TWI438291B - 成膜源、蒸鍍裝置、有機電激發光元件之製造裝置 - Google Patents

Description

成膜源、蒸鍍裝置、有機電激發光元件之製造裝置

本發明係關於蒸鍍裝置，特別是有關使用於有機電激發光元件之製造的蒸鍍裝置。

有機電激發光元件乃近年來最受注目之顯示元件之一，具有在高亮度應答速度快的優越特性。

有機電激發光元件係於玻璃基板上，依下部電極膜，和有機薄膜，和上部電極膜記載之順序加以層積。

有機薄膜係含有電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子植入層等，當通電於下部電極膜與上部電極膜，施加電壓於有機薄膜時，發光層則產生發光。

發光層乃3色以上(例如，紅、綠、藍、黃)之著色層層積於相同場所而加以構成之情況，可放出白色光，將有機電激發光元件作為照明裝置而使用。發光層乃3色以上(例如，紅、綠、藍)之著色層形成於不同場所而加以構成之情況，係由施加電壓於所期望色，所期望場所之著色層者，可將有機電激發光元件作為全彩之顯示裝置而使用。

構成有機薄膜之各層係由有機材料所構成，對於如此之有機材料的膜之成膜，蒸鍍裝置乃被廣泛使用。

圖9的符號203係以往技術之蒸鍍裝置，於真空槽211之內部配置有蒸鍍容器212。蒸鍍容器212乃具有容 器主體221，對於該真容器主體221之上部，係以形成有一個乃至複數個之放出口224的蓋部222加以封塞。

於蒸鍍容器212的內部，係配置有粉體之有機蒸鍍材料200。

於蒸鍍容器212之側面與底面係配置有加熱器223，將真空槽211內進行排氣，當加熱器223發熱時，蒸鍍容器212乃昇溫，加熱蒸鍍容器212內之有機蒸鍍材料200。

當將有機蒸鍍材料200加溫至蒸發溫度以上的溫度時，於蒸鍍容器212內，充滿著有機材料蒸氣，從放出口224釋放至真空槽211內。

對於放出口224之上方係配置有支撐部210，如使基板205保持於支撐部210，從放出口224所放出之有機材料蒸氣乃到達至基板205表面，形成電洞植入層或電洞輸送層或發光層等之有機薄膜。使有機材料蒸氣放出的同時，如使基板205一片一片通過放出口224上，可於複數片之基板205逐次形成有機薄膜。

但，對於成膜於複數片之基板205，係有必要於蒸鍍容器212內配置多量的有機材料。在實際的生產現場，將有機材料加熱至250℃~450℃之同時，作為120小時以上連續進行成膜處理之故，蒸鍍容器212內之有機蒸鍍材料200係成為長時間暴露在高溫，而與蒸鍍容器212中的水份反應產生變質，進行經由加熱的分解。其結果，比較於初期狀態，有機蒸鍍材料200乃產生劣化，有機薄膜的膜 質變差。

另外，容上述之發光層，有必要形成複數之著色層的情況，係準備複數收容有不同色之有機材料的蒸鍍容器212，使基板移動在各蒸鍍容器212上而進行成膜，但當基板的移動量增加時，則產生灰塵，而成為基板的膜質產生劣化之原因。

更且，將大型化的基板205保持在放出口224之上方時，基板205或光罩214產生彎曲，預先形成於基板205表面的膜(下部電極膜或其他的有機薄膜)產生破損，以及亦有新形成於基板205上之有機薄膜的膜厚分布變差的問題。

[專利文獻1]日本特表2001-523768號公報

[專利文獻2]日本特表2003-525349號公報

[專利文獻3]日本特開2004-204289號公報

[專利文獻4]日本特開2005-29885號公報

[專利文獻5]日本特開2006-111920號公報

本發明係為了解決上述課題之構成，其目的係形成膜質佳的有機薄膜者。

為了解決上述課題，本發明係一種成膜源，屬於具有 ：在內部使蒸鍍材料的蒸氣產生之蒸氣產生裝置，和放出前述蒸氣材料之蒸氣的放出裝置，和切換蒸氣產生裝置與前述放出裝置之間的連接和遮斷之開關閥的成膜源，其中，前述開關閥係具有：箱體，和配置於前述箱體內，為配置溶融金屬之容器，和配置前述容器之前述溶融金屬，和下端可接觸於前述溶融金屬之遮蔽構件，和相對性地與前述遮蔽構件移動，使前述溶融金屬表面與前述遮蔽構件的下端接觸，關閉該開關閥，使前述遮蔽構件的下端與前述溶融金屬表面隔開，開啟該開關閥之移動裝置。

本發明係一種成膜源，其中，具有複數前述蒸氣產生裝置，經由前述開關閥，可個別地切換前述蒸氣產生裝置與前述放出裝置之間的連接和遮斷之成膜源。

本發明係一種成膜源，其中，前述遮蔽構件乃筒狀，前述遮蔽構件之下端係由前述筒的下端所構成，前述放出裝置與前述蒸氣產生裝置之中任一方係連接於前述筒之內部空間，另一方係連接於前述筒之外部空間之成膜源。

本發明係一種成膜源，其中，具有前端乃插通於前述箱體內，前述前端乃由前述容器所圍繞之管部，和蓋部，對於前述蓋部底面，係形成有從前述蓋部底面突出所形成之環狀的突起而成之筒狀的前述遮蔽構件，並遍佈前述管部的外周，於前述容器內加以溶融之前述低熔點金屬，當接觸前述遮蔽構件時，經由前述遮蔽構件與前述蓋部，閉塞前述開口部，關閉該開關閥，而前述遮蔽構件乃從前述低熔點金屬隔開時，開啟該開關閥之開關閥的成膜源。

本發明係一種成膜源，其中，前述放出裝置係具有複數相互平行地加以配置之細長的放出管，對於前述各放出管係各設置有放出口，當前述蒸氣產生裝置連接於前述放出裝置時，於前述各放出口，各供給前述蒸鍍材料之蒸氣，從前述各放出口放出前述蒸鍍材料之蒸氣的成膜源。

本發明係一種蒸鍍裝置，其中，具有成膜槽，和前述成膜源，前述放出裝置乃於前述成膜槽的內部，放出前述蒸鍍材料之蒸氣之蒸鍍裝置。

本發明係一種蒸鍍裝置，其中，具有配置於前述成膜槽之內部，配置基板於表面之載置台，前述放出裝置乃從前述載置台的上方位置，朝向前述載置台，放出前述蒸鍍材料之蒸氣之蒸鍍裝置。

