CN102137906A - 两面粘接膜和使用了该两面粘接膜的电子部件模块 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种两面粘接膜,其具备支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层,所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下,所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层:将清漆直接涂布于所述支持膜,将涂布的清漆干燥。
Description
技术领域
本发明涉及两面粘接膜和使用了该两面粘接膜的电子部件模块。
背景技术
近年来,在半导体封装的领域中,如专利文献1、2等中所示,在1个封装内搭载2个以上相同或不同的半导体元件的情形在增加。例如,如SIP(System In Package)那样具有在同一平面上搭载的2种以上的半导体元件的封装的情况下,为了更高密度地搭载,有必要使元件间的距离尽可能接近。2个以上的半导体元件之间聚合而层叠的情况下,使粘接膜的厚度保持一定是重要的。此外,在传感器元件、MEMS元件的在基板的搭载中,有时元件的搭载位置本身重要,有时位于同一元件内的不同位置的功能部位间的距离、搭载高度的差异重要。此外,还有时相邻的元件间的距离、搭载高度的差异重要。例如,将2个以上的图像传感器元件在同一平面上搭载的情况下,抑制相邻元件间的距离或元件间的搭载高度的偏差是重要的。此外,在LED打印机头用途中,有必要以等间隔排列无数的LED。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-307055号公报
专利文献2:日本特开2007-277522号公报
专利文献3:日本特开2006-282973号公报
专利文献4:日本特开2003-060127号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,为了将元件粘接于基板所使用的以往的粘接膜,具有与加热相伴的变形大的问题,在这点上要求进一步改善。
例如,采用包含将粘接膜压接于一方的被粘接体(基板或元件)后,压接另一方的被粘接体(基板或元件)的工序的方法将元件粘接于基板的情况下,将粘接膜压接于一方的被粘接体时,有必要在粘接膜的固化后的玻璃化转变温度(Tg)以上的温度下外加足够的压力,但由于这样的高温的加热,与被粘接体没有接触的一侧,即与用于压接的夹具接触的一侧的粘接膜表面因热和压力而变形,有时在表面形成微细的凹凸。如果压接另一方的被粘接体以前在粘接膜的表面形成微细的凹凸,则不仅另一方的被粘接体的高精度的粘接变得困难,而且还有可能成为粘接强度降低的原因。
此外,在被粘接体的压接后进行的粘接膜的固化、引线接合、密封等伴有加热的工序中,粘接膜有时产生热膨胀、热收缩、固化收缩、与粘接膜中的挥发成分和吸湿水分的挥发相伴的膨胀等变形。如果该变形大,则产生搭载的元件的位置偏离的问题。特别地,在基板上形成的连续的粘接膜的同一面上粘接2个以上的元件的情况下,由于加热,元件间的距离、高度会变化。
此外,还有用粘接膜将基板与元件粘接时产生翘曲的问题。该翘曲也有可能成为同一元件内的功能部位间、元件间的距离和高度的变化的原因。
因此,本发明的目的在于提供加热时的变形和翘曲得到了充分抑制的两面粘接膜。
用于解决课题的手段
即,本发明的第1方面的两面粘接膜是如下的两面粘接膜,其具有支持膜、层叠于该支持膜的一面的第一粘接剂层和层叠于该支持膜的另一面的第二粘接剂层,第一粘接剂层和第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下,第一粘接剂层和第二粘接剂层是能够采用包含将清漆直接涂布于支持膜并将涂布的清漆干燥的工序的方法形成的层。
根据上述两面粘接膜,加热时的变形和翘曲得到充分抑制。通过使第一粘接剂层和第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度(Tg)为100℃以下,能够在更低温下进行将基板和元件压接的工序。通过在低温下进行压接,基板与元件的线膨胀系数差的影响变小,结果能够抑制翘曲。
此外,上述这样的由至少3层构成的本发明的两面粘接膜,用于半导体元件等元件与基板的粘接时,即使在高温下加热后和溶剂浸渍后,也能够维持足够的粘接力。此外,上述两面粘接膜通过使用了支持膜,在热应力的减小和粘接膜的加工性的兼具方面,能够实现更高的水平。
上述两面粘接膜中,优选第一粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度比第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度高10℃以上。由此能够抑制压接时的热引起的粘接膜的变形。例如,在最初将粘接膜的第二粘接剂层侧压接于元件或基板的工序中,由于第一粘接剂层的固化后的Tg比第二粘接剂层的固化后的Tg高,换言之,使第一粘接剂层变形和粘接所需的温度比使第二粘接剂层变形和粘接所需的温度高,因此能够在第一粘接剂层的变形不易发生的温度下将第二粘接剂层压接。其结果能够抑制第一粘接剂层的变形。
第一粘接剂层和第二粘接剂层的流动量优选为0~2000μm。如果流动量超过2000μm,与开孔、冲压等有关的两面粘接膜的加工性降低。需要说明的是,流动量是热压接时的粘接剂层的熔融流动性的指标,关于其测定方法,如后所述。
第一粘接剂层和/或第二粘接剂层优选含有热塑性树脂和热固化性树脂,更优选含有填料。
上述热塑性树脂优选包含聚酰亚胺树脂,热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为100℃以下。
上述支持膜优选具有100ppm以下的线膨胀系数。通过使支持膜的线膨胀系数为100ppm以下,换言之,通过使用加热时的特性变化小的材料作为支持膜,能够抑制将元件搭载于基板后的粘接膜的固化工序、引线接合工序、密封工序等加热工序中的粘接膜自身的收缩和膨胀。其结果是,搭载的元件的位置在这些加热工序时,偏离得到抑制。作为构成半导体元件、MEMS元件的材料的硅(Si)的线膨胀系数为几ppm,一般的基板,例如玻璃环氧基板、BT基板等线膨胀系数为几十ppm。另一方面,以往的粘接膜的线膨胀系数一般为几百ppm,难以减小由基板与元件的线膨胀系数差或者基板和元件与粘接膜的线膨胀系数差产生的翘曲。如果产生翘曲,元件间的距离、元件的搭载高度有可能变化。通过使支持膜的线膨胀系数为100ppm以下,能够有效地减小翘曲。
上述支持膜优选具有100℃以上的玻璃化转变温度。由此能够抑制粘接膜的压接温度下支持膜变形。
上述两面粘接膜优选具有在第一粘接剂层和第二粘接剂层各自的与支持膜相反的一侧的面层叠的覆盖膜。这样的两面粘接膜可用于将半导体元件和/或MEMS元件与基板粘接。
上述两面粘接膜在采用包括对两面粘接膜进行开孔加工的工序、以及从进行了开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜除去的工序的方法,用来将半导体元件和/或MEMS元件与基板粘接的情况下特别有用。这种情况下,优选从进行了开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜与通过开孔加工产生的异物一起除去。
采用包括上述的开孔加工的工序的方法将元件粘接的情况下,通过使用本发明的两面粘接膜,由与开孔加工相伴产生的毛刺等异物造成的粘接强度降低、可靠性降低等不利情况得到充分抑制。例如,通过将与开孔加工相伴产生的异物压接于一方的被粘接体前,将覆盖膜剥离而将异物除去,进而在将另一方的被粘接体加热压接前将另一方的覆盖膜剥离而将异物除去,能够防止由异物造成的不利情况。
本发明的第2方面的两面粘接膜是如下的两面粘接膜,其具有支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层,第一粘接剂层和第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下,第一粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度比第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度高10℃以上,支持膜具有100ppm以下的线膨胀系数。
根据上述两面粘接膜,加热时的变形和翘曲得到充分抑制。通过使第一粘接剂层的固化后的Tg比第二粘接剂层的固化后的Tg高10℃以上,能够抑制压接时的热产生的粘接膜的变形。例如,在最初将粘接膜的第二粘接剂层侧压接于元件或基板的工序中,由于第一粘接剂层的固化后的Tg比第二粘接剂层的固化后的Tg高,换言之,使第一粘接剂层变形和粘接所需的温度比使第二粘接剂层变形和粘接所需的温度高,因此能够在第一粘接剂层的变形不易发生的温度下将第二粘接剂层压接。其结果能够抑制第一粘接剂层的变形。
此外,通过使支持膜的线膨胀系数为100ppm以下,换言之,通过使用加热时的特性变化小的材料作为支持膜,能够抑制将元件搭载于基板后的粘接膜的固化工序、引线接合工序、密封工序等加热工序中的粘接膜自身的收缩和膨胀。其结果是搭载的元件的位置在这些加热工序时偏离得到抑制。
进而,通过使第一粘接剂层和第二粘接剂层的固化后的Tg为100℃以下,能够在更低温下进行将基板与元件压接的工序。通过在低温下进行压接,基板与元件的线膨胀系数差的影响变小,结果能够抑制翘曲。
上述第一粘接剂层和/或第二粘接剂层优选含有热塑性树脂、热固化性树脂和填料。
本发明的第3方面的两面粘接膜是如下的两面粘接膜,其具有支持膜、在该支持膜的两面分别层叠的粘接剂层,粘接剂层是能够采用包含将清漆直接涂布于支持膜,将涂布的清漆干燥的工序的方法形成的层,粘接剂层的流动量为0~2000μm,固化后的粘接剂层具有100℃以下的玻璃化转变温度。
上述的由至少3层构成的两面粘接膜,用于半导体元件等元件与基板的粘接时,即使在高温下加热后和溶剂浸渍后也能够维持足够的粘接力。
上述支持膜优选具有100℃以上的玻璃化转变温度和100ppm以下的线膨胀系数。
上述粘接剂层优选含有聚酰亚胺树脂和热固化性树脂。
本发明的第4方面的两面粘接膜是具有支持膜、在该支持膜的两面分别层叠的粘接剂层、及在各个该粘接剂层的与支持膜相反的一侧的面层叠的覆盖膜的两面粘接膜。第4方面的两面粘接膜可用于将半导体元件和/或MEMS元件与基板粘接。
上述两面粘接膜,在采用包括对两面粘接膜进行开孔加工的工序、及从进行了开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜除去的工序的方法,用于将半导体元件和/或MEMS元件与基板粘接的情况下特别有用。这种情况下,优选从进行了开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜与通过开孔加工产生的异物一起除去。
采用包括上述的开孔加工的工序的方法将元件粘接的情况下,通过使用第4方面的两面粘接膜,由于与开孔加工相伴产生的毛刺等异物造成的粘接强度降低、可靠性降低等不利情况得到充分抑制。例如,通过将与开孔加工相伴产生的异物压接于一方的被粘接体前,将覆盖膜剥离而将异物除去,进而在将另一方的被粘接体加热压接前将另一方的覆盖膜剥离而将异物除去,能够防止因异物造成的不利情况。
上述两面粘接膜中,由于上述的理由,优选支持膜具有100ppm以下的线膨胀系数,固化后的粘接剂层具有小于100℃的玻璃化转变温度。
上述支持膜优选为选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
各个上述粘接剂层优选具有彼此相同的组成。此外,各个上述粘接剂层优选含有具有100℃以下的玻璃化转变温度的热塑性树脂、热固化性树脂和填料。
本发明的第1~第3方面的两面粘接膜中的上述支持膜,优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚酰胺酰亚胺、聚醚砜、全芳香族聚酯和液晶聚合物中的聚合物的膜,更优选是选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯和液晶聚合物中的聚合物的膜,进一步优选是选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
此外,本发明涉及一种电子部件模块,其具有基板、搭载于该基板的选自半导体元件和MEMS元件中的多个元件、以及存在于基板和元件之间的粘接层,粘接层由本发明的两面粘接膜(具有覆盖膜的情况下,是将覆盖膜除去的第一方面的两面粘接膜)形成。
本发明的电子部件模块,通过使用本发明的两面粘接膜将元件搭载于基板,能够实现高性能且高可靠性。
发明的效果
根据本发明的两面粘接膜,加热时的变形和翘曲得到充分抑制。进而,本发明的两面粘接膜作为半导体封装和MEMS模块这样的电子部件模块用的粘接剂,具有足够的粘接强度。
通过在半导体封装、MEMS模块中使用本发明的两面粘接膜,能够以高的位置精度、高密度且足够的粘接强度搭载半导体元件或MEMS元件。因此,能够以高性能获得高可靠性的半导体封装、MEMS模块。
本发明涉及的两面粘接膜,作为用于将多个元件与基板粘接的粘接膜使用时,能够抑制与开孔等加工相伴产生的异物的影响,同时抑制加热引起的变形。
附图说明
图1是表示本发明的两面粘接膜的一个实施方式的截面图。
图2是表示本发明的电子部件模块的一个实施方式的截面图。
图3是表示采用LED打印机头的曝光的一个实施方式的示意图。
图4是表示采用LED打印机头的曝光的一个实施方式的示意图。
图5是表示采用LED打印机头的曝光的一个实施方式的示意图。
图6是表示粘接剂层的流动量的测定方法的平面图。
图7是表示粘接剂层的流动量的测定方法的平面图。
图8是表示剥离强度的测定方法的示意图。
图9是示意地表示粘接剂层的凝聚破坏的状态的截面图。
图10是示意地表示粘接剂层/支持膜的界面破坏的状态的截面图。
具体实施方式
以下根据需要边参照附图边对用于实施本发明的方式详细说明。然而,本发明并不受以下的实施方式限定。需要说明的是,附图中对相同要素标注相同符号,省略重复说明。此外,附图的尺寸比率并不受图示的比率限制。本说明书中的“(甲基)丙烯酸”意味着“丙烯酸”和与其对应的“甲基丙烯酸”。
图1是表示本发明的两面粘接膜的一实施方式的截面图。图1所示的两面粘接膜100是具有支持膜10、在支持膜10的一面上形成的第一粘接剂层21、在支持膜10的与第一粘接剂层21相反的一侧的面上形成的第二粘接剂层22、在第一粘接剂层21和第二粘接剂层22各自的与支持膜10相反的一侧的面层叠的覆盖膜31和32的5层结构的层叠体。需要说明的是,本发明的两面粘接膜可以不具有覆盖膜31,而且也可以不具有覆盖膜32。
