CN102244829A - 声音传感器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种声音传感器及其制造方法，通过利用有背板的保护膜保护硅基板的上表面外周部。在具有背室(35)的硅基板(32)的上方配置有导电性膜片(33)，由固定器(37)支承膜片(33)。硅基板(32)的上表面以隔开间隙覆盖膜片(33)的方式固定绝缘性板部(39)。在板部(39)的下表面设有导电性固定电极膜(40)而构成背板(34)。固定电极膜(40)与膜片(33)之间的静电电容的变化作为电信号从固定侧电极焊盘(45)及可动侧电极焊盘(46)向外部输出。在板部(39)的外周与板部(39)连续地设置有保护膜(53)，保护膜(53)覆盖硅基板(32)的上表面外周部，保护膜(53)的外周与硅基板(32)的上表面外周一致。

Description

声音传感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及声音传感器及其制造方法，具体而言，涉及一种使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术制造的MEMS方式的声音传感器及其制造方法。
背景技术
作为MEMS方式的声音传感器，具有专利文献1公开的技术和专利文献2公开的技术。
(关于专利文献1)
图1(A)及图1(B)是表示将专利文献1的图7及图8公开的声音传感器安装在封装内的状态的概略剖面图。该声音传感器11在开设有背室13的硅基板12之上粘贴膜片14(振动薄膜)，以覆盖膜片14的方式在硅基板12之上设置背板15。这样的声音传感器11通常如图1(A)及图1(B)所示，与IC电路16一同安装在封装17内，声音传感器11的电极焊盘18和IC电路16通过接合线19连接，另外，通过接合线20将IC电路16与封装17的电极部21连接。
但是，在该声音传感器11中，硅基板12的上表面外周部完全露出。因此，如图1(A)所示，在连接声音传感器11和IC电路16的接合线19因某种负荷而向下方弯曲的情况下，会使接合线19与硅基板12接触而造成声音传感器11短路。另外，即使是接合线19不发生弯曲的情况，如图1(B)所示，若接合线19与硅基板12的上表面之间夹有异物22(例如微小的尘埃等)的话，则有可能经由异物22而在电极焊盘18与硅基板12之间发生短路
在IC电路16中，由于利用树脂23将整体密封，因此，由树脂23将接合线19固定，不用担心接合线19弯曲或异物进入，但是，在受音部即声音传感器11中，若进行树脂密封，则由于将声振动阻隔而不能用树脂进行密封。
另外，专利文献1的图4及图5所公开的声音传感器中，用绝缘覆膜(SiO2膜)覆盖硅基板的表面，但是由于绝缘覆膜薄，故而为了防止短路而使可靠性降低。另外，在专利文献1的图6公开的剖面图中，背板延伸至硅基板的边缘。但是，由专利文献1的图4的剖面图可知，其为将上表面露出的硅基板的外周部省略所示的图，实际上背板并非延伸至硅基板的边缘。
(关于专利文献2)
专利文献2的图2中公开有设置结构体使其覆盖硅基板的上表面至硅基板的上表面的外周缘。但是，在该声音传感器中，由与背板(设有上层导电膜的板)不同的部件(表层保护膜等)覆盖硅基板的上表面外周部。因此，具有制造时的工序增加、生产性差的问题。
专利文献1：日本特开2008-301434号公报
专利文献2：日特开2009-89097号公报
发明内容
本发明是鉴于上述的技术课题而作出的，其目的在于通过利用有背板的保护膜保护硅基板的上表面外周部。
本发明的声音传感器，包括：半导体基板，其具有背室；导电性膜片，其配置在所述半导体基板的上方；绝缘性固定膜，其以隔开间隙覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；电极端子，其用于将所述固定电极膜与所述膜片之间的静电电容的变化作为电信号向外部输出，其特征在于，所述半导体基板的上表面外周部被由与所述固定膜相同的材料构成的保护膜所覆盖，所述保护膜的外周与所述半导体基板的上表面外周一致。
