JP2004204289A - 成膜装置とその方法および表示パネルの製造装置とその方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の大型化を防止し、ＰＯＶＰＤ法および真空蒸着法による膜形成を順次効率良く適切に行う有機ＥＬパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００においては、基板２００はホルダー回転機構１１３に支持された基板ホルダー１１２に保持される。有機層形成時には、有機原料容器１３３の有機材料が原料加熱ヒーター１３４により加熱気化され、キャリアガスボンベ１３１からのキャリアガスと混合され、有機ガスノズル１３８からチャンバー１１１内に放出され、ガスノズル方向に向けられた基板２００の表面に流される。電極層や封止層形成時は、坩堝１５１の成膜材料が坩堝加熱ヒーター１５２により蒸発され、鉛直方向下向きに向けられた基板２００の表面に流される。１つのチャンバー１１１内で真空真空吸引状態を維持した状態で、異なる方法による複数の層を形成することができる。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子；以下「有機ＥＬ素子」という）を表示素子として有する有機ＥＬパネルの製造装置に適用して好適な成膜装置とその方法、および、その有機ＥＬパネル等の表示パネルの製造装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、平面型の表示装置として、有機ＥＬ素子を発光素子とした有機ＥＬパネルが注目を集めている。この有機ＥＬパネルは、バックライトが不要な自発光型のフラットパネルディスプレイであり、自発光型に特有の視野角の広いディスプレイを実現できるという利点を有する。また、必要な画素のみを点灯させればよいため、消費電力を液晶ディスプレイ等のバックライト型のディスプレイに比べて少なくすることができる。また、応答性能を、今後実用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信号にも十分対応可能な程度に高くすることもできる。
【０００３】
有機ＥＬパネルに用いられる有機ＥＬ素子は、アノード（陽極）、有機層、カソード（陰極）という素子構造を有し、有機材料を上下から電極（陽極および陰極）で挟み込んでいる。そして、有機層に対して電圧を印加することにより、陽極から正孔が、陰極から電子がそれぞれ有機層に注入され、有機層にて正孔と電子が再結合することにより発光が生じる。このとき、有機ＥＬ素子では、１０Ｖ以下の駆動電圧で数百〜数万ｃｄ／ｍ^２の輝度が得られる。
なお、蛍光物質たる有機材料を適宜選択することによって、所望の色彩の発光を得ることができる。そのため、有機ＥＬ素子は、マルチカラーまたはフルカラーの表示装置を構成するための発光素子として有望視されている。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子において、有機層を形成する有機材料は、耐水性が低いためウエットプロセスを利用できない。そのため有機層を形成する際には、真空薄膜成膜技術を利用した真空蒸着を行うのが一般的である。すなわち、真空チャンバー内において、有機材料を坩堝に収容し、その坩堝を加熱して蒸発させ、蒸気の飛翔先に配置された基板に有機材料を付着させ有機層を成膜する方法が、従来より広く用いられている。
【０００５】
近年、真空蒸着法とは異なる新しい有機膜形成方法であるＬＰＯＶＰＤ（Low PressureOrganic Vapor Phase Deposition）と呼ばれる減圧有機気相蒸着法が米国プリンストン大から提案されている（特許文献１参照）。
ＬＰＯＶＰＤ法は、減圧下で原料ガスをキャリアガスを用いて基板へ運び、基板上でガスが凝縮させて膜形成を行う有機膜形成方法である。ＬＰＯＶＰＤ法では、異なる蒸気圧をもつ複数の有機材料を、各成分量を精密に制御しつつ減圧下で反応させて同時蒸着することができ、多成分系薄膜の形成に好適である。また、減圧下で膜形成を行うため、滑らかな表面性を有する有機薄膜を形成することができる。また、ＬＰＯＶＰＤ法は、成膜方向に自由度があるので、チャンバー側面に配置したガスノズルと対向するように縦置きにした基板への有機膜形成が可能である。そのため、基板を横置きにした際に生じる基板自重によるたわみが低減し、マスク成膜による有機膜パターン形成精度が向上する。したがって、大型基板への高精度な有機膜形成方法として有効である。
【０００６】
【特許文献１】
特表２００１−４２３７６８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、有機ＥＬパネルを前述したＬＰＯＶＰＤ法を用いて製造しようとすると、ＬＰＯＶＰＤ法により基板に有機膜を形成した後、真空蒸着法により有機層の上面にカソードを形成する必要がある。そのため、有機ＥＬパネルの製造装置は、ＬＰＯＶＰＤ室と真空蒸着室とを具備したマルチチャンバー型の装置とする必要があり、また、ＬＰＯＶＰＤ室と真空蒸着室間の基板搬送機構も必要となる。その結果、装置が大型化し、搬送タクトがかかり生産性が低下するという不利益が生じる。また、搬送の際に基板の位置ずれ、基板割れあるいはキズ等が発生したり、有機膜が劣化したりする可能性があり、歩留まりが低下する可能性があるという不利益もある。特に有機膜は、その製造途中において酸素や水分にさらされると劣化し易いという性質があり、基板の搬送工程が少ないことが好ましい。さらに、複雑な搬送機構によって稼働部からの細かい機械ゴミなどが発生し、成膜装置内部のクリーン度を悪くしパネルの発光欠陥を引き起こすということがある。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、装置の大型化や基板の搬送による不利益を防止し、ＬＰＯＶＰＤ法による膜生成および真空蒸着法による膜形成を順次適切に行うことのできる成膜装置および成膜方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、装置の大型化や基板の搬送による不利益を防止し、ＬＰＯＶＰＤ法による膜生成および真空蒸着法による膜形成を順次適切に行うことにより、有機層等の発光層や電極層を形成し表示素子を形成する表示パネルの製造装置および表示パネルの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の成膜装置は、内部を大気圧以下に保持することが可能なチャンバーと、成膜材料を気化させ、当該気化された成膜材料を含むガスを前記チャンバー内に放出するガス放出手段と、他の成膜材料を蒸発させ、当該他の成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる蒸発源と、基板を、基板面の向きを変更可能に前記チャンバー内に保持し、前記ガス放出手段から前記ガスが放出される時には前記基板を前記ガスが放出される方向に指向させ、前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時には前記基板を前記蒸気が飛散する方向に指向させる基板保持手段とを有する。
