JP5332373B2 - 静電容量型振動センサ - Google Patents

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Description

本発明は静電容量型振動センサに関し、特にMEMS(Micro Electro Mechanical System)技術もしくはマイクロマシニング技術を用いて製作される微小サイズの振動センサに関する。
(振動センサの基本構造)
図1に静電容量型振動センサの基本的構造を示す。振動センサ11は、中央部に空洞部12を有する基板13の上面に振動電極板14を配置し、振動電極板14の上方を固定電極板15で覆ったものである。固定電極板15には複数個の音響孔16(アコースティックホール)が上下に貫通している。また、空洞部12の周囲では、基板13の上面と振動電極板14の下面との間にベントホール17を設けてあり、ベントホール17によって振動電極板14及び固定電極板15間の空間(以下、エアギャップ18という。)と空洞部12とを連通させている。このような構造の振動センサ(コンデンサマイクロフォン)としては、特許文献1に開示されたものがある。
しかして、振動センサ11に向けて音響振動19が空気伝搬してくると、音響振動19は音響孔16を通過してエアギャップ18内に広がり、振動電極板14を振動させる。振動電極板14が振動すると、振動電極板14と固定電極板15との間の電極間距離が変化するので、振動電極板14と固定電極板15との間の静電容量の変化を検出することで音響振動19(空気振動)を電気信号に変換して出力することができる。
(ベントホールの働き)
このような振動センサ11では、基板13の表面が振動電極板14の振動と干渉しないよう、基板13に空洞部12を設けている。空洞部12は、図1のように基板13を上下に貫通している場合もあれば、基板13の下面で塞がっていて凹部となっている場合もある。貫通した空洞部12の場合でも、振動センサ11を配線基板などに実装することによって貫通孔の下面が配線基板などで塞がれることが多い。そのため、この空洞部12はバックチャンバと呼ばれることがある。
空洞部12の下面は実質的に塞がっていることが多いため、空洞部12内の圧力は大気圧と異なる場合がある。また、音響孔16の通気抵抗のため、エアギャップ18内も大気圧と異なる場合がある。この結果、周囲の気圧変動や温度変化などにより、振動電極板14の上面側(エアギャップ18)と下面側(空洞部12)とで圧力差を生じて振動電極板14が撓み、振動センサ11に測定誤差が生じる恐れがある。
そのため、一般的な振動センサ11では、図1に示したように振動電極板14と基板13の間にベントホール17を設けて振動電極板14の上面側と下面側を連通させ、エアギャップ18と空洞部12の間の圧力差を除去し、振動センサ11の測定精度を向上させている。
また、ベントホール17を設けることで、振動電極板14の基板13への固定部位の面積を小さくできるので、振動電極板14を柔軟にすることができ、センサ感度を向上させることができる。
特表2004−506394号公報
(熱雑音によるノイズについて)
上記のような振動センサにおいては、出力信号にノイズが含まれており、センサ出力のS/N比を低下させていた。本発明の発明者らは、振動センサのノイズの原因を追及した結果、振動センサに生じるノイズは、振動電極板と固定電極板との間のエアギャップにおける熱雑音(空気分子の揺らぎ)に起因することを発見した。すなわち、図2(a)に示すように、振動電極板14と固定電極板15との間のエアギャップ18、すなわち準密閉空間内にある空気分子αは揺らぎによって振動電極板14に衝突しており、振動電極板14には空気分子αとの衝突による微小力が加わるとともに振動電極板14に加わる微小力がランダムに変動している。そのため、振動電極板14は熱雑音によって微小振動し、振動センサに電気ノイズが発生している。特に、感度の高い振動センサ(マイクロフォン)では、このような熱雑音に起因するノイズが大きく、S/N比が悪くなる。
そこで、本発明の発明者らは、振動電極板と固定電極板の間のエアギャップ内で発生している熱雑音(空気分子)を音響孔から逃がし、それによって熱雑音によるノイズを小さくすることを提案した(特願2008−039048)。