本發明係一種蒸鍍裝置，其中，具有前述載置台和連接於前述放出裝置之任一方或雙方之搖動裝置，前述搖動裝置係將前述放出裝置，在與配置於前述載置台之前述基板平行之平面內，對於該基板而言，相對性地使其移動之蒸鍍裝置。

本發明係一種製造裝置，其中，具有輸送室，和濺鍍裝置，和蒸鍍裝置，前述濺鍍裝置與前述蒸鍍裝置乃連接於前述輸送室之有機電激發光元件之製造裝置。

本發明係如以上所加以構成，將含有有機材料之蒸氣的氣體，從蒸氣產生裝置流動於開啟狀態之開關閥時，該蒸氣乃通過開關閥而移動至放出裝置。

相反地，於溶融之金屬，使遮蔽構件接觸作為關閉狀 態，將含有有機材料之蒸氣的氣體，從蒸氣產生裝置流動於開關閥時，該蒸氣係由溶融之金屬與遮蔽構件加以堵住，停留於開關閥而未移動於蒸氣產生裝置與放出裝置。

遮蔽構件係因無間隙密著於溶融之金屬，故比較於接觸於固體之情況，氣體的遮蔽性為高。另外，即使重複開關該關閥，遮蔽構件的下端亦未產生磨耗而未引起起塵。

因氣體的遮蔽性為高，故未混合蒸鍍材料之蒸氣而形成純度高之薄膜。因未起塵，故於薄膜未混入有污染物質。因開關閥未產生磨耗，故成膜源之壽命長。可將在複數之蒸氣產生裝置所產生的蒸氣，依序供給於放出裝置之同時，可將基板維持配置於同一之放出裝置，形成複數種類的膜。因基板的移動量少而即可完成，故未起塵。

本發明之開關閥係具有：箱體之框體，和各使框體的內部與外部連通之開關口與連接口，呈切換將開關口與連接口之間，可通過框體內部通行氣體之連接狀態，和遮蔽開關口與連接口之間的遮蔽狀態。箱體係氣密地加以構成，可進行真空排氣。

本發明之開關閥係配置於框體內，具有可配置固體與液體之容器，和配置於框體內之遮蔽構件。

容器與遮蔽構件係可相對移動地加以構成，遮蔽構件 係可插入含拔除於遮蔽構件地加以構成。開關口係經由遮蔽構件或容器之任一方所圍住。

對於容器係可配置低熔點金屬，融熔所配之低熔點金屬而形成融熔金屬的情況，遮蔽構件乃插入於容器內時，遮蔽構件係與融熔金屬接觸而加以浸漬，接觸部分或浸漬部分乃圍著開關部而閉塞開關口，而遮蔽構件乃從容器內拔除時，遮蔽構件乃與融熔金屬隔開，開放開關口。

於框體氣密地插入管體，將框體內的管部前端朝向下方，於開關口的下方配置容器。對於框體係設置有連接口，當將框體內之管部前端的開口作為開關口時，管部前端與容器內之融熔金屬乃隔開時係連接開關口與連接口，但當將管部之框體內之前端的開關口之周圍部分作為環狀之遮蔽構件時，相對性地使容器與管部移動，遮蔽構件之全周乃接觸於容器內之融熔金屬而加以浸漬時，管部乃加以閉塞，遮斷開關口與連接口。

與此不同，於框體氣密地插入管體，將框體內的管體前端朝向上方，由容器圍繞管部前端之周圍時，其管部前端的開口乃成為開關口。於未使氣體通過而成為蓋體之蓋構件底面，氣密地形成環狀之突起的筒狀之遮蔽構件時，圍著開關口之容器內的融熔金屬與遮蔽構件係乃在開關口的外側，遍佈開關口的全周而接觸，浸漬遮蔽構件時，開關口係由蓋構件與遮蔽構件蓋上而加以閉塞。於框體設置連接口時，在蓋上的狀態中，遮斷開關口與連接口，遮蔽構件乃從融熔金屬隔開而開啟蓋體時，連接開關口與連接 口。

在本發明中，可設置如上述使容器與遮蔽構件相對移動之移動裝置。如遮蔽構件與容器之任一方或雙方產生移動而進行開關即可。

另外，本發明之開關閥係屬於具有箱體，和各使前述箱體的內部與外部連通之連接口和第一、第二之開關口，呈作為可切換閉塞前述第二之開關口之同時，可將第一之開關口與連接口之間，通過箱體的內部通行氣體之第一狀態，和閉塞第一之開關口之同時，可將第二之開關口與連接口之間，通過箱體的內部通行氣體之第二狀態的開關閥，其中，具有配置於箱體內，可各配置固體與液體之第一、第二之容器，和配置於箱體內，可各插入、拔去於第一、第二之容器的筒狀之第一、第二之遮蔽部；對於第一、第二之容器係配置有加以融熔之低熔點金屬，第一之容器乃在箱體內位置於下方時係第一之遮蔽部乃從第一之容器加以拔去，第二之遮蔽部乃加以插入於第二之容器，與低熔點金屬接觸而成為第一之狀態，而位置於上方時係第一之遮蔽部乃加以插入於第一之容器，與低熔點金屬接觸，第二之遮蔽部乃從第二之容器加以拔去而成為第二之狀態的開關閥。

接著，說明本發明之實施例。

圖1之符號1乃顯示使用在有機電激發光元件之製造之本發明之製造裝置的一例。

其製造裝置1係具有輸送室2，和一或複數之蒸鍍裝 置10a~10c，和濺鍍室7，和輸出入室3a、3b，和處理室6、8，各蒸鍍裝置10a~10c，和濺鍍室7，和輸出入室3a、3b，和處理室6、8係各連接於輸送室2。

對於輸送室2，和各蒸鍍裝置10a~10c，和濺鍍室7，和輸出入室3a、3b，和處理室6、8係連接有真空排氣系統9。

經由真空排氣系統9，於輸送室2內部，和各蒸鍍裝置10a~10c之內部，和處理室6、8內部，和濺鍍室7內部，和輸入室3a內部，和輸出室3b內部，形成有真空環境。

對於輸送室2之內部係配置有輸送機器手臂5，經由輸送機器手臂5，基板係在真空環境中加以輸送，在處理室6、8內部進行加熱或洗淨等之前處理，在濺鍍室7，於基板表面上形成透明導電膜(下部電極)，在蒸鍍裝置10a~10c，形成電子植入層、電子輸送層、發光層、電洞輸送層、電洞植入層等之有機薄膜，在濺鍍室7內部，形成上部電極，得到有機電激發光元件。所得到之有機電激發光元件係從輸出室3b加以輸出於外部。

