CN102203671B - 压印工艺的分离阶段中的应变和动力学控制 - Google Patents

压印工艺的分离阶段中的应变和动力学控制 Download PDF

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Abstract

描述了压印光刻工艺的分离工艺中改善强健的层分离的系统和方法。包括方法：使拟压印的衬底和模板之间的应变匹配；改变或修正在分离过程中作用于模板和/或衬底的力，或改变或修正分离工艺的动力学特性。

Description

压印工艺的分离阶段中的应变和动力学控制
相关申请的引用
本专利申请要求2008年10月30日提交的美国临时申请S/N 61/109,557、2008年10月24日提交的美国临时申请S/N 61/108,131以及2009年10月23日提交的美国专利申请S/N 12/604,517的权益，全部这些文献作为参考援引于此。
背景信息
纳米制造包括制造结构特征在100纳米量级或更小的非常微小结构的制造。纳米制造已具有相当可观的影响的一种应用是在集成电路的加工中。半导体加工工业不断设法在增加形成在衬底上的每单位面积的电路的同时获得更高的生产率；因此纳米制造变得越来越重要。纳米制造在允许不断减小所形成结构的最小特征尺寸的同时提供更好的工艺控制。其中已采用纳米制造的其它研发领域包括生物技术、光学技术、机械系统等。
当今使用的一种示例性纳米制造技术通常称为压印光刻。示例性压印光刻工艺在众多公开物中有详细记载，例如美国专利公开No.2004/0065976、美国专利公开No.2004/0065252以及美国专利No.6,936,194，所有这些文献通过参考援引于此。
在前面提到的美国专利公开和专利中披露的压印光刻技术包括形成可塑液体(可聚合液体)的凸凹图案并将与凸凹图案对应的图案转印到下层衬底中。衬底可耦合于移动平台以获得利于布图工艺的要求定位。布图工艺采用与衬底隔开一定距离的模板以及涂覆在模板和衬底之间的可塑液体。可塑液体固化以形成刚性层(固化层)，该固化层具有一图案，该图案顺应于模板与可塑液体接触的表面的形状。在固化后，模板与刚性层分离以使模板和衬底间隔开。衬底和固化层随后经历其它工艺以将凸凹图像转印至与固化层内的图案对应的衬底。
在压印技术中，在所得到的压印图案中可观察到类似剪切、拔起和磨损特征的缺陷。由于在分离过程中模板和衬底的应变失配，缺陷经常发生。所得到的布图特征结构可能翘起和/或损坏，且经常对最小特征结构有最大的影响。分离影响也可具有径向相关性。从高特征密度区向低特征密度区的过渡也可能导致大量压印缺陷，其结果经常是模板和衬底之间的剪切失配的突然改变。
当前压印方法经常采用任意厚度和形状的模板以及任意厚度的晶片和盘片(衬底)。另外，对于提高压印质量，类似分离力、翘起、模板和晶片后侧压力、真空水平的分离阶段压印参数以及所有上述参数的动力学因素在当前压印方法中可能未被考虑在内。
附图简述
因此可以更详细地理解本发明，参照附图中示出的各实施例提供对本发明实施例的描述。然而要注意，所附附图仅示出本发明的常见实施例，并因此不应认为是对范围的限定。
图1示出根据本发明一个实施例的光刻系统的简化侧视图。
图2示出图1所示其上设有经布图层的衬底和模板的简化侧视图。
图3A和3B示出在分离事件中接触区的缩短。
图4示意地示出刚性布图模板(顶部)和其上具有复制层的柔性衬底(底部)之间的界面。
图5示出在压印工艺前具有添加至衬底表面的硬化层的衬底的简化侧视图。
图5示出晶片和SOG晶片之间的比较，其中晶片具有多个分离缺陷。
图7A和7B示出模板曲率和根据模板特征密度的其表面的相应剪切应变。
图8示出分离力随时间的图表表示。
图9示出在最小化剪切和拔起应变的同时将模板从布图层分离的示例性方法的流程图。
图10示出图1所示光刻系统的一部分的简化侧视图，其包括衬底和模板，在衬底和模板之间设有经布图的层。
图11示出在通过采用反馈、监测和跟踪使剪切和拔起应力减至最小的同时将模板从布图层分离的示例性方法的流程图。
图12示出各种傀儡(dummy)填充图案选择。
具体实施方式
参见附图，尤其是图1，图中示出一种用来在衬底12上形成凸凹图案的光刻系统10。衬底12可耦合于衬底卡盘14。如图所示，衬底卡盘14是真空式卡盘。然而，衬底卡盘14可以是任何卡盘，包括但不仅限于，真空式、销式、沟槽式、电磁式和/或其它。示例性卡盘记载在美国专利No.6,873,087中，该文献通过参考援引于此。
衬底12和衬底卡盘14可进一步由平台16支承。平台16可提供沿x-、y-和z-轴的运动。平台16、衬底12和衬底卡盘14也可设置在底座(未示出)上。
模板18与衬底12间隔开。模板18通常包括从模板18向衬底12伸出的台面20，台面20上具有布图表面22。此外，台面20可视为模具20。模板18和/或模具20可由这些材料形成，包括但不仅限于，熔凝硅石、石英、硅、有机聚合物、硅氧烷聚合物、硼硅玻璃、氟烃聚合物、金属、硬化蓝宝石和/或其它。如图所示，布图表面22包括由多个间隔开的凹部24和/或凸部26界定的特征，尽管本发明的这些实施例不仅限于这些结构。布图表面22可界定形成拟形成在衬底12上的布图的基础的原始图案。
模板18可耦合于卡盘28。卡盘28可配置成但不仅限于真空式、销式、沟槽式、电磁式和/或其它类似的卡盘类型。示例性卡盘进一步记载在美国专利No.6,873,087中，该文献通过参考援引于此。此外，卡盘28可耦合于压印头30以使卡盘28和/或压印头30可配置成利于模板18的移动。
系统10可进一步包括流体分配系统32。流体分配系统32可用来将可聚合材料34沉积在衬底12上。可聚合材料34可使用例如液滴分配、旋涂、浸渍涂覆、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、薄膜沉积、厚膜沉积和/或其它来技术设置在衬底12上。可聚合材料34可在根据设计因素在模具20和衬底12之间界定一要求体积之前和/或之后设置在衬底12上。可聚合材料34可包括美国专利No.7,157,036和美国专利公开No.2005/0187339中记载的单体，这些文献通过参考援引于此。
参见图1和图2，系统10还可包括沿路径42耦合于直接能量40的能量源38。压印头30和平台16可配置成将模板18和衬底12定位成与路径42重叠。系统10可由与平台16、压印头30、流体分配系统32和/或源38通信的处理器54调节并工作在存储于存储器56中的计算机可读程序上。
