JP2006063446A - 有機物蒸着装置 - Google Patents

有機物蒸着装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006063446A
JP2006063446A JP2005233758A JP2005233758A JP2006063446A JP 2006063446 A JP2006063446 A JP 2006063446A JP 2005233758 A JP2005233758 A JP 2005233758A JP 2005233758 A JP2005233758 A JP 2005233758A JP 2006063446 A JP2006063446 A JP 2006063446A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
substrate
injection nozzle
organic material
organic matter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005233758A
Other languages
English (en)
Inventor
Meishu Kyo
明洙 許
Shoshin Kan
尚辰 韓
Saiko An
宰弘 安
Shakuken Tei
錫憲 鄭
Dokon Kim
度根 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of JP2006063446A publication Critical patent/JP2006063446A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】 本発明は、基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置を提供するためのものである。
【解決手段】 本発明の有機物蒸着装置は胴体を成し、基板を地面に対し、70゜ないし110゜の角度を維持するようにするチャンバと、前記基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる有機物格納部と、前記基板上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部と、前記有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、前記有機物格納部、有機物噴射ノズル部及び連結ライン中の少なくとも前記有機物噴射ノズルを垂直方向に移動させることができる移送装置を備えてなる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、有機半導体素子などの有機薄膜形成のための有機物蒸着装置に関し、より詳しくは、基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着し、有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置に関する。
一般に、有機電界発光素子(OLED、Organic light Emitting Device)などを含む有機半導体素子の有機薄膜は、低分子有機物質を真空中から蒸発させて有機薄膜を形成する方法と、高分子有機物質を溶剤に溶解した後、スピンコーティング(spin coating)、ディップコーティング(dip coating)、ダクターブレーティング、インクジェットプリンティングなどを用いて有機薄膜を形成する方法とに大別される。
前記の方法のうち、真空で低分子有機物質からなる薄膜を製作する場合には、形成しようとする形状の開口部を有するシャドーマスクパターン(shadow mask pattern)を基板の前に整列し、前記基板に有機物質を蒸着することにより、前記基板上に有機薄膜を製作することになる。
前記のような低分子有機物質からなる有機薄膜の製造方法としては、点型有機物蒸着源を用いる方法と、線型有機物蒸着源を用いる方法などがある。
しかし、前記のような点型または線型の有機源物蒸着源を用いて大型基板上に有機薄膜を形成する場合には、前記基板と蒸発源との間の距離が共に増加することになり、前記基板と蒸発源との間の距離の増加は前記基板上に形成される有機薄膜の均一性が低下する原因となる。
また、前記基板と蒸発源との間の距離が増加することになると、前記蒸発源から蒸発した有機物が前記基板以外の真空チャンバに蒸着されて、有機物の損失が増加することになり、前記有機物が高価であることを勘案すると、製造コストが増加する問題がある。
また、有機薄膜の均一性の確保のために、前記シャドーマスクパターンと蒸発源とが所定の角度を成すようにして、有機薄膜を形成することができる。その際、前記シャドーマスクパターンと蒸発源とが所定の角度を成す場合、前記シャドーマスクパターンによる影効果が発生して希望する形状の有機薄膜を得ることが困難であるという問題がある。
また、蒸発源と噴射ノズルとが一体化されていて、熱による基板及びマスクパターンの熱による変形が発生できる問題がある。
また、大型基板の場合、基板の垂れ現象により、基板の中央部とエッジ部との薄膜の均一性が相違するという問題がある。
また、従来の有機物蒸着装置は有機物の均一な蒸着のために基板が移動する方式を採択するが、このように基板が移動する場合、チャンバの大きさが非常に大きくなる問題がある。
また、従来の有機物蒸着装置の場合、前記有機物蒸着装置の使用時、各構成要素の隙間に有機物粒子が入り込んで、有機物の漏れが発生することになる。このような有機物の漏れにより前記加熱ヒータの汚染が発生することになれば、前記加熱ヒータのショートが発生する問題がある。
前記加熱ヒータのショートが発生して前記加熱ヒータを切替える場合、前記加熱ヒータが前記有機物蒸着源と一体型からなっているので、切替えの困難性があり、また、切替え作業時間が長いという問題がある。
本発明の目的は、前記の従来技術の問題を解決するためのものであって、本発明は、基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置を提供することをその目的とする。
また、本発明は、基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができ、有機物格納部と有機物噴射ノズルとを分離して基板及びマスクパターンの変形を最小化した有機物蒸着装置を提供することをその目的とする。
また、本発明は、基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができ、有機物格納部と有機物噴射ノズルとを分離して基板及びマスクパターンの変形を最小化した有機物蒸着装置を提供することをその目的とする。