然而，在輸入於其製造裝置1之前，預先在其他的製造裝置，於基板表面形成薄膜電晶體或下部電極，如有需要，將垓下部電極圖案化成特定形狀之後，輸入於上述製造裝置1，形成有機薄膜與上部電極亦可。

接著，對於形成發光層之裝置與方法，於以下加以說明。

圖1之蒸鍍裝置10a~10c之中至少一台係由本發明之蒸鍍裝置10b加以構成，利用本發明之蒸鍍裝置10b，形成上述發光層。

圖2係顯示本發明之蒸鍍裝置10b之模式平面圖，蒸鍍裝置10b係具有成膜槽，和成膜源13。然而，在圖2中係省成膜槽。

成膜源13戲劇有放出裝置50，和複數之蒸氣產生裝置20，和與蒸氣產生裝置20相同或以上數量之開關閥70。

各蒸氣產生裝置20係除了收容有不同之蒸鍍材料以外係具有相同之構成，對於相同的構件係附上相同符號加以說明。

圖4係蒸氣產生裝置20之剖面圖，蒸氣產生裝置20係具有加熱裝置21與供給裝置30。

加熱器21乃具有加熱室29。加熱室29之內部空間係由間隔構件25而加以二分，對於一方的導入空間22係配置有陶瓷粒子(SiC粒子等)，或網目等所成之過濾器27，而對於另一方之加熱空間23係配置有載置構件24。

對於加熱室29係安裝有加熱手段48，當從電源47通電於加熱手段48時，加熱加熱室29，經由熱傳導或輻射熱而亦加熱載置部24與過濾器27。然而，加上於加熱室29，於載置部24與濾光片27之任一方或雙方，安裝個別之加熱手段，由加熱手段加以直接加熱亦可。

對於加熱室29之內部係配置有導入管26，導入管26 之一端係連接於導入空間22，另一端係連接於加熱空間23。對於導入空間22係連接有氣體導入系統28，加熱過濾器，從氣體導入系統28導入淨化氣體時，淨化氣體係在通過過濾器27時加以加熱，加熱之淨化氣體乃供給於導入管26與加熱空間23。

供給裝置30係具有液槽31，和連接管33，和旋轉軸35。

液槽31係配置於加熱室29之上方，連接管33之上端係氣密地加以連接於液槽31之內部空間。連接管33之下端係氣密地插通於加熱室29，連接於導入管26之一端與另一端之間。

旋轉軸35係於周圍形成突條36為螺旋狀，突條36之至少一部分乃呈位置於連接管33內地插通於連接管33。圖4係顯示於液槽31收容蒸鍍材料39之狀態。

旋轉軸35在靜止的狀態中，蒸鍍材料39係停留於液槽31，經由旋轉手段32，使旋轉軸35，將連接管33之中心軸線作為中心加以旋轉時，液槽31內之蒸鍍材料39係進入於突條36間的溝，並通過該溝而在連接管33內移動至下方，掉落於導入管26之一端與另一端之間。

如求取旋轉軸35的旋轉量，與蒸鍍材料39的掉落量之關係，從此關係，了解到對於使必要量之蒸鍍材料39掉落而必要之旋轉軸35之旋轉量。

較導入管26之中至少蒸鍍材料39之掉落地點，加熱空間23側係將掉落地點作為上，將加熱空間23側之端部 (下端)作為下而傾斜，蒸鍍材料39係經由重力，從掉落地點，在導入管26內移動至下方，從下端掉落於加熱空間23。

對於導入管26下端之正下方，係位置有載置構件24之表面，掉落之蒸鍍材料39係配置於載置構件24表面。載置構件24之表面係從水平面傾斜。配置載置構件24表面之蒸鍍材料39的掉落場所係較表面下端為上方，蒸鍍材料39係經由重力，在載置構件24表面，朝向下端而移動。如將載置構件24加熱至蒸鍍材料39之蒸發溫度以上，蒸鍍材料39係在到達至載置構件24表面之下端之前，全部則蒸發，於加熱空間23產生蒸氣。

開關閥70係於各蒸氣產生裝置20與放出裝置50之間，設置有各1以上，加熱空間23乃連接於開關閥70。

接著，對於開關閥70之詳細加以說明。各開關閥70係具有相同之構造，對於相同的構件係附上相同符號加以說明。

圖3係圖2之A-A切斷線剖面圖，各開關閥70係各具有框體之箱體71，和容器75，和遮蔽構件72，和移動裝置61。

箱體71之底壁的一部分係加以分離。圖3中符號64乃顯示分離之箱體下部，符號79乃顯示剩餘之箱體上部。

箱體上部79與箱體下部64之間係配置有伸縮構件(例如波紋管66)，箱體上部79與箱體下部64之間的空 間係經由波紋管66而從外部加以遮斷。隨之，箱體71之內部空間係從外部空間加以遮斷。

對於波紋管66係插通有上軸65，上軸之下端係固定於箱體下部64。容器75係在將開口朝向上方的狀態，安裝於上軸65上端。

下軸63之下端係連接於移動裝置61。經由移動裝置61，使下軸63上升或下降時，波紋管66則伸縮，保持從外部空間遮斷箱體71之內部空間，箱體下部64，和上軸65，和容器75乃一起上升或下降。

遮蔽構件72係由筒(管部)所構成，筒的一端(下端)乃成語容器75之開口對面地，氣密地插通於箱體上部79。

對於箱體下部64移動者而言，箱體上部79係被加以固定。遮蔽構件72係固定於箱體上部79，由容器75上升或下降者，容器75與遮蔽構件72乃相對性地移動。

對於容器75底面之略中央位置，係設立有較容器75之開口為小口徑之突部74，於容器75側壁與突部74側面之間，形成有環狀的收容部。

插入於箱體上部79之管部的下端之開口乃成為開關口69，其開關口69的周圍之管部前端部分乃成為遮蔽構件72。如後述，經由遮蔽構件72而開關開關口69。

圖5(a)、(b)，和圖3係顯示於容器75配置低熔點金屬76之狀態。容器75係因配置於箱體71內部，低熔點金屬76係藉由容器75而間接地配置於箱體71內 部。

對於箱體71係安裝有加熱器等之加熱手段48。容器75與突部74係由加熱箱體71時之輻射熱而加以加熱，或經由安裝於容器75之加熱手段48所加熱，加熱低熔點金屬76而成為環狀。