【００１０】
このような構成の成膜装置においては、適宜選択されるいくつかの膜については、成膜材料をガス放出手段において気化してガス化し、チャンバー内に放出する。チャンバー内においては、基板は、基板保持手段により方向が任意に変更可能なように保持されている。したがって、ガス化された成膜材料が放出されている時には、基板の膜形成面がこのガスの放出される方向を指向するように、その向きを設定しておく。このようにすれば、チャンバー内に放出されたガスは、基板の膜形成面に向かって吹き出されることとなり、ガスに含まれている成膜材料が基板表面に付着し、基板表面に薄膜が形成されることとなる。このような成膜材料を含むガスを吹き付ける工程による成膜が終了したら、引き続いて、いわゆる真空蒸着による成膜を行う。この時は、基板保持手段により基板を鉛直方向下向きを向くように移動させ、蒸発源から成膜材料の蒸気を飛散させる。その結果、基板の膜形成面に蒸気があたり、表面に材料が付着し、薄膜が形成される。
このように、本発明の成膜装置によれば、１つのチャンバーを用いて、異なる方法（工程）による膜形成を連続して行うことができ、装置の小型化および成膜処理の効率化が図れる。しかも、基板をチャンバーから他のチャンバーへと移動させる必要がないので、膜（特に有機膜）の劣化が少ない。搬送機構も単純なためダストの発生も少ない。
【００１１】
好適には、前記ガス放出手段を複数具備し、各ガス放出手段は、順次、任意の成膜材料を気化させ、当該気化された成膜材料を含むガスを前記チャンバー内に放出する。
また好適には、前記蒸発源を複数具備し、各蒸発源は、順次、任意の成膜材料を蒸発させ、当該成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる。
このようにすれば、各工程において複数の材料の薄膜を形成することができ、複雑な積層構造の素子等を効率良く形成することができる。
【００１２】
また好適には、本発明の成膜装置は、前記ガス放出手段から前記ガスが前記チャンバー内に放出される時に、前記放出されるガスから前記蒸着源を隔離する第１の隔離手段と、前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時に、前記飛散される蒸気から前記ガス放出手段を隔離する第２の隔離手段とをさらに有する。
このような構成によれば、いずれかの成膜材料による膜形成処理を行っている時に、他の成膜材料や他の成膜手段への影響を防止することができ、高品質な成膜を行うことができる。
【００１３】
好適な一例としては、前記基板保持手段は、基板に平行な軸で当該基板を回転可能に保持する。
また好適な一例としては、少なくとも１の前記ガス放出手段は、前記チャンバーの側面部にガス放出口を有し、当該ガス放出口から前記ガスをチャンバー内に水平方向に放出する。
また、好適な他の一例としては、少なくとも１の前記ガス放出手段は、前記チャンバーの上部にガス放出口を有し、当該ガス放出口から前記ガスをチャンバー内に鉛直方向下向きに放出する。
【００１４】
また好適には、基板保持手段に保持されている基板を挟んで前記ガス放出口と反対側の領域に、前記チャンバー内を真空排気する排気口が設けられている。
このような構成によれば、ガス放出口から排気口に向かってガスの層流が形成され、基板の膜形成面の表面に適切に成膜材料を含むガスが流れることとなり好ましい。
【００１５】
好適な一例としては、前記ガス放出手段は、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、前記成膜材料を気化させ前記キャリアガスと混合するガス生成手段と、前記キャリアガスと混合されたガスを前記チャンバー内に輸送するガス輸送手段とを有する。
また好適な一例としては、前記ガス放出手段は、有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを前記チャンバー内に放出する。
【００１６】
また、本発明の成膜方法は、向きを変更可能に基板をチャンバー内に保持し、前記基板の向きを次の成膜工程に応じた所定の方向に設定し、成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程または成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程のいずれか一方の工程により、前記基板に所望の材料の膜を形成し、前記基板の向きを次の成膜工程に応じた所定の方向に変更し、前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程または前記成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程のいずれか他方の工程により、前記基板に所望の他の材料の膜を形成する。
【００１７】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造装置は、１以上の有機層を有する有機ＥＬ素子が形成されて構成される有機ＥＬ表示パネルの製造装置であって、内部を大気圧以下の圧力に保持することが可能なチャンバーと、前記有機層を形成する有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを前記チャンバー内に放出するガス放出手段と、有機層以外の層を形成する成膜材料を蒸発させ、当該成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる蒸発源と、基板を、基板面の向きを変更可能に前記チャンバー内に保持し、前記ガス放出手段から前記有機ガスが放出される時には前記基板を前記有機ガスが放出される方向に指向させ、前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時には前記基板を前記蒸気が飛散する方向に指向させる基板保持手段とを有する。
【００１８】
また、本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、１以上の有機層を有する有機ＥＬ素子が形成されて構成される有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、向きを変更可能に基板をチャンバー内に保持し、前記有機層を形成する有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを前記チャンバー内に配置された前記基板の膜形成面に向けて放出し、前記有機材料の膜を形成し、前記基板の向きを変更し、有機層以外の層を形成する成膜材料を蒸発させ、当該成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させ、前記蒸気を前記基板の膜形成面に付着させて前記成膜材料の膜を形成する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態においては、有機ＥＬ素子を発光素子として有する有機ＥＬパネルの製造装置であって、特に、ＬＰＯＶＰＤ法および真空蒸着法により、基板上に有機層や電極層等の薄膜を順次形成して有機ＥＬ素子を形成する装置を例示して本発明を説明する。