第一粘接剂层21和第二粘接剂层22通过加热会固化。这些粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度(Tg)优选为100℃以下。通过使这些粘接剂层的固化后的Tg为100℃以下,由基板与元件的线膨胀系数差产生的翘曲得以减小。此外,如果粘接剂层21和22的固化后的Tg低,则能够使热压接时的温度低。其结果是,能够避免将热过量地施加于粘接膜,能够更显著地抑制粘接膜的变形。
优选第一粘接剂层21的固化后的玻璃化转变温度比第二粘接剂层22的固化后的玻璃化转变温度高10℃以上。由此,将元件搭载于基板时的变形被抑制的效果得以显著显现。
粘接剂层21和22的流动量优选为0~2000μm。流动量是热压接时的粘接剂层的熔融流动性的指标。如果流动量超过2000μm,与开孔、冲压等有关的两面粘接膜的加工性降低。
图6和7是表示粘接剂层的流动量的测定方法的平面图。粘接剂层的流动量采用以下的方法测定。
(1)从两面粘接膜切出具有2mm×10mm的尺寸的试验片。
(2)将试验片夹在图6所示的42合金引线框80与4mm×4mm的玻璃片90之间。
(3)边加热到140℃边以50N将玻璃片90压接90秒。
(4)测定压接前后的两面粘接膜(粘接层1a)的最大宽度,将它们之差记为流动量。即,将压接前的粘接层1a的最大宽度记为(a),将压接后的粘接层1a的最大宽度记为(b),流动量由下式求出(参照图6和图7)。
式 流动量(μm)=(b)-(a)
第一粘接剂层21和第二粘接剂层22通过将例如以下详细说明的成分适当组合而构成,从而容易实现上述的Tg和流动量。
粘接剂层21和22,分别含有例如热塑性树脂和热固化性树脂。
构成粘接剂层的热塑性树脂的Tg优选为100℃以下,更优选为小于90℃,进一步优选为小于80℃。通过使用Tg低的热塑性树脂,能够容易形成具有低Tg的粘接剂层。热塑性树脂可以是选自丙烯酸系树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚醚酮树脂、聚芳酯、聚醚酮和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少1种。这些中,热塑性树脂优选包含聚酰亚胺树脂。
为了进一步提高作为粘接膜的粘接性和耐热性,聚酰亚胺树脂的采用GPC(Gel Permeation Chromatography)测定的重均分子量优选为10000~500000,更优选20000~300000,进一步优选为30000~200000,特别优选为50000~100000。如果分子量小于10000,存在两面粘接膜的强度降低的倾向。另一方面,如果分子量超过500000,存在产生对于一般的溶液聚合法而言反应时间延长,聚酰亚胺树脂的再溶解变得困难,聚酰亚胺树脂溶液的粘度升高而处理变得困难的问题的倾向。这些平均分子量是例如采用凝胶渗透色谱测定的、标准聚苯乙烯换算的重均分子量。
构成粘接剂层的聚酰亚胺树脂的化学结构并无特别限定,但为了使固化后的粘接剂层的Tg为100℃以下,聚酰亚胺树脂优选包含选自亚烷基、氧化烯和硅氧烷中的主链骨架。
粘接剂层21和22优选含有下述通式(I)所示的聚酰亚胺树脂。
[化1]
式(I)中,R1各自独立地表示2价的有机基,m为8~40的整数,m个R1中-CH2-、-CHR-或-CR2-(其中,R表示碳数1~5的非环状烷基。)的个数为k个,k/m≥0.85,R2表示四羧酸二酐的残基,n表示1以上的整数。
优选为k/m≥0.90,更优选为k/m≥0.95。如果为k/m<0.85,则存在吸湿性增加、耐热性降低的倾向。
R1表示2价有机基的最小的链段。例如,R1为-CH2-、-CHR-、-CR2-、-NH-、-CO-、-Ar-、-S-或-SO-。聚酰亚胺树脂中的R1中至少一部分,R1优选为-CH2-、-CHR-或-CR2-(以下称为亚甲基类)。由此能够将使用两面粘接膜粘接时的加热温度设定为低温(例如120~160℃)。此外,两面粘接膜的耐吸湿性也进一步改善。R1优选不含极性基或极性原子(氧原子、氮原子等)。如果R1中含有极性基或极性原子,则存在吸湿性增加、耐热性降低的倾向。
更具体地,聚酰亚胺树脂包含例如下述通式(Ia)所示的结构。式(Ia)中,m为8~20的整数,R1表示芳香族四羧酸的残基,n表示1以上的整数。
[化2]
通式(I)所示的聚酰亚胺树脂可通过使包含下述通式(II)所示化合物的二胺与四羧酸二酐反应而得到。式(II)中,R1各自独立地表示2价的有机基,m为8~40的整数,m个R1中-CH2-、-CHR-或-CR2-(其中,R表示碳数1~5的非环状的烷基)的个数为k个,k/m≥0.85。
[化3]
通式(II)所示的二胺的量,优选在与四羧酸二酐反应的全部二胺中为50摩尔%以上,更优选为60摩尔%以上,进一步优选为70摩尔%以上。
在通式(II)所示的二胺中,优选在R1的总数m与其中亚烷基类(-CH2-、-CHR-或-CR2-)的数k之间,k/m≥0.85的关系式成立。如果为k/m<0.85,则存在吸湿性增加、耐热性降低的倾向。优选为k/m≥0.90,更优选为k/m≥0.95。R1优选不含极性基或极性原子。如果R1中含有极性基或极性原子,则存在吸湿性增加、耐热性降低的倾向。
为了应对与以往相比在更低温(120~160℃)下的粘接(半导体元件与支持构件、半导体元件之间的粘接等),优选m≥8,更优选m≥10。在作为原料的二胺容易得到的方面考虑,优选为m≤40。然而,由于存在m的值越大则在低温粘接性上越有效果的倾向,因此即使m为40以上的数值,推测也能够同样地获得低温粘接性的效果。m的值小于8时,与使用的二胺的摩尔数相比,分子链长度变小,因此存在低温粘接的效果变小的倾向。
作为式(II)的二胺,可以列举例如1,8-辛二胺(m=k=8)、1,9-壬二胺(m=k=9)、1,10-癸二胺(m=k=10)、1,11-十一烷二胺(m=k=11)、1,12-十二烷二胺(m=k=12)、十三亚甲基二胺(m=k=13)、十八亚甲基二胺(m=k=18)等脂肪族二胺、二(5,5’-二氨基戊基)醚(m=11、k=10、k/m=0.91)、3,3’-(十亚甲基二氧)-双-(丙胺)(m=18、k=16、k/m=0.89)等烷基醚。这些中,优选正烷基二胺。
例如,使用了1,12-十二烷二胺(m=k=12、k/m=1.0)的两面粘接膜,与使用了结构类似的1,4-丁二醇-双(3-氨基丙基)醚(R1为-CH2-与-O-这二种,m=12、k=10、k/m=0.83)的两面粘接膜相比,在其他组成相同的情况下,可靠性、特别是耐回流性明显优异。
聚酰亚胺树脂可以是使包含50mol%以上的下述通式(IIa)所示二胺与四羧酸二酐反应而得到的。式中(IIa)中,m为8~20的整数。
[化4]
作为能够与通式(II)所示二胺一起使用的其他的二胺,可以列举例如1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷等脂肪族二胺、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、3,3’-二氨基二苯基醚、3,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯基醚、3,3’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、4,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,3’-二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基硫醚、3,4’-二氨基二苯基硫醚、4,4’-二氨基二苯基硫醚、3,3’-二氨基二苯基酮、3,4’-二氨基二苯基酮、4,4’-二氨基二苯基酮、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2’-(3,4’-二氨基二苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、3,4’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、4,4’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜等芳香族二胺、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(4-氨基苯基)二硅氧烷、1,1,3,3-四苯氧基-1,3-双(4-氨基乙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-双(2-氨基乙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-双(3-氨基丙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(2-氨基乙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(3-氨基丙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(3-氨基丁基)二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二甲氧基-1,3-双(4-氨基丁基)二硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-双(4-氨基苯基)三硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-双(4-氨基丁基)三硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-双(5-氨基戊基)三硅氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-双(2-氨基乙基)三硅氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-双(4-氨基丁基)三硅氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-双(5-氨基戊基)三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷等。这些可单独使用或者将二种以上组合使用。
其中,特别地从聚酰亚胺树脂在溶剂中的溶解性改善产生的作业性的改善、与基材的亲和性产生的粘接力改善、难吸湿性、化学稳定性产生的可靠性的确保等兼具的观点出发,特别优选下述通式(III)所示的硅氧烷二胺。需要说明的是,通式(III)所示的硅氧烷二胺,除了通式(II)所示的二胺以外,还可与其他二胺并用。
[化5]
式(III)中,R2各自独立地表示甲基或苯基,R3各自独立地表示碳数1~6的二价的烃基,k为1~8的整数。
若使用链长极长的硅氧烷二胺,则将粘接膜置于高温下时,存在认为由硅氧烷向膜的表面移动引起的、粘接性的降低容易迅速进行的倾向。因此有时粘接膜的作业宽裕度降低。作为具体例,在热压接的自动化生产线等发生暂时停止的情况下,在加热夹具的附近停止的粘接膜产生不利情况的可能性提高。从该观点出发,硅氧烷二胺的链长越短越优选。具体地,优选k≤8,更优选k≤5,进一步优选k≤3。
关于作业宽裕度,可采用例如将与基板等热压接的粘接膜在高温的热板上放置一定时间后,测定在规定条件下将芯片等热压接时的粘接强度,与没有将其放置在热板上粘接时的粘接强度进行比较的方法来评价。
硅氧烷二胺的量,相对于二胺总体,优选为3~50mol%,更优选为5~45mol%,进一步优选为10~40mol%。硅氧烷二胺的量适当时,能够得到最强的粘接力。
在通式(II)所示的二胺中,由于存在使聚酰亚胺树脂在溶剂中的溶解性降低的成分,因此优选根据使用的成分来补充地组合适当的其他二胺,例如,使用溶解性优异的二胺等,提高树脂的溶解性。由此能够容易进行粘接膜的制造。
作为聚酰亚胺树脂的原料的四羧酸二酐,并无特别限制,但在能够提高得到的粘接膜的耐湿性方面考虑,优选使不含具有水解性的官能团的四羧酸二酐的使用量增多。
不含具有水解性的官能团的四羧酸二酐的使用量,优选为全部四羧酸二酐的60mol%以上,更优选为70mol%以上,特别优选为80mol%以上。如果该量小于60mol%,则容易促进玻璃化转变温度以上且高湿度的环境下的分解,因半导体装置的构造不同,存在对于HAST试验(Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test、高度加速寿命试验)这样的可靠性试验的耐性降低的倾向。
作为上述具有水解性的官能团,可以列举例如羧酸酯等酯基、酰氨基(-NHCO-,然而,不包括作为酰亚胺化反应的中间体的酰胺酸)。
