CN102246302A - 具有低串扰的背照明传感器 - Google Patents
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Abstract
一种背照明图像传感器包括传感器层，该传感器层具有前侧及与该前侧相对的背侧。使绝缘层定位成相邻于该背侧，且电路层相邻于该前侧。第一类型导电性的多个光电检测器将入射至该背侧上的光转换为光生电荷。该光电检测器相邻于该前侧而安置在该传感器层中。第二类型导电性的区域形成于相邻于该前侧的该传感器层的至少一部分中，且被连接至电压端子用于以预定电压加偏压于该第二类型导电性区域。第二类型导电性的阱相邻于背侧而形成于传感器层中。在传感器层中的沟槽隔离开始于前侧，且延伸超过光电二极管的耗尽区域。
Description
本发明的技术领域
本发明一般涉及图像传感器，且更具体地涉及背照明图像传感器。
发明背景
电子图像传感器使用将入射光转换为电信号的光敏光电检测器来捕获图像。图像传感器一般分类为前照明图像传感器或背照明图像传感器。图1是前照明图像传感器的穿过三个像素101、102、103的简化横截面。所示的图像传感器100是PMOS图像传感器，其包括在p++衬底2内在p外延(p-epi)硅层3上形成的像素101、102、103。在此传感器层4内形成光电检测器91、92、93。在每一光电检测器91、92、93上形成n型钉札层27。在每一像素101、102、103内形成一个或多个浅沟槽隔离(STI)区域5。不同的n型钉札层26加内衬于STI沟槽，其目的是减少由于沿STI侧壁的硅悬挂键引起的暗电流产生。
使用传送栅极10以将所收集的光生电荷31自光电检测器91传送至电荷—电压转换器28。所示的电荷—电压转换器28被配置为浮动扩散。该转换器28转换电荷为电压信号。像素阵列内的诸晶体管(见图2)放大此电压信号并将信息中继至外部电路，在该外部电路中进一步处理图像。参照图2，源极跟随器晶体管173缓冲储存于电荷—电压转换器28中的电压信号。重设晶体管172用以在读出像素之前将转换器28重设至已知电位。自源极跟随器174的输出电压驱动连接至成像器周边的外部电路的列线。
返回至图1，电荷—电压转换器28驻留于浅n阱29中，该浅n阱29使p+转换器28隔离于光电检测器91及衬底2。该浅n阱29是透过阱接触件37而偏压至已知电压电平VDD。VDD亦加偏压于n型钉札层27、加内衬于STI沟槽的n型钉札层26及深n阱21。该深n阱21通过额外n型注入物30而电连接至浅n阱29。使浅n阱29与深n阱21两者相对于接地偏压至已知电位驱使光生电荷31进入光电检测器91。使两阱偏压执行了显著地减少电串扰的额外功能。举例而言，在其中电场为零的位置(通常称为垂直溢流漏极位置(虚线8))之下的光生电荷33被扫入衬底。该垂直溢流漏极通过防止光生电荷扩散至相邻像素中而几乎消除电串扰，且因此改良器件的MTF性能。
阱接触件37定位于图像传感器的周边处。其他n阱接触件则遍及成像区域(未绘示)周期性地隔开，以减少阱21、29的有效电阻，并减少或消除阱弹跳。
对于图1之前照明图像传感器，导电互连51、52、53(诸如栅极及连接器)形成于电路层50中。不幸的是，导电互连51、52、53及与电路层50相关联的多种其他特征在光电检测器91、92、93上的定位不利地影响图像传感器100的填充因数及量子效率。这是因为来自主题场景的光19在照射到前硅表面9之前必须穿过电路层50，并被光电检测器91、92、93侦测。
图3示出驻留于图像传感器周边处的标准CMOS电路的一部分的横截面图。标准PMOS晶体管142及NMOS晶体管143以及其相关联的浅n阱140注入物及p阱141注入物不受成像区域(图1的像素101、102、103)中的深n阱21注入物(图1)影响。CMOS电路中成像区域外的p型晶体管142及n型晶体管143使用标准CMOS工艺流程制造。在彩色滤光器阵列的制造期间，藉由不透明光屏蔽物(未绘示)来保护CMOS电路使其免受背照明。该光屏蔽物可为：金属；红色、绿色及蓝色彩色滤光器阵列材料的层叠层；或独特的光吸收材料。