【００２０】
まず、本実施形態の装置によって製造される有機ＥＬ素子の構成について図１を参照して簡単に説明する。
図１は、その有機ＥＬ素子の概略構成を示す模式図である。
図１に示すように、有機ＥＬ素子１は、ガラス基板２上に、陽極３、有機層４、陰極９および封止膜１０が順次積層されて構成される。本実施形態においては、陽極３はＩＴＯ（酸化インジウムスズ）により形成され、陰極９はＬｉ_２Ｏ／Ｍｇ：Ａｇ（Ｍｇ：Ａｇの共蒸着）、ＬｉＦ／Ａｌ等の金属により形成され、封止膜１０は例えばＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）により形成される。
有機層４は、例えば緑色発光の場合には、正孔輸送層５、電子輸送性発光層（有機発光層）６を有する。本実施形態においては、正孔輸送層５はα-ＮＰＤ（テトラフェニルジアミン）により形成され、有機発光層６はＡｌｑ_３（トリス（８―キノリノラト）アルミニウム錯体）により形成される。
【００２１】
このような有機ＥＬ素子１においては、陽極３と陰極９との間に直流電圧を印加することにより、正孔は陽極３から正孔輸送層５を経て有機発光層６に注入され、電子は陰極９から有機発光層６に注入される。その結果、注入された正孔および電子の結合により有機発光層６内の蛍光分子が励起され発光現象が生じる。
この時、有機発光層６に含まれる有機発光材料（蛍光物質）を変えることにより、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を発光する有機ＥＬ素子が形成される。したがって、ガラス基板２上にＲＧＢ３色の有機ＥＬ素子を所定のパターンでマトリクス状に２次元に配列することによりカラー有機ＥＬパネルが製造され、各有機ＥＬ素子を選択的に発光させることによりフルカラー表示が行われる。
【００２２】
カラー有機ＥＬパネルを製造するための、各色の有機ＥＬ素子の配置は、パターニング成膜によって実現できる。パターニング成膜は、所定の成膜パターンに対応して開口が設けられているマスクを、有機層形成面を覆うようにガラス基板２と密着させて配置し成膜を行うものである。各色に対応した複数種類のマスクを用意して有機発光層６の成膜を順番に行うことにより、結果として複数の有機ＥＬ素子１を所望の配列で配置することができる。
【００２３】
次に、ＬＰＯＶＰＤ法および真空蒸着法により有機材料および所望の材料の薄膜を順次形成する成膜装置について、図２を参照して説明する。
図２は、その成膜装置の構成を示す図である。
成膜装置１００は、チャンバー部１１０、ＬＰＯＶＰＤ部（ガス放出手段）１３０および蒸発源１５０を有する。
【００２４】
チャンバー部１１０は、成膜対象の基板２００に膜形成のための環境を提供する成膜装置１００の基本的な構成部であって、チャンバーおよびその周辺処理部を有する。より具体的には、チャンバー部１１０は、チャンバー１１１、基板ホルダー１１２、ホルダー回転機構１１３、真空排気口１１４、真空排気装置１１５、第１のシャッター（第１の隔離手段）１１６および第２のシャッター（第２の隔離手段）１１８を有する。
【００２５】
チャンバー１１１は、基板２００を所定の減圧環境あるいは実質的な真空環境におき成膜を行うための真空室である。
チャンバー１１１の中央部には、基板２００を保持する基板ホルダー１１２が設けられている。この基板ホルダー１１２は、水平に設けられているホルダー回転機構１１３の回転軸１１７により回転可能に支持される。なお、基板ホルダー１１２およびホルダー回転機構１１３により基板保持手段が構成される。
チャンバー１１１の側面には、基板ホルダー１１２を間に挟んで対向する配置で、ＬＰＯＶＰＤ部１３０の有機ガスノズル１３８および真空排気装置１１５の真空排気口１１４が設けられる。これにより、ＬＰＯＶＰＤ法による成膜時に、有機ガスノズル１３８から基板２００周辺を介して真空排気口１１４に至る有機ガスの層流が形成される。
有機ガスノズル１３８の前面には、有機ガスノズル１３８が配置される空間とチャンバー１１１内のその他の空間とを仕切るための第２のシャッター１１８が配置されている。第２のシャッター１１８は、真空蒸着法により成膜を行う際に蒸発源１５０から飛散される蒸気とＬＰＯＶＰＤ部１３０とを隔離するために使用される。
【００２６】
チャンバー１１１の底面部には、蒸着材料が収容される坩堝１５１を有する蒸発源１５０が設けられている。
また、蒸発源１５０の上部には、蒸発源１５０が配置される空間とチャンバー１１１内のその他の空間とを仕切るための第１のシャッター１１６が配置されている。第１のシャッター１１６は、ＬＰＯＶＰＤ法により成膜を行う際に有機ガスノズル１３８から放出される有機ガスと坩堝１５１に収容された蒸着材料とを隔離するために使用される。
【００２７】
ホルダー回転機構１１３は、回転軸１１７を回転駆動することにより基板ホルダー１１２を回転させ、基板ホルダー１１２に保持されている基板２００を所望の方向に指向させる。ホルダー回転機構１１３は、ＬＰＯＶＰＤ法により基板２００に有機層を形成する際には、基板２００の基板面が鉛直方向となり有機ガスノズル１３８方向を指向するように基板ホルダー１１２を回転させる。また、真空蒸着法により基板２００に電極層を形成する際には、基板２００の基板面が水平方向下向きとなり蒸発源１５０方向を指向するように、基板ホルダー１１２を回転させる。
【００２８】
ＬＰＯＶＰＤ部１３０は、チャンバー１１１に保持された基板２００にＬＰＯＶＰＤ法により有機層を形成するために、気化した有機材料をキャリアガスに混合した有機ガスを生成しチャンバー１１１に放出する。ＬＰＯＶＰＤ部１３０は、キャリアガスボンベ１３１、第１の配管１３２、有機原料容器１３３、原料加熱ヒーター１３４、第２の配管１３５、バルブ１３６、第３の配管１３７、ガスノズル１３８および配管加熱ヒーター１３９を有する。
【００２９】
キャリアガスボンベ１３１は、アルゴン（Ａｒ）ガスや窒素ガス（Ｎ_２）等のキャリアガスを、第１の配管１３２を介して有機原料容器１３３に所定の圧力で供給する。
有機原料容器１３３は、収容される有機原料を気化させキャリアガスと混合するための容器であり、また、原料加熱ヒーター１３４は、有機原料容器１３３を加熱するヒーターである。有機原料容器１３３は、原料加熱ヒーター１３４により内部が数百度程度になるまで加熱される。これにより、予め収容されたα−ＮＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）やＡｌｑ_３（トリス（８―キノリノラト）アルミニウム錯体）等の有機ＥＬ原料が気化する。気化した有機原料は、第１の配管１３２を介してキャリアガスボンベ１３１より導入されるキャリアガスと混合され、第２の配管１３５を介して有機ガスノズル１３８方向に送出される。