在本发明的声音传感器中，由于利用由与固定膜相同材料构成的绝缘性保护膜从半导体基板的上表面外周部覆盖至其外周(端缘)，因而可增加保护膜的厚度，提高半导体基板的上表面外周部的绝缘性。因此，能够防止由于连接电极端子的接合线发生弯曲而接触到半导体基板的上表面，或者接合线与半导体基板的上表面之间夹有异物而发生短路的状况。另外，由于保护膜与固定膜的材料相同，能够在与固定膜同一工序中形成保护膜，因而不会因设置保护膜而增加声音传感器的制造工序，不降低生产率。
本发明的声音传感器的一方面，所述保护膜的至少一部分夹着紧密贴合层而固定在所述半导体基板的表面，所述紧密贴合层由与所述固定膜不同的材料构成，并且比所述保护膜薄。根据该方面，通过在保护膜与半导体基板之间形成比保护膜薄的薄膜的紧密贴合层，可降低保护膜上产生的膜应力，可减轻因膜应力造成的保护膜的剥离，而且，由于将保护膜形成薄膜，因而在制造工序中，在晶片上制作多个声音传感器后，在形成有紧密贴合层的部位通过激光划片切割为各个声音传感器的情况下也不易降低生产能力。
本发明的声音传感器的另一方面，所述保护膜的外周部夹着所述紧密贴合层而固定在所述半导体基板的表面，所述保护膜的内周部夹着由与所述固定膜不同的材料构成的厚膜层而固定在所述半导体基板的表面。根据该方面，可减轻保护膜的剥离，且即使在通过激光划片将形成于晶片的声音传感器切割为各单体的情况下也不易降低生产能力。另外，由于在内周部形成有厚膜部而提高了保护膜表面的高度，因而可在该部分设置电极端子。另外，优选所述厚膜层由与所述紧密贴合层相同的材料形成。
本发明的声音传感器的再一方面，所述电极端子在形成有所述厚膜层的区域、设置在所述保护膜上。根据该方面，由于可使电极端子与半导体基板上表面的距离变大，因而可减小电极端子与半导体基板之间的寄生电容，可减小因寄生电容引起的声音传感器的灵敏度下降，提高声特性。
本发明的声音传感器的又一方面，所述紧密贴合层及所述厚膜层由绝缘性材料形成。根据该方面，可提高保护膜与半导体基板之间的绝缘性。
本发明的声音传感器的其他方面，所述保护膜和所述固定膜连续，所述保护膜和所述固定膜的边界区域紧密贴合在所述半导体基板的上表面。根据该方面，即使保护膜和固定膜连续，也可将紧密贴合层及厚膜层从空洞部分分离，使声音传感器的制造变得容易。
本发明的声音传感器的制造方法，所述声音传感器包括：半导体基板，其具有背室；导电性膜片，其配置在所述半导体基板的上方；绝缘性固定膜，其以隔开间隙覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；电极端子，其用于将所述固定电极膜与所述膜片之间的静电电容的变化作为电信号向外部输出，其特征在于，该声音传感器的制造方法包括如下的工序：在堆积于所述半导体基板的上表面的保护层内部形成膜片；对所述保护层进行蚀刻而形成表面成为所述固定膜的内表面形状的空间成形部；在整形修整后的所述保护层之上形成所述固定膜，同时以使外周与所述半导体基板的上表面外周一致的方式、通过由与所述固定膜相同材料构成的保护膜覆盖所述半导体基板的上表面外周部；在所述半导体基板上形成所述背室；通过蚀刻除去所述保护层，利用空间支承所述膜片，同时，在所述膜片与所述固定膜的内表面之间形成间隙。
在本发明的声音传感器的制造方法中，由于通过由与固定膜相同材料构成的绝缘性保护膜从半导体基板的上表面外周部覆盖至其外周(端缘)，因而可增大保护膜的厚度，可提高半导体基板的上表面外周部的绝缘性。因此，能够防止由连接电极端子的接合线弯曲而接触到半导体基板的上表面，或在接合线和半导体基板的上表面之间夹有异物而发生短路的状况。另外，由于保护膜与固定膜的材料相同，且可在与固定膜相同的工序形成保护膜，因而不会因设置保护膜而增加声音传感器的制造工序，生产性不降低。
