小。第一透明电极层151可形成为具有网格结构的图案，用于与第二导电半导体层140的粘附。
金属层153可通过使用导电金属例如Ag、Ni和Al来形成。当金属层153形成为薄膜时，光可传输通过该膜，该膜可形成为具有预定厚度例如10nm或更小。
通过导电金属，金属层153可获得等离子效果，这可改善发光结构145在表面的透光效率。等离子效果可改善透光效率，这是因为纳米尺寸金属(例如银)颗粒位于第二导电半导体层140上从而以波导模式(guidingmode)(电磁波导模式)操作，在该模式中由有源层130发出的光在金属层153的表面上耦合并受到波导作用。即，由于发出的光受到金属电荷的波导作用，因而透光效率可改善。
金属层153可形成为与第一透明电极层151相同的图案形式或者没有任何图案的形式，并且当第一透明电极层151形成为网格图案时可与第二导电半导体层140的一部分表面接触。
第二透明电极层155在金属层153上形成，并且可形成为预定的图案形式或者形成为没有任何图案。
第二透明电极层155由与第一透明电极层151的材料相同或者不同的材料形成。此处，就发光而言，期望第一透明电极层151由与第二透明电极层155的材料相同的材料形成，这是因为两个层可具有相同的折射率。
第二透明电极层155可形成为与第一透明电极层151相同的图案形式，并且可形成具有预定厚度例如200nm或者更小，用于实现高的传输。
在第二透明电极层155上形成第二电极173，第一导电半导体层120的一部分被暴露，形成第一电极171。第二电极173可包括第二电极垫，并且可形成为点形式或者分叉的多分支图案。
第二电极173可通过使用选自Ag、Ag合金、Ni、Al、Al合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf或者所述物质的选择性的合金中的至少一种来形成为单层或多层。但是不限于这些金属材料。
在第一实施方案中，电流扩散层150:151、153和155的光透射超过90％，代表电性能的电阻值小于5Ω。因此，因为对通过电流扩散层150注入第二导电半导体层140的电流的电阻值在第二电极173中得到最小化，所以可改善LED的电流效率。此处，电流扩散层150:151、153和155的低电阻值由金属层153的插入所致。此处，因为金属具有约10-6欧姆·cm2的比电阻值，所以ITO的比电阻值为约10-4欧姆·cm2。
此外，电流扩散层150:151、153和155的电阻值可减小以改善电流扩散效率。
从有源层130发出的超过90％的光可传输通过第二导电半导体层140进入电流扩散层150:151、153和155，以使得被吸收的光损失最小化。然后，由于等离子效果，发出的光在金属层153中没有吸收，但是通过金属层153的电荷进行波导和传输。
图2～4是说明制造图1中半导体发光器件的工艺的示意图。
参考图2，将衬底110装载进入生长设备，并且在衬底上形成II～VI族元素的化合物半导体层。
生长设备可包括电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、双型热蒸发器、溅射和金属有机化学气相沉积(MOCVD)，但是不限于此。
衬底110可选自蓝宝石衬底(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、导电衬底和GaAs。可在衬底110顶部上形成凹凸图案。此外，可在衬底110上形成使用II族～VI族元素的化合物半导体的层或者图案，例如选自ZnO层(未显示)、缓冲层(未显示)和未掺杂的半导体层(未显示)中的至少一种。
缓冲层和未掺杂的半导体层可通过使用III-V族元素的化合物半导体形成，缓冲层可使得与衬底110的晶格常数差减小，未掺杂的半导体层可由未掺杂的GaN基半导体形成。
在衬底110上形成包括多个化合物半导体层的发光结构145。发光结构145包括第一导电半导体层120、有源层130和第二导电半导体层140。第一导电半导体层120在衬底110或者另外的半导体层上形成，有源层130在第一导电半导体层120上形成，第二导电半导体层140在有源层130上形成。
第一导电半导体层120可由掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体中的至少一种形成，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。在其中第一导电半导体层120为N型半导体的情况下，第一导电掺杂剂包括N型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se和Te。第一导电半导体层120可形成为单层或多层，但是不限于此。
有源层130在第一导电半导体层120上形成，并且有源层130可形成为单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层130可由阱层和势垒层的结构例如使用III-V族元素化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层来周期性地形成。
可在有源层120上和/或下形成导电覆层，导电覆层可由AlGaN-基半导体形成。