また、本発明は、独立分離可能な加熱ヒータと、跳ね防止板と一体化したノズル部とを備える有機物蒸着装置を提供することをその目的とする。
前記の目的を達成するための本発明の有機物蒸着装置は、胴体を成し、基板を地面に対し、70゜ないし110゜の角度を維持するようにするチャンバと、前記基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる有機物格納部と、前記基板上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部と、前記有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、前記有機物格納部、有機物噴射ノズル部及び連結ラインのうち少なくとも前記有機物噴射ノズルを垂直方向に移動させることができる移送装置と、を備えてなる。
前記有機物格納部は、前記チャンバの内部または外部に位置することができる。
前記有機物噴射ノズル部は、隔壁を更に備えることが好ましい。
前記有機物噴射ノズル部の有機物噴射方向の先端部に位置し、前記基板上に蒸着する有機物の蒸着率を測定する測定装置を更に備えることが好ましくて、前記測定装置は、前記有機物噴射ノズルと一体化されて、前記有機物噴射ノズル部と共に垂直移動することが好ましい。
また、本発明の有機物蒸着装置は、胴体を成し、基板を地面に対し、70゜ないし110゜の角度を維持するようにするチャンバと、前記基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる少なくとも一つの有機物格納部と、前記基板上に蒸着する有機物を噴射する2つ以上の有機物噴射ノズル部と、前記有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、を備えてなる。
前記有機物格納部と前記有機物噴射ノズルとは1:多数に対応し、または前記有機物格納部は複数個であり、前記有機物噴射ノズルは前記有機物格納部と1:1に対応することが好ましい。
前記のように、本発明によると、本発明は基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができ、有機物格納部と有機物噴射ノズルとを分離して基板及びマスクパターンの変形を最小化した有機物蒸着装置を提供することができる。
また、本発明は、基板をほぼ垂直に起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができ、有機物格納部と有機物噴射ノズルとを分離して基板及びマスクパターンの変形を最小化した有機物蒸着装置を提供することができる。
また、本発明は、独立分離可能な加熱ヒータ部と、跳ね防止板と一体化したノズル部と、を備える有機物蒸着装置を提供することができる。
前記では、本発明の好ましい実施の形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者であれば、下記の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更することができることが分るべきである。
以下、添付の図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
図面の同一参照符号は同一構成要素を表す。
図1は、本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。
図1を参照すると、本発明の実施の形態に係る有機物蒸着装置100は、前記有機物蒸着装置100の胴体を成すチャンバ110と、有機物が蒸着する基板S上に有機物粒子を噴射させるための有機物蒸着源120と、前記有機物蒸着源120を垂直方向に移動させることができる有機物蒸着源移送装置130と、を備える構造からなる。
前記チャンバ110は、有機物を蒸着しようとする基板Sをほぼ垂直、好ましくは、地面と70゜ないし110゜の角度を維持するようにする。また、前記チャンバ110は真空チャンバであることが好ましい。
前記有機物蒸着源120は、前記基板110上に蒸着する有機物を受け入れる有機物格納部121と、前記有機物格納部121から蒸発した有機物を前記基板S上に噴射する有機物噴射ノズル部122と、前記有機物格納部121及び有機物噴射ノズル部122を連結させて前記蒸発した有機物の移動経路となる連結ライン123と、前記基板S上に蒸着する有機物蒸着率及び有機物の厚さを測定する測定装置124と、を備える構造からなる。
前記有機物蒸着源移送装置130は、前記有機物蒸着源120のうち少なくとも前記有機物噴射ノズル部122を垂直方向に移動させることができる移動手段を備える構造からなる。その際、前記有機物蒸着源移送装置130は真空に維持される前記チャンバ110内での使用に適した垂直移送装置であって、前記有機物蒸着源120のうち少なくとも前記有機物噴射ノズル部122の移動速度が調節できるように移送速度調節機構(図示してはいない)を更に具備することができる。
図面の参照符号Mは、前記基板S上に蒸着する有機物の形状を決定するマスクパターンである。
図2a及び図2bは、本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図であって、有機物が蒸着する基板及び有機物蒸着源に限定して図示したものである。
図2a及び図2bを参照すると、本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置100の有機物蒸着源120は、基板S上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所121aからなる有機物格納部121と、基板S上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部122と、前記有機物噴射ノズル部122と有機物格納部121とを連結させる連結ライン123と、基板S上に蒸着する有機物の蒸着率及び有機物の厚さを測定する測定装置124と、からなる。
前記有機物格納部121は、前記基板S上に蒸着する有機物を格納する少なくとも一つの有機物格納所121aからなる。前記有機物格納部121は、有機物格納所121aを加熱して有機物粒子に蒸発させる部分であって、前記有機物格納部121は一般的に前記チャンバ110の内部に位置するが、本発明の有機物格納部121は前記チャンバ110の外部に位置することもできる。即ち、前記有機物格納部121の位置はチャンバ110の内部または外部の全てに位置するように構成することができる。
前記有機物噴射ノズル部122は、前記有機物格納部121から蒸発した有機物粒子を前記基板S上に噴射する部分であって、図示してはいないが、前記有機物粒子の凝縮を防止する加熱ヒータと、有機物粒子の噴射を均一にするためのノズルと、を備える構造からなる。また、前記有機物噴射ノズル部122は、前記有機物格納部121から蒸発する有機物のうち、完全に粒子状態で蒸発せずに、多数の有機物粒子が固まったクラスター形態を維持する有機物を更に有機物粒子状態に潰れるようにして、前記基板S上に噴射される有機物粒子の大きさを均一にするための隔壁(baffle)を更に備える構造からなることができる。