本发明的声音传感器的制造方法的一方面，形成所述空间成形部之后，在所述半导体基板的上表面外周部的至少局部形成紧密贴合层，该紧密贴合层由与所述固定膜不同的材料构成，并且比所述保护膜薄。特别是优选所述紧密贴合层的厚度比由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板的内表面与所述膜片之间的间隔小。根据该方面，通过在保护膜与半导体基板之间形成比保护膜薄的薄膜的紧密贴合层，可降低保护膜产生的膜应力，可减轻因膜应力引起的保护膜的剥离。而且由于将紧密贴合层形成薄膜，因而在制造工序中，在晶片上制作多个声音传感器后，即使是在形成有紧密贴合层的部位通过激光划片切割成各个声音传感器的情况下，也不易降低生产能力。另外，由于密接膜是在形成空间成形部之后与空间成形部分开设置，因而容易将密接膜形成薄膜状。
本发明的声音传感器的制造方法的另一方面，在形成所述空间成形部时，通过所述保护层与所述空间成形部分离而在所述空间成形部的外侧形成厚膜层，接着，在所述厚膜层的外侧形成所述紧密贴合层。根据该方面，由于可与空间成形部同时由保护层形成厚膜层，因而可简化声音传感器的制造工序。另外，优选所述紧密贴合层和所述厚膜层由相同的材料形成。
本发明的声音传感器的制造方法的再一方面，所述紧密贴合层及所述厚膜层由绝缘性材料形成。根据该方面，可提高保护膜与半导体基板之间的绝缘性。
本发明的声音传感器的制造方法的又一方面，所述厚膜层的厚度比由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板的内表面与所述膜片之间的间隔大。特别优选所述厚膜层的厚度与由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板的内表面与所述膜片之间的间隔加上所述半导体基板的上表面与所述膜片之间的间隔之和相等。根据该方面，可使用用于在固定膜内形成空洞部分的保护层形成厚膜层，进而使声音传感器的制造变得容易。
本发明的声音传感器的制造方法的其他方面，所述保护膜和所述固定膜连续地同时形成，同时，将所述保护膜与所述固定膜的边界区域紧密贴合在所述半导体基板的上表面。根据该方面，即使保护膜和固定膜连续，也可从空洞部分将紧密贴合层及厚膜层分离，因而在对保护层进行蚀刻而形成空洞部分时，可防止紧密贴合层及厚膜层被蚀刻，可使声音传感器的制造变得容易。
另外，本发明中的用于解决所述课题的实施方式具有将以上说明的构成要素适当组合的特征，本发明可以通过这些构成要素的组合进行多种变更。
附图说明
图1(A)、(B)是表示将专利文献1公开的声音传感器安装在封装内的状态的剖面图；
图2是本发明的第一实施方式的声音传感器的分解立体图；
图3是第一实施方式的声音传感器的剖面图；
图4(A)～(D)是说明第一实施方式的声音传感器的制造工序的概略剖面图；
图5(A)～(C)是说明第一实施方式的声音传感器的制造工序的概略剖面图，表示图4(D)后续的工序。
标记说明
31：声音传感器
32：硅基板
33：膜片
34：背板
35：背室
37：固定器(アンカ一)
38：声孔
39：板部
40：固定电极膜
41：基台部
45：固定侧电极焊盘
46：可动侧电极焊盘
47：紧密贴合层
49：梁部罩区域
50：边界区域
51：基台被覆部
52：平坦部
53：保护膜
61：保护层
62：空洞成形部
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的优选实施方式。但是，本发明不限于以下的实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内可进行各种设计变更。
首先，参照图2及图3对本发明第一实施方式的声音传感器31的构造进行说明。图2是将声音传感器31局部分解表示的立体图。图3是表示声音传感器31的结构的对角方向的剖面图。