作为不含具有水解性的官能团的四羧酸二酐,可以列举例如均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、2,2’,3,3’-联苯四甲酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-双(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-双(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-双(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)砜二酐、3,4,9,10-苝四甲酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四甲酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2,3,2’,3-二苯甲酮四甲酸二酐、2,3,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、1,2,5,6-萘四甲酸二酐、2,3,6,7-萘四甲酸二酐、1,2,4,5-萘四甲酸二酐、1,4,5,8-萘四甲酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、菲-1,8,9,10-四甲酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四甲酸二酐、噻吩-2,3,4,5-四甲酸二酐、2,3,3’,4’-联苯四甲酸二酐、3,4,3’,4’-联苯四甲酸二酐、2,3,2’,3’-联苯四甲酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1,4-双(3,4-二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1,3-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二环己烷二酐、对亚苯基双(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氢萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢萘-1,2,5,6-四甲酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四甲酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四甲酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、双环-(2,2,2)-辛(7)-烯2,3,5,6-四甲酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-双(4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基)六氟丙烷二酐、4,4’-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、4,4’-(4,4’-亚异丙基二苯氧基)-双(邻苯二甲酸酐)、四氢呋喃-2,3,4,5-四甲酸二酐、双(外双环(2,2,1)庚烷-2,3-二甲酸二酐)砜。
作为上述的四羧酸二酐,在能够获得粘接力优异、各特性均衡性良好的高可靠性的粘接膜方面考虑,优选使用下述式(IV)所示的4,4’-(4,4’-亚异丙基二苯氧基)-双(邻苯二甲酸酐)。这种情况下,式(IV)所示的四羧酸二酐的量,优选为全部四羧酸二酐的60mol%以上,更优选为70mol%以上。
[化6]
能够作为聚酰亚胺树脂的原料使用的其他的四羧酸二酐,可以列举例如4,4’-(乙烷-1,2-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(癸烷-1,10-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、1,4-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸二酐)、1,3-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸二酐)、4,4’-(丙烷-1,3-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(丁烷-1,4-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(戊烷-1,5-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(己烷-1,6-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(庚烷-1,7-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(辛烷-1,8-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(壬烷-1,9-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(十一烷-1,11-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐、4,4’-(十二烷-1,12-二基双(氧羰基))二邻苯二甲酸酐,这些可单独使用或者将二种类以上组合使用。这些四羧酸二酐由于具有水解性取代基,因此优选在不超过全部四羧酸二酐的40mol%的范围内使用。
四羧酸二酐与二胺的缩合反应在有机溶剂中进行。这种情况下,四羧酸二酐与二胺优选以等摩尔或大致等摩尔使用,可在±10mol%的范围内使酸-胺比变动,此外,各成分的添加顺序是任意的。
作为合成时使用的有机溶剂,可以列举例如二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、间甲酚、邻氯苯酚。
上述缩合反应的反应温度优选150℃以下,更优选0~120℃。通式(II)所示的二胺的溶解性不足的情况下,有时也优选通过加热到50℃以上从而得到均一的反应液。随着反应进行,反应液的粘度缓缓上升。在该阶段,生成作为聚酰亚胺树脂的前体的聚酰胺酸。
聚酰亚胺树脂可通过将上述反应物(聚酰胺酸)脱水闭环而得到。脱水闭环可使用在120℃~250℃条件下进行热处理的方法、化学的方法而进行。在120℃~250℃条件下进行热处理的方法的情况下,优选边将由脱水反应产生的水去除到体系外边进行。此时,可使用苯、甲苯、二甲苯等将水共沸除去。
本说明书中,所谓聚酰亚胺树脂,包含聚酰亚胺及其前体。在聚酰亚胺的前体中,除了聚酰胺酸以外,还有聚酰胺酸部分地酰亚胺化的产物。需要说明的是,对于聚酰胺酸的合成和采用热处理的脱水闭环,可不必明确地区分工序。
采用化学的方法进行脱水闭环的情况下,作为闭环剂,可使用醋酸酐、丙酸酐、苯甲酸酐等酸酐、二环己基碳二亚胺等碳二亚胺化合物等。此时可根据需要还使用吡啶、异喹啉、三甲胺、氨基吡啶、咪唑等闭环催化剂。闭环剂或闭环催化剂,相对于四羧酸二酐1摩尔,优选分别在1~8摩尔的范围内使用。
合成的聚酰亚胺树脂,可通过将用于反应的溶剂的大半除去而成为固体。作为该方法,可以列举例如在适当的温度和压力下使在反应中使用的溶剂蒸发,将树脂干燥的方法。
此外,也可列举在具有适当的低树脂溶解性的不良溶剂中加入反应液,使树脂析出,通过过滤、沉淀将包含用于反应的溶剂的不良溶剂除去后,将树脂干燥的方法等,通过这样进行,也能够将树脂中的杂质、特别是挥发性低的物质除去,因此优选。
作为上述不良溶剂,只要聚酰亚胺树脂的溶解性低,则并无特别限制,从处理容易性出发,可列举水、碳数4以下的低级醇等,这些可单独使用或者将2种以上组合使用。此外,可在作为溶剂整体能够使树脂析出的范围内混合良溶剂。
在反应系中不存在杂质或者少到对特性不产生影响的程度上时,也可原样使用用于反应的溶剂,作为用于后述的粘接膜制造的溶剂使用。这种情况下,不必将用于反应的溶剂除去,因此从工序短、制造成本的观点出发是优选的。
将聚酰亚胺树脂与其他树脂组合的情况下,如果考虑粘接膜的粘接性、耐热性、Tg等特性,粘接剂层以其总质量为基准,优选含有30质量%以上的聚酰亚胺树脂,更优选含有50质量%以上,进一步优选含有70质量%以上。
构成粘接剂层的丙烯酸系树脂的化学结构并无特别限定,丙烯酸系树脂可以是例如(甲基)丙烯酸酯的均聚物、(甲基)丙烯酸酯与选自(甲基)丙烯酸、丙烯腈、丙烯酰胺、乙烯基单体、苯乙烯、乙烯基醚、丁二烯和马来酰亚胺中的单体的共聚物。特别优选(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和丙烯腈的共聚物,以及(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯和丙烯腈的共聚物。作为这样的丙烯酸系树脂的市售品,有例如帝国化学产业(株)制的HTR-860P-3。
粘接剂层,为了改善热处理时强度,可含有热固化性树脂。作为热固化性树脂,是通过加热而形成3维的网状结构而固化的树脂。作为热固化性树脂,可使用以往公知的热固化性树脂,并无特别限制,其中从作为半导体周边材料的便利性(高纯度品的获得容易、品种多、容易控制反应性)方面考虑,优选环氧树脂和具有2以上的热固化性酰亚胺基的酰亚胺化合物。
构成粘接剂层的环氧树脂,只要是1分子中具有1个以上的环氧基的化合物,则并无特别限制。作为环氧树脂,可以列举例如烷基单缩水甘油基醚、苯基缩水甘油基醚、烷基酚单缩水甘油基醚、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、1-(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3,3-五甲基二硅氧烷、烷基单缩水甘油基酯、双酚A型环氧树脂[AER-X8501(旭化成环氧(株)、商品名)、R-301(三井化学(株)、商品名)、YL-980(日本环氧树脂(株)、商品名)]、双酚F型环氧树脂[YDF-170(东都化成(株)、商品名)]、双酚AD型环氧树脂[R-1710(三井化学(株)、商品名)]、苯酚酚醛清漆型环氧树脂[N-730S(大日本油墨化学工业(株)、商品名)、Quatrex-2010(陶氏化学商品名)]、双酚S型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂[YDCN-702S(东都化成(株)、商品名)、EOCN-100(日本化药(株)、商品名)]、多官能环氧树脂[EPPN-501(日本化药(株)、商品名)、TACTIX-742(陶氏化学、商品名)、VG-3010(三井化学(株)、商品名)、1032S(日本环氧树脂(株)、商品名)]、具有萘骨架的环氧树脂[HP-4032(大日本油墨化学工业(株)、商品名)]、双环型环氧树脂[EP-4088S(旭电化工业(株)、商品名)、XD-1000-L(日本化药(株)、商品名)]、脂环式环氧树脂[EHPE-3150、CEL-3000(大赛璐化学工业(株)、商品名)、DME-100(新日本理化(株)、商品名)、EX-216L(Nagase ChemX(株)、商品名)]、脂肪族环氧树脂[W-100(新日本理化(株)、商品名)、YH-300(东都化成(株)、商品名)]、环氧化聚丁二烯[PB-3600(大赛璐化学工业(株)、商品名)、E-1000-3.5(日本石油化学(株)、商品名)]、环氧化植物油[S-300K、L-500(大赛璐化学工业(株)、商品名)]、胺型环氧树脂[ELM-100(住友化工业(株)、商品名)、YH-434L(东都化成(株)、商品名)、TETRAD-X、TETRAD-C(三菱瓦斯化学(株)、商品名)、GOT、GAN(日本化药(株)、商品名)]、乙二醇/丙二醇改性双酚型环氧树脂[EP-4000S(旭电化工业(株)、商品名)、BEO-60E(新日本理化(株)、商品名)]、氢化双酚型环氧树脂[EXA-7015(日本化药(株)、商品名)、ST-5080(东都化成(株)、商品名)]、间苯二酚型环氧树脂[Denacol EX-201(Nagase ChemX(株)、商品名)]、具有儿茶酚骨架的环氧树脂[EXA-7120(大日本油墨化学工业(株)、商品名)]、新戊二醇型环氧树脂[Denacol EX-211(Nagase ChemX(株)、商品名)]、己二醇型环氧树脂[Denacol EX-212(Nagase ChemX(株)、商品名)]、乙二醇/丙二醇型环氧树脂[Denacol EX-810、811、850、851、821、830、832、841、861(Nagase ChemX(株)、商品名)]、联苯型环氧树脂[YX-4000H(日本环氧树脂(株)、商品名]、下述通式:
[化7]
(式中,a表示0~5的整数)所示的环氧树脂[E-XL-24、E-XL-3L(三井化学(株)、商品名)]、氨基甲酸酯改性环氧树脂[EPU-15、EPU-18(旭电化工业(株)、商品名)]、橡胶改性环氧树脂[EPR-4032、EPR-1309(旭电化工业(株)、商品名)]、螯合物改性环氧树脂[EP-49-10、EPU-78-11(旭电化工业(株)、商品名)]、缩水甘油基酯型环氧树脂[YD-171、YD-172(东都化成(株)、商品名)、AK-601(日本化药(株)、商品名)]等。
其中,优选使用选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂和脂环式环氧树脂中的至少1种环氧树脂。这些环氧树脂可单独使用或者将2种以上组合使用。
这些环氧树脂中,由于3官能以上的环氧树脂的特性改善的效果高,因此特别优选。作为3官能以上的环氧树脂,可以列举例如下述通式(V)所示的酚醛清漆型环氧树脂、3官能型(或4官能型)的缩水甘油基醚、和3官能型(或4官能型)的缩水甘油基胺。式(V)中,多个R3各自独立地表示氢原子、碳数1~5的烷基或可以具有取代基的苯基,p为1~20的整数。
[化8]
作为上述通式(V)所示的酚醛清漆型环氧树脂,可以列举甲酚酚醛清漆树脂的缩水甘油基醚、苯酚酚醛清漆树脂的缩水甘油基醚等,它们在固化物的交联密度高、能够提高膜的热时的粘接强度方面优选。它们可以单独使用或者将2种以上组合使用。
粘接剂层21和22可含有与上述环氧树脂组合使用的固化剂。
作为环氧树脂固化剂,可以列举例如酚系化合物、脂肪族胺、脂环族胺、芳香族多胺、聚酰胺、脂肪族酸酐、脂环族酸酐、芳香族酸酐、双氰胺、有机酸二酰肼、三氟化硼胺络合物、咪唑类、叔胺等。这些中,优选酚系化合物,更优选具有至少2个酚性羟基的酚系化合物。
作为具有至少2个酚性羟基的酚系化合物,可以列举例如苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基酚酚醛清漆树脂、双环戊二烯甲酚酚醛清漆树脂、双环戊二烯苯酚酚醛清漆树脂、二甲苯改性苯酚酚醛清漆树脂、萘酚酚醛清漆树脂、三酚酚醛清漆树脂、四酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂、聚-对乙烯基苯酚树脂、苯酚芳烷基树脂等。这些中,优选数均分子量为400~1500的范围内的树脂。由此在封装组装加热时,能够有效地减少成为芯片表面或装置等的污染的原因的脱气。
环氧树脂固化剂,在上述例示中,从能够有效地减少封装组装加热时的成为芯片表面、装置等的污染或气味的原因的脱气方面考虑,优选萘酚酚醛清漆树脂和三酚酚醛清漆树脂。
上述萘酚酚醛清漆树脂为例如下述通式(VI)或下述通式(VII)所示的、分子内具有3个以上芳香环的萘酚系化合物。
[化9]
[化10]
式(VI)和(VII)中,多个R4各自独立地表示氢、碳数1~10的烷基、苯基或羟基,q为1~10的整数,X表示2价的有机基,Y表示选自下述通式的2价的取代基。
[化11]
作为通式(VI)和(VII)的取代基X的具体例,有下述通式所示的2价的取代基。
[化12]