前記連結ライン123は、前記有機物格納部121と前記有機物噴射ノズル部122とを連結して、有機物格納部121から蒸発する有機物粒子を前記有機物噴射ノズル部122に移送させる部分である。前記連結ライン123は、前記有機物格納部121から蒸発した有機物粒子が凝縮することを防止するために温度が制御できるように構成される。また、前記有機物粒子が凝縮を最小化するために2つの領域以上の個別制御をすることもできる。また、前記有機物格納部121が前記チャンバ110の外部に位置する場合には、前記有機物格納部121と有機物噴射ノズル部122とを連結させる連結ライン123は前記チャンバ110の外部に連結される。また、前記連結ライン123は前記有機物噴射ノズル部122を垂直方向に移動可能にするために、シワ管のような形態からなることができる。
前記測定装置124は、前記基板S上に蒸着する有機物の蒸着率及び有機物の厚さを測定するものであって、前記有機物噴射ノズル部122の有機物噴射方向の先端部に位置し、前記有機物噴射ノズル部122と一体化している。前記測定装置124は前記基板S上に有機薄膜を形成するために前記有機物噴射ノズル部122の移動の際、前記有機物噴射ノズル部122と共に移動し、前記基板S上に蒸着する有機物の蒸着率を測定して前記有機物格納部121内の有機物蒸発量を制御する。
前記のような有機物蒸着装置100を用いる有機薄膜の形成方法は下記の通りである。
まず、前記有機物蒸着装置100のチャンバ110内に基板Sを地面にほぼ垂直、好ましくは、地面と70゜ないし110゜の角度を維持するように装着する。
次に、前記チャンバ110の内部または外部に位置し、有機物を受け入れている少なくとも一つの前記有機物格納所からなる有機物格納部121を加熱して前記有機物を有機物粒子状態で蒸発させる。
前記蒸発した有機物粒子は、前記有機物格納部121及び有機物噴射ノズル部122の連結ライン123を介して前記有機物噴射ノズル部122に移動し、前記有機物噴射ノズル部122を介して前記基板S上に噴射される。
その際、前記有機物格納部121から蒸発する有機物中、完全に粒子状態で蒸発しなくて、多数の有機物粒子が固まったクラスター形態を維持する有機物が前記有機物噴射ノズル部122の隔壁と衝突して更に有機物粒子状態に潰れるようにすることにより、前記基板S上に噴射される有機物粒子の大きさを均一にする。
また、前記有機物格納部121と有機物噴射ノズル部122との連結ライン123と有機物噴射ノズル部122とは補助加熱ヒータを介して加熱して前記蒸発した有機物粒子が凝縮しないようにする。
また、前記有機物蒸着源移送装置130を介して前記有機物蒸着源120のうち少なくとも前記有機物噴射ノズル部122を移動させ、前記基板S上に前記有機物粒子を均一に噴射して、前記基板S上に均一な有機薄膜を形成することができる。
一方、図3は、本発明の別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図であって、有機物が蒸着する基板及び有機物蒸着源に限定して図示したものである。
図3を参照すると、本発明の別の実施の形態に係る有機物蒸着装置は図1、図2a及び図2bに図示された有機物蒸着装置と類似する。但し、前記有機物蒸着装置の有機物蒸着源200が多数の有機物格納部210と多数の有機物噴射ノズル部220とからなる構造のみが相違する。
即ち、本発明の別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源200は基板S上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなり、前記有機物蒸着装置のチャンバの内部、または、外部に位置する多数の有機物格納部210と、前記有機物格納部210に各々対応する多数の有機物噴射ノズル部220と、前記各有機物噴射ノズル部220と有機物格納部210とを連結させる多数の連結ライン230と、前記各有機物噴射ノズル部220の有機物噴射方向の先端に設けられて前記基板S上に蒸着する有機物の蒸着率を測定する測定装置240と、を備える構造からなる。
前記のような有機物蒸着装置の有機物蒸着源200は、多数の有機物格納部210及び多数の有機物噴射ノズル部220を備えることにより、前記有機物噴射ノズル部220を移動させるための移動手段を具備しなくてもほぼ垂直に起立した大型基板上に有機物が蒸着でき、前記移動手段を備える場合にはより均一に有機物を蒸着することができる。
図4は、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図であって、有機物を蒸着する基板及び有機物蒸着源に限定して図示したものである。
図4を参照すると、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置は、図1、図2a及び図2bに図示された有機物蒸着装置と類似する。但し、前記有機物蒸着装置の有機物蒸着源300が少なくとも一つの有機物格納部310と、前記有機物格納部310中のいずれかの一つと対応する多数の有機物噴射ノズル部320とからなる構造のみが相違する。
即ち、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源300は、基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなり、前記有機物蒸着装置の内部または外部に位置する有機物格納部と、前記基板上に有機物粒子を噴射する多数の有機物噴射ノズル部と、前記各有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる多数の連結ラインと、前記各有機物噴射ノズル部の有機物噴射方向の先端に設けられて基板上に蒸着する有機物の蒸着率を測定する測定装置を備える構造とからなる。
前記のような有機物蒸着装置は、一つの有機物格納所に2つ以上の有機物噴射ノズルが対応する。
即ち、一つの有機物格納所に多数の有機物噴射ノズルが対応して、前記ほぼ垂直に起立した基板上に有機物を蒸着して有機薄膜を形成するものである。
前記のように、図1ないし図4に示すような本発明の実施の形態に係る有機物蒸着装置は基板を垂直に起立した状態で有機物粒子を噴射して有機薄膜を形成することにより、大型基板の場合、基板の垂れ形状を防止するので、大型基板に適用が可能である。
また、有機物格納部と有機物噴射ノズル部とを分離して、前記基板及びマスクパターンの熱による変形を防止し、前記基板上に有機物の粒子分布が均一な有機薄膜を形成することができる。
また、前記多数の有機物格納部に格納される有機物に相違する物質を使用して前記有機薄膜の特性を改善するための不純物の注入が可能である。