压印头30或平台16或者前述二者改变模具20和衬底12之间的距离以界定其间的要求体积，该体积由可聚合材料34填充。例如，压印头30可对模板18施力以使模具20接触可聚合材料34。在用可聚合材料34填满要求的体积之后，源38产生能量40，例如宽带紫外线辐射，使可聚合材料34顺应于衬底12的表面44和布图表面22的形状固化和/或交联，从而在衬底上界定经布图层46。经布图层46(固化层)46可包括残留层48和图示为凸部50和凹部52的多个特征，其中凸部50具有厚度h1而残留层具有厚度h2。
前述系统和工艺可进一步应用于美国专利No.6,932,934、美国专利公开No.2004/0124566、美国专利公开No.2004/0188381以及美国专利公开No.2004/0211754中提到的压印光刻工艺和系统，这些文献通过参考援引于此。
强健的层分离
仍然参见图1和图2，模板18和衬底12中的应变差异导致压印特征的变形、拔起、线压溃和/或压印工艺后模板18和衬底12分离过程中的其它压印缺陷。应变和关联的应力可基于模板18和衬底12的几何形状、作用力以及工艺的动力学特性。在一个实施例中，应变和关联的应力可基于模板18和衬底12的几何形状、作用力以及工艺的动力学特性。可将所涉及材料的劲度和杨氏模量考虑在内。压印材料34和衬底12之间、压印材料34和模板18之间的附着力以及分离过程中布图表面22和衬底12上得到的特征结构之间的摩擦应当在应变分析中被考虑。模板18的布图表面22上的特征密度的变化在断裂扩展动力学方面扮演重要角色并显著地影响所产生的应变和压印质量，包括强健的层分离。
匹配应变
图3A和3B示出在分离工艺中两时刻t1和t2的示例。简化起见，以柔性衬底(晶片)301和较低柔性模板302为例，较低柔性模板302相比柔性衬底301相对厚。施加恒力F以分离模板302和衬底301。在图3A和3B的示图中，接触面积(表示为A1和A2)是衬底301在分离工艺中与模板302接触的面积。如图所示，接触面积在时间t1为A1，而接触面积在时间t2为A2。在t2时的接触面积A2小于t1时的接触面积A1(其中t2＞t1)，这是由于模板302和衬底301被彼此拉开。如果在接触面积从较大面积A1缩小至较小面积A2的同时作用力F未适当地减小，则衬底301沿接触面积A2周缘的应变将明显大于接触面积A1周缘的应变。这可增加其局部应力，并相应地增加局部应变。
沿衬底301表面的剪切应力可导致沿其表面的表面应变、延长或挤压。如果模板302在衬底301上具有压印特征，则所产生的应变可能在分离过程中剪切特征结构使其离开衬底301。
图4示意地示出刚性布图模板18和柔性衬底12之间的分离面积，其中柔性衬底12上具有包括特征50的复制层。典型特征高度h为100nm。
一种最小化分离过程中不均应力和应变影响的方法——如果无法防止的话——是使模板18和衬底12中的应变基本匹配。例如，使应变匹配可包括使模板18和衬底12的硬度匹配。使硬度匹配应当将模板18和衬底12的几何形状考虑在内，包括各自的厚度。在一个实施例中，衬底12的厚度匹配于模板18的厚度，因此它们具有基本相等的厚度。如本申请中使用的，匹配可包括顺应、调节、适配、改型、配合、调整等；以使应变特性适度地相等或等效，或当将相等力施加于衬底12和模板18时使来自衬底12的响应与来自模板18的响应相同或近乎相同。杨氏模量、取向(翘曲)和其它因子也可用来最小化——如果无法防止的话——分离过程中不均应力和应变的影响。
在一个实施例中(如图2所示)，使模板18和衬底12的硬度匹配可通过增加残留层48的厚度h2来实现。残留层48是在压印工艺中将可聚合材料34设置在衬底12上的结果。附加的可聚合材料34可在建立衬底12总厚度的压印工艺中设置在衬底12上，由此改变衬底12的总体几何特征和硬度特性，并减小模板18和衬底12分离过程中的拉应力和/或剪切应力。在示例性实施例中，预定量的可聚合材料34被设置在衬底12上，该量被计算以产生要求的几何特征和/或要求的硬度和/或应力特征。
在图5所示实施例中，可在压印工艺之前将硬化层100添加至衬底12的表面。例如，硬化层100可以是有机层，例如玻璃上旋涂(SOG)层或其它。硬化层100可在压印工艺前添加至衬底12的表面。硬化层100的添加改变了衬底12的总体几何特征和硬度特征。衬底12特性的这种改变导致模板18(未示出)和衬底12分离过程中减小的拉应力和/或剪切应力。在示例性实施例中，预定厚度的硬化层100被加至衬底12的表面，计算该厚度以产生要求的几何特征和/或要求的硬度和/或应力特征。几何特征、硬度和/或应力特征的改变可导致具有较少和/或较小压印分离缺陷的更强健的层分离。
例如，图6是两压印衬底的示图；第一衬底602表现出在衬底12上压印而没有硬化层100的结果，而第二衬底604表现出在衬底12上压印并具有在压印前增添的硬化层100的结果。如图6所示，没有硬化层100的常规晶片(衬底602)在区域630和632表现出产生自分离工艺的分离缺陷。然而，具有在压印前增添至衬底12表面的硬化层100的晶片(衬底604)没有表现出任何分离缺陷。
改变作用力的大小
当模板18具有变化的特征密度的面积时，匹配应变表现出唯一的挑战。在示例性实施例中，可改变或控制在分离工艺中施加于衬底12和模板18的力以获得更强健的层分离。
图7A和7B示出根据模板特征密度的模板曲率和其表面的相应剪切应变。相对曲率(由分离角α表示)代表衬底12(未示出)由于与模板18分离过程中的应变引起的挠曲。这里，由于为了在密集特征区722将模板18从衬底12分离相比稀疏特征区720、724需要较大力来克服较大摩擦力(除粘附力外)，因此出现应变和曲率的改变。这里，分离角α在图7A中在稀疏特征区720、724表示为α1而在密集特征结构区722表示为α2。
如图7B所示，随着分离通过特征密度变化进行而改变施加于衬底12和/或模板18的力(图示为F1和F2)可改善强健的层分离。
在另一实施例中，如图8中的曲线图所示，模板18和衬底12之间的分离通常包括两个步骤。在步骤82中，模板18之间的分离力FSEP可增至峰值P。这种增长可能引起压印区域的最初断裂。例如，分离力FSEP的增加可能引起在压印区域的一个或多个角落的最初断裂，从而使模板18和衬底12的分离开始。在步骤84，分离力FSEP可能剧烈地减小。例如，分离力FSEP可在非常短的时间量从最大值减小至零或非常低的值。在一个实施例中，力减小时间接近10ms。
