JP4742972B2 - マイクロフォンの製造方法 - Google Patents
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Description
Rv=(8μta2)/(Sv2) …(数1)
で表わされる。但し、μはベントホールの摩擦損失係数、tはベントホールの通路長さ、aは振動膜の面積、Svはベントホールの面積である。また、マイクロフォンのロールオフ周波数fL(感度の低下する限界周波数)は、
1/fL=2πRv(Cbc+Csp) …(数2)
で表わされる。但し、Rvは上式の抵抗成分、Cbcは空洞の音響コンプライアンス、Cspは振動膜のスティフネス定数である。
Ccav=Vbc/(ρc2Sbc) …(数3)
で表わされる。但し、Vbcは空洞23の体積(バックチャンバー体積)、ρc2は空気の体積弾性率、Sbcは空洞23の開口部の面積である。
22 Si基板
23 空洞
24 振動膜
25 支持ポスト
26 ベントホール
27 バックプレート
29 固定電極
31 薬液投入口
32、33 保護膜
34 エッチング窓
35 犠牲層
36 犠牲層
37 保護膜
38 保護膜
41 マイクロフォン
42 振動膜支持層
43 保護膜
44 エッチング窓
45 保護膜
46 エッチングホール
51 マイクロフォン
52 ストッパ
53 屈曲部
Claims (9)
- 半導体基板の表面にエッチング保護膜を形成し、当該エッチング保護膜にエッチング窓を開口する工程と、
前記エッチング窓の内部と前記エッチング保護膜の上面に少なくとも一部が連続するようにして犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に振動膜を形成する工程と、
前記エッチング保護膜が耐性を有するエッチャントを用いて、前記犠牲層のうち前記振動膜と前記エッチング保護膜に挟まれた領域に存在する犠牲層のエッチングを、前記エッチング窓から離間した箇所から開始して、前記エッチング窓を開口させる工程と、
前記エッチング保護膜が耐性を有するエッチャントを用いて、前記エッチング窓から前記半導体基板を結晶異方性エッチングして前記半導体基板の表面側に空洞を形成する工程と、
を有することを特徴とするマイクロフォンの製造方法。 - 前記犠牲層を形成した後で、かつ、前記振動膜を形成する前において、前記犠牲層をエッチングするための前記エッチャントと前記半導体基板をエッチングするためのエッチャントに耐性を有する材料によって前記犠牲層の上に保護膜を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記犠牲層をエッチングするための前記エッチャントと前記半導体基板をエッチングするためのエッチャントに耐性を有する材料によって前記振動膜の上に保護膜を形成したことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 同一のエッチャントによって前記犠牲層を等方性エッチングすると共に前記半導体基板を結晶異方性エッチングすることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記犠牲層をエッチングするための前記エッチャントと異なるエッチャントによって前記半導体基板を結晶異方性エッチングすることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記振動膜の上方に、固定電極を備えたバックプレートを形成する工程を備えたことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記空洞が、前記半導体基板の表裏に貫通していることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記犠牲層を前記振動膜の形成領域の一部に設けておくことにより、前記振動膜を屈曲させることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
- 前記犠牲層を前記振動膜の形成領域の一部に設けておくことにより、前記振動膜の表面に突起を形成することを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォンの製造方法。
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