图4示出背照明图像传感器的横截面。背照明通过构造图像传感器使得来自主题场景的光入射至传感器层的后侧上而解决填充因数及量子效率问题。传感器层213的“前侧”9通常称为邻接电路层50的传感器层213的一侧，而“背侧”250是与该前侧9相对的传感器层213的一侧。典型地，电路层50附着至支撑衬底(未绘示)。此背侧配置容许光219照射到传感器层213的背侧250，光于该背侧处由光电检测器91、92、93检测。光电检测器91、92、93对光219的检测不再受金属化层级51、52、53、互连37及电路层的其他特征(诸如栅极10)影响。
在增加图像传感器中所提供的像素数目的努力下，像素尺寸已递减。转至较小像素的优点是增加固定光学格式的图像的分辨率。明确言之，较小像素具有较好的调制传递函数(MTF)，并可因此区别图像中的微小细节，诸如细条纹衬衫上的线。然而，如图4所示，减少背侧配置的像素尺寸并未线性改良MTF效能。不同于前侧照明PMOS像素，背侧照明PMOS像素不存在垂直溢流漏极(图1中附图标记8)。因此，在深n阱区域221中所产生的光载流子233可扩散至相邻像素中。接近室温下，光载流子能够以相当大的概率抵抗量值上小于1000V/cm的电场扩散。由量值上为1000V/cm的电场所界定的线被限定为耗尽边缘边界211，并该线粗略限定给定光电二极管91、92、93的收集区域。在光电二极管之间及在背侧Si/SiO2界面250与耗尽边缘边界211之间均存在低电场区域。
此横向扩散使MTF的电部分降级。横向混合随着像素尺寸减小而增加，由相邻像素之电荷收集区域211收集低电场区域215中的光致电荷载流子233的可能性增加。更重要的是，对于彩色部分，这可引起像素间之色彩混合，并因此使图像品质降级。
关于图4中所示出的背侧配置存在不同的问题。n阱接触件37并未实现至深n阱221的连续电连接。图5示出一种用于使用额外n型注入物340、341、342来接触深n阱321的方法。然而，较深的注入物越深(340比341浅，341比342浅)具有较大的横向散乱。这夹断光电二极管311的耗尽区域，导致较浅收集深度。
因此，需要一种经改良图像传感器结构。
发明内容
一种背照明图像传感器包括传感器层，该传感器层具有前侧及与该前侧相对的背侧。使绝缘层定位成相邻于该背侧，且电路层相邻于该前侧。第一类型导电性的多个光电检测器将入射至该背侧上的光转换为光生电荷。光电检测器相邻于该前侧而安置于该传感器层中。第二类型导电性的区域形成于相邻于该前侧的该传感器层的至少一部分中，且被连接至电压端子用于以预定电压加偏压于该第二类型导电性区域。第二类型导电性的阱相邻于该背侧而形成于该传感器层中。在该传感器层中的沟槽隔离开始于该前侧，并且延伸超过光电二极管的耗尽区域。
本发明拥有提供一种具有经改良串扰性能的图像传感器的优点。
附图简述
参照一下附图能更好地理解本发明的实施例。附图的各要素相对于彼此不一定时按比例的。相似的附图标记指示相应类似的部件。
图1示出前侧照明图像传感器的简化横截面图；
图2是示出非共用像素的示意图；
图3是示出图像传感器的标准CMOS电路的一部分的横截面图；
图4是示出典型背照明图像传感器的横截面图；
图5是示出典型背照明图像传感器的横截面图，该背照明图像传感器具有图案化n型注入物用以将n+接触件电连接至深n阱；
图6是示出根据本发明实施例的背照明图像传感器的一部分的横截面图；
图7是示出根据本发明的另一个实施例的背照明图像传感器的一部分的平面图；
图8是穿过图7的线A-A′的横截面图；
图9是穿过图7的线B-B′的横截面图；及
图10是概念性示出图像捕获装置的实施例的方块图。
本发明的详细描述
在以下的详细描述中，参照构成本发明一部分的附图，而且在附图中通过图解示出了可实施本发明的特定实施例。在这点上，方向术语诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“头”、“尾”等用以参考所述(诸)图之定向。因为本发明实施例的诸组件可沿许多不同定向定位，故方向术语是用于示出之目的且不具任何限制性。应了解，在不脱离本发明的范畴下可利用其他实施例并且可作出结构或逻辑改变。因此，以下的详细描述不应视为具有限制意味，且本发明的范畴是随附权利要求限定。