作为萘酚系化合物的具体例,有下述通式(VIII)或(IX)所示的二甲苯改性萘酚酚醛清漆树脂、和下述通式(X)所示的与对甲酚的缩合产生的萘酚酚醛清漆树脂。式(VIII)~(X)中,r为1~10的整数。
[化13]
[化14]
[化15]
三酚系化合物可以是具有3个羟基苯基的三酚酚醛清漆树脂。其中,优选下述通式(XI)所示的化合物。
[化16]
式(XI)中,多个R5各自独立地表示氢原子、碳数1~10的烷基、苯基或羟基,W表示选自下述通式的四价的有机基。
[化17]
作为三酚系化合物的具体例,可以列举4,4’,4”-次甲基三苯酚、4,4’-(1-(4-(1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基)苯基)亚乙基)双苯酚、4,4’,4”-次乙基三(2-甲基苯酚)、4,4’,4”-次乙基三苯酚、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2-甲基苯酚)、4,4’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(2-甲基苯酚)、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2,3-二甲基苯酚)、4,4’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(2,6-二甲基苯酚)、4,4’-((3-羟基苯基)亚甲基)双(2,3-二甲基苯酚)、2,2’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(3,5-二甲基苯酚)、2,2’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(3,5-二甲基苯酚)、2,2’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2,3,5-三甲基苯酚)、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2,3,6-三甲基苯酚)、4,4’-((3-羟基苯基)亚甲基)双(2,3,6-三甲基苯酚)、4,4’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(2,3,6-三甲基苯酚)、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2-环己基-5-甲基苯酚)、4,4’-((3-羟基苯基)亚甲基)双(2-环己基-5-甲基苯酚)、4,4’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(2-环己基-5-甲基苯酚)、4,4’-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(2-甲基苯酚)、4,4’-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(2,6-二甲基苯酚)、4,4’-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(2,3,6-三甲基苯酚)、4-(双(3-环己基-4-羟基-6-甲基苯基)甲基)-1,2-苯二酚、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(3-甲基苯酚)、4,4’,4”-(3-甲基-1-亚丙烯-3-叉基)三苯酚(日文原文:4,4’,4”-(3-メチル-1-プロパニル-3-イリデン)トリスフエノ一ル)、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2-甲基乙基苯酚)、4,4’-((3-羟基苯基)亚甲基)双(2-甲基乙基苯酚)、4,4’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(2-甲基乙基苯酚)、2,2’-((3-羟基苯基)亚甲基)双(3,5,6-三甲基苯酚)、2,2’-((4-羟基苯基)亚甲基)双(3,5,6-三甲基苯酚)、4,4’-((2-羟基苯基)亚甲基)双(2-环己基苯酚)、4,4’-((3-羟基苯基)亚甲基)双(2-环己基苯酚)、4,4’-(1-(4-(1-(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-1-甲基乙基)苯基)亚乙基)双(2,6-二甲基苯酚)、4,4’,4”-次甲基三(2-环己基-5-甲基苯酚)、4,4’-(1-(4-(1-(3-环己基-4-羟基苯基)-1-甲基乙基)苯基)亚乙基)双(2-环己基苯酚)、2,2”-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(3,5-二甲基苯酚)、4,4’-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(2-(甲基乙基)苯酚)、2,2’-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(3,5,6-三甲基苯酚)、4,4’-((3,4-二羟基苯基)亚甲基)双(2-环己基苯酚)、α,α’,α”-三(4-羟基苯基)-1,3,5-三异丙基苯。这些可以单独使用或者将二种以上组合使用。
此外,作为固化剂的实例,可以列举苯酚酚醛清漆树脂[H-1(明和化成(株)、商品名)、VR-9300(三井化学(株)、商品名)]、苯酚芳烷基树脂[XL-225(三井化学(株)、商品名)]、烯丙基化苯酚酚醛清漆树脂[AL-VR-9300(三井化学(株)、商品名)]、下述通式:
[化18]
(式中、R1表示甲基、乙基等碳数1~6的烷基,R2表示氢或甲基、乙基等碳数1~6的烷基,b表示2~4的整数。)所示的特殊酚树脂[PP-700-300(日本石油化学(株)制、商品名)]、双酚F、双酚A、双酚AD、双酚S、烯丙基化双酚F、烯丙基化双酚A、烯丙基化双酚AD、烯丙基化双酚S、多官能酚[p-CR、TrisP-PHBA、MTPC、TrisP-RS(本州化学工业(株)、商品名)]等酚化合物、邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、3,3’-二氨基二苯醚、3,4’-二氨基二苯醚、4,4’-二氨基二苯醚、3,3’-二氨基二苯基甲烷、3,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基甲烷、3,3’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、4,4’-二氨基二苯基二氟甲烷、3,3’-二氨基二苯基砜、3,4’-二氨基二苯基砜、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二氨基二苯基硫醚、3,4’-二氨基二苯基硫醚、4,4’-二氨基二苯基硫醚、3,3’-二氨基二苯基酮、3,4’-二氨基二苯基酮、4,4’-二氨基二苯基酮、2,2-双(3-氨基苯基)丙烷、2,2’-(3,4’-二氨基二苯基)丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)丙烷、2,2-双(3-氨基苯基)六氟丙烷、2,2-(3,4’-二氨基二苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(3-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、3,3’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、3,4’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、4,4’-(1,4-亚苯基双(1-甲基亚乙基))双苯胺、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)丙烷、2,2-双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、2,2-双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)六氟丙烷、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(3-氨基苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-氨基苯氧基)苯基)砜、1,2-二氨基乙烷、1,3-二氨基丙烷、1,4-二氨基丁烷、1,5-二氨基戊烷、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、二乙基氨基丙基胺、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(4-氨基苯基)二硅氧烷、1,1,3,3-四苯氧基-1,3-双(4-氨基乙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-双(2-氨基乙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-双(3-氨基丙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(2-氨基乙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(3-氨基丙基)二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-双(3-氨基丁基)二硅氧烷、1,3-二甲基-1,3-二甲氧基-1,3-双(4-氨基丁基)二硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-双(4-氨基苯基)三硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-双(4-氨基丁基)三硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-双(5-氨基戊基)三硅氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-双(2-氨基乙基)三硅氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-双(4-氨基丁基)三硅氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-双(5-氨基戊基)三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、1,1,3,3,5,5-六丙基-1,5-双(3-氨基丙基)三硅氧烷、三乙胺、苄基二甲基胺、α-甲基苄基二甲基胺、三(二甲基氨基甲基)苯酚、哌啶、萜烷二胺、三氟化硼单乙基胺、1,8-二氮杂双环[5.4.0]-十一碳烯-7、6-丁基-1,8-二氮杂双环[5.4.0]-十一碳烯-7、1,5-二氮杂双环[4.3.0]-壬烯-5等胺化合物、双氰胺、下述通式:
[化19]
(式中,R3表示间亚苯基、对亚苯基等2价的芳香族基、碳数2~12的直链或支链的亚烷基。)所示的二元酸二酰肼[ADH、PDH、SDH(均为日本肼工业(株)制、商品名)]、由环氧树脂和胺化合物的反应物组成的微囊型固化剂[NOVACURE(旭化成工业(株)制、商品名)]、U-CAT3502T、U-CAT3503N(San-Apro(株)、商品名)等脲化合物、邻苯二甲酸酐、马来酸酐、柠康酸酐、衣康酸酐、琥珀酸酐、十二烷基琥珀酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、3或4-甲基-1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐、3或4-甲基六氢邻苯二甲酸酐、双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酸酐、甲基双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酸酐、均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’-联苯四甲酸二酐、2,2’,3,3’-联苯四甲酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-双(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-双(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-双(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、双(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)砜二酐、3,4,9,10-苝四甲酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)醚二酐、苯-1,2,3,4-四甲酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2,3,2’,3-二苯甲酮四甲酸二酐、2,3,3’,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、1,2,5,6-萘四甲酸二酐、2,3,6,7-萘四甲酸二酐、1,2,4,5-萘四甲酸二酐、1,4,5,8-萘四甲酸二酐、2,6-二氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、2,7-二氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、菲-1,8,9,10-四甲酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四甲酸二酐、噻吩-2,3,4,5-四甲酸二酐、2,3,3’,4’-联苯四甲酸二酐、3,4,3’,4’-联苯四甲酸二酐、2,3,2’,3’-联苯四甲酸二酐、双(3,4-二羧基苯基)二甲基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)甲基苯基硅烷二酐、双(3,4-二羧基苯基)二苯基硅烷二酐、1,4-双(3,4-二羧基苯基二甲基甲硅烷基)苯二酐、1,3-双(3,4-二羧基苯基)-1,1,3,3-四甲基二环己烷二酐、对亚苯基双(偏苯三酸酐)、乙烯四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氢萘-1,4,5,8-四甲酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氢萘-1,2,5,6-四甲酸二酐、环戊烷-1,2,3,4-四甲酸二酐、吡咯烷-2,3,4,5-四甲酸二酐、1,2,3,4-环丁烷四甲酸二酐、双(外双环[2,2,1]庚烷-2,3-二甲酸二酐)砜、双环-(2,2,2)-辛(7)-烯-2,3,5,6-四甲酸二酐、2,2-双(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-双[4-(3,4-二羧基苯氧基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-双(3,4-二羧基苯氧基)二苯基硫醚二酐、4,4’-(4,4’亚异丙基二苯氧基)-双(邻苯二甲酸酐)、4,4’-[癸烷-1,10-二基双(氧羰基)]二邻苯二甲酸酐、1,4-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸二酐)、1,3-双(2-羟基六氟异丙基)苯双(偏苯三酸二酐)、5-(2,5-二氧代四氢呋喃基)-3-甲基-3-环己烯-1,2-二甲酸二酐、四氢呋喃-2,3,4,5-四甲酸二酐等酸酐、KT-990、CP-77(旭电化工业(株)、商品名)、SI-L85、SI-L145(三新化学工业(株)、商品名)等阳离子聚合催化剂、多巯基化合物、聚酰胺化合物。可以将这些固化剂2种以上适当组合使用。