また、前記有機薄膜の形成のためのマスクとして現在ファインメタルマスク(fine metal mask)を使用する現在の趨勢において、有機物が前記基板Sとほぼ垂直に噴射されるので、均一のステップカバリッジを確保することができる長所がある。
また、前記有機物蒸着源移送装置130を介して前記有機物蒸着源120、200、300が移動して前記基板S上に有機物を蒸着するので、従来の有機物蒸着源移送装置がなく、基板Sを移動させる有機物蒸着装置100を用いて有機物を蒸着する場合に比べて、チャンバ110の大きさを約75%以内に縮小することが可能である。
一方、図5a及び図5bは、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための図面であって、図5aは発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源の縦断面図であり、図5bは本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源の横断面図である。
図5a及び図5bを参照すると、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源400は有機物格納部410、有機物誘導路420、加熱ヒータ430、内部熱反射板440、外部冷却板450、有機物噴射ノズル部460及び測定装置470からなる。
前記有機物格納部410は、前記基板S上に形成される有機薄膜の材料の有機物を格納する部分であって、少なくとも一つのセル410aに区分されるるつぼからなることが好ましい。
前記有機物誘導路420は、前記有機物格納部410から蒸発した有機物粒子を前記有機物噴射ノズル部460に移送する役割を遂行し、前記有機物粒子の移動経路を決定する役割を遂行する。より詳細に説明すると、前記有機物格納部410から前記有機物粒子が上向きに蒸発し、前記ほぼ垂直に起立した基板S上に有機物を蒸着するためには前記有機物粒子の最終移動経路がほぼ水平方向でなければならないので、前記有機物誘導路420の末端は地面と-20゜ないし20゜の角度を維持しなければならない。即ち、前記有機物粒子の最終移動経路を地面と-20゜ないし20゜の角度を維持するように誘導する。また、前記有機物誘導路420の中間部分は所定の角度で傾斜するように形成して、前記有機物格納部410から蒸発する有機物中の一部のクラスター(cluster)形態の有機物が誘導路の内壁と衝突して有機物粒子状態に潰れるようにすることにより、前記クラスター形態の有機物がスムーズに前記有機物誘導路420の内部で均等に混合され、前記基板S上に有機物が固まって蒸着することを防止する役割を遂行する。
前記加熱ヒータ430は前記有機物格納部410及び有機物誘導路420の外部に設けられて前記有機物格納部410及び有機物誘導路420を加熱する役割を遂行する。即ち、前記有機物格納部410を加熱して、前記有機物を有機物の粒子状態で蒸発させ、蒸発した有機物粒子を前記有機物誘導路420の内部で凝縮されないように加熱するものである。
前記内部熱反射板440は、前記加熱ヒータ430より外部に設けられて前記有機物蒸着源400の熱効率を増加させるためのものであって、前記有機物蒸着源400の内部の熱容量を吸収できるように多段で構成されている。
前記外部冷却板450は前記内部熱反射板440の外部に位置し、前記有機物蒸着源400の内部の熱が外部に伝導されることを防止する。前記外部冷却板450は、冷媒を用いて内部熱反射板440を冷却させる。
前記有機物噴射ノズル部460は、前記有機物格納部410から蒸発して、前記有機物誘導路420を介して流入する有機物粒子をほぼ垂直に起立した基板Sに噴射し、前記有機物粒子が前記基板S上に蒸着、分布する形態を決定する役割を遂行する。また、前記有機物噴射ノズル部460は有機物粒子を噴射時に噴射角度が調節可能な形態からなることが好ましい。前記有機物噴射ノズル部460の開口された形態によって有機物粒子が噴射される形態が調節可能なので、前記有機物格納所410内の有機物が均一に蒸発可能に制御することができる。
前記測定装置470は、地面に70゜ないし110゜の角で起立した基板S上に蒸着する有機物の蒸着率及び厚さを測定する役割を遂行する。また、前記測定装置470は前記有機物噴射ノズル部460の有機物噴射方向の先端部に位置し、前記有機物噴射ノズル部460と一体化している。
一方、図5bに示すように、前記有機物格納部410は少なくとも一つのセル410aに区分され、それぞれのセル410aに有機物を格納することになる。また、加熱ヒータ430は前記有機物格納部410の周辺に均等に分布する。
これは、有機物格納部410の前記有機物を蒸発させる場合、前記有機物格納部410が一つのセルからなると、前記有機物格納部410の内部の温度分布差により位置による有機物蒸発率の差が発生することになる。このような位置による蒸発率の差は均一な不純物の注入及び有機薄膜の均一性を低下させることになるが、前記有機物格納部410を多数のセル410aに区分することにより、前記有機物格納部410内の有機物蒸発率を均一にすることができる。
前記のような本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着源を備える有機物蒸着装置を用いる有機薄膜の形成方法は下記の通りである。
まず、前記有機物蒸着装置100のチャンバ内に基板Sを地面にほぼ垂直、好ましくは、地面と70゜ないし110の角度を維持するように装着する。
次に、前記有機物蒸着源400の有機物を受け入れている前記有機物格納部410を前記加熱ヒータ430を介して加熱する。
その際、前記加熱ヒータ430を介して前記有機物格納部410のるつぼの内の各セルに受容されている有機物が有機物粒子状態に蒸発することになる。
前記蒸発した有機物粒子は前記有機物誘導路420を介して前記有機物噴射ノズル部460に流入する。その際、前記有機物粒子の移動経路は前記有機物誘導路420の形状により決定される。前記有機物誘導路420の末端が地面と-20゜ないし20゜の角度を維持するので、前記有機物蒸着源400内における前記有機物粒子の最終移動経路は地面と-20゜ないし20゜の角度を維持する。また、前記有機物誘導路420は前記有機物格納部410から蒸発する有機物中、完全に粒子状態に蒸発しなくて、多数の有機物粒子が固まったクラスター形態を維持する有機物が前記有機物誘導路420の内壁と衝突して有機物粒子状態に潰れるようにすることにより、前記基板S上に噴射される有機物粒子の大きさを均一にする。また、前記有機物誘導路420の外部の加熱ヒータ430は前記有機物誘導路420内で前記蒸発した有機物粒子が凝縮しないようにする。
