CN102134707B - 沉积源、具有该沉积源的沉积装置和形成薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种沉积源、一种具有该沉积源的沉积装置和一种形成薄膜的方法。所述沉积源包括：第一沉积源部分，所述第一沉积源部分被构造为储存沉积材料；第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离，并被构造为储存所述沉积材料，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分被构造为在加热或冷却所述沉积材料时交替地提供所述沉积材料；供给部分，被构造为从所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分接收蒸发的沉积材料；喷嘴部分，被构造为从所述供给部分接收所述沉积材料。
Description
技术领域
实施例涉及一种沉积源、一种具有该沉积源的沉积装置和一种形成薄膜的方法。
背景技术
通常，使用沉积装置来沉积各种电子部件例如电子和显示设备(例如，半导体、液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示设备)的薄膜。
例如，OLED显示设备可以包括通过在基底上沉积阳极、一个或多个有机薄膜和阴极而形成的有机发射层。有机薄膜可以通过热沉积工艺在高真空室中形成。例如，基底可以放置在高真空室的上部，沉积源可以设置在高真空室的下部。可以使容纳在沉积源的坩埚中的粉末有机材料蒸发，蒸发的有机材料在高真空下以气体形式分散，因此附着到基底上。附着的有机材料会固化，从而在基底上形成薄膜。
发明内容
因此，实施例涉及一种沉积源、一种具有该沉积源的沉积装置和一种形成薄膜的方法，基本上克服了由于现有技术的局限性和缺点导致的一个或多个问题。
因此，实施例的特征在于提供一种能够冷却不用于沉积的坩埚的沉积源，以防止沉积材料因热而降解并提高沉积材料的使用效率，另外提供了一种具有该沉积源的沉积装置和一种形成薄膜的方法。
以上和其它特征及优点中的至少一个可以通过提供一种沉积源来实现，所述沉积源包括：第一沉积源部分，所述第一沉积源部分被构造为储存沉积材料；第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离，并被构造为储存所述沉积材料，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分被构造为在加热或冷却所述沉积材料时交替地提供所述沉积材料；供给部分，被构造为从所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分接收蒸发的沉积材料；喷嘴部分，被构造为从所述供给部分接收所述沉积材料。
所述第一沉积源部分可以被构造为在所述第二沉积源部分被冷却时加热储存在所述第一沉积源部分中的沉积材料，所述第二沉积源部分可以被构造为在所述第一沉积源部分被冷却时加热储存在所述第二沉积源部分中的沉积材料。
所述第一沉积源部分可以包括：第一坩埚，被构造为储存所述沉积材料；第一加热器，位于所述第一坩埚上；第一冷却器，位于所述第一坩埚上；第一供给管，所述第一供给管将所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分连接；第一阀，所述第一阀被构造为打开和关闭所述第一供给管，以控制所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分之间的流通。
所述第二沉积源部分可以包括：第二坩埚，被构造为储存所述沉积材料；第二加热器，位于所述第二坩埚上；第二冷却器，位于所述第二坩埚上；第二供给管，所述第二供给管将所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分连接；第二阀，所述第二阀被构造为打开和关闭所述第二供给管，以控制所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分之间的流通。
所述供给部分可以包括：第三供给管，与所述第一沉积源部分、所述第二沉积源部分和所述喷嘴部分连接；第三阀，所述第三阀被构造为打开和关闭所述第三供给管，以控制与所述喷嘴部分的流通。
所述喷嘴部分可以包括与所述供给部分连接的主体和安装在所述主体上的至少一个喷射口。
所述第一坩埚与所述第二坩埚之间的流通可以由所述第一阀和所述第二阀控制，所述第一坩埚与所述喷嘴部分之间的流通可以由所述第一阀和所述第三阀控制，所述第二坩埚与所述喷嘴部分之间的流通可以由所述第二阀和所述第三阀控制。
在沉积工艺正在进行时，所述第一供给管和所述第二供给管中的一个可以与所述喷嘴部分处于流通状态，所述第一供给管和所述第二供给管中的另一个与所述喷嘴部分隔离，在所述沉积工艺正在进行时，所述第三供给管可以与所述喷嘴部分处于流通状态。
在所述沉积工艺完成后，所述第一沉积源部分可以与所述第二沉积源部分处于连通状态，当所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分处于彼此流通状态时，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分与所述喷嘴部分隔离。
以上和其它特征及优点中的至少一个还可以通过提供一种沉积装置来实现，所述沉积装置包括：沉积室；第一沉积源部分，所述第一沉积源部分被构造为储存沉积材料；第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离，并被构造为储存所述沉积材料，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分被构造为在加热或冷却所述沉积材料时交替地向所述沉积室提供所述沉积材料；供给部分，被构造为从所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分接收所述沉积材料；喷嘴部分，被构造为从所述供给部分接收所述沉积材料，所述喷嘴部分被构造为将所述沉积材料喷射到所述沉积室中。
