JPH05132761A - 蒸着重合装置 - Google Patents

蒸着重合装置

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JPH05132761A
JPH05132761A JP32248691A JP32248691A JPH05132761A JP H05132761 A JPH05132761 A JP H05132761A JP 32248691 A JP32248691 A JP 32248691A JP 32248691 A JP32248691 A JP 32248691A JP H05132761 A JPH05132761 A JP H05132761A
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JP
Japan
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substrate
evaporation source
vapor deposition
monomer
vacuum chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP32248691A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Tada
勲 多田
Naoki Nagashima
直樹 長嶋
Yoshikazu Takahashi
善和 高橋
Masayuki Iijima
正行 飯島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
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Abstract

(57)【要約】 [構成] 蒸発源容器7の下方近傍に真空排気系2が配
設され、真空室1aの側壁部下方及び底壁部には水冷コ
イル12が配設されており、作業中は冷却水が水冷コイ
ル12内を循環する。また、蒸発源容器7の下方にも同
様に水冷コイル14が配設されており、コイル14内を
循環する。モノマA、Bが適当な蒸発レートとなるまで
に発生するモノマ比なモノマは、シャッター10が閉じ
られ、かつ真空室1aの下方の内壁が冷却されているの
で、水冷コイル12の近傍に付着する。基板3上に蒸着
被膜が形成され蒸着が終了すると、水冷コイル14内に
冷却水が循環し蒸発源7は直ちに冷却され、モノマの蒸
発は大巾に軽減する。 [効果] モノマ比の不安定なモノマが基板上に流れる
のを防ぎ基板上に形成されるモノマの高分子膜の質を良
好にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は被蒸着材の表面に高分子
膜を形成させる際に用いる蒸着重合装置に関する。
【0002】
【従来の技術及びその問題点】従来では、半導体素子の
絶縁膜、パッシベーション膜、ソフトエラー防止膜及び
コンデンサの誘電体膜等に用いられている各種高分子被
膜の形成方法として、湿式法、ポリマー蒸着法及びプラ
ズマ重合法が知られている。
【0003】湿式法は原料モノマを適当な溶媒に溶かし
て重合させ、これを基板上に塗布する方法であり、ポリ
マー蒸着法はポリマー自体を基板上に蒸着させる方法で
あり、プラズマ重合法はモノマ蒸気をプラズマ状態にし
て重合させ、基板上に堆積させる方法である。しかしな
がら、これら従来法には各々不都合があり、湿式法では
極めて薄い膜が得られず、密着性も不充分であり、更に
不純物の混入が生じやすく、ポリマー蒸着法では蒸着時
に分解が起こりやすく、重合度が充分とならず、プラズ
マ重合法では重合時に分解が起こりやすく、高分子設計
が困難であった。
【0004】そこで、本出願人は、先にこれら従来法の
不都合を解消する高分子被膜形成方法として、真空中で
多種類のモノマを蒸発させ、基板上で重合させる蒸着重
合法(特開昭61−78463号公報)を発明した。
【0005】以下、従来の蒸着重合装置の構成について
図2を参照して説明する。図において蒸着重合装置1の
真空室1aに真空排気系2aを介して図示されてない真
空ポンプを接続し、この真空室1aの内部には高分子の
蒸着被膜を形成せしめるべき基板3を基板ホルダ4によ
って、下向きに保持するようにした。
【0006】基板3は基板ホルダ4の背面に設けられた
基板加熱用ヒータ5によって加熱できるようにしてい
る。また、基板3の下方前面には膜厚モニタ6が設けら
れ、基板3上に形成される被膜厚を間接的に測定できる
ようになっている。
【0007】処理室1a内下位には基板3に対向させて
蒸発源容器7が配設されており、この蒸発源容器貯蔵部
7a、7b内には高分子樹脂の原料モノマa、bが入っ
ている(例として具体的名称をあげれば、ポリイミド樹
脂を形成するのであれば、原料モノマaを芳香族酸二無
水物とし原料モノマbを芳香族ジアミン等とすればよい
が、基板に蒸着させる高分子樹脂の種類によって組み合
わせ、材料は任意に変えることができる)。
【0008】蒸発源容器7の近傍にはレートモニタ8
(例えば水晶振動子)が設けられており、レートモニタ
8と蒸発源加熱ヒータ9によって、原料モノマa、bの
蒸発レートを一定化させる所定温度にコントロールでき
るようにしている。また、蒸発源容器7と基板3との間