しかし、その後の研究により、熱雑音によるノイズはエアギャップ18内だけでなくベントホール17内でも発生しており、しかも、ベントホール17内の熱雑音によるノイズもノイズ成分のかなりの割合を占めていることが分かった。特にベントホール17はエアギャップ18に較べてギャップが小さいため、熱雑音によるノイズが発生しやすい状況にある。
従って、ベントホールを有する振動センサにおいては、ベントホールにおける熱雑音によるノイズを低減させる必要がある。そして、この熱雑音によるノイズを小さくする方法としては、ベントホールの隙間(ギャップ)を広くしたり、ベントホールの通気方向における長さを短くしたりして、熱雑音の原因となる空気分子がベントホール17から逃げやすくなるようにする方法がある。
(低周波特性と音響抵抗との関係)
つぎに、振動センサの低周波特性について述べる。基板と振動電極板との間に設けたベントホールは、前述のように振動電極板の上面側と下面側とを連通させてその圧力差を小さくする働きをしている。しかし、ベントホールの隙間が大きい場合には、その近傍の音響孔からベントホールを通過して基板の空洞部に至る経路(図1に矢印線20で示す。)の音響抵抗が小さくなる。しかも、低周波振動は、高周波振動に較べてベントホールを通過しやすいので、音響孔を通過してエアギャップ内に伝搬してきた振動のうち低周波振動はベントホールを通って空洞部側へ漏れやすくなる。その結果、ベントホール近傍の音響孔を通った低周波の音響振動は、振動電極板を振動させることなく空洞部側へ漏れてしまい、振動センサの低周波特性を劣化させることになる。
センサ感度の周波数特性において、それよりも周波数が小さくなるとセンサ感度が低下し始める限界周波数をロールオフ周波数fLという。振動センサのロールオフ周波数fLは、次の数式1で表される。
1/fL=2π・Rv(Cbc+Csp) …(数式1)
ただし、Rv: ベントホールの音響抵抗(抵抗成分)
Cbc: 基板の空洞部の音響コンプライアンス
Csp: 振動電極板のスティフネス定数
である。
従って、低周波領域におけるセンサ感度の低下を小さくするためには、ロールオフ周波数fLをできるだけ小さくすることが望まれる。例えば、fL=50Hz程度とすることが好ましい。
上記数式1によれば、ロールオフ周波数fLを小さくして振動センサの低周波特性の低下を小さくするためには、ベントホールの音響抵抗Rvの値を大きくすればよいことが分かる。
ベントホールの音響抵抗Rvは、例えば次の数式2で表される。
Rv=(8・μ・t・A)/(Sv) …(数式2)
ただし、μ: 空気の粘性係数
t: ベントホールの通気方向の長さ
A: ダイアフラムの面積
Sv: ベントホールの断面積
である。
従って、音響抵抗Rvを十分に大きくしてロールオフ周波数fLを小さくするためには、ベントホールの通気方向の長さtを長くするか、ベントホールの断面積Svを小さくすればよい。
(熱雑音によるノイズと低周波特性との関係)
以上の議論をまとめると、つぎのような結論となる。ベントホールにおける熱雑音によるノイズを低減させるためには、ベントホールの隙間を広くしたり、ベントホールの通気方向における長さを短くすればよい。一方、振動センサの低周波特性が悪くならないようにするためには、ベントホールの通気方向の長さtを長くするか、ベントホールの断面積Svを小さくすればよい。
しかし、ベントホールの熱雑音によるノイズを低減させるために、ベントホールの隙間を広くしたり、ベントホールの通気方向における長さを短くすると、振動センサの低周波特性が悪くなる。反対に、低周波特性の低下を防ぐために、ベントホールの通気方向の長さtを長くしたり、ベントホールの断面積Svを小さくしたりすると、ベントホールの熱雑音によるノイズが増加し、振動センサのS/N比が悪くなる。
このような理由により、従来の振動センサのような構造では、振動センサの低ノイズ化と良好な低周波特性とはトレードオフの関係にあり、低ノイズで良好な低周波特性を有する振動センサを作製することは困難であった。
本発明は、このような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、ベントホールにおける熱雑音によるノイズを低減させることができ、かつ、良好な低周波特性を得ることができる静電容量型振動センサを提供することにある。