回来参见图4，一个实施例改变作用力以控制分离过程中模板18相对于衬底12的侧向运动，从而减小要不就最小化剪切应力。例如，在分离工艺中，模板18可顺应未分离区440中的特征50。模板18和特征50之间的侧向运动可受模板18和特征50之间的摩擦力的约束。然而，压印头30(图1所示)也可受模板18和特征50之间的摩擦力影响。例如，压印头30可能在压印过程中受到过度约束，这导致在压印头30的一个或多个弹性元件中的一些能量存储。就在模板18和衬底12分离的最后一刻前，模板18和特征50之间的摩擦力可迅速减小至零。压印头30中存储的势能可在这个时间释放，这将导致模板18和衬底12之间的相对xy运动。
图9示出使模板18从衬底12分离同时通过限制侧向位移而最小化剪切应力和拉应力的示例性方法的工艺90(并参见图10)。在步骤92，可通过卡盘28将预定压力施加于模板18。在步骤94，可通过压印头30施加分离力FSEP以开始模板18和布图层(固化层)46的分离。在步骤96中，可监视由压印头30施加的分离力FSEP，使其保持恒定的拉应力。例如，可随着布图层46朝向模板18的中心C分离而监视施加于压印头30的力。在步骤98，卡盘28可减小施加于模板18的预定压力。在步骤100，模板18可从布图层46分离。
使用这种方法，可将接触线60的曲率控制在可聚合材料34和/或布图层46的特性容许的程度，并随后在递减的压力下逐渐减小至零。例如，通过卡盘28施加于模板18的压力可通过分离过程中因模板18的弯曲造成的应力而得到平衡。随着压力减小，这些应力可用来使模板18从布图层46分离。
可主导由卡盘28提供的压力梯度从高压力至低压力(例如从卡盘28内侧向外侧)，并可使之垂直于模板18的布图表面22。由于流体在静态时一般不能支持剪切，因此分离力FSEP可保持基本垂直于布图表面22。如此，在模板18与经布图层46分离的最后时刻可能不需要来自压印头30的z运动。因此，通过控制由压印头30施加的力和由卡盘28施加的压力，可在模板18和布图层46分离过程中控制基于侧向位移的剪切负载。
在替代实施例中，假设卡盘28不需要在模板18和布图层46分离开始前将预定压力施加于模板18，则步骤92认为是可选的。如此，仅在分离的最后时刻可使用局部真空压力使模板18与布图层46分离。使用这种方法，在分离的最后时刻接触线60的运动可以与压印头30的运动无关。例如，可通过模板18和/或衬底12压力或真空跟踪控制来产生垂直分离运动。如此，可能有起因于z分离机构的平移或旋转误差运动的有限剪切缺陷。可通过控制压印头30的位置和/或重新确定衬底12的位置来释放起因于长距分离运动的剪切应变。这可减少分离运动过程中对大量精确度的需求。此外，由于分离最后时刻模板18的挠曲一般被最小化，因此可能由模板18的曲率造成的侧向运动被最小化。
改变作用力的加速度和速度
在另一实施例中，可改变或修改作用力的加速度和/或速度以实现模板18和衬底12的强健的层分离。参见图10，压印头30可将模板18以高的加速度拉离衬底12。由于模板18和衬底12的惯性(其质量以及接触面积周围的空气惯性)，加速过程中的动态模板18和衬底12应变将比恒速过程中更高。惯性效应将导致在加速过程中模板18和衬底12中存储额外的应变能，这类似于在相同条件下将能量存储在弹簧中。当系统达到恒定牵引速度时，该“弹簧”能量被转化为动能。
在高加速度下增大的应变可能造成额外的法向力，导致附加摩擦。尽管这种稳态动摩擦具有很弱的速度相关性，然而从静摩擦力向动摩擦力的过渡被表述为雪崩式过程，对于过渡速率很敏感。所建立的动摩擦力一般小于静摩擦力。换句话说，在短时间内，所产生的摩擦系数可能增大。另外快速移动模板18(从静止姿态过渡至运动)的尝试可增大静摩擦系数(所谓的限值)。这是因为并非模板18和布图层46彼此附连的所有接触点都在同一时间分离，由此导致需要额外的分离能。例如，这可能发生在相互交叉或互锁的特征结构沿略倾斜方向分离的过程中。该额外分离能可能导致布图损坏、破裂的特征结构、拔起以及线压溃。
由于较高加速的操作下存在增大的摩擦力(和增大的约束)，因此模板18和衬底12中的应变可望在以恒速或较低加速度操作的分离工艺下减小。为使压印缺陷的数量减至最小，可以允许在分离过程中最小化摩擦力的方式调整、修改或改变分离速度。在一个实施例中，作出分离速度改变并同时通过变化特征密度的布图区来传播模板18和衬底12的分离。例如，当从具有密集特征图案的区域过渡至具有较不密集特征图案的区域时，断裂(分离)的传播速度可能猝然改变。反之亦然。在前一种情形下，额外的弹性能量被释放，由此导致断裂速度(分离速度)的猝然加速。具有猝然加速瞬间的过渡区更容易产生压印缺陷。
最小化过渡区问题的一种方法是减慢模板18和衬底12的分离。例如，如果分离一般花费10-100ms来完成，则减慢分离可包括调整工艺参数以使分离花费两倍时间来完成，即20-200ms。可通过监视作用于模板18的分离力并蓄意减小该作用力来控制分离速度。因此，在一个实施例中，分离减慢至用户确定的速率，由此减小或防止模板18和/或衬底12的表面弯曲和/或弹性能储存。在另一实施例中，控制分离速度，在断裂移动通过特征图案边界的同时保持稳定分离速度。
监视和反馈
参见图10，可通过分析接触线60的运动和/或峰值P分离力FSEP的检测来监视和/或跟踪模板18和衬底12的分离。例如，可通过成像系统66捕捉接触线60的运动(例如曲率和长度)。成像系统66可以是能够提供布图层46的宏观和/或微观视图的任何系统。成像系统66的一些示例可包括网络摄像机、视频相机(磁带式、盘式或数字式)、胶卷相机(静止或运动)、超光谱成像系统(光谱干涉计)或其它。成像系统66能提供静止图像和/或运动图像以分析起因于布图层46的预期问题。成像系统66也能存储和回忆静止图像和/或运动图像或将其经由通信系统传输。
在一个实施例中，跟踪布图层46上的分离接触线60提供力的大小或速度/加速度的反馈以在给定时间施加。例如，可向用户和/或自动化系统提供相对于作用的分离力FSEP的反馈控制环。接收该反馈的自动化系统可自动调整各个作用力，包括真空度、压力、拉力的大小、速度和加速度及其它。另外，接收该反馈的自动化系统可对压印系统的物理要素作出调整，包括翘曲度、配准度、旋转、角度及其它多个要素。对作用力和物理要素的这种控制可提高布图层46中的强健的层分离。