にはシャッター10が設けられ、蒸発源容器貯蔵部7
a、7bの間は仕切板11で仕切られている。
【0009】従来の蒸着重合装置1は以上のように構成
されているが、蒸着重合法によって基板上に良質の高分
子被膜を形成させるには、蒸発源のモノマ物質a、bが
基板上で化学量論的に重合させることが必要である。従
来の装置では蒸発源容器7の加熱開始時に蒸発源加熱ヒ
ータ9が加熱され蒸発源が所定の蒸発レートになるまで
シャッター10は閉じられ、基板3と蒸発源容器7との
間を遮断して、基板3にモノマ比の不安定なモノマが蒸
着しないようにしている。また、基板3に所定の高分子
被膜が形成され、膜厚モニタ6がそれを検知すると、蒸
発源加熱ヒータ9を切り、シャッター10が閉じられ
て、基板3と蒸発源容器7との間を遮断して、蒸着終了
時に基板3にそれ以上の高分子被膜が形成されないよう
にしている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法で蒸着重合を行なうと、蒸発源容器7の加熱開始時に
はモノマ比の不安定なモノマがシャッター10をすり抜
けて基板3に付着し、また蒸着終了時には冷却放置した
蒸発源加熱ヒータ9が余熱を持っているため、蒸発源容
器7からモノマの蒸発が継続し、シャッター10をすり
抜けて基板3に付着してしまい、これら余分な蒸発モノ
マの基板への付着は高分子被膜の質を損ねることにな
る。
【0011】本発明は上記問題に鑑みてなされ、蒸発源
容器7の加熱開始時と蒸着終了時に発生する余分な蒸発
モノマが基板上に流出して付着せず、高分子被膜の質を
損ねることのない蒸着重合装置を提供することを目的と
する。
【0012】
【課題を解決するための手段】以上の目的は、真空室に
おける蒸発源容器に供給された原料モノマを加熱手段に
より蒸発させる蒸着重合装置において、前記真空室に排
気系を連通させる開口を該真空室の底壁部において前記
蒸発源容器の下方に形成し、かつ前記蒸発源容器の原料
モノマの貯蔵部及び前記真空室の下壁部のうち少なくと
も一方に冷却手段を設けたことを特徴とする蒸着重合装
置によって達成される。
【0013】
【作用】真空室下部を冷却手段により冷却し、シャッタ
ー閉時の余分な蒸発モノマを冷却部に付着させ、また蒸
発源容器の下部を蒸発終了時に冷却させたので蒸発モノ
マを大巾に減少させ、更に真空排気系を蒸発源容器の近
傍に設けたので、余分なモノマが基板に付着しない。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例による蒸発重合装置に
ついて図面を参照して説明する。なお、従来例と同一の
構成の部分については同一の符号を付し、その詳細な説
明を省略する。
【0015】図1に示すように本実施例の蒸着重合装置
1は蒸発源容器7の下方の真空室1aの底壁部開口15
の近傍に真空排気系2が配設され、排気バルブ13は真
空室1aと真空排気系2とを気密に仕切る。また、真空
排気系2には図示されていないが、排気装置が接続され
ているものとする。
【0016】真空室1aの側壁部下方及び底壁部には水
冷コイル12が配設されており、作業中では図示されて
いない冷却水供給手段により、冷却水が供給され、水冷
コイル12内を循環して排水される。また、蒸発源容器
7のモノマの貯蔵部である蒸発源容器貯蔵部7a、7b
にも同様に水冷コイル14が配設されており、蒸着終了
時に図示されていない冷却水供給手段により、冷却水が
外部から供給され、水冷コイル14内を循環する。
【0017】シャッター10は図において閉じられてい
る状態を示し、真空室1aの上部の空間Cと下部の空間
Dはシャッター10により遮断され、シャッター10が
開かれると、空間C、Dは連通する。
【0018】蒸発源容器7に供給されるモノマは、例え
ばポリイミドの蒸着重合法を例にあげれば、蒸発源容器
貯蔵部7a内には原料モノマAとしてピロメリト酸二無
水物を供給し、蒸発源容器貯蔵部7b内には原料モノマ
Bとして4、4’‐ジアミノジフェニルエーテルを供給
する。
【0019】本発明の実施例による蒸着重合装置1は以
上のように構成されるが、次にこの作用について説明す
る。
【0020】図示されていない排気手段により真空室1
a内が所望の圧力に減圧されると、水冷コイル12内を
冷却水が循環して供給・排水され、次に蒸発源であるモ
ノマを加熱するために蒸発源加熱ヒータ9に電源が供給
される。
【0021】蒸発源容器貯蔵部7a、7bに供給されて
いるモノマA、Bが蒸発温度まで加熱されると、モノマ
A、Bは蒸発する。レートモニタ8はモノマA、Bが蒸
着被膜の形成に適した蒸発レートであるか否かを検知す
る。モノマA、Bが適当な蒸発レートとなるまでに発生
するモノマ比の不安定なモノマは、シャッター10が閉
じられているため、空間Cに流出せず基板3に付着する
ことはない。また真空室1aの内壁部下方は水冷コイル
12内の冷却水により冷却されているので、蒸発したモ
ノマは水冷コイル12の近傍に付着する。
【0022】モノマA、Bが蒸着重合に適した蒸発レー
トとなると、シャッター10は開かれ、蒸発源加熱ヒー
タ9はモノマA、Bが蒸着重合に適した蒸発レートを維
持できるように温度が制御される。モノマA、Bはシャ
ッター10が開かれたことにより、モノマA、Bの蒸気
は真空室1a内全体に充填される。これにより、基板3