遮蔽構件72之下端係外周較容器75開口為小，內周較突部74前端為大。遮蔽構件72下端之外周與內周係位置於容器75開口的緣與突部74前端之外周之間，遮蔽構件72之下端全周乃與融熔之低熔點金屬76的表面對面。

使容器75上升，將融熔之低熔點金屬76接近於遮蔽構件72下端時，於該低熔點金屬76表面，遮蔽構件72下端全周則接觸，箱體71之內部空間乃成為分離於遮蔽構件72之內部空間與遮蔽構件72之外部空間的關閉狀態(圖5(a))。

相反地，使容器75下降，從融熔之低熔點金屬76遠離遮蔽構件72而加以隔開時，遮蔽構件72之內部空間乃連接於外部空間，箱體71之內部空間乃成為一體之開啟狀態(圖5(b))。

對於箱體上部79之側面係形成有貫通孔，由該貫通孔，或氣密地插通於該貫通孔之配管，構成連接配管78。遮蔽構件72之上端係從箱體71氣密地加以導出。箱體71之內部空間乃只藉由連接配管78與遮蔽構件72而可連接於外部的裝置。

蒸氣產生裝置20與放出裝置50之中任一方係氣密地 連接於連接配管78，而另一方係氣密地連接於遮蔽構件72。

箱體71之內部的遮蔽構件72之內部空間與外部空間係因經由箱體71或波紋管66而從外部空間(例如大氣)加以遮斷，故將開關閥70作為開啟狀態時，含有蒸鍍材料39之蒸氣的氣體係未洩漏出於外部，而通過箱體71之內部空間，從蒸氣產生裝置20移動至放出裝置50。

相反地，當將開關閥70作為關閉狀態時，上述氣體係未洩漏出於外部，而停留於蒸氣產生裝置20與開關閥70之一部分(遮蔽構件72之內部空間或外部空間)。

開關閥70係因可個別地切換成開啟狀態與關閉狀態，故可個別地將蒸氣產生裝置20連接或遮斷於放出裝置50，而從所期望之蒸氣產生裝置20，使氣體移動於放出裝置50。

各開關閥70係連接於一個之放出裝置50。隨之，在各蒸氣產生裝置20所產生的蒸氣係供給至一個之放出裝置50。

放出裝置50乃具有複數之放出管52。

各放出管52乃細長，對於各放出管52係沿著長度方向，隔開一定間隔列設複數之放出口55。各放出口55係將各放出口55各自朝下方，平行配置於成膜槽11內部。隨之，放出口55係排列成行列狀。

各放出管52係藉由共通管51各連接於各開關閥70，將開關閥70作為開啟狀態時，從連接於該開關閥70之 蒸氣產生裝置20，供給蒸氣於各放出管52。

對於放出裝置50的蒸氣通過之放出路徑(各放出管52，共通管51)係安裝有加熱手段48。經由加熱手段48，如將放出路徑加熱至未分解蒸氣的溫度，蒸氣係在途中未分解而從各放出口55加以放出。

如上述，各放出口55係因朝向下方，故蒸氣係從放出口55噴出於下方。對於排列成膜槽11之放出口55之範圍的下方，配置有載置台15。輸入於成膜槽11的基板81係配置於載置台15的表面，從放出口55所放出之蒸氣係噴設於載置台15上之基板81表面。

配置載置台15之基板81的面係呈接觸基板81的背面之一半以上地變大，基板81即使為大型，亦未產生彎曲等之變形。

接著，對於使用其蒸鍍裝置10b而形成發光層之工程而加以說明。

混核發光性有機材料與著色劑，準備2色以上之蒸鍍材料39。對於形成白色光用之發光層之情況，至少準備3色(例如，紅、綠、藍)之蒸鍍材料39。

將紅、綠、藍之3色之中任一顏色作為第一色，將剩下的2色之中任一方作為第二色，而另一方作為第三色，於以下加以說明。然而，為了將白色光更接近於白色，加上於第一~第三色，亦準備1色以上之補助色(例如，黃)的蒸鍍材料39。

預先，將各色的著色層進行成膜的膜厚乃預先決定， 對於所決定之膜厚的成膜，將必要的蒸鍍材料39之必要量，對各色預先要求。

各加熱室29，和各液槽31，各箱體71，和成膜槽11係個連接於真空排氣系統9，將各加熱室29，和各液槽31，各箱體71，和成膜槽11進行真空排氣而形成特定壓力(例如10-5Pa)之真空環境。放出裝置50係因藉由放出口55而連接於成膜槽11之內部，故對於放出裝置50之內部亦形成真空環境。

保持維持各液槽31之真空環境，將各色之有機材料，個別收容於不同之蒸氣產生裝置20。

通電於各加熱手段48，將載置構件24加熱至蒸鍍材料39蒸發的蒸發溫度(300℃以上400℃以下)，將加熱室29，和箱體71，和放出裝置50，和容器75，和與突部74等之蒸氣接觸之構件，加熱至超過蒸鍍材料39的蒸氣分解之溫度的加熱溫度(200℃以上400℃以下)。預先於各容器75，配置熔點為加熱溫度以下之低熔點金屬76，使該低熔點金屬76融熔。

對於各蒸氣產生裝置20之加熱空間23，各供給淨化氣體。過濾器27係因加熱至加熱溫度，昇溫至加熱溫度之淨化氣體乃供給於加熱空間23。將各蒸氣產生裝置20之宰制構件24，維持在蒸發溫度，而將與蒸氣接觸的構件維持在加熱溫度。

停止收容第一色之蒸鍍材料39的蒸氣產生裝置20之加熱室29，和連接於該加熱室29之開關閥70之真空排 氣，將蒸氣產生裝置20作為成膜狀態。使第一色之蒸鍍材料39，掉落於預先要求之必要量加熱空間23，使蒸氣產生。

持續成膜槽11之真空排氣同時，將使蒸氣產生之蒸氣產生裝置20與放出裝置50之間的開關閥70作為開啟狀態，將其他之蒸氣產生裝置20與放出裝置50之間的開關閥70作為關閉狀態。