该声音传感器31为利用MEMS技术制造的微小的静电电容型元件，如图3所示，在硅基板32(半导体基板)的上表面经由固定器(アンカ一)37设置有膜片33，在其上隔着微小间隙(空隙)固定有背板34。
硅基板32由单晶硅构成。如图2所示，硅基板32形成为矩形板状，具有从表面贯通到背面的方孔(角孔)状背室35。背室35的内周面可以为垂直面，也可以锥状地倾斜。另外，背室35的下表面开口在将声音传感器31安装于封装内时被封装堵塞(参照图1)。
另外，在硅基板32的上表面设置有用于从下表面支承膜片33的梁部36a的四个固定器37，进而，以包围背室35及固定器37的方式形成有基台部41(厚膜层)。特别是，固定器37在背室35的对角方向位于以切入基台部41的内周缘的方式形成的凹部内。另外，硅基板32上表面的比基台部41更外侧的区域被比基台部41薄的紧密贴合层47覆盖，紧密贴合层的外周(端缘)与硅基板32的端缘一致。固定器37及基台部41由SiO2形成。紧密贴合层47由SiO2或多晶硅形成。
膜片33由膜厚小的多晶硅薄膜形成，且具有导电性。膜片33从形成矩形的振动薄膜36b的四角向对角方向外侧伸出梁部36a。另外，引出配线43从一个梁部36a伸出。
如图3所示，膜片33以使振动薄膜36b覆盖背室35的上表面的方式配置于硅基板32的上表面。膜片33的各梁部36a位于基台部41的凹部内，各梁部36a的前端部下表面固定在固定器37上。因此，膜片33的振动薄膜36b在背室35的上方悬空悬浮，可感应声振动(空气振动)而进行膜振动。
背板34在由氮化膜(SiN)构成的板部39(固定膜)的下表面设有由多晶硅构成的固定电极膜40。背板34形成顶盖状且在其下具有空洞部分，将膜片33覆盖。背板34之下的空洞部分的高度a(自硅基板32的上表面至固定电极膜40的下表面的高度)与形成于硅基板32上表面的基台部41的厚度c相等。在背板34的下表面(即，固定电极膜40的下表面)与膜片33的上表面之间形成有微小的空隙。另外，形成于背板34的角部的梁部罩区域49隔开微小的空隙将梁部36a覆盖。固定电极膜40与可动电极膜即振动薄膜36b相对而构成电容器。
在背板34上以从上表面贯通下表面的方式穿设有多个用于使声振动通过的声孔38。另外，在振动薄膜36b的外周部下表面与硅基板32的上表面之间也开设有小的间隙(声振动的通路)。因此，通过声孔38进入背板34内的声振动引起振动薄膜36b的振动，同时，通过振动薄膜36b的外周部与硅基板32之间的间隙而穿过背室35。
另外，在背板34的内表面突出有多个微小的挡块42，防止膜片33被吸附或被固着(粘合)在背板34的下表面而防不能复位。
从形成顶盖状的板部39的外周缘遍及整周使保护膜53连续延伸。因此，保护膜53由与板部39相同的氮化膜(SiN)形成，具有与板部39大致相同的膜厚。保护膜53的内周部成为截面反槽状的基台被覆部51，保护膜53的外周部成为平坦部52。另外，背板34的外周与保护膜53的内周之间的边界区域50为截面V槽状。
背板34固定在硅基板32的上表面，保护膜53夹着基台部41及紧密贴合层47而将在硅基板32的上表面外周部覆盖。保护膜53的基台被覆部51覆盖基台部41，平坦部52覆盖紧密贴合层47的上表面，平坦部52的外周(端缘)与紧密贴合层47的外周及硅基板32的上表面外周一致。另外，背板34与保护膜53之间的边界区域50的下表面紧密贴合在基台部41内周的露出面48上，背板34之下的空洞部分和基台部41被边界区域50隔开。
膜片33的上表面与背板34的下表面之间的空隙(air gap)的厚度b为2μm左右。基台部41的厚度c比固定器37与背板34的空隙的厚度b大，为2μm以上。另一方面，紧密贴合层47的厚度d比固定器37与背板34的空隙的厚度b小，为2μm以下。另外，优选保护膜53的宽度e为400μm以下，平坦部52的宽度f为150μm左右。