【００３０】
第２の配管１３５および第３の配管１３７は、有機原料容器１３３において生成された有機ガスをチャンバー１１１に輸送する配管である。
第２の配管１３５と第３の配管１３７の間には、チャンバー１１１への有機ガスの放出を制御するバルブ１３６が配置されており、図示せぬ成膜装置１００の制御部からの制御信号に応じて開閉される。
また、前述した第１の配管１３２を含む第２の配管１３５、第３の配管１３７等の配管は、配管加熱ヒーター１３９により加熱される。これにより、ガス温度が低下することにより有機材料が配管途中で析出する等の状態を防ぐことができ、有機材料は気相状態に維持されチャンバー１１１に輸送される。
【００３１】
有機ガスノズル１３８は、第２の配管１３５および第３の配管１３７を介して輸送された有機ガスをチャンバー１１１内に放出する放出口である。有機ガスノズル１３８は、チャンバー１１１の側面の真空排気口１１４に対向する位置に配置される。そして、基板２００が、基板面が鉛直方向となり膜形成面が有機ガスノズル１３８を指向する状態に保持されている時に、膜形成面に膜形成面に垂直な方向から有機ガスを均一に吹き付ける。
【００３２】
蒸発源１５０は、真空蒸着法によりチャンバー１１１に保持された基板２００に所望の材料の薄膜を形成するために、蒸着材料を蒸発させてチャンバー１１１内に飛散させる。蒸発源１５０は、坩堝１５１および坩堝加熱ヒーター１５２を有する。
【００３３】
坩堝１５１は、蒸着材料を加熱して蒸気化し飛散させるための容器であり、また、坩堝加熱ヒーター１５２は、坩堝１５１を加熱するヒーターである。坩堝１５１は、基板２００が、基板面が水平方向となり膜形成面が鉛直方向下向きとなる状態に保持されている時に、基板２００の直下となる位置に配置される。これにより、坩堝加熱ヒーター１５２により加熱されて蒸発した蒸着材料は、真上の基板２００の膜形成面を中心に飛散し、付着した蒸気により膜形成面に蒸着材料の薄膜が成膜される。
【００３４】
なお、これら成膜装置１００の各構成部は、適切にＬＰＯＶＰＤ法および真空蒸着法による薄膜形成が行われるように、図示せぬ成膜装置１００の制御部により制御されている。具体的には、ホルダー回転機構１１３による基板ホルダー１１２の回転および停止、真空排気装置１１５によるチャンバー１１１の真空排気、第１のシャッター１１６および第２のシャッター１１８の開閉、キャリアガスボンベ１３１の開閉、原料加熱ヒーター１３４による有機原料容器１３３の加熱、配管加熱ヒーター１３９による第１〜第３の配管１３２，１３５，１３７の加熱、バルブ１３６の開閉、坩堝加熱ヒーター１５２による坩堝１５１の加熱を含む蒸着条件の設定等が、いずれもこの制御部により制御される。
【００３５】
次に、このような構成の成膜装置１００の動作について図３を参照して説明する。なおここでは、基板２００に、まず有機膜を形成し、次に蒸着膜を形成する処理を例示して成膜装置１００の動作を説明する。
図３は、成膜装置１００の動作を説明する図であって、図３（Ａ）はＬＰＯＶＰＤ法により基板２００に有機膜を形成する時の成膜装置１００を示す図であり、図３（Ｂ）は真空蒸着法により基板２００に蒸着膜を形成する時の成膜装置１００を示す図である。
【００３６】
成膜装置１００において成膜を行う場合は、まず、基板ホルダー１１２に成膜対象の基板２００を載置する。この時、基板２００の膜形成面に、膜を形成したい箇所のみが開口されたマスク部材を密着させて配置しておくことにより、所望のパターンの膜を形成することができる。
また、有機原料容器１３３に有機材料を投入し、坩堝１５１には蒸着材料を投入する。
そして、第１のシャッター１１６および第２のシャッター１１８を開いた状態で、またバルブ１３６は閉じた状態で、真空排気装置１１５を動作させ、チャンバー１１１内の空気を排気してチャンバー１１１を真空にする。この時の真空度は、最初に行うＬＰＯＶＰＤ法による薄膜形成が可能な程度の数十Ｐａ〜１０^４Ｐａ程度（０．数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒ程度）の真空度でよい。
【００３７】
チャンバー１１１が所定の真空状態となったら、蒸発源１５０が有機ガスの影響を受けないように第１のシャッター１１６を閉じる。
また、基板ホルダー１１２をホルダー回転機構１１３により回転し、図３（Ａ）に示すように、基板２００の基板面が鉛直方向となり膜形成面が有機ガスノズル１３８を指向するように、基板２００を配置する。
また、原料加熱ヒーター１３４により有機原料容器１３３を加熱し、有機原料容器１３３に収容されている有機材料を気化させる。
また、配管加熱ヒーター１３９により、第１〜第３の配管１３２，１３５および１３７も加熱しておく。
そして、有機原料容器１３３の有機原料が加熱されて気化され始めたら、キャリアガスボンベ１３１から有機原料容器１３３へのキャリアガスの供給を開始する。その結果、有機原料容器１３３において、気化した有機原料とキャリアガスが混合され、有機ガスが生成される。
【００３８】
有機原料容器１３３内において有機ガスが生成されたら、バルブ１３６を開放し、生成された有機ガスを有機ガスノズル１３８からチャンバー１１１に放出する。この時、チャンバー１１１においては、真空排気装置１１５による真空排気口１１４からのガス排気が行われている。したがって、チャンバー１１１においては、有機ガスノズル１３８から基板２００周辺雰囲気を通過して真空排気口１１４に流れる有機ガスの層流ｆが形成される。これにより、放出された有機ガスは基板２００の膜形成面に均一に吹き付けられる状態となり、基板２００の膜形成面に徐々に有機原料が付着堆積し、有機膜が形成される。
所望の厚さの有機膜が形成された後、バルブ１３６を閉じて有機ガスのチャンバー１１１への放出を停止する。またこれに合わせて、原料加熱ヒーター１３４による有機原料容器１３３の加熱、および、キャリアガスボンベ１３１からのキャリアガスの供給も停止し、ＬＰＯＶＰＤ法による有機膜形成を終了する。
【００３９】
有機膜の形成が終了した後、基板ホルダー１１２をホルダー回転機構１１３により回転し、図３（Ｂ）に示すように、基板２００の基板面が水平方向下向きとなるように基板２００を配置する。
また、第１のシャッター１１６を開放し、その前後に第２のシャッター１１８は、飛散する蒸着材料から有機ガスノズル１３８等のＬＰＯＶＰＤ部１３０を隔離するために、クローズする。
また、真空排気装置１１５は、真空蒸着に好ましいように、また、既に形成した有機膜の劣化を防ぐのに好ましいように、例えば１０^−４Ｐａ程度のより高真空状態となるように、チャンバー１１１内を真空排気する。
【００４０】