蒸氣係未移動至其他的蒸氣產生裝置20，而與淨化氣體一起通過開關閥70與放出裝置50，從放出口55加以放出。

在從放出口55放出蒸氣之前，預先於成膜槽11內部輸入基板81，配置於載置台15表面。

從放出口55開始放出蒸氣之後，至蒸氣的放出結束，成膜終了之間，將載置台15上之基板81，作為與配置有放出口55之範圍對面。

使蒸鍍材料39掉落之後經過特定時間，或加熱空間23的內部壓力成為特定壓力以下時，判斷成膜終了。對於成膜終了時，對於基板81表面係形成所決定之膜後的第一色之著色層。成膜終了之後，再開始加熱室29與開關閥70之真空排氣，排出殘留蒸氣。

保持於載置台15上配置基板81，將維持成膜狀態之蒸氣產生裝置20，從收容第一色之蒸鍍材料39者，改變成收容第二色之蒸鍍材料39者。

進行將成膜狀態之蒸氣產生裝置20與放出裝置50之 間的開關閥70作為開啟狀態，而將其他的蒸氣產生裝置20與放出裝置50之間的開關閥70作為關閉狀態之開關閥70的切換，使必要量之第二色之蒸鍍材料39的蒸氣產生，與第一色的情況相同地，於基板81表面上，將所決定之膜厚的第二色之著色層進行成膜。

成膜結束後，保持於載置台15上載置基板81，如進行殘留氣體的排出，維持成膜狀態之蒸氣產生裝置20的變更，和開關閥70之切換，第三色之著色層的成膜，於基板81表面上，形成由第一~第三色之著色層而成之發光層。

然而，對於加上於第一~第三色，形成1色以上的補助色(例如，黃色)之著色層，作為發光層之情況，在形成第一~第三色之著色層之前，形成第一~第三色之著色層之間，或形成第一~第三色之著色層之後，以和形成第一~第三色之著色層時同樣的方法，形成補助色之著色層。

如未使用光罩16而形成發光層，或在配置放出口55之範圍與基板81之間，如將光罩16對於基板81而言，在作為相對靜止的狀態而形成發光層，各色的著色層乃層積於基板81表面上之相同場所。

每次改變成膜之著色層的顏色，如將光罩16與基板81作為相對性移動，各色之著色層乃各形成於基板81表面上之不同場所。

著色層層積於相同場所之情況，和形成於基板81表面上之不同場所之情況任一，如通電於上部電極與下部電 極，施加電壓於個著色層而使其發光，則放出白色光。

另外，著色層乃形成於不同的場所，上部電極與下部電極之任一方加以圖案化，如可於各著色層，個別地施加電壓，由使所期望場所之所期望顏色之著色層發光者，可全彩顯示文字或畫像。

然而，在將著色層進行成膜之間，維持加熱過濾器27為加熱溫度，如持續淨化氣體的導入，因蒸氣流入於淨化氣體，故可使必要量之蒸鍍材料39的蒸氣，全部從放出口55加以放出，可正確地控制著色層之膜厚。另外，在排出殘留蒸氣時，亦如持續淨化氣體的導入，可在短時間進行排出。

以上係對於低熔點金屬76配置於容器75之情況加以說明過，但本發明並不限定於此。圖6之符號80乃顯示本發明第二例之開關閥。在此開關閥80中，低熔點金屬76係直接配置於箱體85之箱體下部84。

與圖3同樣地，遮蔽構件72與連接配管78係氣密地插通於箱體上部88，而箱體上部88係被加以固定。箱體下部84與箱體上部88係由波紋管86氣密地加以連接，成為可相對性地移動。對於箱體下部84係安裝有無圖示之移動裝置，經由移動裝置，箱體下部84則升降，配置於箱體下部84之低熔點金屬76乃對於遮蔽構件72之下端而言，相對性地移動。

以上係對於固定箱體上部88，箱體下部84產生移動之情況加以說明過，但本發明並不限定於此，而亦可固定 箱體下部84，於箱體上部88連接移動裝置而使其升降，而亦可於箱體上部88與箱體下部84之雙方，連接移動裝置而使雙方升降。

使箱體上部88升降之情況係呈不損傷遮蔽構件72或連接配管78之連接端(放出裝置50或蒸氣產生裝置20)地，於遮蔽構件72與連接端之間，連接配管78與連接端之間，設置如波紋管86之伸縮構件，吸收遮蔽構件72與連接配管78之移動。

以上係對於開關閥70乃具有各箱體71之情況加以說明過，但本發明並不限定於此。

圖7乃顯示本發明第三例之開關閥100，各開關閥100係具有共通之箱體101，各開關閥100之容器75係配置於共通之箱體101內部。箱體101係箱體上部109乃共通，箱體下部104乃形成於各開關閥100。

與圖3之開關閥70同樣地，各箱體下部104係由如波紋管66之伸縮構件，各連接於箱體上部109，經由移動裝置61，箱體下部104，和上軸65，和容器75則一起升降。

各開關閥100之遮蔽構件72係各氣密地插通於共通之箱體上部109。容器75與遮蔽構件72之位置關係乃與圖3同樣地，由個容器75升降者，配置於容器75之低熔點金屬76與遮蔽構件72乃相對性地移動。

移動裝置61係成為可將容器75做個別地升降，由只使所期望之開關閥100之容器75升降而切換成開啟狀態 與關閉狀態者，可將蒸氣產生裝置20，個別地連接或遮斷於放出裝置50。

以上係對於各開關閥70、80、100乃個別地具有低熔點金屬76之情況加以說明過，但本發明並不限定於此。

圖8乃顯示本發明第四例之開關閥120，各開關閥120係具有共通之低熔點金屬76，該低熔點金屬76係直接收容於共通之箱體121之箱體下部124，或收容於配置在該箱體下部124之容器125。

在此，各開關閥120之箱體下部124乃共通，但箱體上部129乃形成於各開關閥120，各箱體上部129係由如波紋管126之伸縮構件，氣密地安裝於箱體下部124，箱體121之內部空間乃從外部加以遮斷。

箱體下部124係被加以固定，箱體上部129係連接於不圖示之移動裝置，各箱體上部129乃成為可個別地升降。

遮蔽構件72係下端開口呈與低熔點金屬76對面地插通於各箱體上部129。遮蔽構件72係固定於箱體上部129，箱體上部129升降時則一起升降，對於低熔點金屬76而言相對性地移動。