使用环氧树脂和环氧树脂固化剂的情况下,相对于聚酰亚胺树脂100质量份,环氧树脂的比例优选为1~200质量份,更优选为1~100质量份,进一步优选为1~90质量份。如果该比例超过200质量份,则存在膜形成性降低的倾向。环氧树脂固化剂的比例,相对于环氧树脂100质量份,优选为0.1~150质量份,更优选为0.1~120质量份,进一步优选为10~100质量份。如果超过150质量份,存在固化性降低的倾向。
粘接剂层21、22,根据需要可含有环氧树脂的固化促进剂。固化促进剂只要能用于使环氧树脂固化,则并无特别限制,可以列举例如咪唑类、双氰胺衍生物、二羧酸二酰肼、三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸酯、1,8-二氮杂双环(5.4.0)十一碳烯-7-四苯基硼酸酯。这些可单独使用或者将2种以上组合使用。作为固化促进剂的实例,可以列举有机硼盐化合物[EMZ·K、TPPK(北兴化学工业(株)、商品名)]、咪唑类[キユアゾ一ル、2P4MHZ、C17Z、2PZ-OK(四国化成(株)、商品名)]。
固化促进剂的量,相对于热固化性树脂100质量份,优选0.01~50质量份,更优选0.01~20质量份,进一步优选0.1~10质量份。如果固化促进剂的量超过50质量份,存在保存稳定性降低的倾向,如果小于0.01质量份,存在固化促进的效果降低的倾向。
作为具有2以上的热固化性酰亚胺基的酰亚胺化合物的实例,有邻双马来酰亚胺基苯、间双马来酰亚胺基苯、对双马来酰亚胺基苯、1,4-双(对马来酰亚胺基枯基)苯和1,4-双(间马来酰亚胺基枯基)苯。
此外,还可列举下述式(XII)~(XV)所示的酰亚胺化合物。这些可以单独使用或者将二种以上组合使用。
[化20]
式(XII)中,R7表示O、CH2、CF2、SO2、S、CO、C(CH3)2或C(CF3)2,4个R6各自独立地表示氢原子、碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基、氟原子、氯原子或溴原子,D表示具有烯式不饱和双键的二羧酸残基。
[化21]
式(XIII)中,R9表示O、CH2、CF2、SO2、S、CO、C(CH3)2或C(CF3)2,4个R8各自独立地表示氢原子、碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基、氟原子、氯原子或溴原子,D表示具有烯式不饱和双键的二羧酸残基。
[化22]
式(XIV)中,s为0~4的整数,D表示具有烯式不饱和双键的二羧酸残基。
[化23]
式(XV)中,二个R9各自独立地表示二价的烃基,多个R10各自独立地表示一价的烃基,D表示具有烯式不饱和双键的二羧酸残基,t为1以上的整数。
各结构式中,作为D所示的具有烯式不饱和双键的二羧酸残基,有例如马来酸残基、柠康酸残基。
酰亚胺化合物的量,相对于聚酰亚胺树脂100质量份,优选0~200质量份,更优选0~150质量份,进一步优选1~100质量份。如果酰亚胺化合物的量超过200质量份,存在膜形成性降低的倾向。
作为上述通式(XII)所示的酰亚胺化合物,可以列举例如4,4-双马来酰亚胺基二苯基醚、4,4-双马来酰亚胺基二苯基甲烷、4,4-双马来酰亚胺基-3,3’-二甲基二苯基甲烷、4,4-双马来酰亚胺基二苯基砜、4,4-双马来酰亚胺基二苯基硫醚、4,4-双马来酰亚胺二苯基酮、2,2’-双(4-马来酰亚胺基苯基)丙烷、4,4-双马来酰亚胺基二苯基氟甲烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-双(4-马来酰亚胺基苯基)丙烷。
作为上述通式(XIII)所示的酰亚胺化合物,可以列举例如双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)醚、双(4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基)甲烷、双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)氟甲烷、双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)砜、双(4-(3-马来酰亚胺苯氧基)苯基)砜、双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)硫醚、双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)酮、2,2-双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)丙烷、1,1,1,3,3,3-六氟-2,2-双(4-(4-马来酰亚胺基苯氧基)苯基)丙烷。
为了促进这些酰亚胺化合物的固化,可以使用自由基聚合引发剂。作为自由基聚合引发剂,有乙酰基环己基磺酰基过氧化物、过氧化异丁酰、过氧化苯甲酰、过氧化辛酰、过氧化乙酰、过氧化二枯基、氢过氧化枯烯、偶氮二异丁腈等。此时,自由基聚合引发剂的使用量,相对于酰亚胺化合物100质量份,优选大致0.01~1.0质量份。
通过使粘接剂层含有热固化性树脂,能够提高高温下的剪切粘接力。但是,如果使用热固化性树脂,则也有可能高温下的剥离粘接力(采用后述的测定方法求出的芯片剥离力)降低,因此可根据使用目的分别使用热固化性树脂。
第一粘接层21和/或第二粘接剂层22可含有填料。作为填料,可以列举例如金、银、铜、镍、铁、铝、不锈钢、氧化硅、碳化硅、氮化硼、氧化铝、硼酸铝或氮化铝的粒子。这些中,在半导体封装的结构上、对粘接层要求导电性的情况下,优选使用金、银、铜、镍、铁、铝、不锈钢等导电性的填料。此外,对于粘接层要求电绝缘性的情况下,优选使用氧化硅、碳化硅、氮化硼、氧化铝、硼酸铝和氮化铝等电绝缘性的填料。
填料可根据所需的功能区别使用。例如,金属填料为了赋予粘接剂组成物导电性、导热性、触变性等而添加,非金属无机填料为了赋予粘接膜导热性、低热膨胀性、低吸湿性等而添加,有机填料为了赋予粘接膜韧性等而添加。这些金属填料、无机填料或有机填料可单独使用或者将2种以上组合使用。其中,在能够赋予半导体装置所要求的特性方面考虑,优选金属填料、无机填料或绝缘性的填料,在无机填料或绝缘性填料中,从对于树脂清漆的分散性良好并且对于粘接强度的改善具有效果方面考虑,更优选氮化硼。
填料的粒径并无特别限制,通常,平均粒径优选为0.001~50μm,更优选为0.005~10μm。填料的平均粒径优选为10μm以下,更优选为平均粒径5μm以下。填料的最大粒径优选为25μm以下,更优选为20μm以下。填料的平均粒径和最大粒径的下限并无特别限制,通常,都为0.1μm。填料优选满足平均粒径10μm以下、最大粒径25μm以下这两者。如果平均粒径超过10μm并且最大粒径超过25μm,则存在破坏韧性改善的效果降低的倾向。如果使用最大粒径为25μm以下、平均粒径超过10μm的填料,则存在粘接强度改善的效果下降的倾向。如果使用平均粒径为10μm以下、最大粒径超过25μm的填料,存在粒径分布变宽、粘接强度容易产生波动的倾向。此外,存在粘接剂层的表面变粗、粘接力下降的倾向。
作为填料的平均粒径和最大粒径的测定方法,有例如使用扫描型电子显微镜(SEM),测定200个左右的填料的粒径的方法。使用SEM的情况下,例如,使用两面粘接膜将半导体元件与半导体支持基板粘接后,制作加热固化(优选在150~200℃、1~10小时)的样品,用SEM观察将该样品的中心部分切断时的截面,可测定填料的粒径。填料为金属填料或无机填料的情况下,也可采取如下方法:在600℃的烘箱中将粘接剂层加热2小时,使树脂成分分解、挥发,用SEM观察残留的填料,进行测定。用SEM观察填料自身时,在SEM观察用的试样台上粘贴两面粘合带,在其粘和面上撒上填料,然后,用离子溅射进行蒸镀。
填料的量根据填料的种类、赋予的特性或功能而决定。相对于聚酰亚胺树脂100质量份,为1~8000质量份。如果小于1质量份,无法获得填料添加产生的特性或功能的赋予效果,如果超过8000质量份,粘接性下降,均不优选。填料的配合量并无特别限制,相对于粘接剂层的总质量,优选3~70质量%,更优选为5~40质量%。如果该配合量小于3质量%,则存在热时的粘接强度降低的倾向,如果超过70质量%,则存在表面的粗糙度增加,粘接膜的加热压接性下降的倾向。
第一粘接层21和/或第二粘接剂层22可还含有偶联剂。作为偶联剂,并无特别限制,例如可以列举:甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、甲基三(甲基丙烯酰氧基乙氧基)硅烷、γ-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-β-(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、3-(4,5-二氢咪唑基)丙基三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二异丙烯氧基硅烷、甲基三环氧丙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、三甲基甲硅烷基异氰酸酯、二甲基甲硅烷基异氰酸酯、苯基甲硅烷基三异氰酸酯、四异氰酸酯硅烷、甲基甲硅烷基三异氰酸酯、乙烯基甲硅烷基三异氰酸酯、乙氧基硅烷三异氰酸酯等硅烷偶联剂、钛酸四甲酯、钛酸四乙酯、钛酸四丙酯、钛酸四异丙酯、钛酸四丁酯、钛酸四异丁酯、钛酸四(2-乙基己基)酯、钛酸四硬脂酯、四辛二醇钛酸酯、异丙基三异硬脂酰基钛酸酯、异丙基三辛酰基钛酸酯、异丙基二甲基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸酯、异丙基三(十二烷基)苯磺酰基钛酸酯、异丙基异硬脂酰基二丙烯酰基钛酸酯、异丙基三(磷酸二辛酯)钛酸酯、异丙基三枯基苯基钛酸酯、异丙基三(焦磷酸二辛酯)钛酸酯、异丙基三(N-氨基乙基·氨基乙基)钛酸酯、四异丙基双(亚磷酸二辛酯)钛酸酯、四辛基双(亚磷酸二(十三烷基)酯)钛酸酯、四(2,2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)双(二-十三烷基)亚磷酸酯钛酸酯、二枯基苯氧基乙酸酯钛酸酯、双(焦磷酸二辛酯)羟基乙酸酯钛酸酯、二异硬脂酰基亚乙基钛酸酯、双(焦磷酸二辛酯)亚乙基钛酸酯、多烷基钛酸酯、多芳基钛酸酯、多酰基钛酸酯、多磷酸酯钛酸酯等钛偶联剂等。
偶联剂的配合量,相对于各粘接剂层的总质量,优选0.1~10质量份,更优选0.5~5质量份。如果该配合比例小于0.1质量份,则粘接强度的改善效果差,如果超过10质量份,则存在挥发分增多、加热工序的发泡容易产生的倾向。
粘接剂层21和22可含有可挠化材料。作为可挠化材料,可使用各种的液体橡胶、热塑性树脂,可以列举例如聚丁二烯、马来酸化聚丁二烯、丙烯酸化聚丁二烯、甲基丙烯酸化聚丁二烯、环氧化聚丁二烯、丙烯腈丁二烯橡胶、羧基末端丙烯腈丁二烯橡胶、氨基末端丙烯腈丁二烯橡胶、乙烯基末端丙烯腈丁二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、聚醋酸乙烯酯、聚丙烯酸甲酯、ε-己内酯改性聚酯、苯氧基树脂、聚酰亚胺等。
关于可挠化材料的分子量,通常,数均分子量优选为500~500000,更优选为1000~200000。
可挠化材料的配合量,相对于各粘接剂层的总质量,优选为1~50质量份,更优选为5~30质量份。如果该配合量小于1质量份,则存在可挠化效果变小的倾向,如果超过50质量份,则存在粘合性增大、粘接膜的处理性、加工性降低的倾向。
粘接剂层21和22,可含有氧化钙、氧化镁等吸湿剂、氟系表面活性剂、非离子系表面活性剂、高级脂肪酸等润湿改进剂、硅油等消泡剂、无机离子交换体等离子捕捉剂、溴化合物、金属水合物等阻燃性赋予剂等添加剂中的1种以上。
粘接剂层21和22的厚度,并无特别限制,优选分别为1~100μm,更优选为5~50μm。如果粘接剂层的厚度小于1μm,则难以使其厚度保持均一,而且存在粘接性也下降的倾向。另一方面,如果粘接剂层的厚度超过100μm,则存在用粘接膜将基板与元件粘接时或之后的加热工序中的粘接膜自身的变形变大的倾向。
两面粘接膜100,通过使用支持膜10作为基础基材,与由单层的粘接剂层组成的粘接膜相比,室温附近的弹性模量升高。由此,膜的加工性得以改善,可获得良好的作业性。
支持膜(基础基材)10,优选由加热产生的特性变化小的材料形成。由此能够更有效地抑制将元件搭载于基板后的粘接膜的固化工序、引线接合工序、密封工序等中的加热产生的两面粘接膜自身的加热收缩和膨胀。