次に、坩堝加熱ヒーター１５２により坩堝１５１を加熱し、坩堝１５１に投入されている蒸着材料を蒸発させる。蒸発が開始されたら、図示せぬ例えば水晶振動式膜厚計等の計測装置により蒸着材料の蒸発量をモニタし、蒸発量が所望の量で安定するよう、坩堝加熱ヒーター１５２に印加する電流値等の加熱条件を調整する。
蒸発量が所望の量で安定したら、第１のシャッター１１６をオープンして、蒸着材料の蒸気ｖをチャンバー１１１内に飛散させる。蒸発源１５０の上部には、基板２００が膜形成面を下向きにして配置されているので、多くの蒸気ｖは基板２００方向に飛散することとなり、基板２００の膜形成面に付着する。すなわち、蒸着が行われ、蒸着膜が形成される。
所望の厚さの蒸着膜が形成されたら、第１のシャッター１１６をクローズして、蒸気の飛散を停止する。またこれに合わせて、坩堝加熱ヒーター１５２による坩堝１５１の加熱も停止し、真空蒸着法による膜形成を終了する。
【００４１】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。この実施形態では、複数の有機膜および蒸着膜を形成可能に改変してある。
図４に示すように、有機ＥＬパネル製造装置１０１は、基板上に、有機層をＬＰＯＶＰＤ法により、また、電極層および封止層を真空蒸着法により形成する装置である。
なお、以下の有機ＥＬパネル製造装置１０１の説明において、前述した成膜装置１００と共通の部材については、同一の符号を付してその説明は省略する。
図４に示すように、有機ＥＬパネル製造装置１０１は、ＬＰＯＶＰＤ部１３０および蒸発源１５０を複数具備する。すなわち、有機ＥＬパネル製造装置１０１は、チャンバー部１１０、ｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎ、および、２個の蒸発源１５０_−１，１５０_−２を有する。
【００４２】
チャンバー部１１０の構成は、前述した成膜装置１００と同じである。
なお、本実施形態においては、第１のシャッター１１６は２個の蒸発源１５０_−１，１５０_−２に共通に１枚設けられており、また、第２のシャッター１１８はｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎに共通に１枚設けられている。ただし、これら第１のシャッター１１６および第２のシャッター１１８は、２個の蒸発源１５０_−１，１５０_−２およびｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎの各々に個別に設けるようにしてもよい。
【００４３】
ｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎの各々は、前述した成膜装置１００のＬＰＯＶＰＤ部１３０と基本的に同じ構成である。
ただし、キャリアガスボンベ１３１は、ｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎに対して共通に１つ設けられており、各ＬＰＯＶＰＤ部１３０_−ｉ（ｉ＝１〜ｎ）の第１の配管１３２_−ｉには、第２のバルブ１４０_−ｉが設けられている。各ＬＰＯＶＰＤ部１３０_−ｉに設けられた第２のバルブ１４０_−ｉを選択的に開くことにより、キャリアガスボンベ１３１からそのＬＰＯＶＰＤ部１３０_−ｉにキャリアガスが供給される。
また、チャンバー１１１に有機ガスを供給する有機ガスノズル１３８も、ｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎにおいて共通化されている。すなわち、ｎ個のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−ｎの第３の配管１３７_−１〜１３７_−ｎは、図示のごとく途中で結合されて１本の配管とされており、これが最終的に有機ガスノズル１３８に接続されている。これにより、バルブ１３６_−ｉをオープンしてあるＬＰＯＶＰＤ部１３０_−ｉにより生成された有機ガスのみが、有機ガスノズル１３８からチャンバー１１１内に放出されることとなる。
【００４４】
２個の蒸発源１５０_−１，１５０_−２は、各々が坩堝１５１_−ｋ（ｋ＝１または２）および坩堝加熱ヒーター１５２_−ｋを有する。各蒸発源１５０_−ｋにおいては、坩堝加熱ヒーター１５２_−ｋが坩堝１５１_−ｋを加熱することにより、坩堝１５１_−ｋ内の蒸着材料が蒸発して飛散し、基板２００に付着して、基板２００に蒸着膜が形成される。
【００４５】
次に、有機ＥＬパネル製造装置１０１により図１に示す有機ＥＬ素子１を有する有機ＥＬパネルを製造する方法について説明する。
まず、有機ＥＬパネル製造装置１０１に、スパッタリング法等によりＩＴＯアノード層が形成されたガラス基板２が投入される。すなわち、ＩＴＯアノード層の形成されたガラス基板２が、チャンバー１１１の基板ホルダー１１２に載置される。なお、図示しないが、基板２００上には、有機ＥＬ素子１を形成する箇所のみが開口されたマスクが密着されているものとする。
また、第１〜第３のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１〜１３０_−３の有機原料容器１３３_−１〜１３３_−３には、正孔輸送層５および有機発光層６の材料である有機原料α−ＮＰＤおよびＡｌｑ_３が各々投入される。また第１および第２の蒸発源１５０_−１，１５０_−２の坩堝１５１_−１および１５１_−２には、陰極９の材料である金属材料および封止膜１０の材料であるニ酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）が投入される。
【００４６】
基板２００が基板ホルダー１１２に保持されたら、ホルダー回転機構１１３により基板ホルダー１１２が回転され、基板２００は有機ガスノズル１３８を指向するように配置される。また、第１のシャッター１１６はクローズされ、第２のシャッター１１８がオープンされる。
そしてまず、第１のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１の原料加熱ヒーター１３４_−１が通電され、原料加熱ヒーター１３４_−１により有機原料容器１３３_−１が加熱され、有機原料容器１３３_−１に収容されるα-ＮＰＤが気化される。また、第１のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１の第２のバルブ１４０_−１が開かれて、有機原料容器１３３_−１にキャリアガスボンベ１３１からＡｒまたはＮ_２等のキャリアガスが導入される。その結果、第１のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１の有機原料容器１３３_−１内部で、気化されたα−ＮＰＤとキャリアガスが混合される。
【００４７】