所述沉积装置还可以包括具有图案的掩模，所述掩模设置在基底和所述喷嘴部分之间。
以上和其它特征及优点中的至少一个还可以通过提供一种在基底上沉积材料的方法来实现，所述方法包括：加热储存在第一沉积源部分中的沉积材料，以蒸发所述沉积材料；冷却第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离；冷却所述第一沉积源部分，并加热储存在第二沉积源部分中的沉积材料，从而将来自所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分的蒸发的沉积材料交替地提供到供给部分；将所述蒸发的沉积材料从所述供给部分提供到喷嘴部分。
所述方法还可以包括：提供第一基底，所述第一基底布置为从所述喷嘴部分接收所述蒸发的沉积材料；在所述第一基底上形成沉积材料的薄膜；去除其上具有所述薄膜的所述第一基底；在去除所述第一基底之后提供第二基底，所述第二基底布置为从所述喷嘴部分接收蒸发的沉积材料。
可以在去除所述第一基底时将蒸发的沉积材料从所述第一沉积源部分提供到所述第二沉积源部分。
所述第一沉积源部分可以包括：第一坩埚，被构造为储存所述沉积材料；第一加热器，位于所述第一坩埚上；第一冷却器，位于所述第一坩埚上；第一供给管，所述第一供给管将所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分连接；第一阀，所述第一阀被构造为打开和关闭所述第一供给管，以控制所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分之间的流通。所述第二沉积源部分可以包括：第二坩埚，被构造为储存所述沉积材料；第二加热器，位于所述第二坩埚上；第二冷却器，位于所述第二坩埚上；第二供给管，所述第二供给管将所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分连接；第二阀，所述第二阀被构造为打开和关闭所述第二供给管，以控制所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分之间的流通。所述供给部分可以包括：第三供给管，将所述第一沉积源部分、所述第二沉积源部分和所述喷嘴部分连接；第三阀，所述第三阀被构造为打开和关闭所述第三供给管，以控制与所述喷嘴部分的流通，在去除所述第一基底时将蒸发的沉积材料从所述第一沉积源部分提供到所述第二沉积源部分的步骤可以包括在关闭所述第三阀的同时打开所述第一阀和所述第二阀。
当提供所述第二基底并且储存在所述第一坩埚中的沉积材料的量足以在所述第二基底上形成薄膜时，可以通过所述第一供给管和所述第三供给管将沉积材料从所述第一坩埚提供到所述喷嘴部分。
可以经由所述第一供给管和所述第三供给管将所述沉积材料从所述第一坩埚提供到所述第二基底，所述第一阀和所述第三阀是打开的，所述第二阀可以是关闭的以隔离所述第二坩埚。
当提供所述第二基底并且储存在所述第一坩埚中的沉积材料的量用完或者不足以在所述第二基底上形成薄膜时，停止所述第二冷却器，可以使用所述第二加热器加热所述第二坩埚以加热储存在所述第二坩埚中的所述沉积材料，可以停止所述第一加热器，并可以使用所述第一冷却器冷却所述第一坩埚。
可以在加热所述第二坩埚之后蒸发储存在所述第二坩埚中的沉积材料，通过所述第二供给管和所述第三供给管将沉积材料从所述第二坩埚提供到所述喷嘴部分。
通过所述第二供给管和所述第三供给管将所述沉积材料从所述第二坩埚提供到所述喷嘴部分的步骤可以包括关闭所述第一阀并且打开所述第二阀和所述第三阀。
附图说明
通过参考附图详细描述示例实施例，对于本领域技术人员而言，以上和其它特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1示出了根据示例实施例的沉积装置的示意图；
图2示出了根据示例实施例的沉积源的示意图。
具体实施方式
现在，在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同形式来实施，不应该被理解为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例使本公开将是彻底的且完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰地示出，会夸大层和区域的尺寸。相同的标号始终表示相同的元件。
图1示出了根据示例实施例的沉积装置的示意图，图2示出了根据示例实施例的沉积源的示意图。
参照图1和图2，沉积装置1可以包括室5。室5可以被构造为在其中容纳基底S。沉积装置1还可以包括沉积源10，沉积源10用于喷射将要沉积在基底S上的沉积材料。基底S和沉积源10可以布置为彼此相对。例如，如图1所示，基底S可以设于室5内部的上部，沉积源10可以设于室5内部的下部。
可以将室5排空。例如，可以通过真空泵(未示出)将室5的内部保持在真空。
其上具有图案的掩模M可以设置在基底S和沉积源10之间。沉积材料可以根据掩模M的图案沉积在基底S上。
沉积源10可以包括多个沉积源，例如第一沉积源部分20和第二沉积源部分30。沉积源10还可以包括供给部分40和喷嘴部分50。
第一沉积源部分20和第二沉积源部分30可以储存沉积材料。第一沉积源部分20和第二沉积源部分30可以交替地提供沉积材料。第一沉积源部分20和第二沉积源部分30可以各自被构造为将其中储存的沉积材料蒸发和冷却。
当第一沉积源部分20提供沉积材料时，第二沉积源部分30可以被隔离，即，第二沉积源部分30可以不提供沉积材料。当第二沉积源部分30提供沉积材料时，第一沉积源部分20可以不提供沉积材料。