本発明にかかる第1の静電容量型振動センサは、空洞部を有する基板の上面側に、振動を受けて膜振動する振動電極板を前記空洞部に対向させて配置し、厚み方向に貫通した複数の音響孔が開口した固定電極板を前記振動電極板に対向させて配置し、前記空洞部の周囲のうち少なくとも一部において、前記基板の上面と前記振動電極板の下面との間に、前記振動電極板及び前記固定電極板間の空間と前記空洞部とを連通させる空気経路部を設けた静電容量型振動センサであって、前記振動電極板の前記空気経路部に面する部位に、当該空気経路部の空気を前記振動電極板の厚み方向に逃がすための空気逃げ部が形成され、前記空気逃げ部は、前記音響孔の直径よりも小さな直径を有する貫通孔であることを特徴としている。
本発明にかかる第1の静電容量型振動センサにあっては、振動電極板の空気経路部に面する部位に、空気経路部の空気を振動電極板の厚み方向に逃がすための空気逃げ部を設けているので、空気経路部内の熱雑音ないし空気分子を空気逃げ部へ逃がすことができる。よって、本発明にかかる第1の静電容量型振動センサによれば、空気経路部における熱雑音によるノイズを低減させることができ、振動センサのS/N比を向上させることができる。しかも、空気逃げ部を空気経路部に設けているだけであるので、空気経路部自体の断面積を大きくする場合のように音響抵抗が低下しにくく、振動センサの低周波特性の低下を小さくすることができる。この結果、低ノイズで、かつ、良好な低周波特性を有する振動センサを得ることができる。
本発明にかかる第1の静電容量型振動センサでは、前記空気逃げ部が、前記音響孔の直径よりも小さな直径を有する貫通孔であるので、空気経路部の空気分子を振動電極板と固定電極板の間の空間へ効率よく逃がすことができる。このとき空気逃げ部である貫通孔の直径が音響孔の直径に比べて大きくなると、空気経路部の音響抵抗が小さくなり過ぎて振動センサの低周波特性が悪くなるので、前記貫通孔の直径は前記音響孔の直径よりも小さくなっている。
また、前記貫通孔は、前記振動電極板に垂直な方向から見て、前記音響孔と重なり合わない位置に配設されていることが望ましい。音響孔と空気逃げ部の位置が重なり合うと、音響孔から入った低周波振動が空気逃げ部を通りやすくなる恐れがあるためである。
本発明にかかる第2の静電容量型振動センサは、空洞部を有する基板の上面側に、振動を受けて膜振動する振動電極板を前記空洞部に対向させて配置し、厚み方向に貫通した複数の音響孔が開口した固定電極板を前記振動電極板に対向させて配置し、前記空洞部の周囲のうち少なくとも一部において、前記基板の上面と前記振動電極板の下面との間に、前記振動電極板及び前記固定電極板間の空間と前記空洞部とを連通させる空気経路部を設けた静電容量型振動センサであって、前記基板の前記空気経路部に面する部位に、当該空気経路部の空気を前記振動電極板の厚み方向に逃がすための孔又は溝からなる空気逃げ部が形成されていることを特徴としている。
本発明にかかる第2の静電容量型振動センサにあっては、基板の空気経路部に面する部位に、空気経路部の空気を振動電極板の厚み方向に逃がすための空気逃げ部を設けているので、空気経路部内の熱雑音ないし空気分子を空気逃げ部へ逃がすことができる。よって、本発明にかかる第2の静電容量型振動センサによれば、空気経路部における熱雑音によるノイズを低減させることができ、振動センサのS/N比を向上させることができる。しかも、空気逃げ部を空気経路部に設けているだけであるので、空気経路部自体の断面積を大きくする場合のように音響抵抗が低下しにくく、振動センサの低周波特性の低下を小さくすることができる。この結果、低ノイズで、かつ、良好な低周波特性を有する振動センサを得ることができる。
この空気逃げ部は、空気通路部内の熱雑音の原因である空気分子を逃がすことができればよいので、基板に設ける空気経路部は、孔のように個々に独立したものでもよく、溝のようにある方向に延びているものであってもよい。
なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。
(第1の実施形態)