图11示出通过使用反馈以控制在一时间段作用的分离力来改善强健的层分离的示例性方法110的流程图。在步骤112，可施加分离力以开始模板18和衬底12之间的分离。例如，压印头30可将分离力FSEP施加于模板18以使模板18与布图层46分离。这种分离力的施加可造成模板18和布图层46之间的最初断裂。
在步骤114，可监视和/或跟踪接触线60的运动(例如曲率和长度)和/或分离力的峰值P以分析起因于布图层46的预期问题。监视和跟踪可通过各种成像系统66来实现。
在步骤116，可基于从监视和/或跟踪采集的数据来分析衬底和/或模板的应变特性。然后可基于监视和/或跟踪和所执行的分析来提供反馈。
在步骤118，可使用来自接触线60和/或峰值P的跟踪的反馈来调整、修改或改变所作用的分离力。在一个示例中，可监视接触线60的曲率量。如果该曲率达到预定程度或具有暗示缺陷发生概率的预定特征，则可减小、增大各分离力，或对分离力的速度、加速度、作用方向等作出改变。在示例性实施例中，调整、修改或改变可自动地执行。
在步骤120中，可存储对于模板18和布图层46之间的分离的反馈信息结果并将其用来形成系统10中未来使用和应用的算法。
傀儡填充图案
如之前描述的那样，在分离过程中从密集布图区至稀疏布图区的过渡代表一个考虑因素。已观察到由于剪切和粘附失效造成的特征损坏主要集中在过渡区，在那里由于特征密度变化引起的分离速度改变可能导致施加于细小特征的应力变化。
在许多情形下，可将所谓的“傀儡图案”引入集成电路(IC)制造中以平衡蚀刻负载和改善化学机械抛光(CMP)。傀儡图案是包含在模板18上的外来填充图案，并设置在模板18上的关键或相关特征图案的区域周围。傀儡图案的使用可通过用外来图案填充较低密度特征区以减小或消除较高密度特征区和较低密度特征区之间的过渡发生来很大程度地改善强健的层分离。为了减少压印工艺中的缺陷，傀儡图案布局应当考虑与感兴趣的关键密集特征的接近性、使在分离过程中可能经历的弹性能跳变减至最小所需的尺寸和形状以及与关键布图区的特征图案紧密匹配的填充因数。另外，要求选择傀儡图案的取向和/或对称性以匹配关键密集区域内经历的机械应力。在器件功能设计的约束中，傀儡图案可尽可能地靠近相关稠密图案的区域设置。在一个实施例中，间隔只是几百纳米。
图12示出各种傀儡填充的选择。如图所示，可考虑多种傀儡图案，例如可采用方块、栅条、间断栅条、交错矩形、双向矩形及其它。傀儡图案的填充因数或图案密度可将匹配的图案考虑在内。在示例性一般规则中，可实现50％傀儡图案填充。
在一个实施例中，可通过改变模板18的图案密度来减小最初分离力。这可采用作为模板18的台面20部分的锯齿形或波形图案来达成。一般来说，台面20沿界面60的绝大部分周界基本垂直于分离方向。由于沿周界的应变在各个位置基本相等，这种取向导致为使分离开始需要较大的总作用力。
在一个实施例中，锯齿形或波形台面(具有类似于邮票或刀片上的许多小锯齿)用来帮助模板18和衬底12的最初分离。使用锯齿形或波形图案作为模板18的台面20部分上的傀儡填充可通过使应力沿小锯齿集中而允许使用较低的分离力开始分离。较小最初分离力的使用有益于通过如上所述减小分离工艺中施加的峰值力P并通过对整个分离工艺中施加的力提供更多的控制来改善强健的层分离。
卡盘销去除
在另一实施例中，可修改或改变卡盘28装置以改善强健的层分离。刚性模板18可视为具有多个支承件的梁。当力作用于模板18时支承件不改变，因此模板18的应变基本与作用的分离力保持线性关系。相反，在分离工艺中施加作用力的过程中，衬底12与各销作出接触和中断接触。此外，在其上施加真空的衬底12的下方“自由跨距”区随着作用力而改变；因此，衬底12应变将基本与作用力成线性关系。
如果使用无销晶片卡盘，衬底12的应变可更具线性。将销从卡盘28去除形成对作用力具有更好线性反应的区域。在一个实施例中，在关键应力区将多个预定卡盘销从卡盘28去除。在一个实施例中，预定的卡盘销是沿衬底12位于应变相对于衬底12的应力具有最大非线性相关性的位置的那些销。在又一实施例中，预定卡盘销是在分离过程中处于衬底12和模板18之间最后几个接触点区域的销。例如，可通过去除在压印中央区和/或接近衬底12和模板18之间最末接触点附近的卡盘销来减小非线性应变-应力相关性。更具线性的分离增加了强健的层分离，并可最小化分离时产生缺陷的可能性。

Claims (20)

1.一种对衬底布图的方法，包括：
使所述衬底的应变特性与模板匹配，所述匹配包括顺应、调节、适配、改型、配合、调整以使应变特性适度地相等或等效，所述模板具有第一凸凹图案；
将与所述模板上的第一凸凹图案对应的第二凸凹图案转印至所述衬底，所述转印包括在所述衬底和模板之间的可塑液体中形成第二凸凹图案，所述第二凸凹图案对应于所述模板上的第一凸凹图案，所述可塑液体形成沉积在所述衬底上的固化层；以及
将所述模板从所述固化层分离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底是压印光刻衬底，并且所述匹配包括使所述衬底的硬度顺应于所述模板的硬度。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述匹配包括使所述衬底的厚度顺应于所述模板的厚度。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括在所述模板和所述衬底之间涂覆过剩的可塑液体，所述过剩的可塑液体形成残留层，所述残留层是所述固化层的一部分并位于所述固化层的下部，紧邻于所述衬底，
其中所述匹配包括通过改变所述残留层的厚度来匹配应变特性。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述匹配包括通过将所述残留层的厚度增加一预定量而匹配所述应变特性。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括在转印前对所述衬底的表面施加预定厚度的硬化层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硬化层是玻璃上旋涂(SOG)层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分离包括在所述模板从所述固化层分离的同时修改作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的力。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述修改包括改变作用于所述衬底的压力和/或真空力，以在所述模板从所述固化层分离的同时使所述衬底的应变特性保持恒定。