根据工艺环境，沉积材料可以储存在第一沉积源部分20和第二沉积源部分30中。在另一实施方案中，沉积材料可以最初仅储存在第一沉积源部分20和第二沉积源部分30中的一个中。第一沉积源部分20和第二沉积源部分30可以被构造为例如在基底被装载/卸载的时段期间使沉积材料在彼此之间例如双向地移动。
沉积材料可以包括例如金属、有机材料、无机材料等。例如，沉积材料可以包括用于形成有机发光二极管(OLED)的有机层的材料。
第一沉积源部分20可以包括储存有沉积材料的第一坩埚21以及均安装在第一坩埚21中的第一加热器22和第一冷却器23。第一加热器22可以向第一坩埚21提供热，由此加热第一坩埚21。第一冷却器23可以吸收来自第一坩埚21的热，由此冷却第一坩埚21。因此，第一加热器22可以加热第一坩埚21，或者第一冷却器23可以冷却第一坩埚21，从而将储存在第一坩埚21中的沉积材料加热或冷却。
第一沉积源部分20可以包括第一供给管24，第一供给管24将第一坩埚21连接到供给部分40，并将第一坩埚21连接到第二沉积源部分30。第一沉积源部分20可以包括第一阀25，第一阀25安装在第一供给管24上，并被构造为控制经过第一供给管24的沉积材料的移动。
第一加热器22可以被构造为使得加热装置围绕第一坩埚21。加热装置可以包括加热丝。
第一冷却器23可以被构造为使得冷却装置围绕第一坩埚21。冷却装置可以包括冷却气体或水流经的冷却线路。
为了有效地加热或冷却第一坩埚21，第一加热器22优选地形成为不与第一冷却器23叠置。
第二沉积源部分30可以包括储存有沉积材料的第二坩埚31以及均安装在第二坩埚31中的第二加热器32和第二冷却器33。第二加热器32可以向第二坩埚31提供热，由此加热第二坩埚31。第二冷却器33可以吸收来自第二坩埚31的热，由此冷却第二坩埚31。
第二加热器32可以加热第二坩埚31，或者第二冷却器33可以冷却第二坩埚31，从而加热或冷却储存在第二坩埚31中的沉积材料。
第二沉积源部分30可以包括第二供给管34，第二供给管34将第二坩埚31连接到供给部分40，并将第二坩埚31连接到第一沉积源部分20。第二沉积源部分30可以包括第二阀35，第二阀35安装在第二供给管34上，并控制经过第二供给管34的沉积材料的移动。
第二加热器32可以被构造为使得加热装置围绕第二坩埚31。加热装置可以包括加热丝。
第二冷却器33可以被构造为使得冷却装置围绕第二坩埚31。冷却装置可以包括冷却气体或水流经的冷却线路。
为了有效地加热或冷却第二坩埚31，第二加热器32优选地被形成为不与第二冷却器33叠置。
供给部分40可以连接到第一沉积源部分20、第二沉积源部分30和喷嘴部分50，并可以用作从第一沉积源部分20和/或第二沉积源部分30提供的沉积材料所流经的通道。沉积材料可以通过供给部分40提供到喷嘴部分50。此外，沉积材料可以通过按“T”形结合到供给部分40的一部分的流动路径从第一沉积源部分20提供到第二沉积源部分30(和/或从第二沉积源部分30提供到第一沉积源部分20)。
供给部分40可以包括第三供给管41，第三供给管41将第一沉积源部分20和第二沉积源部分30中的每个与喷嘴部分50连接。供给部分40可以包括安装在第三供给管41上的第三阀42，第三阀42控制(从第一沉积源部分20和/或第二沉积源部分30提供的)沉积材料到喷嘴部分50的移动。
第一沉积源部分20的第一供给管24、第二沉积源部分30的第二供给管34和供给部分40的第三供给管41可以彼此连接。可以通过各个阀25、35、42中的一个或多个阀的操作来控制流通(flow communication)。
喷嘴部分50可以与供给部分40连接，并可以用于将从供给部分40提供的蒸发的沉积材料经由掩模M喷射到室5中，例如喷射到基底S上。喷嘴部分50可以包括与供给部分40连接的主体51和安装在主体51上的至少一个喷射口52。
现在将描述使用在图1中示出的沉积装置1在基底S上沉积沉积材料并形成薄膜的方法。为了以下描述目的，假设第一沉积源部分20首先提供沉积材料。此外，假设第一沉积源部分20最初储存沉积材料，而第二沉积源部分30最初不储存沉积材料。然而，实施例不限于此操作顺序。
首先，当将基底S设于室5中时，可以通过真空泵将室5保持在真空。
当沉积材料将要被沉积时，第一沉积源部分20可以通过供给部分40将沉积材料提供到喷嘴部分50，第二沉积源部分30可以被隔离，即可以不提供沉积材料。
例如，当第一加热器22加热第一坩埚21时，储存在第一坩埚21中的沉积材料会因热而蒸发，从而蒸发的沉积材料沿着第一供给管24移动。沿着第一供给管24移动的沉积材料可以通过供给部分40的第三供给管41提供到喷嘴部分50。
喷嘴部分50可以朝基底S喷射沉积材料。喷射的沉积材料可以通过掩模M沉积在基底S上，从而在基底S上形成图案与掩模M对应的薄膜。
此时，第一沉积源部分20的第一阀25可以保持打开，使得第一供给管24是打开的，即处于流通状态。供给部分40的第三阀42还可以保持为打开，使得第三供给管41是打开的。
同时，第二沉积源部分30的第二阀35可以保持关闭，使得第二供给管34是关闭的。因此，可以防止沉积材料沿着第二供给管34移动。
此外，在来自第一沉积源部分20的沉积期间，可以通过第二冷却器33的操作来冷却第二坩埚31，使得第二沉积源部分30可以保持冷却。
当完成向基底S上的沉积时，可以将其上具有薄膜的基底S从室5卸载，并可以将其上将要形成薄膜的新的基底S装载到室5中。
在卸载和装载基底的同时，可以改变第一阀25和第三阀42的打开状态以及第二阀35的关闭状态(即，用于沉积的阀状态)，使得第一阀25和第二阀35保持打开，并且第三阀42保持关闭。在这种构造中，从第一沉积源部分20提供的沉积材料不移动到喷嘴部分50，而是移动到第二沉积源部分30。