α−ＮＰＤガスが生成されたら、第１のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１のバルブ１３６_−１が開かれ、α−ＮＰＤガスは十分にヒーター加熱された配管１３５_−１，１３７_−１を通って輸送され、有機ガスノズル１３８からチャンバー１１１に放出される。
この時、チャンバー１１１の真空度およびα−ＮＰＤガスの放出圧力は、チャンバー１１１に放出されたα−ＮＰＤガスが層流となるよう最適化される。例えば、チャンバー１１１の真空度は数十Ｐａ〜１０^４ＰＡ程度（０．数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒ程度）で、α−ＮＰＤガスは数百〜数千ｓｃｃｍ（standard ｃｍ^３／ｍｉｎ）程度となるように制御される。
これにより、基板２００の陽極３上のマスクにより特定された所望の位置に、正孔輸送層５たるα−ＮＰＤ層が形成される。
所望の厚さのα−ＮＰＤ層が形成されたら、バルブ１３６_−１および第２のバルブ１４０_−１を閉じ、原料加熱ヒーター１３４_−１による加熱を終了し、α−ＮＰＤガスの放出を終了する。
【００４８】
α−ＮＰＤ層が形成されたら、第２のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−２により、その上に、Ａｌｑ_３層を形成する。
すなわち、第２のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−２の原料加熱ヒーター１３４_−２に通電することにより有機原料容器１３３_−２を加熱し、有機原料容器１３３_−２に収容されるＡｌｑ_３を気化する。また、第２のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−２の第２のバルブ１４０_−２を開いて、有機原料容器１３３_−２にキャリアガスボンベ１３１からキャリアガスを導入する。その結果、第２のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−２の有機原料容器１３３_−２内部で、気化されたＡｌｑ_３とキャリアガスが混合され，Ａｌｑ_３ガスが生成される。
Ａｌｑ_３ガスが生成されたら、第２のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−２のバルブ１３６_−２を開く。その結果、Ａｌｑ_３ガスは、加熱された配管１３５_−２，１３７_−２を介して有機ガスノズル１３８からチャンバー１１１に放出される。この時、チャンバー１１１の真空度およびＡｌｑ_３ガスの放出圧力は、前述したのと同様に、Ａｌｑ_３ガスが層流となるよう最適化される。
これにより、基板２００の正孔輸送層５上に、有機発光層６たるＡｌｑ_３の薄膜が形成される。
【００４９】
Ａｌｑ_３層が形成されたら、次に、第１の蒸発源１５０_−１により、その上に、カソードを形成する。
そのために、まず、ホルダー回転機構１１３により基板ホルダー１１２を回転し、基板２００が鉛直方向下向きに向くように、その向きを変更する。
そして、第１の蒸発源１５０_−１の坩堝１５１_−１を坩堝加熱ヒーター１５２_−１により加熱し、収容されるカソード材料を蒸発させる。蒸発量が安定したら、第１のシャッター１１６をオープンして、蒸気をチャンバー１１１内に飛散させる。その結果、このカソード材料の蒸気は大部分が基板２００に付着し、Ａｌｑ_３層の上にカソード層たる金属層が形成される。
【００５０】
カソード層が形成されたら、最後に、第２の蒸発源１５０_−２により、これら有機ＥＬ素子１を封止する封止膜を形成する。
そのために、一旦第１のシャッター１１６をクローズした後、第２の蒸発源１５０_−２の坩堝１５１_−２を坩堝加熱ヒーター１５２_−２により加熱し、収容されるＳｉＯ_２を蒸発させる。蒸発量が安定したら、再度第１のシャッター１１６をオープンして、蒸気をチャンバー１１１内に飛散させる。その結果、有機ＥＬ素子１の上に封止層が形成される。
【００５１】
このように、本実施形態の成膜装置１００および有機ＥＬパネル製造装置１０１においては、ＬＰＯＶＰＤ法による有機層の形成および真空蒸着法による電極層の形成を、チャンバー１１１内の連続した処理により行うことができる。すなわち、一貫した真空環境中において、これら異なる方法による薄膜形成を順次行うことができる。したがって、成膜方法に応じて異なるチャンバーで処理を行う従来のマルチチャンバー型の製造方法と比較して、製造工程を簡単にすることができる。また、成膜工程ごとに真空環境を作るマルチチャンバーを用いた場合と比較して、効率良く成膜を行うことができ、有機ＥＬ素子１等の素子の生産性を高くすることができる。
【００５２】
また、成膜装置１００および有機ＥＬパネル製造装置１０１においては、方法の異なる複数の成膜工程を、１つのチャンバーで行うことができる。具体的には、例えば有機層を形成する工程と、電極層や封止層を形成する工程とを同一のチャンバー内で行うことができる。したがって、装置構成が簡単になり、装置を小型化することができる。また、基板をチャンバー間を搬送する搬送機構が不要となるので、有機膜の劣化を極力防止することが可能となるとともに、装置の小型化が可能となる。
さらに、搬送機構が簡略し細かい機械ゴミの発生が低減し、成膜装置内部のクリーン度が向上することによってパネルの発光欠陥が低減する。
【００５３】
また、複数の層を順次効率良く堆積することができるので、複数の層中に例えば有機層等の劣化し易い層が含まれる場合においても、そのような薄膜を大気中等の異なる環境にさらすことがない。すなわち、ほぼ同一の真空環境中に短い時間保持するのみでよい。したがって、そのような薄膜の劣化を防止することができ、高品質な例えば有機ＥＬ素子等の素子を形成することができる。
したがって、このような成膜装置および成膜方法は、有機ＥＬ素子１が多数配置された有機ＥＬパネルを製造するのに非常に好適である。
【００５４】
なお、本実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって本発明を何ら限定するものではない。
例えば、本実施形態においてはＬＰＯＶＰＤ法により有機ガスが放出される有機ガスノズル１３８は、チャンバー１１１の側面に配置されるものとしたが、これに限られるものではない。例えば、図５（Ａ）に示すように、有機ガスノズル１３８がチャンバー１１１の上面に配置されるような形態や、図５（Ｂ）に示すように傾斜して配置されるような形態であっても何ら差し支えない。ホルダー回転機構１１３の駆動により、基板ホルダー１１２に保持された基板２００が蒸発源１５０およびＬＰＯＶＰＤ部１３０の両方向を指向可能な配置であれば、有機ガスノズル１３８の位置は任意の位置でよい。
【００５５】
