JP2010531592A - 音響学的なセンサエレメント - Google Patents
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Abstract
本発明によれば、マイクロメカニカル型の音響学的なセンサエレメントの変換特性を改善するための単純な構造的な手段が提案される。この場合、センサエレメントは、少なくとも1つのダイヤフラム(2)と、少なくとも1つの定位置固定の対向エレメント(3)とを有しており、ダイヤフラム(2)が、基板(1)と対向エレメント(3)との間の中空室(4)内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働くようになっており、対向エレメント(3)が、前記コンデンサ装置の第1の固定の対向電極として働くようになっており、基板(1)に、ダイヤフラム(2)を音圧負荷するための少なくとも1つの貫通開口(6)が形成されている。本発明によれば、対向エレメント(3)が、位置固定および補剛のために少なくとも1つの支持エレメント(7)を介して基板(1)に結合されており、該支持エレメント(7)が、前記中空室(4)の範囲に配置されており、ダイヤフラム(2)に、該支持エレメント(7)のための開口(11)が形成されている。
Description
背景技術
本発明は、少なくとも1つのダイヤフラムと、少なくとも1つの定位置もしくは固定の対向エレメントとを備えた音響学的なセンサエレメントに関する。センサエレメントのダイヤフラムは基板と対向エレメントとの間の中空室内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働き、それに対して対向エレメントは前記コンデンサ装置の静止もしくは固定の対向電極として働く。基板には、少なくとも1つの貫通開口が形成されており、この貫通開口を介してダイヤフラムの音圧負荷が行われる。
本発明は、少なくとも1つのダイヤフラムと、少なくとも1つの定位置もしくは固定の対向エレメントとを備えた音響学的なセンサエレメントに関する。センサエレメントのダイヤフラムは基板と対向エレメントとの間の中空室内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働き、それに対して対向エレメントは前記コンデンサ装置の静止もしくは固定の対向電極として働く。基板には、少なくとも1つの貫通開口が形成されており、この貫通開口を介してダイヤフラムの音圧負荷が行われる。
公知先行技術に基づき、いわゆるマイクロマシン技術を用いて製造されたマイクロメカニカル型のマイクロホンが公知である。このマイクロメカニカル型のマイクロホンは、このようなセンサエレメントを用いて音波を電気的な信号へ変換する。公知のセンサエレメントは少なくとも2つの電極を備えたコンデンサ装置を有しており、両電極の間には0.5μm〜10μmのエアギャップが形成される。理想的には、一方の電極が剛性的であって、他方の電極が可動となるので、他方の電極は音波の発生時に振動させられる。これにより、両電極の間の容量は音圧変化に相応して変化する。
このようなマイクロメカニカル型の変換エレメントの品質は対向電極の非可動性に著しく関連している。それゆえに、実際の使用においては、対向電極にはしばしば比較的大きな厚さが備えられる。この場合、対向電極は変換エレメントの支持基板から構造体化(パターン化)されるか、またはあとから、たとえばエピポリシリコンから成る厚い層を施与される。しかし、対向電極が強力な引張り緊張(テンション)をかけられて製造される場合にも、対向電極の高い剛性を得ることができる。しかし、支持基板の構造化も、高い層厚さの形成または著しい引張り緊張をかけられた層の製造も、手間がかかり、相応してコストがかかる。
冒頭で述べた形式の音響学的なセンサエレメントもしくは変換エレメントは、米国特許第号6535460明細書にも記載されている。この公知のセンサエレメントの構造は1つの貫通開口を備えた基板を有しており、この貫通開口はダイヤフラムによって張り渡される。ダイヤフラムの上には、このダイヤフラムから間隔を置いて、穿孔されたパーフォレーションを備えた対向エレメントが配置されており、この対向エレメントは前記貫通開口の縁範囲において基板に結合されている。ダイヤフラムと対向エレメントとは、一緒になって1つのコンデンサを形成しており、この場合、ダイヤフラムは可動電極として働き、対向エレメントは剛性的な電極を成している。ダイヤフラムは基板に設けられた前記貫通開口を介して音波で負荷され、こうして振動を加えられる。次いで、ダイヤフラムの運動は対向エレメントを用いてコンデンサの容量変動として検出される。米国特許第号6535460明細書には、穿孔された対向エレメントの位置固定および/または補剛のための特別な手段は記載されていない。
発明の開示
本発明によれば、冒頭で述べた形式のマイクロメカニカル型の音響学的なセンサエレメントの変換特性を改善するための単純な構造的な手段が提案される。この手段は特にコンデンサ装置の対向エレメントもしくは対向電極の位置固定および補剛に関するものである。