如上所述，在不发生基底沉积的时段期间，可以提供从第一沉积源部分20到第二沉积源部分30的流通。当冷却第二沉积源部分30时，因来自第一坩埚21的热而蒸发的沉积材料会聚集并储存在第二坩埚31中。沉积材料在冷却时可以是粉末形式。因此，在不执行材料的沉积时，蒸发的沉积材料可以例如作为粉末而储存在第二坩埚31中。因此，可以减少或防止沉积材料因热而降解(degrade)，并可以提高沉积材料的使用效率。
当完成基底S的卸载和装载时，可以再次执行沉积工艺，从而在第二个装载的基底S上形成薄膜。如果储存在第一坩埚21中的沉积材料的量足够，则可以打开第三阀42，使得沉积材料通过供给部分40从第一沉积源部分20提供到喷嘴部分50。
相反，如果储存在第一坩埚21中的沉积材料的量不足或用完，则可以关闭第一阀25，并可以打开第二阀35和第三阀42。
为了冷却第一坩埚21，第一沉积源部分20可以被构造为停止第一加热器22的操作以及开始第一冷却器23的操作。为了加热第二坩埚31，第二沉积源部分30可以被构造为停止第二冷却器33的操作以及开始第二加热器32的操作。
因此，可以通过第二加热器32的操作来加热第二坩埚31，可以使储存在第二坩埚31中的沉积材料蒸发，并通过供给部分40提供到喷嘴部分50。喷嘴部分50可以朝基底S喷射沉积材料，喷射的沉积材料可以通过掩模M沉积在基底S上，从而形成薄膜。
可以重复包括在第一沉积源部分20和第二沉积源部分30之间交换沉积材料的沉积操作，直到储存在第一沉积源部分20和第二沉积源部分30中的沉积材料用完或不足以形成任何更多的薄膜为止。
如上所述，实施例涉及沉积源以及具有该沉积源的沉积装置和形成薄膜的方法，所述沉积源能够防止沉积材料因热而改性或降解，并能够提高沉积材料的使用效率。可以在不执行沉积时将蒸发的沉积材料储存在冷却的坩埚中，并且可以通过随后的加热循环将沉积材料从冷却的坩埚再提供到基底。
沉积源可以各自配备有位于其中的坩埚和在其周围的热丝加热器。当通过电能向热丝加热器提供动力时，其加热丝是耐热的从而发射辐射热，可以使用该红外线辐射热来加热坩埚。沉积源可以被构造为用作线性沉积源，该线性沉积源可以用于在大区域的基底上均匀地沉积材料。例如，线性沉积源可以沿长度方向安装，使得其尺寸对应于基底的尺寸。
为了提高作为线性沉积源优点的低材料使用效率，可以将坩埚与沉积喷嘴单元分离，并可以将截止阀应用在坩埚和沉积喷嘴单元之间。可以仅打开截止阀，以执行沉积。关闭截止阀可以有助于防止沉积材料的浪费，并可以有助于延长维修操作之间的时段。此外，在将截止阀关闭时，通过将加热的坩埚放置为与冷却的另一坩埚处于流通状态，可以避免坩埚中的压力升高，因此减少或防止了其中的沉积材料的降解。这可以有助于避免在沉积操作期间沉积材料的降解，由此提高了沉积装置和操作的产率和可靠性。
在此已经公开了示例实施例，虽然采用了具体术语，但是这些术语仅是以一般的且描述性的意思来使用和解释，其目的并不在于限制。例如，各个沉积源部分可向对应的基底提供蒸发的沉积源材料(例如，使得第一基底接收从第一沉积源部分提供的蒸发的沉积材料，第二基底接收从第二沉积源部分提供的蒸发的沉积材料)，或者可各自向一系列基底提供蒸发的材料，或者它们的组合。因此，本领域普通技术人员应当理解，在不脱离如权利要求书阐述的本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节方面做出各种改变。
Claims (18)
1.一种沉积源，所述沉积源包括：
第一沉积源部分，所述第一沉积源部分被构造为储存沉积材料；
第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离，并被构造为储存所述沉积材料，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分被构造为在加热或冷却所述沉积材料时交替地提供所述沉积材料；
供给部分，所述供给部分被构造为从所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分接收蒸发的沉积材料；
喷嘴部分，所述喷嘴部分被构造为从所述供给部分接收所述沉积材料，
其中，所述第一沉积源部分被构造为在所述第二沉积源部分被冷却时加热储存在所述第一沉积源部分中的沉积材料，所述第二沉积源部分被构造为在所述第一沉积源部分被冷却时加热储存在所述第二沉积源部分中的沉积材料，
其中，在所述沉积工艺完成后，所述第一沉积源部分与所述第二沉积源部分处于连通状态，当所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分处于彼此流通状态时，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分都与所述喷嘴部分隔离。
2.如权利要求1所述的沉积源，其中，所述第一沉积源部分包括：
第一坩埚，被构造为储存所述沉积材料；
第一加热器，位于所述第一坩埚上；
第一冷却器，位于所述第一坩埚上；
第一供给管，所述第一供给管将所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分连接；
第一阀，所述第一阀被构造为打开和关闭所述第一供给管，以控制所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分之间的流通。
3.如权利要求2所述的沉积源，其中，所述第二沉积源部分包括：
第二坩埚，被构造为储存所述沉积材料；
第二加热器，位于所述第二坩埚上；
第二冷却器，位于所述第二坩埚上；
第二供给管，所述第二供给管将所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分连接；
第二阀，所述第二阀被构造为打开和关闭所述第二供给管，以控制所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分之间的流通。
4.如权利要求3所述的沉积源，其中，所述供给部分包括：
第三供给管，与所述第一沉积源部分、所述第二沉积源部分和所述喷嘴部分连接；