前記有機物噴射ノズル部460に流入した有機物粒子は前記有機物噴射ノズル部460を介して前記基板S上に蒸着して有機薄膜を形成する。その際、前記有機物蒸着源移送装置130を介して前記有機物蒸着源400が垂直方向に移動し、前記地面と70゜ないし110の角度を維持する基板S上に有機物粒子が蒸着して有機薄膜を形成する。また、前記有機物粒子はその最終移動経路が地面と-20゜ないし20゜の角度を維持するので、前記有機物粒子が前記有機物噴射ノズル部460を介して前記基板Sに噴射される際、前記有機物粒子は地面と-20゜ないし20゜の角度で噴射される。また、前記有機物粒子が前記基板S上に蒸着される際に前記有機物噴射ノズル部460の開口された形態により前記基板S上に蒸着する有機物粒子の形態が調節される。
一方、前記有機物噴射ノズル部460の有機物噴射方向に先端部に設けられている前記測定装置470は前記有機物を前記基板S上に蒸着する間、前記基板S上に蒸着する有機物の蒸着率及び有機物の蒸着厚さを測定する。従って、前記測定装置470を用いて、有機薄膜を形成する間、有機物粒子の蒸着率及び有機物蒸着厚さを制御することにより、均一な有機薄膜の厚さの再現性を実現することができる。
図6は、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。
図6を参照すると、本発明の別の実施の形態に係る有機物蒸着装置は図1に示すように、有機物蒸着源120を複数個備え、前記各有機物蒸着源を垂直に移動させるための有機物蒸着源移送装置を備える構造からなる。
一例として、前記相違する多数の蒸着源は第1有機物蒸着源400A及び第2有機物蒸着源400Bからなり、前記第1有機物蒸着源400A及び第2有機物蒸着源400Bは同じ有機物を内包し、互いに所定の間隔が離隔されて移動し、均一な有機薄膜を基板上に蒸着することができる。特に、大型基板を適用して有機薄膜を蒸着する場合により有利である。
または、前記相違する多数の有機物蒸着源は第1有機物蒸着源400A及び第2有機物蒸着源400Bからなり、前記第1有機物蒸着源400A及び第2有機物蒸着源400Bのうちいずれかの一つの有機物蒸着源、例えば、第1有機物蒸着源400Aは有機薄膜の原材料である有機物を前記基板S上に噴射する有機物蒸着源であり、第2有機物蒸着源400Bは前記有機薄膜の特性の改善のための不純物を前記有機薄膜に含めるための有機物蒸着源である。
その際、前記第1有機物蒸着源400A及び第2有機物蒸着源400Bは有機薄膜に有機物を含めるために、前記基板S上に物質を蒸着させる前に一定の領域内で混合されるように噴射角度が調節可能である。
また、前記第1有機物蒸着源400A及び第2有機物蒸着源400Bの噴射ノズルの噴射方向先端に各々有機物の蒸着率及び蒸着厚さを測定することができる測定装置を設けることにより、前記基板S上に不純物を含む有機薄膜を形成する間、蒸着率及び有機物の厚さ制御を可能にし、有機薄膜に含まれる不純物含量の制御が可能である。
前記のように、図5a及び図5bと図6に示すように、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置100は前記内部熱反射板440及び外部冷却板450を介して前記有機物噴射ノズル部460を除外した外部に熱が放出されることを防止することにより、前記基板S及びマスクパターンMに及ぼす熱影響を最小化することができる。即ち、熱による前記基板S及びマスクパターンMの変形を防止することができる。
図7aないし図7dは、本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源を説明するための図面であって、図7aは本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源の縦断面図であり、図7bは本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物格納部、ノズル部及び加熱ヒータ部に限定して図示したものであり、図7cは本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置のハウジングに限定して図示したものであり、図7dは本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の冷却装置に限定して図示したものである。
図7aないし図7dを参照すると、本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置100の前記有機物蒸着源500は有機物を格納して一部分が開口された有機物格納部510と、前記有機物格納部510の開口された部分と連結されて有機物を噴射するノズル部520と、前記有機物格納部510を覆いかぶせる形態のハウジング530と、前記有機物格納部510と前記ハウジング530との間に介される加熱ヒータ部540と、を備える構造からなる。
前記有機物格納部510は前記基板S上に蒸着しようとする有機薄膜の原材料の有機物を格納する部分であって、一般的にるつぼからなる。また、前記有機物格納部510は熱伝導度が優れる黒鉛(graphite)、または、その等価物からなることができるが、本発明において、その材質に限るのではない。
前記ノズル部520は、前記有機物格納部510から蒸発する有機物粒子をほぼ垂直に起立した基板S上に噴射し、前記有機物粒子が前記基板S上に蒸着、分布する形態を決定する役割を遂行する。その際、前記ノズル部520は前記有機物格納部510から蒸発する有機物粒子を前記基板S上に噴射する有機物噴射ノズル521と、前記有機物格納部510から有機物粒子に蒸発せずに、クラスター(cluster)形態の有機物が跳ねることを防止する跳ね防止膜525とが一体化した形態からなる。また、前記ノズル部520は熱伝導度が優れる黒鉛(graphite)またはその等価物からなることができるが、本発明において、その材質に限るのではない。また、前記ノズル部520は開口された形態により有機物粒子が噴射される形態が調節可能なので、前記有機物格納部510内の有機物が均一に蒸発可能に制御することができる。
前記ハウジング(housing)530は、前記有機物格納部510を覆いかぶせる形態からなり、前記有機物格納部510を外部環境と隔離する役割を遂行する。
前記加熱ヒータ部540は、前記有機物格納部510と前記ハウジング530との間に介されて前記有機物格納部510の有機物を蒸発可能に加熱する役割を遂行する。その際、前記加熱ヒータ部540は前記有機物を蒸発可能にする熱源の熱線541と、一種のリブ(Rib)のような形態からなり、前記熱線541の垂れを防止して受け入れる熱線支持体545と、からなる。言い換えると、前記加熱ヒータ部540は熱線541及び熱線支持体545からなる一種のヒータトンネル(heater tunnel)構造からなり、前記ヒータトンネル(heater tunnel)が前記有機物格納部510を覆いかぶせる形態からなる。従って、前記加熱ヒータ部540は前記有機物蒸着源500でその他の構成要素、特に前記有機物格納部510と一体化されるかまたはその他の構成要素に取り付けられる形態からなるものでないので、独立的に分離及び交替が可能である。