10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述修改包括基于所述第一凸凹图案的特征密度来改变作用于所述模板和/或衬底中的至少一个的压力和/或真空力。
11.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述修改包括：
将作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的压力和/或真空力增加至预定峰值量级；以及
当检测到最初分离时，将作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的压力和/或真空力减小至预定的最小量级。
12.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述修改包括修改作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的力以使所述模板与所述固化层的分离以预定加速度率发生。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述修改包括修改作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的力以使所述模板与所述固化层的分离以恒速发生。
14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述修改包括：
将预定压力作用于所述模板；
作用一分离力，所述分离力配置成使所述模板与所述固化层的分离开始，所述分离力保持恒定并垂直于所述固化层；以及
减小施加于所述模板的预定压力。
15.如权利要求8、9、14中任何一项所述的方法，其特征在于，所述修改包括：
作用一分离力，所述分离力配置成使所述模板与所述固化层的分离开始，所述分离力保持恒定并垂直于所述固化层；以及
一旦分离已开始，则将真空施加于所述模板和/或所述衬底中的至少一个。
16.如权利要求1、2、8、9、14中任何一项所述的方法，其特征在于，所述分离包括：
在所述模板与所述固化层分离的同时监视作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的力；
分析所述衬底的应变特性；
基于所述分析提供反馈；
基于所接收到的反馈自动调整作用于所述模板和/或所述衬底中的至少一个的力。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述监视是通过配置成获得处于各个离散波长的实时图像的超光谱成像系统来实现的。
18.一种对衬底布图的方法，包括：
使所述衬底的应变特性匹配于模板，所述模板具有第一凸凹图案，其中所述第一凸凹图案包括位于在所述模板上的关键或相关特征图案的区域周围的外来填充图案；
将与所述模板上的第一凸凹图案对应的第二凸凹图案转印至衬底，所述转印包括在所述衬底和模板之间的可塑液体中形成对应于所述模板上的第一凸凹图案的第二凸凹图案，所述可塑液体形成沉积在所述衬底上的固化层；以及
将所述模板从所述固化层分离。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述外来填充图案包括配置成使所述模板开始与所述固化层分离的锯齿。
20.一种对衬底布图的方法，包括：
使所述衬底的应变特性匹配于模板，所述模板具有第一凸凹图案；
将与所述模板上的第一凸凹图案对应的第二凸凹图案转印至所述衬底，所述转印包括在所述衬底和模板之间的可塑液体中形成对应于所述模板上的第一凸凹图案的第二凸凹图案，所述可塑液体形成沉积在所述衬底上的固化层；以及
从衬底卡盘去除多个预定的卡盘销，其中所述多个预定卡盘销位于具有应变相对于衬底应力的最大非线性相关性的位置；以及
将所述模板从所述固化层分离。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU6404596A (en) 1995-06-30 1997-02-05 Boston Scientific Corporation Ultrasound imaging catheter with a cutting element
US8652393B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Molecular Imprints, Inc. Strain and kinetics control during separation phase of imprint process
JP4792096B2 (ja) * 2009-03-19 2011-10-12 株式会社東芝 テンプレートパターンの設計方法、テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法。
JP4940262B2 (ja) * 2009-03-25 2012-05-30 株式会社東芝 インプリントパターン形成方法
JP5499668B2 (ja) * 2009-12-03 2014-05-21 大日本印刷株式会社 インプリント用モールドおよび該モールドを用いたパターン形成方法
TWI576229B (zh) 2010-04-27 2017-04-01 分子壓模公司 奈米壓印之安全分離技術
JP5750992B2 (ja) * 2011-04-27 2015-07-22 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置
JP5875250B2 (ja) * 2011-04-28 2016-03-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
JP5747670B2 (ja) * 2011-06-10 2015-07-15 大日本印刷株式会社 成形部材およびその製造方法