に飛んでいったモノマは化学量論的に基板3上に蒸着・
堆積し、基板3の背後に設けられている基板加熱用ヒー
タ5に加熱されながら、基板3上で蒸着重合する。膜厚
モニタ6は基板3に蒸着重合した蒸着被膜を観察し、蒸
着被膜が所望の厚さになると、蒸着重合は行なわれる。
【0023】基板3上に蒸着被膜が形成され、蒸着が終
了すると、シャッター10は閉じられ、蒸発源加熱ヒー
タ9の電源の供給が停止され、更に蒸発源容器7に設け
られている水冷コイル14に冷却水が供給される。蒸発
源加熱ヒータ9には余熱が残留しており、蒸発源容器7
からモノマが引き続き蒸発するが冷却水によりモノマ
A、Bは直ちに冷却されるので、蒸発量は大巾に軽減す
る。また、モノマA、Bが蒸発しても、真空排気系2が
蒸発源容器7の近傍に配設されているので、真空排気系
2方向に流れていき、基板3にこれらモノマが付着する
ことはない。従って、蒸着終了時に余分な蒸発モノマが
シャッター10をすり抜けて空間Cに流れることはな
い。
【0024】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【0025】例えば、以上の実施例では真空室1aの側
壁部下方及び底壁部と蒸発源容器7のモノマの貯蔵部7
a、7bの両方に冷却手段を設けたが、いずれか一方に
設けるだけでもよく、冷却手段として水冷コイル12、
14内に冷却水を循環させたが、冷却水の代わりに他の
冷却手段を使用してもよい。また、作業中では真空室1
aの下方を冷却するため、作業中に水冷コイル12の冷
却水を常に循環させたが、シャッター10が開いている
ときは止めておいてもよい。
【0026】また、以上の実施例ではポリイミドの蒸着
重合法を例としたが、モノマ形成される高分子膜はその
種類を任意に変えることが可能である。
【0027】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の蒸着重合装
置は蒸発源の加熱開始の昇温時及び蒸発源加熱終了の降
温時にモノマがシャッターをすり抜けて基板に付着する
ことが妨げられるので、基板上に形成される高分子被膜
の質を良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による蒸着重合装置の概略正面
図である。
【図2】本発明の従来例による蒸着重合装置の概略正面
図である。
【符号の説明】
1 蒸着重合装置 1a 真空室 2 真空排気系 7 蒸発源容器 7a 蒸発源容器貯蔵部 7b 蒸発源容器貯蔵部 12 水冷コイル 14 水冷コイル 15 開口
フロントページの続き (72)発明者 飯島 正行 茨城県つくば市東光台5丁目9番地7 日 本真空技術株式会社筑波超材料研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空室における蒸発源容器に供給された
    原料モノマを加熱手段により蒸発させる蒸着重合装置に
    おいて、前記真空室に排気系を連通させる開口を該真空
    室の底壁部において前記蒸発源容器の下方に形成し、か
    つ前記蒸発源容器の原料モノマの貯蔵部及び前記真空室
    の下壁部のうち少なくとも一方に冷却手段を設けたこと
    を特徴とする蒸着重合装置。
JP32248691A 1991-11-11 1991-11-11 蒸着重合装置 Pending JPH05132761A (ja)

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JP32248691A JPH05132761A (ja) 1991-11-11 1991-11-11 蒸着重合装置

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JP32248691A JPH05132761A (ja) 1991-11-11 1991-11-11 蒸着重合装置

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JP32248691A Pending JPH05132761A (ja) 1991-11-11 1991-11-11 蒸着重合装置

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JP (1) JPH05132761A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8986783B2 (en) 2009-11-30 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Method of forming thin film from multiple deposition sources

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US8986783B2 (en) 2009-11-30 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Method of forming thin film from multiple deposition sources

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