また、前記有機物蒸着源500は、前記ハウジング530の内壁に取り付けられる内部熱反射板550を更に備えることもできる。前記内部熱反射板550は前記加熱ヒータ部540から発生する熱を反射して、前記加熱ヒータ部540の熱効率を増加させるためのものである。
また、前記有機物蒸着源500は、前記ノズル部520の基板S方向に外部面に取り付けられる熱遮断手段560を更に備えることができる。前記熱遮断手段560は、前記ノズル部520を介して熱が放出されて前記基板Sに影響を及ぼすことを防止する。
また、前記有機物蒸着源500は前記ハウジング530の外壁に設けられる冷却装置570を更に備えることもできる。前記冷却装置570は前記加熱ヒータ部540から発生した熱が前記ハウジング530を介して外部に放出されることを防止する。
一方、前記有機物蒸着源500は図面上に図示してはいないが、前記基板S上に蒸着する有機物の蒸着率及び有機物の蒸着厚さを測定する役割を遂行する測定装置を更に備えることもできる。
前記のように、図7aないし図7dに示すような、前記有機物蒸着装置の有機物蒸着源500は前記有機物格納部510がヒータトンネル(heater tunnel)構造の前記加熱ヒータ部540に介され、前記有機物格納部510の開口された部分にノズル部520が挿入され、前記加熱ヒータ部540が前記ハウジング530に挿入される構造からなり、前記有機物格納部510、ノズル部520及び加熱ヒータ部540の分解組立が容易な構造からなっている。
一方、前記のような有機物蒸着源500を備える有機物蒸着装置100を用いる有機薄膜の形成方法は下記の通りである。
まず、前記有機物蒸着装置100のチャンバ110内に基板Sを地面にほぼ垂直、好ましくは、地面と70゜ないし110゜角度を維持するように装着する。
次に、前記有機物蒸着源500の前記基板S上に蒸着しようとする有機物を受け入れている有機物格納部510を、前記加熱ヒータ部540を介して加熱する。その際、前記加熱ヒータ部540を介して前記有機物格納部510に格納されている有機物が加熱されて有機物粒子状態で蒸発する。
前記蒸発した有機物粒子は、前記ノズル部520に流入して、前記ノズル部520を介して噴射されて前記基板S上に蒸着される。その際、前記基板S上に蒸着する有機物粒子は前記マスクパターンMによりその蒸着形状が決定される。
その際、前記移送装置130を介して前記有機物蒸着源500を移送させ、前記基板S上に有機物を蒸着して、より均一な有機物の蒸着を遂行することができる。
一方、前記ノズル部520は有機物噴射ノズル521と跳ね防止板525が一体化しているので、前記有機物格納部510から有機物粒子に蒸発せず、クラスター形態の有機物が跳ねることを防止することができる。
また、前記ノズル部520が黒鉛(graphite)のような熱伝導度が優れる物質からなっており、別途の加熱装置を設置しなくても前記ノズル部520を介して噴射される有機物粒子の凝縮を防止することができる。
また、前記有機物粒子が前記基板S上に蒸着時に前記有機物噴射ノズル部520の有機物噴射ノズル521の開口された形態により前記基板S上に蒸着する有機物粒子の形態が調節される。
一方、有機物蒸着源は測定装置(図示してはいない)を更に備えることにより、前記有機物を前記基板S上に蒸着する間、前記基板S上に蒸着する有機物の蒸着率及び有機物の蒸着厚さを測定することができる。従って、前記測定装置580を用いて、有機薄膜を形成する間、有機物粒子の蒸着率及び有機物蒸着厚さを制御することにより、均一な有機薄膜の厚さの再現性を実現することができる。
本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。 本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。 本発明の一実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。 本発明の他の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための図面である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための図面である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置を説明するための概略図である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物蒸着源の縦断面図である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の有機物格納部、ノズル部及び加熱ヒータ部に限定して図示した図面である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置のハウジングに限定して図示した図面である。 本発明の又別の実施の形態に係る有機物蒸着装置の冷却装置に限定して図示した図面である。
符号の説明
100 有機物蒸着装置
110 チャンバ
120、200、300、400、400A、400B、500 有機物蒸着源
S 基板
M マスクパターン

Claims (9)

  1. 胴体を成し、基板を地面に対し、70゜ないし110゜の角度を維持するようにするチャンバと、
    前記基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる有機物格納部と、
    前記基板上に蒸着する有機物を噴射する有機物噴射ノズル部と、
    前記有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、
    前記有機物格納部、有機物噴射ノズル部及び連結ラインのうち少なくとも前記有機物噴射ノズルを垂直方向に移動させることができる移送装置と、
    を備えることを特徴とする有機物蒸着装置。
  2. 前記有機物格納部は、前記チャンバの内部または外部に位置することを特徴とする請求項1記載の有機物蒸着装置。
  3. 前記有機物噴射ノズル部は、隔壁を更に備えることを特徴とする請求項1記載の有機物蒸着装置。
  4. 前記有機物噴射ノズル部の有機物噴射方向の先端部に位置し、前記基板上に蒸着する有機物の蒸着率を測定する測定装置を更に備えることを特徴とする請求項1記載の有機物蒸着装置。
  5. 前記測定装置は、前記有機物噴射ノズルと一体化されて、前記有機物噴射ノズル部と共に垂直移動することを特徴とする請求項4記載の有機物蒸着装置。
  6. 胴体を成し、基板を地面に対し、70゜ないし110゜の角度を維持するようにするチャンバと、
    前記基板上に蒸着する有機物を受け入れる少なくとも一つの有機物格納所からなる少なくとも一つの有機物格納部と、