在基台被覆部51开设有开口，通过该开口而在引出配线43的上表面形成有可动侧电极焊盘46(电极端子)，可动侧电极焊盘46与引出配线43(因此与膜片33)导通。另外，设置于板部39上表面的固定侧电极焊盘45(电极端子)经由通孔等与引出配线44(因此与固定电极膜40)导通。
在该声音传感器31中，当声振动通过声孔38进入背板34与膜片33之间的空间时，薄膜即膜片33被声振动激励而进行膜振动。当膜片33振动而膜片33与固定电极膜40之间的间隙距离发生变化时，膜片33与固定电极膜40之间的静电电容也发生变化。其结果是，在该声音传感器31中，膜片33感应的声振动(声压的变化)成为膜片33与固定电极膜40之间的静电电容的变化，可作为电信号输出。
另外，根据该声音传感器31，硅基板32的上表面外周部(用于从晶片裁断的区域，有时称为划片直线部)被保护膜53的平坦部52所覆盖。保护膜53与板部39同样，由SiN膜形成，另外，形成为比较厚的膜厚，因而绝缘性优良。因此，即使与固定侧电极焊盘45及可动侧电极焊盘46连接的接合线弯曲向下，接合线仅接触到保护膜53而不直接接触到硅基板32。另外，即使接合线之下夹有异物，异物也被保护膜53阻隔而不会直接接触到硅基板32。因此，可有效地防止声音传感器31的短路。
另外，由于紧密贴合层47由比空隙厚度b薄的SiO2或多晶硅构成，平坦部52经由该紧密贴合层47形成在硅基板32的上表面，因而可降低保护膜53产生的膜应力，进而可减少因膜应力而引起的保护膜53的剥离。另外，由于夹着SiO2或SiN构成的紧密贴合层47，因而可提高平坦部52的紧密贴合性。
另外，由于基台部41由比空隙厚度b厚的SiO2构成，将固定侧电极焊盘45在该基台部41的上方设于保护膜53(基台被覆部51)，因而可扩大固定侧电极焊盘45与硅基板32上表面的距离。其结果，由于可减小电极焊盘45、46与硅基板32之间的寄生电容，因而可减小因寄生电容引起的声音传感器31的灵敏度下降，进而可提高声音传感器31的声特性。另外，由于在由SiO2构成的基台部41之上形成有基台被覆部51，因而可提高基台被覆部51的紧密贴合性。
另外，在图2的例中，由于可动侧电极焊盘46制作成膜片33的梁部36a的端部，因而通过使基台部41变厚而可得到降低寄生电容的效果。但是，在将可动侧电极焊盘46形成与固定侧电极焊盘45相同的结构的情况下、即在板部39的上表面经由通孔等设有引出配线以实现导通的情况下，可得到因基台部41变厚而降低寄生电容的效果。
另外，由于该声音传感器31由耐吸湿性高的SiN层(即，板部39及保护膜53)覆盖在最表面，因而也使耐吸湿性变得良好。
(声音传感器的制造方法)
其次，说明利用MEMS技术制造声音传感器31的方法。图4(A)～(D)及图5(A)～(C)是表示声音传感器31的制造工序的概略剖面图。
首先，如图4(A)所示，通过热氧化和CVD法等在单晶硅基板32的表面成膜由二氧化硅膜(SiO2)构成的保护层61。然后，在保护层61之上形成多晶硅层，通过蚀刻对该多晶硅层进行构图，形成从振动薄膜36b的四角延伸出梁部36a的平面状膜片33。
从膜片33之上向保护层61之上进一步堆积保护层61并由保护层61覆盖膜片33，如图4(B)所示，将膜片33埋入保护层61内。
接着，如图4(C)所示，对保护层61进行蚀刻，通过保护层61制作构成背板34的内表面形状的空洞成形部62和基台部41。此时，空洞成形部62和基台部41被槽63隔开，在槽63内使硅基板32的上表面露出(槽63的底成为露出面48。)，同时，也在基台部41的外侧使硅基板32的上表面露出。另外，在空洞成形部62的上表面还挖掘有用于形成挡块42的孔部64。
其后，在基台部41的外侧、在硅基板32的上表面，以与基台部41的外周面连续的方式由SiO2或多晶硅形成薄的紧密贴合层47。