以下、図3〜図7を参照して本発明の第1の実施形態を説明する。図3は実施形態1による静電容量型の振動センサ31を示す模式的な断面図である。図4は振動センサ31の分解斜視図である。また、図5は振動センサ31の平面図である。図6は振動センサ31の上面の固定電極板を除いた状態における平面図である。図7は本実施形態の作用効果を説明するための図であって、振動センサ31の断面の一部を表している。
この振動センサ31は静電容量型のセンサであり、シリコン基板32の上面に絶縁被膜33を介して振動電極板34を設け、その上に微小なエアギャップ35を介して固定電極板36を設けたものである。この振動センサ31は、おもに音声等を検出して電気信号に変換して出力する音響センサやコンデンサマイクロフォンとして使用される。
図3及び図4に示すように、シリコン基板32には、空洞部37(バックチャンバ)が設けられている。図3の空洞部37では、厚み方向で空洞部断面積が変化する角形の貫通孔となっている。ただし、空洞部37の形状は特に限定されるものでなく、角柱状の貫通孔や凹部であってもよい。シリコン基板32のサイズは、平面視で1〜1.5mm角(これよりも小さくすることも可能である。)であり、シリコン基板32の厚みが400〜500μm程度である。シリコン基板32の上面には酸化膜等からなる絶縁被膜33が形成されている。
振動電極板34は、膜厚が1μm程度のポリシリコン薄膜によって形成されている。振動電極板34はほぼ矩形状の薄膜であって、その四隅には固定部38が設けられている。振動電極板34は、空洞部37の上面開口を覆うようにしてシリコン基板32の上面に配置され、各固定部38が犠牲層(図示せず)を介して絶縁被膜33の上に固定されている。図6では、振動電極板34のうちシリコン基板32の上面に固定されている領域を斜線で表している。振動電極板34のうち空洞部37の上方で宙空に支持された部分(この実施形態では、固定部38と延出部46以外の部分)はダイアフラム39(可動部分)となっており、音圧に感応して膜振動する。また、固定部38が犠牲層の上に固定されているため、振動電極板34周辺の固定部38間の領域はシリコン基板32の上面からわずかに浮いており、振動電極板34の四辺に位置する領域、すなわち固定部38と固定部38の間の領域では、振動電極板34の下面とシリコン基板32の上面との間に隙間、すなわちベントホール45(空気経路部)が形成されている。ベントホール45の隙間の大きさεは、1〜2μm程度となっている。
振動電極板34のベントホール45を構成する領域、すなわち振動電極板34とシリコン基板32とが上下に重なり合っている領域において、振動電極板34の縁には複数の空気逃げ部42が設けられている。当該実施形態では、空気逃げ部42は、振動電極板34を上下に貫通する通孔となっている。ベントホール45の音響抵抗が小さくなり過ぎないよう、空気逃げ部42の直径は後述の音響孔43の直径よりもかなり小さくしている。例えば、音響孔43の直径が約18μm(平均値)であるのに対し、空気逃げ部42の直径は約3μm(平均値)となっており、約1/6のサイズとなっている。
また、空気逃げ部42は、振動電極板34のベントホール45を構成する領域にほぼ均等に分散させて設けることが望ましい。本実施形態では、図6に示すように、通気方向の長さt=60μmのベントホール45に対して、直径約3μmの空気逃げ部42を2列に形成している。また、固定電極板36の一辺の長さLは700μmであり、この辺に沿ってp=32μmの間隔で空気逃げ部42を配列している。
ただし、空気逃げ部42は図6のように2列に設けなければならない訳ではなく、空気逃げ部42の通気方向の長さtや空気逃げ部42の直径などに応じて、1列に形成してもよく、3列以上であってもよい。もっとも、あまり空気逃げ部42が密になると、ベントホール45の音響抵抗が低下する恐れがあるので、適当な上限値は存在する。また、空気逃げ部42は規則的に配列しなくてもよく、ほぼ均等であればランダムに配置してもよい。
固定電極板36は、窒化膜からなる絶縁性支持層40の上面に金属製薄膜からなる固定電極41を設けたものである。固定電極板36は、振動電極板34の上方に配置され、ダイアフラム39と対向する領域の外側においてシリコン基板32の上に固定されている。固定電極板36は、ダイアフラム39と対向する領域においては3μm程度の厚みのエアギャップ35をあけてダイアフラム39を覆っている。