第三阀，所述第三阀被构造为打开和关闭所述第三供给管，以控制与所述喷嘴部分的流通。
5.如权利要求4所述的沉积源，其中，所述喷嘴部分包括：
主体，与所述供给部分连接；
安装在所述主体上的至少一个喷射口。
6.如权利要求4所述的沉积源，其中：
所述第一坩埚与所述第二坩埚之间的流通由所述第一阀和所述第二阀控制，
所述第一坩埚与所述喷嘴部分之间的流通由所述第一阀和所述第三阀控制，
所述第二坩埚与所述喷嘴部分之间的流通由所述第二阀和所述第三阀控制。
7.如权利要求3所述的沉积源，其中：
在沉积工艺正在进行时，所述第一供给管和所述第二供给管中的一个与所述喷嘴部分处于流通状态，所述第一供给管和所述第二供给管中的另一个与所述喷嘴部分隔离，
在所述沉积工艺正在进行时，所述第三供给管与所述喷嘴部分处于流通状态。
8.一种沉积装置，所述沉积装置包括：
沉积室；
第一沉积源部分，所述第一沉积源部分被构造为储存沉积材料；
第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离，并被构造为储存所述沉积材料，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分被构造为在加热或冷却所述沉积材料时交替地向所述沉积室提供所述沉积材料；
供给部分，被构造为从所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分接收所述沉积材料；
喷嘴部分，被构造为从所述供给部分接收所述沉积材料，所述喷嘴部分被构造为将所述沉积材料喷射到所述沉积室中，
其中，所述第一沉积源部分被构造为在所述第二沉积源部分被冷却时加热储存在所述第一沉积源部分中的沉积材料，所述第二沉积源部分被构造为在所述第一沉积源部分被冷却时加热储存在所述第二沉积源部分中的沉积材料，
其中，在所述沉积工艺完成后，所述第一沉积源部分与所述第二沉积源部分处于连通状态，当所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分处于彼此流通状态时，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分都与所述喷嘴部分隔离。
9.如权利要求8所述的沉积装置，所述沉积装置还包括具有图案的掩模，所述掩模设置在基底和所述喷嘴部分之间。
10.一种在基底上沉积材料的方法，所述方法包括：
加热储存在第一沉积源部分中的沉积材料，以蒸发所述沉积材料；
冷却第二沉积源部分，所述第二沉积源部分与所述第一沉积源部分分离；
冷却所述第一沉积源部分，并加热储存在第二沉积源部分中的沉积材料，从而将来自所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分的蒸发的沉积材料交替地提供到供给部分；
将所述蒸发的沉积材料从所述供给部分提供到喷嘴部分，
其中，所述第一沉积源部分被构造为在所述第二沉积源部分被冷却时加热储存在所述第一沉积源部分中的沉积材料，所述第二沉积源部分被构造为在所述第一沉积源部分被冷却时加热储存在所述第二沉积源部分中的沉积材料，
其中，在所述沉积工艺完成后，所述第一沉积源部分与所述第二沉积源部分处于连通状态，当所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分处于彼此流通状态时，所述第一沉积源部分和所述第二沉积源部分都与所述喷嘴部分隔离。
11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括：
提供第一基底，所述第一基底布置为从所述喷嘴部分接收蒸发的沉积材料；
在所述第一基底上形成沉积材料的薄膜；
去除其上具有所述薄膜的所述第一基底；
在去除所述第一基底之后提供第二基底，所述第二基底布置为从所述喷嘴部分接收蒸发的沉积材料。
12.如权利要求11所述的方法，其中，在去除所述第一基底时将蒸发的沉积材料从所述第一沉积源部分提供到所述第二沉积源部分。
13.如权利要求12所述的方法，其中：
所述第一沉积源部分包括：第一坩埚，被构造为储存沉积材料；第一加热器，位于所述第一坩埚上；第一冷却器，位于所述第一坩埚上；第一供给管，所述第一供给管将所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分连接；第一阀，所述第一阀被构造为打开和关闭所述第一供给管，以控制所述第一坩埚与所述供给部分和所述第二沉积源部分之间的流通，
所述第二沉积源部分包括：第二坩埚，被构造为储存所述沉积材料；第二加热器，位于所述第二坩埚上；第二冷却器，位于所述第二坩埚上；第二供给管，所述第二供给管将所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分连接；第二阀，所述第二阀被构造为打开和关闭所述第二供给管，以控制所述第二坩埚与所述供给部分和所述第一沉积源部分之间的流通，
所述供给部分包括：第三供给管，将所述第一沉积源部分、所述第二沉积源部分和所述喷嘴部分连接；第三阀，所述第三阀被构造为打开和关闭所述第三供给管，以控制与所述喷嘴部分的流通，
在去除所述第一基底时将蒸发的沉积材料从所述第一沉积源部分提供到所述第二沉积源部分的步骤包括在关闭所述第三阀的同时打开所述第一阀和所述第二阀。
14.如权利要求13所述的方法，其中，当提供所述第二基底并且储存在所述第一坩埚中的沉积材料的量足以在所述第二基底上形成薄膜时，通过所述第一供给管和所述第三供给管将沉积材料从所述第一坩埚提供到所述喷嘴部分。
15.如权利要求14所述的方法，其中，通过所述第一供给管和所述第三供给管将沉积材料从所述第一坩埚提供到所述第二基底，所述第一阀和所述第三阀是打开的，所述第二阀是关闭的以隔离所述第二坩埚。