移動裝置係成為可將遮蔽構件72做個別地升降，由只使所期望之開關閥120之遮蔽構件72升降而切換成開啟狀態與關閉狀態者，可將蒸氣產生裝置20，個別地連接或遮斷於放出裝置50。

由遮蔽構件72移動之情況，因有遮蔽構件72之連接 端產生損傷之虞，故於遮蔽構件72與連接端之間，設置波紋管或塑料構件等之伸縮構件為佳。

連接配管78係有著在圖7之開關閥100中，連接於箱體上部109，在圖8之開關閥120中，連接於箱體下部124之不同，但任合情況均在各開關閥100，120，連接配管78乃共通，遮蔽構件72之外部空間亦共通。將各蒸氣產生裝置20，各連接於遮蔽構件72，將放出裝置50連接於連接配管78。

低熔點金屬76係並無特別加以限定，但熔點乃使用分解蒸鍍材料39之蒸氣的未達分解溫度者，如加熱為該未達分解溫度而進行成膜，蒸氣乃即使接觸於低熔點金屬76，亦未被分解。

在本發明中，如上述，因將與蒸氣接觸之構件，加熱為超過蒸鍍材料39之蒸氣分解的溫度之加熱溫度，故作為低熔點金屬76，係使用對於該未達加熱溫度有熔點之構成。

例如，蒸鍍材料39乃有機電激發光源僭用之有機材料的情況，加熱溫度係250℃以上400℃以下，作為低熔點金屬76，係使用選自In(熔點156℃)，和Sn(熔點232℃)，和InSn合金所成的群任一種類以上的金屬。

容器75與突部74係如由不鏽鋼等，以上述加熱溫度未融熔之耐熱材料加以構成，在使低熔點金屬76融熔時，亦未有變形或融熔。

使用在本發明之蒸鍍裝置10b的蒸鍍材料39係無特 別加以限定，但例如為粒徑100μm以上200μm以下之粉體。

載置構件24之構成材料係未無特別加以限定，但金屬，合金，無機物等熱傳導率為高者為佳。其中，碳化矽(SiC)係因對於熱傳導率與機械性強度之雙方優越，故特別為佳。

融熔之低熔點金屬76係無需作為環狀，但在各開關閥70各配置低熔點金屬76之情況係作為環狀者，低熔點金屬76之加熱效率為高，且可以少的低熔點金屬76之使用量完成。

遮蔽構件72之形狀亦無特別加以限定，但如將構成下端的壁，朝向前端而作為端細削尖，在將開關閥70作為關閉狀態時，低熔點金屬76則不會飛散。

另外，如將開關閥70作為關閉狀態時之低熔點金屬76與遮蔽構件72之相對的移動量，遮蔽構件72之下端未與容器(或箱體85)之底面接觸，而呈在低熔點金屬76表面與容器75(或箱體85)底面之間停止地加以設定，遮蔽構件72下端係因未經常接觸於固體，故即使重複開關開關閥70，亦不會磨耗。

遮蔽構件72係未限定於筒狀，而如將箱體71之內部空間作為可分離，可作為板狀，球狀等各種形狀。

在導入淨化氣體同時進行成膜之情況，作為淨化氣體，使用不會與蒸鍍材料39反應之惰性氣體(Ar、Kr、Xe)為佳。

對於在加熱放出裝置50時，有著由輻射熱而加熱基板81或光罩16之虞。特別是使基板81保持與和放出口55對向之範圍對面，進行成膜之情況，係因基板81容易成為高溫，故於放出裝置50與光罩16之間，或放出裝置50與基板81之間，配置冷卻構件67，以冷卻構件67被覆放出裝置50，將基板81保持在60℃以下者為佳。

對於冷卻構件67之中，與放出口55對面的部份係設置較放出口55為大口徑之開口，從放出口55所放出的蒸氣乃作為未分解於冷卻構件67。與其開口的形狀或放出口之位置關係係未特別加以限定，亦可於一個之開口，使一個之放出口露出，而亦可於一個之開口，使二個以上之放出口露出。

為了規避收容於液槽31之蒸鍍材料39的變質，各液槽31或供給裝置30係維持在液槽31之未達蒸發溫度(例如未達240℃)者為佳。

具體而言，設置隔熱構件，作為不會傳導來自加熱室29的熱於供給裝置30或液槽31。另外，與設置隔熱構件之同時，如將供給裝置30或液槽31之任一方或雙方，以冷卻手段冷卻，可更確實地防止蒸鍍材料39之變質。

蒸鍍材料39係不限定於宿主或攙雜劑等之混合物。例如，將蒸鍍材料39之構成成分，收容於各自之蒸氣產生裝置20的液槽31，將收容各構成成分之蒸氣產生裝置20各連接於放出裝置50，將混合各構成成分之蒸氣者，從放出口55放出，進行成膜亦可。

著色層係不限定於構成含有發光性有機材料之發光層的情況，與發光層另外形成，作為彩色濾光片亦可。

本發明之蒸鍍裝置10b係不只發光層，而亦可使用於電洞輸送層、電洞植入層、電子植入層、電子輸送層等其他之有機薄膜的成膜。

將上述之蒸鍍裝置10a~10c，各分為RGB(紅、綠、藍)用，以各蒸鍍裝置10a~10c，將各色之電洞輸送層、電洞植入層、發光層、電子植入層、電子輸送層進行成膜亦可。

將放出裝置50，和載置台15之任一方或雙方連接於搖動裝置58，在成膜中，相對性地使載置台15上之基板81與放出裝置50移動亦可。具體而言，基板81乃在平面內呈作為往返移動或圓圈運動地使其移動。因與基板81表面之放出口55對面之位置移動，故成長於基板81表面之有機薄膜的膜厚乃成為均一。

載置台15與放出裝置50之相對性之往返移動的方向係無特別加以限定，但對於為了將膜厚分布作為更均一，往返移動於與放出管52之長度方向交叉的方向。

基板81與放出裝置50之位置關係乃未特別加以限定。對於基板81的彎曲不會成為問題程度之小型情況，係將放出口55朝上側，將基板81配置於放出裝置50之上方亦可，而將放出口55朝側方，將基板81立設於放出裝置50之側方亦可。

然而，對於將所決定之膜厚進行成膜所需之蒸鍍材料 39的供給量係在初步試驗而求得。初步試驗係將與使用在實際的成膜構成相同之蒸鍍材料39，收容於液槽31，將真空環境的壓力，載置構件24之溫度等之成膜條件，作為與和實際製造時的成膜條件相同，保持於放出裝置50上配置基板81(如使用光罩16，光罩16與基板81)，將蒸鍍材料39載置於載置構件24而使蒸氣產生，形成薄膜。如求得蒸鍍材料39之掉落量，和薄膜膜厚之關係，從其關係知道必要供給量。