    前記基板上に蒸着する有機物を噴射する2つ以上の有機物噴射ノズル部と、
    前記有機物噴射ノズル部と有機物格納部とを連結させる連結ラインと、
    を備えることを特徴とする有機物蒸着装置。
  7. 前記有機物格納部と前記有機物噴射ノズルとは1:多数に対応することを特徴とする請求項6記載の有機物蒸着装置。
  8. 前記有機物格納部は、複数個であり、
    前記有機物噴射ノズルは前記有機物格納部と1:1に対応することを特徴とする請求項6記載の有機物蒸着装置。
  9. 前記有機物噴射ノズル部の有機物噴射方向の先端部に位置し、前記基板上に蒸着する有機物の蒸着率を測定する測定装置を更に備えることを特徴とする請求項6記載の有機物蒸着装置。
JP2005233758A 2004-08-25 2005-08-11 有機物蒸着装置 Pending JP2006063446A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040067260A KR20060018746A (ko) 2004-08-25 2004-08-25 유기물 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006063446A true JP2006063446A (ja) 2006-03-09

Family

ID=36092910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005233758A Pending JP2006063446A (ja) 2004-08-25 2005-08-11 有機物蒸着装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2006063446A (ja)
KR (1) KR20060018746A (ja)
CN (1) CN1740378A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007177319A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Samsung Sdi Co Ltd 蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法
US7964037B2 (en) 2006-07-13 2011-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Deposition apparatus
JP2012214834A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置および有機el表示装置の製造方法
JP2013129866A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Ulvac Japan Ltd 薄膜製造方法、薄膜製造装置
JP2013171811A (ja) * 2012-02-23 2013-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
JP2014035864A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Kaneka Corp 成膜装置及び有機el素子の製造方法
CN114525474A (zh) * 2022-03-10 2022-05-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100748451B1 (ko) * 2006-05-25 2007-08-10 에이엔 에스 주식회사 유기발광소자의 증착장치
KR100795905B1 (ko) * 2007-02-28 2008-01-21 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR101019947B1 (ko) * 2010-06-10 2011-03-09 에스엔유 프리시젼 주식회사 유기 반도체 제조장치
CN102315148A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 上方能源技术(杭州)有限公司 用于镀膜的基板传输装置和基板传输方法
KR101219061B1 (ko) * 2010-11-30 2013-01-21 주식회사 케이씨텍 스핀노즐 유닛 사이의 간격을 줄인 가스분사 모듈 및 이를 구비하는 직립방식 증착장치

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49120847U (ja) * 1973-02-15 1974-10-16
JP2001247959A (ja) * 1999-12-27 2001-09-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2002184571A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Denso Corp 有機el素子の製造方法
WO2003079420A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Innovex. Inc. Evaporation source for deposition process and insulation fixing plate, and heating wire winding plate and method for fixing heating wire
JP2003301255A (ja) * 2002-02-06 2003-10-24 Eiko Engineering Co Ltd 薄膜堆積用分子線源セルと薄膜堆積方法
JP2003347047A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp 有機膜形成装置
JP2004035964A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tokki Corp 蒸着装置
JP2004204289A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sony Corp 成膜装置とその方法および表示パネルの製造装置とその方法
JP2005281859A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 堆積厚測定方法、材料層の形成方法、堆積厚測定装置および材料層の形成装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49120847U (ja) * 1973-02-15 1974-10-16