固定電極41及び支持層40には、上面から下面に貫通するようにして、音響振動を通過させるための音響孔43(アコースティックホール)が複数穿孔されている。固定電極板36の端部には、固定電極41に導通した電極パッド44を備えている。なお、振動電極板34は、音圧により振動するものであるから、1μm程度の薄膜となっているが、固定電極板36は音圧によって振動しない電極であるので、その厚みは例えば2μm以上というように厚くなっている。
また、支持層40の端部にあけられた開口とその周囲上面には電極パッド47が設けられており、電極パッド47の下面は振動電極板34の延出部46に導通している。よって、振動電極板34と固定電極板36とは電気的に絶縁されており、振動電極板34と固定電極41によってキャパシタを構成している。
しかして、実施形態1の振動センサ31にあっては、上面側から音響振動(空気の疎密波)が入射すると、この音響振動は固定電極板36の音響孔43を通過してダイアフラム39に達し、ダイアフラム39を振動させる。ダイアフラム39が振動すると、ダイアフラム39と固定電極板36との間の距離が変化するので、それによってダイアフラム39と固定電極41の間の静電容量が変化する。よって、電極パッド44、47間に直流電圧を印加しておき、この静電容量の変化を電気的な信号として取り出すようにすれば、音の振動を電気的な信号に変換して出力することができる。
ベントホール45は、振動電極板34の上面側に位置するエアギャップ35と、下面側に位置する空洞部37を通気させて振動電極板34の上面側と下面側とで圧力差が生じにくいようにし、振動センサ31の測定精度を向上させている。さらに、ベントホール45の隙間εを狭くし、さらに、音響孔43の開口径を小さくすることにより、図1に示すような空気逃げ部42を通る低周波振動の経路βの音響抵抗を小さしているので、低周波振動が空気逃げ部42を通って空洞部37へ漏れにくくなっており、振動センサ31の低周波特性を良好にしている。なお、音響孔43の開口径を小さくする際には、音響孔全体の開口径を小さくするのでなく、特願2008−039048に記載しているように、周辺部の音響孔43のみ開口径を小さくし、その内側の音響孔43はそれよりも大きな開口径とするのが好ましい。開口径の小さな音響孔43の直径は、0.5μm以上10μm以下が好ましく、開口径の大きな音響孔43の直径は、5μm以上30μm以下が好ましい。上に例示した音響孔43の直径の約18μmという値は、開口径の大きな音響孔43のものである。
また、ベントホール45においては、振動電極板34に小さな空気逃げ部42を開口しているので、ベントホール45内の熱雑音(特に、平均自由工程の長い空気分子α)を空気逃げ部42へ逃がすことができ、あるいは空気逃げ部42からさらにエアギャップ35へ逃がすことができるので、振動電極板34に衝突する空気分子αを減少させることができて熱雑音によるノイズを低減することができる。
しかも、空気逃げ部42はベントホール45内に部分的に設けられているだけであるので、ベントホール45を通過する経路βの音響抵抗が小さくなりにくい。しかも、空気逃げ部42の直径が小さくて空気逃げ部42の音響抵抗が大きいので、図1に示す経路γのように空気逃げ部42を通過する短絡した経路で、低周波振動が空洞部37へ漏れることもない。よって、本実施形態の振動センサ31によれば、ノイズを低減させるために設けた空気逃げ部42により、振動センサ31の低周波特性を低下させることがなく、低ノイズで良好な低周波特性を有する振動センサ31を製作することが可能になる。
なお、上記振動センサ31は、マイクロマシニング(半導体微細加工)技術を用いて製造されるが、その製造方法は公知の技術であるので説明を省略する。
(第1の実施形態の変形例)
図8は実施形態1の変形例による振動センサの一部を拡大して示す断面図である。この変形例においては、振動電極板34に垂直な方向から見たとき、音響孔43と空気逃げ部42とが重なり合わないように、空気逃げ部42を配置している。好ましくは、垂直方向から見たとき、音響孔43と空気逃げ部42が接することなく、ある程度の距離を保っていることが好ましい。