图6示出背照明图像传感器400的实施例中的像素结构的横截面图。该横截面穿过图像传感器400的三个示例像素401、402、403。图像传感器层400包括有源硅传感器层213，该有源硅传感器层213具有前侧409及与该前侧409相对的背侧250。绝缘层252定位成相邻于该背侧250，且电路层50是相邻于该前侧409，使得该传感器层213位于该电路层50与该绝缘层252之间。在所示出之实施例中，绝缘层252由二氧化硅(SiO2)或另一适当介电材料制造。该电路层50包括导电互连451、452、453，诸如形成图像传感器400之控制电路的栅极及连接器。
像素401、402、403之每一者包括第一类型导电性的各自的光电二极管491、492、493，以将入射至背侧205上之光219转换为光生电荷。在所示出之实施例中，光电二极管491、492、493形成于p外延衬底中，且相邻于前侧409而安置于传感器层213中。
举例而言，参照像素401，使用传送栅极410以将所收集之光生电荷自光电检测器491传送至一电荷—电压转换器428，在所示出的实施例中该电荷—电压转换器428被配置为浮动扩散。
第二类型导电性的区域形成于相邻于前侧409的传感器层213的至少一部分中，且连接至电压端子437以用预定电压加偏压于该第二类型导电性区域。在所示出的实施例中，此第二类型导电性阱是浅n阱429。将电荷转换为电压信号之转换器428位于该浅n阱429中，该浅n阱429经由电压端子437而偏压至已知电压电平VDD，在某些实施例中，该电压端子437是n阱接触件437。第二类型导电性的阱(在某些实施例中为深n阱421)相邻于背侧250而形成于传感器层213中。
深沟槽隔离(DTI)405开始于前侧409并延伸超过光电二极管491、492、493之耗尽区域411。因光生载流子无法扩散穿过DTI 405，故该DTI减少串扰。当前，电串扰之唯一路径是穿过DTI 405的底端与背侧表面250间的窄区域445。
薄层n型掺杂物426加内衬于或包封DTI 405，并连接前侧409处的n阱429及接触件437，且连接背侧250处的深n阱421。此n型内衬426提供两个主要目的。第一，n型掺杂物426藉由确保耗尽区域411不穿通及接触DTI侧壁而减少由于沿DTI侧壁的硅悬挂键所致的暗电流产生。第二，该n型掺杂物提供介于n阱接触件437与深n阱421之间的连续电路径。不同于图5的多重注入物配置340、341、342，图6中所示出的实施例并未明显夹断耗尽区域411。一种用于以n型掺杂物加内衬于DTI的适当方法包括在蚀刻DTI 405后即提供一系列成角度的注入物，且每一注入物以稍微不同之角度指向侧壁之不同部分。
图7示出根据本发明实施例中的另一像素结构的平面图。此像素结构使用全沟槽隔离(FTI)。该FTI延伸穿过有源硅层213，到达背侧介电层252。(见图8及图9)。为了示出的目的，此结构对于每两个光电二极管591、592包含一个n阱接触件537。单一像素由光电二极管592、传送栅极510、浮动扩散528、重设栅极572、源极/跟随器栅极573及源极/跟随器输出574组成。点状区域505标识FTI区域。虚线580示出诸像素并不完全由FTI 505围绕，因此在像素之间于x方向与y方向两者上均存在连续路径。
图8是穿过图7之线A-A′的横截面图。沿此横截面，FTI完全隔离像素591、592、593。在此横截面内，低电场区域515中的光生电荷533因FTI而无法扩散至相邻像素中。再者，FTI 505的折射率比硅213的折射率小许多，因此该FTI不仅减少电串扰，而且亦藉由在硅内为入射光子建立波导(见560)而减少光学串扰。