本発明によれば、冒頭で述べた形式のマイクロメカニカル型の音響学的なセンサエレメントの変換特性を改善するための単純な構造的な手段が提案される。この手段は特にコンデンサ装置の対向エレメントもしくは対向電極の位置固定および補剛に関するものである。
このために本発明によれば、対向エレメントが、少なくとも1つの支持エレメントを介して基板に結合されており、該支持エレメントが中空室の範囲に配置されている。さらに、ダイヤフラムには、この支持エレメントのための開口が形成されているので、ダイヤフラムは中空室内部で自由に振動することができる。
本発明によれば、対向エレメントを、1つまたは複数の個所で、基板の既存の強固な構造体上に支持し、これによって対向エレメントの張設幅もしくは張り間(Spannweite)を減少させることによって、対向エレメントの剛性を簡単に高めることができることが認識された。この手段は、対向エレメントを薄い層の形でも実現することを可能にし、この薄い層は必ずしも引張り緊張力をかけられている必要はない。ダイヤフラムの張設幅、ひいてはセンサエレメントの感度も、支持エレメントによって著しく損なわれることはない。なぜならば、ダイヤフラムは本発明によれば複数の開口を備えていて、これらの開口を通って支持エレメントは対向エレメントから支持構造体にまで延びているので、ダイヤフラムは対向エレメントと基板構造体との間で自由に運動することができるからである。
本発明によるセンサエレメントの対向エレメントは、高い引張り応力に合わせて設計されている必要のない薄い層の形で実現され得るので、本発明によるセンサエレメントは全体的に、廉価でかつ大量生産を可能にする(volumenfaehig)標準・半導体プロセスを用いて製造され得る。
本発明によるセンサエレメントの構成および特に対向エレメントと基板との間の中空室の範囲における支持エレメントの配置のためには、基本的に種々の可能性が存在している。
本発明の有利な変化形では、前記中空室の下方の範囲に、前記支持エレメントのための基板ベースを備えた基板構造体が形成されている。したがって、基板ベースは前記中空室の下方に配置されていて、「基板大陸(Substrat-Festland)」に結合されているので、基板ベースは位置固定されていて、支持エレメントと対向エレメントとのための1つの良好な支持個所を形成している。
前記中空室の下方の基板構造体もしくは該基板構造体により画定された、基板に設けられた貫通開口は、ダイヤフラムができるだけ大面積にわたって音圧で負荷され得るように設計されると有利である。これに関連して、基板ベースが、比較的小幅の複数のウェブを介して前記中空室の縁範囲で基板に結合されていると有利であることが判った。基板ベースとウェブとが、構造化されていない基板の厚さとほぼ同じ厚さを有していることにより、基板構造体の、対向エレメントの位置固定のために必要となる安定性を簡単に得ることができる。
本発明によるセンサエレメントのさらに別の有利な構成では、対向エレメントが、ダイヤフラム振動の減衰を減少させる複数の目打ち状の穿孔もしくはパーフォレーション孔を備えている。さらに、これらの穿孔もしくはパーフォレーション孔を介して、ダイヤフラムの上の中空室と周辺環境との間の圧力補償を行うことができる。
本発明によるセンサエレメントを用いると、音波を微分により検出することもできる。このためには、本発明によるセンサエレメントに別の固定の対向電極が簡単に装備される。この対向電極は基板もしくは基板構造体にダイヤフラムの下方で実現される。
既に上で述べたように、本発明の思想を有利に実現しかつ改良するための種々の可能性が存在している。このためには、一方では独立請求項である請求項1に後置された請求項2以下に記載の構成、他方では以下に図面につき詳しく説明する本発明の複数の実施例を参照するものとする。
発明の実施形態
図1に示した音響学的なセンサ素子もしくはセンサエレメント10の層構造は基板1を有している。この基板1の上には、ダイヤフラム2と、定位置に固定の対向エレメント3とが形成されている。ダイヤフラム2は基板1と対向エレメント3との間の中空室4内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働き、対向エレメント3はこのコンデンサ装置の固定の対向電極を形成している。基板1は中空室4の下方の範囲5において構造化もしくはパターン化されている。この場合、図3aに図示されているように、ダイヤフラム2の音圧負荷のための複数の貫通開口が設けられている。対向エレメント3は1つの支持エレメント7を介して基板1に結合されている。この支持エレメント7は中空室4の範囲に配置されていて、基板ベース8に載着されている。この基板ベース8は中空室4の下方の基板構造体の一部である。この基板構造体はさらに複数のウェブ9を有しており、これらのウェブ9を介して基板ベース8は、中空室4の縁範囲において基板1の「大陸」に結合されている。基板ベース8ならびにウェブ9は基板1の全厚さに形成されている。ダイヤフラム2には、支持エレメント7のための1つの開口11が設けられているので、ダイヤフラム2は相応する音圧負荷の際に中空室4の下方で自由に振動することができる。対向エレメント3は中空室4の上の範囲において複数の穿孔もしくはパーフォレーション孔12を備えている。固定電極として働く対向エレメント3の電気的な接続のためには、コンタクト接続部13が設けられている。可動電極として働くダイヤフラム2は、電気的に絶縁されたダイヤフラム締付け固定部15の下に延びる導体路14を介して接続パッド16へ案内されている。