16.如权利要求13所述的方法，其中，当提供所述第二基底并且储存在所述第一坩埚中的沉积材料的量用完或者不足以在所述第二基底上形成薄膜时，停止所述第二冷却器，使用所述第二加热器加热所述第二坩埚以加热储存在所述第二坩埚中的沉积材料，停止所述第一加热器，并使用所述第一冷却器冷却所述第一坩埚。
17.如权利要求16所述的方法，其中，在加热所述第二坩埚之后蒸发储存在所述第二坩埚中的沉积材料，通过所述第二供给管和所述第三供给管将沉积材料从所述第二坩埚提供到所述喷嘴部分。
18.如权利要求17所述的方法，其中，通过所述第二供给管和所述第三供给管将沉积材料从所述第二坩埚提供到所述喷嘴部分的步骤包括关闭所述第一阀并且打开所述第二阀和所述第三阀。
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Families Citing this family (15)
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|---|---|---|---|---|
| KR101450598B1 (ko) * | 2012-01-04 | 2014-10-15 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 연속박막증착장치 |
| JP6025591B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
| JP6068913B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2017-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
| KR102046441B1 (ko) | 2012-10-12 | 2019-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
| KR20140078284A (ko) * | 2012-12-17 | 2014-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치 |
| KR102269795B1 (ko) * | 2014-05-14 | 2021-06-28 | 엘지전자 주식회사 | 증착물질 공급 장치 및 이를 구비한 증착 장치 |
| KR20160000938A (ko) | 2014-06-25 | 2016-01-06 | 주식회사 선익시스템 | 냉각장치 및 냉각장치의 냉매 제거방법 |
| JP2016079420A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | 株式会社アルバック | 有機薄膜形成装置 |
| KR101660393B1 (ko) * | 2015-06-30 | 2016-09-28 | 주식회사 선익시스템 | 증발원 및 이를 구비한 증착장치 |
| KR101684245B1 (ko) | 2015-09-30 | 2016-12-09 | 주식회사 선익시스템 | 화학 기상 증착 장치 |
| KR102524502B1 (ko) * | 2016-02-24 | 2023-04-24 | 주성엔지니어링(주) | 원료 처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와, 이를 이용한 기판 처리 방법 |
| US20190386256A1 (en) * | 2018-06-18 | 2019-12-19 | Universal Display Corporation | Sequential material sources for thermally challenged OLED materials |
| CN112176290B (zh) * | 2020-10-27 | 2022-12-13 | 南京昀光科技有限公司 | 一种蒸发源系统 |
| CN112376018A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-02-19 | 云谷（固安）科技有限公司 | 蒸发源装置以及蒸镀设备 |
| US20240084439A1 (en) * | 2021-02-16 | 2024-03-14 | Applied Materials, Inc. | Crucible, evaporation source, evaporation method, evaporation system, and method of manufacturing a device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451692B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Preheating of chemical vapor deposition precursors |
| CN1924081A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 三星Sdi株式会社 | 用于无机层的源和用于控制其加热源的方法 |
| CN101280417A (zh) * | 2008-04-24 | 2008-10-08 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件蒸镀用装置 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5399762A (en) * | 1977-02-12 | 1978-08-31 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Device for producing compound semiconductor film |