JP6004738B2 (ja) * 2011-09-07 2016-10-12 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP5535162B2 (ja) * 2011-09-21 2014-07-02 株式会社東芝 パターン形成装置、パターン形成方法及びパターン形成用プログラム
JP2013069920A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp 成膜方法およびパターン形成方法
JP6140966B2 (ja) * 2011-10-14 2017-06-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2014033050A (ja) * 2012-08-02 2014-02-20 Toshiba Corp インプリントシステム及びインプリント方法
US20140239529A1 (en) * 2012-09-28 2014-08-28 Nanonex Corporation System and Methods For Nano-Scale Manufacturing
JP6060796B2 (ja) * 2013-04-22 2017-01-18 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びダミーパターン設計方法
CN103529644A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 无锡英普林纳米科技有限公司 一种纳米压印机
CN106462054B (zh) * 2014-03-31 2020-07-07 皇家飞利浦有限公司 压印方法、用于压印方法的计算机程序产品和装置
JP6472189B2 (ja) * 2014-08-14 2019-02-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6774178B2 (ja) * 2015-11-16 2020-10-21 キヤノン株式会社 基板を処理する装置、及び物品の製造方法
JP6335948B2 (ja) * 2016-02-12 2018-05-30 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
TWI672212B (zh) * 2016-08-25 2019-09-21 國立成功大學 奈米壓印組合體及其壓印方法
US10627715B2 (en) * 2016-10-31 2020-04-21 Canon Kabushiki Kaisha Method for separating a nanoimprint template from a substrate
JP6762853B2 (ja) 2016-11-11 2020-09-30 キヤノン株式会社 装置、方法、及び物品製造方法
US11442359B2 (en) 2019-03-11 2022-09-13 Canon Kabushiki Kaisha Method of separating a template from a shaped film on a substrate
JP7284639B2 (ja) * 2019-06-07 2023-05-31 キヤノン株式会社 成形装置、および物品製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020036183A1 (en) * 2000-09-27 2002-03-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for forming pattern
CN1350659A (zh) * 1999-05-12 2002-05-22 薄膜电子有限公司 聚合物薄膜图案成形方法及其应用
EP1696471A1 (en) * 2003-12-11 2006-08-30 Tokyo University of Agriculture and Technology TLO Co., Ltd. Pattern-forming process utilizing nanoimprint and apparatus for performing such process
JP2007168422A (ja) * 2005-11-22 2007-07-05 Konica Minolta Holdings Inc インプリント装置及びインプリント方法
CN101142743A (zh) * 2005-01-31 2008-03-12 分子制模股份有限公司 用于毫微制造业的夹具系统

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
SE515607C2 (sv) 1999-12-10 2001-09-10 Obducat Ab Anordning och metod vid tillverkning av strukturer
JP2003017390A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp パターン形成方法及びパターン形成に用いるマスク
DE20122197U1 (de) 2001-06-30 2004-12-02 Zf Friedrichshafen Ag Schaltelement-Baugruppe für ein Getriebe
US20050064344A1 (en) 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
JP3556647B2 (ja) 2001-08-21 2004-08-18 沖電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