図1に示した音響学的なセンサ素子もしくはセンサエレメント10の層構造は基板1を有している。この基板1の上には、ダイヤフラム2と、定位置に固定の対向エレメント3とが形成されている。ダイヤフラム2は基板1と対向エレメント3との間の中空室4内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働き、対向エレメント3はこのコンデンサ装置の固定の対向電極を形成している。基板1は中空室4の下方の範囲5において構造化もしくはパターン化されている。この場合、図3aに図示されているように、ダイヤフラム2の音圧負荷のための複数の貫通開口が設けられている。対向エレメント3は1つの支持エレメント7を介して基板1に結合されている。この支持エレメント7は中空室4の範囲に配置されていて、基板ベース8に載着されている。この基板ベース8は中空室4の下方の基板構造体の一部である。この基板構造体はさらに複数のウェブ9を有しており、これらのウェブ9を介して基板ベース8は、中空室4の縁範囲において基板1の「大陸」に結合されている。基板ベース8ならびにウェブ9は基板1の全厚さに形成されている。ダイヤフラム2には、支持エレメント7のための1つの開口11が設けられているので、ダイヤフラム2は相応する音圧負荷の際に中空室4の下方で自由に振動することができる。対向エレメント3は中空室4の上の範囲において複数の穿孔もしくはパーフォレーション孔12を備えている。固定電極として働く対向エレメント3の電気的な接続のためには、コンタクト接続部13が設けられている。可動電極として働くダイヤフラム2は、電気的に絶縁されたダイヤフラム締付け固定部15の下に延びる導体路14を介して接続パッド16へ案内されている。
前で説明したセンサエレメント10のようなマイクロメカニカル型の構成エレメントは、半導体基板、たとえばシリコンウェーハを原料として製作される。センサエレメント10の、固定電極として働く対向エレメント3は、たとえば0.5μm〜4μmの厚さを有するポリシリコン層の形に形成される。この層は、簡単な標準・LPCVDプロセスで製造されてドーピングされ得る。このようなプロセスの際に生じる層緊張力もしくは層テンションは、典型的には10〜100mPaの圧力にある。センサエレメント10の対向エレメント3は本発明によれば支持エレメント7によって安定化されかつ位置固定されるので、層テンションを高めるか、または層テンションに影響を与えるための特別な手段を講じる必要はない。支持エレメント7は、基板1と対向エレメント3とを電気的に分離するために、電気的に絶縁性の材料から成っていると有利である。すなわち、支持エレメント7は、たとえば酸化物から形成されていてよく、この酸化物はダイヤフラム2を露出させかつ中空室4を形成するための犠牲層エッチングの際に、残留酸化物としてコントロールされて放置される。しかし、電気的に絶縁された別の変化形、たとえば窒化物絶縁部を有するポリシリコン支持エレメントも可能である。
図2に示したセンサエレメント20は、図1に示したセンサエレメント10と同じ構成エレメント構造を有している。それゆえに、図2においても同じ符号が使用される。しかし、センサエレメント20のコンデンサ装置は、図1のセンサエレメント10とは異なり、複数の付加的な固定電極21を有している。これらの固定電極21はウェブ9が位置する範囲で基板1に形成されている。これらの固定電極21は、ダイヤフラム2の運動により生ぜしめられる容量変動の微分検出を可能にする。
以下に、図3a、図3bおよび図3cにつき、本発明によるセンサエレメントの層構造をもう一度説明する。図1においても図示した構造エレメントについては同じ符号が使用される。
図3aには、コンデンサ装置の範囲における基板1を上から見た平面図が示されている。基板1はこの範囲に、可動電極として働き、かつ基板1の上に配置されるダイヤフラムを圧力負荷するための複数の貫通開口6を備えている。これらの貫通開口6はこの場合、円セグメント状に形成されていて、相応する基板構造体に設けられた8つのウェブ9によって互いに分離されている。これら8つのウェブ9の交点に位置する基板構造体の中心と、該交点と、貫通開口6の円形の外縁部との間における各1つのウェブ9の中間点とにおいて、基板構造体にはそれぞれ基板ベース8が形成されている。ただし念のため付言しておくと、ダイヤフラムのできるだけ良好な音響負荷を得るために、貫通開口の形状はダイヤフラム形状に適合されると有利である。基板ベース8は、固定電極の良好な位置固定を達成するために、支持したい対向エレメントの張設幅(張り間)にわたってできるだけ均一に分配される。