图9是光电二极管之间(图7之线B-B′)的横截面图。FTI 505再次延伸穿过有源硅层213。此结构亦透过n区域526及536而提供介于前侧接触件537与深n阱521之间的电连接。图8及图9中的深n阱区域亦未彼此隔离，而是连续连接的。FTI区域505包括未延伸至绝缘层252的诸部分以便连接相邻像素之间的背侧处之深n阱521。这是由图7中之虚线580及图8及图9中之黑色实心圆555加以示出。若深n阱521并不连续连接，则在某些像素中该深n阱可能为电浮动。浮动深n阱使时间落差(lag)及暗电流性能降级。
图10是示出图像捕获装置(诸如数码相机)的方块图，其包含背照明图像传感器(诸如本文所揭示之图像传感器400、500之实施例)。尽管示出及描述数码相机，但本发明显然可应用于其他类型图像捕获装置。在所揭示相机中，来自主题场景之光610被输入至成像级611，在该成像级611中光藉由透镜612聚焦以于图像传感器600上形成图像。如上所述，图像传感器600将入射光转换为用于该图像传感器600之每一像素的电信号。
藉由插入于光学路径中的光圈组块614(其改变孔径)及中性密度(ND)滤光器组块613(其包括一个或多个ND滤光器)而调节到达传感器600之光量。快门组块618敞开的时间亦可调节总体光度。曝光控制器组块640响应于被亮度传感器组块616所计量之场景中可得的光量，并控制此等全部三个调节功能。
特定相机配置的描述将为本领域的技术人员所熟知，且本领域的技术人员应明白存在许多变动及额外特征。举例而言，可添加自动聚焦系统，或透镜可拆卸且可更换。应了解，本发明应用于多种类型数码相机，其中可藉由替代组件提供类似功能性。举例而言，数码相机是相对简单的随按即拍型(point andshoot)数码相机，其中快门618是相对简单的可移动片式快门或类似物，而非更复杂的焦平面配置。本发明各方面亦可实践于非相机装置(诸如移动电话及机动车辆)中所包括之成像组件上。
来自图像传感器600模拟信号藉由模拟信号处理器622处理并被施加至模数(A/D)转换器624。时序发生器626产生多种时脉信号以选择行及像素，并且使模拟信号处理器622及A/D转换器624的操作同步。图像传感器级628包括图像传感器600、模拟信号处理器622、A/D转换器624及时序发生器626。该图像传感器级628的诸组件可为分离制造的集成电路，或该等组件如同通常对CMOS图像传感器所实现的可被制造为单一集成电路。来自A/D转换器624之所得数字像素值之串流被储存于与数字信号处理器(DSP)636相关联之存储器632中。
该数字信号处理器636是所示出之实施例中的三个处理器或控制器之一者，另外两个为系统控制器650及曝光控制器640。尽管在多重控制器及处理器之间的此相机功能控制划分具典型性，但是可按多种方式组合此等控制器或处理器，而不影响相机之功能操作及本发明之应用。此等控制器或处理器可包括一个或多个数字信号处理器装置、微控制器、可编程逻辑装置或其他数字逻辑电路。尽管已描述此类控制器或处理器之组合，但明显的是，可指定一个控制器或处理器来执行所有所需功能。所有此等变动可执行相同功能并落入本发明之范畴内，且在需要时将使用术语“处理级”用于在一个短语中涵盖所有此种功能性，例如，如同图10中的处理级638。
在示出的实施例中，DSP 636根据永久储存于程序存储器654中并被复制至该存储器632以便在图像捕获期间执行的软件程序来操纵该存储器632中之数字图像数据。该DSP 636执行实践图像处理所需之软件。存储器632包括任何类型的随机存取存储器，诸如SDRAM。包括地址信号及数据信号的路径的总线630将DSP 636连接至其相关存储器632、A/D转换器624及其他相关装置。
系统控制器650基于储存于程序存储器654中的软件程序来控制相机的整体操作，该程序存储器654可包括闪EEPROM或其他非易失性存储器。此存储器亦可用以储存图像传感器校准数据、用户设定选择及在关闭相机时必须保存的其他数据。该系统控制器650藉由下列来控制图像捕获序列：导引曝光控制器640操作如先前所述的透镜612、ND滤光器613、光圈614及快门618；导引时序发生器626操作图像传感器600及相关联的元件；及导引DSP 636处理所捕获的图像数据。在捕获及处理图像后，储存于存储器632中的最终图像文件经由接口657传送至主机计算机、储存于可卸除式存储器卡664或其他储存装置上，并且为用户显示于图像显示器688上。