JP2001247959A (ja) * 1999-12-27 2001-09-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2002184571A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Denso Corp 有機el素子の製造方法
JP2003301255A (ja) * 2002-02-06 2003-10-24 Eiko Engineering Co Ltd 薄膜堆積用分子線源セルと薄膜堆積方法
WO2003079420A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Innovex. Inc. Evaporation source for deposition process and insulation fixing plate, and heating wire winding plate and method for fixing heating wire
JP2003347047A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Sony Corp 有機膜形成装置
JP2004035964A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tokki Corp 蒸着装置
JP2004204289A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sony Corp 成膜装置とその方法および表示パネルの製造装置とその方法
JP2005281859A (ja) * 2004-03-03 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd 堆積厚測定方法、材料層の形成方法、堆積厚測定装置および材料層の形成装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007177319A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Samsung Sdi Co Ltd 蒸発源及びそれを用いた薄膜蒸着方法
US7964037B2 (en) 2006-07-13 2011-06-21 Canon Kabushiki Kaisha Deposition apparatus
JP2012214834A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置および有機el表示装置の製造方法
JP2013129866A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Ulvac Japan Ltd 薄膜製造方法、薄膜製造装置
JP2013171811A (ja) * 2012-02-23 2013-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 成膜装置
JP2014035864A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Kaneka Corp 成膜装置及び有機el素子の製造方法
CN114525474A (zh) * 2022-03-10 2022-05-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060018746A (ko) 2006-03-02
CN1740378A (zh) 2006-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006063446A (ja) 有機物蒸着装置
CN1743495B (zh) 有机物蒸镀装置
KR100723627B1 (ko) 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100623730B1 (ko) 증발원 어셈블리 및 이를 구비한 증착 장치
KR101930522B1 (ko) 증착 장치를 동작시키는 방법, 증발된 소스 재료를 기판 상에 증착하는 방법, 및 증착 장치
US20070178225A1 (en) Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device
KR100666572B1 (ko) 유기물 증발장치
KR101256193B1 (ko) 박막 증착장치 및 이에 사용되는 선형증발원
JP2006152440A (ja) 蒸発源及びこれを備えた蒸着装置
JP4516499B2 (ja) 有機物蒸着装置
KR20060084042A (ko) 증발원, 증착장치 및 이를 이용한 증착방법
CN101988185A (zh) 镀膜源、真空镀膜装置及其镀膜工艺
KR100666575B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 증착 장치
KR100685431B1 (ko) 유기물 증착원
KR20080013686A (ko) 대면적 기판에 박막을 적층하기 위한 장치
JP2013076120A (ja) 蒸発源および成膜装置
KR100666573B1 (ko) 증발원 및 이를 이용한 증착 장치
KR20170059318A (ko) 혼합 유기물 기체의 단일 증발원
KR101660393B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 증착장치
JP2003317948A (ja) 蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
KR20020038625A (ko) 기상유기물 증착방법과 이를 이용한 기상유기물 증착장치
KR100666570B1 (ko) 유기물 증발원 및 유기물 증착장치
KR100685144B1 (ko) 유기전계발광소자 제작용 유기물 증착장치 및 그를 이용한유기물 증착방법
KR100646514B1 (ko) 유기물 증착 장치
KR101196562B1 (ko) 유기물 소모량 향상용 유기소자 양산 제작용 증발원

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080827

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091104

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100420