从该观点出发,支持膜10的Tg,优选为100℃以上,更优选为150℃以上,进一步优选为200℃以上。通过使用具有高Tg的支持膜,形成粘接剂层21、22时的清漆的涂布和加热干燥产生的变形得到防止。此外,粘接后暴露于高温时的粘接层的塑性变形也得以防止。从同样的观点出发,支持膜10的线膨胀系数优选100ppm以下,更优选50ppm以下。
支持膜10的材质并无特别限定,可使用各种的高分子膜、有机·无机复合材料、金属等。为了实现上述的特性,支持膜10优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚酰胺酰亚胺、聚醚砜、全芳香族聚酯和液晶聚合物中的聚合物的膜,更优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯和液晶聚合物中的聚合物的膜,进一步优选为选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
为了改善支持膜10与粘接层21和22的粘接性,可以对其表面进行了等离子体处理、电晕处理,或者用偶联剂等对其进行化学处理。
支持膜10的厚度,并无特别限制,但优选为5~200μm,更优选为5~150μm,进一步优选为10~100μm,特别优选为15~75μm。如果支持膜10的厚度比5μm小,则存在粘接膜的制造时的处理性下降的倾向。如果支持膜10的厚度超过200μm,存在支持膜自身的厚度的波动变大的倾向。
作为覆盖膜,并无特别限定,可使用各种覆盖膜,优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚烯烃、或将这些不同材质的膜层叠而成的多层膜,对于覆盖膜31、32而言,可各自使用相同的覆盖膜或者不同的覆盖膜。此外,还可以考虑与粘接层21、22的粘接性·剥离性而对覆盖膜31、32的单面或两面的表面进行等离子体处理、电晕处理,或者用偶联剂、剥离处理剂等对其进行化学处理。需要说明的是,为了使粘接层21、22的区别一目了然,对于覆盖膜31、32,可各自使用带有不同颜色的覆盖膜。关于着色方法,并无特别限定,可列举例如在覆盖膜的材质本身中添加颜料的方法、使成为包含颜料层的多层膜的方法。
作为覆盖膜的厚度,并无特别限定,可使用各种的厚度,优选5~150μm,更优选10~100μm。此外,对于覆盖膜31、32,可各自使用相同厚度或不同厚度的覆盖膜。如果覆盖膜的厚度比5μm薄,则覆盖膜容易开裂,将覆盖膜剥离时的处理性不足,如果厚度比150μm厚,则在对覆盖膜外加开孔加工等时存在容易产生毛刺、碎屑等的倾向。
固化后的粘接剂层21、22和支持膜10的Tg,优选采用TMA(Thermo Mechanical Analysis)或DMA(Dynamic Mechanical Analysis)测定。
支持膜10的线膨胀系数,优选采用TMA(Thermo Mechanical Analysis)测定。
两面粘接膜100可采用例如包含以下工序的制造方法得到:在支持膜10的一面上形成第一粘接剂层21的工序、在支持膜10的另一面上形成第二粘接剂层22的工序、和在第一粘接剂层和第二粘接剂层各自的与支持膜10相反的一侧的面贴合覆盖膜31、32的工序。
两面粘接膜100可采用例如包含以下工序的制造方法得到:在支持膜10的一面直接涂布清漆,将涂布的清漆干燥而形成第一粘接剂层21的工序;在支持膜10的另一面直接涂布清漆,将涂布的清漆干燥而形成第二粘接剂层22的工序;和在第一和第二粘接剂层21、22上分别贴合覆盖膜31、32的工序。优选依次形成第一粘接剂层21和第2粘接剂层22。
清漆含有例如包含构成粘接剂层21、22的上述的成分(聚酰亚胺树脂、热固化性树脂和填料等)的粘接剂以及它们溶解或分散的溶剂。将清漆涂布于支持膜的方法并无特别限制,例如,可从辊涂布、反转辊涂布、凹印辊涂布、刮条涂布和模涂布中选择。
将涂布于支持膜10的清漆干燥直至溶剂的含量成为0.5~10质量%。干燥通常通过加热进行。
根据如上所述采用包含在支持膜的两面直接涂布清漆的工序的方法得到的两面粘接膜,可抑制元件的搭载和其后的加热工序中的粘接膜的收缩和膨胀。
为了缓和热应力,高水平地维持半导体元件等的连接可靠性,一般粘接膜的弹性模量越低越有利。但是,具有低弹性模量的粘接膜在室温下的刚性不足,因此有时在其加工性方面产生问题。例如,对粘接膜实施开孔、冲压等加工时,存在粘接剂层流动、不能加工或者产生绒须、毛刺的问题。但是,根据本实施方式涉及的两面粘接膜,即使粘接剂层的刚性低的情况下,加工性的降低也得以防止。因此,通过使用本实施方式的两面粘接膜,高可靠性的半导体封装等的电子部件模块的制造变得容易。
图2为表示电子部件模块的一个实施方式的截面图。图2中所示的电子部件模块2具有基板40、搭载于基板40且选自半导体元件和MEMS元件中的多个元件45、以及存在于基板40与元件45之间的粘接层1a。粘接层1a由除去了覆盖膜31、32的两面粘接膜100形成。换言之,粘接层1a由支持膜10、以及在支持膜10的两面分别设置的2个固化的粘接剂层21和22构成。
本发明涉及的电子部件模块,并不限于上述实施方式,只要不脱离本发明的主旨,可适当变形。例如,本发明涉及的电子部件模块可以是具有多个半导体元件的半导体封装,也可以是具有MEMS元件的MEMS模块,还可以是具备半导体元件和MEMS元件两者的模块。
电子部件模块2可采用例如依次包含以下工序的方法制造:从两面粘接膜100将覆盖膜32除去,将第二粘接剂层22热压接于一方的被粘接体(基板40或元件45)的工序;以及从两面粘接膜100将覆盖膜31除去,将第一粘接剂层21热压接于另一方的被粘接体(基板40或元件45)的工序。
将粘接剂层热压接时的温度优选为比热压接的粘接剂层的固化后的Tg高140℃的温度以内,更优选为高100℃的温度以内,进一步优选为高80℃的温度以内。如果该温度超过比热压接的粘接剂层的Tg高140℃的温度,则通过第一粘接剂层的固化后的Tg高于第二粘接剂层的固化后的Tg而得到的元件搭载时的第一粘接剂层的变形抑制效果,会有变小的倾向。此外,抑制由基板与元件的线膨胀系数差而造成的翘曲的效果也存在变小的倾向。
热压接时的压力并无特别限制,优选为0.02~20MPa。如果该压力比0.02MPa小,则存在粘接强度下降的倾向,如果超过20MPa,则存在粘接膜的变形变大的倾向。
将两面粘接膜热压接于基板或元件时,为了抑制基板和/或两面粘接膜的吸湿水分在加热压接时挥发而在粘接层中形成气泡,根据需要可预先对基板和/或两面粘接膜进行干燥。
可采用将单一的两面粘接膜热压接于基板后,将多个元件热压接于已经热压接了的两面粘接膜上的方法;将多个两面粘接膜分别热压接于基板后,将元件热压接于这些各两面粘接膜的方法;或者预先将两面粘接膜热压接于各自元件后,将热压接于元件的两面粘接膜热压接于基板的方法。为了缩短生产工序,优选在基板上的规定的部分将两面粘接膜热压接后,将多个元件热压接于已经热压接了的两面粘接膜上的方法。
将两面粘接膜热压接于基板和元件后,可根据需要通过加热使第一和第二粘接剂层固化。作为此时外加的温度,并无特别限制,优选为200℃以下,更优选为180℃以下,进一步优选为160℃以下。如果粘接膜的固化工序的温度超过200℃,则存在粘接膜自身的热膨胀·收缩、或粘接膜中所含的挥发分或吸湿水分的挥发产生的粘接膜自身的变形增大的倾向。
元件45为LED片的情况下,电子部件模块2可构成LED打印机头。图3为表示采用LED打印机头的曝光的一个实施方式的示意图。图3所示的实施方式中,通过LED打印机头5使感光鼓7按规定的图案曝光。
LED打印机头5具有电子部件模块2、配置于电子部件模块2的元件(LED片)45侧的透镜3。LED打印机头5与沿箭头A的方向自转的感光鼓7相对配置。从LED片45发出的光50,通过透镜3聚焦于感光鼓7上的规定的位置60。由此使感光鼓7的规定的位置60曝光。
为了以高精度使感光鼓7的所需的位置曝光,正确地控制多个LED片45的位置和高度是必要的。例如如图4所示,如果粘接层1a变形而使相邻LED片45之间的间隔沿箭头B的方向扩大,则在感光鼓7的表面产生未曝光部分,形成未印刷部分。相反如果LED片45之间的间隔缩短,产生过剩曝光的部分,印刷模糊。此外,如图5所示,如果LED片45的高度变化,焦点偏离,可产生过剩曝光的部分、曝光不足部分。这也成为印刷模糊的原因。
通过使用本实施方式涉及的两面粘接膜将元件(LED片)45搭载于基板40,能够有效地防止上述的变形引起的印刷的不利情况。
[实施例]
以下列举实施例对本发明更具体地说明。然而,本发明并不限于以下的实施例。
<粘接剂层形成用清漆的制作>
(清漆1)
在具有温度计、搅拌机和氯化钙管的500ml的四口烧瓶中,装入作为二胺的1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷(0.03mol)和1,12-二氨基十二烷(0.08mol)、作为溶剂的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)150g,在60℃条件下搅拌。
二胺的溶解后,每次少量地添加1,10-(十亚甲基)双(偏苯三酸二酐)(0.02mol)和4,4’-(4,4’-亚异丙基二苯氧基)双(邻苯二甲酸二酐)(0.08mol),在60℃条件下反应3小时。
然后,边吹入N2气边加热到170℃,用3小时通过共沸将体系中的水与溶剂的一部分一起除去,得到了聚酰亚胺树脂的NMP溶液。
相对于上述得到的聚酰亚胺树脂100质量份(以NMP溶液中的固体成分计),将甲酚酚醛清漆型环氧树脂(东都化成制、商品名YDCN-702)6质量份、4,4’-(1-(4-(1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基)苯基)亚乙基)双苯酚(本州化学制、商品名Tris-P-PA)3质量份、四苯基鏻四苯基硼酸盐(东京化成制、商品名TPPK)0.5质量份和氮化硼填料(水岛合金铁制、商品名HP-P1)10质量份加入溶液中,充分混炼而得到了清漆1。
(清漆2)
在具有温度计、搅拌机和氯化钙管的500ml的四口烧瓶中,装入作为二胺的1,3-双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷(0.07mol)和4,9-二氧杂癸烷-1,12-二胺(0.03mol)和NMP150g,在60℃条件下搅拌。
二胺的溶解后,每次少量地添加1,10-(十亚甲基)双(偏苯三酸二酐)(0.03mol)和4,4’-氧联二邻苯二甲酸二酐(0.07mol),在60℃条件下反应3小时。
然后,边吹入N2气边在170℃条件下加热,用3小时通过共沸将体系中的水与溶剂的一部分一起除去,得到了聚酰亚胺树脂的NMP溶液。
相对于上述得到的聚酰亚胺树脂100质量份(以NMP溶液中的固体成分计),将甲酚酚醛清漆型环氧树脂(东都化成制、商品名YDCN-702)6质量份、4,4’-(1-(4-(1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基)苯基)亚乙基)双苯酚(本州化学制、商品名Tris-P-PA)2质量份和四苯基鏻四苯基硼酸盐(东京化成制、商品名TPPK)0.5质量份加入溶液中,将相对于总固体成分的质量为12质量%的氮化硼填料(水岛合金铁制)、相对于总固体成分的质量为2质量%的Aerosil(二氧化硅)填料(日本Aerosil制、商品名R972)加入溶液中,充分混炼得到了清漆2。
(清漆3)
在具有搅拌机和氯化钙管的四口烧瓶中,在氮气氛下,加入邻甲酚/酚醛清漆型环氧树脂(13.2质量%、东都化成制、商品名YDCN703)、二甲苯改性酚树脂(11.1质量%、三井化学制、商品名XLC-LL)、微细二氧化硅填料(7.8质量%、日本Aerosil制、商品名R972V)、硫醇系偶联剂(0.4质量%、日本UNICAR制、商品名A189)、脲基硅烷系偶联剂(0.8质量%、日本UNICAR制、商品名A-1160)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑(0.025质量%、四国化学制、商品名2PZ-CN)和含有环氧基的丙烯酸系橡胶(66.6质量%、帝国化学产业制、商品名HTR-860P-3),充分混炼得到清漆3。
(清漆4)
在具备温度计、搅拌机和氯化钙管的500ml的四口烧瓶中,在氮气氛下,装入2,2-双[4-(4氨基苯氧基)苯基]丙烷258.3g(0.63mol)和1,3-双(3-氨基丙基)-四甲基二硅氧烷10.4g(0.042mol),溶解于NMP1450g。
进而,将该溶液冷却到0℃,添加偏苯三酸酐氯化物180.4g(0.857mol)。偏苯三酸酐氯化物溶解后,添加三甲胺130g。在室温下持续搅拌2小时后,升温到180℃,反应5小时,完成酰亚胺化。
将得到的反应液投入甲醇中,使聚合体析出。将其干燥后,溶解于NMP,将NMP溶液投入甲醇中,再次使聚合体析出。将析出的聚合物减压干燥,得到了聚醚酰胺酰亚胺粉末。将得到的聚醚酰胺酰亚胺粉末120g和硅烷偶联剂(东丽道康宁(株)制、商品名SH6040)6g溶解于NMP,得到了芳香族聚醚酰胺酰亚胺的清漆4。
<粘接剂层的玻璃化转变温度>
将上述清漆1~4涂布于经过剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,然后,在室温(25℃)下将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜剥离,得到了厚25μm的粘接剂层。
在180℃条件下通过1小时的加热使得到的粘接剂层固化,然后从其中切出4×20mm尺寸的试样。对于该试样,使用精工电子制的TMA120,在Extension、升温速度:5℃/分钟、试样测定长度:10mm的条件下测定试样的位移量,得到表示位移量与温度的关系的曲线。从得到的曲线求出玻璃化转变温度(Tg)。将其结果示于表1。
[表1]
粘接剂层形成用清漆 | 1 | 2 | 3 | 4 |
玻璃化转变温度(Tg)(单位:℃) | 71 | 52 | 25 | 210 |
<两面粘接膜的制作>
(两面粘接膜1)
准备厚50μm的聚酰亚胺膜(宇部兴产(株)制的Upilex SGA、线膨胀系数:30ppm),将其作为“支持膜1”使用。在支持膜1的单面涂布上述清漆2,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,在支持膜1的一面上形成了厚25μm的第二粘接剂层。
接下来,在支持膜1的与第二粘接剂层相反的一侧的面,涂布清漆1,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,形成了厚25μm的第一粘接剂层。这样得到了两面粘接膜1。