第二导电半导体层140在有源层130上形成，并且第二导电半导体层140可由掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素的化合物半导体中的至少一种形成，例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。在其中第二导电半导体层140是P-型半导体的情况下，第二导电掺杂剂包括P-型掺杂剂例如Mg和Zn。第二导电半导体层140可形成为单层或者多层，但是不限于此。
此外，可在第二导电半导体层140上形成第三导电半导体层(未显示)例如N-型半导体层或者P-型半导体层。因此，在发光结构145中可形成选自N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。
可在第二导电半导体层140的顶部上形成蚀刻模式或者分离图案，以形成粗糙图案，这种粗糙可改善外部量子效率。
参考图3，在第二导电半导体层140上形成电流扩散层150。电流扩散层150包括第一透明电极层151、金属层153和第二透明电极层155。
第一透明电极层151在第二导电半导体层140上形成，金属层153在第一透明电极层151上形成，第二透明电极层155在金属层153上形成。
第一透明电极层151、金属层153和第二透明电极层155可通过蒸发方法和/或溅射方法形成，但是不限于此。
第一透明电极层151和第二透明电极层155可由透明导电氧化物(TCO)材料形成，所述材料包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)和氧化锑锡(ATO)中的至少一种。第一透明电极层151和第二透明电极层155可由相同材料或者具有相同或者类似折射率的材料形成，但是不限于此。
第一透明电极层151和第二透明电极层可形成为层或者多个图案。第一透明电极层151和第二透明电极层155可形成为彼此相同或者不同的图案。例如，第一透明电极层151可形成为网格图案，第二透明电极层155可形成为没有图案，反之亦然。
第一透明电极层151和第二透明电极层155可形成为具有200nm或更小的厚度，并且可形成为具有相同的厚度或者不同的厚度。
金属层153在第一透明电极层151和第二透明电极层155之间形成，并且可通过使用导电金属例如Ag、Ni和Al形成。
为了获得等离子效果，金属层153形成为具有预定厚度，例如10nm或更小，并且可设置在发光结构145的表面上以改善发光效率。等离子效果可改善透光效率，这是因为例如纳米尺寸金属(例如银)颗粒位于第二导电半导体层140上，以产生波导模式(电磁波导模式)，在该模式中由有源层130发出的光在金属层153的表面上耦合并受到波导作用。即，由于发射的光受到金属电荷的波导作用，因而可改善透光效率。
金属层153可形成为与第一透明电极层151相同的图案形式或者没有任何图案的形式，并且当第一透明电极层151形成为网格图案时可与第二导电半导体层140的一部分表面接触。
电流扩散层150包括包含厚度为几纳米或更小的金属层153的透射氧化物膜，这提供了低的电阻值和高的透光性。
参考图4，通过台面蚀刻使得导电半导体层120的一部分得到暴露。台面蚀刻方法可包括干蚀刻和/或湿蚀刻方法，但是不限于此。
在第一导电半导体层120上形成第一电极171。此处，第一电极层171的位置可改变，但是不限于此。
在电流扩散层150的第二透明电极层155上形成第二电极层173。第二电极173可形成为点状、或者多指状、或者具有发散结构的分支图案，但是不限于此。第二电极173可分别包括第二电极垫(未显示)或者可分别形成第二电极垫。
第二电极173可通过使用选自Ag、Ag合金、Ni、Al、Al合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf或者所述物质的选择性的合金中的至少一种形成为单层或多层。但是不限于这些金属材料。
当对第二电极173施加正向电流时，电流传输通过电流扩散层150。然后，通过电流扩散层150的低电阻性能使电流扩散并均匀地供给至第二导电半导体层140。
从有源层130发出的一部分光传输通过第二导电半导体层140进入电流扩散层。然后，电流扩散层150的透光性超过90％。
因此，半导体发光器件100可以以均匀的分布来注入电流，并且可还改善传输通过第二导电半导体层140的光的外部量子效率。
图5是根据第二实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第二实施方案的描述中，使用相同的附图标记来表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图5，半导体发光器件101包括：衬底110、第一导电半导体层120、有源层130、第二导电半导体层140、电流扩散层150、第一电极171和第二电极173A。
第二电极173A可用作电极垫，并且可在电流扩散层150的金属层153上形成。第二电极173A可直接接触电流扩散层150的第二透明电极层155和/或金属层153以改善电流扩散。