US20080160129A1 (en) 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US7179079B2 (en) 2002-07-08 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Conforming template for patterning liquids disposed on substrates
US7442336B2 (en) 2003-08-21 2008-10-28 Molecular Imprints, Inc. Capillary imprinting technique
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US6980282B2 (en) 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
US7641840B2 (en) 2002-11-13 2010-01-05 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
ATE549743T1 (de) * 2002-11-13 2012-03-15 Molecular Imprints Inc Ein lithographiesystem mit einem halterungssystem
US20040168613A1 (en) 2003-02-27 2004-09-02 Molecular Imprints, Inc. Composition and method to form a release layer
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US6943117B2 (en) 2003-03-27 2005-09-13 Korea Institute Of Machinery & Materials UV nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7150622B2 (en) 2003-07-09 2006-12-19 Molecular Imprints, Inc. Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes
JP2005085922A (ja) * 2003-09-08 2005-03-31 Canon Inc マスク作製方法及び微小開口を有するマスク
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
EP1594001B1 (en) 2004-05-07 2015-12-30 Obducat AB Device and method for imprint lithography
JP2008501244A (ja) 2004-05-28 2008-01-17 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 基板支持システム及び方法
US7504268B2 (en) 2004-05-28 2009-03-17 Board Of Regents, The University Of Texas System Adaptive shape substrate support method
US7768624B2 (en) 2004-06-03 2010-08-03 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for obtaining force combinations for template deformation using nullspace and methods optimization techniques
US20050270516A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Molecular Imprints, Inc. System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing
US20060081557A1 (en) 2004-10-18 2006-04-20 Molecular Imprints, Inc. Low-k dielectric functional imprinting materials
US7363854B2 (en) 2004-12-16 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography
US20060145398A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Board Of Regents, The University Of Texas System Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks
US7349076B2 (en) * 2005-01-14 2008-03-25 The Institute For Technology Development Video tracking-based real-time hyperspectral data acquisition
US7636999B2 (en) 2005-01-31 2009-12-29 Molecular Imprints, Inc. Method of retaining a substrate to a wafer chuck
US7635263B2 (en) * 2005-01-31 2009-12-22 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US7922474B2 (en) 2005-02-17 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2006245072A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Canon Inc パターン転写用モールドおよび転写装置