振動電極板34に垂直な方向から見たとき、音響孔43と空気逃げ部42とが重なり合わないように空気逃げ部42を配置すれば、図8に示す経路γのように低周波振動が空気逃げ部42に至る経路長が長くなるので、経路γにおける低周波振動の音響抵抗を大きくでき、その結果振動センサの低周波特性の低下を小さくできる。
また、空気逃げ部42はベントホール45の内側に寄せて設けることが望ましい。すなわち、図8に示す空気逃げ部42のように、空気逃げ部42は空洞部37の縁から離れた位置に設けることが望ましい。空洞部37の縁に近い位置に空気逃げ部42を設けると、空気逃げ部42を通る経路の音響抵抗が小さくなり、低周波特性が低下する恐れがあるためである。
(第2の実施形態)
図9(a)は実施形態2による振動センサの一部を示す拡大断面図、図9(b)は空洞部37の周囲に位置するシリコン基板32の一部を示す平面図である。この実施形態においては、ベントホール45の設けられている位置において、基板42に空気逃げ部51、52を設けている。空気逃げ部51は、シリコン基板32を上下に貫通する貫通孔となっており、空気逃げ部51は有底の窪み(つまり、一方が塞がった孔)となっている。
貫通孔状の空気逃げ部51の場合には、実施形態1の空気逃げ部42と同様にして、ベントホール45の音響抵抗をあまり低下させることなく熱雑音によるノイズを低減することができる。
窪み状の空気逃げ部52の場合も、窪みを設けることで窪みの底面と振動電極板34の下面との距離が長くなるので、窪み状の空気逃げ部52の底面で跳ね返った空気分子αが振動電極板34に衝突する確率が小さくなる。その結果、貫通孔状の空気逃げ部51と同様に、熱雑音によるノイズを低減することができる。しかも、空気逃げ部52は窪み状であるため、空気逃げ部52を通って低周波振動が漏れることはなく、また空気逃げ部52はベントホール45内に部分的に設けられているだけであるので、ベントホール45の音響抵抗も大きく低下することがなく、ノイズ低減のためにベントホール45内に窪み状の空気逃げ部52を設けていても、振動センサの低周波特性が低下しにくい構造となっている。
なお、第1の実施形態において、貫通孔状の空気逃げ部42に代えて、貫通しない窪み状の空気逃げ部を振動電極板34の下面に設けてもよい。また、第2の実施形態において、空気逃げ部42をすべて貫通孔としてもよく、すべて窪みとしてもよい。
(第3の実施形態)
図10は実施形態3による振動センサの一部を示す拡大断面図、図11は当該振動センサに用いられているシリコン基板32の平面図である。この実施形態では、ベントホール45内において、空洞部37の周囲を囲むようにして、シリコン基板32の上面に溝状をした空気逃げ部61を設けている。図示例では、2本の空気逃げ部61を設けているが、1本でもよく、音響抵抗があまり小さくならない限度であれば3本以上であってもよい。また、空気逃げ部61の溝は環状である必要はなく、各辺に沿ってそれぞれ直線状の溝を形成していてもよい。
このような実施形態でも、実施形態1、2の場合と同様、ベントホール45内における熱雑音によるノイズを低減することができ、しかも、良好な低周波特性を低下させにくくすることができる。
なお、ベントホール45内において、振動電極板34の下面に溝状の空気逃げ部42を設けることも可能である。
図1は、静電容量型振動センサの基本的構造を示す断面図である。 図2(a)は熱雑音によるノイズを説明するための図である。図2(b)はエアギャップ35における説雑音によるノイズを低減する方法を説明する図である。 図3は、本発明の実施形態1による静電容量型の振動センサを模式的に示す断面図である。 図4は、実施形態1の振動センサの分解斜視図である。 図5は、実施形態1の振動センサの平面図である。 図6は、実施形態1において固定電極板を除いた状態の平面図である。 図7は、実施形態1の振動センサの作用効果を説明するための図である。 図8は、実施形態1の変形例による振動センサの一部を拡大して示す断面図である。 図9(a)は本発明の実施形態2による振動センサの一部を示す拡大断面図、図9(b)は空洞部の周囲に位置するシリコン基板の一部を示す平面図である。 図10は、本発明の実施形態3による振動センサの一部を示す拡大断面図である。 図11は、実施形態3の振動センサに用いられているシリコン基板を示す平面図である。