图6是根据第三实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第三实施方案的描述中，相同的附图标记用于表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图6，半导体发光器件包括：衬底110、第一导电半导体层120、有源层130、第二导电半导体层140、电流扩散层150、第一电极171和第二电极173B。
第二电极173B可用作电极垫，并且可在电流扩散层150的第一透明电极层151上形成。第二电极173B可直接接触电流扩散层150的第二透明电极层155、金属层153和第一透明电极层151以改善电流扩散。此处，在第一和第二透明电极层151和155中，电流可通过网格图案结构在彼此不同的层中扩散。
图7是根据第四实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第四实施方案的描述中，相同的附图标记用于表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图7，半导体发光器件103包括：衬底110、第一导电半导体层120、有源层130、第二导电半导体层140、电流扩散层150、第一电极171和第二电极173C。
第二电极173C可用作电极垫，并且可在第二导电半导体层140上形成为突出或者暴露出，作为至电流扩散层150的通路结构。第二电极173C可直接接触电流扩散层150的第二透明电极层155、金属层153、第一透明电极层151和第二导电半导体层140以改善电流扩散。此处，在第一和第二透明电极层151和155中，电流可通过网格图案结构在彼此不同的层中扩散。
图8是根据第五实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第五实施方案的描述中，相同的附图标记用于表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图8，半导体发光器件104包括形成为网格图案的电流扩散层150。电流扩散层150包括第一透明电极层151、金属层153和第二透明电极层155。第一透明电极层151、金属层153和第二透明电极层155形成为具有孔156的网格图案。
图9是根据第六实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第六实施方案的描述中，相同的附图标记用于表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图9，半导体发光器件105包括电流扩散层150，电流扩散层150包括第一透明电极层151和第二透明电极层155，并形成为具有孔157的网格图案。金属层153的一部分在第二导电半导体层140上形成并直接连接至第二导电半导体140。
图10是根据第七实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第七实施方案的描述中，相同的附图标记用于表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图10，半导体发光器件106包括电流扩散层150，电流扩散层150包括第二透明电极层155，并形成为具有孔158的网格图案。
图11是根据第八实施方案的半导体发光器件的侧面剖视图。在第八实施方案的描述中，相同的附图标记用于表示和第一实施方案相同的要素，因此将其重复描述省略。
参考图11，半导体发光器件107包括电流扩散层150，电流扩散层150包括第二透明电极层155，并形成为具有孔159的网格图案。
金属层153连接至第二导电半导体层140和第一透明电极层151。
一个实施方案提供一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在发光结构上形成第一透明电极层；在第一透明电极层上形成金属层；在金属层上形成第二透明电极层；和在第二透明电极层上形成第二电极层。
一些实施方案可改善发光结构的表面上的透光性。
一些实施方案由于包括金属层的透明电极层所以可改善电性能。
一些实施方案可减小发光结构的表面上的电阻值。
一些实施方案可改善半导体发光器件的光效率。
一些实施方案可改善半导体发光器件的可靠性。
一些实施方案可提供半导体发光器件如LED。
一些实施方案可改善半导体发光器件的电学可靠性。
一些实施方案可改善半导体发光器件的电流效率和光效率。
一些实施方案可将包括封装半导体发光器件的光源应用于照明领域、指示领域和显示领域。
虽然已经参考大量说明性实施例描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在说明书、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的主题组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。
Claims (21)
1.一种半导体发光器件，包括：