| JPS58190815A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Futaba Corp | 遷移元素けい化物非晶質膜 |
| US4902572A (en) * | 1988-04-19 | 1990-02-20 | The Boeing Company | Film deposition system |
| JPH05132761A (ja) | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着重合装置 |
| DE4336681C2 (de) * | 1993-10-27 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen |
| JP3380091B2 (ja) | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
| US6261694B1 (en) * | 1999-03-17 | 2001-07-17 | General Electric Company | Infrared reflecting coatings |
| UA56228C2 (uk) * | 1999-11-01 | 2003-05-15 | Міжнародний Центр Електронно-Променевих Технологій Інституту Електрозварювання Ім. Е.О.Патона Нану | Композиційний зливок для одержання шляхом випаровування функціонально градієнтного покриття із зовнішнім керамічним шаром на металевій підкладці (варіанти) |
| TW576873B (en) * | 2000-04-14 | 2004-02-21 | Asm Int | Method of growing a thin film onto a substrate |
| WO2003028428A2 (en) * | 2001-09-10 | 2003-04-10 | University Of Virginia Patent Foundation | Method and apparatus application of metallic alloy coatings |
| US7556695B2 (en) * | 2002-05-06 | 2009-07-07 | Honeywell International, Inc. | Apparatus to make nanolaminate thermal barrier coatings |
| JP3854555B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2006-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| KR100490124B1 (ko) | 2003-06-10 | 2005-05-17 | 엘지전자 주식회사 | 기상 증착 장치 |
| TWI263690B (en) | 2004-01-06 | 2006-10-11 | Ind Tech Res Inst | Evaporation coating apparatus |
| JP4366226B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-11-18 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置 |
| JP4570403B2 (ja) | 2004-06-28 | 2010-10-27 | 日立造船株式会社 | 蒸発装置、蒸着装置および蒸着装置における蒸発装置の切替方法 |
| KR20060006560A (ko) | 2004-07-16 | 2006-01-19 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광층 증착용 증착원 |
| KR100958778B1 (ko) | 2004-10-22 | 2010-05-18 | 황창훈 | 유기 박막 증착 공정용 증발원 연속 공급장치 |
| JP2006161074A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Canon Inc | 蒸着装置及び蒸着方法 |
| JP4442558B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2010-03-31 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 蒸発源の加熱制御方法，蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法 |
| KR100666573B1 (ko) | 2005-01-31 | 2007-01-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증발원 및 이를 이용한 증착 장치 |
| JP4402016B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
| KR100726136B1 (ko) | 2006-02-08 | 2007-06-12 | 주식회사 아바코 | 증착원 분사장치 |