蒸氣產生裝置20與開關閥70之設置場所係無特別加以限定，但亦可將蒸氣產生裝置20與開關閥70之任一方或雙方，配置於成膜槽11內部，而亦可配置於與成膜槽11不同之真空槽內。

在以上的說明中，將開關口69配置於管部之下端，但如圖10(a)、(b)，以插入於容器43之底面的管部41之上端的開口加以構成，使設置於蓋部40之底面的筒狀之突起所成之遮蔽構件48作為上下，作為呈開關在容器69圍著全周之開關口69。

當說明其開關閥70a時，參照圖10(a)、(b)，開關閥70a係於框體之箱體79內，配置容器主體45。對於容器主體45係從容器主體45之底面的下方側，管部41乃在容器主體45之底面與管部41之間液密地加以插入，管部41乃突出於容器主體45之底面上。

管部41之外周，和容器主體45之內周面之間係加以隔開，隨之，管部41之容器主體45之底面上的部份係經 由以容器主體45之內周面及底面與管部41之外周面所構成之環狀的容器43而加以圍繞。

對於其環狀的容器43內係配置有低熔點金屬46，經由配置於箱體79之外部的加熱器48，加熱低熔點金屬46為熔點以上之溫度而加以融熔。

對於容器43之上部係配置有蓋部40。

蓋部40之底面係面對於容器43，對於底面係形成有由環狀之突出物所成，筒狀之遮蔽構件49。蓋部40與遮蔽構件49係未使氣體透過而相互氣密地加以連接。

對於蓋部40係連接有移動軸42，移動軸42係氣密地導出於箱體79之外部，連接於馬達44。當使馬達44動作時，藉由移動軸42而蓋部40與遮蔽構件49則上下移動。

對於箱體79，係設置有連接於蒸氣產生裝置20與放出裝置50之中任一方之連接口62。管部41之下端部係從箱體79之壁面氣密地導出於外部，構成容器43之部分的上端乃作為開關口69，連接於未連接於蒸氣產生裝置20與放出裝置50中之連接口62側。

遮蔽構件49與蓋部40乃從容器43或融熔之低熔點金屬46隔開時，係在箱體79內部連接連接配管78與開關口69，隨之，連接蒸氣產生裝置20與放出裝置50。

蓋部40下降，遮蔽構件49乃遍佈開關口69之周圍全周，接觸於融熔之低熔點金屬46而加以浸漬時，開關口69係由蓋部40與遮蔽構件49加以蓋上，遮斷連接配 管78與開關口69。

並非蓋部40，而環形狀之容器43與管部41即使移動，亦為相同。遮蔽構件49係未與容器主體45之底面接觸。

然而，在本發明，低熔點金屬46係並無特別加以限定，但使用對於移動之氣體(例如蒸鍍材料之蒸氣)之未達分解溫度而有熔點之低熔點金屬46。如將低熔點金屬46加熱成未達分解溫度而使其融熔，氣體即使接觸於低熔點金屬46，亦不會被分解。

接著，說明本發明之其他例。

圖11、12之符號70b乃顯示本發明之其他的開關閥。

對於蒸鍍容器79的內部，係配置有第一之容器75。

對於第一之容器75的上方，對於箱體79係氣密地插通管部，將其管部之下部作為第一之遮蔽構件72時，第一之遮蔽構件72係配置於第一之容器75的上方。

第一之容器75係藉由上軸65，氣密地安裝於馬達等之移動手段61，對於第一之遮蔽構件72而言，呈可升降移動地加以構成。

第一之容器75內，係配置有低熔點金屬76。低熔點金屬76係被加以融熔，在第一之遮蔽構件72乃與融熔之低熔點金屬76隔開而成為非接觸狀態中，設置於箱體79之連接口62，和由遮蔽構件72所圍住之第一之開關口69之間係如圖11所示地加以連通。

如圖12所示，對於第一之遮蔽構件72乃與第一之容器75內之融熔的低熔點金屬76接觸，浸漬於低熔點金屬76內之情況，係遮斷連接口62與第一之開關口69之間。

對於第一之容器75之下方，係配置有容器主體95。對於容器主體95，係與在10(a)、(b)所示之開關閥70a同樣地，於底面連接管部91而構成環狀之第二之容器93。

將插通於底面之管部91的上端之開口作為第二之開關口94時，第二之開關口94係經由第二之容器93所圍住。

對於朝向第一之容器75之底面的垂直下方之背面，係由環狀之突起所成之筒狀的第二之遮蔽構件98乃密著氣密地加以形成。

第二之遮蔽構件98乃位置於第二之容器93之上方，經由第一之容器75之升降移動，第二之遮蔽構件98乃呈插入、拔去於第二之容器93地加以構成。

對於第二之容器93之內部，係配置與第一之容器75之低熔點金屬76相同組成之低熔點金屬96，進行升溫加以融熔。

第二之遮蔽構件98乃插入於第二之容器93內，第二之遮蔽構件98乃接觸於低熔點金屬96，浸漬於其內部時，第二之開關口94係第一之容器75乃成為蓋部，經由蓋部與第二之遮蔽構件98加以閉塞。此時，第一之開關口 69係加以開放，第一之開關口69乃連接於連接口62。

在第一之容器75上升，閉塞第一之開關口69之狀態中，第二之遮蔽構件98乃從第二之容器93內加以拔除，第二之遮蔽構件98乃與低熔點金屬96隔開而成為非接觸之狀態，第二之開關口94係加以開放。此時，第一之開關口69係加以閉塞，第二之開關口94乃連接於連接口62。

一端乃作為第二之開關口94之管部91係其另一端乃連接於冷卻槽92。冷卻槽92係於外周，設置冷卻裝置97，加以冷卻。連接口62係連接於蒸氣產生裝置20，第一之開關口69係連接於放出裝置50，當閉塞第一之開關口69，開放第二之開關口94時，連接蒸氣產生裝置20與冷卻槽92，在蒸氣產生裝置20所生成之有機化合物的蒸氣係導入於冷卻槽92，經由冷卻裝置97加以冷卻，分解於冷卻槽92之壁面。在除去蒸氣產生裝置20內之殘留蒸氣時，當連接於冷卻槽92時，可使殘留蒸氣分解而除去。