多个化合物半导体层，包括至少一个第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的至少一个第二导电半导体层；
电流扩散层，其包括在所述第二导电半导体层上的第一透明电极层、在所述第一透明电极层上的金属层和在所述金属层上的第二透明电极层；和
电连接至所述电流扩散层的第二电极，
其中所述第一透明电极层形成为具有孔的网格图案，
其中所述金属层的一部分通过所述第一透明电极层的所述孔直接连接所述第二导电半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一和第二透明电极层形成为具有200nm或更小的厚度并且厚度相互不同。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述第一和第二透明电极层包括透明导电氧化物(TCO)材料。
4.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述第一和第二透明电极层包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)和氧化锑锡(ATO)中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述金属层包括选自Ag、Ni和Al中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中所述金属层具有10nm或更小的厚度。
7.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中所述第二透明电极层形成为具有孔的网格图案。
8.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中：
所述多个化合物半导体层包括III-V族元素的化合物半导体，
其中所述第一导电半导体层形成为N-型半导体层和所述第二导电半导体层形成为P-型半导体层。
9.根据权利要求6所述的半导体发光器件，包括：
在所述第二导电半导体层和所述第一透明电极层之间的粗糙图案。
10.根据权利要求1或2所述的半导体发光器件，其中：
所述第二电极直接接触所述第二导电半导体层、所述第一透明电极层、和所述金属层中的至少一个，和
所述发光器件包括在所述第一导电半导体层上的第一电极。
11.一种半导体发光器件，包括：
衬底；
包括在所述衬底上的第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电半导体层的多个化合物半导体层；连接至所述第一导电半导体层的第一电极；
在所述第二导电半导体层上的第一透明电极层；
在所述第一透明电极层上的金属层；
在所述金属层上的第二透明电极层；
电连接至所述第二导电半导体层的第二电极；和
电连接在所述第一导电半导体层上的第一电极；
其中所述第一透明电极层形成为具有孔的网格图案，
其中所述金属层的一部分通过所述第一透明电极层的所述孔直接连接所述第二导电半导体层。
12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，包括：未掺杂的半导体层和在所述衬底与所述第一导电半导体层之间的使用II～VI族元素的化合物半导体的缓冲层中的至少一个。
13.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述第二透明电极层形成为具有孔的网格图案。
14.根据权利要求11或13所述的半导体发光器件，其中所述第一和第二透明电极层形成为具有200nm或更小的厚度并且具有彼此不同的厚度。
15.根据权利要求11或13所述的半导体发光器件，其中所述第二电极形成为具有发散结构的分支图案。
16.根据权利要求11或13所述的半导体发光器件，其中所述第一和第二透明电极层形成为具有200nm或更小的厚度，所述金属层厚度为10nm或更小。
17.根据权利要求11或13所述的半导体发光器件，其中：
所述金属层厚度为10nm或更小，和
所述第一透明电极层、所述金属层和所述第二透明电极层的光透射超过90％。
18.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中：
所述金属层包括Ni、Al和Ag中的任意一种，和
所述第一和第二透明电极层包含导电氧化物，所述导电氧化物包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)和氧化锑锡(ATO)中的至少一种。
19.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中：
所述第二电极包括第二电极垫，并且直接接触所述第二导电半导体层、所述第一透明电极层和所述金属层。
20.根据权利要求11或13所述的半导体发光器件，其中所述第一导电半导体层包括使用III-V族化合物半导体的N-型半导体层。
21.根据权利要求20所述的半导体发光器件，包括：在所述第一透明电极层和所述第二导电半导体层之间形成的N-型半导体层。
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