符号の説明
31 振動センサ
32 シリコン基板
33 絶縁被膜
34 振動電極板
35 エアギャップ
36 固定電極板
37 空洞部
38 固定部
39 ダイアフラム
40 支持層
41 固定電極
42 空気逃げ部
43 音響孔
45 ベントホール
51、52、61 空気逃げ部

Claims (3)

  1. 空洞部を有する基板の上面側に、振動を受けて膜振動する振動電極板を前記空洞部に対向させて配置し、厚み方向に貫通した複数の音響孔が開口した固定電極板を前記振動電極板に対向させて配置し、
    前記空洞部の周囲のうち少なくとも一部において、前記基板の上面と前記振動電極板の下面との間に、前記振動電極板及び前記固定電極板間の空間と前記空洞部とを連通させる空気経路部を設けた静電容量型振動センサであって、
    前記振動電極板の前記空気経路部に面する部位に、当該空気経路部の空気を前記振動電極板の厚み方向に逃がすための空気逃げ部が形成され、
    前記空気逃げ部は、前記音響孔の直径よりも小さな直径を有する貫通孔であることを特徴とする静電容量型振動センサ。
  2. 前記貫通孔は、前記振動電極板に垂直な方向から見て、前記音響孔と重なり合わない位置に配設されていることを特徴とする、請求項に記載の静電容量型振動センサ。
  3. 空洞部を有する基板の上面側に、振動を受けて膜振動する振動電極板を前記空洞部に対向させて配置し、厚み方向に貫通した複数の音響孔が開口した固定電極板を前記振動電極板に対向させて配置し、
    前記空洞部の周囲のうち少なくとも一部において、前記基板の上面と前記振動電極板の下面との間に、前記振動電極板及び前記固定電極板間の空間と前記空洞部とを連通させる空気経路部を設けた静電容量型振動センサであって、
    前記基板の前記空気経路部に面する部位に、当該空気経路部の空気を前記振動電極板の厚み方向に逃がすための孔又は溝からなる空気逃げ部が形成されていることを特徴とする静電容量型振動センサ。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101785325B (zh) * 2008-02-20 2013-07-17 欧姆龙株式会社 静电电容式振动传感器
JP5454345B2 (ja) * 2010-05-11 2014-03-26 オムロン株式会社 音響センサ及びその製造方法
US11540057B2 (en) 2011-12-23 2022-12-27 Shenzhen Shokz Co., Ltd. Bone conduction speaker and compound vibration device thereof
JP5177309B1 (ja) * 2012-01-31 2013-04-03 オムロン株式会社 静電容量型センサ
JP5177311B1 (ja) * 2012-02-15 2013-04-03 オムロン株式会社 静電容量型センサ及びその製造方法
GB2506174A (en) * 2012-09-24 2014-03-26 Wolfson Microelectronics Plc Protecting a MEMS device from excess pressure and shock
JP6127595B2 (ja) 2013-03-11 2017-05-17 オムロン株式会社 音響トランスデューサ
US11950055B2 (en) 2014-01-06 2024-04-02 Shenzhen Shokz Co., Ltd. Systems and methods for suppressing sound leakage
US20160037263A1 (en) * 2014-08-04 2016-02-04 Knowles Electronics, Llc Electrostatic microphone with reduced acoustic noise
WO2016040793A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Akustica, Inc. Mems device with acoustic leak control features