図3bには、円形のダイヤフラム2が前記貫通開口6と、これらの貫通開口6の輪郭を画定する基板構造体との上に配置された後の状態の基板1が図示されている。既に述べたように、ダイヤフラム2はセンサエレメントのコンデンサ装置の可動電極として働く。このためには、ダイヤフラム2が、該ダイヤフラム2と同じ層に形成されている導体路14を介して電気的にコンタクトされる。さらに図3bから判るように、ダイヤフラム2は基板ベース8の上の範囲において複数の開口11を備えている。
図3cには、ダイヤフラム2の上に対向エレメント3が形成された後の状態のセンサエレメントの層構造を上から見た平面図が図示されている。対向エレメント3はダイヤフラム2と、基板1に設けられた貫通開口6との上の範囲に目打ち状の複数の穿孔もしくはパーフォレーション孔12を備えている。基板ベース8の上の範囲においてのみ、対向エレメント3の構造体は穿孔されていない。この範囲には支持エレメント7が位置しており、これらの支持エレメント7を介して対向エレメント3が基板ベース8に結合されている。この支持構造体によって、対向エレメント3の自由な張設幅もしくは張り間(Spannweite)は減少し、ひいては音波の衝突時における対向エレメント3の変位も減少する。
図4には、本発明による音響学的なセンサエレメント40が図示されている。このセンサエレメント40は、上で説明したセンサエレメント10の場合と同様に、基板41から製作されている。基板41の上の層構造には、ダイヤフラム42と、定位置に固定の対向エレメント43とが形成されている。ダイヤフラム42は基板41と対向エレメント43との間の中空室44内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働き、対向エレメント43はこのコンデンサ装置の固定の対向電極を形成している。中空室44の下方の範囲では、基板41に複数の貫通開口が形成されており、これらの貫通開口を介してダイヤフラム42の音圧負荷が行われる。これらの貫通開口は図4に示した断面図には図示されていない。なぜならば、この断面図の切断平面はこれらの貫通開口の輪郭を画定する基板構造体45の内部に延びているからである。
図1に示したセンサエレメント10と、図4に示したセンサエレメント40とは、主として対向エレメント3;43のための支持エレメント7;47の実現の点で互いに異なっている。対向エレメント43には、3つの折込み部47が形成されており、これらの折込み部47の底範囲は絶縁層48を介して基板41もしくは中空室44の下方の基板構造体45に結合されている。これらの折込み部47は、中空室44の範囲に配置されている対向エレメント43のための支持エレメントを形成している。ダイヤフラム42には、折込み部47のための複数の開口49が設けられているので、ダイヤフラム42は相応する音圧負荷時に中空室44内で自由に振動することができる。対向エレメント43には、中空室44の上の範囲で目打ち状の複数の穿孔もしくはパーフォレーション孔50が形成されている。
Claims (6)
- 音響学的なセンサエレメントであって、少なくとも1つのダイヤフラム(2)と、少なくとも1つの定位置固定の対向エレメント(3)とが設けられており、
−ダイヤフラム(2)が、基板(1)と対向エレメント(3)との間の中空室(4)内に配置されていて、コンデンサ装置の可動電極として働くようになっており、
−対向エレメント(3)が、前記コンデンサ装置の第1の固定の対向電極として働くようになっており、
−基板(1)に、ダイヤフラム(2)を音圧負荷するための少なくとも1つの貫通開口(6)が形成されている
形式のものにおいて、対向エレメント(3)が、少なくとも1つの支持エレメント(7)を介して基板(1)に結合されており、該支持エレメント(7)が、前記中空室(4)の範囲に配置されており、ダイヤフラム(2)に、該支持エレメント(7)のための開口(11)が形成されていることを特徴とする、音響学的なセンサエレメント。 - 前記中空室(4)の下方の範囲に、前記少なくとも1つの支持エレメント(7)のための少なくとも1つの基板ベース(8)を備えた基板構造体(5)が形成されている、請求項1記載の音響学的なセンサエレメント。
- 前記基板構造体(5)が複数のウェブ(9)を有しており、該ウェブ(9)を介して基板ベース(8)が、前記中空室(4)の縁範囲で基板(1)に結合されている、請求項2記載の音響学的なセンサエレメント。
- 前記基板ベース(8)および場合によっては前記ウェブ(9)が、構造化されていない基板(1)の厚さとほぼ同じ厚さを有している、請求項2または3記載の音響学的なセンサエレメント。
- 対向エレメント(3)が、目打ち状の複数のパーフォレーション孔(12)を備えている、請求項1から4までのいずれか1項記載の音響学的なセンサエレメント。
- 基板(1)もしくは基板構造体(5)に、ダイヤフラム(2)の下方でコンデンサ装置の少なくとも1つの別の固定の対向電極(21)が実現されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の音響学的なセンサエレメント。
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