また、ＬＰＯＶＰＤ部１３０を複数有する場合の各ＬＰＯＶＰＤ部１３０の有機ガスノズル１３８の位置も、任意の配置でよい。例えば、図５（Ｃ）に示すように、２つのＬＰＯＶＰＤ部１３０を有する場合において、第１のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−１の有機ガスノズル１３８_−１はチャンバー１１１の側面に配置し、第２のＬＰＯＶＰＤ部１３０_−２の有機ガスノズル１３８_−２はチャンバー１１１の上面に配置するようにしてもよい。この場合も、ホルダー回転機構１１３の駆動により、基板ホルダー１１２に保持された基板２００が蒸発源１５０および各ＬＰＯＶＰＤ部１３０の全てを指向可能であれば、有機ガスノズル１３８の位置は任意の位置でよい。
【００５６】
また、本実施形態においては、有機ＥＬ素子を形成する装置および方法を例示して本発明を説明したが、本発明は、何ら製造する装置を限定されるものではない。本発明は、ＬＰＯＶＰＤ法および真空蒸着法により所望の膜を順次形成する任意の装置の製造に適用可能である。
また、本実施形態においては、有機層４は前述したような３つの層により形成されているが、これに限定されものではない。任意の材料を用いた任意の数の層を形成し、発光部たる有機層４を形成してよい。
また、有機層４の周囲の電極層や、基板、封止層等の構成も、本実施形態の構成に限定されるものではなく任意に変更してよい。例えば、陰極９を透明電極により形成し陰極９側より発光光が出射するようにしてもよいし、両面より発光するように構成してもよい。また、各電極層、基板および封止層等の材料も任意の材料を使用してよい。
【００５７】
【発明の効果】
このように、本発明によれば、装置の大型化や基板の搬送による不利益を防止し、ＬＰＯＶＰＤ法による膜生成および真空蒸着法による膜形成を順次適切に行うことのできる成膜装置および成膜方法を提供することができる。
また、装置の大型化や基板の搬送による不利益を防止し、ＬＰＯＶＰＤ法による膜生成および真空蒸着法による膜形成を順次適切に行うことにより、有機層等の発光層や電極層を形成し表示素子を形成する表示パネルの製造装置および表示パネルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に関わる有機ＥＬ素子の構成を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態の成膜装置の構成を示す図である。
【図３】図３は、図２に示した成膜装置の動作を説明するための図である。
【図４】図４は、図２に示した成膜装置の変形例であって、図１に示した有機ＥＬ素子を製造するための装置の構成を示す図である。
【図５】図５は、図２に示した成膜装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ素子、２…ガラス基板、３…陽極、４…有機層、５…正孔輸送層、６…有機発光層、９…陰極、１０…封止膜、１００…成膜装置、１１０…チャンバー部、１１１…チャンバー、１１２…基板ホルダー、１１３…ホルダー回転機構、１１４…真空排気口、１１５…真空排気装置、１１６…第１のシャッター、１１７…回転軸、１１８…第２のシャッター、１３０…ＬＰＯＶＰＤ部、１３１…キャリアガスボンベ、１３２…第１の配管、１３３…有機原料容器、１３４…原料加熱ヒーター、１３５…第２の配管、１３６…バルブ、１３７…第３の配管、１３８…有機ガスノズル、１３９…配管加熱ヒーター、１４０…第２のバルブ、１５０…蒸発源、１５１…坩堝、１５２…坩堝加熱ヒーター

Claims (25)

1. 内部を大気圧以下に保持することが可能なチャンバーと、
   成膜材料を気化させ、当該気化された成膜材料を含むガスを前記チャンバー内に放出するガス放出手段と、
   他の成膜材料を蒸発させ、当該他の成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる蒸発源と、
   基板を、基板面の向きを変更可能に前記チャンバー内に保持し、前記ガス放出手段から前記ガスが放出される時には前記基板を前記ガスが放出される方向に指向させ、前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時には前記基板を前記蒸気が飛散する方向に指向させる基板保持手段と
   を有する成膜装置。
2. 前記ガス放出手段を複数具備し、各ガス放出手段は、順次、任意の成膜材料を気化させ、当該気化された成膜材料を含むガスを前記チャンバー内に放出する
   請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記蒸発源を複数具備し、各蒸発源は、順次、任意の成膜材料を蒸発させ、当該成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる
   請求項１または２に記載の成膜装置。
4. 前記ガス放出手段から前記ガスが前記チャンバー内に放出される時に、前記放出されるガスから前記蒸着源を隔離する第１の隔離手段と、
   前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時に、前記飛散される蒸気から前記ガス放出手段を隔離する第２の隔離手段と
   をさらに有する請求項１〜３のいずれかに記載の成膜装置。
5. 前記基板保持手段は、基板に平行な軸で当該基板を回転可能に保持する
   請求項１〜５のいずれかに記載の成膜装置。
6. 少なくとも１の前記ガス放出手段は、前記チャンバーの側面部にガス放出口を有し、当該ガス放出口から前記ガスをチャンバー内に水平方向に放出する
   請求項１〜５のいずれかに記載の成膜装置。
7. 少なくとも１の前記ガス放出手段は、前記チャンバーの上部にガス放出口を有し、当該ガス放出口から前記ガスをチャンバー内に鉛直方向下向きに放出する
   請求項１〜６のいずれかに記載の成膜装置。
8. 前記基板保持手段に保持されている基板を挟んで前記ガス放出口と反対側の領域に、前記チャンバー内を真空排気する排気口が設けられている
   請求項１〜７のいずれかに記載の成膜装置。
9. 前記ガス放出手段は、
   キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、
   前記成膜材料を気化させ前記キャリアガスと混合するガス生成手段と、
   前記キャリアガスと混合されたガスを前記チャンバー内に輸送するガス輸送手段とを有する
   請求項１〜８のいずれかに記載の成膜装置。
10. 前記ガス放出手段は、有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを前記チャンバー内に放出する
    請求項１〜９のいずれかに記載の成膜装置。
11. 向きを変更可能に基板をチャンバー内に保持し、
    前記基板の向きを次の成膜工程に応じた所定の方向に設定し、
    成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程または成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程のいずれか一方の工程により、前記基板に所望の材料の膜を形成し、