(两面粘接膜2)
除了使用清漆3形成了第二粘接剂层以外,经过与两面粘接膜1同样的工序得到了3层构成的两面粘接膜2。
(两面粘接膜3)
除了代替支持膜1而使用厚50μm的聚萘二甲酸乙二醇酯膜(帝人杜邦膜制)作为“支持膜2”以外,经过与两面粘接膜1同样的工序,得到了3层构成的两面粘接膜3。
(两面粘接膜4)
将清漆1涂布于经过剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,形成了厚50μm的粘接剂层。采用同样的方法,使用清漆2在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上形成了厚50μm的粘接剂层。接下来,在80℃、10N/cm、2m/分的条件下将这2种粘接剂层贴合,将外侧的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜剥离,得到了厚100μm的两面粘接膜4。
(两面粘接膜5)
除了使用清漆1来形成第一粘接剂层和第二粘接剂层这两者以外,经过与两面粘接膜1同样的工序,得到了3层构成的两面粘接膜5。
(两面粘接膜6)
除了使用清漆4形成第一粘接剂层,使用清漆1形成第二粘接剂层以外,经过与两面粘接膜1同样的工序,得到了3层构成的两面粘接膜6。
(两面粘接膜7)
除了代替支持膜1而使用厚50μm的聚丙烯膜(东丽制、Torayfan、线膨胀系数:115ppm)作为“支持膜3”以外,经过与两面粘接膜1同样的工序,得到了5层构成的两面粘接膜7。
<支持膜的线膨胀系数>
从上述支持膜1~3,切出4×20mm的大小的试样。对于该试样,使用精工电子制的TMA120,在Extension、升温速度:5℃/分钟、试样测定长度:10mm的条件下测定试样的位移量,得到了线膨胀系数。将各支持膜的线膨胀系数示于表2。
[表2]
支持膜 | 1 | 2 | 3 |
线膨胀系数(单位:ppm) | 28 | 22 | 115 |
<两面粘接膜的评价>
(热收缩率)
从两面粘接膜1~7,切出80mm×80mm尺寸的试验片。在切出的试验片的各边中央分别打出评价点,测定相对的评价点间的长度,精确到0.001mm单位。
接着,在保持在180℃的炉中在能够自由收缩的状态下将试验片加热1小时。测定将加热后的试验片的与加热前相同的评价点间的长度,精确到0.001mm单位。将加热前后的评价点间的长度之差相对于加热前的评价点间的长度的比例作为热收缩率(%)。
(片翘曲)
从两面粘接膜1~7正确地切出12mm×12mm尺寸的试验片。将切出的试验片以第二粘接剂层成为铜引线框侧的方向加热压接于带银镀层的铜引线框。加热压接使用日化设备制的热压接试验机,在下述的条件下进行。
·热盘的温度:第二粘接层的玻璃化转变温度+60℃(例如,第二粘接剂层由清漆2形成的情况下,热盘的温度为112℃(=52℃+60℃))。
压接条件:10N×10秒
其次,将厚100μm的硅片切出为10×10mm。将切出的硅片放置于第一粘接剂层上,使用热压接试验机(日化设备制),在以下的条件下将硅片加热压接于铜引线框。
·热盘的温度:第一粘接层侧的玻璃化转变温度+60℃(例如,第一粘接剂层由清漆1形成的情况下,热盘的温度为131℃(=71℃+60℃))。
·压接条件:10N×10秒
然后,将由硅片、粘接膜和带银镀层的铜引线框构成的层叠体,在保持于180℃的炉中加热1小时,使用被接触式粗糙度测定机(KEYENCE制)对放冷后产生的硅片的翘曲(μm),采用在硅片的对角线上扫描12mm的方法进行了测定。
(最大溢出量)
使用用丙酮润湿的布完全擦去两面粘接膜1~7的第二粘接剂层,得到了支持膜和第一粘接剂层的2层构成的膜。将该2层构成的膜正确地切割为10mm×10mm的大小,夹持在2片的滑动玻璃(MATSUNAMI制、76mm×26mm×1.0-1.2mmt)之间,使用Tester产业社制热压接试验机在热盘上以10MPa、20秒的条件进行加热压接。此时的热盘的温度为第二粘接剂层的玻璃化转变温度+60℃(例如,第二粘接剂层由清漆2形成的情况下,热盘的温度为112℃(=52℃+60℃))。然后,使用奥林巴斯公司制金属显微镜和图像解析装置,计测粘接剂层从上述的10mm×10mm尺寸的支持膜的最大溢出量(μm)。需要说明的是,关于两面粘接膜4,由于不能用丙酮只擦去第二粘接剂层,因此使用了将清漆1涂布于剥离处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上,干燥而得到的厚50μm的粘接膜。此时,代替支持膜,计测粘接剂层从10mm×10mm尺寸的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的最大溢出量(μm)。
(膜厚变化)
从两面粘接膜1~7正确地切出10mm×10mm尺寸的试验片。采用度盘式测定器(Dial gauge)对该试验片的厚度进行5点测定,将其平均值记为H0。然后,用特氟隆片材夹持试验片,使用Tester产业社制热压接试验机在热盘上以1MPa、20秒的条件下进行热压。此时的热盘的温度为第一粘接剂层的玻璃化转变温度+60℃(例如,第一粘接剂层由清漆1形成的情况下,热盘的温度为131℃(=71℃+60℃))。采用度盘式测定器对热压后的两面粘接膜的厚度进行5点测定,将其平均值记为H1。由下式算出膜的厚度的变化。
膜厚变化(μm)=H1-H0
(表面粗糙度(Ra))
从两面粘接膜1~7正确地切出10mm×10mm尺寸的试验片。使该试验片的第二粘接剂层侧置于滑动玻璃(MATSUNAMI制、76mm×26mm×1.0-1.2mmt)上,在该状态下使用Tester产业社制热压接试验机,在1MPa、20秒的条件下进行热压。此时的热盘的温度为第二粘接剂层的玻璃化转变温度+60℃((例如,第二粘接剂层由清漆2形成的情况下,热盘的温度为112℃(=52℃+60℃))。使用被接触式粗糙度测定机(KEYENCE制)扫描10mm来测定热压后的第二粘接剂层表面的算术平均粗糙度(Ra)。
(空隙)
从两面粘接膜1~7正确地切出10mm×10mm尺寸的试验片。将该试验片夹持在2片滑动玻璃(MATSUNAMI制、76mm×26mm×1.0-1.2mmt)之间,使用Tester产业社制热压接试验机在热盘上在1MPa、20秒的条件下进行热压。此时的热盘的温度为第一粘接剂层的玻璃化转变温度+60℃(例如,第一粘接剂层由清漆1形成的情况下,热盘的温度为131℃(=71℃+60℃))。热压后对于第一粘接剂层和第二粘接剂层分别用光学显微镜确认有无产生粘接层中的空隙。
(剥离强度)
从两面粘接膜1~7正确地切出6mm×6mm尺寸的试验片。将该试验片按其第二粘接剂层成为引线框侧的方向加热压接于42合金引线框。加热压接使用热压接试验机(日化设备制),在下述的条件下进行。
·热盘的温度:第二粘接层的玻璃化转变温度+60℃(例如,第二粘接剂层由清漆2形成的情况下,热盘的温度为112℃(=52℃+60℃))。
压接条件:10N×10秒
在厚400μm的硅片从里面侧切出切痕至250μm的深度后,从表面侧施加力而割开,由此准备在硅片表面侧的端部具有厚150μm的突起部、单片化为5×5mm尺寸的硅片。将该硅片放置于第一粘接剂层上,使用热压接试验机(日化设备制),在以下的条件下将硅片加热压接于引线框。
·热盘的温度:第一粘接层侧的玻璃化转变温度+60℃(例如,第一粘接剂层由清漆1形成的情况下,热盘的温度为131℃(=71℃+60℃))。
·压接条件:10N×10秒
将由加热压接得到的由硅片、粘接膜和42合金引线框构成的层叠体在保持于180℃的炉中加热1小时。然后,测定将该层叠体在热板上在260℃、20秒下加热时的片的剥离强度。
将上述评价结果示于表3。
[表3]
如表3所示,两面粘接膜4的粘接膜的总厚度,与两面粘接膜1~3同样地为100μm,但由于不含支持膜,因此热收缩率非常大,为17%,而且最大溢出量、膜厚变化也大。因此,有可能产生元件在基板上搭载时的位置偏离、将元件搭载于基板后的粘接膜的加热工序中元件的位置偏离。
两面粘接膜5,由于不存在2个粘接剂层的Tg差,因此在第二粘接剂层的粘接温度下的第一粘接剂层的最大溢出量,即变形量变大,而且第一粘接剂层的表面粗糙度大。因此,元件搭载时不仅粘接层变得更容易流动而且容易产生位置偏离,而且粘接层的表面变粗糙,因此在元件搭载后有可能无法获得稳定的粘接强度。
两面粘接膜6,虽然2个粘接剂层的Tg的差为10℃以上,但第一粘接剂层的Tg超过了100℃,因此必须在200℃以上的高温下压接。因此,片翘曲大,而且将第二粘接剂层暴露于高温会产生空隙,粘接剂层的厚度变化大。因此,由于片翘曲而有可能产生元件的位置偏离。此外,由空隙导致的厚度变化会造成元件的搭载高度的波动有可能变大。
两面粘接膜7,由于支持膜的线膨胀系数为100ppm以上,因此热收缩率变大,为1.5%。因此,有可能产生将元件搭载于基板后的粘接膜的加热工序中的元件的位置偏离。
另一方面,根据两面粘接膜1~3,元件的线膨胀系数差的影响得到抑制,结果能够抑制翘曲。此外,压接时的热导致的两面粘接膜的变形也得到了抑制。此外,还能够抑制将元件搭载于基板后的粘接膜的加热工序中的粘接膜自身的收缩和膨胀。而且由剥离强度的值也可确认,两面粘接膜1~3具有作为半导体封装用或MEMS模块用使用时所需的粘接强度。
<两面粘接膜的制作>
(两面粘接膜5)
与上述同样地得到了两面粘接膜5。即,使用上述支持膜1作为支持膜,将清漆1涂布于支持膜的单面,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,在支持膜的单面形成了厚25μm的第一粘接剂层。
其次,在支持膜的与第一粘接剂层相反的一侧的面涂布清漆1,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,形成厚25μm的第二粘接剂层,得到了3层构成的两面粘接膜5。
(两面粘接膜8)
除了使用清漆2形成了第一粘接剂层和第二粘接剂层这两者以外,经过与两面粘接膜5同样的工序,得到了3层构成的两面粘接膜8。
(两面粘接膜9)
除了使用清漆3形成了第一粘接剂层和第二粘接剂层这两者以外,经过与两面粘接膜5同样的工序,得到了3层构成的两面粘接膜9。
(两面粘接膜10)
将清漆1涂布于剥离处理过的PET膜(帝人杜邦膜(株)制、ピユ一レツクスA31),在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,在PET膜上形成了第一粘接剂层。采用140℃的热层压,将该第一粘接剂层转印到厚50μm的聚酰亚胺膜(宇部兴产(株)制、Upilex SGA、线膨胀系数:30ppm)的两面,得到了三层构成的两面粘接膜10。
(两面粘接膜11)
除了代替清漆1而使用了清漆2以外,采用与两面粘接膜10同样的方法得到了三层构成的两面粘接膜11。
<流动量的计测>
从两面粘接膜5和8~11中正确地切出具有2mm×10mm的大小的试验片。如图3的平面图所示,将该试验片(两面粘接膜)夹持在42合金引线框3与4mm×4mm的玻璃片5之间,在140℃、50N下将玻璃片5压接90秒。
使用奥林巴斯制金属显微镜和图像解析装置,以微米单位计测压接前的两面粘接膜的宽度(a)和压接后的两面粘接膜的最大宽度(b)(图4),由下述式求出流动量。将各个流动量示于表4。
式流动量=(压接后的两面粘接膜的最大宽度(b))-(压接前的两面粘接膜的宽度(a))
<两面粘接膜的剥离强度的评价>
图8是表示剥离强度的测定方法的示意图。使用将推拉式计测器改进的图8所示的测定装置,测定片剥离强度,从而测定高温下的剥离粘接力。将其测定结果示于表4。
将400μm厚的硅片半切割为250μm厚,在里侧方向施加力而使其破裂,准备在端部具有150μm厚的突起部的5mm×5mm的硅片95。然后,将两面粘接膜裁切为5mm×5mm的大小,将其夹持在硅片95与42合金引线框80之间。边外加500g的荷重边在150℃条件下将两面粘接膜压接5秒,接着再在180℃条件下通过60分钟的加热使两面粘接膜后固化,得到了硅片95通过两面粘接膜的固化体的粘接层1a与42合金引线框80粘接的层叠体。
在热板11上通过42合金引线框的固定夹具12和试样固定部13将得到的层叠体固定,在260℃条件下加热20秒。接着,将安装于推拉式计测器70的片剥离夹具71挂在硅片95的突起部,在该状态下沿推拉式计测器图中箭头的方向拉伸,用推拉式计测器71检测此时的负荷,从而求出片剥离的剥离强度。一般地,该数值越高,在高温下的粘接层的破坏越难以发生。观察剥离后的破断面,判定破断模式属于图9那样的粘接剂层22的凝聚破坏(A)和图10那样的粘接剂层/支持膜10界面的破坏(B)中的哪一种。进而,使用在NMP或甲醇中浸渍了1周的试验片,采用与上述同样的方法测定剥离强度。将测定结果汇总示于表4。
[表4]
[表4]
如表4中所示,根据采用包含涂布的方法形成的两面粘接膜5、8和9,加热后和溶剂浸渍后维持了较高的剥离强度。特别是在流动量为0~2000μm的两面粘接膜5和8中,在甲醇浸渍后也维持了足够高的剥离强度。
<两面粘接膜的制作>
(两面粘接膜12)
在140℃/0.2MPa、1.0m/分钟条件下在上述两面粘接膜1的两侧层压聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(帝人杜邦膜制、商品名GE-50)。这样得到了在两面粘接膜1的两侧层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为覆盖膜的5层构成的两面粘接膜12。
(两面粘接膜13)
与上述同样地,得到了在两面粘接膜5的两侧层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为覆盖膜的5层构成的两面粘接膜13。
(两面粘接膜14)
与上述同样地,得到了在两面粘接膜9的两侧层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为覆盖膜的5层构成的两面粘接膜14。
(两面粘接膜15)
与上述同样地,得到了在两面粘接膜3的两侧层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为覆盖膜的5层构成的两面粘接膜15。
(两面粘接膜16)
除了代替支持膜1而使用厚50μm的聚乙烯膜(Tamapoly制、商品名NF-15、线膨胀系数:160ppm)作为“支持膜4”以外,经过与两面粘接膜12同样的工序,得到了5层构成的两面粘接膜16。
(两面粘接膜17)
与上述同样地,得到了在两面粘接膜7的两侧层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为覆盖膜的5层构成的两面粘接膜17。