如图5(A)所示，通过在空洞成形部62的上表面成膜多晶硅膜并蚀刻多晶硅膜进行构图，由此制作固定电极膜40。此时，在固定电极膜40上开设声孔38，并且与孔部64对应而开设通孔。另外，从固定电极膜40之上堆积具有耐氢氟酸性的SiN层而形成板部39。此时，通过堆积于孔部64内的SiN层而形成防固着用的挡块42。另外，在板部39也与固定电极膜40的声孔38对位而形成声孔38，使声孔38贯通背板34。另外，在基台被覆部51上设有电极焊盘45、46。
这样完成背板34之后，从下表面侧蚀刻硅基板32的中央部，如图5(B)所示，使背室35贯通硅基板32，而使空洞成形部62在背室35的上表面露出。
其后，从背板34的声孔38及硅基板32的背室35等导入氢氟酸，对空洞成形部62有选择地进行湿式蚀刻，如图5(C)所示，只保留梁部36a之下的保护层61作为固定器37，将其它的空洞成形部62除去。其结果，膜片33通过固定器37从硅基板32的上表面浮起，在背室35之上可振动地被支承，在固定电极膜40与膜片33之间形成气隙。但是，由于基台部41与空洞成形部62之间被边界区域50隔开，因而基台部41不被氢氟酸蚀刻，使基台部41及紧密贴合层47原样地保留。由此制作出声音传感器31。
在声音传感器31内，将基台部41的厚度设为比膜片33的上表面与背板34下表面之间的空隙厚度b大的方案在工作施工方法上具有如下的意义。即，如上述制造方法，基台部41只要是从相同保护层61在与空洞成形部62同一工序制作，生产性就最好。为了使这样的工作施工方法成为可能，基台部41的厚度c必须比空隙的厚度b厚(c≥b)。
若膜片33与背板34之间的空隙狭窄，则为了防止牵引现象(施加电压时因静电引力而使膜片33与固定电极膜40靠近的现象)及粘附现象(因浸入空隙中的水分等而使膜片33与固定电极膜40靠近的现象)等，优选该空隙尽可能地大。另外，为了减少成为噪声源的热杂音，也优选该空隙尽可能地大。因此，膜片33与背板34之间的空隙不能薄到2μm以下，则通常空隙的厚度b为2μm以上。
另一方面，为了减小固定侧电极焊盘45与硅基板32之间的寄生电容，优选基台部41的厚度尽可能地大。因此，只要使基台部41的厚度c大于空隙的厚度b，就可以确保基台部41为规定以上的厚度(即2μm以上的厚度)，显然可减小寄生电容。另外，在更理想的实施方式中，基台部41的厚度c与空隙的厚度b和固定器37厚度g的合计相等。这是由于，若使制作基台部41的工序与制作空隙及固定器厚的工序同步，则生产性最佳，其结果，基台部41的厚度c与空隙的厚度c和固定器37的厚度g的合计相等。
另外，使紧密贴合层47的厚度比膜片33的上表面与背板34的下表面之间的空隙厚度b小的方案在工作施工方法上具有下述的意义。在使用激光划片的情况下，优选设置于划片直线部的紧密贴合层47的厚度薄的部件。但是，若利用用于制作空洞成形部62及基台部41的保护层61而同时制作紧密贴合层47的话，则造成紧密贴合层47的厚度变厚。因此，如图4(D)所示，优选紧密贴合层47在与基台部41及空洞成形部62不同的工序中制作。在图4(D)的工序中，由于所制作的紧密贴合层47的厚度d也可以是尽可能地薄的部件，因而优选通过例如厚度0.1μm左右的SiO2膜制作。
另外，由于紧密贴合层47是在制作了空洞成形部62及基台部41之后的工序制作的，因而，有时通过紧密贴合层47的制作方法将与紧密贴合层47相同的膜紧密贴合在空洞成形部62及基台部41的表面。其结果，使空洞成形部62及基台部41的厚度增加紧密贴合层47的厚度量。在这样的情况下，只要使在图4(B)的工序中制作的保护层61的厚度比目标空洞成形部62及基台部41的厚度减薄紧密贴合层47的厚度量即可。

Claims (16)

1.一种声音传感器，包括：半导体基板，其具有背室；导电性膜片，其配置在所述半导体基板的上方；绝缘性固定膜，其以隔开间隙覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；电极端子，其用于将所述固定电极膜与所述膜片之间的静电电容的变化作为电信号向外部输出，其特征在于，