CN104951560B (zh) * 2015-07-08 2019-08-16 谭红 基于知识点结构的搜索装置
JP6645278B2 (ja) 2016-03-10 2020-02-14 オムロン株式会社 静電容量型トランスデューサ及び音響センサ
EP3279621B1 (en) 2016-08-26 2021-05-05 Sonion Nederland B.V. Vibration sensor with low-frequency roll-off response curve
CN107071672B (zh) * 2017-05-22 2020-08-21 潍坊歌尔微电子有限公司 一种压电式麦克风
CN107195764A (zh) * 2017-06-27 2017-09-22 常州瑞丰特科技有限公司 匀光装置及其制备方法
KR102558358B1 (ko) * 2018-04-26 2023-07-24 썬전 샥 컴퍼니 리미티드 듀얼 마이크 이어폰의 진동 제거 장치 및 방법
US11509994B2 (en) 2018-04-26 2022-11-22 Shenzhen Shokz Co., Ltd. Vibration removal apparatus and method for dual-microphone earphones
KR102110203B1 (ko) 2018-06-14 2020-05-13 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 부착형 진동센서 및 그의 제조방법
CN110519679A (zh) * 2019-10-11 2019-11-29 安徽奥飞声学科技有限公司 一种mems结构
KR102343853B1 (ko) * 2019-12-12 2021-12-27 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단 향상된 정확도를 갖는 소리 인식 방법 및 그의 응용방법
CN111277936B (zh) * 2019-12-30 2021-08-10 瑞声声学科技(深圳)有限公司 一种mems麦克风
CN116986550B (zh) * 2023-09-26 2023-11-28 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 气流传感器及气流传感器封装结构

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5452268A (en) * 1994-08-12 1995-09-19 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer with improved low frequency response
US6535460B2 (en) * 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
ATE392790T1 (de) 2000-08-11 2008-05-15 Knowles Electronics Llc Erhobene mikrostrukturen
TW200746868A (en) * 2006-02-24 2007-12-16 Yamaha Corp Condenser microphone
JP4742972B2 (ja) 2006-04-27 2011-08-10 オムロン株式会社 マイクロフォンの製造方法
JP4398960B2 (ja) 2006-08-07 2010-01-13 上銀科技股▲分▼有限公司 ボールスクリューの分段還流素子
JP4144640B2 (ja) * 2006-10-13 2008-09-03 オムロン株式会社 振動センサの製造方法
JP2008167277A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 音響トランスデューサ

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