总线652包括用于地址信号、数据信号及控制信号的路径，并将系统控制器650连接至DSP 636、程序存储器654、系统存储器656、主机界面657、存储器卡接口660及其他相关装置。该主机接口657提供至个人计算机(PC)或其他主机计算机的高速连接，用于传送图像数据以显示、储存、操纵或打印。此接口是IEEE1394或USB2.0串行接口或任何其他适当的数字接口。存储器卡664通常是插入于插槽662中，并且经由存储器卡接口660连接至系统控制器650的压缩闪速储存器(CF)卡。可利用的其他类型储存器包括(例如)PC卡、多媒体卡(MMC)，或安全数字(SD)卡。
经处理图像被复制至系统存储器656中的显示缓冲器，并经由视频编码器680连续读出以产生视频信号。此信号是直接自相机输出以显示于外部监测器上，或由显示控制器682处理并呈现于图像显示器688上。此显示器通常是有源矩阵彩色液晶显示器(LCD)，然而亦可使用其他类型显示器。
藉由执行于曝光控制器640及系统控制器650上的诸软件程序的组合来控制用户界面(包括取景器显示器670、曝光显示器672、状态显示器676及图像显示器688，以及用户输入674的所有或任意组合)。用户输入674通常包括按钮、摇杆开关、操纵杆、旋转式拨号盘或触摸屏的某组合。曝光控制器640操作光计量、曝光模式、自动聚焦及其他曝光功能。系统控制器650管理呈现于该等显示器中的一个或多个上(例如图像显示器688上)的图形用户界面(GUI)。该GUI通常包括用于实现多种选项选择的菜单及用于检查所捕获的图像的检视模式。
曝光控制器640接受选择曝光模式、透镜孔径、曝光时间(快门速度)及曝光指数或ISO速度等级的用户输入，并且相应地导引透镜及快门以用于后续图像捕获。利用亮度传感器616以量测场景亮度，并且为用户提供用于手动设定ISO速度等级、孔径及快门速度时参考的曝光计量功能。在此情况下，当用户改变一个或多个设定时，呈现于取景器显示器670上的光计量指示器将告诉用户图像将曝光过度或曝光不足的程度。在自动曝光模式中，用户改变一个设定，且曝光控制器640自动改变另一设定以维持正确曝光。举例而言，对于给定ISO速度等级，当用户减小透镜孔径时，曝光控制器640自动增加曝光时间以维持相同的总曝光。
已特定参考本发明的某些较佳实施例来详细地描述本发明，但应了解，在本发明的精神及范畴内可实现变动及修改。
元件列表
2 p++衬底
3 p外延
4 硅晶圆
5 浅沟槽隔离
8 指示垂直溢流漏极的表面
9 有源层的前侧表面
10 传送栅极
11 耗尽区域边界
19 前侧入射光
21 深n阱
26 STI之n钝化
27 n+钉札层
28 p+浮动扩散
29 (成像器区域中的)浅n阱
30 中等能量的n型注入物区域
31 由邻近光电二极管收集之光载流子
32 垂直溢流漏极的光电二极管侧上的光载流子
33 与垂直溢流漏极的光电二极管侧相对的光载流子
37 至n阱的电接触件
50 电路层
51 金属配线
52 金属配线
53 金属配线
91 光电二极管
92 光电二极管
93 光电二极管
100 图像阵列
101 像素
102 像素
103 像素
140 用于标准CMOS工艺的浅n阱
141 用于标准CMOS工艺的浅p阱
142 PMOS晶体管
143 NMOS晶体管
172 重设栅极
173 源极/跟随器栅极
174 源极/跟随器输出线
200 图像阵列
201 像素
202 像素
203 像素
211 耗尽区域边界
213 p外延层(有源硅层)
215 低电场区域
219 背侧入射光
221 深n阱
232 由最接近的光电二极管收集的光载流子
233 由邻近光电二极管收集的光载流子
250 背侧硅/电介质界面
252 背侧介电层
300 图像阵列
301 像素
302 像素
303 像素
311 耗尽区域边界
313 p外延层(有源硅层)
315 低电场区域
321 深n阱
332 由最接近的光电二极管收集的光载流子
333 由邻近光电二极管收集的光载流子