(两面粘接膜18)
除了使用清漆4形成了第一粘接剂层和第二粘接剂层以外,经过与两面粘接膜12同样的工序,得到了5层构成的两面粘接膜18。
(两面粘接膜19)
将清漆1涂布于剥离处理过的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上,在80℃条件下加热30分钟,接着在150℃条件下加热30分钟,然后,在室温(25℃)下将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜剥离,形成了厚100μm的粘接剂层。进而,在140℃/0.2MPa、1.0m/分钟条件下在其两侧层压聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(帝人杜邦膜制、商品名GE-50)。这样得到了在单层的粘接剂层的两侧层叠了聚对苯二甲酸乙二醇酯膜作为覆盖膜的3层构成的两面粘接膜19。
<支持膜的线膨胀系数>
从上述支持膜4切出4×20mm的尺寸的试样。对于该试样,使用精工电子制的TMA120,在Extension、升温速度:5℃/分钟、试样测定长度:10mm的条件下测定试样的位移量,得到了线膨胀系数。其结果,支持膜4的线膨胀系数为160ppm。
<两面粘接膜的评价>
(外观异物)
从各两面粘接膜切出100mm×100mm的试样,使用冲头或切割刀,在试样的10个位置上开0.5~10mm的孔。
然后,具有覆盖膜的情况下将其剥离后,使用奥林巴斯公司制金属显微镜和图像解析装置观察两面粘接膜的外观,确认膜上或加工点处的500μm以上的绒须、毛刺等异物的有无。
(热收缩率)
从各两面粘接膜切出80mm×80mm尺寸的试验片,在具有覆盖膜的情况下将其剥离后,切出80mm×80mm尺寸的试验片。在切出的试验片的各边中央分别打评价点,测定相对的评价点间的长度,精确到0.001mm单位。
其次,在保持在180℃的炉中以能够自由收缩的状态将试验片加热1小时。测定加热后的试验片与加热前相同的评价点间的长度,精确到0.001mm单位。将加热前后的评价点间的长度之差相对于加热前的评价点间的长度的比例值作为热收缩率(%)。
(片翘曲)
从各两面粘接膜正确地切出12mm×12mm尺寸的试验片,在具有覆盖膜的情况下将其剥离后,正确地切出12mm×12mm尺寸的试验片。将切出的试验片置于42A的引线框上。
其次,将厚100μm的硅片切出为10mm×10mm尺寸。使用热压接试验机(日化设备工程(株)制),在下述所示的条件下将硅片加热压接于引线框上。使用非接触式粗糙度测定机(KEYENCE制)测定加热压接时产生的硅片翘曲。
热盘的温度:第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度+80℃(例如,使用清漆2形成了第二粘接剂层的两面粘接膜的情况下,热盘的温度设定为52℃+60℃=112℃。)
硅片的压接条件:10N×10秒
将两面粘接膜的构成和评价结果示于表5和表6。
[表5]
两面粘接膜 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
支持膜 | 1 | 1 | 1 | 2 | 3 | 4 | 1 |
第一粘接剂层 | 1 | 1 | 3 | 1 | 1 | 1 | 4 |
第二粘接剂层 | 2 | 1 | 3 | 2 | 2 | 2 | 4 |
覆盖膜 | 有 | 有 | 有 | 有 | 有 | 有 | 有 |
外观异物 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 | 无 |
热收缩率(%) | <0.3 | <0.3 | <0.3 | <0.3 | 2.3 | 1.5 | <0.3 |
片翘曲(μm) | 65 | 80 | 60 | 60 | 70 | 70 | 250 |
[表6]
两面粘接膜 | 1 | 5 | 9 | 3 | 19 |
支持膜 | 1 | 1 | 1 | 2 | 无 |
第一粘接剂层 | 1 | 1 | 3 | 1 | 1 |
第二粘接剂层 | 2 | 1 | 3 | 2 | 无 |
覆盖膜 | 无 | 无 | 无 | 无 | 有 |
外观异物 | 有 | 有 | 有 | 有 | 无 |
热收缩率(%) | <0.3 | <0.3 | <0.3 | <0.3 | 15 |
片翘曲(μm) | 65 | 80 | 60 | 60 | 80 |
如表5和表6所示,在两面粘接膜12~18中,没有发现由开孔加工导致的异物的存在,确认已将异物与覆盖膜一起除去。而且,两面粘接膜12~18也实现了低热收缩率,能够抑制与加热相伴的变形。特别是使用了具有100ppm以下的线膨胀系数的支持膜的两面粘接膜12~15和18,实现了小于0.3的低热收缩率。此外,固化后的粘接剂层的Tg小于100℃的两面粘接膜12~17,在片翘曲抑制方面,发挥了优异的特性。
另一方面,没有使用覆盖膜的两面粘接膜1、5、9和3中,发现了与开孔加工相伴的异物的存在。此外,没有使用支持膜的两面粘接膜19,热收缩率大,容易产生加热引起的变形。
[产业上的利用可能性]
本发明涉及的两面粘接膜可适合用于将IC、LSI、LED和分离半导体这样的半导体元件、以及MEMS元件中一方或两方粘接于引线框、陶瓷基板、玻璃环氧基板、BT基板、聚酰亚胺基板和液晶聚合物基板等基板。
[附图标记的说明]
1a…粘接层、2…电子部件模块、3…透镜、5…LED打印机头、7…感光鼓、10…支持膜、11…热板、12…42合金引线框的固定夹具、13…样品固定部、21…第一粘接剂层、22…第二粘接剂层、31,32…覆盖膜、40…基板、45…元件(LED片)、50…光、60…规定的位置、70…推拉式计测器、71…片剥离夹具、80…42合金引线框、90…玻璃片、95…硅片、100…两面粘接膜。
Claims (35)
1.一种两面粘接膜,其具备支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层,
所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下,所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层:将清漆直接涂布于所述支持膜,将涂布的清漆干燥。
2.根据权利要求1所述的两面粘接膜,其中,所述第一粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度比所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度高10℃以上。
3.根据权利要求1或2所述的两面粘接膜,其中,所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的流动量为0~2000μm。
4.根据权利要求1~3任一项所述的两面粘接膜,其中,所述第一粘接剂层和/或所述第二粘接剂层含有热塑性树脂和热固化性树脂。
5.根据权利要求4所述的两面粘接膜,其中,所述第一粘接剂层和/或所述第二粘接剂层还含有填料。
6.根据权利要求4或5所述的两面粘接膜,其中,所述热塑性树脂包含聚酰亚胺树脂。
7.根据权利要求4~6任一项所述的两面粘接膜,其中,所述热塑性树脂的玻璃化转变温度为100℃以下。
8.根据权利要求1~7任一项所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜具有100ppm以下的线膨胀系数。
9.根据权利要求1~8任一项所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜具有100℃以上的玻璃化转变温度。
10.根据权利要求1~9任一项所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚酰胺酰亚胺、聚醚砜、全芳香族聚酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
11.根据权利要求10所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜是选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
12.根据权利要求12所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜为选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
13.一种电子部件模块,其具有基板、搭载于该基板且选自半导体元件和MEMS元件中的多个元件、及在所述基板和所述元件之间存在的粘接层,所述粘接层由权利要求1~12任一项所述的两面粘接膜形成。
14.根据权利要求1~12任一项所述的两面粘接膜,其具有在所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层各自的与所述支持膜相反的一侧的面层叠的覆盖膜,其用于将半导体元件和/或MEMS元件粘接于基板。
15.根据权利要求14所述的两面粘接膜,其通过包括对两面粘接膜进行开孔加工的工序、从经开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜除去的工序的方法,用于将半导体元件和/或MEMS元件粘接于基板。
16.根据权利要求15所述的两面粘接膜,其中,从经开孔加工的两面粘接膜,与由开孔加工产生的异物一起将覆盖膜除去。
17.一种电子部件模块,其具有基板、搭载于该基板且选自半导体元件和MEMS元件中的多个元件、及在所述基板和所述元件之间存在的粘接层,所述粘接层由覆盖膜被除去的权利要求14~16任一项所述的两面粘接膜形成。
18.一种两面粘接膜,其具有支持膜、在该支持膜的一面层叠的第一粘接剂层和在该支持膜的另一面层叠的第二粘接剂层,
所述第一粘接剂层和所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度为100℃以下,所述第一粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度比所述第二粘接剂层的固化后的玻璃化转变温度高10℃以上,所述支持膜具有100ppm以下的线膨胀系数。
19.根据权利要求18所述的两面粘接膜,其中,所述第一粘接剂层含有热塑性树脂、热固化性树脂和填料。
20.根据权利要求18或19所述的两面粘接膜,其中,所述第二粘接剂层含有热塑性树脂、热固化性树脂和填料。
21.根据权利要求18~20任一项所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜是选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚酰胺酰亚胺、聚醚砜、全芳香族聚酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
22.一种电子部件模块,其具有基板、搭载于该基板且选自半导体元件和MEMS元件中的多个元件、及在所述基板和所述元件之间存在的粘接层,所述粘接层由权利要求18~21任一项所述的两面粘接膜形成。
23.一种两面粘接膜,其具有支持膜、在该支持膜的两面分别层叠的粘接剂层,所述粘接剂层是能够采用包括如下工序的方法形成的层:将清漆直接涂布于所述支持膜,将涂布的清漆干燥,
所述粘接剂层的流动量为0~2000μm,固化后的所述粘接剂层具有100℃以下的玻璃化转变温度。
24.根据权利要求23所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜具有100℃以上的玻璃化转变温度和100ppm以下的线膨胀系数。
25.根据权利要求23或24所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜是选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚酰胺酰亚胺、聚醚砜、全芳香族聚酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
26.根据权利要求1~3任一项所述的两面粘接膜,其中,所述粘接剂层含有聚酰亚胺树脂和热固化性树脂。
27.一种电子部件模块,其具有基板、搭载于该基板且选自半导体元件和MEMS元件中的元件、及在所述基板和所述元件之间存在的粘接层,所述粘接层由权利要求23~26任一项所述的两面粘接膜形成。
28.一种两面粘接膜,其具有支持膜、在该支持膜的两面分别层叠的粘接剂层、在各粘接剂层的与所述支持膜相反的一侧的面层叠的覆盖膜,其用于将半导体元件和/或MEMS元件粘接于基板。
29.根据权利要求28所述的两面粘接膜,其通过包括对两面粘接膜进行开孔加工的工序、从经开孔加工的两面粘接膜将覆盖膜除去的工序的方法,用于将半导体元件和/或MEMS元件粘接于基板。
30.根据权利要求29所述的两面粘接膜,其中,从经开孔加工的两面粘接膜,与由开孔加工产生的异物一起将覆盖膜除去。
31.根据权利要求28~30任一项所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜具有100ppm以下的线膨胀系数,固化后的所述粘接剂层具有低于100℃的玻璃化转变温度。
32.根据权利要求28~31任一项所述的两面粘接膜,其中,所述支持膜是选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚醚砜、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚酮、聚芳酯、聚醚酰胺、聚醚酰亚胺、聚醚酰胺酰亚胺、聚醚砜、全芳香族聚酯和液晶聚合物中的聚合物的膜。
33.根据权利要求28~32任一项所述的两面粘接膜,其中,各个所述粘接剂层具有彼此相同的组成。
34.根据权利要求28~33任一项所述的两面粘接膜,其中,各个所述粘接剂层含有热固化性树脂、填料和具有100℃以下的玻璃化转变温度的热塑性树脂。
35.一种电子部件模块,其具有基板、搭载于该基板且选自半导体元件和MEMS元件中的多个元件、及在所述基板与所述元件之间存在的粘接层,
所述粘接层由覆盖膜被除去的权利要求28~34任一项所述的两面粘接膜形成。
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