然而，亦可作為連接到冷卻槽92之管部91之箱體79內的前端，未設置配置有低熔點金屬之容器，另外對於第一之容器75之底面，亦未設置第二之遮蔽構件，而由將箱體拆裝於其管部91之前端者，開關管部91之前端的第二之開關口94。第二之開關口94係圖13乃關閉狀態，圖14乃開啟狀態。

10b‧‧‧蒸鍍裝置

11‧‧‧成膜槽

13‧‧‧成膜源

20‧‧‧蒸氣產生裝置

39‧‧‧蒸鍍材料

50‧‧‧放出裝置

55‧‧‧放出口

61‧‧‧移動裝置

70，70a，70b，70c‧‧‧開關閥

71，79‧‧‧箱體

72，49，98‧‧‧遮蔽構件

76，96‧‧‧低熔點金屬

81‧‧‧基板

[圖1]為了說明本製造裝置之一例的平面圖。

[圖2]說明本發明之蒸鍍裝置之一例的模式平面圖。

[圖3]圖2之A-A切斷線剖面圖。

[圖4]說明蒸鍍產生裝置之一例的剖面圖。

[圖5](a)說明關閉狀態之的剖面圖、(b)說明開啟狀態之的剖面圖。

[圖6]說明開關閥之第二例的剖面圖。

[圖7]說明開關閥之第三例的剖面圖。

[圖8]說明開關閥之第四例的剖面圖。

[圖9]為了說明以往技術之蒸鍍裝置的剖面圖。

[圖10](a)、(b)：為了說明本發明之其他例的圖面。

[圖11]為了說明連接於冷卻裝置之本發明的例之圖面(與冷卻槽遮斷)。

[圖12]為了說明連接於冷卻裝置之本發明的例之圖面(與冷卻槽連接)。

[圖13]連接於冷卻裝置之第二之開關口乃對於第一之容器的底面而言，進行拆合的例(密著狀態)。

[圖14]連接於冷卻裝置之第二之開關口乃對於第一之容器的底面而言，進行拆合的例(脫離狀態)。

9‧‧‧真空排氣系統

11‧‧‧成膜槽

13‧‧‧成膜源

15‧‧‧載置台

16‧‧‧光罩

20‧‧‧蒸氣產生裝置

24‧‧‧載置構件

29‧‧‧加熱室

31‧‧‧液槽

47‧‧‧電源

48‧‧‧加熱手段

50‧‧‧放出裝置

51‧‧‧共通管

52‧‧‧放出管

55‧‧‧放出口

58‧‧‧搖動手段

61‧‧‧移動裝置

62‧‧‧連接口

63‧‧‧第二之開關口

64‧‧‧箱體下部

65‧‧‧上軸

66‧‧‧波紋管

67‧‧‧冷卻構件

69‧‧‧開關口

70‧‧‧開關閥

71，79‧‧‧箱體

72‧‧‧遮蔽構件

74‧‧‧突部

75‧‧‧容器

76‧‧‧低熔點金屬

78‧‧‧連接配管

81‧‧‧基板

Claims (9)

1. 一種成膜源，屬於具有：在內部使蒸鍍材料的蒸氣產生之蒸氣產生裝置，和放出前述蒸氣材料之蒸氣的放出裝置，和切換前述蒸氣產生裝置與前述放出裝置之間的連接和遮斷之開關閥的成膜源，其特徵乃前述開關閥係具有：箱體，和配置於前述箱體內，為配置溶融金屬之容器，和配置前述容器之前述溶融金屬，和下端可接觸於前述溶融金屬之遮蔽構件，和相對性地與前述遮蔽構件移動，使前述溶融金屬表面與前述遮蔽構件的下端接觸，關閉該開關閥，使前述遮蔽構件的下端與前述溶融金屬表面隔開，開啟該開關閥之移動裝置。
2. 如申請專利範圍第1項記載之成膜源，其中，具有複數前述蒸氣產生裝置，經由前述開關閥，可個別地切換前述蒸氣產生裝置與前述放出裝置之間的連接和遮斷者。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項任一項記載之成膜源，其中，前述遮蔽構件乃筒狀，前述遮蔽構件之下端係由前述筒的下端所構成，前述放出裝置與前述蒸氣產生裝置之中任一方係連接於前述筒之內部空間，另一方係連接於前述筒之外部空間。
4. 如申請專利範圍第1項記載之成膜源，其中，具有前端乃插通於前述箱體內，前述前端乃由前述容器所圍繞之管部，和蓋部，對於前述蓋部底面，係形成有從前述蓋部底面突出所形成之環狀的突起而成之筒狀的前述遮蔽構件，遍佈前述管部的外周，於前述容器內加以溶融之前述低熔點金屬，當接觸前述遮蔽構件時，經由前述遮蔽構件與前述蓋部，閉塞開關口，關閉該開關閥，前述遮蔽構件乃從前述低熔點金屬隔開時，開啟該開關閥之開關閥。
5. 如申請專利範圍第1項記載之成膜源，其中，前述放出裝置係具有複數相互平行地加以配置之細長的放出管，對於前述各放出管係各設置有放出口，當前述蒸氣產生裝置連接於前述放出裝置時，於前述各放出口，各供給前述蒸鍍材料之蒸氣，從前述各放出口放出前述蒸鍍材料之蒸氣。
6. 一種蒸鍍裝置，其特徵乃具有成膜槽，和如申請專利範圍第1項記載之成膜源，前述放出裝置乃於前述成膜槽的內部，放出前述蒸鍍材料之蒸氣。
7. 如申請專利範圍第6項記載之蒸鍍裝置，其中，具有配置於前述成膜槽之內部，配置基板於表面之載置台， 前述放出裝置乃從前述載置台的上方位置，朝向前述載置台，放出前述蒸鍍材料之蒸氣。
8. 如申請專利範圍第7項記載之蒸鍍裝置，其中，具有前述載置台和連接於前述放出裝置之任一方或雙方之搖動裝置，前述搖動裝置係將前述放出裝置，在與配置於前述載置台之前述基板平行之平面內，對於該基板而言，相對性地使其移動。
9. 一種有機電激發光元件之製造裝置，其特徵乃具有輸送室，和濺鍍室，和如申請專利範圍第6項記載之蒸鍍裝置，前述濺鍍室與前述蒸鍍裝置乃連接於前述輸送室。