US7762186B2 (en) 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070035717A1 (en) 2005-08-12 2007-02-15 Wei Wu Contact lithography apparatus, system and method
JP2007081048A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Canon Inc ナノインプリント用型、装置および方法
JP2007083626A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Ricoh Co Ltd 微細構造転写装置
JP4533358B2 (ja) 2005-10-18 2010-09-01 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびチップの製造方法
US7803308B2 (en) 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
WO2007067488A2 (en) 2005-12-08 2007-06-14 Molecular Imprints, Inc. Method and system for double-sided patterning of substrates
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
WO2007126767A2 (en) * 2006-04-03 2007-11-08 Molecular Imprints, Inc. Chucking system comprising an array of fluid chambers
US20070231422A1 (en) 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. System to vary dimensions of a thin template
US20070238815A1 (en) 2006-04-11 2007-10-11 Lai On Products Industrial, Ltd. Sponge-like sculpturing compound
WO2007136832A2 (en) 2006-05-18 2007-11-29 Molecular Imprints, Inc. Method for expelling gas positioned between a substrate and a mold
JP4810319B2 (ja) 2006-06-09 2011-11-09 キヤノン株式会社 加工装置及びデバイス製造方法
JP4939134B2 (ja) 2006-07-07 2012-05-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ インプリント装置およびインプリント方法
JP4999069B2 (ja) * 2007-01-23 2012-08-15 株式会社日立製作所 ナノインプリント用スタンパ、ナノインプリント用スタンパの製造方法、およびナノインプリント用スタンパの表面処理剤
JP5062521B2 (ja) 2007-02-27 2012-10-31 独立行政法人理化学研究所 レプリカモールドの製造方法およびレプリカモールド
US9778562B2 (en) 2007-11-21 2017-10-03 Canon Nanotechnologies, Inc. Porous template and imprinting stack for nano-imprint lithography
US8075299B2 (en) 2008-10-21 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Reduction of stress during template separation
US8652393B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Molecular Imprints, Inc. Strain and kinetics control during separation phase of imprint process
US8309008B2 (en) 2008-10-30 2012-11-13 Molecular Imprints, Inc. Separation in an imprint lithography process
JP4940262B2 (ja) * 2009-03-25 2012-05-30 株式会社東芝 インプリントパターン形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1350659A (zh) * 1999-05-12 2002-05-22 薄膜电子有限公司 聚合物薄膜图案成形方法及其应用
US20020036183A1 (en) * 2000-09-27 2002-03-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for forming pattern
EP1696471A1 (en) * 2003-12-11 2006-08-30 Tokyo University of Agriculture and Technology TLO Co., Ltd. Pattern-forming process utilizing nanoimprint and apparatus for performing such process
CN101142743A (zh) * 2005-01-31 2008-03-12 分子制模股份有限公司 用于毫微制造业的夹具系统
JP2007168422A (ja) * 2005-11-22 2007-07-05 Konica Minolta Holdings Inc インプリント装置及びインプリント方法

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