340 用于连接浅n阱与深n阱的额外n型注入物
341 用于连接浅n阱与深n阱的额外n型注入物
342 用于连接浅n阱与深n阱的额外n型注入物
400 图像阵列
401 像素
402 像素
403 像素
405 深沟槽隔离
409 有源层的前侧表面
410 传送栅极
411 耗尽区域边界
415 低电场区域
421 深n阱
426 DTI的n钝化
428 p+浮动扩散
429 (成像器区域中的)浅n阱
432 由最接近光电二极管收集的光载流子
433 在耗尽区域下收集且由最接近光电二极管收集的光载流子
437 至n阱之电接触件
451 金属配线
452 金属配线
453 金属配线
491 光电二极管
492 光电二极管
493 光电二极管
500 图像阵列
501 像素
502 像素
503 像素
505 全沟槽隔离
509 有源层的前侧表面
510 传送栅极
511 耗尽区域边界
515 低电场区域
521 深n阱
526 FTI的n钝化
527 n+钉札层
528 p+浮动扩散
536 光电二极管间的n+层
532 由最接近光电二极管收集的光载流子
533 在耗尽区域下收集且由最接近光电二极管收集的光载流子
537 至n阱的电接触件
551 金属配线
552 金属配线
553 金属配线
555 深n阱中的连续连接性的标识符
560 内反射光电二极管
572 重设栅极
573 源极/跟随器栅极
574 源极/跟随器输出线
580 标示深n阱中的连续连接性的路径的虚线
591 光电二极管
592 光电二极管
593 光电二极管
600 背照明图像传感器
610 光
611 成像级
612 透镜
613 ND滤光器组块
614 光圈组块
616 亮度传感器组块
618 快门组块
622 模拟信号处理器
624 模数(A/D)转换器
626 时序发生器
628 图像传感器级
630 总线
632 存储器
636 数字信号处理器(DSP)
638 处理级
640 曝光控制器
650 系统控制器
652 总线
654 程序存储器
656 系统存储器
657 主机接口
660 存储器卡界面
662 插槽
664 存储器卡
670 取景器显示器
672 曝光显示器
674 用户输入
676 状态显示器
680 视频编码器
682 显示控制器
688 图像显示器
Claims (22)
1.一种背照明图像传感器，其包括：
传感器层，具有前侧及与所述前侧相对的背侧；
绝缘层，相邻于所述背侧；
电路层，相邻于所述前侧；
第一类型导电性的多个光电检测器，用于将入射至所述背侧上的光转换为光生电荷，所述光电检测器具有耗尽区域，其中所述多个光电检测器相邻于所述前侧而安置于所述传感器层中；
第二类型导电性的区域，形成于所述传感器层的相邻于所述前侧的至少一部分中，并且连接至电压端子，用于以预定电压加偏压于所述第二类型导电性区域；
第二类型导电性的阱，相邻于所述背侧而形成于所述传感器层中；及
在所述传感器层中的沟槽隔离，所述沟槽隔离开始于所述前侧且延伸超过所述光电检测器的耗尽区域。
2.如权利要求1所述的背照明图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离具有第二类型导电性的内衬，所述内衬将相邻于所述前侧的第二类型导电性的区域与相邻于所述背侧的该阱相连接。
3.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离延伸至所述绝缘层。
4.如权利要求3所述的背照明图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离包括未延伸至所述绝缘层的诸部分，以便连接相邻光电检测器之间的背侧处的所述阱。
5.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器，其特征在于，所述第一类型导电性为正。
6.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器，其特征在于，所述第二类型导电性为负。