| JP2007227501A (ja) | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置のクリーニング方法及びクリーニング機能付き半導体製造装置 |
| JP5036264B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-09-26 | 日立造船株式会社 | 真空蒸着装置 |
| JP5063969B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法 |
| JP4966028B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | 真空蒸着装置 |
| JP4840150B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2011-12-21 | パナソニック電工株式会社 | 真空蒸着装置 |
| EP1967605A1 (en) * | 2007-03-08 | 2008-09-10 | Applied Materials, Inc. | Evaporation tube and evaporation apparatus with adapted evaporation characteristic |
| JP2008274322A (ja) | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Sony Corp | 蒸着装置 |
| KR101128745B1 (ko) | 2007-09-10 | 2012-03-27 | 가부시키가이샤 알박 | 증기 방출 장치, 유기 박막 증착 장치 및 유기 박막 증착 방법 |
| TWI438291B (zh) * | 2008-02-26 | 2014-05-21 | Ulvac Inc | 成膜源、蒸鍍裝置、有機電激發光元件之製造裝置 |
| JP2009270134A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | フラッシュ蒸着方法及び装置 |
| US8465591B2 (en) * | 2008-06-27 | 2013-06-18 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
| KR100926437B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2009-11-13 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 증착 물질 공급 장치 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| US20130129938A1 (en) * | 2010-01-06 | 2013-05-23 | Direct Vapor Technologies International | Method for the co-evaporation and deposition of materials with differing vapor pressures |
| DE102010055285A1 (de) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Solarion Ag Photovoltaik | Verdampferquelle, Verdampferkammer und Beschichtungsverfahren |
-
2009
- 2009-11-30 KR KR1020090116421A patent/KR101084234B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-07 JP JP2010227752A patent/JP2011117073A/ja active Pending
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- 2010-11-30 CN CN201010569824.2A patent/CN102134707B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451692B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Preheating of chemical vapor deposition precursors |
| CN1924081A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 三星Sdi株式会社 | 用于无机层的源和用于控制其加热源的方法 |
| CN101280417A (zh) * | 2008-04-24 | 2008-10-08 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件蒸镀用装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2007-227501A 2007.09.06 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110129595A1 (en) | 2011-06-02 |
| KR20110059965A (ko) | 2011-06-08 |
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