所述半导体基板的上表面外周部被由与所述固定膜相同的材料构成的保护膜所覆盖，所述保护膜的外周与所述半导体基板的上表面外周一致。
2.如权利要求1所述的声音传感器，其特征在于，所述保护膜的至少一部分夹着紧密贴合层而固定在所述半导体基板的表面，所述紧密贴合层由与所述固定膜不同的材料构成，并且比所述保护膜薄。
3.如权利要求2所述的声音传感器，其特征在于，所述保护膜的外周部夹着所述紧密贴合层而固定在所述半导体基板的表面，所述保护膜的内周部夹着由与所述固定膜不同的材料构成的厚膜层而固定在所述半导体基板的表面。
4.如权利要求3所述的声音传感器，其特征在于，所述电极端子在形成有所述厚膜层的区域、设置在所述保护膜上。
5.如权利要求3所述的声音传感器，其特征在于，所述紧密贴合层和所述厚膜层由相同材料形成。
6.如权利要求3所述的声音传感器，其特征在于，所述紧密贴合层及所述厚膜层由绝缘性材料形成。
7.如权利要求3所述的声音传感器，其特征在于，所述保护膜和所述固定膜连续，所述保护膜和所述固定膜的边界区域紧密贴合在所述半导体基板的上表面。
8.一种声音传感器的制造方法，所述声音传感器包括：半导体基板，其具有背室；导电性膜片，其配置在所述半导体基板的上方；绝缘性固定膜，其以隔开间隙覆盖所述膜片的方式固定在所述半导体基板的上表面；导电性固定电极膜，其在与所述膜片相对的位置、设置在所述固定膜上；电极端子，其用于将所述固定电极膜与所述膜片之间的静电电容的变化作为电信号向外部输出，其特征在于，该声音传感器的制造方法包括如下的工序：
在堆积于所述半导体基板的上表面的保护层内部形成膜片；
对所述保护层进行蚀刻而形成表面成为所述固定膜的内表面形状的空间成形部；
在整形修整后的所述保护层之上形成所述固定膜，同时以使外周与所述半导体基板的上表面外周一致的方式、通过由与所述固定膜相同材料构成的保护膜覆盖所述半导体基板的上表面外周部；
在所述半导体基板上形成所述背室；
通过蚀刻除去所述保护层，利用空间支承所述膜片，同时，在所述膜片与所述固定膜的内表面之间形成间隙。
9.如权利要求8所述的声音传感器的制造方法，其特征在于，形成所述空间成形部之后，在所述半导体基板的上表面外周部的至少局部形成紧密贴合层，该紧密贴合层由与所述固定膜不同的材料构成，并且比所述保护膜薄。
10.如权利要求9所述的声音传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述空间成形部时，通过所述保护层与所述空间成形部分离而在所述空间成形部的外侧形成厚膜层，接着，在所述厚膜层的外侧形成所述紧密贴合层。
11.如权利要求10所述的声音传感器的制造方法，其特征在于，所述紧密贴合层和所述厚膜层由相同材料形成。
12.如权利要求10所述的声音传感器的制造方法，其特征在于，所述紧密贴合层及所述厚膜层由绝缘性材料形成。
13.如权利要求10所述的声音传感器，其特征在于，所述紧密贴合层的厚度比由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板的内表面与所述膜片之间的间隔小。
14.如权利要求10所述的声音传感器，其特征在于，所述厚膜层的厚度比由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板的内表面与所述膜片之间的间隔大。
15.如权利要求10所述的声音传感器，其特征在于，所述厚膜层的厚度与由所述固定膜和所述固定电极膜构成的背板的内表面与所述膜片之间的间隔加上所述半导体基板的上表面与所述膜片之间的间隔之和相等。
16.如权利要求10所述的声音传感器，其特征在于，所述保护膜和所述固定膜连续地同时形成，而且，将所述保护膜与所述固定膜的边界区域紧密贴合在所述半导体基板的上表面。
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