    前記基板の向きを次の成膜工程に応じた所定の方向に変更し、
    前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程または前記成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程のいずれか他方の工程により、前記基板に所望の他の材料の膜を形成する
    成膜方法。
12. 前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程、および、前記成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程の少なくともいずれか一方を、同一基板について複数回行う
    請求項１１に記載の成膜方法。
13. 前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程においては、
    任意の成膜材料を気化させ、
    前記気化された成膜材料をキャリアガスと混合し、
    前記キャリアガスと混合されたガスを前記チャンバー内に輸送し、
    前記輸送したガスをチャンバー内に放出し、
    前記基板の膜形成面に当該ガスを付着させ、
    当該膜形成面に前記成膜材料の膜を形成する
    請求項１１または１２に記載の成膜方法。
14. 前記基板の向きの変更は、次の成膜工程が前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程である場合には、前記ガスの放出方向を前記基板の膜形成面が指向するように変更する
    請求項１３に記載の成膜方法。
15. 前記成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程においては、
    前記成膜材料を蒸発させ、
    前記成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させ、
    前記基板の膜形成面に前記蒸気を付着させ、
    当該膜形成面に前記材料の膜を形成する
    請求項１１〜１４のいずれかに記載の成膜方法。
16. 前記基板の向きの変更は、次の成膜工程が前記成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程である場合には、前記鉛直方向下向きに前記基板の膜形成面が指向するように変更する
    請求項１５に記載の成膜方法。
17. 前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程により前記基板に膜を形成する時には、前記放出されるガスから前記蒸気の飛散を行うための手段を隔離し、
    前記成膜材料の蒸気をチャンバー内に飛散する工程により前記基板に膜を形成する時には、前記飛散される蒸気から前記ガスの放出を行うための手段を隔離する
    請求項１１〜１６のいずれかに記載の成膜方法。
18. 前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程においては、前記チャンバーの側面部に設けられたガス放出口から前記ガスをチャンバー内に水平方向に放出する
    請求項１１〜１７のいずれかに記載の成膜方法。
19. 前記成膜材料を含むガスをチャンバー内に放出する工程においては、前記チャンバーの上部に設けられたガス放出口から前記ガスをチャンバー内に鉛直方向下向きに放出する
    請求項１１〜１８のいずれかに記載の成膜方法。
20. 所望の有機材料を含むガスをチャンバー内に放出し、前記基板に前記有機材料の膜を形成する
    請求項１１〜１９のいずれかに記載の成膜方法。
21. １以上の有機層を有する有機ＥＬ素子が形成されて構成される有機ＥＬ表示パネルの製造装置であって、
    内部を大気圧以下の圧力に保持することが可能なチャンバーと
    前記有機層を形成する有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを前記チャンバー内に放出するガス放出手段と、
    有機層以外の層を形成する成膜材料を蒸発させ、当該成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる蒸発源と、
    基板を、基板面の向きを変更可能に前記チャンバー内に保持し、前記ガス放出手段から前記有機ガスが放出される時には前記基板を前記有機ガスが放出される方向に指向させ、前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時には前記基板を前記蒸気が飛散する方向に指向させる基板保持手段と
    を有する有機ＥＬ表示パネルの製造装置。
22. 前記ガス放出手段を複数具備し、各ガス放出手段は、有機ＥＬ素子の複数の有機層を形成する各有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを順次前記チャンバー内に放出する
    請求項２１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造装置。
23. 前記蒸発源を複数具備し、各蒸発源は、電極材料および封止材料を蒸発させ、当該電極材料および封止材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させる
    請求項２１または２２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造装置。
24. 前記ガス放出手段から前記有機ガスが前記チャンバー内に放出される時に、前記放出される有機ガスから前記蒸着源を隔離する第１の隔離手段と、
    前記蒸発源から前記蒸気が飛散される時に、前記飛散される蒸気から前記ガス放出手段を隔離する第２の隔離手段と
    をさらに有する請求項２１〜２３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネルの製造装置。
25. １以上の有機層を有する有機ＥＬ素子が形成されて構成される有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
    向きを変更可能に基板をチャンバー内に保持し、
    前記有機層を形成する有機材料を気化させ、当該気化された有機材料を含む有機ガスを前記チャンバー内に配置された前記基板の膜形成面に向けて放出し、前記有機材料の膜を形成し、
    前記基板の向きを変更し、
    有機層以外の層を形成する成膜材料を蒸発させ、当該成膜材料の蒸気を前記チャンバー内に飛散させ、前記蒸気を前記基板の膜形成面に付着させて前記成膜材料の膜を形成する
    有機ＥＬパネルの製造方法。

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