7.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器，其特征在于，所述光电二极管形成于p外延衬底中。
8.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器，其特征在于，形成在相邻于所述前侧的传感器层的至少一部分中的所述第二类型导电性的区域是n阱。
9.一种用于制造背照明图像传感器的方法，其包括：
提供传感器层，所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧；
使绝缘层定位成相邻于所述背侧；
使电路层定位成相邻于所述前侧；
提供第一类型导电性的多个光电检测器，所述多个光电检测器用于将入射至背侧上之光转换为光生电荷，所述光电检测器具有耗尽区域，其中所述多个光电检测器相邻于所述前侧而安置在所述传感器层中；
在相邻于所述前侧的所述传感器层的至少一部分中，形成第二类型导电性的区域；
以预定电压加偏压于所述第二类型导电性区域；
在所述传感器层中相邻于所述背侧形成第二类型导电性的阱；及
在所述传感器层中提供沟槽隔离，所述沟槽隔离开始于所述前侧且延伸超过所述光电二极管的所述耗尽区域。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括以第二类型导电性的材料加内衬于所述沟槽隔离，以将相邻于所述前侧的第二类型导电性的所述区域与相邻于所述背侧的所述阱相连接。
11.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述沟槽隔离延伸至所述绝缘层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述沟槽隔离包括未延伸至所述绝缘层的诸部分，以便连接相邻光电检测器之间的所述背侧处的所述阱。
13.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述第一类型导电性为正。
14.如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述第二类型导电性为负。
15.一种图像捕获装置，其包括：
透镜，配置成接收光；
背照明图像传感器，其包括：
传感器层，具有前侧及与所述前侧相对的背侧；
绝缘层，其相邻于所述背侧；
电路层，其相邻于所述前侧；
第一类型导电性的多个光电检测器，所述多个光电检测器用于将来自所述透镜的入射至所述背侧上的光转换为光生电荷，所述光电检测器具有耗尽区域，其中所述多个光电检测器相邻于所述前侧而安置在所述传感器层中；
第二类型导电性的区域，其形成于所述传感器层的与所述前侧相邻的至少一部分中，且连接至电压端子，用于以预定电压加偏压于所述第二类型导电性区域；
第二类型导电性的阱，其相邻于所述背侧而形成在所述传感器层中；及
在所述传感器层中的沟槽隔离，所述沟槽隔离开始于所述前侧且延伸超过所述光电二极管的所述耗尽区域。
16.如权利要求15所述的图像捕获装置，其特征在于，所述沟槽隔离具有第二类型导电性的内衬，所述内衬将相邻于所述前侧的所述第二类型导电性的所述区域与相邻于所述背侧的所述阱相连接。
17.如权利要求15或16所述的图像捕获装置，其特征在于，所述沟槽隔离延伸至所述绝缘层。
18.如权利要求17所述的图像捕获装置，其特征在于，所述沟槽隔离包括未延伸至所述绝缘层的诸部分，以便连接相邻光电检测器之间的所述背侧处的所述阱。
19.如权利要求15或16所述的图像捕获装置，其特征在于，所述第一类型导电性为正。
20.如权利要求15或16所述的图像捕获装置，其特征在于，所述第二类型导电性为负。
21.如权利要求15或16的图像捕获装置，其特征在于，所述光电二极管形成于p外延衬底中。
22.如权利要求15或16所述的图像捕获装置，其特征在于，形成于相邻于所述前侧的所述传感器层的至少一部分中的第二类型导电性的所述区域是n阱。
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